JP2002544677A - 高キャパシタンスニオブ粉末及び電解キャパシターアノード - Google Patents

高キャパシタンスニオブ粉末及び電解キャパシターアノード

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Abstract

(57)【要約】 電解キャパシターのアノードにしたときに、このアノードのキャパシタンスが少なくとも６５，０００ＣＶ／ｇであるニオブ粉末を提供する。電解キャパシターのアノードにしたときにキャパシタンスが大きいフレーク状ニオブ粉末の製造方法も提供する。本発明はニオブと並んで他の金属、例えばバルブ金属に適用することもできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 ［発明の背景］ 本発明は、ニオブ粉末及びこのニオブ粉末を使用する電解キャパシター、並び
にこの粉末及び電解キャパシターの製造方法に関する。
【０００２】 長年にわたって、ニオブ電解キャパシターの開発が行われてきた。これは、様
々な他の金属と比較したときに、ニオブのコストが比較的安く且つその酸化物の
誘電率が大きいことによる。初めにこの分野の研究者は、タンタルキャパシター
のための代替物としてニオブを使用する可能性を考慮した。従って、多くの研究
は、タンタルをニオブで置き換えることの適当さについて決定している。
【０００３】 しかしながら、これらの研究のいくらかでは、ニオブには解決すべき重要な基
本的問題があり、従ってニオブはタンタルを許容可能に置換できないことを結論
づけている。（Ｊ． Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．、ｐ．４０８Ｃ、１
９７７年１２月を参照）。他の１つの研究では、固体電解キャパシターでのニオ
ブの使用は、電界結晶化のような様々な物理的及び機械的問題のためにあまり好
ましくないことを結論づけている。（Ｅｌｅｃｔｒｏｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｓｃ
ｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．１、ｐ．２７〜３７（１
９７４年）を参照）。更に、もう１つの研究では、陽極で形成されるニオブの不
動態フィルムの電気的性質が、タンタルで達成される電気的性質とは異なること
、及びニオブの使用が、タンタルでは存在しない問題をもたらすことを結論づけ
ている。（Ｅｌｅｃｒｏｃｈｉｍｉｃａ Ａｃｔ．、Ｖｏｌ．４０、Ｎｏ．１６
、ｐ．２６２３〜２６（１９９５年）を参照）。ニオブがタンタルの好ましい代
替物になるという当初の希望とは違って、電解キャパシターの市場において、ニ
オブはタンタルに取って代われないということが示されていた。
【０００４】 タンタル電解キャパシターと並んで、アルミニウム電解キャパシターの市場も
存在する。しかしながら、アルミニウム電解キャパシターの性能特性は、タンタ
ル電解キャパシターの性能特性とはかなり異なっている。
【０００５】 最近の電気回路は、比較的小さい等価直列抵抗（ＥＳＲ）及び等価直列インダ
クタンス（ＥＳＬ）を求めるようになってきている。ＩＣの性能はサブミクロン
の形状まで達しているので、比較的小さい供給電圧及びノイズ率が必要とされて
いる。同時に、ＩＣ速度の向上は比較的多くの電力を必要としている。これらの
矛盾した要求が、より良好な電力の取り扱いを必要としている。これは、電力供
給源を分配することによって達成することができるが、このようにするとノイズ
を打ち消すために比較的大きな電流が必要になる。ＩＣ速度の向上は、切り替え
時間を短くすること及び過渡電流を大きくすることも意味している。従って、電
気回路は過渡負荷共鳴を減少させるように設計しなければならない。これらの多
くの要求は、回路のキャパシタンスが十分に大きく且つＥＳＲ及びＥＳＬが小さ
い場合に、達成される。
【０００６】 アルミニウムキャパシターは典型的に、全てのタイプのキャパシターの中で最
も大きいキャパシタンスを提供する。ＥＳＲは、キャパシタンスが増加すると小
さくなる。従って現在では、上述の要求を満たすために、高キャパシタンスアル
ミニウムキャパシターの大きなバンクを使用している。しかしながら、アルミニ
ウムキャパシターは、小さいＥＳＲ及びＥＳＬという設計者の要求を実際には満
たしていない。液体電解質を伴うその機械的な構造は本質的に、高インピーダン
スで数百ミリオームのＥＳＲをもたらす。
【０００７】 ［発明の概略］ 本発明の特徴は、静電容量が大きいニオブ粉末を提供することである。
【０００８】 本発明の更なる特徴は、ニオブ粉末を提供することであり、このニオブ粉末は
好ましくは、高表面積で、ニオブ粉末を高キャパシタンスのキャパシターにする
ことを可能にする物性を有する。
【０００９】 本発明のもう１つの特徴は、低漏れ直流電流（ＤＣ ｌｅａｋａｇｅ）のキャ
パシターにされるニオブ粉末を提供することである。
【００１０】 本発明の更なる特徴及び利点については、以下に示す説明でその一部を示し、
また一部は説明から明らかになり、又は本発明を実施することによって理解でき
る。
【００１１】 本発明は、ニオブ粉末に関する。本発明のもう１つの面は、ＢＥＴ表面積が少
なくとも約５．１ｍ２／ｇの任意のニオブ粉末に関する。
【００１２】 本発明は、電解キャパシターのアノードにしたときに、このアノードのキャパ
シタンスが６２，０００ＣＶ／ｇ超になるニオブ粉末にも関する。
【００１３】 また本発明は、ニオブ粉末を微粉砕し、微粉砕されたニオブ粉末に脱酸素処理
処理を行い、そしてニオブ粉末の微粉砕を継続する工程を含む、フレーク状ニオ
ブ粉末を製造する方法に関する。
【００１４】 上述の一般的な説明及び以下の詳細な説明の両方が、単なる説明及び例示であ
り、特許請求の範囲に記載される本発明を更に説明することを意図していること
が理解される。
【００１５】 ［本発明の詳細な説明］ 本発明は、静電容量が大きいニオブ粉末に関する。
【００１６】 使用できるニオブは、任意のニオブ粉末、例えばフレーク状のもの、角張った
もの、ノジュラー状のもの、及びそれらの混合又は変形である。好ましくはニオ
ブ粉末（例えばフレーク状のもの、角張ったもの、ノジュラー状のもの、及びそ
れらの混合）のＢＥＴ表面積は少なくとも５．１ｍ２／ｇ、又は好ましくは少な
くとも５．５ｍ２／ｇ、より好ましくは少なくとも６．０ｍ２／ｇ、更により好
ましくは約６．０〜約１５．０ｍ２／ｇ、最も好ましくは約８．０〜約１５．０
ｍ２／ｇである。ＢＥＴ表面積の範囲は、塊状化させる前のニオブ粉末に基づい
ている。ニオブ粉末は水素化されていても水素化されていなくてもよい。またニ
オブ粉末は塊状化させることができる。
【００１７】 フレーク状ニオブ粉末に関して、このフレーク状ニオブ粉末は、平坦、プレー
ト状、及び／又はペレット状の形状で特徴付けられる。また、フレーク状ニオブ
粉末のアスペクト比（厚さに対する直径の比）は、約３〜約３００、好ましくは
約２００〜約３００でよい。フレーク状ニオブ粉末は、その形状によって表面積
を増加させている。フレーク状ニオブ粉末のＢＥＴ表面積は、好ましくは少なく
とも５．５ｍ２／ｇ、より好ましくは少なくとも約６．０ｍ２／ｇ、更により好
ましくは少なくとも約７．０ｍ２／ｇである。フレーク状ニオブ粉末の好ましい
ＢＥＴ表面積の範囲は、約６．０ｍ２／ｇ〜約１５．０ｍ２／ｇ、より好ましく
は約８．０ｍ２／ｇ〜約１２．０ｍ２／ｇ、又は約９．０ｍ２／ｇ〜約１１．０
ｍ２／ｇである。このＢＥＴ表面積は、塊状化させる前のフレーク状ニオブ粉末
に基づいている。
【００１８】 フレーク状ニオブ粉末は塊状化させることができる。フレーク状ニオブ粉末は
、水素化されていても水素化されていなくてもよい。塊状化フレーク状ニオブ粉
末は好ましくは、スコット密度が約３５ｇ／ｉｎ３未満、より好ましくは約１０
〜約３５ｇ／ｉｎ３である。非塊状化フレーク状ニオブ粉末は好ましくは、スコ
ット密度が約１２ｇ／ｉｎ３未満、より好ましくは約５ｇ／ｉｎ３未満である。
好ましくは、塊状化フレーク状ニオブ粉末の流動性は、８０ｍｇ／ｓ超、より好
ましくは約８０ｍｇ／ｓ〜約５００ｍｇ／ｓである。
【００１９】 一般にフレーク状ニオブ粉末は、ニオブインゴットを得て、これを水素ガスに
露出させて水素化で脆性にすることによって調製できる。その後、水素化された
インゴットは、破壊して角張った粉末にすることができる。これは例えば、ジョ
ークラッシャー及び衝撃ミルを１回又は複数回使用することによって行う。角張
った粉末は、酸浸出等によってその後清浄化することができる。減圧化での加熱
によって水素を除去し、ガス抜きした角張っている粉末を微粉砕することができ
る。これは例えば、撹拌ボールミルで行い、ここではエタノールのような流体媒
体（水性又は非水性）に粉末を分散させて、回転棒の作用によって動くステンレ
ス鋼ボールの衝撃でフレーク状粉末を作る。ここで媒体は、ステアリル酸等のよ
うな滑剤を含有することができる。水素脆性化を行い、その後でフレーク状体を
衝撃微粉砕することによって、様々な大きさのフレーク状体を製造することがで
きる。この衝撃微粉砕は例えば、流動層ジェットミル、Ｖｏｒｔｅｃミル、又は
他の適当な微粉砕工程の使用によって行う。
【００２０】 より詳細には、真空中での加熱によってニオブインゴットを水素化して、粉末
に粉砕される脆性インゴットを作る。粉末中の水素は随意に、真空中で粒子を加
熱することによって除去できる。粉末に微粉砕処理、好ましくは摩砕処理を行う
ことによって、様々なＢＥＴ表面積を達成できる。粉末のＢＥＴ表面積を比較的
大きくするためには一般に、比較的長い微粉砕時間が必要である。例えば、微粉
砕時間が約６０分間である場合、約１．０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積が達成できる
。比較的大きいＢＥＴ表面積を得るためには、比較的長い微粉砕時間が必要であ
り、約４〜約５ｍ２／ｇ又はそれよりも大きいＢＥＴ表面積を得るためには、磨
砕装置で約２４時間又はそれよりも長い期間にわたって微粉砕することが、その
ようなＢＥＴ表面積が大きいニオブ粉末を製造する１つの方法である。そのよう
な高表面積をもたらす場合、好ましくは３０−Ｓ Ｓｚｅｇｖａｒｉ磨砕装置で
、１，０００ポンドの３／１６インチＳＳ媒体及び約４０ポンドのニオブ粉末を
使用して、磨砕装置の回転速度を約１３０ｒｐｍに設定する。また磨砕装置は、
十分な量の媒体、例えば１３ガロン又はそれよりも多量のエタノールを保持する
ようにする。微粉砕処理の後でニオブ粉末に熱処理を行い、また好ましくは、ニ
オブ粉末がリンを含有して、熱処理の間の表面積の減少を最小化するのを補助す
るようにする。熱処理は、好ましくは表面の減少をもたらさずに、一般に塊状化
をもたらすのに十分な任意の温度で行える。使用できる熱処理の温度は、約１，
１００℃で３０分間である。しかしながら、温度及び時間を変更して、大きいＢ
ＥＴ表面積が減少しないことを確実できる。
【００２１】 好ましくはこのような微粉再処理では、微粉砕されたニオブ粉末を断続的に脱
酸素処理する。任意の脱酸素処理、例えばマグネシウム脱酸素処理を使用できる
。好ましくは高温マグネシウム脱酸素処理を使用する。他の脱酸素処理法、例え
ば限定するわけではないが、米国特許第４，９６０，４７１号明細書で示されて
いるようなゲッター組成物のようなゲッターによる方法を使用できる。この特許
明細書の記載はここで参照して本明細書の記載に含める。このタイプの脱酸素処
理法を使用する場合、そのような工程の後で、ニオブ粉末に酸浸出処理を行って
、全ての残留マグネシウムを除去できる。この後で、ニオブ粉末に更に微粉再処
理、例えば磨砕処理を行うことができる。任意の回数で行えるこれらの追加の工
程は好ましくは、高静電容量のフレーク状ニオブ粉末を製造するために使用する
。酸浸出を伴う又は伴わない脱酸素処理は、フレーク状粒子の破損及び断片化を
なくしはしないまでも減少させる能力を有し、従って比較的大きい表面積、及び
フレーク状ニオブ粉末をキャパシターのアノードにしたときの比較的大きい静電
容量を可能にする。
【００２２】 高温マグネシウム脱酸素処理のような脱酸素処理は好ましくは、更なる微粉砕
のために、ニオブ粉末を比較的延性にし又はニオブ粉末を比較的延性の状態に戻
す。いずれの理論にも限定されることは望まないが、脱酸素処理工程は、ニオブ
粉末から格子間酸素を除去し、またフレーク状ニオブへの応力を緩和させる能力
を有すると考える。格子間酸素は微粉砕時間の関数として増加し、与えられるフ
レークの表面での飽和濃度では、フレーク粒子の破損又は断片化をもたらすので
、脱酸素処理はこれらの問題を克服して、静電容量が比較的大きいフレーク状ニ
オブ粉末の形成を可能にする。好ましくは第１の脱酸素処理工程は、微粉再処理
の間にフレーク状ニオブ粉末のＢＥＴ表面積が約１．５ｍ２／ｇに達したら行い
、またその後の間欠的な工程で行うこと、例えばフレーク状ニオブ粉末のＢＥＴ
表面積が約４．５ｍ２／ｇに達したとき、及びフレーク状ニオブ粉末のＢＥＴ表
面積が約１０．０ｍ２／ｇに達したとき等に行うことができる。任意の回数の脱
酸素処理工程を行うことができ、好ましくは上述の加工硬化の問題が起こる前に
脱酸素処理を行うことが好ましい。マグネシウム脱酸素処理を使用する場合、マ
グネシウム脱酸素処理工程の間に、好ましくは全ニオブ重量の約４％〜約６％の
マグネシウムを使用する。またこのマグネシウム脱酸素処理工程の温度は、好ま
しくは約７００〜１，６００℃、より好ましくは約７５０〜９５０℃、最も好ま
しくは約７５０〜約８００℃である。好ましくはマグネシウム脱酸素処理は、ア
ルゴンのような不活性雰囲気中において行う。また、マグネシウム脱酸素処理は
一般に、フレーク状ニオブ粉末中の酸素の有意の部分を少なくとも除去するのに
十分な温度及び十分な時間で行う。より好ましくはマグネシウム脱酸素処理の期
間は、約２０分〜約３時間、より好ましくは約４５分〜約６０分である。使用す
るマグネシウムは一般に、このマグネシウム脱酸素処理において、気化して、例
えばＭｇＯ２として、例えば炉の低温の壁に堆積する。残った全てのマグネシウ
ムは好ましくは、任意の処理、例えば希硝酸及びフッ化水素酸の溶液での浸出に
よって実質的に除去する。
【００２３】 ニオブ粉末は随意に、酸素を含有してもよい。酸素含有量は約２，０００ｐｐ
ｍ又はそれ未満又はそれよりも多くてよい。例えばニオブ粉末の酸素含有率は、
約２，０００ｐｐｍ〜約６０，０００ｐｐｍでよい。あるいは、ニオブ又は任意
の他のタイプのニオブは酸素含有率が低くてもよく、例えば酸素含有率が１，０
００ｐｐｍ未満であってもよい。
【００２４】 更に、例えば単独又は酸素と組み合わせたリンのドーピングによって、ニオブ
粉末にリンを含有させてもよい。リンでのニオブ粉末のドーピングも随意である
。本発明の１つの態様では、ニオブ粉末のリンドーピングの量は約４００ｐｐｍ
未満、より好ましくは約１００ｐｐｍ未満、最も好ましくは約２５ｐｐｍ未満で
ある。他の従来の添加剤、例えば１又は複数のタイプのドーピング剤を導入する
こともできる。例えば本発明のニオブ粉末は、様々な量の窒素を含有することが
でき、例えば窒素含有率が約５ｐｐｍ〜２０，０００ｐｐｍ、より好ましくは約
１００ｐｐｍ〜約５，０００ｐｐｍでよい。ＰＣＴ国際公開ＷＯ９９／５７７３
９号明細書に記載の窒素の導入又はドーピング方法を使用することができる。こ
の特許明細書の記載はここで参照してその記載の全てを本明細書の記載に含める
。
【００２５】 上述の様々なニオブ粉末は、本発明のニオブ粉末を使用するキャパシターの電
気的性質によって更に特徴付けることができる。一般に本発明のニオブ粉末の電
気的性質は、ニオブ粉末を圧縮してアノードにし、圧縮されたニオブ粉末を適当
な温度で焼結させ、そしてこのアノードを陽極処理して、電解キャパシターのア
ノードを作り、このアノードの電気的性質を試験することによって試験される。
【００２６】 従って、本発明の他の態様は、本発明の窒素含有ニオブ粉末及び／又はニオブ
粉末から作られたキャパシターに関する。いくらかの本発明のニオブ粉末から作
られたアノードのキャパシタンスは約６２，０００ＣＶ／ｇ超でよい。
【００２７】 従って本発明は更に、電解キャパシターのアノードにしたときにキャパシタン
スが約６２，０００ＣＶ／ｇ超、より好ましくは約７０，０００ＣＶ／ｇ超にな
るニオブ粉末に関する。好ましくはニオブ粉末を電解キャパシターのアノードに
したときに、このアノードのキャパシタンスは、約６５，０００ＣＶ／ｇ〜約１
５０，０００ＣＶ／ｇ、より好ましくは約６５，０００ＣＶ／ｇ〜約１７５，０
００ＣＶ／ｇ、最も好ましくは約６５，０００ＣＶ／ｇ〜約２５０，０００ＣＶ
／ｇである。これらのキャパシタンスは以下の様式で測定され、またニオブ粉末
は以下の様式でアノードにする。
【００２８】 アノードを製造するためにタンタルを使用できる。タンタル容器を測定し（直
径０．２０１インチ×長さ０．４４６インチ）する。これは一方の端部で開放さ
れており、外側に溶接されたタンタルワイヤーを有する。タンタル容器に低Ｓｃ
ｏｔｔ密度ニオブフレーク粉末を自由充填し、計量し、そして焼結させる。焼結
温度は１，０００℃〜１，５００℃、好ましくは１，１００℃〜１，３００℃で
よい。焼結されたニオブ充填タンタル容器は、１０Ｖｆ〜５０Ｖｆ、好ましくは
２０Ｖｆ〜３５Ｖｆの形成電圧で陽極処理することができる。陽極処理及び焼結
をされたニオブ充填タンタル容器を、キャパシタンス（μＦ）について試験する
。空のタンタル容器のキャパシタンス（μＦ）を、ニオブ充填タンタル容器のキ
ャパシタンスから引いて、真のキャパシタンス（μＦ）の読みを得る。得られる
電気的解析の値はμＦＶ／ｇの単位で報告している。
【００２９】 本発明のキャパシターアノードの製造では、所望の性質を有するキャパシター
アノードの製造を可能にする焼結温度を使用している。好ましくは焼結温度は約
１，１００℃〜約１，７５０℃、より好ましくは約１，１００℃〜約１，４００
℃、最も好ましくは約１，１５０℃〜約１，３００℃である。
【００３０】 本発明のニオブ粉末から作られるアノードは好ましくは、約６０Ｖ未満、好ま
しくは約３０Ｖ〜約５０Ｖ、より好ましくは約４０Ｖの電圧で作られる。比較的
小さい形成電圧、例えば約３０Ｖ又はそれ未満の形成電圧も可能である。好まし
くは本発明のニオブ粉末から作られるアノードの作用電圧は、約４〜１６Ｖ、よ
り好ましくは約４〜約１０Ｖである。また本発明のニオブ粉末から作られるアノ
ードの漏れ直流電流は好ましくは、約５．０ｎａ／ＣＶ未満である。本発明の１
つの態様では、いくらかの本発明のニオブ粉末から作られるアノードの漏れ直流
電流は、約５．０ｎａ／ＣＶ〜約０．５０ｎａ／ＣＶである。
【００３１】 キャパシタンスが大きいこのニオブ粉末に関して、比較的大きい形成電圧及び
比較的大きい作用電圧を使用でき、例えば形成電圧としては約５０〜約８０Ｖ、
作用電圧として約１０〜約２０Ｖの電圧を使用できる。本発明の更なる利益は、
漏れ直流電流の改良、すなわちニオブのＢＥＴの増加に伴う安定な又は比較的小
さい漏れ直流電流である。
【００３２】 本発明は、表面に酸化ニオブフィルムを有する本発明のキャパシターにも関す
る。好ましくは、酸化ニオブフィルムは、五酸化ニオブフィルムを有する。
【００３３】 本発明のフレーク製造方法は、ニオブと並んで、フレーク状にすることができ
る任意の金属、例えばタンタルを包含するバルブ金属に適用可能である。比較的
大きいＢＥＴ表面積、フレーク状金属から作られるアノードの比較的大きいキャ
パシタンス、及び／又は関連する形成電圧、作用電圧及び改良された又は安定な
漏れ直流電流のような得られる利益も、本発明で考慮される部分である。
【００３４】 本発明のキャパシターは様々な用途、例えば自動車の電子機器；携帯電話；モ
ニター、マザーボード等のようなコンピューター用品；ＴＶ及びＣＲＴのような
消費電気機器；プリンター／コピー；電力源；モデム；ノート型コンピューター
；並びにディスクドライブで使用することができる。
【００３５】 以下の例によって本発明をより明確にする。これらの例は本発明を例示するこ
とを意図している。
【００３６】 ［試験方法］ キャパシタンス 方法Ａ：フレーク状体 ＣＶ／ｇ 電気的測定 ［１］アノード調製： （ａ）それぞれの番号の試料粉末をＴａの容器に入れる。 （１）粉末を充填する前に、それぞれの容器を計量する。 （２）粉末を詰め込まないで、容器を粉末で満たす。 （３）粉末を充填された容器を計量する。 ［２］アノード焼結： （ａ）１，３００℃で１０分間（特徴「Ａ」） （ｂ）それぞれの番号の粉末を充填されている容器及び１つの空の容器を、個
々の容器の識別ができるようにして、大きいトレイに乗せる。 ［３］３５Ｖ−Ｅｆ評価： （ａ）６０℃／０．１％Ｈ３ＰＯ４電解質で３５Ｖ−Ｅｆ ２Ｖ／５分又は２０ｍＡ／ｇの一定電流 ［４］漏れ直流電流（ＤＣ Ｌｅａｋａｇｅ）／キャパシタンス−ＥＳＲ試験： （ａ）漏れ直流電流試験 試験電圧はＥｆの７０％（２４．５Ｖの直流電流） 充電時間６０秒 ２１℃で１０％のＨ３ＰＯ４ （ｂ）キャパシタンス−ＤＦ試験 ２１℃で１８％のＨ２ＳＯ４ １２０Ｈｚ
【００３７】 キャパシタンス 方法Ｂ：フレーク状粉末 ＣＶ／ｇ 電気的測定 ［１］アノード製造： （ａ）２．５及び３．０Ｄｐ （ｂ）Ｎｂの０．０２５インチの「伸張導線」を使用する非潤滑粉末 （ｃ）寸法：直径０．１９７インチ、長さ０．２３０インチ （ｄ）粉末重量：３４０ｍｇ ［２］アノード焼結（１０分／Ａ勾配）： （ａ）１，１００℃×１０分 （ｂ）１，２００℃×１０分 （ｃ）１，３００℃×１０分 ［３］３５Ｖ−Ｅｆ陽極酸化処理： （ａ）６０℃／０．１％Ｈ３ＰＯ４電解質で３５Ｖ−Ｅｆ ５０ｍＡ／ｇの一定電流 ［４］漏れ直流電流／キャパシタンス−ＥＳＲ試験： （ａ）漏れ直流電流試験 試験電圧はＥｆの７０％（２４．５Ｖの直流電流） 充電時間６０秒 ２１℃で１０％のＨ３ＰＯ４ （ｂ）キャパシタンス−ＤＦ試験 ２１℃で１８％のＨ２ＳＯ４ １２０Ｈｚ ［５］５０Ｖ−Ｅｆ陽極酸化処理： （ａ）６０℃／０．１％Ｈ３ＰＯ４電解質で５０Ｖ−Ｅｆ ５０ｍＡ／ｇの一定電流 ［６］漏れ直流電流／キャパシタンス−ＥＳＲ試験： （ａ）漏れ直流電流試験 試験電圧はＥｆの７０％（３５Ｖの直流電流） 充電時間６０秒 ２１℃で１０％のＨ３ＰＯ４ （ｂ）キャパシタンス−ＤＦ試験 ２１℃で１８％のＨ２ＳＯ４ １２０Ｈｚ
【００３８】 スコット密度、酸素解析、リン解析、及びＢＥＴ表面積解析は、米国特許第５
，０１１，７４２号、同第４，９６０，４７１号、及び同第４，９６４，９０６
号明細書で示される方法に従って行った。これら全ての特許明細書の記載は、こ
こで参照することによって本発明の記載に含める。
【００３９】 例１〜１０ 電子ビームで作ったニオブインゴットを、１０−４Ｔｏｒｒの減圧下で１，０
５０℃に加熱し、１５分間にわたって１，０５０℃に維持し、そして減圧下で６
００℃までインゴットを冷却することによって水素化した。インゴットが６００
℃になったら、炉に入る水素分圧を下げて２００ｓｃｆｈにし、この水素分圧流
れで４８時間にわたってインゴットを冷却した。減圧を−２８ｍｍＨｇまで行っ
て、アルゴンで−５ｍｍＨｇまで再び満たした。作用熱電対によって測定したと
きの温度が安定化するまで、圧力を維持した。空気を徐々に導入して圧力を徐々
に増加させ、作業温度が上昇しないようにした。脆性化したインゴットを、ジョ
ークラッシャー粉砕して角張った粉末にし、衝撃ミルで処理し、そして空気分級
器で分級して５〜８０μｍにした。粒子から放出される水素によって圧力が影響
を受けなくなるまで、大きさが小さくなった水素含有粒子を減圧下で７００℃に
加熱することによって、粒子から水素を除去した。
【００４０】 脱ガス処理した角張った粉末を３０−Ｓ Ｓｚｅｇｖａｒｉ撹拌ボール磨砕装
置（１３０ｒｐｍで６時間）で処理した。ここでは、１５ガロンのエタノール媒
体及び１，０００ポンドの３／１６インチ４４０Ｃステンレス鋼媒体中に分散し
た粉末を、回転棒の作用によって動かされるステンレス鋼ボールの衝撃によって
フレーク状粉末にした。この初期微粉砕の後では、フレーク状ニオブ粉末の表面
積が約１．５ｍ２／ｇであることが測定された。フレーク状ニオブ粉末は、ニオ
ブの約４〜約６ｗｔ％のマグネシウムを使用してマグネシウム脱酸素処理した。
マグネシウム脱酸素処理は約８００℃の温度で約６０分間にわたって行った。フ
レーク状ニオブ粉末を取り出し、酸浸出して全ての残留マグネシウムを除去した
。この酸浸出は、４０ポンドのフレーク状ニオブ、４００ｇ／ポンドの脱イオン
水の氷、２００ｍｌ／ポンドの硝酸及び２ｍｌ／ポンドのフッ化水素酸を含有す
るスラリーを作り、そしてこすこと及びすすぐことによって導電率を５０μｈｏ
ｓにして行った。その後、フレーク状ニオブ粉末を１−Ｓ Ｓｚｅｇｖａｒｉ撹
拌ボール磨砕装置に再び導入し、それぞれの例について表１で示すパラメータに
従って更に微粉砕した。それぞれの例において、微粉砕の間の平均エタノールス
ラリー温度は、約８５°Ｆであり、微粉砕速度は約３５０ｒｐｍであった。それ
ぞれの例についての可変要素及び結果が表１に示されている。表に示すそれぞれ
の例において、２／３ガロンのエタノール及び随意に約１ｗｔ％（２．５ｇ）の
量のステアリル酸中の４０ポンドの３／１６インチ４４０Ｃステンレス鋼媒体を
使用して、０．５ポンドの脱酸素処理されたフレーク状ニオブ粉末をボールミル
処理した。
【００４１】
【表１】 ａＥｔＯＨ及びステアリル酸
【００４２】 所望のようにフレーク状にした後で、ニオブ粉末を取り出し、洗浄して存在す
る全てのアルコールを除去した。その後、ニオブ粉末を、７５０ｍｌ／ポンドの
脱イオン水、１０ｍｌ／ポンドのフッ化水素酸、３５０／７５０ｍｌ／ポンドの
硝酸及び７５０ｍｌ／ポンドの塩化水素酸の混合物で洗浄して、炭素及び金属（
例えばステンレス鋼ボールとの接触でもたらされる鉄、ニッケル、クロム等）の
汚染物質を除去した。ここでこれらの混合物成分の量は、ニオブの量（ポンド）
に基づいている。酸濃度は、ＨＣｌが約３０％、ＨＮＯ３が約６８〜７０％、Ｈ
Ｆが約４８〜５１％であった。その後、ニオブ粉末を脱イオン水で再び洗浄し、
乾燥させた。酸洗浄したフレーク状粉末は、空気中において１５０°Ｆ（６５℃
）で乾燥させた。
【００４３】 様々なロットのニオブ粉末を、直径０．６ｍｍのニオブ導線の周囲で直径５ｍ
ｍのアノード型内に入れ、密度を３．５ｇ／ｃｃにした。圧縮されたニオブ粉末
の飼料を、表１に示す温度で１０分間にわたって、減圧下（１０−３Ｐａ未満）
において焼結させ、表１に示す形成電圧で２０ｍＡ／ｇの定常電流を、０．１ｗ
ｔ％のリン酸に浸漬させたアノードに提供することによって陽極処理して、電解
キャパシターのアノードを作り、これを洗浄して乾燥させた。１８ｗｔ％の硫酸
に浸漬させたアノードについての測定で評価された性能特性は、表１に示してい
る。１２０Ｈｚの周波数で決定されたキャパシタンスは、マイクロファラッド・
ボルト／グラム（ＣＶ／ｇ）及びマイクロファラッド・ボルト／アノード体積の
立方センチメートル（ＣＶ／ｃｃ）で報告し、３５Ｖの電圧を加えて１分後に測
定される漏れ直流電流は、ナノアンペア／マイクロファラッド・ボルト（ｎＡ／
ＣＶ）で報告している。
【００４４】 様々な例のＢＥＴ表面積とキャパシタンスを示している図１及び表１から理解
されるように、ニオブ粉末から作られたアノードのキャパシタンスは、フレーク
状ニオブ粉末を破損させずに比較的長期間にわたって微粉砕を行うことを可能に
する本発明の方法を使用することによって、かなり増加している。表１から理解
されるように、２０Ｖの形成電圧を使用して、１，１５０℃で焼結させたフレー
ク状ニオブ粉末からアノードを作る場合、キャパシタンスは２０４，４９８ＣＶ
／ｇであった。更に、アルコール、好ましくはエタノールと、ステアリル酸のよ
うな滑剤を使用することの利益も観察されている。
【００４５】 本発明の他の態様は、本明細書の記載を参照すること及び本明細書の記載で示
された本発明の実施を考慮することによって当業者に明らかである。本明細書の
説明及び例は単なる例示であり、本発明の実際の範囲及び本質は特許請求の範囲
で示されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、ニオブ粉末のＢＥＴ表面積と、それらをアノードにして１，１５０℃
又は１，３００℃で焼結したときのキャパシタンスとを示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２２Ｆ 9/04 Ｃ２２Ｃ 27/02 １０２Ｚ Ｃ２２Ｃ 27/02 １０２ Ｃ２３Ｇ 1/10 Ｃ２３Ｇ 1/10 Ｃ２５Ｄ 11/26 ３０３ Ｃ２５Ｄ 11/26 ３０３ Ｈ０１Ｇ 9/05 Ｈ Ｈ０１Ｇ 9/00 9/24 Ｃ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ， ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＲ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ， ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，Ｋ Ｒ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ， ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，Ｓ Ｉ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ファイフ，ジェームズ エー． アメリカ合衆国，サウス カロライナ 29575，マイルトル ビーチ，インバーネ ス コート 1352 Ｆターム(参考） 4K017 AA04 BA07 BB13 DA08 EA03 4K018 AA40 BA20 BC10 DA21 KA39 4K053 PA09 PA17 QA04 QA07 RA16 RA17 RA19 ZA10

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電解キャパシターのアノードにしたときに、このアノードの
    キャパシタンスが少なくとも６５，０００ＣＶ／ｇである、ニオブ粉末。
  2. 【請求項２】 前記アノードのキャパシタンスが６５，０００〜約２５０，
    ０００ＣＶ／ｇである、請求項１に記載のニオブ粉末。
  3. 【請求項３】 前記アノードのキャパシタンスが約７５，０００〜約２５０
    ，０００ＣＶ／ｇである、請求項１に記載のニオブ粉末。
  4. 【請求項４】 前記アノードのキャパシタンスが約１００，０００〜約２５
    ０，０００ＣＶ／ｇである、請求項１に記載のニオブ粉末。
  5. 【請求項５】 前記アノードのキャパシタンスが約１２５，０００〜約２５
    ０，０００ＣＶ／ｇである、請求項１に記載のニオブ粉末。
  6. 【請求項６】 前記アノードのキャパシタンスが約１００，０００〜約２１
    ０，０００ＣＶ／ｇである、請求項１に記載のニオブ粉末。
  7. 【請求項７】 ＢＥＴ表面積が少なくとも約５．５ｍ２／ｇである、ニオブ
    粉末。
  8. 【請求項８】 ＢＥＴ表面積が少なくとも約７．０ｍ２／ｇである、請求項
    ７に記載のニオブ粉末。
  9. 【請求項９】 ＢＥＴ表面積が少なくとも約１０ｍ２／ｇである、請求項７
    に記載のニオブ粉末。
  10. 【請求項１０】 ＢＥＴ表面積が６．０ｍ２／ｇ〜約１２ｍ２／ｇである、
    請求項７に記載のニオブ粉末。
  11. 【請求項１１】 リン含有率が約４００ｐｐｍ未満である、請求項１〜１０
    のいずれかに記載のニオブ粉末。
  12. 【請求項１２】 窒素でドーピングされている、請求項１〜１１のいずれか
    に記載のニオブ粉末。
  13. 【請求項１３】 窒素含有率が少なくとも約１００ｐｐｍである、請求項１
    〜１１のいずれかに記載のニオブ粉末。
  14. 【請求項１４】 窒素含有率が約１００ｐｐｍ〜約５，０００ｐｐｍである
    、請求項１〜１１のいずれかに記載のニオブ粉末。
  15. 【請求項１５】 窒素含有率が約１００ｐｐｍ〜２０，０００ｐｐｍである
    、請求項１〜１１のいずれかに記載のニオブ粉末。
  16. 【請求項１６】 フレーク状窒素粉末を含む、請求項１〜１５のいずれかに
    記載のニオブ粉末。
  17. 【請求項１７】 請求項１〜１６のいずれかに記載のニオブ粉末を有するキ
    ャパシター。
  18. 【請求項１８】 請求項１〜１６のいずれかに記載のニオブ粉末を含む組成
    物から調製されたキャパシター。
  19. 【請求項１９】 前記粉末を約１，２００〜約１，７５０℃の温度で焼結さ
    せた、請求項１８に記載のキャパシター。
  20. 【請求項２０】 ニオブチップを微粉砕してフレーク状ニオブ粉末を作り、
    このフレーク状ニオブ粉末に脱酸素処理を行い、そしてこのフレーク状ニオブ粉
    末の微粉砕を継続することを含む、フレーク状ニオブ粉末の製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記フレーク状ニオブ粉末の微粉砕の間に、前記フレーク
    状ニオブ粉末の脱酸素処理を１又は複数回行う、請求項２０に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記脱酸素処理が無機脱酸素処理を含む、請求項２０に記
    載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記脱酸素処理がマグネシウム脱酸素処理である、請求項
    ２０に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 ニオブの約４ｗｔ％〜約６ｗｔ％のマグネシウムをマグネ
    シウム脱酸素処理で使用し、この脱酸素処理を約７００℃〜約１，６００℃の温
    度で行う、請求項２３に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記フレーク状ニオブ粉末の微粉砕を継続する前に、全て
    の残留マグネシウムを実質的に除去する、請求項２３に記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記残留マグネシウムを酸浸出によって除去する、請求項
    ２５に記載の方法。
  27. 【請求項２７】 前記フレーク状ニオブ粉末の脱酸素処理の前に、最初の前
    記微粉砕を約２時間〜約８時間にわたって行う、請求項２０に記載の方法。
  28. 【請求項２８】 前記フレーク状ニオブ粉末の脱酸素処理の前に、前記フレ
    ーク状ニオブ粉末のＢＥＴ表面積が少なくとも約１．５ｍ２／ｇになっている、
    請求項２０に記載の方法。
  29. 【請求項２９】 前記微粉砕を磨砕ミルで行う、請求項２０に記載の方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005264330A (ja) * 2004-03-04 2005-09-29 Wc Heraeus Gmbh 高温安定性ニオブワイヤ
JP2007511667A (ja) * 2003-06-10 2007-05-10 キャボット　コーポレイション タンタル粉末およびその製造方法
JP2008504436A (ja) * 2004-06-24 2008-02-14 ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッド 改善された物理的性質および電気的性質を有するバルブメタルの製造
JP2011023745A (ja) * 1999-05-12 2011-02-03 Cabot Corp 高キャパシタンスニオブ粉末及び電解キャパシターアノード

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6576038B1 (en) * 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
KR20010113845A (ko) 1999-03-19 2001-12-28 마싸 앤 피네간 밀링에 의한 니오븀 및 기타 금속 분말의 제조
US6960237B2 (en) * 1999-07-15 2005-11-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using the same
US6432161B1 (en) * 2000-02-08 2002-08-13 Cabot Supermetals K.K. Nitrogen-containing metal powder, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the metal powder
WO2002037513A2 (en) * 2000-11-06 2002-05-10 Cabot Corporation Modified oxygen reduced valve metal oxides
AU2002224129A1 (en) * 2000-11-30 2002-06-11 Showa Denko K K Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
JP5020433B2 (ja) * 2000-11-30 2012-09-05 昭和電工株式会社 コンデンサ用ニオブ粉、焼結体及びその焼結体を用いたコンデンサ
WO2002045107A1 (en) * 2000-12-01 2002-06-06 Showa Denko K. K. Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
US7210641B2 (en) * 2001-02-28 2007-05-01 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
US7274552B2 (en) 2001-03-16 2007-09-25 Showa Denko K.K. Niobium for capacitor and capacitor using sintered body of the niobium
JP2004076063A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Kawatetsu Mining Co Ltd ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ
JP2004143477A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Cabot Supermetal Kk ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ
US7157073B2 (en) 2003-05-02 2007-01-02 Reading Alloys, Inc. Production of high-purity niobium monoxide and capacitor production therefrom
WO2004103906A2 (en) 2003-05-19 2004-12-02 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US7142409B2 (en) * 2003-07-28 2006-11-28 Cabot Corporation Nitrided valve metal material and method of making same
US6965510B1 (en) 2003-12-11 2005-11-15 Wilson Greatbatch Technologies, Inc. Sintered valve metal powders for implantable capacitors
DE102004024026A1 (de) * 2004-03-11 2005-09-29 W.C. Heraeus Gmbh Katalysator zur N2O-Zersetzung beim Ostwaldprozess
US20050202966A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 W.C. Heraeus Gmbh Catalyst for the decomposition of N2O in the Ostwald process
US20050225927A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-13 Tagusagawa Solon Y Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom
US20060260437A1 (en) * 2004-10-06 2006-11-23 Showa Denko K.K. Niobium powder, niobium granulated powder, niobium sintered body, capacitor and production method thereof
JP4743507B2 (ja) 2004-11-29 2011-08-10 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ
US7099143B1 (en) * 2005-05-24 2006-08-29 Avx Corporation Wet electrolytic capacitors
WO2007020464A1 (en) 2005-08-19 2007-02-22 Avx Limited Solid state capacitors and method of manufacturing them
GB0517952D0 (en) * 2005-09-02 2005-10-12 Avx Ltd Method of forming anode bodies for solid state capacitors
US8257463B2 (en) * 2006-01-23 2012-09-04 Avx Corporation Capacitor anode formed from flake powder
JP2007266573A (ja) * 2006-02-28 2007-10-11 Sanyo Electric Co Ltd 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサの製造方法
US7511943B2 (en) * 2006-03-09 2009-03-31 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a cathode coating
US7480130B2 (en) * 2006-03-09 2009-01-20 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
CZ306436B6 (cs) * 2006-05-05 2017-01-25 Cabot Corporation Tantalový prášek a způsob jeho výroby a anoda elektrolytického kondenzátoru
GB0622463D0 (en) * 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
US7460356B2 (en) * 2007-03-20 2008-12-02 Avx Corporation Neutral electrolyte for a wet electrolytic capacitor
US7554792B2 (en) * 2007-03-20 2009-06-30 Avx Corporation Cathode coating for a wet electrolytic capacitor
US7649730B2 (en) * 2007-03-20 2010-01-19 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes
DE102007046899B3 (de) * 2007-09-28 2009-02-12 W.C. Heraeus Gmbh Stromdurchführung durch Keramikbrenner in Halogen-Metalldampflampen
US7760487B2 (en) * 2007-10-22 2010-07-20 Avx Corporation Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes
US7852615B2 (en) * 2008-01-22 2010-12-14 Avx Corporation Electrolytic capacitor anode treated with an organometallic compound
US7768773B2 (en) * 2008-01-22 2010-08-03 Avx Corporation Sintered anode pellet etched with an organic acid for use in an electrolytic capacitor
US7760488B2 (en) * 2008-01-22 2010-07-20 Avx Corporation Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor
US20100085685A1 (en) * 2008-10-06 2010-04-08 Avx Corporation Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates
US8430944B2 (en) * 2008-12-22 2013-04-30 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Fine particle recovery methods for valve metal powders
US8203827B2 (en) * 2009-02-20 2012-06-19 Avx Corporation Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment
JP6223542B2 (ja) * 2013-03-13 2017-11-01 ケメット エレクトロニクス コーポレーション 薄片粉末を製造するための低エネルギーの粉砕
JP6412501B2 (ja) * 2013-10-08 2018-10-24 昭和電工株式会社 ニオブ造粒粉末の製造方法
EP3895832B1 (en) * 2016-08-12 2022-12-28 COMPOSITE MATERIALS TECHNOLOGY, Inc. Electrolytic capacitor and method for improved electrolytic capacitor anodes
US20180144874A1 (en) 2016-10-21 2018-05-24 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Tantalum Powder, Anode, And Capacitor Including Same, And Manufacturing Methods Thereof
WO2020027874A2 (en) 2018-03-05 2020-02-06 Global Advanced Metals Usa, Inc. Spherical tantalum powder, products containing the same, and methods of making the same
EP3746238A1 (en) 2018-03-05 2020-12-09 Global Advanced Metals USA, Inc. Anodes containing spherical powder and capacitors
KR20210100674A (ko) 2018-12-12 2021-08-17 글로벌 어드밴스드 메탈스 유에스에이, 아이엔씨. 구형 니오브 합금 분말, 그를 함유하는 생성물, 및 그의 제조 방법
BR102020016774A2 (pt) 2020-08-17 2022-02-22 Fras-Le S.A. Preparado de nanopartículas de nióbio, uso e processo para sua obtenção
CN115156542B (zh) * 2022-07-09 2023-09-05 湖南宏承新材料科技有限公司 一种低氧铌粉的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998019811A1 (en) * 1996-11-07 1998-05-14 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
JP2000119710A (ja) * 1998-10-13 2000-04-25 Hc Starck Gmbh & Co Kg ニオブ粉末、及びニオブ粉末及び／又はタンタル粉末の製造方法
WO2000067936A1 (en) * 1998-05-06 2000-11-16 H.C. Starck, Inc. Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium
JP2002544375A (ja) * 1998-05-06 2002-12-24 エイチ・シー・スタルク・インコーポレーテツド 気体状マグネシウムを用いる酸化物の還元により製造される金属粉末

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US541253A (en) * 1895-06-18 sttjhler
US2882233A (en) * 1956-03-02 1959-04-14 Kurt O Otley Forming electrolyte for capacitors
US3169882A (en) 1960-10-05 1965-02-16 Ransburg Electro Coating Corp Electrostatic coating methods and apparatus
CH396213A (de) * 1961-01-10 1965-07-31 Ciba Geigy Verfahren zur Herstellung von Anoden für Elektrolytkondensatoren
GB1123015A (en) 1964-08-07 1968-08-07 Union Carbide Corp A process for producing sintered anodes
US3630718A (en) 1965-06-25 1971-12-28 Starck Hermann C Fa NONPYROPHORIC METAL POWDER OF A METAL FROM THE GROUP IVb, Vb AND VIb OR THE ACTINIUM SERIES OF THE PERIODIC TABLE
CH515996A (de) 1968-06-06 1971-11-30 Starck Hermann C Fa Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal
US3635693A (en) 1969-01-27 1972-01-18 Starck Hermann C Fa Method of producing tantalum or niobium powder from compact bodies
US3849124A (en) * 1969-12-05 1974-11-19 Norton Co Capacitor powder
DE2461865A1 (de) * 1974-12-30 1976-07-08 Softal Elektronik Gmbh Vorrichtung zur elektrischen vorbehandlung von leitenden und nichtleitenden materialien
DE2517180C3 (de) 1975-04-18 1979-04-19 Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von feinem hochkapazitiven Erdsäuremetallpulver für Elektrolytkondensatoren
US4009007A (en) 1975-07-14 1977-02-22 Fansteel Inc. Tantalum powder and method of making the same
US4017302A (en) 1976-02-04 1977-04-12 Fansteel Inc. Tantalum metal powder
US4164455A (en) * 1976-04-05 1979-08-14 Corning Glass Works Process of forming a solid tantalum capacitor
GB1549702A (en) 1976-07-08 1979-08-08 Ncr Inc Metal powder production
JPS5345660A (en) 1976-10-05 1978-04-24 Starck Hermann C Fa Tantalum and niobium powder manufacture
US4084965A (en) 1977-01-05 1978-04-18 Fansteel Inc. Columbium powder and method of making the same
US4141720A (en) 1978-05-16 1979-02-27 Nrc, Inc. Tantalum powder reclaiming
US4149876A (en) 1978-06-06 1979-04-17 Fansteel Inc. Process for producing tantalum and columbium powder
JPS5739043A (en) 1980-08-19 1982-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Changeover metallic mold
DE3130392C2 (de) 1981-07-31 1985-10-17 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden
US4356028A (en) 1981-08-24 1982-10-26 Fansteel Inc. In situ phosphorus addition to tantalum
DE3140248C2 (de) 1981-10-09 1986-06-19 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verwendung von dotiertem Ventilmetallpulver für die Herstellung von Elektrolytkondensatoranoden
SU1057995A1 (ru) 1981-12-05 1983-11-30 Предприятие П/Я А-3529 Способ изготовлени объемно-пористого анода электролитического конденсатора
JPS58154221A (ja) 1982-03-10 1983-09-13 株式会社東芝 ニオブ電解コンデンサの製造方法
DE3232245A1 (de) 1982-08-30 1984-03-01 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verbesserung der fliessfaehigkeit und erhoehung der schuettdichte von hochkapazitiven ventilmetallpulvern
US4441927A (en) 1982-11-16 1984-04-10 Cabot Corporation Tantalum powder composition
DE3309891A1 (de) 1983-03-18 1984-10-31 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur herstellung von ventilmetallanoden fuer elektrolytkondensatoren
DE3336453C2 (de) 1983-10-06 1985-11-28 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Oberflächenvergrößerung von Niob und Tantal in Form von agglomerierten oder nicht agglomerierten Pulvern
JPS60121207A (ja) 1983-12-01 1985-06-28 Toyo Soda Mfg Co Ltd 超微粒子の製造方法
US4544403A (en) 1984-11-30 1985-10-01 Fansteel Inc. High charge, low leakage tantalum powders
US4555268A (en) 1984-12-18 1985-11-26 Cabot Corporation Method for improving handling properties of a flaked tantalum powder composition
US4684399A (en) 1986-03-04 1987-08-04 Cabot Corporation Tantalum powder process
US4758929A (en) 1986-11-08 1988-07-19 Showa Denki Kabushiki Kaisha Solid electrolyte capacitor and process for preparation thereof
US4722756A (en) 1987-02-27 1988-02-02 Cabot Corp Method for deoxidizing tantalum material
US4740238A (en) 1987-03-26 1988-04-26 Fansteel Inc. Platelet-containing tantalum powders
SU1556420A1 (ru) 1987-07-28 1994-02-28 Научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности Материал для анодов электролитических и оксидно-полупроводниковых конденсаторов
JPS6484656A (en) 1987-09-28 1989-03-29 Toshiba Corp Semiconductor device capacitor
US4940490A (en) 1987-11-30 1990-07-10 Cabot Corporation Tantalum powder
US5580367A (en) 1987-11-30 1996-12-03 Cabot Corporation Flaked tantalum powder and method of using same flaked tantalum powder
US5211741A (en) 1987-11-30 1993-05-18 Cabot Corporation Flaked tantalum powder
US5261942A (en) 1987-11-30 1993-11-16 Cabot Corporation Tantalum powder and method of making same
DE3820960A1 (de) 1988-06-22 1989-12-28 Starck Hermann C Fa Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung
US5242481A (en) 1989-06-26 1993-09-07 Cabot Corporation Method of making powders and products of tantalum and niobium
US5234491A (en) 1990-05-17 1993-08-10 Cabot Corporation Method of producing high surface area, low metal impurity
DE4214722C2 (de) * 1992-05-04 1994-08-25 Starck H C Gmbh Co Kg Feinteilige Metallpulver
US5245514A (en) 1992-05-27 1993-09-14 Cabot Corporation Extruded capacitor electrode and method of making the same
US5284531A (en) 1992-07-31 1994-02-08 Cabot Corporation Cylindrical metal fibers made from tantalum, columbium, and alloys thereof
US5448447A (en) * 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
US5412533A (en) 1993-06-22 1995-05-02 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
DE4404747C2 (de) * 1994-02-15 1995-12-14 Starck H C Gmbh Co Kg Herstellung von Reinstmetallpulver aus Metallalkoxiden
US6185090B1 (en) 1997-01-29 2001-02-06 Vishay Sprague, Inc. Method for doping sintered tantalum and niobium pellets with nitrogen
KR100511027B1 (ko) * 1997-02-19 2005-08-31 하.체. 스타르크 게엠베하 탄탈 분말, 그의 제조 방법 및 그로부터 얻어진 소결 양극
JP3254163B2 (ja) * 1997-02-28 2002-02-04 昭和電工株式会社 コンデンサ
US5998523A (en) † 1997-07-18 1999-12-07 The Dow Chemical Company Composition comprising a metal salt and metal powder therefrom by the calcining thereof
US6024914A (en) * 1997-09-01 2000-02-15 Nec Corporation Process for production of anode for solid electrolytic capacitor
US6051044A (en) * 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
DE19831280A1 (de) 1998-07-13 2000-01-20 Starck H C Gmbh Co Kg Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern
JP3196832B2 (ja) * 1998-05-15 2001-08-06 日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US6576038B1 (en) * 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
KR100663071B1 (ko) 1998-08-05 2007-01-02 쇼와 덴코 가부시키가이샤 콘덴서용 니오브 소결체 및 제조방법
JP2000082639A (ja) 1998-09-04 2000-03-21 Nec Corp Ｎｂコンデンサの製造方法
US6391275B1 (en) * 1998-09-16 2002-05-21 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
ATE343844T1 (de) * 1998-12-15 2006-11-15 Showa Denko Kk Niobkondensator und verfahren zu dessen herstellung
JP4420568B2 (ja) * 1999-02-16 2010-02-24 昭和電工株式会社 ニオブ粉、ニオブ焼結体、該焼結体を用いたコンデンサおよびそのコンデンサの製造方法
KR20010113845A (ko) * 1999-03-19 2001-12-28 마싸 앤 피네간 밀링에 의한 니오븀 및 기타 금속 분말의 제조
US6558447B1 (en) * 1999-05-05 2003-05-06 H.C. Starck, Inc. Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium
US6375704B1 (en) * 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
US6960237B2 (en) 1999-07-15 2005-11-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using the same
JP3585791B2 (ja) * 1999-11-04 2004-11-04 Ｎｅｃトーキン株式会社 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法及びその製造方法に用いられる連続焼結装置
US6563695B1 (en) * 1999-11-16 2003-05-13 Cabot Supermetals K.K. Powdered tantalum, niobium, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the powdered tantalum or niobium
AU2001239946B2 (en) * 2000-03-01 2004-12-16 Cabot Corporation Nitrided valve metals and processes for making the same
US6540810B2 (en) * 2000-04-21 2003-04-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder for capacitor, sintered body using the powder and capacitor using the same
AU2002224129A1 (en) 2000-11-30 2002-06-11 Showa Denko K K Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
CN1169643C (zh) * 2001-09-29 2004-10-06 宁夏东方钽业股份有限公司 高比表面积钽粉和/或铌粉的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998019811A1 (en) * 1996-11-07 1998-05-14 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
JP2002507247A (ja) * 1996-11-07 2002-03-05 キャボット コーポレイション ニオブ粉末とニオブ電解コンデンサー
WO2000067936A1 (en) * 1998-05-06 2000-11-16 H.C. Starck, Inc. Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium
JP2002544375A (ja) * 1998-05-06 2002-12-24 エイチ・シー・スタルク・インコーポレーテツド 気体状マグネシウムを用いる酸化物の還元により製造される金属粉末
JP2000119710A (ja) * 1998-10-13 2000-04-25 Hc Starck Gmbh & Co Kg ニオブ粉末、及びニオブ粉末及び／又はタンタル粉末の製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011023745A (ja) * 1999-05-12 2011-02-03 Cabot Corp 高キャパシタンスニオブ粉末及び電解キャパシターアノード
JP2007511667A (ja) * 2003-06-10 2007-05-10 キャボット　コーポレイション タンタル粉末およびその製造方法
JP2012169631A (ja) * 2003-06-10 2012-09-06 Cabot Corp タンタル粉末およびその製造方法
JP2014222776A (ja) * 2003-06-10 2014-11-27 グローバル アドバンスト メタルズ，ユー．エス．エー．，インコーポレイティド タンタル粉末およびその製造方法
JP2016146500A (ja) * 2003-06-10 2016-08-12 グローバル アドバンスト メタルズ，ユー．エス．エー．，インコーポレイティド タンタル粉末およびその製造方法
JP2017119919A (ja) * 2003-06-10 2017-07-06 グローバル アドバンスト メタルズ，ユー．エス．エー．，インコーポレイティド タンタル粉末およびその製造方法
JP2005264330A (ja) * 2004-03-04 2005-09-29 Wc Heraeus Gmbh 高温安定性ニオブワイヤ
JP2008504436A (ja) * 2004-06-24 2008-02-14 ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッド 改善された物理的性質および電気的性質を有するバルブメタルの製造

Also Published As

Publication number Publication date
CN1350481A (zh) 2002-05-22
EE200100593A (et) 2003-02-17
US6375704B1 (en) 2002-04-23
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US7749297B2 (en) 2010-07-06
IL146367A0 (en) 2002-07-25
CZ20014024A3 (cs) 2002-05-15
CZ303551B6 (cs) 2012-12-05
AU4702500A (en) 2000-12-05
CA2372921A1 (en) 2000-11-23
ATE303220T1 (de) 2005-09-15
EP1194256B1 (en) 2005-08-31
EP1194256B2 (en) 2010-10-13
KR20020000889A (ko) 2002-01-05
US6702869B2 (en) 2004-03-09
RU2247630C2 (ru) 2005-03-10
US20020124687A1 (en) 2002-09-12
JP2011023745A (ja) 2011-02-03
JP5070502B2 (ja) 2012-11-14
DE60022357T2 (de) 2006-06-22
DE60022357D1 (de) 2005-10-06
BR0010480A (pt) 2002-04-30
HK1045961A1 (en) 2002-12-20
HK1045961B (zh) 2006-02-17

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US6051044A (en) Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
EP0946323B1 (en) Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
EP1075884A2 (en) Niobium powders and niobium electrolytic capacitors

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