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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3903761B2 (ja) * 2001-10-10 2007-04-11 株式会社日立製作所 レ−ザアニ−ル方法およびレ−ザアニ−ル装置
US7504387B2 (en) * 2002-10-16 2009-03-17 Arthrodynamic Technologies, Animal Health Division, Inc. Glycosaminoglycan composition and method for treatment and prevention of interstitial cystitis
JP4772261B2 (ja) * 2002-10-31 2011-09-14 シャープ株式会社 表示装置の基板の製造方法及び結晶化装置
US7145229B2 (en) * 2002-11-14 2006-12-05 The Regents Of The University Of California Silicone metalization
JP4503344B2 (ja) * 2003-04-21 2010-07-14 株式会社半導体エネルギー研究所 ビーム照射装置および半導体装置の作製方法
US7220627B2 (en) * 2003-04-21 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device where the scanning direction changes between regions during crystallization and process
US20050062106A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-24 Yukihiro Noguchi Luminance adjusting display apparatus
JP5159021B2 (ja) * 2003-12-02 2013-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2005217209A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Hitachi Ltd レーザアニール方法およびレーザアニール装置
CN100541722C (zh) 2004-03-26 2009-09-16 株式会社半导体能源研究所 激光辐照方法和激光辐照装置
US20050237895A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP2005340788A (ja) * 2004-04-28 2005-12-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射方法およびそれを用いた半導体装置の作製方法
US8525075B2 (en) 2004-05-06 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
JP5250181B2 (ja) * 2004-05-06 2013-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5072197B2 (ja) * 2004-06-18 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法
US7820936B2 (en) * 2004-07-02 2010-10-26 Boston Scientific Scimed, Inc. Method and apparatus for controlling and adjusting the intensity profile of a laser beam employed in a laser welder for welding polymeric and metallic components
JP2006019609A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
JP2006060191A (ja) * 2004-07-23 2006-03-02 Seiko Epson Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器
JP4942959B2 (ja) * 2004-07-30 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法
CN101667538B (zh) 2004-08-23 2012-10-10 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP5352040B2 (ja) * 2004-08-23 2013-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5030405B2 (ja) * 2004-09-01 2012-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5019739B2 (ja) * 2004-11-29 2012-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ処理装置
US7393764B2 (en) 2004-11-29 2008-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser treatment apparatus, laser treatment method, and manufacturing method of semiconductor device
WO2006118312A1 (en) * 2005-05-02 2006-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and laser irradiation method
JP5085014B2 (ja) 2005-05-26 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2005347764A (ja) * 2005-07-19 2005-12-15 Hitachi Ltd 画像表示装置の製造方法
JP2007088364A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Hitachi Displays Ltd 表示装置
CN101331592B (zh) * 2005-12-16 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 激光照射设备、激光照射方法和半导体装置的制造方法
JP5130633B2 (ja) * 2006-03-02 2013-01-30 ソニー株式会社 画像表示デバイスおよび画像表示装置
US20080045041A1 (en) * 2006-08-17 2008-02-21 Toshiba America Electronic Components, Inc. Liquid Immersion Laser Spike Anneal
JP5007192B2 (ja) * 2006-10-06 2012-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20080090396A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light exposure apparatus and method for making semiconductor device formed using the same
TW200826055A (en) * 2006-12-06 2008-06-16 Gigno Technology Co Ltd Display apparatus and manufacturing method thereof
TW200841474A (en) * 2007-04-13 2008-10-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Method for fabricating thin film transistors
US7906316B2 (en) * 2007-07-05 2011-03-15 The Johns Hopkins University Apparatus for detecting molecules
TWI464880B (zh) * 2008-09-04 2014-12-11 Au Optronics Corp 薄膜電晶體陣列基板及其製作方法
JP5517832B2 (ja) * 2010-08-20 2014-06-11 住友重機械工業株式会社 レーザアニール装置及びレーザアニール方法
JP6439297B2 (ja) * 2014-07-04 2018-12-19 富士電機株式会社 不純物導入方法、不純物導入装置及び半導体素子の製造方法
CN105489487A (zh) 2016-01-14 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 低温多晶硅薄膜及晶体管的制备方法、激光晶化装置
CN107863355B (zh) * 2017-10-26 2022-01-25 上海中航光电子有限公司 一种显示基板、显示装置和显示基板的制造方法
DE102018131023B4 (de) * 2018-12-05 2025-12-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische leuchtvorrichtung mit einem pwm-transistor und verfahren zum herstellen oder steuern einer optoelektronischen leuchtvorrichtung

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56145198A (en) * 1980-04-04 1981-11-11 Hitachi Ltd Forming method of single crystal silicon membrane and device therefor
KR100299292B1 (ko) * 1993-11-02 2001-12-01 이데이 노부유끼 다결정실리콘박막형성방법및그표면처리장치
KR100321541B1 (ko) * 1994-03-09 2002-06-20 야마자끼 순페이 능동 매트릭스 디스플레이 장치의 작동 방법
JPH08264802A (ja) * 1995-03-28 1996-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体作製方法、薄膜トランジスタ作製方法および薄膜トランジスタ
JP2000068520A (ja) * 1997-12-17 2000-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜、その製造方法、および製造装置、ならびに半導体素子、およびその製造方法
JP4954359B2 (ja) * 1999-02-12 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2000275668A (ja) * 1999-03-19 2000-10-06 Fujitsu Ltd レーザアニーリング装置、液晶表示装置及びその製造方法
JP2000277450A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザアニール装置及びこの装置を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP3491571B2 (ja) * 1999-07-13 2004-01-26 日本電気株式会社 半導体薄膜の形成方法
JP2001023899A (ja) * 1999-07-13 2001-01-26 Hitachi Ltd 半導体薄膜とその半導体膜を用いた液晶表示装置及びその製造方法
JP2001127302A (ja) * 1999-10-28 2001-05-11 Hitachi Ltd 半導体薄膜基板、半導体装置、半導体装置の製造方法および電子装置
KR100303142B1 (ko) * 1999-10-29 2001-11-02 구본준, 론 위라하디락사 액정표시패널의 제조방법
JP2001189288A (ja) * 1999-12-20 2001-07-10 Ind Technol Res Inst イオン注入利用の基板ダイシング法
JP2001203168A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Hitachi Ltd 電子ビーム処理装置
CN1363116A (zh) * 2000-02-08 2002-08-07 松下电器产业株式会社 灯泡退火装置和显示元件用基片
US6368945B1 (en) * 2000-03-16 2002-04-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification
US6872607B2 (en) 2000-03-21 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6737672B2 (en) 2000-08-25 2004-05-18 Fujitsu Limited Semiconductor device, manufacturing method thereof, and semiconductor manufacturing apparatus
JP4925528B2 (ja) * 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
JP2002151697A (ja) * 2000-11-14 2002-05-24 Sharp Corp 半導体集積回路およびそれを用いた画像表示装置
JP3859978B2 (ja) * 2001-02-28 2006-12-20 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク 基板上の半導体材料膜に横方向に延在する結晶領域を形成する装置
US6664147B2 (en) * 2001-02-28 2003-12-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of forming thin film transistors on predominantly <100> polycrystalline silicon films
JP3842072B2 (ja) 2001-05-25 2006-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP4784955B2 (ja) * 2001-07-18 2011-10-05 株式会社 液晶先端技術開発センター 薄膜半導体装置の製造方法
JP3857085B2 (ja) 2001-08-03 2006-12-13 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ及びその作製方法
JP3824898B2 (ja) * 2001-09-14 2006-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6720717B2 (en) * 2001-09-25 2004-04-13 Matsushita Electric Works, Ltd. Field emission-type electron source
JP4135347B2 (ja) * 2001-10-02 2008-08-20 株式会社日立製作所 ポリシリコン膜生成方法
JP3903761B2 (ja) 2001-10-10 2007-04-11 株式会社日立製作所 レ−ザアニ−ル方法およびレ−ザアニ−ル装置
US7078322B2 (en) 2001-11-29 2006-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor
JP2003179068A (ja) 2001-12-12 2003-06-27 Hitachi Ltd 画像表示装置およびその製造方法
JP3992976B2 (ja) 2001-12-21 2007-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2003197526A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置、表示装置、および電子機器
JP4011344B2 (ja) 2001-12-28 2007-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7023500B2 (en) 2002-06-05 2006-04-04 Hitachi, Ltd. Display device with active-matrix transistor having silicon film modified by selective laser irradiation

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