KR20050068143A - 마스크 얼라인 구현장치 및 이를 이용한 결정화방법 - Google Patents
마스크 얼라인 구현장치 및 이를 이용한 결정화방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050068143A KR20050068143A KR1020030099292A KR20030099292A KR20050068143A KR 20050068143 A KR20050068143 A KR 20050068143A KR 1020030099292 A KR1020030099292 A KR 1020030099292A KR 20030099292 A KR20030099292 A KR 20030099292A KR 20050068143 A KR20050068143 A KR 20050068143A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask
- laser
- crystallization
- pattern
- alignment key
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
Claims (19)
- 얼라인 키 생성용 패턴;결정화공정 등의 공정을 진행하기 위한 다수의 패턴; 및마스크 자체의 얼라인을 위한 키 패턴을 포함하는 레이저 마스크.
- 제 1 항에 있어서, 상기 공정 진행용 패턴은 화소부의 스위칭소자를 위한 결정화공정에 이용되는 마스크 패턴 및 구동회로부의 소자를 형성하기 위한 결정화공정에 이용되는 마스크 패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 레이저 마스크.
- 제 1 항에 있어서, 상기 마스크 얼라인 키 패턴은 마스크의 교체시 마스크의 얼라인을 위해 상기 마스크의 모서리에 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 마스크.
- 마스크 스테이지에 로딩되어 있는 레이저 마스크;상기 로딩된 마스크의 상하 레벨링(leveling)을 맞추는 액추에이터(actuator);상기 마스크의 틸트(tilt)를 보정하기 위해 스테이지를 회전하는 회전-축;상기 마스크에 형성되어 있는 마스크 얼라인 키 패턴을 통해 마스크 패턴의 위치를 정확하게 정의하는 측정장치를 포함하는 마스크 얼라인 구현장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 액추에이터는 마스크의 상하 레벨링을 보정하기 위해 상기 스테이지의 4축에 설치되는 것을 특징으로 하는 마스크 얼라인 구현장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 측정장치는 레이저 센서 또는 전하결합소자 카메라와 같은 장치로 구성되는 것을 특징으로 하는 마스크 얼라인 구현장치.
- 제 6 항에 있어서, 적어도 2개의 전하결합소자 카메라를 이용하여 상기 마스크에 형성된 얼라인 키 형성부를 매핑(mapping)하여 마스크의 틀어짐을 상기 회전-축과 액추에이터로 보정하는 것을 특징으로 하는 마스크 얼라인 구현장치.
- 제 6 항에 있어서, 적어도 2개의 레이저 센서를 이용하여 상기 마스크에 형성된 얼라인 키 형성부에 레이저 스캐닝을 통한 단차를 인식하여 마스크의 틀어짐을 상기 회전-축과 액추에이터로 보정하는 것을 특징으로 하는 마스크 얼라인 구현장치.
- 얼라인 키 생성용 패턴, 결정화공정용 패턴 등 다수의 패턴이 형성되어 있는 레이저 마스크를 준비하는 단계;제 1 영역과 상기 제 1 영역의 주변에 위치하는 제 2 영역으로 구분되는 기판을 제공하는 단계;상기 기판 전면에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 마스크의 얼라인 키 생성용 패턴을 이용하여 기판의 제 2 영역의 모서리에 얼라인 키를 형성하는 단계;상기 얼라인 키를 기준으로, 상기 결정화공정용 패턴 중 하나를 이용하여 상기 제 1 영역의 비정질 실리콘층을 선택적으로 결정화하는 단계; 및상기 얼라인 키를 기준으로, 상기 결정화공정용 패턴 중 다른 하나를 이용하여 상기 제 2 영역의 비정질 실리콘층을 선택적으로 결정화하는 단계를 포함하는 레이저 결정화방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 화상표시 영역이며, 상기 제 2 영역은 화상비표시 영역에 해당하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 레이저 마스크는 마스크 스테이지에 로딩되어 상기 마스크에 형성되어 있는 얼라인 키를 기준으로 상기 레이저 마스크의 얼라인을 맞추는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 마스크 스테이지에는 상기 로딩된 마스크의 상하 레벨링(leveling)을 맞추는 액추에이터 및 상기 마스크의 틸트(tilt)를 보정하기 위해 스테이지를 회전하는 회전-축이 설치되어 상기 레이저 마스크의 얼라인을 맞추는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화방법.
- 제 12 항에 있어서, 적어도 2개의 전하결합소자 카메라를 이용하여 상기 마스크 얼라인 키 형성부를 매핑하여 마스크의 틀어짐을 상기 회전-축과 액추에이터로 보정하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화방법.
- 제 12 항에 있어서, 적어도 2개의 레이저 센서를 이용하여 상기 마스크의 얼라인 키 형성부에 레이저 스캐닝을 통한 단차를 인식하여 마스크의 틀어짐을 상기 회전-축과 액추에이터로 보정하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제 2 영역의 비정질 실리콘층에 상기 실리콘층을 제거할 수 있는 임의의 에너지 밀도를 가지는 레이저빔을 조사하여 상기 실리콘층이 제거된 영역을 음각형태의 얼라인 키로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 영역을 선택적으로 결정화하는 단계는 박막 트랜지스터의 반도체층으로 정의되는 화소 내부의 액티브영역을 결정화하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 액티브영역의 결정화는 엑시머 레이저를 이용하여 결정화하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제 2 영역을 선택적으로 결정화하는 단계는 게이트구동회로부 또는 데이터구동회로부의 소자를 형성하기 위해 상기 영역의 비정질 실리콘 박막을 결정화하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화방법.
- 제 16 항 또는 제 18 항에 있어서, 상기 결정화는 순차적 수평결정화방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030099292A KR100595457B1 (ko) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | 마스크 얼라인 구현장치 및 이를 이용한 결정화방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030099292A KR100595457B1 (ko) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | 마스크 얼라인 구현장치 및 이를 이용한 결정화방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050068143A true KR20050068143A (ko) | 2005-07-05 |
KR100595457B1 KR100595457B1 (ko) | 2006-06-30 |
Family
ID=37258740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030099292A KR100595457B1 (ko) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | 마스크 얼라인 구현장치 및 이를 이용한 결정화방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100595457B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101289066B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-07-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 결정화방법 및 결정화 마스크 제작방법 |
KR101426199B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2014-08-04 | 희성전자 주식회사 | 일체형 터치 스크린 패널의 제조 장치 |
KR20180047556A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
-
2003
- 2003-12-29 KR KR1020030099292A patent/KR100595457B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101289066B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-07-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 결정화방법 및 결정화 마스크 제작방법 |
KR101426199B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2014-08-04 | 희성전자 주식회사 | 일체형 터치 스크린 패널의 제조 장치 |
KR20180047556A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100595457B1 (ko) | 2006-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7816196B2 (en) | Laser mask and crystallization method using the same | |
US7790341B2 (en) | Laser mask and method of crystallization using the same | |
KR100276353B1 (ko) | 다결정 반도체박막의 제조방법 및 제조장치 | |
US7714331B2 (en) | Display device | |
KR100606450B1 (ko) | 주기성을 가진 패턴이 형성된 레이저 마스크 및 이를이용한 결정화방법 | |
CN1327484C (zh) | 多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件 | |
JP2004056058A (ja) | 画像表示装置の製造方法 | |
CN100343954C (zh) | 晶体硅的制作方法和使用晶体硅的开关器件 | |
JP4284272B2 (ja) | レーザーマスク、レーザーマスクを利用したレーザー結晶化方法、及び平板表示装置の製造方法 | |
KR20050003283A (ko) | 결정화 특성이 향상된 다결정 실리콘 박막의 제조방법 및이를 이용한 액정표시장치의 제조방법 | |
US6847069B2 (en) | Thin-film semiconductor device, manufacturing method of the same and image display apparatus | |
US20070063200A1 (en) | Sequential lateral solidification device and method of crystallizing silicon using the same | |
KR100595457B1 (ko) | 마스크 얼라인 구현장치 및 이를 이용한 결정화방법 | |
KR100710621B1 (ko) | 박막트랜지스터형 어레이기판의 액티브층 제조방법 | |
KR20060001569A (ko) | 레이저 결정화방법 및 결정화 장치 | |
KR100606447B1 (ko) | 최적의 포컬 플레인 결정방법 및 이를 이용한 결정화방법 | |
JP2005276996A (ja) | 平面表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150528 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160530 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180515 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190515 Year of fee payment: 14 |