CN101221902A - 应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法 - Google Patents

应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101221902A
CN101221902A CNA200810005717XA CN200810005717A CN101221902A CN 101221902 A CN101221902 A CN 101221902A CN A200810005717X A CNA200810005717X A CN A200810005717XA CN 200810005717 A CN200810005717 A CN 200810005717A CN 101221902 A CN101221902 A CN 101221902A
Authority
CN
China
Prior art keywords
printing opacity
mask
opacity unit
polygon
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200810005717XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101221902B (zh
Inventor
孙铭伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AU Optronics Corp
Original Assignee
AU Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AU Optronics Corp filed Critical AU Optronics Corp
Priority to CN200810005717XA priority Critical patent/CN101221902B/zh
Publication of CN101221902A publication Critical patent/CN101221902A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101221902B publication Critical patent/CN101221902B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

本发明提供一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法。掩膜包含第一透光单元以及第二透光单元。第一透光单元具有多个圆形透光区域。第二透光单元设置于第一透光单元侧边。第二透光单元具有多个多边形遮光区域。多边形遮光区域与第一透光单元的圆形透光区域一对一对应设置,且每一多边形遮光区域的对角线长度小于每一圆形透光区域的直径。方法步骤包含使用激光透过上述掩膜于基板上产生具有第二结晶单元及与第一透光单元对应的第一结晶单元、移动掩膜使第一透光单元移动至与相邻的第二结晶单元对应、以及使用激光透过掩膜于基板上产生第二结晶区域。

Description

应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法
技术领域
本发明是关于一种掩膜以及激光结晶方法;具体而言,本发明是关于一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)广泛应用在电脑、电视、以及行动电话等各种电子产品上。液晶显示器以集成电路驱动,因此,集成电路的晶体管运行的速度成为影响液晶显示器效能的重要因素之一。
与非晶硅层内电荷载体相比,多晶硅层内电荷载体的移动性(Mobility)较高。因此多晶硅型薄膜晶体管广泛应用于液晶显示器的集成电路。欲增加多晶硅层内电荷载体的移动性(Mobility),可增加结晶晶粒大小,或减少晶体管元件的通道(Channel)中的晶粒边界(Grain Boundary)数目。
如图1A及图1B所示,已知的低温多晶硅层的结晶技术是利用激光200透过掩膜90的透光区域10照射在基板800上的非晶硅层400,使非晶型硅熔解成液态后再固化成多晶硅,意即形成如如图1A及图1B中所示的第一结晶区域61及第二结晶区域62。
如图1B所示,在过程中,掩膜90会朝方向201平移。而掩膜90移动后激光200于基板800上可照射到的区域会有部分重叠如重叠结晶区域63,藉以达成连续性侧向长晶。然而,重叠结晶区域63经过激光200重复照射,易产生破洞。因此,上述连续性侧向长晶方法仍有改进的空间。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜,供减少多晶硅层产生破洞的机会。
本发明的另一主要目的在于提供一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜,供增加多晶硅层的均匀度。
本发明的另一主要目的在于提供一种激光结晶方法,供减少多晶硅层产生破洞的机会。
本发明的另一主要目的在于提供一种激光结晶方法供增加多晶硅层的均匀度。
本发明的掩膜包含第一透光单元以及第二透光单元。第一透光单元具有多个圆形透光区域。第二透光单元设置于第一透光单元侧边。第二透光单元具有多个多边形遮光区域。多边形遮光区域与第一透光单元的圆形透光区域一对一对应设置,且每一多边形遮光区域的对角线长度小于每一圆形透光区域的直径。
圆形透光区域的相邻距离大于1.5um。每一圆形透光区域的直径为1.5-7um。多边形遮光区域的形状包含正方形。多边形遮光区域的形状包含正六边形。
本发明的掩膜包含多个第一透光单元以及多个第二透光单元。其中,第一透光单元为等距离设置,每一第一透光单元具有多个圆形透光区域。第二透光单元与第一透光单元间隔设置。每一第二透光单元具有多个多边形遮光区域。多边形遮光区域与相邻的第一透光单元的圆形透光区域对称设置,且每一多边形遮光区域的对角线长度小于每一圆形透光区域的直径。
本发明的激光结晶方法步骤包含提供具有非晶硅层的基板;提供上述掩膜;使用激光透过掩膜熔融非晶硅层,以于基板上产生多个第一结晶区域,每一第一结晶区域包含分别与第一透光单元及第二透光单元对应的多个第一结晶单元及多个第二结晶单元;移动掩膜,使第一透光单元移动至与相邻的第二结晶单元对应;以及使用激光透过掩膜熔融非晶硅层,以于基板上产生多个第二结晶区域。
附图说明
图1A及图1B为已知技术示意图;
图2A为本发明较佳实施例示意图;
图2B为本发明不同实施例示意图;
图3A为本发明较佳实施例俯视图;
图3B为本发明不同实施例俯视图;
图4为本发明不同实施例俯视图;
图5A至图5B为本发明实施例使用示意图;
图6为本发明实施例的结晶结果的扫描式电子显微镜相片图;
图7为本发明的激光结晶方法的较佳实施例流程图;
附图标号:
100掩膜
200激光
300第一透光单元
310圆形透光区域
400非晶硅层
500第二透光单元
510多边形遮光区域
601主晶界
610第一结晶区域
613第一结晶单元
615第二结晶单元
620第二结晶区域
800基板
1001步骤
1003步骤
1005步骤
1007步骤
1009步骤
d310圆形透光区域直径
d510多边形遮光区域直径
具体实施方式
本发明提供一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜,以及使用此掩膜的激光结晶方法。
如图2A所示的较佳实施例,本发明的掩膜100包含第一透光单元300以及第二透光单元500。第二透光单元设置于第一透光单元侧边。在此较佳实施例中,第一透光单元300以及第二透光单元500为多个。换言之,掩膜100包含多个第一透光单元300以及多个第二透光单元500。其中,第一透光单元300为等距离设置,第二透光单元500与第一透光单元间隔设置。然而在如图2B所示的不同实施例中,第一透光单元300以及第二透光单元500可以为单个,不限于以多组设置。
如图3A图3B所示的较佳实施例俯视图,第一透光单元300具有多个圆形透光区域310。第二透光单元具有多个多边形遮光区域510。且多边形遮光区域510与相邻的第一透光单元300的圆形透光区域310对称设置,且每一多边形遮光区域510的对角线长度d510小于每一圆形透光区域310的直径d310。换言之,每一多边形遮光区域510可由对应的圆形透光区域310完全涵盖。
在较佳实施例中,圆形透光区域310的相邻距离大于1.5um。每一圆形透光区域310的直径为1.5-7um。多边形遮光区域510的形状为正方形。然而,在如图4所示的不同实施例中,多边形遮光区域510的形状包含正六边形等圆形以外的形状。
以下进一步说明本发明的掩膜100的使用方式。如图2A所示的较佳实施例,首先将具有非晶硅层400的基板800置于掩膜100下方。而后,如图5A所示的较佳实施例,使用激光200透过掩膜100熔融非晶硅层400,以于基板800上产生多个第一结晶区域610,其中,每一第一结晶区域610包含分别与第一透光单元300及第二透光单元500对应的多个第一结晶单元613及多个第二结晶单元615。具体而言,在此较佳实施例中,第一结晶单元613为与第一透光单元300的圆形透光区域310对应的圆形结晶。第二结晶单元615则在其中具有形状与第二透光单元500的多边形遮光区域510对应的非晶硅层400。
接下来,如图5B所示的较佳实施例,移动掩膜100,使第一透光单元300移动至与相邻的第二结晶单元615对应,而后再度使用激光200透过掩膜100熔融非晶硅层400。由于多边形遮光区域510与相邻的第一透光单元300的圆形透光区域310对称设置,且每一多边形遮光区域510的对角线长度小于每一圆形透光区域310的直径,因此每一多边形遮光区域510可由对应的圆形透光区域310完全涵盖。换言之,在图5A的较佳实施例中与第二透光单元500的多边形遮光区域510对应的非晶硅层400,在图5B所示的较佳实施例中可完全被激光200照射。
整体而言,在如图5A的较佳实施例中,第一次使用激光200透过掩膜100熔融非晶硅层400,可产生多个第一结晶区域610。未受到激光200照射的区域,则在如图5B所示的较佳实施例中,移动掩膜100后再使用激光200照射而熔融形成第二结晶区域620。其中,由于掩膜100的第一透光单元300为等距离设置,第二透光单元500与第一透光单元间隔设置,而圆形透光区域310不仅与多边形遮光区域510对应设置,每一多边形遮光区域510亦可由对应的圆形透光区域310完全涵盖。因此,透过本发明的掩膜100移动前后的二次照射,可使基板800的非晶硅层400全部受到激光200照射而熔融结晶。
在较佳实施例中,使用如图3A所示的掩膜100所得的结晶结果如图6的扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)相片图所示。由于图3A中的圆形透光区域310的形状为圆形设计,因此图6中对应形成的结晶副晶界为全方向,主晶界601则为规则图形。换言之,透过本发明掩膜100所形成的多晶硅层具有等方向性结晶,使电荷载体传导不会受到结晶方向的限制,增加半导体电路元件设计上的弹性。此外,因为激光重复照射的区域小,可减少激光过度照射而产生破洞。
如图7所示本发明的激光结晶方法流程图,本发明的激光结晶方法包含:
步骤1001为如图2A所示提供具有非晶硅层400的基板800。
步骤1003为如图5A所示提供前述本发明的掩膜100。具体而言,掩膜100下方设置有基板800,基板800上具有非晶硅层400。
步骤1005为如图5A所示使用激光200透过掩膜100熔融非晶硅层400,以于基板800上产生多个第一结晶区域610,每一第一结晶区域610包含分别与第一透光单元300及第二透光单元500对应的多个第一结晶单元613及多个第二结晶单元615。
步骤1007为如图5B所示移动掩膜100,使第一透光单元300移动至与相邻的第二结晶单元615对应。
步骤1009为如图5B所示使用激光200透过掩膜100熔融非晶硅层400,以于基板800上产生多个第二结晶区域620。
本发明已由上述相关实施例加以描述,然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是,已揭露的实施例并未限制本发明的范围。相反地,包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包含于本发明的范围内。

Claims (15)

1.一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜,其特征在于,所述掩膜包含:
第一透光单元,具有多个圆形透光区域;以及
第二透光单元,设置于所述第一透光单元侧边,所述第二透光单元具有多个多边形遮光区域,所述这些多边形遮光区域与所述第一透光单元的所述这些圆形透光区域一对一对应设置,且每一多边形遮光区域的对角线长度小于每一圆形透光区域的直径。
2.如权利要求1所述的掩膜,其特征在于,所述这些圆形透光区域的相邻距离大于1.5um。
3.如权利要求1所述的掩膜,其特征在于,每一圆形透光区域的直径为1.5-7um。
4.如权利要求1所述的掩膜,其特征在于,所述这些多边形遮光区域的形状包含正方形。
5.如权利要求1所述的掩膜,其特征在于,所述这些多边形遮光区域的形状包含正六边形。
6.一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜,其特征在于,所述掩膜包含:
多个第一透光单元,所述这些第一透光单元为等距离设置,每一第一透光单元具有多个圆形透光区域;以及
多个第二透光单元,所述这些第二透光单元与所述这些第一透光单元间隔设置,每一第二透光单元具有多个多边形遮光区域,所述这些多边形遮光区域与相邻的所述第一透光单元的所述这些圆形透光区域对称设置,且每一多边形遮光区域的对角线长度小于每一圆形透光区域的直径。
7.如权利要求6所述的掩膜,其特征在于,所述这些圆形透光区域的相邻距离大于1.5um。
8.如权利要求6所述的掩膜,其特征在于,每一圆形透光区域的直径为1.5-7um。
9.如权利要求6所述的掩膜,其特征在于,所述这些多边形遮光区域的形状包含正方形。
10.如权利要求6所述的掩膜,其特征在于,所述这些多边形遮光区域的形状包含正六边形。
11.一种激光结晶方法,其特征在于,步骤包含:
提供基板,其中所述基板上具有非晶硅层;
提供掩膜,包含:
多个第一透光单元,所述这些第一透光单元为等距离设置,每一第一透光单元具有多个圆形透光区域;以及
多个第二透光单元,所述这些第二透光单元与所述这些第一透光单元间隔设置,每一第二透光单元具有多个多边形遮光区域,所述这些多边形遮光区域与相邻的所述第一透光单元的所述这些圆形透光区域对称设置,且每一多边形遮光区域的对角线长度小于每一圆形透光区域的直径;
使用激光透过所述掩膜熔融所述非晶硅层,以于所述基板上产生多个第一结晶区域,每一第一结晶区域包含分别与所述这些第一透光单元及所述这些第二透光单元对应的多个第一结晶单元及多个第二结晶单元;
移动所述掩膜,使所述这些第一透光单元移动至与相邻的所述这些第二结晶单元对应;以及
使用激光透过所述掩膜熔融所述非晶硅层,以于所述基板上产生多个第二结晶区域。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述这些圆形透光区域的相邻距离大于1.5um。
13.如权利要求11所述的方法,其特征在于,每一圆形透光区域的直径为1.5-7um。
14.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述这些多边形遮光区域的形状包含正方形。
15.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述这些多边形遮光区域的形状包含正六边形。
CN200810005717XA 2008-02-03 2008-02-03 应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法 Active CN101221902B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200810005717XA CN101221902B (zh) 2008-02-03 2008-02-03 应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200810005717XA CN101221902B (zh) 2008-02-03 2008-02-03 应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101221902A true CN101221902A (zh) 2008-07-16
CN101221902B CN101221902B (zh) 2010-11-24

Family

ID=39631644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200810005717XA Active CN101221902B (zh) 2008-02-03 2008-02-03 应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101221902B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102986005A (zh) * 2010-08-04 2013-03-20 优志旺电机株式会社 激光剥离装置
WO2018006416A1 (zh) * 2016-07-08 2018-01-11 华为技术有限公司 一种用于对壳体表面进行光处理的方法和装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100492352B1 (ko) * 2003-06-12 2005-05-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화 방법
KR100997275B1 (ko) * 2003-06-12 2010-11-29 엘지디스플레이 주식회사 실리콘 결정화 방법
CN100394548C (zh) * 2004-11-25 2008-06-11 友达光电股份有限公司 制造多晶硅层的方法及其光罩
CN1892420B (zh) * 2005-07-08 2010-05-05 友达光电股份有限公司 用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法
CN100431100C (zh) * 2005-12-29 2008-11-05 财团法人工业技术研究院 形成多晶硅薄膜的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102986005A (zh) * 2010-08-04 2013-03-20 优志旺电机株式会社 激光剥离装置
CN102986005B (zh) * 2010-08-04 2014-11-12 优志旺电机株式会社 激光剥离装置
WO2018006416A1 (zh) * 2016-07-08 2018-01-11 华为技术有限公司 一种用于对壳体表面进行光处理的方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101221902B (zh) 2010-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7132204B2 (en) Laser beam pattern mask and crystallization method using the same
US7927936B2 (en) Laser mask and crystallization method using the same
US7892955B2 (en) Laser mask and crystallization method using the same
US20160020096A1 (en) Manufacture Method Of Low Temperature Poly Silicon, Manufacturing Method Of TFT Substrate Utilizing The Method, And TFT Substrate Structure
US7033434B2 (en) Mask for crystallizing, method of crystallizing amorphous silicon and method of manufacturing array substrate using the same
US20180180931A1 (en) Black matrix mask, method for manufacturing black matrix, and application thereof
US6847069B2 (en) Thin-film semiconductor device, manufacturing method of the same and image display apparatus
CN101221902B (zh) 应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法
CN105097453A (zh) 低温多晶硅薄膜、薄膜晶体管及各自制备方法、显示装置
CN107863355A (zh) 一种显示基板、显示装置和显示基板的制造方法
CN101202218B (zh) 应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法
CN101355090A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN1892420B (zh) 用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法
CN109473399B (zh) 显示基板制备方法
US20160233249A1 (en) LTPS TFT Substrate Structure and Method of Forming the Same
CN112259586A (zh) 显示面板及显示装置
KR100803867B1 (ko) 비정질 실리콘층의 결정화 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
CN102543997B (zh) 薄膜晶体管阵列基板
US20050142299A1 (en) Method for forming polycrystalline silicon film of polycrystalline silicon TFT
CN101655645B (zh) 用于依序侧向结晶技术的掩膜及激光结晶方法
CN100501550C (zh) 具有多晶硅层的显示面板及其制造方法
CN108231693B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN117637766A (zh) 阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板
TWI380345B (en) A mask used in a sequential lateral solidification process and a solidification method using the mask
CN100405546C (zh) 用于连续侧向结晶的掩膜及用此掩膜结晶非晶硅层的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant