CN1630027A - 结晶用掩模、结晶方法及包括该结晶方法的制造薄膜晶体管阵列面板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，首先，在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，通过利用具有透射区域狭缝的多晶硅掩模局部照射激光束的连续结晶工序将非晶硅薄膜结晶为多晶硅薄膜。接着，通过利用由半透射层组成狭缝以调整激光束能量的掩模的连续结晶工序，再结晶多晶硅薄膜表面。接着，制作多晶硅薄膜布线图案形成半导体层，形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层栅极绝缘层上形成栅极。接着，向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极及漏极区域，分别形成分别与源极及漏极区域电连接的源极及漏极，然后形成与漏极连接的像素电极。

Description

结晶用掩模、结晶方法及包括该结晶方法 的制造薄膜晶体管阵列面板的方法
技术领域
本发明涉及一种结晶用掩模、结晶方法及包括该结晶方法的制造薄膜晶体管阵列面板的方法。
背景技术
通常，将薄膜晶体管阵列面板用于具有矩阵排列的像素的液晶显示器或有机EL显示装置等的一个基片。此时，每个像素具有作为开关元件的薄膜晶体管，选择性地驱动R、G、B，通过该驱动可以显示多种颜色画面。
液晶显示器是利用电极在介入于两个面板之间的具有各向异性电容率的液晶物质施加电场，通过调整该电场强度调整透射于基片的光量，以显示图像的装置。此时，为了控制传输到电极的图像信号，将薄膜晶体管作为开关元件使用。
有机电致发光(organic electro-luminescence)是电激发有机物质显示图像的装置，是包括阳极(空穴注入电极)、阴极(电子注入电极)、以及形成于它们之间的有机发光层，若向有机发光层注入电荷，则电子和空穴成对之后被消灭同时发光的自动发光型显示装置。每个像素具有驱动薄膜晶体管和开关晶体管。此时，为了发光提供电流的驱动薄膜晶体管电流量被通过薄膜晶体管施加的数据电压控制，开关晶体管栅极和源极分别与彼此交叉设置的栅极信号线(或扫描线)和数据信号线连接。
用于显示装置的最普通的薄膜晶体管将非晶硅作为半导体层使用。
这种非晶硅薄膜晶体管具有约0.5-1cm2/Vsec的迁移率，其可以用于液晶显示器开关元件。然而，因为迁移率小，所以不适合在液晶面板或有机EL(electro luminescence)等显示装置形成集成驱动电路。
为了解决上述弊端，开发了将电流迁移率约20-150cm2/Vsec的多晶硅作为半导体层使用的多晶硅薄膜晶体管开关元件或使用于驱动元件的液晶显示器或有机EL(electro luminescence)。因为多晶硅具有较高的电流迁移率，所以可以体现在显示器面板内安装驱动电路的芯片内置玻璃。
目前，在具有低熔点的玻璃基片上进行结晶形成多晶硅薄膜的方法中准分子激光退火技术是使用最多的方法，该方法直接照射被非晶硅吸收的波长区间准分子激光，以1400℃左右温度熔化，结晶为多晶硅。此时形成3,000-5,000左右的比较均匀的结晶粒子，形成结晶时间只有30-200ns，因此不影响玻璃基片。然而，不均匀的结晶粒子降低薄膜晶体管对电特性的均匀度或不能调整粒子的微细结构。
为了解决上述弊端，开发了人为可以调整结晶粒子分布的连续横向结晶工序。其利用了多晶硅颗粒在照射激光的液态区域和未照射激光的固态区域边界对于其边界面垂直方向生长的事实。此时，若向掩模透射区域(狭缝)照射激光束，以完全熔化非晶硅形成狭缝形态的液态区域，则液态的非晶硅冷却的同时形成结晶。结晶从未照射激光的固态区域对于其边界面垂直生长，颗粒的生长若在液态区域中央彼此相会则停止生长。这种连续横向结晶具有将颗粒的大小生长为相当于狭缝大小宽度的优点。
然而，进行这种连续横向结晶工序之后在多晶硅层表面形成沿着结晶粒子的400-1,000大小的突出部，在形成于半导体层上的栅极绝缘层界面产生压力，且比激元激光器退火出现10倍以上，并且其是降低薄膜晶体管特性的原因。
发明内容
本发明目的在于提供一种在非晶硅结晶为多晶硅的工序中除去形成的突出部的结晶掩模，利用结晶用掩模的结晶方法及包括该结晶方法的制造薄膜晶体管阵列面板的方法。
为了实现本发明的目的，本发明中当进行准分子激光结晶或横向结晶将非晶硅层结晶为多晶硅层时，比进行结晶时照射少的能量，重新熔化多晶硅层表面使其变为液态，以除去突出部。
更详细地说，根据本发明实施例的结晶用掩模是在结晶工序中具有限定局部照射激光束的透射区域的多个狭缝的结晶用掩模，狭缝包括由调整激光束能量的能量件组成的多个第一狭缝。
狭缝具有不同于第一狭缝的宽度，并具有由完全透射激光束的透射部组成的多个第二狭缝。
第一狭缝具有半透射层，优选地，第二狭缝形成开口部。优选地，第一狭缝宽度比第二狭缝宽度小。
第二狭缝至少排列成两个以上列，优选地，在不同的列中第二狭缝以第二狭缝一半的间距设置。
根据本发明实施例的结晶方法中，首先在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，然后局部照射激光束，将非晶硅薄膜结晶为多晶硅薄膜。接着，调整激光束能量比结晶工序能量低，以再结晶一部分多晶硅薄膜。
优选地，结晶工序和再结晶工序由通过形成于掩模的多个狭缝局部透射激光束结晶的连续横向结晶形成，结晶工序和再结晶工序通过彼此不同的第一及第二狭缝透射激光束。
优选地，多个第一狭缝由开口部形成，第二狭缝由半透射层形成，多个第一狭缝和多个第二狭缝宽度彼此不同。
多个第一狭缝和第二狭缝可以形成于彼此不同的掩模，多个第一狭缝和多个第二狭缝可以形成于相同的掩模。
包括这种结晶方法的制造薄膜晶体管阵列面板的方法，在绝缘基片上形成非晶硅薄膜之后局部照射激光束，以非晶硅结晶为多晶硅薄膜，然后照射具有比结晶工序低能量的激光束，以再结晶一部分多晶硅薄膜。接着，制作多晶硅薄膜布线图案形成半导体层，形成覆盖半导体层的栅极绝缘层。接着，在半导体层栅极绝缘层上形成栅极之后向半导体层注入杂质，以栅极为中心向两侧形成源极及漏极区域。接着，形成覆盖栅极的第一层间绝缘层之后分别形成分别与源极及漏极区域电连接的源极及漏极。接着，形成覆盖源极及漏极的第二层间绝缘层之后形成与漏极连接的像素电极。
优选地，结晶工序和再结晶工序由通过形成于掩模的多个狭缝局部透射激光束形成结晶的连续横向结晶实施，在结晶工序和再结晶工序中通过彼此不同的第一及第二狭缝透射激光束，多个第一狭缝由开口部组成，多个第二狭缝由半透射层组成。
多个第一狭缝和多个第二狭缝宽度可以彼此不同，多个第一狭缝和多个第二狭缝形成于彼此不同的掩模，可以形成于相同的掩模。
这种薄膜晶体管阵列面板可以用作液晶显示器一个基片或有机发光显示器的一个基片。
附图说明
图1示出了结晶用掩模及利用该结晶用掩模的连续横向结晶工序的示意图；
图2示出了向掩模的狭缝透射激光束将非晶硅结晶为多晶硅的工序简图；
图3A至图3C是非晶硅结晶为多晶硅的过程截面图；
图4是通过连续横向结晶工序成为结晶的多晶硅微细结构图；
图5是根据本发明第一实施例的结晶用掩模结构平面图；
图6A及图6B是根据本发明实施例的连续横向结晶工序中除去突出部的过程截面图；
图7是根据本发明第二是实施例的结晶用掩模结构平面图；
图8是利用根据本发明实施例的结晶用掩模制造的有机发光显示器用薄膜晶体管阵列面板结构布局图；
图9及图10是沿着IX-IX′线及X-X′线的图8薄膜晶体管阵列面板截面图；
图11、图13、图15、图17、图19、图21、图23是制造图8至图10的薄膜晶体管阵列面板方法的中间工序布局图；
图12A及图12B是图11沿着XIIA-XIIA′和XIIB-XIIB′线的截面图；
图14A及图14B是图13沿着XIVA-XIVA′和XIVB-XIVB′线的截面图；
图16A及图16B是图15沿着XVIA-XVIA′和XVIB-XVIB′线的截面图；
图18A及图18B是图17沿着XVIIIA-XVIIIA′和XVIIIB-XVIIIB′线的截面图；
图20A及图20B是图19沿着XXA-XXA′和XXB-XXB′线的截面图；
图22A及图22B是图21沿着XXIIA-XXIIA′和XXIIB-XXIIB′线的截面图；
图24A及图24B是图23沿着XXIVA-XXIVA′和XXIVB-XXIVB′线的截面图；
图25是利用根据本发明实施例的结晶用掩模制造的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板结构布局图；以及
图26是图25的薄膜晶体管阵列面板沿着XXVI-XXVI′线的截面图。
具体实施方式
为了使本领域技术人员能够实施本发明，现参照附图详细说明本发明的优选实施例。但是，本发明可表现为不同形式，它不局限于在此说明的实施例。
在图中为了明确表现各层及区域，扩大其厚度来表示，在全篇说明书中对类似元件附上相同图的标号，当提到层、膜、区域、基片等元件在别的部分“之上”时，它是指“直接”位于别的部分之上，也包括其间夹有别的部分之情况，反之说某个部分“直接”位于别的元件之上时，指其间并无别的元件。
下面，参照附图详细说明根据本发明实施例的结晶用掩模及利用该结晶用掩模的制造薄膜晶体管阵列面板的方法。
连续横向结晶工序中利用通过狭缝限定透射区域的掩模使激光束通过透射区域，完全熔化一部分非晶硅，在非晶硅层形成液态区域之后对于固态区域边界面垂直生长颗粒，以非晶硅结晶为多晶硅。此时，本发明实施例中形成结晶之后向多晶硅层照射比形成结晶时低能量激光束，以再结晶多晶硅层表面除去突出部。此时，再结晶时为了照射低能量激光束使用将限定透射区域的狭缝形成为半透射层或调整狭缝宽度等方法。
下面，参照附图详细说明这种根据本发明实施例的结晶用掩模结构和连续横向结晶工序。
图1示出了结晶用掩模及利用该结晶用掩模的连续横向结晶工序的示意图，图2示出了向掩模的狭缝透射激光束将非晶硅结晶为多晶硅的工序简图，图3A至图3C是非晶硅结晶为多晶硅的过程截面图，图4是通过连续横向结晶工序成为结晶的多晶硅微细结构图。
如图1所示，连续横向结晶工序中结晶用掩模是在非晶硅层结晶为多晶硅层时局部照射激光束形成液态区域时使用的掩模300，其以横向排列限定透射区域的狭缝310。此时，狭缝310分为两个区域排列，彼此相邻的两个列狭缝311、312相当于纵向狭缝间距的一半间距隔开设置。此时，两个列狭缝311、312边缘彼此重叠。
如图2及图3A所示，向形成为狭缝的掩模300透射区域310透射激光束，完全熔化形成于绝缘基片500上的一部分非晶硅层200，在对应于透射区域310的非晶硅层200形成液态区域210。此时如图3B所示，多晶硅颗粒在照射激光的液态区域210和未照射激光的固态区域220界面对于其界面垂直方向生长，同时一部分非晶硅层200结晶为多晶硅层230。接着，如图3C所示，颗粒的生长在液态区域中央相会时停止其生长。此时，若按照颗粒生长的方向进行此工序，则以所需的多种粒子大小进行颗粒侧面生长。
如图1所示，为了将颗粒大小生长为掩模狭缝图案宽度在横向结晶工序中透射区域310-狭缝311、312排列成两列，在不同的两个列中使用彼此错开设置的掩模300。横向结晶工序中，对于基片横向(x轴)移动掩模300到相当于区域301、302宽度的距离，同时以射击单位照射激光束，激光束通过在两列狭缝311、312彼此错开设置的透射区域310连续照射y轴方向，在非晶硅层液态区域中，如图4所示，颗粒按照纵向y轴生长到狭缝宽度的大小。
为了在整个基片区域实施这种横向结晶工序，通过以纵向反复进行连续结晶固定，实施以射击单位横向照射激光束的扫描工序，通常进行工序时，在固定照射激光束的激光照射装置位置的状态下，基片移动安装的工序进行。
然而，如图3C所示，在多晶硅层230表面沿着颗粒生长方向形成突出部。为了除去这种突出部，在本发明的实施例中，如上所述，利用可以调整激光束能量的元件中包括形成一个半透射层的狭缝的掩模，实施再结晶。
图5是根据本发明第一实施例的结晶用掩模结构平面图，图6A及图6B是根据本发明实施例的连续横向结晶工序中除去突出部的过程截面图。
如图5所示，根据本发明第一实施例的结晶用掩模400在连续横向结晶工序中，当非晶硅层结晶为多晶硅层时为了调整通过透射区域的激光束能量，由半透射层形成狭缝410，这种狭缝以列方向排列。优选地，这种狭缝410具有比形成于图1掩模的狭缝310宽度小的宽度，并对应于突出部的宽度及间距设置。
如图3A至图3C所示，通过连续结晶工序将非晶硅结晶为多晶硅，然后横向移动如图5所示的结晶用掩模400，同时整列狭缝使其位于图3C突出部上，并通过狭缝410照射激光束。在这里，即使用完全可以熔化多晶硅层230的能量照射激光束，也在结晶用掩模400狭缝形成半透射层。如图6A所示，熔化一部分多晶硅层230的同时形成液态区域211，而且多晶硅层表面的突出部被除去。
接着，如图6B所示，若结束激光束，则液态211多晶硅被冷却的同时重新形成结晶231。此时，结晶从未照射激光的固态区域边界对于其边界面以垂直方向生长。
另外，如上所述，利用具有两个狭缝310、410的掩模300、400进行连续横向结晶工序时除去多晶硅层表面的突出部，但是在一个掩模一起布置两种狭缝410、310。
图7是根据本发明第二是实施例的结晶用掩模结构平面图。
如图7所示，根据本发明第二实施例的掩模340具有不同透射率的第一及第二区域。在第二区域排列如图1的狭缝310，在第一区域排列由如图5的可以调整激光束能量的件的半透射层组成的狭缝410。
当利用这种掩模进行连续横向结晶工序时，用一个掩模进行结晶除去突出部。即，通过第二区域狭缝310进行结晶工序，然后通过第一区域狭缝410进行再结晶，以除去形成于多晶硅层表面的突出部。
下面，具体说明包括根据这种本发明实施例的结晶用掩模及利用该掩模的结晶方法的制造多晶硅薄膜晶体管阵列面板的方法。
首先，参照图8至图10说明完成的有机发光显示装置用薄膜晶体管阵列面板结构。
在绝缘基片110上形成由氧化硅或氮化硅组成的遮挡层111，在遮挡层111上形成第一及第二多晶硅层150a、150b，第二多晶硅层150b与电容器用多晶硅层157连接。第一多晶硅层150a由第一晶体管部153a、154a、155a组成，第二多晶硅层150b包括第二晶体管部153b、154b、155b。第一晶体管部153a、154a、155a源极区域(第一源极区域)153a和漏极区域(第一漏极区域)155a掺杂n型杂质。第二晶体管部153b、154b、155b的源极区域(第二源极区域)153b和漏极区域(第二漏极区域)155b掺杂p型杂质。此时，根据驱动条件第一源极区域153a及漏极区域155a掺杂p型杂质，第二源极区域153b及漏极区域155b掺杂n型杂质。在这里，第一晶体管部153a、154a、155a是开关薄膜晶体管半导体，第二晶体管部153b、154b、155b是驱动薄膜晶体管半导体。
在多晶硅150a、150b、157上形成由氧化硅或氮化硅组成的栅极绝缘层140。在栅极绝缘层140上形成包括由像铝或铝合金等低电阻导电物质组成的导电层的栅极线121和第一及第二栅极124a、124及存储电极133。第一栅极124a与栅极线121连接形成树枝状，并与第一晶体管通道部(第一通道部)154a重叠。第二栅极124b与栅极线分离且第二晶体管通道部(第二通道部)154b重叠。存储电极133与第二栅极124b连接且与多晶硅层存储电极部157重叠。
在栅极线121和第一及第二栅极124a、124b及存储电极133上形成第一层间绝缘层801，在第一层间绝缘层801上形成传输数据信号的数据线171、提供电源电压的线型电源电压用电极172、第一及第二源极173a、173b及第一及第二漏极175a、175b。第一源极173a是数据线171的一部分并呈分支状，其通过贯通第一层间绝缘层801和栅极绝缘层140的接触孔181与第一源极区域153a连接。第二源极173b是电源电压用电极172的一部分，并呈分支状，其通过贯通第一层间绝缘层和栅极绝缘层140的接触孔181与第二源极区域153b连接。第一漏极175a通过贯通第一层间绝缘层801和栅极绝缘层140的接触孔182、183与第一漏极区域155a及第二栅极124b接触，并电连接它们。第二漏极175b通过贯通第一层间绝缘层801和栅极绝缘层140的接触孔186与第二漏极区域155b连接，并由栅极线171相同物质组成。
在数据线171、电源电压用电极172及第一及第二漏极175a、175b上形成由氮化硅或氧化硅或有机绝缘物质组成的第二层间绝缘层802，而第二层间绝缘层802具有露出第二漏极175b的接触孔185。
在第二层间绝缘层802上形成通过接触孔185与第二漏极175b连接的像素电极190。优选地，像素电极190由铝或银合金等反射性优良的物质组成。但是，根据需要由ITO或IZO等透明绝缘物质形成像素电极。由透明物质组成的像素电极190适用于向面板下面方向显示图像的底部发射方式的有机发光。由不透明导电物质组成的像素电极190适用于向面板的上部方向显示图像的顶部发射方式的有机发光。
在第二层间绝缘层802上形成由有机物质组成并分离有机发光单元的隔壁803。隔壁803围绕像素电极190周围限定填充有机发光层70的区域。隔壁803曝光显像形成包括黑色颜料的感光剂，以起遮光层的作用，同时简化了形成工序。在被隔壁803围绕的像素电极190上的区域形成有机发光层70。有机发光层70由发出红、绿、蓝中一个颜色光的有机物质组成，并依次反复设置红、绿、及蓝有机发光层70。
在有机发光层70和隔壁803上形成缓冲层804。缓冲层804根据需要可以省略。
在缓冲层804上形成共同电极270。共同电极270由ITO或IZO等透明导电物质组成。若像素电极190由ITO或IZO等导电物质组成，则共同电极270可以由铝等反射性良好的金属组成。
另外，虽然未示出，但为了补偿共同电极270传导性由电阻低的金属形成辅助电极。辅助电极置于共同电极270和缓冲层804之间或共同电极270上，为了其与有机缓冲层不重叠，优选沿着隔壁803以矩阵状形成。
下面，简单地说明这种有机发光面板驱动。
若向施加开通脉冲栅极线121，则第一晶体管被接通，通过数据线171施加的图像信号电压或数据电压传输到第二栅极124b。若第二栅极124b施加图像信号电压，则接通第二晶体管，由数据电压的引起的电流流入到像素电极190和有机发光层70，有机发光层70发出特定波长区域的光。此时，随着通过第二薄膜晶体管流动的电流量，有机发光层70放出的光量不同，以改变亮度。此时，第二晶体管可以流出电流的量由通过第一晶体管传输的图像信号电压和通过电源电压用电极172传输的电源电压的差异大小决定。
下面，参照图11至图24B和图8至图10说明这种有机发光显示器用薄膜晶体管阵列面板制造方法。
首先，如图11至图12B所示，在基片110上沉积氧化硅等形成遮挡层111，在遮挡层111上沉积非晶硅层。非晶硅层沉积通过LPCVD(低温化学淀积)、PECVE(等离子增强化学汽相淀积)或溅射进行。接着，向非晶硅层照射激光束结晶为多晶硅。此时，如上所述，利用图5及图7或图7实施连续结晶工序。因此，可以除去结晶工序中形成于多晶硅表面的突出部，通过它可以稳定地确保薄膜晶体管特性，提高显示器的显示特性。
然后，光学蚀刻多晶硅层，形成第一及第二晶体管部150a、150b和存储电极部157。
接着，如图13至图14B所示，在多晶硅层150a、150b、157上沉积栅极绝缘层140。接着，沉积栅极用金属层120，并涂布感光层，对其曝光及显像形成第一感光层PR1。第一感光层图案PR1作为掩模蚀刻栅极金属层，以形成第二栅极124b和存储电极133，向露出的第二晶体管部150b多晶硅层注入P型杂质离子限定通道区域154b，形成第二源极区域153b和第二漏极区域155b。此时，第一感光层图案PR1及栅极金属层120覆盖第二晶体管部150a的多晶硅层并保护它。
然后，如图15至图16B所示，除去第一感光层图案PR1，重新涂布感光层，并曝光及显像形成第二感光层图案PR2。将第二感光层图案PR2作为掩模蚀刻栅极金属层120，以形成第一栅极124a及栅极线121，向露出的第一晶体管部150a多晶硅层注入n型杂质离子限定通道区域154a，并形成第一源极区域153a和第一漏极区域155a。此时，感光层图案PR2覆盖第二晶体管部及存储电极部157并保护它。
接着，如图17至图18B所示，在栅极线121、124b、第二栅极124b及存储电极133上层叠第一层间绝缘层801，并与栅极绝缘层140一起进行光学蚀刻形成分别露出第一源极区域173a、第一漏极区域175a、第二源极区域173b及漏极区域175b的接触孔181、182、184、186和露出第二栅极124b一端部的接触孔183。
接着，图19至图20B所示，层叠数据金属层并对其进行光学蚀刻形成数据线171、电源电压用电极172及第一及第二漏极175a、175b。此时，可以一起形成将要形成的像素电极190，当由ITO或IZO等透明导电物质形成像素电极190时，通过单独的光学蚀刻工序形成。
接着，如图21至图22B所示，层叠第二层间绝缘层802，用掩模的光学蚀刻工序进行制作布线图案，形成露出第二漏极175b的接触孔185。
接着，如图23至图24所示，层叠透明导电物质或具有低电阻的导电物质，并对其进行布线图案形成像素电极190。
接着，如图8至图10所示，在形成像素电极190的第二层间绝缘层802上涂布包括黑色颜料的有机层，并曝光及显像形成隔壁803，在各像素区域形成有机发光层70。此时，有机发光层70一般由多层结构组成。有机发光层70掩蔽后通过喷墨打印等方法形成。
接着，在有机发光层70上涂布传导性有机物质形成缓冲层804，在缓冲层804上沉积ITO或IZO，形成共同电极270。
此时，虽然未示出，但是在形成共同电极270的前或后由铝等低电阻物质形成辅助电极。或者，当由透明导电物质形成像素电极190时，由反射性优良的金属形成共同电极270。
这种根据本发明实施例的有机发光显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法中说明了由半透明导电层形成像素电极190，由透明导电物质形成共同电极270，以向面板上部方向显示图像的顶部发光方式。
另外，当由透明导电物质形成像素电极190、由半透明导电物质形成共同电极270时，根据本发明实施例的结晶方法同样适用于向面板的下部显示图像的底部发射方式薄膜晶体管阵列面板及其制造方法中，并同样适用于液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法中，将参照附图说明一实施例。
图25是利用根据本发明实施例的结晶用掩模制造的液晶显示器用薄膜晶体管显示板结构布局图，图26是图25的薄膜晶体管显示板沿着XXVI-XXVI′线的截面图。
如图25及图26所示，在透明绝缘基片110上形成由氧化硅或氮化硅组成的遮挡层111，在遮挡层111上形成包括重掺杂n型杂质的源极区域153和漏极区域155及位于其间并掺杂杂质的通道区域154的薄膜晶体管多晶硅层150。
而且，在栅极绝缘140上分别形成一个方向的较长栅极线121，延长一部分栅极线121与多晶硅层150通道区域154重叠，重叠的栅极线121一部分使用于薄膜晶体管栅极124。而且，在源极区域153和通道区域154之间、漏极区域155和通道区域154之间分别形成轻掺杂n型杂质的低浓度掺杂区域152。
而且，在栅极绝缘层140上形成与栅极线121平行且由同样的物质、相同层形成增加存储电容的存储电极线131。与多晶硅150重叠的存储电极线131一部分成为存储电极133，与存储电极133重叠的多晶硅层150成为存储电极区域157，在存储电极区域157两侧也分别形成轻掺杂区域152，在存储电极区域157两侧位于重掺杂区域158。为了与外部电路连接栅极线121一侧末端比栅极线121宽度宽，并可以直接与栅极驱动电路输出端连接。
在形成栅极线121及存储电极线131的栅极绝缘层140及半导体层150上形成第一层间绝缘层801。第一层间绝缘层801包括分别露出源极区域153和漏极区域155的第一及第二接触孔141、142。
在第一层间绝缘层801上形成与栅极线121交叉限定像素区域的数据线171。数据线171一部分或分支状部分通过第一接触孔141与源极区域153连接，与源极区域153连接的部分使用于薄膜晶体管源极173d。为了与外部电路连接数据线171一侧末端比数据线171宽度宽(未示出)，并直接与数据驱动电路输出端连接。
在与数据线171相同的层形成与源极173一定距离错开形成并通过第二接触孔142与漏极区域155连接的漏极175。
在包括漏极175级数据线171的第一层间绝缘层801上形成第二层间绝缘层802。第二层间绝缘层602具有露出漏极175的第三接触孔143。
在第二层间绝缘层802上的像素区域分别形成通过第三接触孔143与露极175d连接的像素190。
在这种根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列面板制造方法中也如上所述，结晶多晶硅层150除去突出部，以确保薄膜晶体管特性。
像这样，本发明中利用低能量重新结晶多晶硅薄膜，并在表面除去突出部，以提高薄膜晶体管特性，通过其稳定地确保显示器的显示特性。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (19)

1.一种在结晶工序中具有限定局部性透射激光束的透射区域的多个狭缝的结晶用掩模，其中所述狭缝包括由调整激光束能量的能量调整件组成的多个第一狭缝。
2.根据权利要求1所述的结晶用掩模，其特征在于，所述狭缝具有不同于所述第一狭缝宽度的宽度并由完全可以透射所述激光束的透射区域组成的多个第二狭缝。
3.根据权利要求2所述的结晶用掩模，其特征在于，所述第一狭缝形成半透射层，所述第二狭缝由开口部组成。
4.根据权利要求3所述的结晶用掩模，其特征在于，所述第一狭缝的宽度比所述第二狭缝的宽度小。
5.根据权利要求3所述的结晶用掩模，其特征在于，所述第二狭缝至少由两个以上列排列，在彼此不同的列中所述第二狭缝以所述第二狭缝一半距离错开设置。
6.一种结晶方法，包括以下工序：
在绝缘基片上沉积非晶硅薄膜；
局部照射激光束将非晶硅薄膜结晶为多晶硅薄膜；以及
将所述激光束能量调整为比所述结晶工序能量低，以再结晶所述多晶硅薄膜。
7.根据权利要求6所述的结晶方法，其特征在于，所述结晶工序和所述再结晶工序通过由形成于掩模的多个狭缝局部透射激光束进行结晶的连续结晶工序实施，所述结晶工序和所述再结晶工序通过彼此不同的多个第一狭缝及所述第二狭缝透射激光束。
8.根据权利要求7所述的结晶方法，其特征在于，多个所述第一狭缝由开口部组成，而多个所述第二狭缝由半透射层组成。
9.根据权利要求8所述的结晶方法，其特征在于，多个所述第一狭缝和多个所述第二狭缝宽度彼此不同。
10.根据权利要求9所述的结晶方法，其特征在于，多个所述第一狭缝和多个所述第二狭缝形成于彼此不同的掩模。
11.根据权利要求9所述的结晶方法，其特征在于，多个所述第一狭缝和多个所述第二狭缝形成于相同的掩模。
12.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：
在绝缘基片上形成非晶硅薄膜；
局部照射激光束将所述非晶硅薄膜结晶为多晶硅；
照射具有比所述结晶工序低能量的激光束，再结晶部分所述多晶硅薄膜；
制作所述多晶硅薄膜布线图案形成半导体层；
形成覆盖所述半导体层的栅极绝缘层；
在所述半导体层的所述栅极绝缘层上形成栅极；
向所述半导体层注入杂质，以所述栅极为中心两侧形成源极及漏极区域；
形成覆盖所述栅极的第一层间绝缘层；
分别形成与所述源极及漏极区域电连接的源极及漏极；
形成覆盖所述源极及漏极的第二层间绝缘层；以及
形成与所述漏极连接的像素电极。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述结晶工序和所述再结晶工序通过由形成于掩模的多个狭缝局部透射激光束进行结晶的连续结晶工序实施，所述结晶工序和所述再结晶工序通过彼此不同的多个第一狭缝及第二狭缝透射激光束。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，多个所述第一狭缝由开口部组成，多个所述第二狭缝由半透射层组成。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，多个所述第一狭缝和多个所述第二狭缝宽度彼此不同。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，多个所述第一狭缝和多个所述第二狭缝形成于彼此不同的掩模。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，多个所述第一狭缝和多个所述第二狭缝形成于相同的掩模。
18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，将所述薄膜晶体管阵列面板用作液晶显示器一个基片。
19.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，将所述薄膜晶体管阵列面板用作有机发光显示器的一个基片。
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