CN117637766A - 阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板，属于显示技术领域，所述方法包括：提供衬底基板，衬底基板包括显示区和与显示区相邻的阵列基板行驱动GOA区；在位于显示区的衬底基板上形成多个第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一有源层；在位于GOA区的衬底基板上依次形成多层TFT层，TFT层包括多个第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管包括第二有源层；其中，在形成靠近衬底基板一侧的第一TFT层中的第二有源层时，采用准分子激光退火处理形成；在形成背离衬底基板一侧的第二TFT层中部分或全部第二薄膜晶体管的第二有源层时，采用固态激光退火处理形成。

Description

阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，出现了大尺寸的显示装置，如大尺寸的OLED(OrganicLight Emission Diode，有机电致发光器件)显示装置，大尺寸的显示装置需要大尺寸的阵列基板作为驱动，然而，目前大尺寸的阵列基板的制作成本较高。

发明内容

基于背景技术的内容，本公开提出了一种一阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板。

本公开第一方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：

提供衬底基板，所述衬底基板包括显示区和与所述显示区相邻的阵列基板行驱动GOA区；

在位于所述显示区的衬底基板上形成多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层；

在位于所述GOA区的衬底基板上依次形成多层TFT层，所述TFT层包括多个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层；其中，相邻两层所述TFT层中的一个TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层，与另一TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层具有交叠区域，且具有所述交叠区域的第二薄膜晶体管搭接；

其中，在形成靠近所述衬底基板一侧的第一TFT层中的第二有源层时，采用准分子激光退火处理形成；

在形成背离所述衬底基板一侧的第二TFT层中部分或全部第二薄膜晶体管的第二有源层时，采用固态激光退火处理形成。

示例性地，所述第一有源层和所述第一TFT层中的第二有源层在同一工艺流程中形成，包括：

在位于所述显示区的衬底基板上形成第一a-Si图形，以及在位于所述GOA区的衬底基板上形成第二a-Si图形；

对所述第一a-Si图形和所述第二a-Si图形采用准分子激光退火的方式，使所述第一a-Si图形晶化形成所述第一有源层，以及使所述第二a-Si图形晶化形成所述第二有源层。

示例性地，每相邻层叠的两个所述TFT层之间形成有第一隔离层；其中，所述第二TFT层中的第二有源层形成在所述第一隔离层背离所述衬底的一侧；其中，所述第二TFT层中的第二有源层通过以下步骤形成：

在所述第一隔离层上形成多个第三a-Si图形，多个第三a-Si图形按照行列阵列排布；

对所述第三a-Si图形的沟道区，和/或对所述GOA区内的部分第三a-Si图形采用固态激光退火，使所述第三a-Si图形晶化形成所述第二有源层。

示例性地，所述对目标区域内的第三a-Si图形采用固态激光退火，包括：

对至少一行，和/或至少一列所述第三a-Si图形，采用固态激光退火。

示例性地，对连续多行或连续多列所述第三a-Si图形，采用固态激光退火。

示例性地，所述第二薄膜晶体管通过以下步骤形成：

在所述第二有源层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成栅极层；

在所述栅极层背离所述衬底基板的一侧形成层间介质层；

在所述层间介质背离所述衬底基板的一侧形成第一电极和第二电极；

使相邻两层所述TFT层中具有交叠区域的第一电极搭接，以及使相邻两层所述TFT层中具有交叠区域的第二电极搭接；

所述方法还包括：

在多层所述TFT层背离所述衬底基板一侧形成转接层，其中，所述转接层包括源电极和漏电极，所述源电极与每一所述TFT层中的对应位置处的第一电极搭接，所述漏电极与每一所述TFT层中的对应位置处的第二电极搭接。

示例性地，所述第一TFT层中所述第二薄膜晶体管的各膜层与所述第一薄膜晶体管的各膜层在一次成形工艺中同步进行。

本公开还提供一种阵列基板，包括：显示区和与所述非显示区相邻的GOA区；

其中，在位于所述显示区的衬底基板上多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层；

在位于所述GOA区的衬底基板上包括多层TFT层，所述TFT层包括多个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层；其中，每相邻两层所述TFT层中的一个TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层，与另一TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层具有交叠区域，且具有所述交叠区域的第二薄膜晶体管搭接；

其中，靠近所述衬底基板的第一TFT层中的第二有源层，为采用准分子激光退火形成的低温多晶硅材料；背离所述衬底基板的第二TFT层中，部分或全部的所述第二薄膜晶体管中的第二有源层，为采用固态激光退火处理形成的低温多晶硅材料。

示例性地，述第一有源层为低温多晶硅材料。

本公开还提供一种显示面板，包括所述的阵列基板，或者包括所述阵列基板的制作方法所形成的阵列基板。

本公开提供的阵列基板的制作方法，其方法包括提供衬底基板，在位于显示区的衬底基板上形成多个第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一有源层；以及，在位于所述GOA区的衬底基板上依次形成多层TFT层，所述TFT层包括多个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层；其中，相邻两层TFT层中的一个TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层，与另一TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层具有交叠区域，且具有所述交叠区域的第二薄膜晶体管搭接；其中，在形成靠近衬底基板一侧的第一TFT层中的第二有源层时，采用准分子激光退火处理形成；在形成背离衬底基板一侧的第二TFT层中的第二有源层时，采用固态激光退火处理形成。

采用此制作方法，使得位于GOA区的第二有源层，可以分别采用不同的激光退火处理形成，且由于固态激光退火处理的成本小于准分子激光退火处理的成本，因此，大大降低了阵列基板的制造成本；且由于在GOA区采用了激光退火处理，由此，使得多个第二薄膜晶体管中的第二有源层包括了低温多晶硅材料，而非全部是氧化物材料，由此，在降低制造成本的同时，提高了GOA区的驱动性能。

上述说明仅是本公开技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本公开的具体实施方式。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。需要说明的是，附图中的比例仅作为示意并不代表实际比例。

图1示出了本公开实施例中阵列基板的制作方法的步骤流程图；

图2示出了本公开实施例中结合阵列基板的俯视平面示意图示出了阵列基板的制作方法的过程示意图；

图3示出了本公开实施例中阵列基板制作完成后的显示区的剖面结构示意图；

图4示出了本公开实施例中阵列基板制作完成后的GOA区的剖面结构示意图；

图5a示出了本公开实施例中GOA区的一种有源层的制作过程示意图；

图5b示出了本公开实施例中GOA区的又一种有源层的制作过程示意图；

图6示出了本公开实施例中GOA区的TFT层的制作过程示意图；

图7示出了本公开实施例中在GOA区制作转接层的过程示意图；

图8示出了本公开实施例中阵列基板的剖面结构示意图；

附图标记说明：

100、衬底基板；101、显示区；102、GOA区；1021、第一TFT层；1022、第二TFT层；103、驱动芯片；104、绑定区；1012、第一有源层；1013、第一栅极绝缘层；1014、第一栅极层；1015、第一层间介质层；1016、平坦化层；1017、阳极；1018、像素界定层；1023a/1023b、第二有源层；1024a/1024b、第二栅极绝缘层；1025a/1025b、栅极层；1026a/1026b、第二层间介质层；1027a/1027b、第一电极；1028a/1028b、第二电极；1029a/1029b、第一隔离层；201、第四电极；202、第三电极；203、第二平坦化层；204、第二隔离层。

具体实施方式

为使本公开的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

相关技术中，MOLED凭据高画质、移动图像响应时间短、低功耗、宽视角及超轻超薄等优点，成为了未来显示技术的最好选择。目前AMOLED的背板技术中，制作多晶硅层的技术，包括准分子激光退火(ELA)，固相晶化(SPC)，金属诱导晶化(MIC)等多种制作方法。而采用准分子激光退火(ELA)工艺，是一种相对比较复杂的退火过程，其设备费用与运营费用更换零件消耗品都较高，因此，制造成本非常高，尤其是在大尺寸的阵列基板的制作中，该成本较高的问题便更加凸显。

有鉴于此，本公开在进行阵列基板的制作时，采用了以下制造思路，以降低成本，具体地，在进行阵列基板的制作时，显示区的薄膜晶体管和GOA区的薄膜晶体管可以分区制作，如，GOA区采用固态激光退火并且多层制作，达到低成本并且窄边框的效果，且可以提高GOA区的驱动效率，而显示区采用准分子激光退火，保证薄膜晶体管的质量。需要说明的是，本公开提供的方法适用于有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)，以及薄膜晶体管液晶显示器等显示器的阵列基板制作中。

参照图1-图4所示，图1示出了本公开的阵列基板的制作方法的步骤流程图，图2结合阵列基板的俯视平面示意图示出了阵列基板的制作方法的过程示意图，图3示出了阵列基板制作完成后的显示区的剖面结构示意图；图4示出了阵列基板制作完成后的GOA区的剖面结构示意图；由图1和图2可知，所述方法具体可以包括以下步骤：

步骤S1：提供衬底基板100，衬底基板包括显示101和与显示区101相邻的阵列基板行驱动GOA区102。

本实施例中，衬底基板可以是透明基板，例如，可以是50～1000um厚的康宁或旭硝子玻璃以及其他如石英玻璃等。其中，衬底基板可以包括显示区和与显示区相邻的阵列基板行驱动GOA区。

具体地，阵列栅极驱动(Gate driver On Array，简称GOA)技术是一种将液晶显示器的栅极驱动集成电路(Gate Driver Integrated Circuit)集成在阵列基板上的技术，该阵列栅极驱动技术称为GOA电路。GOA电路主要用于向位于显示区中的驱动电路输入驱动扫描信号。

步骤S2：在位于显示区的衬底基板100上形成多个第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一有源层1012。

本实施例中，在位于显示区的衬底基板上形成多个第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的形成过程可以是：

如图2所示，在衬底基板上形成第一有源层，在第一有源层背离所述衬底基板的一侧形成第一栅极绝缘层，在第一栅极绝缘层背离衬底基板的一侧形成第一栅极层，在第一栅极层背离衬底基板的一侧形成第一层间介质层，在第一层间介质层背离衬底基板的一侧形成第一薄膜晶体管的第一源电极和第一漏电极；其中，该第一源电极和第一漏电极与第一有源层搭接。

其中，在衬底基板上形成第一有源层的过程是：在衬底基板之上形成a-Si层的图形，接着采用准分子激光退火，使得a-Si层结晶，从而形成低温多晶硅材料的第一有源层；

其中，在第一栅极绝缘层背离衬底基板的一侧形成第一栅极层的过程可以是：在第一栅绝缘层上形成位于第一有源层所在区域内的栅极的图形；其第一栅极层的厚度可以为200～1000nm，成分可以是Al、Mo、Cr、Cu、Ti等；其中，在第一栅极层背离衬底基板的一侧形成第一层间介质层后，需要形成第一源电极和第一漏电极，则可以在第一层间介质层上形成位于第一有源层所在区域内的源漏极的图形；其中，第一源电极和第一漏电极的金属可以为Al、Mo、Cr、Cu、Ti等，厚度为200～1000nm。

其中，在形成第一薄膜晶体管后，还可以在显示区形成以下膜层：

在第一源电极和第一漏电极背离衬底基板的一侧形成整面覆盖显示区的第一平坦层，在第一平坦层背离衬底基板的一侧形成作为阳极的像素层的图形，该阳极与第一源电极或第一漏电极电性相连；由此，阵列背板的显示区制作完成；接着，在阳极背离衬底基板的一侧形成像素界定层1018。

步骤S3：在位于GOA区102的衬底基板上依次形成多层TFT层，TFT层包括多个第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管包括第二有源层1023。

其中，相邻两层TFT层中的一个TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层，与另一TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层具有交叠区域，且具有交叠区域的第二薄膜晶体管搭接。

本实施例中，在GOA区的衬底基板上依次形成多层TFT层，每个TFT层中可以包括多个第二薄膜晶体管，并且相邻TFT层的第二薄膜晶体管之间可以搭接，这样，使得GOA区对显示区中的一行驱动电路(即一行第一薄膜晶体管)进行扫描时，可以多个上下级联的多个第二薄膜晶体管提供足够的栅极扫描电压，在满足GOA的驱动需求的情况下，可以做到窄边框的设计。

具体地，相邻TFT层之间相互搭接的第二薄膜晶体管中，该上下两个第二薄膜晶体管的第二有源层在衬底基板上的正投影具有交叠，该交叠的区域称为上述的交叠区域。由此，通过上下相邻的TFT层中的第二薄膜晶体管之间的搭接，可以构成用于扫描显示区中的一行驱动电路的扫描单元。

需要说明的是，对于多个TFT层中的第二薄膜晶体管而言，每一层中的第二薄膜晶体管的第二有源层的尺寸可以一致，如厚度、其沟道的长宽比可以一致。又例如，一个TFT层中的第二薄膜晶体管的第二有源层，可以与另一TFT层中的第二薄膜晶体管的第二有源层的尺寸不一致，如厚度、其沟道的长宽比可以不一致。

可以理解的是，多个TFT层可以在衬底基板的厚度方向上依次层叠，这样，多个TFT层可以包括靠近衬底基板的TFT层和最远离衬底基板的TFT层，其中，靠近衬底基板的TFT层可以称为第一TFT层1021，最远离衬底基板的TFT层可以称为第二TFT层1022。如图2所示，在形成多个TFT层时，可以按照衬底基板的厚度方向，先形成第一TFT层，再形成第二TFT层。

在上述步骤S102和步骤S103中，在步骤S102中形成第一有源层，和在步骤103中形成靠近衬底基板一侧的第一TFT层中的第二有源层1023a时，可以同时形成，且均可以采用准分子激光退火处理形成。这样，使得第一有源层和第一TFT层中的第二有源层均是低温多晶硅材料。

而在上述步骤S103中在形成背离衬底基板一侧的第二TFT层中的第二有源层1023b时，可以采用固态激光退火处理形成该第二有源层，这样，使得第二TFT层中的第二有源层也可以为低温多晶硅材料；但是因为固态激光退火相比于准分子激光退火，成本较低，因此，在制作多个TFT层中除第一TFT层外的第二TFT层时，可以在保证驱动性能的情况下，节约成本。

采用此制作方法制备阵列基板时，位于显示区的第一有源层，和位于GOA区的第二有源层，可以分别采用不同的激光退火处理形成，且由于固态激光退火处理的成本小于准分子激光退火处理的成本，因此，大大降低了阵列基板的制造成本；由于在GOA区采用了激光退火处理，由此，使得多个第二薄膜晶体管中的第二有源层包括了低温多晶硅材料，而非全部是氧化物材料，由此，在降低制造成本的同时，提高了GOA区的驱动性能，并且GOA层设计多层TFT层，由此又可以实现窄边框设计。

在示例性的一种实施例中，第一TFT层中第二薄膜晶体管的各膜层与第一薄膜晶体管的各膜层在一次成形工艺中同步进行。

本实施例中，在形成第一TFT层中第二薄膜晶体管的各个膜层时，可以与显示区中的第一薄膜晶体管中的各个膜层在同一工艺中同时进行。

示例性地，第二薄膜晶体管可以包括第二有源层，设置在第二有源层背离衬底基板一侧的栅极绝缘层，设置在栅极绝缘层背离衬底基板一侧的栅极层，设置在栅极层背离衬底一侧的两个电极，该两个电极可以类似于上述的第一源电极和第一漏电极，其材料和厚度可以与第一源电极和第一漏电极相同。

由此，在形成第一TFT层和第一薄膜晶体管时，其过程可以如下：

首先，在衬底基板的显示区形成a-Si层的图形，以及在衬底基板的GOA区形成a-Si层的图形，接着接着采用准分子激光退火，使得a-Si层结晶，从而在显示区的a-Si层的图形结晶固化为第一有源层，在GOA区的a-Si层的图形结晶固化为第二有源层；

其次，在第一有源层和第二有源层背离所述衬底基板的一侧图形化形成栅极绝缘层；

接着，在栅极绝缘层背离衬底基板的一侧行为位于显示区的栅极的图形，以及位于GOA区的栅极的图形，从而形成位于显示区的第一栅极层，以及位于GOA区的第二栅极层；

之后，在栅极层背离衬底基板的一侧形成层间介质层；

最后，在层间介质层上位于显示区的区域中形成第一源电极和第一漏电极的图形，以及在层间介质层上位于GOA区的区域中形成两个金属图案，以形成位于显示区的第一源电极和第一漏电极，以及位于GOA区的两个电极。

其中，在形成层间介质层和栅极绝缘层时，可以一并做开孔设计，在形成第一源电极和第一漏电极时，可以通过开孔与第一有源层搭接，在形成位于GOA区的两个电极时，可以通过开孔与第二有源层搭接。

采用上述实施例的技术方案，由于在形成第一薄膜晶体管和第一TFT层的第二薄膜晶体管时，可以采用同一工艺形成，即在形成各个膜层时，可以采用同一掩膜板进行，从而可以大大节省工艺流程，从而提高制造效率。

相应地，在该实施例的进一步示例中，第一有源层和第一TFT层中的第二有源层在同一工艺流程中形成，具体地，可以在位于显示区的衬底基板上形成第一a-Si图形，以及在位于所述GOA区的衬底基板上形成第二a-Si图形；对第一a-Si图形和第二a-Si图形采用准分子激光退火的方式，使第一a-Si图形晶化形成第一有源层，以及使第二a-Si图形晶化形成第二有源层。

其中，第一a-Si图形和第二a-Si图形的形状可以一致或不一致，二者的尺寸可以一致或不一致。

在对第一a-Si图形和第二a-Si图形采用准分子激光退火时，可以采用一个掩膜板进行，在同一准分子激光退火工艺下，使得第一第一a-Si图形结晶形成第一有源层，第二a-Si图形结晶形成第二有源层。由于才用的是准分子激光退火工艺，由此，可以提高第一有源层和第一TFT层中第二有源层的晶粒均匀性。

当然，在一些可选的实施例中，在形成第一有源层和第一TFT层中的第二有源层时，也可以分区制作，如第一有源层可以采用准分子激光退火形成，而第一TFT层中的第二有源层可以采用固态激光退火，此种实施方式中，则需要针对显示区的掩膜板以及针对GOA区的掩膜板，通过两种掩膜板，在两次激光退火中分布形成第一有源层和第一TFT层中的第二有源层，这样，也能使得第一TFT层中的第二有源层为低温多晶硅材料，且可以进一步降低制造成本。

在示例性的一种实施例中，第二TFT层可以在形成多个第一薄膜晶体管后形成。

在本示例性的实施例中，在形成多个第一薄膜晶体管后，可以形成第二TFT层，也就是说，在显示区的膜层结构制备完成后，可以在GOA区制备上层的第二TFT中的膜层结构。

在一些示例性实施例中，在制作第二TFT层中的第二有源层时，其可以对该第二TFT层中形成的全部a-Si图形进行固态激光退火，由此，可以使得第二TFT层中的全部第二有源层均为低温多晶硅材料；或者，也可以进行选择性的固态激光退火，例如，可以在形成部分第二薄膜晶体管中的第二有源层时，采用固态激光退火进行。

具体地，如图4所示，示出了GOA区的剖面结构示意图，在该GOA区可以包括多个TFT层，每相邻层叠的两个所述TFT层之间形成有第一隔离层1029a和1029b，其中，第二TFT层中的第二有源层设置在第一隔离层上，该第一隔离层的材料可以为SiNx或SiOx单层或多层膜，其中，第二TFT层中的第二有源层通过以下步骤形成：

首先，在第一隔离层上形成多个第三a-Si图形，多个第三a-Si图形按照行列阵列排布，第三a-Si图形采用硅材料形成；

接着，对第三a-Si图形的沟道区，和/或对GOA区内的部分第三a-Si图形采用固态激光退火，使第三a-Si图形晶化形成第二有源层。

参照图5a所示，示出了GOA区的一种有源层的制作过程示意图，如图5a所示，在第一隔离层上形成的多个第三a-Si图形可以阵列排布，例如按照行列排布，在形成多个第三a-Si图形后，可以对其中的部分第三a-Si图形进行固态激光照射，从而使得部分的第三a-Si图形结晶形成多晶硅，而其余的第三a-Si图形形成氧化物材料。例如，可以对GOA区内的部分区域内的第三a-Si图形采用固态激光退火，该部分区域可以是GOA区内的一小块区域，如包括多行和多列的第三a-Si图形。或者，该被固态激光照射的部分第三a-Si图形可以是随机的多个第三a-Si图形，如被固态激光照射的部分第三a-Si图形可以包括不相邻的第三a-Si图形，以及相邻的第三a-Si图形。

又例如，在一些实施例中，可以仅对第三a-Si图形的沟道区采用固态激光退火，如图5a所示，可以采用与沟道一致的掩模版，将激光仅照射沟道区，由此，也可以降低第二TFT层的制造成本；其中，对第三a-Si图形的沟道区采用固态激光退火时，其TFT的沟道宽长比可以较大。

在该示例性实施例中的一个示例中，在对GOA区内的部分区域内的第三a-Si图形采用固态激光退火时，其可以对至少一行或至少一列所述第三a-Si图形，采用固态激光退火。

参照图5b所示，示出了GOA区的又一种有源层的制作过程示意图，如图5b所示，可以仅对至少一行，和/或至少一列第三a-Si图形采用固态激光退火，由此，使得其可以不对全部的第三a-Si图形进行固态激光退火，使得第二TFT层中，部分第二有源层为低温多晶硅材料，其余的第二有源层为氧化物材料。

其中，可以对多行第三a-Si图形采用固态激光退火，该多行第三a-Si图形可以是连续的多行第三a-Si图形，也可以是不连续的多行第三a-Si图形；或者，可以对多列第三a-Si图形采用固态激光退火，该多列第三a-Si图形可以是连续的多列第三a-Si图形，也可以是不连续的多列第三a-Si图形；或者，可以对多行和多列第三a-Si图形采用固态激光退火，其中，多行和多列第三a-Si图形可以组成一矩形区域，或者，组成十字形区域，如图5b所示，可以对连续的多行和连续的多列第三a-Si图形采用固态激光退火，该连续的多行和连续的多列第三a-Si图形组成矩形图形。

在又一些示例中，在对连续的多行第三a-Si图形采用固态激光退火时，可以选用对应的一个第一掩膜板，该第一掩膜板的镂空区域属于可被固态激光穿透的区域，其中，该镂空区域可以包括多行镂空区，多行镂空区之间具有间隔，由此，如图5b所示，可以仅使得每行第三a-Si图形所在的区域被固态激光照射，而非第三a-Si图形所在的区域不会受到激光的照射。

同理，在又一些示例中，在对连续的多列第三a-Si图形采用固态激光退火时，可以选用对应的一个第一掩膜板，该第一掩膜板的镂空区域属于可被固态激光穿透的区域，其中，该镂空区域可以包括多列镂空区，多列镂空区之间具有间隔，由此，可以仅使得每行第三a-Si图形所在的区域被固态激光照射，而非第三a-Si图形所在的区域不会受到激光的照射。

更具体地，在对至少一行的第三a-Si图形采用固态激光退火时，可以对连续多行的第三a-Si图形采用固态激光退火，在对至少一列第三a-Si图形时，可以对连续多列第三a-Si图形，采用固态激光退火。

采用此种方式时，可以简化掩膜板的设计，且有利于调整固态激光的照射，从而进一步节约制造成本。

下面，对GOA区的TFT层和转接层的制作过程介绍如下：

参照图6所示，示出了GOA区的TFT层和转接层的制作过程示意图，如图6所示，具体可以包括以下步骤：

首先，按照以下步骤制作每一层TFT层，

步骤S11：在第二有源层1023a上形成栅极绝缘层，以下称第二栅极绝缘层1024a；

步骤S12：在第二栅极绝缘层1024a背离所述衬底基板的一侧形成栅极层，以下称第二栅极层1025a；

步骤S13：在第二栅极层背离衬底基板的一侧形成层间介质层，以下称第二层间介质层1026a；

步骤S14：在第二层间介质层1026a背离所衬底基板的一侧形成第一电极1027a和第二电极1027b；

并使相邻两层所述TFT层中具有交叠区域的第一电极搭接，以及使相邻两层所述TFT层中具有交叠区域的第二电极搭接。

其中，在制作完一层TFT层后，可以在该层TFT层背离衬底基板的一侧形成第一隔离层，并在该第一隔离层背离衬底基板的一侧形成再一层的TFT层；直到制作完成所有的TFT层，开始进入制作转接层的过程。

接着，在多层所述TFT层背离衬底基板一侧形成转接层，其中，转接层包括源电极和漏电极，源电极与每一TFT层中的对应位置处的第一电极搭接，漏电极与每一所述TFT层中的对应位置处的第二电极搭接。

本实施例中，无论是第一TFT层还是第二TFT层，其制作流程都包括了制作第二栅极绝缘层、第二栅极层、第二层间介质层、第一电极和第二电极的流程。其中，制作第二栅极绝缘层、第二栅极层、第二层间介质层、第一电极和第二电极的流程可以详见上述第一TFT层中制作第二薄膜晶体管的流程，在此不做赘述。

需要说明的是，在制作完一层TFT层后，可以在该层TFT层背离衬底基板的一侧形成第一隔离层，并在该第一隔离层背离衬底基板的一侧形成再一层的TFT层；直到制作完成所有的TFT层后，在最远离衬底基板的TFT层背离衬底基板的一侧开始制作转接层。

其中，由于相邻两层TFT层中的一个TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层，与另一TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层具有交叠区域，且具有交叠区域的第二薄膜晶体管搭接；其中，其搭接方式可以是：上一层第二薄膜晶体管的第一电极，与下一层第二薄膜晶体管的第一电极搭接，上一层第二薄膜晶体管的第二电极，与下一层第二薄膜晶体管的第二电极搭接

其中，参照图7所示，示出了在GOA区制作转接层的过程示意图，如图7所示，制作转接层的过程如下：

步骤S15：在最远离衬底基板的TFT层上形成第三电极202和第四电极201；

步骤S16：在第三电极和第四电极背离衬底基板的一侧形成第二平坦化层203；

步骤S17：在第二平坦化层背离衬底基板的一侧形成第二隔离层204；

步骤S18：在第二隔离层背离衬底基板的一侧形成源电极S(以下称第二源电极)和漏电极D(以下称第二漏电极)，并使源电极S与第四电极202搭接，漏电极D与第三电极201搭接。

其中，制作转接层时，在背离衬底基板的一侧形成第三电极和第四电极，接着，在第三电极和第四电极背离衬底基板的一侧形成平坦化层，可以在平坦化层上先形成通孔，使第三电极通过通孔与每一TFT层的第一电极搭接，第四电极通过通孔与每一TFT层的第二电极搭接。具体地，第三电极可以与靠近平坦化层的TFT层中的第一电极搭接，第四电极可以与靠近平坦化层的TFT层中的第二电极搭接，由此，可以实现第三电极分别与每一TFT层的第一电极的搭接，以及第四电极分别与每一TFT层的第二电极的搭接。

接着，在第三电极和第四电极背离衬底基板的一侧形成第二隔离层，其中，第二隔离层的材料可以同第一隔离层的材料，第二隔离层的厚度可以与第一隔离层的厚度不同，具体地，第一隔离层的厚度可以小于第二隔离层的厚度。接着，在第二隔离层背离衬底基板的一侧形成第二源电极和第二漏电极，并使第二源电极与第三电极搭接，第二漏电极与第四电极搭接。

其中，可以在第二隔离层上进行打孔，形成允许第二源电极和第二漏电极通过的通孔，从而第二源电极穿过通孔后与第三电极搭接，第二漏电极穿过通孔后与第四电极搭接。

在制作完成后，得到的结构可以参照图7的最后一个流程中所得到的图所示。

在一种示例中，在形成平坦化层，可以与显示区中第一薄膜晶体管的平坦化层同时形成，也就是说，在制作完显示区的第一薄膜晶体管和GOA区的第一TFT层后，可以在GOA区上形成第二TFT层，在形成完第二TFT层后，便可以在显示区和GOA区同时形成平坦化层，接着，再在GOA区形成转接层。

下面，给出两个具体示例，说明阵列基板的制作方法的具体过程：

示例1：

示例1中的阵列基板可以应用于LTPS型的AMOLED的阵列背板的制作，主要包括显示区的工艺流程和GOA区的工艺流程，其中，显示区的主要工序流程有11道工艺流程，其按照顺序依次为：Active/Gate1/Gate2/EB1/SD1/EBB/PLN1/SD2/PLN2/Anode/PDL+PS；

其中，PS是指隔离柱，PDL是指像素界定层，Anode为阳极，PLN1和PLN2为制作第一隔离层的工序，SD1和SD2为形成源电极和漏电极的工序，ILD-O和ILD-L为针对层间介质层的工序；EB1和EBB是缓冲层的工序；Gate1、Gate2是分别针对栅极绝缘层和栅极的工序，Active是有源层的工序，其包括了第一有源层和第二有源层。

其中，GOA区包括两层TFT层，则主要工序流程相较于显示区的工艺流程较为多，主要表现在将增加第2层TFT层的工艺流程：PLN/Buffer/A-Si/GI/GATE。其中，PLN是两层TFT层之间的第一隔离层制作工艺，Buffer是缓冲层工艺，a-Si为非晶硅材料，表示第二有源层的制作，GI是栅极绝缘层的工艺，GATE是栅极的工艺。当然，在GOA区还有制作转接层的工艺。

其中，显示区的第一薄膜晶体管和GOA区的第一层TFT层可以同时制作出来，具体过程如下：

S21：在位于显示区的衬底基板上形成第一a-Si图形，以及在位于GOA区的衬底基板上形成第二半导体图形；其中，所述第一a-Si图形和所述第二半导体图形采用a-Si(非晶硅)材料形成；

S22：对第一a-Si图形和第二a-Si图形采用准分子激光退火的方式，使第一a-Si图形晶化形成第一有源层，以及使第二a-Si图形晶化形成第一TFT层的第二有源层；

S23：采用一套掩膜板，在第一有源层上形成第一栅极绝缘层，同时，在第二有源层上形成第二栅极绝缘层；

S24：采用同一掩膜板，在第一栅极绝缘层背离衬底基板的一侧形成第一栅极层，同时，在第二栅极绝缘层背离衬底基板的一侧形成第二栅极层；

S25：采用同一掩膜板，在第一栅极层背离衬底基板的一侧形成第一层间介质层，同时，在第二栅极层背离衬底基板的一侧形成第二层间介质层；

S26：采用同一掩膜板，在第一层间介质背离衬底基板的一侧形成第一源电极和第一漏电极，同时在，在第二层间介质背离衬底基板的一侧形成第一电极和第二电极；

到此，显示区的第一薄膜晶体管和GOA区的第一TFT层便制作完成；接着，在GOA区形成第二TFT层，包括以下过程：

S27：在第一TFT层的第一电极和第二电极背离衬底基板的一侧形成第一隔离层；

S28：在第一隔离层上形成多个第三a-Si图形，多个第三a-Si图形按照行列阵列排布，所述第三a-Si图形采用a-Si材料形成；

S29：对每个第三a-Si图形的沟道区采用固态激光退火，得到第二TFT层的第二有源层；

S30：在第二有源层上形成第三栅极绝缘层；

S31：在第三栅极绝缘层背离衬底基板的一侧形成第三栅极层；

S32：在第三栅极层背离衬底基板的一侧形成第三层间介质层，同时，在第三栅极层背离衬底基板的一侧形成第三层间介质层；

S33：在第三层间介质背离衬底基板的一侧形成第一电极和第二电极；并使第一电极与第一TFT层上的第一电极搭接，第二电极与第一TFT层上的第二电极搭接；

接着，在GOA区形成转接层，其制作过程如下：

S34：在第二TFT层上形成第三电极和第四电极，并使第三电极与第二TFT层的第一电极搭接，第四电极与第二TFT层的第二电极搭接

S35：在第三电极和第四电极背离衬底基板的一侧形成第二平坦化层；

S36：在第二平坦化层1029背离衬底基板的一侧形成第二隔离层203；

S37：在第二隔离层背离衬底基板的一侧形成第二源电极和第二漏电极，并使第二源电极与第三电极搭接，第二漏电极与第四电极搭接。

由此，便形成了阵列基板的显示区和GOA区，其中，GOA区的剖面结构可以参照图7中的相关流程后得到的图结构所示。

在该示例1中，如增加底部屏蔽金属层BSM，则为如下12道Mask工艺：

BSM/Active/Gate1/Gate2/EB1/SD1/EBB/PLN1/SD2/PLN2/Anode/PDL+P S；对于BSM的制作，是在制作第一有源层和第一TFT层的第二有源层时，在衬底基板上增加一层屏蔽金属层BSM，该屏蔽金属层BSM在衬底基板上的正投影可以覆盖第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。

采用此示例1的制作方法，制作出的GOA区中，显示区中的第一有源层和GOA区中的第二有源层均是低温多晶硅材料，其中，第二TFT层中的第二有源层的沟道的宽长比大，此种情况下，GOA区所在的边框更大。

示例2：

示例2中的阵列基板可以应用于LTPO型的AMOLED的阵列背板的制作，主要包括显示区的工艺流程和GOA区的工艺流程，其中，主要工序流程有14道工艺流程，其按照顺序依次为：

Active/Gate1/Gate2/IGZO/Gate3/EB1+ILD-O/EB2+ILD-L/SD1/PVX/PLN1/SD2/PLN2/Anode/PDL+PS。

其中，PS是指隔离柱，PDL是指像素界定层，Anode为阳极，PLN1和PLN2为制作第一隔离层的工序，SD1和SD2为形成源电极和漏电极的工序，ILD-O和ILD-L为针对层间介质层的工序；EB1和EB2是缓冲层的工序；Gate1、Gate2和Gate3是分别针对栅极绝缘层和栅极的工序，Active是有源层的工序，其包括了第一有源层和第二有源层；IGZO为镓锌氧化物作为显示区的第一有源层的工序。

其中，GOA区包括两层TFT层，则主要工序流程相较于显示区的工艺流程较为多，主要表现在将增加第2层TFT层的工艺流程：PLN/Buffer/A-Si/GI/GATE。其中，PLN是两层TFT层之间的第一隔离层制作工艺，Buffer是缓冲层工艺，A-Si即为第二有源层的工艺，GI是栅极绝缘层的工艺，GATE是栅极的工艺。当然，如上所述，在GOA区还有制作转接层的工艺。

在该示例2中，GOA区包括两层TFT层，与示例1不同的是：

1、在制作第二层TFT层(即第二TFT层)中的第二有源层时，可以对多个连续行的第三a-Si图形采用固态激光退火，得到第二TFT层的第二有源层；使得第二TFT层中的部分第二薄膜晶体管的第二有源层是低温多晶硅材料，而另外部分第二薄膜晶体管的第二有源层是氧化物材料。

2、在制作显示区的第一有源层时，可以在衬底基板上沉积氧化物作为有源层，并湿刻图形化，剥离金属表面光刻胶，从而形成第一有源层，第一有源层主沉积的氧化物可以为IGZO等非晶氧化物。

在该示例2中，如增加底部屏蔽金属层BSM，则为如下15道Mask工艺：

BSM/Active/Gate1/Gate2/IGZO/Gate3/EB1+ILD-O/EB2+ILD-L/SD1/PVX/PLN1/SD2/PLN2/Anode/PDL+PS，具体地，则是在制作第一有源层和第一TFT层的第二有源层时，在衬底基板上增加一层屏蔽金属层BSM，该屏蔽金属层BSM在衬底基板上的正投影可以覆盖第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。

采用此种方式，显示区的第一有源层可以是氧化物，GOA区中位于第一TFT层中的第二有源层是低温多晶硅材料，位于第二TFT层中的部分第二有源层是低温多晶硅材料，其余部分是非晶氧化物；由此，既可以满足GOA区的驱动性能，又可以降低成本。

基于相同的发明构思，本公开还提供了一种阵列基板，该阵列基板的剖面结构示意图，可以参照图8所示，示出了阵列基板的剖面结构示意图，具体可以包括：

衬底基板，包括显示区101和与非显示区相邻的GOA区102；

其中，在位于显示区的衬底基板上多个第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一有源层；

在位于GOA区的衬底基板上包括多层TFT层，以及在TFT层背离衬底基板一侧设置有转接层；其中，TFT层包括多个第二薄膜晶体管其中，相邻两层所述TFT层中的一个TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层，与另一TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层具有交叠区域，且具有所述交叠区域的第二薄膜晶体管搭接；

其中，第一有源层为低温多晶硅材料或者可以为氧化物材料，靠近衬底基板的第一TFT层中的第二有源层为采用准分子激光退火形成的低温多晶硅材料；背离衬底基板的第二TFT层中，部分或全部的第二薄膜晶体管中的第二有源层为采用固态激光退火处理形成的低温多晶硅材料。

其中，第一有源层的晶粒均一性可以高于第二TFT层中的第二有源层的晶粒均一性。

进一步地，如上述示例所示的，第二TFT层中部分第二薄膜晶体管中的第二有源层为低温多晶硅材料，其余第二薄膜晶体管中的第二有源层为氧化物材料。由此，既可以满足GOA区的驱动性能，又可以降低成本。

基于相同的发明构思，本公开还提供了一种显示面板，该显示面板可以包括上述任一实施例所述的阵列基板，或者可以是由上述任一实施例所述的阵列基板的制作方法所制作而成的阵列基板。其中，该显示面板可以是大尺寸的OLED(Organic Light EmissionDiode，有机电致发光器件)面板，如可以应用到笔记本电脑、车载屏中的显示屏、大型电视机；也是小尺寸的OLED面板，如可应用到手机和智能手表中。

其中，该显示面板还可以是LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示)面板。

需要说明的是，在形成显示装置时，还可以在阵列基板上形成绑定区104，以及绑定驱动芯片103，其中，绑定区可以设置触控芯片等电气元件。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本公开所提供的一种阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本公开的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本公开的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本公开的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本公开的限制。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

本文中所称的“一个实施例”、“实施例”或者“一个或者多个实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或者特性包括在本公开的至少一个实施例中。此外，请注意，这里“在一个实施例中”的词语例子不一定全指同一个实施例。

在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本公开的实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本公开可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底基板，所述衬底基板包括显示区和与所述显示区相邻的阵列基板行驱动GOA区；

在位于所述显示区的衬底基板上形成多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层；

在位于所述GOA区的衬底基板上依次形成多层TFT层，所述TFT层包括多个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层；其中，相邻两层所述TFT层中的一个TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层，与另一TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层具有交叠区域，且具有所述交叠区域的第二薄膜晶体管搭接；

其中，在形成靠近所述衬底基板一侧的第一TFT层中的第二有源层时，采用准分子激光退火处理形成；

在形成背离所述衬底基板一侧的第二TFT层中部分或全部第二薄膜晶体管的第二有源层时，采用固态激光退火处理形成。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一有源层和所述第一TFT层中的第二有源层在同一工艺流程中形成，包括：

在位于所述显示区的衬底基板上形成第一a-Si图形，以及在位于所述GOA区的衬底基板上形成第二a-Si图形；

对所述第一a-Si图形和所述第二a-Si图形采用准分子激光退火的方式，使所述第一a-Si图形晶化形成所述第一有源层，以及使所述第二a-Si图形晶化形成所述第二有源层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，每相邻层叠的两个所述TFT层之间形成有第一隔离层；其中，所述第二TFT层中的第二有源层形成在所述第一隔离层背离所述衬底的一侧；其中，所述第二TFT层中的第二有源层通过以下步骤形成：

在所述第一隔离层上形成多个第三a-Si图形，多个第三a-Si图形按照行列阵列排布；

对所述第三a-Si图形的沟道区，和/或对所述GOA区内的部分第三a-Si图形采用固态激光退火，使所述第三a-Si图形晶化形成所述第二有源层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述对目标区域内的第三a-Si图形采用固态激光退火，包括：

对至少一行，和/或至少一列所述第三a-Si图形，采用固态激光退火。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，对连续多行或连续多列所述第三a-Si图形，采用固态激光退火。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二薄膜晶体管通过以下步骤形成：

在所述第二有源层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成栅极层；

在所述栅极层背离所述衬底基板的一侧形成层间介质层；

在所述层间介质背离所述衬底基板的一侧形成第一电极和第二电极；

使相邻两层所述TFT层中具有交叠区域的第一电极搭接，以及使相邻两层所述TFT层中具有交叠区域的第二电极搭接；

所述方法还包括：

在多层所述TFT层背离所述衬底基板一侧形成转接层，其中，所述转接层包括源电极和漏电极，所述源电极与每一所述TFT层中的对应位置处的第一电极搭接，所述漏电极与每一所述TFT层中的对应位置处的第二电极搭接。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一TFT层中所述第二薄膜晶体管的各膜层与所述第一薄膜晶体管的各膜层在一次成形工艺中同步进行。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括：显示区和与所述非显示区相邻的GOA区；

其中，在位于所述显示区的衬底基板上多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层；

在位于所述GOA区的衬底基板上包括多层TFT层，所述TFT层包括多个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层；其中，每相邻两层所述TFT层中的一个TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层，与另一TFT层中第二薄膜晶体管的第二有源层具有交叠区域，且具有所述交叠区域的第二薄膜晶体管搭接；

其中，靠近所述衬底基板的第一TFT层中的第二有源层，为采用准分子激光退火形成的低温多晶硅材料；背离所述衬底基板的第二TFT层中，部分或全部的所述第二薄膜晶体管中的第二有源层，为采用固态激光退火处理形成的低温多晶硅材料。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层为采用准分子激光退火形成的低温多晶硅材料。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求8或9所述的阵列基板，或者包括权利要求1-7任一所述阵列基板的制作方法所形成的阵列基板。