KR101289066B1 - 결정화방법 및 결정화 마스크 제작방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 결정화방법 및 결정화 마스크 제작방법에 관한 것으로, 본 발명은 결정화마스크 제작방법은얼라인 생성키 마스크와, 제1그레인사이즈를 갖는 복수개의 제1슬릿패턴과 제2그레인사이즈를 갖는 복수개의 제2슬릿패턴 및 이들패턴사이에 마련된 비광조사영역으로 구성된 마스크 결정화공정용 마스크를 제작하는 단계; 픽셀영역과, 픽셀영역의 주변에 구동회로영역 및 얼라인키를 정의한 기판을 준비하는 단계; 상기 기판전면에 비정질실리콘층을 형성하는 단계; 상기 얼라인 키 생성용 마스크를 이용하여 상기 얼라인키영역에 얼라인키를 형성하는 단계; 및 상기 얼라인키를 기준으로 상기 픽셀영역에 상기 픽셀어레이용 마스크를 얼라인하여 상기 픽셀영역을 결정화시키는 단계를 포함하여 구성된다.
SLS 결정화, 그레인, 버퍼, 슬릿, 비결정화영역

Description

결정화방법 및 결정화 마스크 제작방법{METHOD FOR CRYSTALLIZING LAYER AND METHOD FOR FABRICATING CRYSTALLIZING MASK}
도 1a는 측면 고상 결정화시에 사용되는 마스크의 패턴을 도시한 도면이.
도 1b는 도 1a의 마스크패턴에 의해 결정화된 실리콘층을 도시한 도면.
도 2는 종래기술에 따른 동일한 크기의 패턴이 복수개가 마련된 마스크를 도시한 평면도.
도 3은 종래기술에 따른 마스크를 이용하여 레이저스캐닝한 후의 결정화패턴형태를 보여 주는 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 마스크를 도시한 평면도로서, 서로 다른 그레인사이즈를 갖는 패턴이 형성된 마스크를 보여 주는 평면도.
도 5는 본 발명에 따른 마스크를 이용하여 레이저 스캐닝한 후의 결정화패턴을 보여 주는 평면도.
도 6a는 본 발명에 따른 마스크를 이용하여 레이저 조사후의 슬릿간격에 따라 서로 다른 그레인 형태를 보여 주는 도면으로서, 작은 그레인 사이즈영역을 도시한 도면이고, 도 6b는 큰 그레인사이즈영역을 보여 주는 도면.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 마스크를 이용하여 레이저 스캐닝후 결정화과정을 보여 주는 개략도.
도 8은 본 발명에 따른 결정화방법을 이용하여 제조된 액정표시소자의 박막트랜지스터 단면구조를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호 설명 *
100 : 마스크 103 : 제1슬릿패턴
105 : 제2슬릿패턴 110 : 작은 그레인사이즈영역
115 : 비결정화영역 120 : 큰 그레인사이즈영역
본 발명은 결정화 마스크 제작방법 및 이를 이용한 결정화방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 얼라인키를 이용한 결정화 마스크 제작방법 및 이를 이용한 결정화방법에 관한 것이다.
최근 정보화사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었는데, 그 중 색 재현성 등이 우수한 액정표시장치가 활발하게 개발되고 있다.
일반적으로 액정표시장치는 전계생성 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판사이에 액정물질을 삽입한 다음 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정분자를 움직임으로써 액정분자의 움직임에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.
전술한 액정표시장치로는, 화면을 표시하는 최소단위인 화소별로 전압을 온/오프하는 스위칭소자인 박막트랜지스터가 구비되는 액티브 매트릭스형 액정표시장치가 주류를 이루고 있는데, 최근에는 다결정실리콘(poly-Si)을 이용한 박막트랜지스터를 채용하는 액정표시장치가 널리 연구 및 개발되고 있다.
다결정실리콘을 이용한 액정표시장치에서는 박막트랜지스터와 구동회로를 동일 기판상에 형성할 수 있으며, 박막트랜지스터와 구동회로를 연결하는 과정이 불필요하므로 공정이 간단해진다.
또한, 다결정실리콘은 비정질 실리콘에 비해 전계효과 이동도가 100내지 200배 정도 더 크므로 응답속도가 빠르고, 온도와 빛에 대한 안정성도 우수한 장점이 있다.
다결정실리콘으로의 결정화공정은 레이저빔 조사를 통한 레이저 열처리공정이 주류를 이루고 있다. 그러나, 레이저빔이 조사된 실리콘막의 표면 온도는 약 1400 ℃ 정도가 되므로, 실리콘막의 표면은 산화되기가 쉽다. 특히, 이러한 레이저 열처리 결정화방법에서는 레이저빔의 조사가 다수회 이루어지기 때문에 대기중에서 레이저 열처리를 실시할 경우 레이저빔이 조사된 실리콘막의 표면이 산화되어 SiO2가 생성되기 쉽다.
따라서, 레이저 열처리는 약 10-7 내지 10-6 torr 정도의 진공에서 실시해야 한다.
이러한 레이저 열처리에 의한 결정화방법의 단점을 보완하기 위해, 최근 레 이저를 이용하여 순차측면고상법(sequential lateral solidification; 이하 SLS방법이라 함)에 의해 결정화하는 방법이 제안되어 널리 연구되고 있다.
SLS 방법은 실리콘의 그레인이 실리콘 액상영역과 실리콘 고상영역의 경계면에서 그 경계면에 대항 수직방향으로 성장한다는 사실을 이용한 것으로, 레이저에너지의 크기와 레이저빔의 조사범위를 적절하게 이동하여 그레인을소정의 길이만큼 측면성장시키므로써 실리콘 그레인의 크기를 향상시킬 수 있는 비정질실리콘막의 결정화방법이다. SLS 방법은 기판상에 실리콘 그레인의 크기가 획기적으로 큰 SLS 실리콘박막을 형성하므로써 단결정실리콘 채널영역을 가지는 박막트랜지스터의 제조를 가능하게 한다.
이러한 SLS 결정화방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1a는 SLS 결정화시 사용되는 마스크의 패턴을 도시한 것이고, 도 1b는 도 1a의 마스크패턴에 의해 결정화된 실리콘층을 도시한 도면이다.
도 1a에 도시된 바와같이, SLS 결정화에 사용되는 마스크(10)는 수 μm 의 슬릿패턴(12)을 가지고 있어, 레이저빔이 수 μm 의 폭을 가지고 실리콘층에 입사되도록 한다. 여기서, 슬릿패턴(12)사이의 간격도 수 μm 가 되며, 슬릿패턴(12)의폭은 2∼3 μm 일 수 있다.
이러한 마스크(10)의 슬릿패턴(12)을 통해 도 1b의 비정질실리콘층(20)에 레이저빔을 조사하면, 레이저빔이 조사된 비정질실리콘층(22)은 완전히 용융된 후 응고함으로써 결정이 성장되는데, 이때 레이저빔이 조사된 영역(22)의 양끝에서부터 그레인(24a, 24b)이 측면으로 성장되어 그레인(24a, 24b)이 만나는 부분에서 성장 을 멈춘다. 이러한 결정이 만나는 부분은 그레인 바운더리(28b)가 된다.
여기서, 마스크(10)는 슬릿패턴(12)을 다수개 가지고 있으며, 마스크(10)의 크기에 대응하여 결정화되는 영역을 단위영역이라 한다.
이어, 결정화된 영역을 포함하여 레이저빔을 다시 조사하므로써 같은 과정을 반복하여 비정질실리콘층을 모두 결정화한다.
이러한 관점에서, 종래기술에 따른 결정화방법에 대해 도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 종래기술에 따른 동일한 크기의 패턴이 복수개가 마련된 마스크를 도시한 평면도이다.
도 3은 종래기술에 따른 마스크를 이용하여 레이저스캐닝한 후의 결정화패턴형태를 보여 주는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 1개의 마스크패턴(30)안에 동일한 그레인 사이즈(grain size)를 갖는 슬릿패턴(33)이 복수개가 일정한 간격을 두고 상하, 좌우로 형성되어 있으며, 패턴과 패턴사이에는 광차단영역(31)이 마련되어 있다.
도 3을 참조하면, 동일한 그레인 사이즈를 갖는 슬릿패턴(33)이 마련된 마스크패턴(30)을 사용하여 레이저조사후 결정화과정을 거치면, 구동 TFT인 경우에 가로방향으로 결정화된 패턴(33a)이 형성되며, 스위칭 TFT인 경우 세로 방향으로 결정화된 패턴(33b)이 형성된다.
한편, 액티브 매트릭스 유기 발광소자(AMOLED)패널은 통상의 액티브 매트릭스 액정표시패널과 달리 픽셀내에 적어도 2개의 TFT가 필요하다. 이들 TFT는 통상 적으로 스위칭 역할을 하는 스위칭TFT (switching TFT)와 OLED에 전류를 인가하는 구동 TFT(driving TFT)로 구성된다.
하부 방출타입(bottom emission type)의 AMOLED 패널에서 고개구율 구현을 위해서는 2개의 TFT는 통상적으로 서로 다른 방향 즉, 서로 직각방향으로 배치된다. 이때, SLS 결정화의 경우, 각각의 TFT내에 그레인바운더리 또한 방향이 서로 직각으로 배치된다.
따라서, 그레인 방향성에 따라 소자 특성 차이를 보이게 되며, 균일도 문제가 야기된다.
또한, 그레인 바운더리(grain boundary)에 의한 모아레(moire)와 같은 광학적 불균일 현상도 야기하게 된다.
특히, 액티브 매트릭스 유기 발광소자(AMOLED) 후면(back- plane)으로써 SLS 결정화 박막을 사용할때, 도 2에서와 같이, 동일 그레인 사이즈를 갖는 슬릿패턴이 복수개가 형성된 마스크패턴을 사용하므로써 그레인 규칙성으로 인해 불균일 현상이 발생하게 된다.
이에 본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 그레인의 규칙성으로 인한 불균일 현상을 제거할 수 있는 결정화마스크 제작방법 및 이를 이용한 결정화방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 발광부분인 버퍼영역에 모폴로지(morphology) 변화를 억제함으로써 광학적 불균일성을 해소하고, 구동 TFT의 그레인 사이즈를 불규칙하게 형성하여 소자 불균일성을 해소할 수 있는 결정화마스크 제작방법 및 이를 이용한 결정화방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 결정화마스크 제작방법은, 제1 그레인사이즈를 갖는 복수개의 제1슬릿패턴이 형성된 제1영역; 제2 그레인사이즈를 갖는 복수개의 제2슬릿패턴이 형성된 제2영역; 및 상기 제1슬릿패턴과 제2슬릿패턴사이에 형성되고 비광조사영역을 포함한 제3영역;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 결정화마스크 제작방법은얼라인 생성키 마스크와, 제1그레인사이즈를 갖는 복수개의 제1슬릿패턴과 제2그레인사이즈를 갖는 복수개의 제2슬릿패턴 및 이들패턴사이에 마련된 비광조사영역으로 구성된 마스크 결정화공정용 마스크를 제작하는 단계; 픽셀영역과, 픽셀영역의 주변에 구동회로영역 및 얼라인키를 정의한 기판을 준비하는 단계; 상기 기판전면에 비정질실리콘층을 형성하는 단계; 상기 얼라인 키 생성용 마스크를 이용하여 상기 얼라인키영역에 얼라인키를 형성하는 단계; 및 상기 얼라인키를 기준으로 상기 픽셀영역에 상기 픽셀어레이용 마스크를 얼라인하여 상기 픽셀영역을 결정화시키는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.
그리고, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 결정화마스크 제작방법은, 어레이기판; 제1그레인사이즈를 갖는 복수개의 제1슬릿패턴과 제2그레인사이즈를 갖는 복수개의 제2슬릿패턴 및 이들패턴사이에 마련된 비광조사영역으로 구성된 마스크패턴을 적용한 결정화를 통해 결정화패턴이 형성된 반도체층; 상기 결정화패 턴이 형성된 반도체층의 양측에 불순물이 도핑된 소스영역과 드레인영역; 상기 반도체층상부에 형성된 게이트절연막과 게이트전극; 상기 게이트전극을 덮는 기판전면에 위치하며, 상기 소스영역과 드레인영역을 일부 노출시키는 제1, 2 콘택홀을 가지는 층간절연막; 및 상기 층간절연막상에 상기 소스영역과 드레인영역과 각각 연결되는 소스전극 및 드레인전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.
이하, 본 발명에 따른 결정화마스크 제작방법과 결정화방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 마스크를 도시한 평면도로서, 서로 다른 그레인사이즈를 갖는 패턴이 형성된 마스크를 보여 주는 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 마스크를 이용하여 레이저스캐닝한 후의 결정화패턴을 보여 주는 평면도이다.
도 6a는 본 발명에 따른 마스크를 이용하여 레이저조사후의 슬릿간격에 따라 서로 다른 그레인 형태를 보여 주는 도면으로서, 작은 그레인 사이즈영역을 도시한 도면이고, 도 6b는 큰 그레인사이즈영역을 보여 주는 도면이다.
도 4를 참조하면, 1개의 마스크(100) 안에 서로 다른 그레인사이즈를 갖는 제1슬릿패턴(103)과 제2슬릿패턴(105)이 각각 복수개가 형성되어 있고, 제1슬릿패턴(103)과 제2슬릿패턴(105)사이에는 레이저빔이 통과하지 못하도록 하는 버퍼영역(B)가 설계되어 있다. 여기서, 상기 복수개의 제1슬릿패턴(103)이 형성된 영역은 스위칭 TFT용 패턴 형성영역(A)에 해당되고, 상기 복수개의 제2슬릿패턴(105)이 형성된 영역은 구동 TFT용 패턴 형성영역(C)에 해당된다. 또한, 상기 제1슬릿패턴(103)은 제2슬릿패턴(105)보다 레이저빔 통과영역이 넓고 그레인사이즈가 크다.
여기서, 동일한 레이저 에너지를 조사할때, 슬릿 간격을 조절하므로써 도 5에서와 같이, 서로 다른 그레인을 형성하게 된다.
도 5에 도시된 바와같이, 레이저 조사후의 결정화패턴을 도시한 것으로, 작은 그레인사이즈 영역(110)과 비결정화영역(115) 및 큰 그레인사이즈영역(120)이 반복적으로 형성된다.
여기서, 상기 작은 그레인사이즈영역(110)은 구동TFT영역에 해당되며, 큰 그레인사이즈영역(120)은 스위칭구동TFT영역에 해당한다.
한편, 도 6a 및 도 6b는 레이저빔 조사시에 슬릿간격에 따라 서로 다른 그레인 형태를 보여 주는 것으로서, 도 6a에 도시된 바와같이, 작은 그레인사이즈영역(110)의 경우, TFT 특성은 규칙성을 배제하므로써 TFT 특성은 상대적으로 낮으나, 균일도는 향상되므로써 구동 TFT로 작용하기에는 적당하다.
또한, 도 6b에 도시된 바와같이, 큰 그레인사이즈영역(120)의 경우, TFT 소자는 높은 이동도를 보이고, 높은 온 전류를 보임으로써 스위칭 TFT로서 역할을 할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 결정화 마스크를 이용한 결정화방법에 대해 도 7a 내지 도 7e를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 7a 내지 도 7e는 도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 마스크를 이용하여 레이저스캐닝후 결정화과정을 보여 주는 개략도이다.
도 7a에 도시된 바와같이, 얼라인 키 생성용 패턴(131)을 포함하는 다양한 형태의 결정화 공정을 진행하고자 하는 목적으로 적당한 패턴이 새겨진 마스크(130)를 멀티 타입(multi-type)으로 설계한다. 이때, 하나의 마스크안에 얼라인 키 생성용 패턴(131)과 결정화(SLS) 공정 진행용 패턴(133)을 설계한다. 또한, 마스크(130)를 교체할 때 이루어지는 마스크의 얼라인을 위해 소정의 키 패턴(137)도 함께 설계/제작한다.
그다음, 도 7b에 도시된 바와같이, 기판을 이동시키는 이동스테이지(211)가 구비되어 있고, 이동스테이지(211) 상부에는 비정질실리콘층(215)이 형성된 기판 (213)이 놓여져 있으며, 상기 기판(213) 상부에는 일정 비율로 레이저빔밀도를 조절하는 프로젝트 렌즈(231)가 배치되어 있고, 프로젝트 렌즈(231) 상부에는 마스크 스테이지(233)가 배치되어 있으며, 마스크 스테이지(233) 상부에는 얼라인키 생성용 마스크(235)가 배치되어 있고, 얼라인 키 생성용 마스크(235) 상부에는 레이저 빔을 원하는 방향으로 전환하여 목표물에 조사시키는 미러(237)가 배치되어 있다.
또한, 도 7c에 도시된 바와같이, 상기 얼라인 키 생성용 마스크(235)는 기판(213)의 어느 한 모서리부와 대응되게 배치되며, 상기 기판(213)의 나머지 세개의 모서리부에도 차례대로 대응되게 배치하여 얼라인 키(221)를 형성한다.
본 단계에서는, 상기 얼라인 키(221)와 대응된 기판영역(즉, 다수개의 얼라인 키 형성부중 어느 한 영역)을 선택적으로 결정화시키는 공정을 의미한다.
그리고, 도 7d에 도시된 바와같이, 이동스테이지(211)상부에 위치하는 기판(213)의 네모서리부에는 얼라인키(221)가 각각 형성되어 있고, 마스크 스테이 지(233)상부의 픽셀 어레이용 마스크(241)에는 제1영역(미도시)이 다수개 서로 이격되게 형성되어 있고, 제1영역(미도시)내에는 제2영역(미도시)이 포함되어 있다. 이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제2영역에는 다수개의 슬릿으로 구성된다.
최종적으로, 도 7e에 도시된 바와같이, 얼라인 키를 통한 어레이 부분을 SLS 결정화방법으로 결정화를 실시하여 비정질실리콘층(215)에 그레인사이즈가 작은 결정화패턴(110)과 그레인사이즈가 큰 결정화패턴(120) 및 이들 사이에 비결정화영역을 형성하게 된다.
또한편, 본 발명에 따른 결정화 실리콘 물질로 이루어진 반도체층을 가지는 스위칭소자 구조에 대해 도 8을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 8은 본 발명에 따른 결정화방법을 이용하여 제조되는 액정표시소자의 박막트랜지스터 단면 구조를 도시한 도면이다.
도 8을 참조하면, 기판(301)상에 버퍼층(303)이 형성되어 있고, 상기 버퍼층(303)상부에는 결정질 실리콘물질로 이루어지며, 활성영역(305c)의 양주변부를 이루는 소스영역(305a) 및 드레인영역(305b)으로 이루어진 반도체층(305)이 형성되어 있고, 상기 반도체층(305) 상부의 활성영역(305c)에는 게이트절연막(307) 및 게이트전극(309)이 차례대로 형성되어 있으며, 상기 게이트전극(309)을 덮는 기판 전면에는 상기 소스영역(305a)과 드레인영역(305b)을 일부 노출시키는 제1, 2 콘택홀(313)(315)를 가지는 층간절연막(311)이 형성되어 있으며, 상기 층간절연막(311)상부에는 제1, 2 콘택홀(313)(315)을 통해 반도체층(305)의 소스영역(305a) 및 드 레인영역(305b)과 접촉하는 소스전극(317) 및 드레인전극(319)이 형성되어 있으며, 소스전극(317) 및 드레인전극(319)을 덮는 기판 전면에는 보호층(321)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 반도체층(305)의 소스영역(305a) 및드레인영역(305b)은 n(네거티브)형 또는 p(포지티브)형 이온으로 도핑처리된 영역에 해당된다.
상기 반도체층(305)을 이루는 결정질 실리콘물질은 상기 제1 내지 제6 실실예에 따른 비정질실리콘의 결정화공정에 따라 형성된 결정질 실리콘물질에 해당되며, 한 예로 SLS 결정화 기술을 이용한 단결정실리콘 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 반도체층(305), 게이트전극(309), 소스전극(317) 및 드레인전극(319)은 스위칭소자를 이루며, 상기 스위칭소자는 구동회로부용 스위치 소자 또는 픽셀어레이부 스위칭소자에 해당한다.
상기에서 설명한 바와같이, 본 발명에 따른 결정화마스크 제작방법과 결정화방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따른 결정화마스크 제작방법과 결정화방법에 의하면, SLS 마스크 설계시에 1개의 마스크패턴내에 서로 다른 그레인 사이즈를 갖는 복수개의 패턴을 형성하고, 패턴과 패턴사이(버퍼영역)에는 레이저빔이 통과하지 못하도록 설계하므로써 모폴러지(morphology) 변화를 억제하여 광학적 불균일성을 해소할 수 있으며, 구동 TFT는 그레인 사이즈를 불규칙하게 함으로써 규칙성에 의한 소자 불균일성을 해소할 수 있다.
이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시예와 관련하여 도시 및 설명을 하였지만, 상기한 명세서는 본 발명의 권리를 한정하지 않으며, 본 발명에 따른 권리범위는 후술될 특허청구범위에 의해 결정되어져야 할 것이다.

Claims (8)

  1. 얼라인 키 생성용 패턴;
    결정화 공정을 진행하기 위한 다수의 패턴;
    마스크 자체의 얼라인을 위한 키패턴을 포함하여 구성되며,
    상기 결정화 공정을 진행하기 위한 다수의 패턴은, 제1 그레인 사이즈를 갖는 복수개의 제1슬릿패턴이 형성된 제1영역; 상기 제1 그레인 사이즈와 다른 크기의 제2 그레인 사이즈를 갖는 복수개의 제2슬릿패턴이 형성된 제2영역; 및 상기 제1슬릿패턴과 제2슬릿패턴사이에 형성되고 비결정화 영역을 포함한 제3영역;으로 구성된 것을 특징으로하는 결정화 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1영역은 제2영역보다 그레인 사이즈가 크고 스위칭 TFT용으로 사용되고, 제2영역은 구동 TFT용으로 사용되는 것을 특징으로하는 결정화 마스크.
  3. 얼라인 키 생성용 패턴과, 제1그레인 사이즈를 갖는 복수 개의 제1슬릿패턴과 상기 제1 그레인 사이즈와 다른 크기의 제2 그레인 사이즈를 갖는 복수개의 제2슬릿패턴 및 이들 패턴 사이에 마련된 비광조사영역으로 구성된 결정화 공정용 패턴이 형성된 마스크를 제작하는 단계;
    픽셀영역과, 상기 픽셀영역의 주변에 구동회로영역 및 얼라인키 영역이 정의된 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 전면에 비정질실리콘층을 형성하는 단계;
    상기 마스크의 상기 얼라인 키 생성용 패턴을 이용하여 상기 기판의 얼라인키 영역에 얼라인 키를 형성하는 단계; 및
    상기 얼라인 키를 기준으로 상기 결정화 공정용 패턴을 이용하여 상기 기판의 픽셀영역에 있는 상기 비정질실리콘층을 선택적으로 결정화시키는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 결정화방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 얼라인 키는 기판의 네모서리부에 각각 형성하는 것을 특징으로 하는 결정화방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
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