JP2003322632A - セラミックヒータ、積層型ガスセンサ素子及びその製造方法、並びに積層型ガスセンサ素子を備えるガスセンサ - Google Patents

セラミックヒータ、積層型ガスセンサ素子及びその製造方法、並びに積層型ガスセンサ素子を備えるガスセンサ

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JP2003322632A JP2003043353A JP2003043353A JP2003322632A JP 2003322632 A JP2003322632 A JP 2003322632A JP 2003043353 A JP2003043353 A JP 2003043353A JP 2003043353 A JP2003043353 A JP 2003043353A JP 2003322632 A JP2003322632 A JP 2003322632A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 素子本体に水滴が付着しても、その素子本体
にクラックが生じることを防止することができる積層型
ガスセンサ素子及びその製造方法を得る。 【解決手段】 抵抗発熱体21を内部に有するセラミッ
ク製の基体2と、固体電解質体からなる検出層11の表
裏面に検知電極131、基準電極132が形成された酸
素濃淡電池素子1と、電極保護層5とを積層した板状の
素子本体を有する積層型ガスセンサ素子400におい
て、少なくとも測定対象気体に晒されることになる先端
側全周に、多孔質接着層41と多孔質表面層42とから
なる多孔質保護層40を形成する。このとき、素子本体
の長手方向に延びる4つの角部3からの多孔質保護層4
の厚みを、20μm以上に形成する。これにより、素子
本体の角部3に相当する部位に水滴が付着しても、水滴
が多孔質保護層4内に分散されることになり、素子本体
にクラックが発生することを有効に抑制することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、測定対象気体中の
特定ガスを検出するためのガスセンサ素子を加熱するた
めのセラミックヒータに関する。また、測定対象気体中
の特定ガスを検出するための積層型ガスセンサ素子及び
その製造方法、並びにその積層型ガスセンサ素子を備え
るガスセンサに関する。なお、本発明の積層型ガスセン
サ素子は、エンジンの排ガスセンサ(酸素センサ、炭化
水素センサ、NOxセンサ等)及び他の各種センサ等に
広く利用される。
【0002】
【従来の技術】内燃機関等において排ガス中の特定ガス
成分を検出したり、その濃度の測定を行ったりする各種
のセンサ(酸素センサ、炭化水素センサ、NOxセンサ
等)として積層型ガスセンサ素子(以下、単に「素子」
ともいう)を用いるものが知られている。そして、この
種の素子としては、酸素イオン伝導型固体電解質体(ジ
ルコニア等)からなり、その両面に電極が設けられた板
状の検出層を用いて構成されるものが従来より提案され
ている。
【0003】このような素子の固体電解質体からなる検
出層は、一般に300℃以上の高温で活性状態となり、
酸素濃淡電池として動作するものである。そこで、検出
層を加熱して当該検出層の早期活性化を図るべく、抵抗
発熱体(発熱抵抗体)を内部に埋設した板状のセラミッ
ク製の基体を備えるセラミックヒータを、検出層に近接
して配置させることが提案されている。また、近年で
は、抵抗発熱体を内部に埋設した基体上に、上記検出層
を積層した板状の素子本体を備える積層型ガスセンサ素
子が知られている(特許文献1、特許文献2参照)。
【0004】
【特許文献1】特開平4−013961号公報(第3図
参照)
【特許文献2】特開平7−120429号公報(第1図
参照)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、内燃機関の
排気管を通過する排気ガス中には、水滴や油滴などが含
まれており、この水滴等がガスセンサの使用時にセラミ
ックヒータや素子に付着することがあると、それらにク
ラックが発生することがある。詳細には、上記セラミッ
クヒータ及び抵抗発熱体を備える基体上に検出層が形成
された積層型ガスセンサ素子は、ガスセンサの使用時に
おいて、排ガス(測定対象気体)に晒されると共に、抵
抗発熱体によって発熱されているために、水滴等が接触
すると、その水滴が付着した部分とその周囲との間に大
きな温度差を生じ、これに起因する熱衝撃にてクラック
が発生することがある。
【0006】なお、この問題に対しては、この素子を排
気管に設置する際に、例えば素子の周囲に通気穴を複数
有するプロテクタを設けて素子を保護するなどの対策を
行うことで、水滴や油滴などが素子に接触するのを抑制
することが可能である。しかし、プロテクタ形状だけで
はセラミックヒータや素子への水滴等の付着を完全に遮
断することができず、上記クラックの発生を保護するに
は十分とは言い難い。また、セラミックヒータや素子の
取付け位置によっては、プロテクタの壁面等に凝縮した
凝縮水が、エンジン始動後、セラミックヒータや素子に
直接かかり、上記クラックを誘発する場合がある。
【0007】本発明者らが、水滴の接触(付着)による
上記クラックの発生について鋭意検討してみたところ、
上記セラミックヒータを構成する基体や素子を構成する
素子本体は、断面略四角形状を有する板型形状をなすこ
とから、上記基体ないし上記素子本体に角部が形成され
ることになるが、この角部に水滴等が付着するとクラッ
クの発生につながり易いことが分かった。また、本発明
者らの検討によると、セラミックヒータでは、基体の少
なくとも測定対象気体に晒されることになる先端側であ
って、その基体の表裏面と側面とで構成された長手方向
に延びる角部に対し水滴が付着すると、その角部に熱応
力が集中し易く、クラックが生じ易いことが分かった。
さらに、抵抗発熱体を有する素子では、素子本体の少な
くとも測定対象気体に晒されることになる先端側であっ
て、その素子本体の長手方向に延びる各角部のうち抵抗
発熱体の配置位置に近い側の角部に対し水滴が付着する
と、その角部に熱応力が集中し易く、クラックが生じ易
いことが分かった。
【0008】なお、上述した従来公知の特許文献では、
抵抗発熱体を有する積層型ガスセンサ素子の外表面を多
孔質の保護層で被覆した構造が開示されている。しかし
ながら、これら特許文献に開示された保護層は、素子本
体の角部への水滴の付着によるクラック発生を防止する
ためのものではなく、排気ガスの凝縮成分よりガス透過
層の目詰まりを防止するために形成されたものに過ぎな
い。そのために、素子本体の角部に多孔質の保護層を単
に形成した従来の素子であっても、角部への水滴の付着
によるクラック発生を防止するには十分ではなく、この
角部を覆う保護層自体の改良が必要であった。
【0009】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、水滴等の接触によっても、抵抗発熱体
を有する板状の基体にクラックが生じることを防止する
ことができるセラミックヒータを提供することを目的と
する。また、水滴等の接触によっても、抵抗発熱体を有
する基体上に検出層を積層してなる板状の素子本体にク
ラックが生じることを防止することができる積層型ガス
センサ素子及びその製造方法、並びにその積層型ガスセ
ンサ素子を備えるガスセンサを提供することを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】その解決手段として、本
発明のセラミックヒータは、通電により発熱する抵抗発
熱体と、上記抵抗発熱体を内部に埋設してなる板状のセ
ラミック製の基体とからなり、測定対象気体中の特定ガ
スを検出するためのガスセンサ素子を加熱するためのセ
ラミックヒータであって、該基体の少なくとも測定対象
気体に晒されることになる先端側であって、その基体の
長手方向に延びる各角部の1以上を少なくとも覆うよう
に多孔質保護層が形成され、該多孔質保護層の厚さは該
角部から20μm以上であることを特徴とする。
【0011】本発明のセラミックヒータでは、基体のう
ちで、少なくとも測定対象気体に晒されることになる先
端側であって、水滴等の接触(被水)によってクラック
の発生を招き易い基体の長手方向に延びる各角部の1以
上に、20μm以上の多孔質保護層を形成している点が
注目すべき点である。このように20μm以上の多孔質
保護層を形成することにより、この多孔質保護層に付着
した水滴は、多数の細孔(気孔)を分散しながら緩慢に
浸透していく。従って、多孔質保護層の内側に位置する
素子本体の角部に到達する前に水滴を分散でき、素子本
体に生ずる温度勾配を小さくし、熱衝撃を有効に抑制す
ることができる。その結果、被水による基体へのクラッ
ク発生を防止したセラミックヒータを得ることができ
る。なお、セラミックヒータは、使用時において、高温
の排ガス(測定対象気体)に晒されたり、抵抗発熱体自
身による発熱により高温状態となるので、多孔質保護層
を浸透する水滴については、その周囲の熱により適宜蒸
発される。
【0012】本発明の多孔質保護層は、上記のように基
体の長手方向に延びる角部にのみ形成されていても良い
し、この角部及び角部以外の表面(例えば、測定対象気
体に晒される先端側の表面全周)を覆うように形成され
ていても良い。更に、基体の略全面に多孔質保護層が形
成されていても良い。また、板状の基体は、厚さ方向の
断面をとったときに断面略四角形状であり、角部は4つ
存在することになるが、この4つの角部のうち、上記多
孔質保護層は1以上の角部を被覆するように形成されて
いれば良い。つまり、セラミックヒータのガスセンサ内
での取付け位置を考慮し、凝縮水が付着し易い基体の角
部を1以上選択して多孔質保護層を形成することで、被
水による基体のクラック防止の効果が得られることにな
るからである。
【0013】この多孔質保護層の材質は特に限定されな
いが、スピネル、アルミナ、ムライト等を主体とするセ
ラミックから形成されることが好ましく、特にスピネ
ル、アルミナが好ましい。なお、本明細書において「主
体」とは、70質量%以上の質量含有率を占めることを
指す。
【0014】また、多孔質保護層の厚みは、被水による
基体のクラック発生をより有効に防止するために30μ
m以上とすることが好ましく、50μm以上とすること
がより好ましい。この多孔質保護層の厚みの上限値は特
に限定されないが、製造コストや基体の角部からの剥離
等を考慮して500μm以下(好ましくは300μm以
下)とすることが好ましい。なお、本明細書において
「多孔質保護層の厚さが基体の角部から20μm以上と
する」とは、基体の厚さ方向の断面をとったときに、基
体の角部と保護層の表面との間に直径20μmの仮想円
が形成(内包)されることを意味するものである。
【0015】そして、上述したセラミックヒータにおい
て、上記多孔質保護層は、空孔率が15%〜65%の範
囲内にあると良い。また、上記基体は、アルミナを主体
に構成され、上記抵抗発熱体は貴金属を主体に構成され
ていると良い。
【0016】さらに、上述したセラミックヒータにおい
て、上記多孔質保護層は、2層以上の多孔質層が積層さ
れてなると良い。そして、上記多孔質保護層は、上記基
体に接する最下層として形成される多孔質接着層と、該
多孔質接着層上に形成されると共に、上記測定対象気体
に晒される多孔質表面層とからなると良い。また、上記
多孔質接着層の空孔率が、上記多孔質表面層の空孔率よ
りも大きいと良い。
【0017】さらに、上述したセラミックヒータにおい
て、上記基体のうちで上記抵抗発熱体が埋設される部位
とは異なる部位に、該抵抗発熱体の劣化を防止するため
のマイグレーション防止電極が形成されていると良い。
【0018】ついで、他の解決手段として、本発明の積
層型ガスセンサ素子は、内部に抵抗発熱体を有する基体
に一対の電極を具備する検出層を積層した板状の素子本
体を有し、測定対象気体中の特定ガスを検出するための
積層型ガスセンサ素子において、該素子本体の少なくと
も上記測定対象気体に晒されることになる先端側であっ
て、その素子本体の長手方向に延びる各角部のうち該抵
抗発熱体の配置位置に近い側の角部を少なくとも覆うよ
うに多孔質保護層が形成され、該多孔質保護層の厚さは
該角部から20μm以上であることを特徴とする。
【0019】本発明の積層型ガスセンサ素子(以下、単
に「素子」ともいう)では、素子本体のうちで、少なく
とも測定対象気体に晒されることになる先端側であっ
て、抵抗発熱体の配置位置に近い側の長手方向に延びる
各角部の1以上に、20μm以上の多孔質保護層を形成
している点が注目すべき点である。このように20μm
以上の多孔質保護層を形成することによる作用、効果に
ついては上述と同様である。このような構成を特定する
ことにより、被水による素子本体へのクラック発生を防
止した素子を得ることができる。なお、素子は、使用時
において、高温の排ガス(測定対象気体)に晒された
り、抵抗発熱体自身の発熱によって高温状態となるの
で、多孔質保護層を浸透する水滴については、その周囲
の熱により適宜蒸発される。
【0020】この多孔質保護層の材質は特に限定されな
いが、スピネル、アルミナ、ムライト等を主体とするセ
ラミックから形成されることが好ましく、特にスピネ
ル、アルミナが好ましい。また、多孔質保護層の厚み
は、被水による基体のクラック発生をより有効に防止す
るために30μm以上とすることが好ましく、50μm
以上とすることがより好ましい。この多孔質保護層の厚
みの上限値は特に限定されないが、製造コストや基体の
角部からの剥離等を考慮して500μm以下(好ましく
は300μm以下)とすることが好ましい。なお、本明
細書において「多孔質保護層の厚さが素子本体の角部か
ら20μm以上とする」とは、素子本体の厚さ方向の断
面をとったときに、素子本体の角部と保護層の表面との
間に直径20μmの仮想円が形成(内包)されることを
意味するものである。
【0021】そして、上述した積層型ガスセンサ素子に
おいて、上記検出層は、酸素の濃度に対応して特性が変
化する固体電解質体から形成されると良い。また、上記
一対の電極は、検出層のうちで基体と面する側に形成さ
れる基準電極と、該基体と面する側とは反対側に形成さ
れる検知電極とからなり、上記素子本体は、上記検知電
極上に電極保護層を積層する形態で形成されていると良
い。
【0022】さらに、上述した積層型ガスセンサ素子に
おいて、上記多孔質保護層は、空孔率が15%〜65%
の範囲内にあると良い。上記基体は、アルミナを主体に
構成され、上記抵抗発熱体は貴金属を主体に構成されて
いると良い。
【0023】さらに、上述した積層型ガスセンサ素子に
おいて、上記多孔質保護層は、2層以上の多孔質層が積
層されてなると良い。そして、上記多孔質保護層は、上
記基体に接する最下層として形成される多孔質接着層
と、該多孔質接着層上に形成されると共に、上記測定対
象気体に晒される多孔質表面層とからなると良い。ま
た、上記多孔質接着層の空孔率が、上記多孔質表面層の
空孔率よりも大きいと良い。
【0024】さらに、上述した積層型ガスセンサ素子に
おいて、上記基体のうちで上記抵抗発熱体が埋設される
部位とは異なる部位に、該抵抗発熱体の劣化を防止する
ためのマイグレーション防止電極が形成されていると良
い。
【0025】他の解決手段として、本発明の積層型ガス
センサ素子の製造方法は、基体用未焼成シートの間に未
焼成抵抗発熱体パターンを挟み込む形で形成した基体と
なるべき未焼成基体上に、一対の電極となる未焼成電極
パターンと検出層となる検出層用未焼成シート又は検出
層用ペーストを積層して板状の未焼成積層体を作り、つ
いで、該未焼成積層体の少なくとも測定対象気体に晒さ
れることが予定される先端側であって、その未焼成積層
体の長手方向に延びる各角部のうち未焼成抵抗発熱体パ
ターンの配置位置に近い側の角部を少なくとも覆うよう
に、多孔質保護層となる未焼成被覆層を形成し、該未焼
成被覆層が形成された未焼成積層体を焼成して、厚み2
0μm以上の多孔質層保護層が形成された素子本体を作
製することを特徴とする。
【0026】本発明の積層型ガスセンサ素子の製造方法
では、未焼成基体上に、未焼成電極パターンと検出層用
シート又は検出層用ペーストを積層してなる板状の未焼
成積層体の角部に、多孔質保護層となる未焼成被覆層を
形成し、これを同時焼成することによって、厚み20μ
m以上の多孔質保護層が角部に形成された素子本体を作
製している。このように素子本体となる未焼成積層体の
焼成と同時に多孔質保護層を形成することで、被水によ
る素子本体へのクラック発生を防止した素子を製造効率
良く得ることができる。さらに、同時焼成によって第1
多孔質保護層を素子本体の角部に強固に固着することが
できる。
【0027】また、他の解決手段として、本発明の積層
型ガスセンサ素子の製造方法は、基体用未焼成シートの
間に未焼成抵抗発熱体パターンを挟み込む形で形成した
基体となるべき未焼成基体上に、一対の未焼成電極パタ
ーンと検出層となる検出層用未焼成シート又は検出層用
ペーストを積層することで板状の未焼成積層体を作り、
ついで、未焼成積層体を焼成することにより素子本体を
作製し、該素子本体の少なくとも測定対象気体に晒され
ることが予定される先端側であって、その素子本体の長
手方向に延びる各角部のうち抵抗発熱体の配置位置に近
い側の角部を少なくとも覆うように、多孔質保護層とな
る未焼成被覆層を形成して熱処理を行い、厚み20μm
以上の第1多孔質保護層が形成された素子本体を作製す
ることを特徴とする。
【0028】本発明の積層ガスセンサ素子の製造方法で
は、未焼成基体上に未焼成電極パターンと検出層用シー
ト又は検出層用ペーストを積層してなる板状の未焼成積
層体を焼成して素子本体を作った後、この素子本体の角
部に多孔質保護層となる未焼成被覆層を形成し、これを
同時焼成することによって、厚み20μm以上の多孔質
保護層が角部に形成された素子本体を作製している。こ
のように先行して素子本体を作った後に、この素子本体
に多孔質保護層を形成するようにしたことで、素子本体
の角部を確実に多孔質保護層で覆った素子を得ることが
できる。
【0029】また、他の解決手段として、本発明の積層
型ガスセンサ素子の製造方法は、基体用未焼成シートの
間に未焼成抵抗発熱体パターンを挟み込む形で形成した
基体となるべき未焼成基体上に、一対の電極となる未焼
成電極パターンと検出層となる検出層用未焼成シート又
は検出層用ペーストを積層して板状の未焼成積層体を作
り、ついで、該未焼成積層体の少なくとも測定対象気体
に晒されることが予定される先端側であって、その未焼
成積層体の長手方向に延びる各角部のうち未焼成抵抗発
熱体パターンの配置位置に近い側の角部を少なくとも覆
うように、第1多孔質保護層となる未焼成被覆層を形成
し、該未焼成被覆層が形成された未焼成積層体を焼成し
て第1多孔質保護層が形成された素子本体を作製し、焼
成後の該第1多孔質保護層上に第2多孔質保護層となる
未焼成第2被覆層を形成した上で熱処理を行って当該第
2多孔質保護層を形成し、該第1多孔質保護層と該第2
多孔質保護層との合計の厚みを20μm以上とすること
を特徴とする。
【0030】ところで、上述したように、未焼成積層体
と未焼成被覆層を同時焼成することにより、角部に多孔
質保護層が強固に固着した素子本体を得ることができ
る。しかし、同時焼成のみで多孔質保護層を形成する場
合、未焼成積層体と未焼成被覆層との焼成収縮率の違い
等により焼成条件を厳しく管理する必要があり、比較的
厚みのある多孔質保護層を形成するには限界がある。一
方、上述したように、未焼成積層体を焼成して素子本体
を作った後に、その素子本体の角部に未焼成被覆層を形
成して熱処理することで、角部に多孔質保護層を有する
素子本体を得ることもできる。この手法によれば、上記
同時焼成時のような焼成収縮率の問題を解消することが
でき、比較的厚みのある多孔質保護層を形成可能とな
る。しかし、この手法では、素子本体の角部と多孔質保
護層との互いの結合力(固着強度)が弱くなりがちで、
多孔質保護層が素子本体から剥離する可能性がある。
【0031】これに対し、本発明の積層型ガスセンサ素
子の製造方法では、まず未焼成基体上に、未焼成電極パ
ターンと検出層用シート又は検出層用ペーストを積層し
てなる未焼成積層体の角部に、第1多孔質保護層となる
未焼成被覆層を形成し、これを同時焼成する。そして、
得られた素子本体の角部を覆う第1多孔質保護層上に未
焼成第2被覆層を形成して熱処理を行い、第2多孔質保
護層を形成し、両多孔質保護層による合計の厚みを20
μm以上とするようにしている。
【0032】この製造方法によれば、多孔質保護層の最
下部に位置することになる第1多孔質保護層を、素子本
体の角部との同時焼成により強固に固着させることがで
きる。そして、第1多孔質保護層の表面(外表面)は、
空孔によって粗面化されているため、この表面を利用し
て第1多孔質保護層上に未焼成第2被覆層を形成して熱
処理する。その結果、第1多孔質保護層のアンカー効果
により第2多孔質保護層の固着強度を得つつ、比較的厚
みのある第2多孔質保護層を形成することができる。
【0033】したがって、本発明の積層型ガスセンサ素
子の製造方法によれば、被水による素子本体へのクラッ
ク発生を防止することができ、素子本体の角部に対する
多孔質保護層(第1多孔質保護層と第2多孔質保護層を
合わせた層)の耐剥離性が向上した素子を得ることがで
きる。また、この製造方法によれば、50μm以上の厚
みを有する多孔質保護層を有する素子本体を、多孔質保
護層の耐剥離性を確保した状態で容易にかつ確実に得る
ことができる。なお、上記熱処理後に得られた第2多孔
質保護層の表面についても、空孔によって粗面化されて
いるので、この第2多孔質保護層上にさらに未焼成第3
保護層を形成し熱処理を行って、第1〜第3多孔質保護
層が積層された素子本体を形成しても良いことは言うま
でもない。
【0034】また、上述したいずれかの積層型ガスセン
サ素子の製造方法においては、上記未焼成積層体を作製
するにあたり、上記未焼成電極パターンのうちで基準電
極となる基準電極パターンを上記未焼成基体と面する側
に形成する一方、検知電極となる検知電極パターンを上
記検出層用未焼成シート又は上記検出層用ペーストを介
して該基準電極パターンと反対側に形成し、上記検知電
極パターン上に電極保護層となるべき未焼成電極保護層
を積層して該未焼成積層体を作製すると良い。
【0035】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のセラミックヒータは、ガスセンサ素子に近接し
て当該ガスセンサ素子を加熱するためのものであって、
抵抗発熱体を埋設した板状の基体のうち長手方向に延び
る各角部の1以上を20μm以上の厚みを有する多孔質
保護層により被覆したものである。また、本発明の積層
型ガスセンサ素子は、抵抗発熱体を埋設した基体上に一
対の電極を具備する検出層を積層した板状の素子本体の
うち、抵抗発熱体の配置位置に近い側の角部を20μm
以上の厚みを有する多孔質保護層により被覆したもので
ある。
【0036】上記「基体」は、セラミック焼結体であれ
ば特に限定されず、このセラミックとしては、例えば、
アルミナ、スピネル、ムライト、ジルコニア等を使用す
ることができる。これらのうちの1種のみを用いること
もでき、また2種以上を併用することもできる。この基
体の具体的な構成としては、抵抗発熱体をセラミック
(絶縁性セラミック)からなる第1基層と第2基層とで
挟み込んだものが挙げられる。
【0037】この基体は、電気絶縁性及び熱伝導性、機
械的強度等を考慮して、アルミナを主体に構成すること
が好ましい(なお、本明細書において「主体」とは、上
述したように70質量%以上の質量含有率を占めること
を指す)。この基体におけるアルミナの質量含有率は、
90質量%〜100質量%とすることが好ましく、95
質量%〜100質量%とすることがより好ましい。一
方、アルミナの質量含有率を70質量%以上100質量
%未満として基体を形成する場合には、残部の成分とし
て、焼成時のアルミナの粒成長を抑制することができる
成分(例えば、ジルコニア)、又はこの基体と同時焼成
に供されることになる他のセラミック層の主体をなす成
分(例えば、固体電解質体からなる検出層の主体の成
分)を含有させると良い。これにより、アルミナ結晶粒
の粒成長を抑制できると共に、同時焼成時において基体
と他のセラミック層との熱膨張差を緩和することができ
る。
【0038】また、抵抗発熱体を埋設する上記基体は、
アルカリ金属成分(特にLi成分、Na成分及びK成
分)及びアルカリ土類金属成分(特にMg成分、Ca成
分及びBa成分)をできるだけ含有しないことが好まし
い。これらを過度に多く含有すると、後述する抵抗発熱
体の作動時にイオン化したアルカリ金属イオン及びアル
カリ土類金属イオンがマイグレーションを起こし、抵抗
発熱体を細線化させたり又は断線させたりすることがあ
るため好ましくない。この基体に含有されるアルカリ金
属成分及びアルカリ土類金属成分は、後述のマイグレー
ション防止電極を抵抗発熱体と併設して設けない場合に
は、基体全体を100質量%とした場合に、各元素の酸
化物換算合計量で1質量%以下(好ましくは0.1質量
%以下)にすることが好ましい。
【0039】「抵抗発熱体」は、貴金属、タングステ
ン、モリブデン等を使用することができる。貴金属とし
ては、Pt、Au、Ag、Pd、Ir、Ru、Rh等が
挙げられ、これらのうちの1種のみを使用しても良い
し、2種以上を併用しても良い。なお、抵抗発熱体は、
耐熱性、耐酸化性等を考慮して貴金属を主体に構成する
ことが好ましく、Ptを主体に構成することがより好ま
しい。また、この抵抗体発熱体には、主体となる貴金属
にセラミック成分を含有させると良い。このセラミック
成分は、抵抗発熱体が埋設されることになるセラミック
製の基体の主体となる成分と同成分を含有することが、
固着強度の観点から好ましい。この抵抗発熱体は、基体
の内部に埋設されて外部から供給される直流電圧により
発熱するものであり、通常、抵抗発熱体は、基体の表面
に形成された直流電圧を受電するための通電用端子電極
とスルーホールを介して電気的に接続される。
【0040】また、抵抗発熱体は、通常、通電により発
熱する発熱部と、外部から供給される直流電圧この発熱
部まで通電し自身はほとんど発熱しないリード部とを有
する。これら発熱部及びリード部の形状は各々特に限定
されないが、例えば、発熱部をリード部より幅細とし、
リード部より密なパターンとなるように蛇行させた形状
を採用することができる。
【0041】さらに、基体には、抵抗発熱体が埋設され
る部位とは異なる部位にマイグレーション防止電極(イ
オン化抑留導体)を設けることができる。基体内に通常
含有される(不可避的に含有されるものも含む)アルカ
リ金属成分又はアルカリ土類金属成分は、直流電圧の印
加によりイオン化し、通電時の抵抗発熱体の負極に集ま
ることにより、抵抗発熱体の細線化や断線といった劣化
を生ずるおそれがある。
【0042】そこで、基体内にマイグレーション防止電
極を設けた場合には、イオンはそのマイグレーション防
止電極に引き寄せられ、抵抗発熱体(抵抗発熱体の負
極)にはほとんど引き寄せられないものとすることがで
きる。これにより、抵抗発熱体のマイグレーションに伴
う細線化や断線といった劣化を防止することができると
共に、抵抗発熱体の使用時での抵抗変化(増加)を防止
することができる。その結果、セラミックヒータないし
積層型ガスセンサ素子の信頼性を長期にわたって維持す
ることができる。
【0043】マイグレーション防止電極は、抵抗発熱体
とは電気的に接続せずに単独で形成しても良く、抵抗発
熱体の一部から分岐させて形成しても良い。単独に備え
る場合には、例えば、導体を接地(例えば、1V以下に
なるように)して、導通させないことでマイグレーショ
ン防止電極とすることができる。また、抵抗発熱体の一
部から分岐させる場合には、例えば、抵抗発熱体の低電
位側の端部から分岐させた導体を形成する一方、抵抗発
熱体の高電位側とは導通させないことによりマイグレー
ション防止電極とすることができる。
【0044】マイグレーション防止電極の形状は特に限
定されず、例えば、直線的に延びる一本のパターンから
形成されていても、蛇行形状に形成されていても良い。
また、抵抗発熱体と同様の形状に形成されていても良い
(この場合、一端側は抵抗発熱体と電気的に接続させな
い)。また、マイグレーション防止電極を構成する材料
は特に限定されず、例えば、抵抗発熱体を構成する材料
をそのまま適用することができる。
【0045】ついで、本発明の主要要件である「多孔質
保護層」は、細孔の気孔を複数有するものであって、空
孔率が15%〜65%の範囲内にあることが好ましい。
空孔率が15%未満の場合、多孔質保護層により水滴を
分散させながら緩慢に浸透させていく機能を十分に発揮
することができないことがある。また、空孔率が65%
を超えると、多孔質保護層における水滴等の浸透度合い
が高くなり、水滴等が基体ないし素子本体の角部に接触
し易くなり、被水によるクラックの発生を防止する効果
を十分に期待することができないおそれがある。
【0046】上記空孔率は30%〜60%の範囲内にす
ることが好ましい。この範囲内にすることで、水滴等の
分散効果が十分に得られると共に、多孔質保護層内での
温度が均一化され、基体ないし素子本体に及ぶ熱衝撃の
緩和能力を高めることができる。なお、空孔率は40%
〜55%の範囲にすることがより好ましい。本明細書に
おいて、上記空孔率は、多孔質保護層の断面をSEMに
て分析し、その分析によって得られた拡大写真より、単
位面積当たりに占める空孔の面積の比率(%)として求
めることができる。
【0047】この多孔質保護層は、上述したように、基
体または素子本体の長手方向に延びる角部を覆うように
形成される。ここで、本明細書でいう「長手方向に延び
る角部」とは、板状の基体ないし素子本体の該表面のう
ちで、長手方向に延びる表裏面のいずれか一面と両側面
とのいずれか一面とを連結する部分(箇所)を指すもの
である。なお、上記の表裏面のいずれか一面と両側面の
いずれか一面とを連結する角部については、2つの面が
交わる線上部(即ち、稜)のみに限られず、2つの面を
例えばR形状で連結する曲面状の部分をも含むものとす
る。
【0048】また、多孔質保護層は、基体または素子本
体の長手方向に直交する向きに断面(横断面)をとった
ときに、外表面における曲率半径が10μm以上、好ま
しくは50μm以上となっていると良い。このように多
孔質保護層の外表面における曲率半径が10μm以上と
なることで、機械的外力による多孔質保護層自体のチッ
ピングを防止することができる。また、基体ないし素子
本体の角部に相当する部位に被水が生じた場合にも、多
孔質保護層の全体に水滴が分散し易くなり、耐被水機能
をより有効に発揮することが可能となる。
【0049】さらに、多孔質保護層は、単層でも2層以
上の多孔質層が積層された複数層から構成されていても
良い。例えば多孔質保護層を2層で形成する場合には、
基体ないし素子本体上に接する最下層として設けられる
多孔質接着層(以下、単に接着層という)と、この接着
層上に設けられる多孔質表面層(以下、単に表面層とい
う)とからなるものとすることができる。
【0050】ところで、基体ないし素子本体の角部を含
む表面上に厚み20μm以上の多孔質保護層を確実に形
成する場合、多孔質保護層全体の素子本体に対する固着
強度を得ることが耐剥離性の観点から重要となる。そこ
で、上記のように多孔質保護層を接着層と表面層との複
数層にて形成することで多孔質保護層全体の素子本体に
対する密着性の向上を図ることができる。詳細に説明す
ると、接着層は多孔質状であることから表面(外表面)
は、空孔によって粗面化されているので、この表面のア
ンカー効果を利用し、表面層の接着層に対する接着強度
(固着強度)を高めることができる。
【0051】より具体的には、接着層を基体ないし素子
本体と同時焼成により形成して接着層の素子本体に対す
る固着強度を確保し、ついで接着層表面のアンカー効果
を利用して該接着層上に表面層を形成し、表面層の基体
ないし素子本体に対する固着強度を、接着層を介して確
保するのである。このように、多孔質保護層を接着層と
表面層にて形成することで、多孔質保護層全体の厚みを
確実に20μm以上とすることができると共に、多孔質
保護層の耐剥離性を確保することができる。なお、接着
層と表面層との空孔率は、略同等に調整してもよいが、
表面層の接着層に対する固着強度を高めるには、接着層
の空孔率を表面層の空孔率よりも大きくすると良い。接
着層によるアンカー効果を高めることができるからであ
る。
【0052】ついで、積層型ガスセンサ素子の素子本体
を構成する上記「検出層」は、上記基体に直接又は他部
材(例えば、セラミック製の中間層)を介して積層さ
れ、一対の電極を具備するものである。この検出層は、
板状(通常、厚さ50μm以上のものをいう)であって
も、薄膜状(通常、厚さ50μm未満のものをいう)で
あってもよい。
【0053】上記検出層は、固体電解質体により構成す
ることができ、この検出層(換言すれば、固体電解質
層)は、酸素イオン伝導性を有すればその材質は特に限
定されない。例えば、ジルコニア(ZrO)に安定化
剤としてイットリア(Y)あるいはカルシア(C
aO)を添加したジルコニア(ZrO)系焼結体やL
aGaO系焼結体、更にはこれらの焼結体にハフニウ
ム(Hf)を含有したものを使用することができる。ま
た、検出層と基体とを構成する質量含有率が最も高いセ
ラミック成分が異なる場合、この検出層に対して基体に
含有される質量含有率の最も高いセラミック成分を、検
出層を100質量%とした場合に10質量%〜70質量
%の範囲内で含有させることが好ましい。これにより、
検出層と基体との間に働く両者の熱膨張差に起因する熱
応力を有効に緩和することができると共に、検出層と基
体とを同時焼成によって得る場合に、反りの発生を抑制
した形で素子本体を得ることができる。
【0054】検出層の表面に形成される「電極」は、A
u、Ag、Ru、Rh、Pd、Ir及びPt等の貴金属
を少なくとも1種含有しているものが好ましい。これら
のうちPtは、酸化し難く、検出層に拡散することもな
く、融点も高いため、電極材料として最適である。ま
た、このPtからなる電極には、その物性に大きな影響
を与えない範囲内で、ジルコニア等の酸化物が含まれて
いても良い。
【0055】この一対の電極は、検出層のうちで基体と
面する側に形成される基準電極と、基体と面する側とは
反対側に形成される検知電極として設けることができ
る。ここで、このような形態で一対の電極を検出層に設
ける場合、検知電極は、素子本体の外側に配置されるこ
とになるため、この検知電極上に電極保護層を形成する
と良い。この電極保護層を設けることで、測定対象気体
中に電極を被毒する物質が含有される場合にも、電極を
その被毒から防護することができる。なお、検知電極上
に電極保護層を形成する場合には、この電極保護層を含
めて本発明では、素子本体と考えるものとする。
【0056】本発明の積層型ガスセンサ素子は、以下に
示す3つの異なる製造方法によって得ることができる。
【0057】(a)基体用未焼成シートの間に未焼成抵
抗発熱体パターンを挟み込む形で形成した基体となるべ
き未焼成基体上に、一対の電極となる未焼成電極パター
ンと検出層となる検出層用未焼成シート又は検出層用ペ
ーストを積層して板状の未焼成積層体を作る。ついで、
この未焼成積層体の少なくとも測定対象気体に晒される
ことが予定される先端側であって、その未焼成積層体の
長手方向に延びる各角部のうち未焼成抵抗発熱体パター
ンの配置位置に近い側の角部を少なくとも覆うように、
多孔質保護層となる未焼成被覆層を形成する。そして、
この未焼成被覆層が形成された未焼成積層体を焼成し
て、厚み20μm以上の多孔質層保護層が形成された素
子本体を作製する(以下、「本第1発明方法」とい
う)。
【0058】(b)基体用未焼成シートの間に未焼成抵
抗発熱体パターンを挟み込む形で形成した基体となるべ
き未焼成基体上に、一対の未焼成電極パターンと検出層
となる検出層用未焼成シート又は検出層用ペーストを積
層することで板状の未焼成積層体を作る。ついで、この
未焼成積層体を焼成することにより素子本体を作製す
る。そして、素子本体の長手方向に延びる各角部のうち
抵抗発熱体の配置位置に近い側の角部を少なくとも覆う
ように、多孔質保護層となる未焼成被覆層を形成して熱
処理を行い、厚み20μm以上の多孔質保護層が形成さ
れた素子本体を作製する(以下、「本第2発明方法」と
いう)。
【0059】(c)基体用未焼成シートの間に未焼成抵
抗発熱体パターンを挟み込む形で形成した基体となるべ
き未焼成基体上に、一対の電極となる未焼成電極パター
ンと検出層となる検出層用未焼成シート又は検出層用ペ
ーストを積層して板状の未焼成積層体を作る。ついで、
該未焼成積層体の少なくとも測定対象気体に晒されるこ
とが予定される先端側であって、その未焼成積層体の長
手方向に延びる各角部のうち未焼成抵抗発熱体パターン
の配置位置に近い側の角部を少なくとも覆うように、第
1多孔質保護層となる未焼成被覆層を形成する。その
後、未焼成被覆層が形成された未焼成積層体を焼成して
第1多孔質保護層が形成された素子本体を作製する。そ
して、焼成後の素子本体に形成された第1多孔質保護層
上に、第2多孔質保護層となる未焼成第2被覆層を形成
し、熱処理を行って第2多孔質保護層を形成し、第1多
孔質保護層と第2多孔質保護層との合計の厚みを20μ
m以上とする(以下、「本第3発明方法」という)。
【0060】なお、素子本体の長手方向に延びる各角部
のうち、未焼成抵抗発熱体パターンの配置位置に近い側
の角部を少なくとも覆うように多孔質保護層を形成する
にあたり、上記第1〜第3発明方法の他に、溶射(プラ
ズマ溶射)を採用することによって多孔質保護層を形成
することもできる。しかし、多孔質保護層の空孔率を3
0%以上に容易にかつ確実に調整するためには、第1〜
第3発明方法を採用することが好ましい。
【0061】上記本第1発明方法は、多孔質保護層とな
る未焼成被覆層を、素子本体となる未焼成積層体の所定
の角部に形成し、これを同時焼成する方法である。この
未焼成被覆層を、未焼成積層体に形成する方法として
は、印刷、浸漬(ディップ)、刷毛塗り、転写、グリー
ンシートの貼付等により形成することができる。印刷、
浸漬等により未焼成被覆層を未焼成積層体に形成した後
の同時焼成における焼成条件は特に限定されないが、1
350℃〜1600℃で1時間〜4時間の範囲内で行う
ことが好ましい。
【0062】なお、印刷又は浸漬で未焼成被覆層を形成
する場合、セラミック原料粉末(例えば、アルミナ粉
末)と、アセトン、トルエン等の溶剤と、ポリビニルブ
チラール、CMC等のバインダとを混合したペーストを
使用することが好ましい。また、溶剤及びバインダは1
種のみでも良いし2種以上を併用しても良い。そして、
焼成後の多孔質保護層の空孔率を向上させて多孔質状に
なるように、テオブロミン粉末、カーボン粉末等の気孔
化剤を添加したペーストを用いることが好ましい。この
気孔化剤は平均粒径が2μm〜50μm、好ましくは5
μm〜30μmのものを使用することが好ましい。
【0063】また、上記本第1発明方法において、「基
体用未焼成シート」は、セラミック原料粉末を、ポリビ
ニルブチラール等のバインダと共に混練した生素地を用
いてセラミック未焼成シートを形成することによって得
ることができる。なお、内部に抵抗発熱体を埋設する基
体を形成する場合、例えば、アルミナを主体に構成され
る未焼成シートを2枚用意して、一方の未焼成シート表
面に未焼成抵抗発熱体パターンを形成(印刷)して、こ
のパターンが内側となるように2枚の未焼成シートを積
層することで製造することができる。
【0064】また、上記本第1発明方法において、上記
「検出層用未焼成シート又は検出層用ペースト」は、焼
成されて検出層をなすものであり、イットリアあるいは
カルシア等の安定化剤を固溶させたジルコニア粉末を、
ポリビニルブチラール等のバインダと共に混練した生素
地を用いて、作製することができる。さらに、電極をな
す「未焼成電極パターン」は、貴金属を主体とする導電
ペーストにより形成することができる。一対の未焼成電
極パターンは、例えば、上記基体用未焼成シートの所定
領域に一方の電極パターン(基準電極となる基準電極パ
ターン)を印刷し乾燥させ、ついでこの基準電極パター
ン上に検出層用未焼成シートを積層し、この検出層用未
焼成シートの基準電極と面する側とは反対側の面に他方
の電極パターン(検知電極となる検知電極パターン)を
印刷し乾燥させることで、形成することができる。な
お、このようにして検知電極パターンを形成する場合に
は、検知電極パターン上に焼成されて電極保護層となる
シート状又はペースト状の「未焼成電極保護層」を積層
して、未焼成積層体を作製するようにしても良い。
【0065】ついで、上記第2発明方法は、素子本体と
なる未焼成積層体を先行して焼成し、焼成後の素子本体
における所定の角部に多孔質保護層となる未焼成被覆層
を形成し、熱処理を行う方法である。この第2発明方法
において、基体となる「基体用未焼成シート」、検出層
となる「検出層用未焼成シート又は検出層用未焼成ペー
スト」、「未焼成電極パターン」については、上述にて
説明した通りである。
【0066】上記第2発明方法では、未焼成積層体を焼
成して得られた素子本体の所定の角部に、多孔質保護層
となる未焼成被覆層を印刷、浸漬(ディップ)等により
形成し、その後熱処理を行うことで形成する。印刷又は
浸漬によって形成可能な「未焼成被覆層」の構成(性
状)については、上述にて説明した通りである。また、
未焼成被覆層が形成された素子本体を熱処理する条件と
しては、700℃〜1300℃で1時間〜4時間の範囲
内で行うことが好ましい。なお、この第2発明方法にお
いても、未焼成積層体を形成する段階で、一対の未焼成
電極パターンを検出層用シート又は検出層用ペーストの
表裏面に形成し、未焼成基体と面する側とは反対側に形
成された一方の未焼成電極パターン(検知電極パター
ン)上に、焼成されて電極保護層となるペースト状又は
シート状の未焼成電極保護層を積層させておくこともで
きる。
【0067】さらに、上記第3発明方法は、まず第1多
孔質保護層となる未焼成被覆層を、素子本体となる未焼
成積層体の所定の角部に形成した上で、これらを同時焼
成する。そして、同時焼成により得られた素子本体の所
定の角部を覆う第1多孔質保護層上に、第2多孔質保護
層となる未焼成第2被覆層を形成し、熱処理を行う方法
である。この第3発明方法において、基体となる「基体
用未焼成シート」、検出層となる「検出層用未焼成シー
ト又は検出層用未焼成ペースト」、「未焼成電極パター
ン」については、上述にて説明した通りである。
【0068】また、この第3発明方法において、素子本
体と同時焼成に供される「未焼成被覆層」は、上述した
本第1発明方法の「未焼成被覆層」と同様の形態で構成
し、形成すればよい。さらに、同時焼成により得られた
素子本体の第1多孔質保護層上に形成する「未焼成第2
被覆層」は、印刷や浸漬等により形成すれば良く、印刷
又は浸漬によって形成する場合、上述した本第1発明方
法の「未焼成被覆層」と同様に構成にすれば良い。ま
た、熱処理条件については、上述した本第2発明方法と
同様にすれば良い。つまり、この本第3発明方法では、
先行して焼成により得られた第1多孔質保護層の表面が
空孔によって粗面化されていることを利用し、第1多孔
質保護層上に第2多孔質保護層となる未焼成第2被覆層
を形成し、熱処理をする工程が重要となる。これによ
り、素子本体に対する多孔質保護層の固着強度を確保し
つつ、20μm以上(特に50μm以上)の厚みを有す
る多孔質保護層を確実に形成することができる。なお、
この方法では、第1多孔質保護層が多孔質接着層に相当
し、第2多孔質保護層が多孔質表面層に相当する。
【0069】本第3発明方法の具体例を挙げると、基体
用未焼成シートの間に未焼成抵抗発熱体パターンを挟み
込む形で形成した基体となるべき未焼成基体上に、一対
の未焼成電極パターンの一方を構成する基準電極パター
ンを形成し、ついで検出層となる検出層用未焼成シート
又は検出層用ペーストを積層する。そして、その検出層
用未焼成シート又は検出層用ペーストの未焼成基体と面
する側とは反対側に検知電極となる検知電極パターンを
形成し、さらにその検知電極パターン上に電極保護層と
なるペースト状又はシート状の未焼成電極保護層を積層
することで、板状の未焼成積層体を作る。
【0070】ついで、未焼成積層体の少なくとも測定対
象気体に晒されることが予定される先端側であって、長
手方向に延びる各角部のうち未焼成抵抗発熱体パターン
に近い側の角部を少なくとも覆うように第1多孔質保護
層となる未焼成被覆層(カーボン粉末等の気孔化剤を添
加すると共に、セラミック原料粉末(例えばアルミナ粉
末)とバインダを混合したペースト)を印刷し、乾燥す
る。その後、その状態の未焼成積層体を1350℃〜1
600℃で1時間〜4時間の範囲内で焼成し、第1多孔
質保護層が形成された素子本体を得る。ついで、この素
子本体の少なくとも測定対象気体に晒されることが予定
される先端側を、セラミック粉末(スピネル粉末)と水
とカーボン粉末等の気孔化剤を混合してなるスラリーに
浸漬させて、素子本体の角部に形成された第1多孔質保
護層上に未焼成第2被覆層を形成する。その後、700
℃〜1300℃、1時間〜4時間の範囲内で熱処理し、
第1多孔質保護層(接着層)と第2多孔質保護層(表面
層)との合計の厚みが20μm以上を満たす多孔質保護
層を形成するのである。
【0071】また、本発明のセラミックヒータは、以下
に示す3つの異なる製造方法によって得ることができ
る。
【0072】(d)基体用未焼成シートの間に未焼成抵
抗発熱体パターンを挟み込む形で形成した基体となるべ
き未焼成基体を作る。ついで、この未焼成基体の少なく
とも測定対象気体に晒されることが予定される先端側で
あって、その未焼成基体の長手方向に延びる各角部の1
以上を少なくとも覆うように、多孔質保護層となる未焼
成被覆層を形成する。そして、この未焼成被覆層が形成
された未焼成基体を焼成して、厚み20μm以上の多孔
質層保護層が形成された基体を作製することで、セラミ
ックヒータを得る(以下、「本第4発明方法」とい
う)。
【0073】(e)基体用未焼成シートの間に未焼成抵
抗発熱体パターンを挟み込む形で形成した基体となるべ
き未焼成基体を作る。ついで、この未焼成基体の少なく
とも測定対象気体に晒されることが予定される先端側で
あって、その未焼成基体の長手方向に延びる各角部の1
以上を少なくとも覆うように、多孔質保護層となる未焼
成被覆層を形成し熱処理を行い、厚み20μm以上の多
孔質保護層が形成された基体を作製することで、セラミ
ックヒータを得る(以下、「本第5発明方法」とい
う)。
【0074】(f)基体用未焼成シートの間に未焼成抵
抗発熱体パターンを挟み込む形で形成した基体となるべ
き未焼成基体を作る。ついで、この未焼成基体の少なく
とも測定対象気体に晒されることが予定される先端側で
あって、その未焼成基体の長手方向に延びる各角部の1
以上を少なくとも覆うように、第1多孔質保護層となる
未焼成被覆層を形成する。その後、未焼成被覆層が形成
された未焼成基体を焼成して第1多孔質保護層が形成さ
れた基体を作製する。そして、焼成後の基体に形成され
た第1多孔質保護層上に、第2多孔質保護層となる未焼
成第2被覆層を形成し、熱処理を行って第2多孔質保護
層を形成し、第1多孔質保護層と第2多孔質保護層との
合計の厚みを20μm以上とする基体を作製すること
で、セラミックヒータを得る(以下、「本第6発明方
法」という)。
【0075】なお、基体の長手方向に延びる各角部の1
以上を少なくとも覆うように多孔質保護層を形成するに
あたり、上記第1〜第3発明方法の他に、溶射(プラズ
マ溶射)を採用することによって多孔質保護層を形成す
ることもできる。しかし、多孔質保護層の空孔率を30
%以上に容易にかつ確実に調整するためには、第4〜第
6発明方法を採用することが好ましい。
【0076】
【実施例】(1.積層型ガスセンサ素子の構造) <第1実施例>本発明の第1実施例としての積層型ガス
センサ素子100を、図1及び図2を用いて説明する。
図1は、本第1実施例の積層型ガスセンサ素子100の
長手方向に直交する向きの横断面(後述する検知電極1
31を含む横断面)を示すもので、その断面形状は、約
90度をなす角部3(図1の長手方向に延びる角部3)
を4個有する矩形状である。図2は、図1の積層型ガス
センサ素子100において、多孔質保護層4を除いた素
子本体Aの構造を示す分解斜視図を示すものであり、こ
の素子本体Aは酸素濃淡電池素子1と、基体2とから構
成され、基体2の内部には抵抗発熱体21が埋設されて
いる。
【0077】このうち酸素濃淡電池素子1は、イットリ
アを安定化剤として添加したジルコニア50質量%と後
述する基体2を構成するアルミナ50質量%とから構成
された酸素濃淡電池用固体電解質層(検出層)11を備
え、酸素濃淡電池用固体電解質層11の基体2と面する
側に基準電極132が直に形成されると共に、固体電解
質層11自身を介して基準電極132と反対側に位置す
る面に検知電極131が直に形成されている。この検知
電極131及び基準電極132には、酸素濃淡電池用固
体電解質層11の長手方向に沿って導体リード部133
及び134がそれぞれ延設されている。
【0078】導体リード部133の末端は、外部回路接
続用の外部端子(図示せず)と接続される。また、導体
リード部134の末端は、酸素濃淡電池用固体電解質層
11を貫通するスルーホール15を介して、外部端子と
接続されるための信号取出し用端子14と接続される。
【0079】また、検知電極131の表面上には、検知
電極131自身を被毒から防護するための多孔質状の電
極保護層5が形成され、導体リード部133の表面上に
は、その外部端子と接続される部分を除いて、酸素濃淡
電池用固体電解質層11を保護するための強化保護層5
2が形成されている。
【0080】一方、基体2は、貴金属であるPtを主体
に構成される抵抗発熱体21を備え、この抵抗発熱体2
1は、絶縁性に優れるアルミナを主体に構成される第1
基層22及び第2基層23に挟持されている。この抵抗
発熱体21は、蛇行状に形成される発熱部212と、こ
の発熱部212の端部とそれぞれ接続され、長手方向に
沿って延びる一対のヒータリード部213とを有してい
る。また、このヒータリード部213の発熱部212と
接続される側とは反対側の端部211は、第2基層23
を貫通する2つのスルーホール231を介して、外部回
路接続用の外部端子と接続される一対のヒータ通電端子
232とそれぞれ電気的に接続されている。
【0081】そして、このように基体2、基準電極13
2、酸素濃淡電池用固体電解質層11、検知電極13
1、電極保護層5、強化保護層52を積層して構成され
る素子本体Aの長手方向に延びる角部3のうち、基体2
の外側に位置する2つの角部及び電極保護層5の外側に
位置する2つの角部に、図1に示すように、単層からな
る多孔質保護層4が形成されている。この角部3での厚
さ(即ち、最低厚さ)は20μm、好ましくは50μm
以上必要であり、最大厚さは500μmまでが好ましい
(本第1実施例では、厚さ50μmの多孔質保護層4が
形成)。この多孔質保護層4の空孔率は、15%〜65
%の範囲内にしておくことが耐被水抑制効果に有効とな
り、30%〜60%の範囲内とすることがより好まし
い。
【0082】なお、積層型ガスセンサ素子100の多孔
質保護層4を含む全体の大きさは、長手方向の寸法30
mm〜60mm、幅寸法2.5mm〜6mm、厚み1m
m〜3mmの範囲内に形成することが好ましく、本実施
例では、長手方向の寸法約40mm。幅寸法3mm、厚
み約2mmに形成されている。
【0083】<第2実施例>本発明の第2実施例として
の積層型ガスセンサ素子200を図6に示す。この積層
型ガスセンサ素子200は、第1実施例の積層型ガスセ
ンサ素子100に対し、その横断面(検知電極131を
含む横断面)にて、素子本体Aを覆う多孔質保護層40
の領域が異なると共に、多孔質保護層40が単層ではな
く接着層41と表面層42の複数層から構成される点が
異なる。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部
分については同じ記号や番号を付し、説明を省略あるい
は簡略化する。
【0084】本第2実施例において、素子本体Aの長手
方向に延びる4つの角部3に対し、図6に示すように、
接着層41と表面層42からなる多孔質保護層40が形
成されている。この多孔質保護層40の角部3での厚さ
(即ち、最低厚さ)は、両層41、42の合計で20μ
m、好ましくは50μm以上必要であり、最大厚さは5
00μmまでが好ましい(本第2実施例では、厚さ15
μmの接着層41と厚さ85μmの表面層42、合計厚
さ100μmの多孔質保護層40が形成)。また、この
多孔質保護層40の空孔率は、両層41、42とも15
%〜65%の範囲内にしておくことが耐被水抑制効果に
有効となり、30%〜60%の範囲内とすることがより
好ましい。なお、接着層41に対する表面層42の固着
強度を向上させるために、本第2実施例の積層型ガスセ
ンサ素子200では、上記空孔率の範囲内を満たすよう
にして、接着層41の空孔率を表面層42のそれよりも
大きく調整している。
【0085】また、多孔質保護層40は、電極保護層5
の角部3のみを覆うのではなく、電極保護層5を含めた
素子本体Aのうちで測定対象ガスに晒される先端側の周
囲全面を覆うように形成されている。
【0086】<第3実施例>本発明の第3実施例として
の積層型ガスセンサ素子300を図5に示す。この積層
型ガスセンサ素子300は、第2実施例の積層型ガスセ
ンサ素子200に対し、その横断面(検知電極131を
含む横断面)にて、酸素濃淡電池用固体電解質層11の
幅寸法が基体2のそれよりも狭く形成される点で異なる
と共に、多孔質保護層40の形成部位が異なる。従っ
て、異なる部分を中心に説明し、同様な部分については
同じ記号や番号を付し、説明を省略あるいは簡略化す
る。
【0087】図5に示すように、この第3実施例の積層
型ガスセンサ素子300では、接着層41と表面層42
から構成される多孔質保護層40が、抵抗発熱体21を
埋設した基体2の4つの角部3のみを覆うように形成さ
れている(本第3実施例では、厚さ15μmの接着層4
1と厚さ85μmの表面層42、合計厚さ100μmの
多孔質保護層40が形成)。このように、本第3実施例
において、基体2の角部3のみに多孔質保護層40を形
成している理由は、基体2の4つの角部3が、電極保護
層5の外側に位置する角部よりも抵抗発熱体21の配置
位置に近い側に位置する角部に位置しているからであ
る。つまり、この抵抗発熱体21の配置位置に近い側の
角部3は、水滴等が付着すると熱衝撃によるクラック発
生を特に招き易いことから、本第3実施例では、この基
体2の角部3に多孔質保護層40を形成し、被水対策を
講じているのである。
【0088】<第4実施例>本発明の第4実施例として
の積層型ガスセンサ素子400を図8及び図9に示す。
なお、図8は、本第4実施例の積層型ガスセンサ素子4
00の長手方向に直交する向きの横断面(検知電極13
1を含む横断面)を示すものであり、図9は、図8の積
層型ガスセンサ素子400において、多孔質保護層40
を除いた素子本体Aの構造を示す分解斜視図を示すもの
である。そして、この積層型ガスセンサ素子400は、
第2実施例の積層型ガスセンサ素子200に対し、基体
20の構成が異なる。従って、異なる部分を中心に説明
し、同様な部分については同じ記号や番号を付し、説明
を省略あるいは簡略化する。
【0089】図9の分解斜視図に示すように、素子本体
Aを構成する基体20の内部には、抵抗発熱体21とイ
オンマイグレーション防止電極24がそれぞれ異なる部
位に埋設されている。具体的には、抵抗発熱体21は、
絶縁性に優れるアルミナを主体に構成される第1基層2
2と第2基層23との間に挟まれ、イオンマイグレーシ
ョン防止電極24は、上記第2基層23と絶縁性に優れ
るアルミナを主体に構成される第3基層25との間に挟
まれている。なお、イオンマイグレーション防止電極2
4とは、抵抗発熱体21が金属イオンのマイグレーショ
ンによって劣化することを防止するための導体である。
【0090】本第4実施例において、抵抗発熱体21
は、蛇行状に形成される発熱部212と、この発熱部2
12の端部とそれぞれ接続され、長手方向に沿って延び
る一対のヒータリード部213とを有している。また、
このヒータリード部213の発熱部212と接続される
側とは反対側の両端部211は、第2基層23及び第3
基層25を同軸状の貫通する2つのスルーホール23
1、233、及び中間通電端子236を介して、外部回
路接続用の外部端子と接続されるヒータ通電端子232
と電気的に接続されている。また、イオンマイグレーシ
ョン防止電極24は、抵抗発熱体21と同材料にて構成
され、抵抗発熱体21のパターン形状と略同等のパター
ン形状を有している。なお、イオンマイグレーション防
止電極24の一端部234は、スルーホール231、2
33の一方を介してヒータ通電端子232(好ましくは
負極側となる通電端子)及び抵抗発熱体21と電気的に
接続している。他方、他端部235については、他方の
スルーホール231、233と接続しない(換言すれ
ば、ヒータ通電端子232及び抵抗発熱体21と電気的
に接続しない)位置に配置されるように形成されてい
る。
【0091】そして、このような構造の基体20を有す
る素子本体Aのうちで、測定対象気体に晒される先端側
の周囲全面を覆うようにして、接着層41と表面層42
とから構成される多孔質保護層40が形成されている
(本第4実施例では、厚さ40μmの接着層41と厚さ
110μmの表面層42、合計厚さ150μmの多孔質
保護層40が形成)。
【0092】(2.セラミックヒータの構造) <第5実施例>本発明の第5実施例としてのセラミック
ヒータ500を、図3及び図4を用いて説明する。この
セラミックヒータ500は、測定対象気体から特定ガス
成分を検出するためのガスセンサ素子(図示せず)に近
接して設けられ、ガスセンサ素子を加熱するために用い
られるものである。図3は、本第5実施例のセラミック
ヒータ500の長手方向に直交する向きの横断面(後述
する発熱部335を含む横断面)を示すもので、その断
面形状は、約90度をなす角部30(図3の長手方向に
延びる角部30)を4個有する矩形状である。図4は、
図3のセラミックヒータ500において、多孔質保護層
54を除いた基体Bの構造を示す分解斜視図を示すもの
であり、この基体Bの内部には、抵抗発熱体332とイ
オンマイグレーション防止電極322がそれぞれ異なる
部位に埋設されている。
【0093】貴金属であるPtを主体に構成される抵抗
発熱体332は、絶縁性に優れるアルミナを主体に構成
される第2基層32及び第3基層33に挟持されてい
る。また、抵抗発熱体332と同種材料で構成されるイ
オンマイグレーション防止電極322は、上記第2基層
32及び絶縁性に優れるアルミナを主体に構成される第
1基層31に挟持されている。このイオンマイグレーシ
ョン防止電極322は、抵抗発熱体332が金属イオン
のマイグレーションによって劣化することを防止するた
めの導体である。
【0094】抵抗発熱体332は、蛇行状に形成される
発熱部335と、この発熱部335の端部とそれぞれ接
続され、長手方向に沿って延びる一対のヒータリード部
336とを有している。また、このヒータリード部33
6の発熱部335と接続される側とは反対側の両端部3
33は、第3基層33を貫通する2つのスルーホール3
31を介して、外部回路接続用の外部端子と接続される
一対のヒータ通電端子334とそれぞれ電気的に接続さ
れている。また、イオンマイグレーション防止電極32
2は、抵抗発熱体332のパターン形状と略同等に形成
している。但し、イオンマイグレーション防止電極32
2の一端部323は、1つのスルーホール321を介し
てマイグレーション防止電極通電端子325に電気的に
接続され、このマイグレーション防止電極通電端子32
5は、ヒータ通電端子334(好ましくは負極側となる
通電端子)及び抵抗発熱体332と電気的に接続してい
る。他方、他端部324については、スルーホール32
1と接続しない(換言すれば、ヒータ通電端子334及
び抵抗発熱体332と電気的に接続しない)位置に配置
されるように形成している。
【0095】そして、このような基体Bの長手方向に延
びる4つの角部30に対し、図3に示すように、接着層
55と表面層56からなる多孔質保護層54が形成され
ている。この多孔質保護層54の角部30での厚さ(即
ち、最低厚さ)は、両層55、56の合計で20μm、
好ましくは50μm以上必要であり、最大厚さは500
μmまでが好ましい(本第5実施例では、厚さ10μm
の接着層55と厚さ40μmの表面層56、合計厚さ5
0μmの多孔質保護層54を形成)。また、この多孔質
保護層54の空孔率は、両層55、56とも15%〜6
5%の範囲内にしておくことが耐被水抑制効果に有効と
なり、30%〜60%の範囲内とすることがより好まし
い。なお、接着層55に対する表面層56の固着強度を
向上させるために、本第5実施例のセラミックヒータ5
00では、上記空孔率の範囲内を満たすようにして、接
着層55の空孔率を表面層56のそれよりも大きく調整
している。
【0096】また、セラミックヒータ500の多孔質保
護層54を含む全体の大きさは、長手方向の寸法30m
m〜60mm、幅寸法2.5mm〜6mm、厚み1mm
〜3mmの範囲内に形成することが好ましく、本実施例
では、長手方向の寸法約45mm。幅寸法4mm、厚み
約2mmに形成されている。
【0097】(3.ガスセンサの構造)図7は、上述し
た積層型ガスセンサ素子(第1実施例の積層型ガスセン
サ素子100)が組み込まれたガスセンサであり、具体
的には内燃機関の排気管に取り付けられ、排ガス中の酸
素濃度の測定に使用される酸素センサ600の一例を示
した全体断面図である。
【0098】この酸素センサ600に組み込まれる積層
型ガスセンサ素子100は、その先端側がセンサハウジ
ング6の先端から突出するように当該センサハウジング
6に形成された挿通孔61に挿通されると共に、挿通孔
61の内周面と積層型ガスセンサ素子100との間が、
ガラスを主体に構成される封着材層7により気密状態に
封着されている。センサハウジング6の先端部外周に
は、積層型ガスセンサ素子100の突出部分(先端側)
を覆う金属製の二重のプロテクタ8、8がレーザー溶接
等により固着されている。このプロテクタ8、8には、
自身の先端や周囲に排気管内を流れる排ガスを導く通気
孔81、81が形成されている。
【0099】一方、センサハウジング6の後端部は、外
筒10の先端部内側に挿入され、その重なり部分にて周
方向にレーザー溶接等の接合が施されている。また、セ
ンサハウジング6の外周部には、酸素センサ600を排
気管にねじ込んで取り付けるためのネジ部62が螺設さ
れている。なお、積層型ガスセンサ素子100のうち
で、センサハウジング6の先端から突出する先端側が、
測定対象気体に晒されることになる部分に相当する。そ
れより、積層型ガスセンサ素子100の先端側に晒され
る部分に、少なくとも多孔質保護層4が形成されてい
る。
【0100】積層型ガスセンサ素子100については、
第1コネクタ91、長手状金属薄板92、さらには第2
コネクタ93及び絶縁板(図示せず)(なお、これらを
総称して「外部端子9」という)とリード線90とを介
して、図示しない外部回路と電気的に接続されている。
また、都合4本のリード線90は、外筒10の後端側に
位置するグロメット20を貫通して延びている。また、
積層型ガスセンサ素子100の長手方向において、封着
材層7の少なくとも一方の側に隣接する形で、多孔質無
機物質(例えば、タルク滑石の無機物質粉末の圧粉成形
体あるいは多孔質仮焼体)で構成された緩衝層71が形
成されている。なお、この酸素センサ600は、上述し
た第1実施例の積層型ガスセンサ素子100を用いて形
成したが、上述した第2〜4実施例の積層型ガスセンサ
素子200、300、400を用いて形成しても良いこ
とは言うまでもない。
【0101】
【実験例】以下、本発明の効果を確認するために行った
実験結果について説明する。まず、以下に説明する方法
により、第1実施例の積層型ガスセンサ素子100と第
5実施例のセラミックヒータ500を製造した。
【0102】(第1実施例の積層型ガスセンサ素子10
0の作製) 酸素濃淡電池素子用未焼成シートの作製 イットリアの安定化剤を固溶させたジルコニア粉末10
0gとアルミナ粉末100gを、バインダ(ポリビニル
ブチラール)26gと共に混練した生素地を用いて、酸
素濃淡電池用固体電解質層11となるものであって、5
個の素子を切り出すことができる大きさの未焼成固体電
解質シートを形成した。その後、未焼成固体電解質シー
トの所定位置に素子5個分のスルーホール15となる貫
通孔を形成した。
【0103】ついで、未焼成固体電解質シート(スルー
ホール15となる貫通孔を含む)上の所定領域に、白金
を主体とする導電ペーストを所定のパターンに印刷し、
乾燥させて、検知電極131、基準電極132、導体リ
ード部133、134、信号取出し用端子14となる導
体パターンを形成すると共に、スルーホール15となる
貫通孔の内壁面に対して導電ペーストを施した。これに
より、酸素濃淡電池素子用未焼成シートを得た。
【0104】基体用未焼成シートの作製 ついで、アルミナ粉末100gを、バインダ(ポリビニ
ルブチラール)12gと共に混練した生素地を用いて、
第2基層23となる未焼成アルミナシートを形成し、素
子5個分のスルーホール231となる貫通孔を形成し
た。その後、第2基層23となる未焼成アルミナシート
(スルーホール231となる貫通孔を含む)の表裏面の
所定領域に、上述のと同様の導電ペーストを所定のパ
ターン形状に印刷・乾燥し、抵抗発熱体21、一対のヒ
ータ通電端子232となる導電パターンを形成すると共
に、スルーホール231となる貫通孔の内壁面に対して
導体ペーストを施した。そして、第1基層22となる未
焼成アルミナシートを上記第2基層23と同様な方法で
作製し、この第1基層22となる未焼成アルミナシート
を第2基層23となる未焼成アルミナシートの抵抗発熱
体21となる導体パターンが形成された面に積層・減圧
圧着した。これにより、基体2となる基体用未焼成シー
トを得た。
【0105】組立・脱脂、及び焼成並びに多孔質保護
層の形成 酸素濃淡電池素子用未焼成シートと基体用未焼成シート
とを積層し、さらに所定のアルミナ粉末と気孔化剤とし
てのカーボン粉末、ブチラール樹脂及びジブチルフタレ
ートからなるバインダ、分散剤を混合したスラリーを用
いてシート化した電極保護層5となる電極保護層用未焼
成シートを、酸素濃淡電池素子用未焼成シートの外部に
露出した検知電極131となる導体パターン上に積層
し、減圧圧着して組立体を得た。そして、この組立体
を、素子本体Aを形成すべく公知の手法により切断し、
5個の未焼成積層体を切り出した。
【0106】その後、アルミナ粉末70g、バインダ
(ポリビニルブチラール)12g、有機溶剤(ブチルカ
ルビトール)25g、気孔化剤としてのカーボン粉末
(平均粒径5μm)30gを含むペーストを、焼成後の
多孔質保護層4の角部3からの厚さが20μm、50μ
m、100μmになるように未焼成積層体のうちで、測
定対象気体に晒されることが予定される先端側の周囲全
面に印刷して乾燥させた。また、上記ペーストを、焼成
後の多孔質保護層4の角部3からの厚さが200μmに
なるように未焼成積層体のうちで、測定対象気体に晒さ
れることが予定される先端側であって、長手方向に延び
る4つの角部3上にのみ印刷して乾燥させた。ついで、
この状態の未焼成積層体を大気雰囲気下にて毎時20℃
で昇温していき、最高温度450℃で1時間保持しつつ
脱脂(脱バインダ処理)した後、1500℃で1時間焼
成して、単層からなる多孔質保護層4が形成された素子
本体Aを有する積層型ガスセンサ素子100(図1参
照)を得た。
【0107】また、比較例となる積層型ガスセンサ素子
として、上記のようにして切り出した上記未焼成積層体
に、多孔質保護層4を形成せずに、上記脱バインダ処
理、焼成を行った素子を別途に形成した。
【0108】(第5実施例のセラミックヒータ500の
作製) 基体用未焼成シートの作製 アルミナ粉末100gを、バインダ(ポリビニルブチラ
ール)12gと共に混練した生素地を用いて、厚み0.
7mmの第2基層32、厚さ1.1mm第3基層33と
なる未焼成アルミナシートをそれぞれ形成し、各未焼成
アルミナシートにセラミックヒータ5個分のスルーホー
ル321、331となる貫通孔を形成した。
【0109】その後、第2基層32となる未焼成アルミ
ナシート(スルーホール321となる貫通孔を含む)の
表裏面の所定領域に、白金を主体とする導電ペーストを
所定のパターン形状に印刷・乾燥し、イオンマイグレー
ション防止電極322、マイグレーション防止電極通電
端子325となる導電パターン(尚、ビア印刷、ペース
ト圧入等により予めスルーホール321部での導通を確
保しておく方法もよい)を形成した。さらに、第3基層
33となる未焼成アルミナシート(スルーホール331
となる貫通孔を含む)の表裏面の所定領域に、白金を主
体とする導電ペーストを所定のパターン形状に印刷・乾
燥し、抵抗発熱体332となる導体パターン(未焼成抵
抗発熱体パターン)、ヒータ通電端子334となる導電
パターンを形成した。そして、厚み0.3mmの第1基
層31となる未焼成アルミナシートを、上記第2基層3
2、上記第3基層33と同様な材料を用いて作製した。
【0110】ついで、この第1基層31となる未焼成ア
ルミナシートを第2基層32となる未焼成アルミナシー
トのイオンマイグレーション防止電極322となる導体
パターンが形成された主面に積層すると共に、第2基層
32となる未焼成アルミナシートの主面と反対側の裏面
に、未焼成抵抗発熱体パターンが形成された主面が面す
るように第3基層33となる未焼成アルミナシートを積
層した上で、減圧圧着した。これにより、基体Bとなる
基体用未焼成シートを得た。
【0111】脱脂、焼成並びに多孔質保護層の形成 そして、この基体用未焼成シートを、基体Bを形成すべ
く公知の手法により切断し、5個の未焼成基体を切り出
した。その後、アルミナ粉末70g、バインダ(ポリビ
ニルブチラール)12g、有機溶剤(ブチルカルビトー
ル)15g、気孔化剤としてのカーボン粉末(平均粒径
20μm)45gを含むペーストを、焼成後の第1多孔
質保護層(接着層)55の角部30からの厚さが10μ
mになるように未焼成基体のうちで、測定対象気体に晒
されることが予定される先端側の周囲全面に印刷し、乾
燥させる。ついで、この状態の未焼成基体を大気雰囲気
下にて毎時20℃で昇温していき、最高温度450℃で
1時間保持しつつ脱脂(脱バインダ処理)した後、15
00℃で1時間焼成して、第1多孔質保護層55が形成
された基体Bを得た。
【0112】そして、アルミナ粉末70g、バインダ
(ポリビニルブチラール)12g、有機溶剤(ブチルカ
ルビトール)25g、気孔化剤としてのカーボン粉末
(平均粒径5μm)30gを含むペーストを、焼成後の
多孔質保護層54の角部30からの厚み(第1多孔質保
護層55との合計の厚み)が20μm、30μm、50
μm、100μm、200μmとなるように、基体Bの
第1多孔質保護層55上に印刷し、乾燥させる。つい
で、この状態の基体Bを、大気雰囲気下にて毎時100
℃で昇温していき、最高温度900℃で1時間熱処理し
て、第1多孔質保護層(接着層)55と第2多孔質保護
層(表面層)56とからなるセラミックヒータ500を
得た。
【0113】また、比較例となるセラミックヒータとし
て、上記のようにして切り出した上記未焼成積層体に、
多孔質保護層を形成せずに、上記脱バインダ処理、焼成
を行ったセラミックヒータを別途に形成した。
【0114】さらに、第5実施例と異なる実施例のセラ
ミックヒータとして、上記のようにして切り出した上記
未焼成積層体に対し、先行して上記脱バインダ処理、焼
成を行った基体Bを作製し、角部30からの厚さが20
μmとなるように基体Bのうちで、測定対象気体に晒さ
れることが予定される先端側の周囲全面にスピネル溶射
を行い、多孔質保護層を有するセラミックヒータを得
た。
【0115】上記のようにして得た積層型ガスセンサ素
子及びセラミックヒータに対し、以下の試験(性能評
価)を行った。
【0116】(予備試験) 2000ccのエンジンの床下に形成された排気管
に、排気管の軸芯と垂直な方向となるように、且つセン
サが下方を向く方向に取付けが可能になるようにM12
のセンサ取付用ネジを設けた。角部3からの厚さ20
μmの積層型ガスセンサ素子100表面全体にカーボン
を塗布してセンサ試験片を作製し、水滴痕が確認し易い
ようにして直径2mmの通気孔を周方向にわたって6箇
所有する一重のプロテクタを設けた試験片を用意し、こ
の取付用ネジにセンサ試験片を取り付けた。エンジン
を始動させ、1000rpmにて10分間保持した。
エンジンを停止させ、センサ試験片を取付用ネジから外
し、センサ試験片に付着した水滴痕の概略径を求めた。
なお、センサ試験片20本について、同様な手法により
水滴痕の概略径を求めた。ディスペンサにて水を20
本のセンサ試験片に滴下して、上記の水滴痕と同等の
水滴量を求めた。その結果、0.3μl(マイクロリッ
トル)相当以下の量の水滴付着であることが判明した。
このため、後述する滴下試験では、0.3μlと過酷量
1μlの水を、積層型ガスセンサ素子及びセラミックヒ
ータに滴下することにした。
【0117】また、滴下する時の積層型ガスセンサ素子
及びセラミックヒータの温度を320℃と決定した。そ
れは、以下の理由による。 (1)排気ガス温度が水として存在し易い程度にできる
限り低温であること。 (2)積層型ガスセンサ素子、セラミックヒータが被水
して、熱衝撃によってクラックが発生する温度以上であ
ること。
【0118】(滴下試験) 上述した製造方法によって得た積層型ガスセンサ素子
及びセラミックヒータの表面のうちで、抵抗発熱体の配
置位置に近い側の面に対して、直径0.1mmの熱電対
をセメントにて付着させた。抵抗発熱体が発熱するよ
うにヒータ通電端子から直流電圧を印加し、熱電対が3
20℃に成るように通電制御を行った。積層型ガスセ
ンサ素子及びセラミックヒータのうちで、熱電対を付着
させた近傍に位置する素子本体の角部、基体の角部に相
当する箇所に、ディスペンサにて採取した0.3μlの
水を滴下した。抵抗発熱体への通電を停止し、色見液
(水性赤インク液)にて滴下部での積層型ガスセンサ素
子の素子本体及びセラミックヒータの基体にクラックが
発生しているか否かを目視にて観察した。クラックが発
生するまでこの〜の行為を繰り返した。但し、〜
の行為を10回繰り返してもクラックが発生しなかっ
たものは、10回目で〜の行為を終了した。つい
で、滴下量1μlとして、同様に試験を実施した。
【0119】なお、これらの試験は、素子本体Aの角部
3からの多孔質保護層4の厚みが、20μm(試料番号
2)、50μm(試料番号3)、100μm(試料番号
4)、200μm(試料番号5)である積層型ガスセン
サ素子100と、比較例として素子本体Aに多孔質保護
層4を形成していない積層型ガスセンサ素子(試料番号
1)について、それぞれ10本ずつ実施した。また、
0.3μl及び1μlの水の滴下試験については、各試
料(試験片)について素子本体Aの角部3に相当する部
位のみならず、素子本体Aの裏面(熱電対が付着された
面と反対側の面)にも同様の形態で行い、クラックの発
生の有無を確認するようにした。その結果を表1に示
す。
【0120】さらに、上記試験は、基体Bの角部30か
らの多孔質保護層54の厚みが、20μm(試料番号
7)、30μm(試料番号8)、50μm(試料番号
9)、100μm(試料番号10)、200μm(試料
番号11)であるセラミックヒータ500と、スピネル
溶射によって形成された基体Bからの多孔質保護層の厚
みが20μmのセラミックヒータ(試料番号12)と、
比較例として基体Bに多孔質保護層54を形成していな
いセラミックヒータ(試料番号6)について、それぞれ
10本ずつ実施した。また、0.3μl及び1μlの水
の滴下試験については、各試料(試験片)について基体
Bの角部30に相当する部位のみならず、基体Bの裏面
(熱電対が付着された面と反対側の面)にも同様の形態
で行い、クラックの発生の有無を確認するようにした。
その結果を表2に示す。
【0121】なお、表1、表2において、「クラック発
生数」とは、試験を行った各10本の試料のうちクラッ
クが確認された試料の数であり、「クラック発生回数」
とは、そのクラックの入った試料において、何回目の滴
下試験における上記の観察でクラックが確認されたか
を示している。
【0122】
【表1】
【0123】
【表2】
【0124】表1の結果によれば、素子本体Aの裏面に
滴下試験を行った場合、滴下量1μlで試験を行った試
料番号5の10個中1個の試料を除いて、クラックの発
生はみられなかった。しかし、多孔質保護層4が素子本
体Aの角部3に形成されていない試料(試料番号1)に
おいて、角部3に相当する部位に滴下試験を行った場
合、滴下量0.3μlの場合に10個中3個の素子本体
Aにクラックが発生しており、さらに滴下量1μlの場
合に10個中6個の素子本体Aにクラックが発生した。
これにより、多孔質保護層4が形成されていない場合
に、素子本体Aの角部3に被水すると、クラックがより
発生し易いことが判る。
【0125】これに対し、少なくとも角度3に20μm
以上の多孔質保護層4を形成した素子本体A(試料番号
2〜5)において、角部3に相当する部位に0.3μl
の水を滴下した場合、いずれの試料についてもクラック
が発生せず、良好な結果となった。これにより、角部3
に厚さ20μm以上の多孔質保護層4を形成することに
よって、素子本体Aの角部3への被水によるクラックの
発生を防止することができるのが判る。
【0126】また、滴下量が1μlの場合、角部3にお
ける多孔質保護層4の厚さが20μm(試料番号2)の
ときに、クラックの発生が10個中1個確認されたの対
し、角部3における多孔質保護層4の厚さが50μm以
上(試料番号3〜5)のとき、クラックの発生はいずれ
も確認されなかった。これにより、素子本体Aの角部3
に50μm以上の多孔質保護層4を設けることによっ
て、素子本体Aの角部3への被水によるクラックの発生
をより有効に防止することができるのが判る。
【0127】さらに、角部3のみに多孔質保護層4を形
成した場合(表1において200μmの多孔質保護層4
を形成した試料番号5に相当)であっても、過酷試験に
おいて裏面に1個の素子本体Aだけクラックの発生が確
認されただけである。これにより、少なくとも素子本体
Aの長手方向に延びる角部3に多孔質保護層4を形成し
た場合であっても、被水に対してのクラックの発生を防
止することができるのが判る。
【0128】ついで、表2の結果によれば、基体Bの裏
面に滴下試験を行った場合、滴下量1μlで試験を行っ
た試料番号6の10個中1個の試料を除いて、クラック
の発生はみられなかった。しかし、多孔質保護層54が
基体Bの角部30に形成されていない試料(試料番号
6)において、角部30に相当する部位に滴下試験を行
った場合、滴下量0.3μlの場合に10個中3個の基
体Bにクラックが発生しており、さらに滴下量1μlの
場合に10個中6個の基体Bにクラックが発生してい
る。これにより、多孔質保護層54が形成されていない
場合、基体Bの角部30に被水したときに、クラックが
より発生し易いことが判る。
【0129】これに対し、少なくとも角度30に20μ
m以上の多孔質保護層54を形成した基体B(試料番号
7〜11)において、角部30に相当する部位に0.3
μlの水を滴下した場合、いずれの試料についてもクラ
ックが発生せず、良好な結果となった。これにより、角
部30に厚さ20μm以上の多孔質保護層54を形成す
ることによって、基体Bの角部30への被水によるクラ
ックの発生を防止することができるのが判る。
【0130】また、滴下量が1μlの場合、角部30に
おける多孔質保護層54の厚さが20μm(試料番号
7)のときに、クラックの発生が10個中1個確認され
たの対し、角部30における多孔質保護層54の厚さが
50μm以上(試料番号8〜11)のとき、クラックの
発生はいずれも確認されなかった。これにより、基体B
の角部30に50μm以上の多孔質保護層54を設ける
ことによって、基体Bの角部30への被水によるクラッ
クの発生をより有効に防止することができるのが判る。
【0131】但し、20μmの厚さを有する多孔質保護
層をスピネル溶射により設けた基体B(試料番号12)
においては、20μmの厚さを有するにも関わらず、滴
下量0.3μlのときに10個中1個にクラックの発生
が確認され、滴加量1μmのときに10個中3個にクラ
ックの発生が確認された。このため、溶射によって基体
Bの角部30に多孔質保護層を形成した場合には、多孔
質保護層を設けないものに比べて被水によるクラックの
発生を防止する効果を発揮するものの、多孔質保護層5
4を基体との同時焼成によって形成した試料番号7に比
べて上記効果が少ないことが判った。
【0132】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態等に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して
適用できることは言うまでもない。例えば、酸素センサ
以外のガスセンサ、例えばHCセンサ、COセンサ、N
Oxセンサに使用する積層型ガスセンサ素子に対し、少
なくとも測定対象気体に晒される先端側であって、その
素子本体の長手方向に延びる各角部のうち少なくとも抵
抗発熱体の配置位置に近い側の角部に厚さ20μm以上
の多孔質保護層を形成して、被水による素子本体へのク
ラックの発生を防止するように対策を講じることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本第1実施例の積層型ガスセンサ素子の長手方
向に直交する向きの断面を示す模式図である。
【図2】本第1実施例の積層型ガスセンサ素子を構成す
る素子本体の分解斜視図である。
【図3】本第5実施例のセラミックヒータの長手方向に
直交する向きの断面を示す模式図である。
【図4】本第5実施例のセラミックヒータを構成する基
体の分解斜視図である。
【図5】本第3実施例の積層型ガスセンサ素子の長手方
向に直交する向きの断面を示す模式図である。
【図6】本第2実施例の積層型ガスセンサ素子の長手方
向に直交する向きの断面を示す模式図である。
【図7】本第1実施例の積層型ガスセンサ素子が組み込
まれたガスセンサ(酸素センサ)の断面を示す模式図で
ある。
【図8】本第4実施例の積層型ガスセンサ素子の長手方
向に直交する向きの断面を示す模式図である。
【図9】本第4実施例の積層型ガスセンサ素子を構成す
る素子本体の分解斜視図である。
【符号の説明】
100、200、300、400:積層型ガスセンサ素
子、500;セラミックヒータ、600;ガスセンサ
(酸素センサ)、A;素子本体、B、2、20;基体、
1;酸素濃淡電池素子、11;酸素濃淡電池用固体電解
質層、131;検知電極、132;基準電極、133、
134;導体リード部、14;信号取出し用端子、2
1、332;抵抗発熱体、22、31;第1基層、2
3、32;第2基層、25、33;第3基層、24、3
22;イオンマイグレーション防止電極、232、33
4;ヒータ通電用端子、3、30;角部、4、40、5
4;多孔質保護層、41、55;多孔質接着層(第1多
孔質保護層)、42、56;多孔質表面層(第2多孔質
保護層)、5;電極保護層、52;強化保護層、6;セ
ンサハウジング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G004 BB04 BC07 BD04 BE04 BE13 BE22 BF02 BF05 BF08 BF09 BF13 BF18 BF27 BG05 BH02 BJ03 BM04 BM07 BM10 3K034 AA02 AA22 BB06 BB14 BC17 JA02

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 通電により発熱する抵抗発熱体と、上記
    抵抗発熱体を内部に埋設してなる板状のセラミック製の
    基体とからなり、測定対象気体中の特定ガスを検出する
    ためのガスセンサ素子を加熱するためのセラミックヒー
    タであって、 該基体の少なくとも測定対象気体に晒されることになる
    先端側であって、その基体の長手方向に延びる各角部の
    1以上を少なくとも覆うように多孔質保護層が形成さ
    れ、該多孔質保護層の厚さは該角部から20μm以上で
    あることを特徴とするセラミックヒータ。
  2. 【請求項2】 上記多孔質保護層は、空孔率が15%〜
    65%の範囲内にある請求項1に記載のセラミックヒー
    タ。
  3. 【請求項3】 上記基体は、アルミナを主体に構成さ
    れ、上記抵抗発熱体は貴金属を主体に構成されている請
    求項1または2に記載のセラミックヒータ。
  4. 【請求項4】 上記多孔質保護層は、2層以上の多孔質
    層が積層されてなる請求項1乃至3のいずれかの1項に
    記載のセラミックヒータ。
  5. 【請求項5】 上記多孔質保護層は、上記基体に接する
    最下層として形成される多孔質接着層と、該多孔質接着
    層上に形成されると共に、上記測定対象気体に晒される
    多孔質表面層とからなる請求項4に記載のセラミックヒ
    ータ。
  6. 【請求項6】 上記多孔質接着層の空孔率が、上記多孔
    質表面層の空孔率よりも大きい請求項5に記載のセラミ
    ックヒータ。
  7. 【請求項7】 上記基体のうちで上記抵抗発熱体が埋設
    される部位とは異なる部位に、該抵抗発熱体の劣化を防
    止するためのマイグレーション防止電極が形成されてい
    る請求項1乃至6のいずれか1項に記載のセラミックヒ
    ータ。
  8. 【請求項8】 内部に抵抗発熱体を有する基体に一対の
    電極を具備する検出層を積層した板状の素子本体を有
    し、測定対象気体中の特定ガスを検出するための積層型
    ガスセンサ素子において、 該素子本体の少なくとも上記測定対象気体に晒されるこ
    とになる先端側であって、その素子本体の長手方向に延
    びる各角部のうち該抵抗発熱体の配置位置に近い側の角
    部を少なくとも覆うように多孔質保護層が形成され、該
    多孔質保護層の厚さは該角部から20μm以上であるこ
    とを特徴とする積層型ガスセンサ素子。
  9. 【請求項9】 上記検出層は、酸素の濃度に対応して特
    性が変化する固体電解質体からなる請求項8に記載の積
    層型ガスセンサ素子。
  10. 【請求項10】 上記一対の電極は、上記検出層のうち
    で上記基体と面する側に形成される基準電極と、該基体
    と面する側とは反対側に形成される検知電極とからな
    り、上記素子本体は、上記検知電極上に電極保護層を積
    層する形態で形成されている請求項8または9に記載の
    積層型ガスセンサ素子。
  11. 【請求項11】 上記多孔質保護層は、空孔率が15%
    〜65%の範囲内にある請求項8乃至10のいずれか1
    項に記載の積層型ガスセンサ素子。
  12. 【請求項12】 上記基体は、アルミナを主体に構成さ
    れ、上記抵抗発熱体は貴金属を主体に構成されている請
    求項8乃至11のいずれか1項に記載の積層型ガスセン
    サ素子。
  13. 【請求項13】 上記多孔質保護層は、2層以上の多孔
    質層が積層されてなる請求項8乃至12のいずれかの1
    項に記載の積層型ガスセンサ素子。
  14. 【請求項14】 上記多孔質保護層は、上記基体に接す
    る最下層として形成される多孔質接着層と、該多孔質接
    着層上に形成されると共に、上記測定対象気体に晒され
    る多孔質表面層とからなる請求項13に記載の積層型ガ
    スセンサ素子。
  15. 【請求項15】 上記多孔質接着層の空孔率が、上記多
    孔質表面層の空孔率よりも大きい請求項14に記載の積
    層型ガスセンサ素子。
  16. 【請求項16】 上記基体のうちで上記抵抗発熱体が埋
    設される部位とは異なる部位に、該抵抗発熱体の劣化を
    防止するためのマイグレーション防止電極が形成されて
    いる請求項8乃至15のいずれか1項に記載の積層型ガ
    スセンサ素子。
  17. 【請求項17】 基体用未焼成シートの間に未焼成抵抗
    発熱体パターンを挟み込む形で形成した基体となるべき
    未焼成基体上に、一対の電極となる未焼成電極パターン
    と検出層となる検出層用未焼成シート又は検出層用ペー
    ストを積層して板状の未焼成積層体を作り、 ついで、該未焼成積層体の少なくとも測定対象気体に晒
    されることが予定される先端側であって、その未焼成積
    層体の長手方向に延びる各角部のうち未焼成抵抗発熱体
    パターンの配置位置に近い側の角部を少なくとも覆うよ
    うに、多孔質保護層となる未焼成被覆層を形成し、 該未焼成被覆層が形成された未焼成積層体を焼成して、
    厚み20μm以上の多孔質層保護層が形成された素子本
    体を作製することを特徴とする積層型ガスセンサ素子の
    製造方法。
  18. 【請求項18】 基体用未焼成シートの間に未焼成抵抗
    発熱体パターンを挟み込む形で形成した基体となるべき
    未焼成基体上に、一対の未焼成電極パターンと検出層と
    なる検出層用未焼成シート又は検出層用ペーストを積層
    することで板状の未焼成積層体を作り、 ついで、未焼成積層体を焼成することにより素子本体を
    作製し、 該素子本体の少なくとも測定対象気体に晒されることが
    予定される先端側であって、その素子本体の長手方向に
    延びる各角部のうち抵抗発熱体の配置位置に近い側の角
    部を少なくとも覆うように、多孔質保護層となる未焼成
    被覆層を形成して熱処理を行い、厚み20μm以上の多
    孔質保護層が形成された素子本体を作製することを特徴
    とする積層型ガスセンサ素子の製造方法。
  19. 【請求項19】 基体用未焼成シートの間に未焼成抵抗
    発熱体パターンを挟み込む形で形成した基体となるべき
    未焼成基体上に、一対の電極となる未焼成電極パターン
    と検出層となる検出層用未焼成シート又は検出層用ペー
    ストを積層して板状の未焼成積層体を作り、 ついで、該未焼成積層体の少なくとも測定対象気体に晒
    されることが予定される先端側であって、その未焼成積
    層体の長手方向に延びる各角部のうち未焼成抵抗発熱体
    パターンの配置位置に近い側の角部を少なくとも覆うよ
    うに、第1多孔質保護層となる未焼成被覆層を形成し、 該未焼成被覆層が形成された未焼成積層体を焼成して、
    第1多孔質保護層が形成された素子本体を作製し、 焼成後の該第1多孔質保護層上に第2多孔質保護層とな
    る未焼成第2被覆層を形成した上で熱処理を行って当該
    第2多孔質保護層を形成し、該第1多孔質保護層と該第
    2多孔質保護層との合計の厚みを20μm以上とするこ
    とを特徴とする積層型ガスセンサ素子の製造方法。
  20. 【請求項20】 上記未焼成積層体を作製するにあた
    り、上記未焼成電極パターンのうちで基準電極となる基
    準電極パターンを上記未焼成基体と面する側に形成する
    一方、検知電極となる検知電極パターンを上記検出層用
    未焼成シート又は上記検出層用ペーストを介して該基準
    電極パターンと反対側に形成し、上記検知電極パターン
    上に電極保護層となるべき未焼成電極保護層を積層して
    該未焼成積層体を作製する請求項17乃至20のいずれ
    か1項に記載の積層型ガスセンサ素子の製造方法。
  21. 【請求項21】 測定対象気体中の特定ガスを検出する
    ためのガスセンサ素子と、該ガスセンサ素子を支持する
    と共に、該ガスセンサ素子を測定位置に配置するための
    センサハウジングとを備えたガスセンサであって、 上記ガスセンサ素子が、請求項8乃至16のいずれかの
    1項に記載の積層型ガスセンサ素子であることを特徴と
    するガスセンサ。
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Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006091009A (ja) * 2004-08-25 2006-04-06 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック電子機能部材、およびガスセンサ
JP2006210122A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Kyocera Corp セラミックヒータ素子及びそれを用いた検出素子
JP2006250537A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Kyocera Corp ガスセンサー素子およびその製造方法
EP1717562A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-02 Sensirion AG A method for packaging integrated sensors
JP2006343297A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層型ガスセンサ素子及びガスセンサ
JP2007033374A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ素子及びその製造方法並びにガスセンサ
JP2007114004A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Hitachi Ltd 酸素センサ
JP2007163272A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ
JP2007218894A (ja) * 2006-01-23 2007-08-30 Denso Corp ガスセンサ素子
JP2007225592A (ja) * 2006-01-26 2007-09-06 Denso Corp 被水確認試験方法及び被水確認用粉末
JP2008216241A (ja) * 2007-02-05 2008-09-18 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサとその製造方法
JP2009080100A (ja) * 2007-09-07 2009-04-16 Denso Corp ガスセンサ
JP2009080099A (ja) * 2007-09-07 2009-04-16 Denso Corp ガスセンサ素子及びその製造方法
JP2009080110A (ja) * 2007-09-07 2009-04-16 Denso Corp ガスセンサ素子及びその製造方法
WO2009098833A1 (en) * 2008-02-04 2009-08-13 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Exhaust gas sensor
DE102009017340A1 (de) 2008-04-14 2009-11-26 NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya-shi Laminiertes Gassensorelement und Gassensor
DE102009032436A1 (de) 2008-07-09 2010-01-14 NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya-shi Gassensor
JP2010164591A (ja) * 2010-05-06 2010-07-29 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ素子及びガスセンサ
JP2010169655A (ja) * 2008-12-22 2010-08-05 Nippon Soken Inc ガスセンサ素子及びこれを備えたガスセンサ
US7887684B2 (en) 2005-07-06 2011-02-15 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Lamination-type gas sensor element and gas sensor
DE102010040224A1 (de) 2009-09-04 2011-03-17 NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya-shi Laminiertes Gassensorelement, Gassensor mit einem laminierten Gassensorelement und Verfahren zum Herstellen eines laminierten Gassensorelements
US7951277B2 (en) 2005-02-08 2011-05-31 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the same
JP2012503859A (ja) * 2008-09-27 2012-02-09 ホツトセツト・ハイツパトローネン・ウント・ツーベヘール・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 技術目的のための電気加熱素子
US8156815B2 (en) 2009-02-25 2012-04-17 Sensirion Ag Sensor in a moulded package and a method for manufacturing the same
US8168053B2 (en) 2006-01-23 2012-05-01 Denso Corporation Gas sensing member used for gas sensor and method of manufacturing the member
JP2012127728A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Denso Corp ガスセンサ素子の製造方法
DE102012202716A1 (de) 2011-02-22 2012-08-23 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gassensorelement und Gassensor
JP2012173146A (ja) * 2011-02-22 2012-09-10 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ素子及びガスセンサ
JP2012247293A (ja) * 2011-05-27 2012-12-13 Denso Corp ガスセンサ素子及びその製造方法、並びにガスセンサ
DE102012219555A1 (de) 2011-10-31 2013-05-02 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gassensorelement und Gassensor
JP2013104801A (ja) * 2011-11-15 2013-05-30 Denso Corp 被水検出素子及び被水検出センサ
WO2013084097A2 (ja) 2011-11-11 2013-06-13 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子及びガスセンサ
JP2014062889A (ja) * 2013-06-24 2014-04-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 被水検出装置および被水検出方法
DE102014115638A1 (de) 2013-10-29 2015-04-30 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gassensorelement, Gassensor, und Verfahren zur Herstellung eines Gassensorelements
US9291525B2 (en) 2012-11-13 2016-03-22 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gas sensor element and gas sensor
JP2016065850A (ja) * 2014-03-28 2016-04-28 日本碍子株式会社 膜接合構造体、その製法及びガスセンサ
EP2915591A4 (en) * 2012-10-31 2016-05-11 Hyundai Kefico Corp OXYGEN SENSOR HAVING A POROUS CERAMIC COATING LAYER FORMED THEREON AND METHOD FOR FORMING POROUS CERAMIC COATING LAYER
JP2016161414A (ja) * 2015-03-02 2016-09-05 株式会社デンソー ガスセンサ素子の製造方法
US9694387B2 (en) 2013-10-29 2017-07-04 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gas sensor element, gas sensor, and method of manufacturing gas sensor element
JP2017187482A (ja) * 2016-03-30 2017-10-12 日本碍子株式会社 センサ素子及びガスセンサ
CN112752971A (zh) * 2018-10-03 2021-05-04 日本碍子株式会社 传感器元件
JP2021156729A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 日本碍子株式会社 ガスセンサ素子の製造方法

Cited By (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006091009A (ja) * 2004-08-25 2006-04-06 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック電子機能部材、およびガスセンサ
JP2006210122A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Kyocera Corp セラミックヒータ素子及びそれを用いた検出素子
JP4583187B2 (ja) * 2005-01-27 2010-11-17 京セラ株式会社 セラミックヒータ素子及びそれを用いた検出素子
US7951277B2 (en) 2005-02-08 2011-05-31 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the same
JP2006250537A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Kyocera Corp ガスセンサー素子およびその製造方法
EP1717562A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-02 Sensirion AG A method for packaging integrated sensors
JP2006343297A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層型ガスセンサ素子及びガスセンサ
JP4570091B2 (ja) * 2005-06-10 2010-10-27 日本特殊陶業株式会社 積層型ガスセンサ素子及びガスセンサ
US7887684B2 (en) 2005-07-06 2011-02-15 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Lamination-type gas sensor element and gas sensor
JP2007033374A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ素子及びその製造方法並びにガスセンサ
JP4567547B2 (ja) * 2005-07-29 2010-10-20 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子及びその製造方法並びにガスセンサ
JP2007114004A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Hitachi Ltd 酸素センサ
JP2007163272A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ
JP4644109B2 (ja) * 2005-12-13 2011-03-02 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ
US8168053B2 (en) 2006-01-23 2012-05-01 Denso Corporation Gas sensing member used for gas sensor and method of manufacturing the member
DE102007000028B4 (de) 2006-01-23 2018-10-11 Denso Corporation Herstellungsverfahren für Gasmessfühler
JP2007218894A (ja) * 2006-01-23 2007-08-30 Denso Corp ガスセンサ素子
JP2007225592A (ja) * 2006-01-26 2007-09-06 Denso Corp 被水確認試験方法及び被水確認用粉末
US7631535B2 (en) 2006-01-26 2009-12-15 Denso Corporation Method of confirming reception of drops of water and powder used for the method
DE102007000038B4 (de) 2006-01-26 2021-07-22 Denso Corporation Verfahren zur Bestätigung der Aufnahme von Wassertropfen
JP2012093377A (ja) * 2007-02-05 2012-05-17 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサとその製造方法
JP2008216241A (ja) * 2007-02-05 2008-09-18 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサとその製造方法
JP2009080099A (ja) * 2007-09-07 2009-04-16 Denso Corp ガスセンサ素子及びその製造方法
JP2009080100A (ja) * 2007-09-07 2009-04-16 Denso Corp ガスセンサ
JP2009080110A (ja) * 2007-09-07 2009-04-16 Denso Corp ガスセンサ素子及びその製造方法
DE112008003751T5 (de) 2008-02-04 2011-03-10 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha, Toyota-shi Abgassensor
US8236155B2 (en) 2008-02-04 2012-08-07 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Exhaust gas sensor
WO2009098833A1 (en) * 2008-02-04 2009-08-13 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Exhaust gas sensor
DE102009017340B4 (de) 2008-04-14 2019-05-02 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Laminiertes Gassensorelement und Gassensor
DE102009017340A1 (de) 2008-04-14 2009-11-26 NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya-shi Laminiertes Gassensorelement und Gassensor
US8038861B2 (en) 2008-04-14 2011-10-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Laminated gas sensor element and gas sensor
DE102009032436A1 (de) 2008-07-09 2010-01-14 NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya-shi Gassensor
US8377273B2 (en) 2008-07-09 2013-02-19 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gas sensor
JP2012503859A (ja) * 2008-09-27 2012-02-09 ホツトセツト・ハイツパトローネン・ウント・ツーベヘール・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 技術目的のための電気加熱素子
JP2010169655A (ja) * 2008-12-22 2010-08-05 Nippon Soken Inc ガスセンサ素子及びこれを備えたガスセンサ
US8156815B2 (en) 2009-02-25 2012-04-17 Sensirion Ag Sensor in a moulded package and a method for manufacturing the same
DE102010040224A1 (de) 2009-09-04 2011-03-17 NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya-shi Laminiertes Gassensorelement, Gassensor mit einem laminierten Gassensorelement und Verfahren zum Herstellen eines laminierten Gassensorelements
JP2011053158A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層型ガスセンサ素子、積層型ガスセンサ素子を備えたガスセンサ、及び、積層型ガスセンサ素子の製造方法
US8287706B2 (en) 2009-09-04 2012-10-16 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Laminated gas sensor element, gas sensor equipped with laminated gas sensor element, and method for manufacturing laminated gas sensor element
DE102010040224B4 (de) 2009-09-04 2019-05-02 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Laminiertes Gassensorelement, Gassensor mit einem laminierten Gassensorelement und Verfahren zum Herstellen eines laminierten Gassensorelements
JP2010164591A (ja) * 2010-05-06 2010-07-29 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ素子及びガスセンサ
JP2012127728A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Denso Corp ガスセンサ素子の製造方法
JP2012189579A (ja) * 2011-02-22 2012-10-04 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ素子及びガスセンサ
DE102012202716A1 (de) 2011-02-22 2012-08-23 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gassensorelement und Gassensor
DE102012202716B4 (de) * 2011-02-22 2021-06-24 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gassensorelement und Gassensor
JP2012173146A (ja) * 2011-02-22 2012-09-10 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ素子及びガスセンサ
US8992752B2 (en) 2011-02-22 2015-03-31 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gas sensor element and gas sensor
JP2012247293A (ja) * 2011-05-27 2012-12-13 Denso Corp ガスセンサ素子及びその製造方法、並びにガスセンサ
US8721857B2 (en) 2011-05-27 2014-05-13 Denso Corporation Gas sensor element and its manufacturing method, and gas sensor employing the gas sensor element
DE102012219555B4 (de) * 2011-10-31 2021-02-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gassensorelement und Gassensor
US9080964B2 (en) 2011-10-31 2015-07-14 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gas sensor element and gas sensor
DE102012219555A1 (de) 2011-10-31 2013-05-02 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gassensorelement und Gassensor
WO2013084097A3 (ja) * 2011-11-11 2014-11-06 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子及びガスセンサ
US9234870B2 (en) 2011-11-11 2016-01-12 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gas sensor element, and gas sensor
WO2013084097A2 (ja) 2011-11-11 2013-06-13 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子及びガスセンサ
DE102012220745B4 (de) 2011-11-15 2022-03-10 Denso Corporation Wassererfassungselement und Wassererfassungssensor, der mit einem Wassererfassungselement ausgestattet ist
JP2013104801A (ja) * 2011-11-15 2013-05-30 Denso Corp 被水検出素子及び被水検出センサ
EP2915591A4 (en) * 2012-10-31 2016-05-11 Hyundai Kefico Corp OXYGEN SENSOR HAVING A POROUS CERAMIC COATING LAYER FORMED THEREON AND METHOD FOR FORMING POROUS CERAMIC COATING LAYER
US9291525B2 (en) 2012-11-13 2016-03-22 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gas sensor element and gas sensor
JP2014062889A (ja) * 2013-06-24 2014-04-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 被水検出装置および被水検出方法
US9753020B2 (en) 2013-10-29 2017-09-05 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gas sensor element, gas sensor, and method of manufacturing gas sensor element
US9694387B2 (en) 2013-10-29 2017-07-04 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gas sensor element, gas sensor, and method of manufacturing gas sensor element
DE102014115638A1 (de) 2013-10-29 2015-04-30 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gassensorelement, Gassensor, und Verfahren zur Herstellung eines Gassensorelements
DE102014115638B4 (de) 2013-10-29 2024-05-16 Niterra Co., Ltd. Gassensorelement, Gassensor, und Verfahren zur Herstellung eines Gassensorelements
JP2016065850A (ja) * 2014-03-28 2016-04-28 日本碍子株式会社 膜接合構造体、その製法及びガスセンサ
JP2016161414A (ja) * 2015-03-02 2016-09-05 株式会社デンソー ガスセンサ素子の製造方法
JP2017187482A (ja) * 2016-03-30 2017-10-12 日本碍子株式会社 センサ素子及びガスセンサ
CN112752971A (zh) * 2018-10-03 2021-05-04 日本碍子株式会社 传感器元件
CN112752971B (zh) * 2018-10-03 2023-12-12 日本碍子株式会社 传感器元件
JP2021156729A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 日本碍子株式会社 ガスセンサ素子の製造方法
JP7351783B2 (ja) 2020-03-27 2023-09-27 日本碍子株式会社 ガスセンサ素子の製造方法

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