JP2002043467A - 半導体パッケージ用基板とその製造方法およびその基板を用いた半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

半導体パッケージ用基板とその製造方法およびその基板を用いた半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法

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semiconductor package
resin
connection terminal
etching
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喜昭 若島
Naoki Fukutomi
直樹 福富
Kazuhisa Suzuki
和久 鈴木
Takeshi Funaki
威志 船木
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】構造が単純でありながら、微細な回路導体が形
成でき、接続信頼性の高い半導体パッケージ用基板と、
効率に優れたその半導体パッケージ用基板の製造方法、
およびその基板を用いた半導体パッケージ並びに半導体
パッケージの製造方法を提供すること。 【解決手段】接続端子用導体１１と、接続端子用導体間
を埋める樹脂４と、接続端子１１の搭載される面と反対
面に設けられた回路用導体２１からなり、接続端子用導
体１１を形成する第１の金属層と、回路用導体２１を形
成する第２の金属層がエッチング条件の異なる金属層で
あるＢＧＡ用の半導体パッケージ用基板。

Description

【発明の詳細な説明】 【発明の属する技術分野】
【０００１】本発明は、半導体パッケージ用基板とその
製造方法およびその基板を用いた半導体パッケージ並び
に半導体パッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の集積度が向上するに従い、入出
力端子数が増加している。従って、多くの入出力端子数
を有する半導体パッケージが必要になった。一般に、入
出力端子はパッケージの周辺に一列配置するタイプと、
周辺だけでなく内部まで多列に配置するタイプがある。
前者は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）が代表的である。これを多端子化する場合は、端子
ピッチを縮小することが必要であるが、０．５ｍｍピッ
チ以下の領域では、配線板との接続に高度な技術が必要
になる。後者のアレイタイプは比較的大きなピッチで端
子配列が可能なため、多ピン化に適している。従来、ア
レイタイプは接続ピンを有するＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉ
ｄ Ａｒｒａｙ）が一般的であるが、配線板との接続は
挿入型となり、表面実装には適していない。このため、
表面実装可能なＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）と称するパッケージが開発されている。
【０００３】一方、電子機器の小型化に伴って、パッケ
ージサイズの更なる小型化の要求が強くなってきた。こ
の小型化に対応するものとして、半導体チップとほぼ同
等サイズの、いわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳ
Ｐ； Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）が提案さ
れている。これは、半導体チップの周辺部でなく、実装
領域内に外部配線基板との接続部を有するパッケージで
ある。具体例としては、バンプ付きポリイミドフィルム
を半導体チップの表面に接着し、チップと金リード線に
より電気的接続を図った後、エポキシ樹脂などをポッテ
ィングして封止したもの（ＮＩＫＫＥＩ ＭＡＴＥＲＩ
ＡＬＳ ＆ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ９４．４，Ｎｏ．
１４０，ｐ１８−１９）や、仮基板上に半導体チップ及
び外部配線基板との接続部に相当する位置に金属バンプ
を形成し、半導体チップをフェースダウンボンディング
後、仮基板上でトランスファーモールドしたもの（Ｓｍ
ａｌｌｅｓｔ Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ−Ｌｉｋｅ Ｐａｃ
ｋａｇｅ ＣＳＰ； ＴｈｅＳｅｃｏｎｄ ＶＬＳＩ
Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｆ Ｊａｐ
ａｎ，ｐ４６−５０，１９９４）などがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、これらの半
導体パッケージは、いずれも、接続端子と半導体チップ
との接続のために、パッケージ用基板に形成する回路と
接続端子間の接続のために、スルーホール、バイアホー
ルを用いるので、その構造が複雑になり、接続の信頼性
が低下するという課題がある。また、これを避けるため
に、予め、接続端子の箇所に穴を設けた基材を使用する
ものもあるが、この方法では、従来の配線板の製造法と
同様に、銅箔を選択的にエッチング除去して回路導体を
形成しているので、その銅箔の厚さによって、エッチン
グ精度が決まり、微細な回路導体を形成するには、最初
から薄い銅箔を用いるか、工程の途中で、銅箔を薄くす
る工程を追加しなければならず、最初から薄い銅箔を用
いると、絶縁層で支持するまでの間に、銅箔の折れ曲が
りを生じ、取り扱いが困難であるという課題があり、工
程の途中で銅箔を薄くする方法では、工程が増加し、厚
さ方向のエッチング工程でのエッチング精度を制御する
ために注意を払わなければならず、効率が低くなるおそ
れがあった。
【０００５】本発明は、構造が単純でありながら、微細
な回路導体が形成でき、接続信頼性の高い半導体パッケ
ージ用基板と、効率に優れたその半導体パッケージ用基
板の製造方法、およびその基板を用いた半導体パッケー
ジ並びに半導体パッケージの製造方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下のことを
特徴とする。 （１）接続端子用導体と、接続端子用導体間を埋める樹
脂と、接続端子の搭載される面と反対面に設けられた回
路用導体からなり、接続端子用導体を形成する第１の金
属層と、回路用導体を形成する第２の金属層がエッチン
グ条件の異なる金属層である半導体パッケージ用基板。 （２）回路用導体を構成する金属層が、第２の金属層
と、その第２の金属層を補強する第３の金属層からなる
（１）に記載の半導体パッケージ用基板。 （３）回路用導体の面に、半導体チップと接続される箇
所を除いて、絶縁被覆する樹脂層を形成した（１）また
は（２）に記載の半導体パッケージ用基板。 （４）第１の金属層が、銅、および銅合金からなる
（１）〜（３）のうちいずれかに記載の半導体パッケー
ジ用基板。 （５）第２の金属層が、ニッケル、クロム、チタン、
錫、およびそれらを１種以上含む合金からなる、（１）
〜（４）のうちいずれかに記載の半導体パッケージ用基
板。 （６）接続端子用導体に、はんだボールを接続した請求
項（１）〜（５）のうちいずれかに記載の半導体パッケ
ージ用基板。 （７）比較的厚い第１の金属層と、比較的薄い第２の金
属層と、キャリア層がこの順に重なったものであり、第
１の金属層が第２の金属層とエッチング条件が異なる金
属層である複合金属層を準備する第１工程と、少なくと
も第１の金属層の表面にエッチングレジストを形成し、
第２の金属層が露出するまで、第１の金属層を選択的に
エッチング除去し、接続端子用導体を形成する第２工程
と、接続端子用導体間を、樹脂で埋める第３工程と、キ
ャリア層を除去した後、第２の金属層の表面に、エッチ
ングレジストを形成し、第１の金属層あるいは樹脂が露
出するまで第２の金属層を選択的にエッチング除去する
第４工程と、からなる半導体パッケージ用基板の製造方
法。 （８）キャリア層が、回路用導体となる第３の金属層で
あり、少なくとも第１の金属層の表面にエッチングレジ
ストを形成し、第２の金属層が露出するまで、第１の金
属層を選択的にエッチング除去し、接続端子用導体を形
成する第２工程と、接続端子用導体間を、樹脂で埋める
第３工程と、第１の金属層と反対面の第３の金属層の表
面に、エッチングレジストを形成し、第２の金属層が露
出するまで第３の金属層を選択的にエッチング除去する
第４工程と、第２の金属層を、第１の金属層あるいは樹
脂が露出する厚さまで、選択的にエッチング除去する第
５工程と、からなる半導体パッケージ用基板の製造方
法。 （９）回路用導体の面に、半導体チップと接続される箇
所を除いて、絶縁被覆する樹脂層を形成する（７）また
は（８）に記載の半導体パッケージ用基板の製造方法。 （１０）接続端子用導体に、はんだボールを接続する
（７）〜（９）のうちいずれかに記載の半導体パッケー
ジ用基板の製造方法。 （１１）（１）〜（６）のうちいずれかに記載した半導
体パッケージ用基板に、半導体チップを搭載し、半導体
チップ上の端子と端子接続用導体とを電気的に接続した
半導体パッケージ。 （１２）さらに、半導体チップを封止樹脂で封止した
（１１）に記載の半導体パッケージ。 （１３）（１）〜（６）のうちいずれかに記載した半導
体パッケージ用基板に、半導体チップを搭載する工程
と、半導体チップ上の端子と端子接続用導体とを電気的
に接続する工程と、からなる半導体パッケージの製造方
法。 （１４）さらに、半導体チップを封止樹脂で封止する工
程を有する（１３）に記載の半導体パッケージの製造方
法。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の、半導体パッケージは、
例えば、図１（ｆ）に示すように、接続端子用導体１１
と、接続端子用導体１１間を埋める樹脂４と、接続端子
の搭載される面と反対面に設けられた回路用導体２１か
らなり、接続端子用導体１１を形成する第１の金属層
と、回路用導体を形成する第２の金属層がエッチング条
件の異なる金属層である半導体パッケージ用基板であ
り、この接続端子用導体１１を構成する第１の金属層に
は、銅、銅合金、鉄・ニッケル合金等から選択したもの
を用いることができ、第２の金属層としては、第１の金
属層が、銅、銅合金の場合には、ニッケル、ニッケル合
金、チタン、クロム、錫、亜鉛等を用いることができ、
第１の金属層が、鉄・ニッケル合金の場合には、チタ
ン、クロム、錫等を用いることができる。このときに、
図２（ｆ）に示すように、回路用導体２１には、第２の
金属層と、補強する第３の金属層とを積層したものでも
よく、この第３の金属層には、銅、銅合金、鉄・ニッケ
ル合金等から選択したものを用いることができる。この
接続端子用導体の厚さは、１２〜１００μｍの範囲であ
ることが好ましく、１００μｍを越えると、接続端子用
導体の形成時にエッチング精度が±５０μｍ以上とな
り、微細なパターンの形成が困難になるおそれがあり、
１２μｍ未満であると、その間に樹脂を埋めても強度が
なく、また、樹脂による絶縁性が低下するおそれがあ
る。より好ましくは、１８〜７０μｍの範囲である。こ
の回路用導体２１のうちの第２の金属層の厚さは、０.
０５〜５０μｍの範囲であることが好ましく、５０μｍ
を越えると、回路導体の形成時にエッチング精度が±２
５μｍ以上となり、微細なパターンの形成が困難になる
おそれがあり、０.０５μｍ未満であると、接続端子用
導体をエッチング除去するときに、その第２の金属層に
発生したピットや欠けのために、その反対面の第３の金
属層を浸食するおそれがある。より好ましくは、０.１
〜３５μｍの範囲である。また、この回路用導体２１の
うちの第３の金属層の厚さは、１〜５０μｍの範囲であ
ることが好ましく、５０μｍを越えると、回路用導体の
形成時にエッチング精度が±２５μｍ以上となり、微細
なパターンの形成が困難になるおそれがあり、１μｍ未
満であると、接続端子用導体をエッチング除去するとき
に、その第２の金属層に発生したピットや欠けのため
に、その反対面の第３の金属層を浸食するおそれがあ
る。より好ましくは、５〜１２μｍの範囲である。エッ
チング条件が異なるというのは、１種類のエッチング液
に対して、浸食性が高いものと、低いものを指す。した
がって、第１の金属層、第２の金属層、第３の金属層の
選択は、上記したような組み合わせとなる。
【０００８】回路用導体２１の面に、半導体チップと接
続される箇所を除いて、絶縁被覆する樹脂層（ソルダー
レジスト）を形成することができ、この樹脂層には、熱
硬化性のエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、感光性のポリイミド樹脂、
アクリルエポキシ樹脂、エチレンプロピレン、スチレン
ブタジェン等の熱可塑性エラストマ、液晶ポリマ等から
選択したものを用いることができる。この樹脂層の厚さ
は、５〜１００μｍの範囲であることが好ましく、１０
０μｍを越えると、半導体チップの端子と接続するのが
困難になるおそれがあり、５μｍ未満であると、絶縁性
が低下し、半導体チップと回路用導体とが接触し、回路
が短絡するおそれがある。より好ましくは、１０μｍ〜
８０μｍの範囲である。
【０００９】接続端子用導体には、はんだボールを接続
することができ、はんだボールの材質は、鉛と錫を含む
鉛・錫はんだの他、鉛を含まず錫、銀、ビスマス、イン
ジューム等を含む鉛フリーはんだ等から選択したものを
用いることができる、はんだボールの大きさは、８〜１
５０μｍの範囲が好ましく、８μｍ未満では、端子強度
が弱く接続信頼性が不足し、１５０μｍを越えると、端
子高さ及びピッチが大きく端子部面積が過大になり、半
導体パッケージに適さない。
【００１０】このような半導体パッケージ用基板を製造
するには、以下のような工程によって可能である。 ・比較的厚い第１の金属層と、比較的薄い第２の金属層
と、キャリア層がこの順に重なったものであり、第１の
金属層が第２の金属層とエッチング条件が異なる金属層
である複合金属層を準備する第１工程。 ・少なくとも第１の金属層の表面にエッチングレジスト
を形成し、第２の金属層が露出するまで、第１の金属層
を選択的にエッチング除去し、接続端子用導体を形成す
る第２工程。 ・接続端子用導体間を、樹脂で埋める第３工程。 ・キャリア層を除去した後、第２の金属層の表面に、エ
ッチングレジストを形成し、第１の金属層あるいは樹脂
が露出するまで第２の金属層を選択的にエッチング除去
する第４工程。
【００１１】キャリア層には、絶縁樹脂板、絶縁フィル
ム、あるいは金属箔を用いることができ、絶縁樹脂板で
は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、
フェノール樹脂等から選択されたもの、絶縁フィルムで
は、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂
等から選択されたもの、金属箔では、銅箔、銅合金箔、
鉄・ニッケル合金箔当から選択されたものを用いること
ができる。絶縁樹脂板では、厚さが、１２〜１００μｍ
のものを用いることが好ましく、１２μｍ未満では、強
度が低い為搬送時に皺等が発生しやすく、１００μｍを
越えると、柔軟性不足等でクラック、剥離が発生しやす
く、より好ましくは、１８〜７０μｍの範囲である。こ
の絶縁樹脂板をキャリア層として、その上に第２の金属
層と第１の金属層を形成するには、絶縁樹脂板の表面を
粗化し、めっき用触媒を付与して、第２の金属層と第１
の金属層を共に無電解めっきによって形成する方法、第
２の金属層の上に電気めっきで第１の金属層を形成する
方法、第１の金属層の表面に第２の金属層をめっきで形
成しておき、絶縁樹脂板に重ねて積層接着し、形成する
方法などがある。
【００１２】キャリア層に、絶縁フィルムを用いるとき
も、絶縁樹脂板と同様に、厚さが、１２〜１００μｍの
ものを用いることが好ましく、１２μｍ未満では、強度
が低い為搬送時に皺等が発生しやすく、１００μｍを越
えると、柔軟性不足等でクラック、剥離が発生しやす
く、より好ましくは、１８〜７０μｍの範囲である。こ
の絶縁フィルムをキャリア層として、その上に第２の金
属層と第１の金属層を形成するには、絶縁フィルムの表
面を粗化し、めっき用触媒を付与して、第２の金属層と
第１の金属層を共に無電解めっきによって形成する方
法、第２の金属層の上に電気めっきで第１の金属層を形
成する方法、第１の金属層１の表面に第２の金属層２を
めっきで形成しておき、絶縁フィルムに重ねて積層接着
し、形成する方法などがある。
【００１３】キャリア層に、第３の金属層を用いるとき
には、５〜１００μｍのものを用いることが好ましく、
５μｍ未満では、強度が低い為搬送時に皺等が発生しや
すく、１００μｍを越えると、柔軟性不足等でクラッ
ク、剥離が発生しやすく、より好ましくは、７〜７０μ
ｍの範囲である。この第３の金属層をキャリア層とし
て、その上に第２の金属層と第１の金属層を形成するに
は、第３の金属層の上に、第２の金属層をめっきで形成
し、その第２の金属層の上に電気めっきで第１の金属層
を形成する方法、第１の金属層の表面に第２の金属層を
めっきで形成しておき、さらに第３の金属層をめっきで
形成する方法などがある。
【００１４】キャリア層に第３の金属層を用いて半導体
パッケージ用基板を製造するには、以下の工程による。 ・比較的厚い第１の金属層と、比較的薄い第２の金属層
と、第３の金属層がこの順に重なったものであり、第１
の金属層が第２の金属層とエッチング条件が異なる金属
層である複合金属層を準備する第１工程。 ・少なくとも第１の金属層の表面にエッチングレジスト
を形成し、第２の金属層が露出するまで、第１の金属層
を選択的にエッチング除去し、接続端子用導体を形成す
る第２工程。 ・接続端子用導体間を、樹脂で埋める第３工程。 ・第１の金属層と反対面の第３の金属層の表面に、エッ
チングレジストを形成し、第２の金属層が露出するまで
第３の金属層を選択的にエッチング除去する第４工程。 ・第２の金属層を、第１の金属層あるいは樹脂が露出す
る厚さまで、選択的にエッチング除去する第５工程。
【００１５】上記の半導体パッケージ用基板の製造のと
きに、回路用導体の面に、半導体チップと接続される箇
所を除いて、絶縁被覆する樹脂層（ソルダーレジスト）
を形成することができ、この樹脂層には、前述したよう
に、熱硬化性のエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコ
ーン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、感光性のポリイミド
樹脂、アクリルエポキシ樹脂、エチレンプロピレン、ス
チレンブタジェン等の熱可塑性エラストマ、液晶ポリマ
等から選択したものを用い、硬化剤と、溶剤を混入した
インク様の液体を、スクリーン印刷によって形成するこ
とができ、また、このインク様の液体を予め光硬化剤と
混合しておき、ポリエチレンテレフタレートフィルムの
ような剛性のある支持フィルムに璃型処理したものの表
面に塗布し、加熱・乾燥して半硬化状にしたドライフィ
ルムをラミネートし、半導体チップと接続される箇所を
覆うフォトマスクを重ねて紫外線などを照射し、現像し
て形成することもできる。
【００１６】このようにして作製した半導体パッケージ
用基板には、はんだボールを搭載することもできる。こ
のはんだボールの搭載には、半導体チップを搭載する前
に行うこともできるが、通常は、加熱する工程なので、
半導体チップを搭載した後に行うのが好ましい。このよ
うな半導体パッケージ用基板に、半導体チップを搭載
し、半導体チップ上の端子と端子接続用導体とを電気的
に接続するには、ワイヤボンディングによって行うこと
もできるが、半導体チップの端子の表面に、導電性接着
剤、あるいは異方導電性フィルムを貼り合わせて、半導
体パッケージ用基板に加圧して接続することもできる。
【００１７】さらに、半導体チップを封止樹脂で封止す
ることもでき、この樹脂には、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、液晶ポリマ、ポ
リエーテルアミド樹脂等から選択したものを用いること
ができる。
【００１８】
【実施例】実施例１ 第１工程：図１（ａ）に示すように、厚さ３５μｍの銅
を第１の金属層１とし、厚さ５μｍのニッケルを第２の
金属層２とし、絶縁フィルムである接着剤付ポリイミド
をキャリア層１３とする複合金属層を準備した。 第２工程：図１（ｂ）に示すように、第１の金属層１の
表面にエッチングレジスト６１を形成し、図１（ｃ）に
示すように、第２の金属層３が露出するまで、第１の金
属層を選択的にエッチング除去し、接続端子用導体１１
を形成した。このときのエッチンレジスト６１には、エ
ッチングレジスト用ドライフィルムであるＨＹ−９２０
（日立化成工業（株）製）をラミネートし、接続端子用
導体１１となる箇所に光を透過するフォトマスクを重
ね、紫外線を照射し、現像して形成した。 第３工程：図１（ｄ）に示すように、エッチングレジス
ト６１を除去した後、接続端子用導体１１間を、樹脂４
として、液状エポキシ樹脂ＣＥＬ−Ｃ−４１００（日立
化成工業（株）製）を用いて、スクリーン印刷法で埋め
た。 第４工程：図１（ｅ）に示すように、キャリア層１３
を、機械的な引き剥がしで剥離・除去した後、第２の金
属層２の表面に、エッチングレジスト６２を形成し、第
１の金属層１あるいは樹脂４が露出するまで第２の金属
層２を、硫酸・過酸化水素水溶液からなるエッチング液
により、選択的にエッチング除去し、図１（ｆ）に示す
ように、回路用導体２１を形成した。このときのエッチ
ンレジスト６２には、エッチングレジスト用ドライフィ
ルムであるＨＹ−９２０（日立化成工業（株）製）をラ
ミネートし、回路用銅来２１となる箇所に光を透過する
フォトマスクを重ね、紫外線を照射し、現像して形成し
た。さらに、図１（ｇ）に示すように、第２の金属層２
の表面に、絶縁被覆する樹脂層４１として、ソルダーレ
ジスト６３であるＳＲ−７１００（日立化成工業（株）
製）を、厚さ３０μｍにシルクスクリーン印刷し、図１
（ｈ）に示すように、半導体チップ５を、絶縁性接着剤
３１によって固定した後、その半導体チップ５の端子５
１と回路用導体２１を、ワイヤボンディングによって接
続し、鉛６対錫４の組成のはんだボール１２で、直径３
００μｍのはんだボール１２を、載せ、２４０℃のリフ
ロー炉に１分間通し、接続し、封止樹脂４２として、エ
ポキシ樹脂ＣＥＬ−９２００（日立化成工業（株）製）
を用い、モールド金型で封止して、厚さは、８００μｍ
の半導体パッケージとした。
【００１９】実施例２ 第１工程：図２（ａ）に示すように、厚さ５０μｍの鉄
ニッケル合金４２アロイを第１の金属層１とし、厚さ１
μｍのチタンを第２の金属層２とし、厚さ１０μｍの銅
を第３の金属層３とし、この順に重なった複合金属層を
準備した。 第２工程：図２（ｂ）に示すように、第１の金属層１の
表面にエッチングレジスト６１を形成し、第２の金属層
２が露出するまで、第１の金属層１を選択的にエッチン
グ除去し、図２（ｃ）に示すように、接続端子用導体１
１を形成した。このときのエッチンレジスト６１には、
エッチングレジスト用ドライフィルムであるＨＹ−９２
０（日立化成工業（株）製）をラミネートし、接続端子
用導体１１となる箇所に光を透過するフォトマスクを重
ね、紫外線を照射し、現像して形成した。 第３工程：図２（ｄ）に示すように、エッチングレジス
ト６１を除去した後、接続端子用導体１１間を、樹脂４
として、液状エポキシ樹脂ＣＥＬ−Ｃ−７２００（日立
化成工業（株）製）を用いて、スクリーン印刷法で埋め
た。 第４工程：第１の金属層１と反対面の第３の金属層３の
表面に、エッチングレジスト６２を形成し、図２（ｅ）
に示すように、第２の金属層２が露出するまで第３の金
属層３を、チオ硫酸アンモニウム水溶液からなるアルカ
リエッチング液で選択的にエッチング除去する。 第５工程：続いて、第２の金属層２を、第１の金属層１
あるいは樹脂４が露出する厚さまで、硫酸・過酸化水素
水溶液からなる酸エッチング液で、選択的にエッチング
除去して、図２（ｆ）に示すように、第２の金属層２と
第３の金属層３からなる回路用導体２１を形成する。さ
らに、図２（ｇ）に示すように、第２の金属層２の表面
に、絶縁被覆する樹脂層４１として、ソルダーレジスト
６３であるＳＲ−７１００（日立化成工業（株）製）
を、厚さ２０μｍにシルクスクリーン印刷し、図２
（ｈ）に示すように、回路用導体２１がソルダーレジス
ト６３から露出した箇所に異方導電性フィルム６４を貼
り、半導体チップ５を、その端子５１が回路用導体と接
続するように重ね、１７０℃で２分間、０.５ＭＰａの
圧力で加熱・加圧して接着・接続し、鉛６対錫４の組成
のはんだボール１２で、直径６００μｍのはんだボール
１２を、載せ、２４０℃のリフロー炉に１分間通し、接
続し、封止樹脂４２として、エポキシ樹脂ＣＥＬ−９２
００（日立化成工業（株）製）を用い、モールド金型で
封止して、厚さは、５００μｍの半導体パッケージとし
た。
【００２０】いずれの半導体パッケージの回路導体も、
従来、５０μｍの幅の導体しか形成できなかったのに比
べ、２５μｍまで形成することができた。
【００２１】
【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明によっ
て、構造が単純でありながら、微細な回路導体が形成で
き、接続信頼性の高い半導体パッケージ用基板と、効率
に優れたその半導体パッケージ用基板の製造方法、およ
びその基板を用いた半導体パッケージ並びに半導体パッ
ケージの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｈ）は、それぞれ本発明の一実施例
を説明するための各工程における断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｈ）は、それぞれ本発明の他の実施
例を説明するための各工程における断面図である。
【符号の説明】
１．第１の金属層 ２．第２
の金属層２ ３．第３の金属層 ４．樹脂 ５．半導体チップ １１．接
続端子用導体 １２．はんだボール １３．キ
ャリア層 ２１．回路用導体 ３１．絶
縁性接着剤 ４２．封止樹脂 ６１．エッチングレジスト ６２．エ
ッチングレジスト ６３．ソルダーレジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 船木 威志 東京都港区芝浦四丁目９番25号 日立化成 工業株式会社内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】接続端子用導体と、接続端子用導体間を埋
    める樹脂と、接続端子の搭載される面と反対面に設けら
    れた回路用導体からなり、接続端子用導体を形成する第
    １の金属層と、回路用導体を形成する第２の金属層がエ
    ッチング条件の異なる金属層である半導体パッケージ用
    基板。
  2. 【請求項２】回路用導体を構成する金属層が、第２の金
    属層と、その第２の金属層を補強する第３の金属層から
    なる請求項１に記載の半導体パッケージ用基板。
  3. 【請求項３】回路用導体の面に、半導体チップと接続さ
    れる箇所を除いて、絶縁被覆する樹脂層を形成した請求
    項１または２に記載の半導体パッケージ用基板。
  4. 【請求項４】第１の金属層が、銅、および銅合金又は鉄
    ニッケル合金からなる請求項１〜３のうちいずれかに記
    載の半導体パッケージ用基板。
  5. 【請求項５】第２の金属層が、ニッケル、クロム、チタ
    ン、錫、亜鉛およびそれらを１種以上含む合金からな
    る、請求項１〜４のうちいずれかに記載の半導体パッケ
    ージ用基板。
  6. 【請求項６】接続端子用導体に、はんだボールを接続し
    た請求項１〜３のうちいずれかに記載の半導体パッケー
    ジ用基板。
  7. 【請求項７】比較的厚い第１の金属層と、比較的薄い第
    ２の金属層と、キャリア層がこの順に重なったものであ
    り、第１の金属層が第２の金属層とエッチング条件が異
    なる金属層である複合金属層を準備する第１工程と、 少なくとも第１の金属層の表面にエッチングレジストを
    形成し、第２の金属層が露出するまで、第１の金属層を
    選択的にエッチング除去し、接続端子用導体を形成する
    第２工程と、 接続端子用導体間を、樹脂で埋める第３工程と、 キャリア層を除去した後、第２の金属層の表面に、エッ
    チングレジストを形成し、第１の金属層あるいは樹脂が
    露出するまで第２の金属層を選択的にエッチング除去す
    る第４工程と、からなる半導体パッケージ用基板の製造
    方法。
  8. 【請求項８】キャリア層が、第３の金属層であり、 少なくとも第１の金属層の表面にエッチングレジストを
    形成し、第２の金属層が露出するまで、第１の金属層を
    選択的にエッチング除去し、接続端子用導体を形成する
    第２工程と、 接続端子用導体間を、樹脂で埋める第３工程と、 第１の金属層とは反対面の第３の金属層の表面に、エッ
    チングレジストを形成し、第２の金属層が露出するまで
    第３の金属層を選択的にエッチング除去する第４工程
    と、 第２の金属層を、第１の金属層あるいは樹脂が露出する
    厚さまで、選択的にエッチング除去する第５工程と、か
    らなる半導体パッケージ用基板の製造方法。
  9. 【請求項９】回路用導体の面に、半導体チップと接続さ
    れる箇所を除いて、絶縁被覆する樹脂層を形成する請求
    項７または８に記載の半導体パッケージ用基板の製造方
    法。
  10. 【請求項１０】接続端子用導体に、はんだボールを接続
    する請求項７〜９のうちいずれかに記載の半導体パッケ
    ージ用基板の製造方法。
  11. 【請求項１１】請求項１〜６のうちいずれかに記載した
    半導体パッケージ用基板に、半導体チップを搭載し、半
    導体チップ上の端子と端子接続用導体とを電気的に接続
    した半導体パッケージ。
  12. 【請求項１２】さらに、半導体チップを樹脂で封止した
    請求項１１に記載の半導体パッケージ。
  13. 【請求項１３】請求項１〜６のうちいずれかに記載した
    半導体パッケージ用基板に、半導体チップを搭載する工
    程と、半導体チップ上の端子と端子接続用導体とを電気
    的に接続する工程と、からなる半導体パッケージの製造
    方法。
  14. 【請求項１４】さらに、半導体チップを封止樹脂で封止
    する工程を有する請求項１３に記載の半導体パッケージ
    の製造方法。
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