JP2004087768A5 - - Google Patents
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その後、Ｈ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2混合液等により洗浄を実施しても良い（ステップ１０５）。Ｈ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2混合液は、ウェット洗浄の分野ではＳＰＭ（Ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ−Ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）の略称で知られ、有機汚染物質の除去に用いられる洗浄液である。
図１は本発明のＳＯＩウエーハの製造方法の工程順の一例を模式図とともに示すフローチャートである。図１において図７と同一又は類似部材は同一符号で示される。
図１に示した本発明のＳＯＩウエーハの製造フローは図７に示した従来のＳＯＩウエーハの製造フローと基本的な工程順は同じであるので、同一工程についての再度の説明は省略し、相違点のみについて以下に説明する。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002246422A JP2004087768A (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
| PCT/JP2003/010559 WO2004021433A1 (ja) | 2002-08-27 | 2003-08-21 | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
| EP03791244A EP1548822A1 (en) | 2002-08-27 | 2003-08-21 | Method for manufacturing soi wafer |
| US10/525,397 US20060154445A1 (en) | 2002-08-27 | 2003-08-21 | Method for manufacturing soi wafer |
| KR1020047020378A KR20050047505A (ko) | 2002-08-27 | 2003-08-21 | Ｓｏｉ 웨이퍼의 제조방법 |
| CNA03819578XA CN1675758A (zh) | 2002-08-27 | 2003-08-21 | Soi晶片的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002246422A JP2004087768A (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004087768A JP2004087768A (ja) | 2004-03-18 |
| JP2004087768A5 true JP2004087768A5 (ja) | 2005-04-07 |
Family
ID=31972416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002246422A Pending JP2004087768A (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060154445A1 (ja) |
| EP (1) | EP1548822A1 (ja) |
| JP (1) | JP2004087768A (ja) |
| KR (1) | KR20050047505A (ja) |
| CN (1) | CN1675758A (ja) |
| WO (1) | WO2004021433A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216826A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Sumco Corp | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| TWI270928B (en) * | 2005-07-22 | 2007-01-11 | Sino American Silicon Products | Method of manufacturing composite wafer sructure |
| FR2890489B1 (fr) * | 2005-09-08 | 2008-03-07 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une heterostructure de type semi-conducteur sur isolant |
| CN101341577B (zh) | 2005-12-19 | 2011-08-03 | 信越半导体股份有限公司 | Soi基板的制造方法及soi基板 |
| JP5082299B2 (ja) * | 2006-05-25 | 2012-11-28 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 半導体基板の製造方法 |
| JP2008066500A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハおよびその製造方法 |
| KR100828029B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2008-05-08 | 삼성전자주식회사 | 스택형 반도체 장치의 제조 방법 |
| EP2128891B1 (en) * | 2007-02-28 | 2015-09-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Process for producing laminated substrate |
| JP5125194B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2013-01-23 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウエーハの製造方法 |
| JP2008263010A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| KR101111693B1 (ko) * | 2007-08-01 | 2012-02-14 | 김주영 | 태양전지용 다결정 실리콘 제조방법 |
| JP2010021242A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Sumco Corp | 貼り合わせ用ウェーハの欠陥検出方法 |
| US8963337B2 (en) * | 2010-09-29 | 2015-02-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates | Thin wafer support assembly |
| CN103311172A (zh) | 2012-03-16 | 2013-09-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Soi衬底的形成方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0636407B2 (ja) * | 1988-11-05 | 1994-05-11 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハ接合方法 |
| JP3098670B2 (ja) * | 1994-03-14 | 2000-10-16 | 三菱マテリアル株式会社 | 張り合わせ用半導体ウェーハの研磨表面粗さの管理方法 |
| JP2959704B2 (ja) * | 1995-03-27 | 1999-10-06 | 信越半導体株式会社 | 結合ウェーハの製造方法及びこの方法により製造された結合ウェーハ |
| JPH09232197A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Sumitomo Sitix Corp | 貼り合わせ半導体ウエーハの製造方法 |
| JP3604026B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2004-12-22 | 三菱住友シリコン株式会社 | 張り合わせシリコン基板の製造方法 |
| JP3219142B2 (ja) * | 1997-12-17 | 2001-10-15 | 信越半導体株式会社 | 半導体シリコンウエーハ研磨用研磨剤及び研磨方法 |
| US6884721B2 (en) * | 1997-12-25 | 2005-04-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon wafer storage water and silicon wafer storage method |
| WO1999039380A1 (fr) * | 1998-02-02 | 1999-08-05 | Nippon Steel Corporation | Substrat soi et procede de fabrication dudit substrat |
| JP3921823B2 (ja) * | 1998-07-15 | 2007-05-30 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法およびｓｏｉウェーハ |
| JP3900741B2 (ja) * | 1999-05-21 | 2007-04-04 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| JP2001196566A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Sony Corp | 半導体基板およびその製造方法 |
| JP2002176155A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 貼り合わせｓｏｉウエハの製造方法 |
-
2002
- 2002-08-27 JP JP2002246422A patent/JP2004087768A/ja active Pending
-
2003
- 2003-08-21 CN CNA03819578XA patent/CN1675758A/zh active Pending
- 2003-08-21 US US10/525,397 patent/US20060154445A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-21 KR KR1020047020378A patent/KR20050047505A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-08-21 EP EP03791244A patent/EP1548822A1/en not_active Withdrawn
- 2003-08-21 WO PCT/JP2003/010559 patent/WO2004021433A1/ja not_active Application Discontinuation
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