JP2002536705A - 真空紫外光透過リソグラフィ用オキシフッ化ケイ素ガラス - Google Patents

真空紫外光透過リソグラフィ用オキシフッ化ケイ素ガラス

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Abstract

(57)【要約】 １９０ｎｍ以下の真空紫外波長領域におけるフォトリソグラフィ用途のためのフォトマスク基板として用いるに適する高純度オキシフッ化ケイ素ガラスが開示される。発明のオキシフッ化ケイ素ガラスは約１５７ｎｍの波長において透過性があり、このことによりオキシフッ化ケイ素ガラスは１５７ｎｍ波長領域におけるフォトマスク基板として特に有用となる。発明のフォトマスク基板は、一般に高純度溶融シリカ にともなう優れた熱的及び物理的特性は維持しながら、真空紫外( ＶＵＶ) 波長領域において極めて高い透過率を示す、“乾燥”オキシフッ化ケイ素ガラスである。フッ素を含有し、ＯＨをほとんどまたは全く含有しないことに加えて、１５７ｎｍにおけるフォトマスク基板として用いるに適する、発明のオキシフッ化ケイ素ガラスは１×１０１７ 分子／ ｃｍ３ より少ない水素分子を有すること及び塩素レベルが低いことも特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】関連出願の説明 本出願は、リサ・Ａ・ムーア(Lisa A. Moore) とシャーリーン・スミス(Charlen
e Smith) の、名称を「１５７ｎｍ透過用溶融シリカ 」とする１９９９年２月１２
日に出願された米国仮特許出願第６０／ １１９， ８０５号；リサ・Ａ・ムーアと
シャーリーン・スミスの、 名称を「１５７ｎｍ透過用溶融シリカ 」とする１９９
９年５月２１日に出願された米国仮特許出願第６０／ １３５， ２７０号；並び
にリサ・Ａ・ムーアとシャーリーン・スミスの、名称を「真空紫外光透過リソグラフ
ィ用オキシフッ化ケイ素ガラス」とする１９９９年１０月１２日に出願された米
国仮特許出願第６０／ １５９， ０７６号、 及び名称を「真空紫外光透過リソ
グラフィ用オキシフッ化ケイ素ガラス」とする１９９９年９月１６ 日に出願され
た米国特許出願第０９／ ３９７，５７３号の恩典を特許請求し、 優先権の恩
典が本明細書により主張され、上記出願は本明細書に参照として含まれる。本出
願は、ジョージ・バーキー(George Berkey) ，リサ・Ａ・ムーアとミッシェル・Ｄ・
ピアソン(Michelle Pierson) の、名称を「投影リソグラフィ用フォトマスク及び
その作成方法」とする１９９９年９月１６日に同時出願された米国特許出願第０
９／ ３９７， ５７２号、及びジョージ・バーキー，リサ・Ａ・ムーアとチャール
ス・Ｃ・ユー(Charles C. Yu) の、 名称を「投影リソグラフィ用フォトマスクブ
ランク、プリフォーム及びその作成方法」とする１９９９年９月１６日に同時出
願された米国特許出願第０９／ ３９７， ５７７ 号に関連し、上記出願は本明
細書に参照として含まれる。
【０００２】発明の属する技術分野 本発明は概ねリソグラフィに関し、特に、１５７ｎｍ領域の波長を利用する
真空紫外光( ＶＵＶ) 投影リソグラフィシステムのような、１９３ｎｍ以下、好
ましくは１７５ｎｍ以下、さらに好ましくは１６４ｎｍ以下の、ＶＵＶ波長を利
用する光フォトリソグラフィシステムに用いるための、光フォトリソグラフィ用
ガラスに関する。
【０００３】 本発明は１９３ｎｍ以下の波長の光を透過させるガラスに関し、特に、真空
紫外( ＶＵＶ) １５７ｎｍ波長領域での使用に適するフォトマスク用オキシフッ
化ケイ素ガラスに関する。
【０００４】発明の背景 屈折光学系には透過率の高い材料が必要である。小さくなり続ける回路線幅
により２４８ｎｍ及び１９３ｎｍの波長が望まれる半導体用途に対しては、高純
度溶融シリカ が所要の最小９９％／ ｃｍないしこれより高い透過率を示すこと
がわかっている。
【０００５】 １９３ｎｍ以下の真空紫外光波長を利用する投影光フォトリソグラフィシス
テムは、より小さな回路線幅の達成に関して有利である。１５７ｎｍ波長領域の
真空紫外波長を利用するようなシステムは回路線幅をさらに小さくして集積回路
の能力を高める可能性を秘めている。半導体工業で集積回路の製造に現在用いら
れている光リソグラフィシステムは、現在普及している２４８ｎｍ及び１９３ｎ
ｍ波長のような、より短い光波長に向かって進歩してきたが、１５７ｎｍのよう
な１９３ｎｍ以下の真空紫外波長の商用化及び採用は、１５７ｎｍ領域の真空紫
外波長の光学材料透過性により妨げられて来た。１５７ｎｍ光のような１７７ｎ
ｍ以下のＶＵＶ光の半導体工業による使用の進展がそのように遅れていることは
、光透過率の高い材料から経済的に製造できるフォトマスクブランクがないこと
にも起因していた。集積回路の製造に利用できるはずのＦ２ エキシマーレーザ
の発光スペクトルのＶＵＶウインドウのような、１５７ｎｍ領域における真空紫
外光リソグラフィの有利性のため、１６４ｎｍ以下の波長及び１５７ｎｍ波長に
おける高い透過率を含む有益な光学特性を有し、経済的に製造できるマスクブラ
ンクが必要とされている。
【０００６】 本発明は従来技術の問題を克服し、集積回路の製造能力を真空紫外波長によ
り向上させるために用いることができる、経済的で高品質の改良されたフォトマ
スクブランク及びリソグラフィ用ガラスを提供する。
【０００７】 フォトリソグラフィシステムにおける光学素子としての高純度溶融シリカ の
使用は、高純度溶融シリカ が赤外領域から深紫外領域に及ぶ広い波長範囲にわ
たり透明であるという事実による。さらに高純度溶融シリカ は、優れた化学的
耐久性及び寸法安定性を示す。これらの特性が、高純度溶融シリカ を光学レン
ズとして、また同時にフォトリソグラフィにおけるフォトマスク基板用としての
使用にも極めて適するものとしていたが、その使用はＫｒＦ及びＡｒＦ波長領域
までに限られていた。
【０００８】 フォトマスク用ガラスの適格性は、フォトマスク用ガラスの厚さが光路に沿
ってわずか数ミリメートルと比較的薄いことを特徴とする点で、フォトリソグラ
フィに用いられる他の光学素子とはかなり異なっている。したがってフォトマス
ク用ガラスは、フォトマスクプレート及びターゲット上に微細な回路パターンを
形成するために必要な極めて高い精度を保証するため、寸法安定性( 反り及び縮
み) に対する非常に厳格な要件を満たさなければならない。また、正に、より小
さい回路線幅への要求がレーザ波長を１５７ｎｍ領域ないしさらに短い波長領域
へと押し下げ続けているので、所要の最小透過率を満たす光学材料の選択が全て
の光学素子について厳しく限定されるようになっているが、フォトマスク基板に
ついては上述の理由によりさらに一層厳しく限定されている。例えばフッ化カル
シウム、フッ化バリウム及びフッ化マグネシウムのような結晶性材料は、１５７
ｎｍ波長用途に適する透過率をもつことがわかっている。残念なことにこれらの
材料は、製造／経済性問題に加えて、これらの材料をそのような用途に不適とす
るある種の欠点をもつ傾向がある。例えば、フッ化カルシウムは１５７ｎｍ波長
領域におけるフォトマスク用途には許容できない高熱膨張特性を示す。他方でフ
ッ化マグネシウムは許容できる熱膨張を示すが、本質的に複屈折性であるため適
していない。
【０００９】 ２４８ｎｍ及び１９３ｎｍ波長におけるある種のフォトリソグラフィ用途の
ためのフォトマスク基板としての使用に適するためには、直火法でつくられた高
純度溶融シリカ が１０１７ 〜１０１９ 分子／ ｃｍ３ の範囲の高濃度の水素
分子を含有していなければならないことが、 欧州特許出願公開第 ０ ６３６
５８６ Ａ１号に示唆されている。同様に、特開平 １−２０１６６４号は、ス
パッタリング、プラズマエッチングまたはエキシマーレーザ照射により光学特性
が変えられたフォトマスク材料として用いるための合成石英ガラスを、水素雰囲
気内でそのガラスを熱処理することにより元の状態に回復させ得ることを開示し
ている。特に、この特許明細書には２４８ｎｍ及び１９３ｎｍ波長への露光の合
成石英への効果が記述されている。また、２４８ｎｍ及び１９３ｎｍ波長への露
光の溶融シリカ への効果は、“ジャーナル・オブ・オプティカル・ソサエティ
ー・オブ・アメリカ Ｂ(J. Opt. Soc. Am. B) ”誌，第１４巻，第７号( １９
９７年７月) ，１６０６〜１６１５ページの、 ボレッリ(Borrelli) 等による「
１９３ｎｍ励起下での溶融シリカ の緻密化」；及び“オプティックス・レターズ
(Optics Letters) ”誌，第２１巻，第２４号( １９９６年１２月５日) ，１９
６０〜１９６２ページの、アレン(Allen) 等による「溶融シリカ の１９３ｎｍエ
キシマーレーザ誘起緻密化」記載されている。
【００１０】 欧州特許出願公開第 ０ ９０１ ９８９ Ａ１号は、 溶融シリカ を実質的
に塩素フリーにするための製造方法を開示している。直接被着同時ガラス化プロ
セスにおいて四フッ化ケイ素が火炎加水分解されて、フッ素が１００ｐｐｍから
４５０ｐｐｍの範囲内に、またＯＨ基濃度が６００ｐｐｍから１３００ｐｐｍの
範囲に、制御された溶融シリカ が得られる。
【００１１】 米国特許第５， ３２６， ７２９号は、エキシマーレーザ耐性を有する溶融
シリカ を開示し、エキシマーレーザ耐性はこのガラスの透明ガラス化温度より
低い温度範囲での脱水処理をこのガラスに施し、続いて透明ガラス化及び所望の
形状への成形を行い、さらに続いて水素雰囲気でドーピング処理を行うことによ
り、生じる。
【００１２】 米国特許第５， ４７４， ５８９号は、欠陥を少なくした、ＵＶ光透過性の
フッ素ドープ合成石英ガラスを開示している。
【００１３】 出願人等は、２４８ｎｍ波長領域及び１９３ｎｍ波長領域の両者におけるフ
ォトリソグラフィに光学レンズとして使用する場合の、高純度溶融シリカ の光
学特性を改善するために有効ないくつかの方法を先に開示している。例えば、米
国特許第５， ６１６， １５９号、第５， ６６８， ０６７号及び第５， ７３
５， ９２１号を参照されたい。これらは全て参照として本明細書に含まれる。
【００１４】 したがって本発明の目的は、１９３ｎｍ以下のＶＵＶ波長で、好ましくはＦ
２ エキシマーレーザの１５７ｎｍ領域でフォトマスク基板として用いるための
オキシフッ化ケイ素ガラス、そのようなガラスの作成方法、及びそのようなオキ
シフッ化ケイ素ガラスの特性を決定するための方法を開示することにある。
【００１５】発明の概要 本発明においては、１９３ｎｍ以下のＶＵＶ波長における、光学素子として
の使用、レンズとしての使用あるいは好ましくはフォトマスク基板としての使用
に適した、リソグラフィ用オキシフッ化ケイ素ガラスが開示される。特に本発明
のオキシフッ化ケイ素ガラスは、約１５７ｎｍのエキシマーレーザ波長及び１９
３ｎｍ以下の、ＶＵＶ波長領域でのフォトリソグラフィ用途に仕立てられたある
種の特性を示す。
【００１６】 本発明の目的は、優れた熱特性及び物理特性を示すと同時に真空紫外( ＶＵ
Ｖ) 波長領域で非常に高い透過率を示す、乾燥−低ヒドロキシラジカル−フッ素
ドープ−溶融合成オキシフッ化ケイ素ガラスの使用により達成される。本明細書
において、“乾燥”とは、ＯＨ含有量が重量で５０ｐｐｍ以下であり、好ましく
はＯＨが重量で１０ｐｐｍ以下まで脱水され、最も好ましくは重量で１ｐｐｍ以
下であることを意味する。
【００１７】 別の態様において、本発明の目的はさらに、オキシフッ化ケイ素ガラスが実
質的に塩素フリーであることを保証することにより達成される。
【００１８】 また別の態様において、本発明の目的は、ガラス内の水素分子含有量が少な
いことを保証することにより達成される。水素分子含有量が少ないとは、本明細
書において、水素分子( Ｈ２) が１×１０１７ 分子／ ｃｍ３ 以下であること
を意味する。
【００１９】 本発明のさらなる特徴及び利点は以下の詳細な説明で述べられ、ある程度は
詳細な説明から当業者には容易に明らかであろうし、また以下の詳細な説明、特
許請求事項並びに添付図面を含む本明細書に述べられるように本発明を実施する
ことにより認められるであろう。
【００２０】 上述の概括的説明及び以下の詳細な説明はいずれも本発明の例示に過ぎず、
特許請求される本発明の本質及び特性を理解するための概観ないし枠組を提供す
ることを意図したものであることは当然である。添付図面は本発明のさらなる理
解を提供するために含められ、本明細書に組み入れられて本明細書の一部をなす
。図面は本発明の様々な実施形態を示し、記述とともに本発明の原理及び作用を
説明するに役立つ。
【００２１】発明の詳細な説明 例が添付図面に描かれている、本発明の現在好ましい実施形態をここで詳細に
参照する。
【００２２】 発明者等は、１９０ｎｍ以下、特に１７５ｎｍ以下、最も好ましくは約１５７
ｎｍを中心とするＦ２エキシマーレーザ出力波長における高透過率を、ＳｉＯ２ 含有オキシフッ化ケイ素ガラスに、ガラスのＯＨすなわち水の含有量を最小限に
抑えることにより、与え得ることを明らかにした。特に、発明者等は低ＯＨ−低
塩素−オキシフッ化ケイ素ガラスが、化学的、物理的及び機械的に有益な特性を
有すると同時に、高い透過率を示すことを実証した。
【００２３】 ガラスの透過特性は一般にガラスの組成に依存する。純粋なシリカでは、痕跡
レベル(ｐｐｍないしそれ以下)の金属汚染物であっても紫外領域における透過率
をかなり低下させ得ることが明らかにされている。このことを背景として、発明
者等はオキシフッ化ケイ素ガラスのＶＵＶ透過端を制御するための最も重要な変
数には、金属不純物だけでなく、水すなわちＯＨ含有量及び塩素含有量も含まれ
ることを実証した。特に、発明者等はＯＨ含有量が少なくなるほど透過率が高く
なり、一方、塩素含有量が多くなるほどＶＵＶ１５７ｎｍ領域での透過率が低く
なることを見いだした。さらに、発明者等はガラス中の水素分子量が最小限に抑
えられなければならないことを見いだした。ＳｉＯ２含有オキシフッ化ケイ素ガ
ラスは、少なくとも０．５重量％のフッ素を含有することが最も好ましい。
【００２４】 好ましい実施形態においては、 ２．７μｍでのガラスの赤外透過率の測定が
ガラスのＯＨ含有量を定量するために用いられる。
【００２５】 以下の表で、発明者等は本発明の低ＯＨ−オキシフッ化ケイ素ガラスの物理的
及び機械的特性を対照材料の高ＯＨ−溶融シリカの物理的及び機械的特性と比較
する。
【００２６】 本発明のオキシフッ化ケイ素ガラスは、加水分解／熱分解(火炎加水分解)、熱
分解(スートプロセス)、及びケイ素含有化合物の酸化によるような、様々な方法
を適合させることにより製造することができる。これらの方法のいくつかは、例
えば、 米国特許第２，２３９，５５１号及び第２，２７２，３４２号(いずれも
本明細書に参照として含まれる)に初めて記載された。後に、上記方法のハロゲ
ン化合物フリーの代替方法が、やはり本明細書に参照として含まれる、 米国特
許第５，０４３，００２号でドビンス(Dobbins)により述べられた。その他の方
法にはゾル−ゲルプロセスがある。これらの方法は以下で簡潔に説明される。上
述のプロセスの様々な改変も当業者に知られており、本発明にしたがうガラスの
作成に容易に用いることができる。
【００２７】 Ａ．シリカ形成プロセス スート被着またはＣＶＤプロセス：このプロセスにおいては一般に、妥当な被
着速度が得られるに十分な蒸気圧が生じる一定温度までケイ素含有化合物が加熱
される。 蒸気はキャリアガス流に乗ってバーナー炎(例えば、天然ガス／酸素混
合気、水素／酸素混合気)を通過し、 蒸気はバーナーを出るときにシリカに転換
されて、揮発性ガスの流れ及び微細に分割された非晶質の球塊(スート)を形成す
る。このプロセスの変形である気相外付け(ＯＶＤ)法においては、火炎を通って
横移動するマンドレル上にスートが集められて、多孔質シリカスートプリフォー
ム体が堆積される。別の変形である気相軸付け(ＡＶＤ)法においては、マンドレ
ルの末端上にスートを被着することにより多孔質スートプリフォーム体が堆積さ
れる。いずれの場合にも多孔質シリカプリフォームには引き続いて高温処理が施
され、非晶質粒子が固結されて、無孔モノリシックガラス質溶融石英体になる。
スートプロセスまたはＣＶＤプロセスを本発明に適合させるためには、以下でよ
り十分に説明されるように、最終の固結工程に先立って非晶質ＳｉＯ２スート粒
子がフッ素雰囲気でフッ素ドープ剤にさらされる。そのようなＳｉＯ２へのフッ
素ドープに加えて、ＳｉＯ２に結びついたＯＨ基を除去するためにＳｉＯ２を脱
水することが最も好ましい。
【００２８】 ゾル−ゲルプロセス：乾燥−フッ素ドープシリカは、高純度シリカ粉末を鋳型
で固めて多孔質シリカプリフォーム体を形成し、プリフォーム体をフッ素処理ガ
スにさらし、多孔質プリフォ−ム体を焼結してモノリシック溶融シリカ体を形成
することによっても形成できる。高純度シリカ粉末は、気相法によるかあるいは
、米国特許第４，７８９，３８９号及び第５，５４７，４８２号に記載されてい
るような、 ゾル−ゲル法により作成することができる。これらの特許には、さ
らに、鋳造多孔質プリフォーム体を焼結して無欠陥シリカ体を形成するための方
法が記載されている。ゾル−ゲル法の利点は、スートを鋳型で固め、焼結して、
プレートのような所望の形状にすることができることである。好ましい実施形態
において、シリカ粉末はオキシフッ化ケイ素含有シリカ粉末である。オキシフッ
化ケイ素含有シリカ粉末をそのように鋳型で固めることにより多孔質プリフォ−
ム体をフッ素処理ガスにさらす度合いを少なくでき、あるいはフッ素処理ガスに
さらす必要をなくすために上記の鋳型成形プロセスが用いられる可能性もある。
【００２９】 上記方法で得られたガラスが実質的に塩素フリーであることを保証するために
は、シリカ含有出発原料が塩素フリーであることが好ましい。有用な出発原料に
はシラン類及びシロキサン類があり、特に、ポリメチルシクロシロキサン及びヘ
キサメチルジシロキサンのようなポリメチルシロキサン類がある。有用なポリメ
チルシクロシロキサン類には、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチ
ルシクロペンタシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン及びこれらの混
合物がある。塩素フリーの溶融シリカを作成するための別の有用な塩素フリーの
供給原料にはメチルトリメトキシシランがある。塩素を含有する供給原料及び／
または塩素ガス剤が利用される場合は、つくられるガラス内の塩素を最小限に抑
えるようにその後の製造プロセスが制御されるべきであり、フッ素雰囲気でのフ
ッ素ドープのような後プロセスは、十分なレベルのフッ素ドープ剤及びヘリウム
のような十分な塩素除去剤及び塩素を除去するに十分な反応時間／動力学をもっ
て、制御されるべきである。
【００３０】 フッ素は本発明の溶融シリカの望ましい成分であるから、フッ化ケイ素、四フ
ッ化ケイ素及びこれらの混合物のようなフッ素含有出発原料を上記方法に用いる
ことができる。出発原料にフッ化ケイ素を利用することに加えて、ＣＦ４及びＣ ２ Ｆ６のようなフッ素源出発材料を、反応させてフッ化ケイ素含有シリカスート
及び粉末のようなフッ素ドープシリカをつくるために、ケイ素含有出発原料とと
もに燃焼／酸化プロセスに用いることができる。
【００３１】 Ｂ．乾燥及びフッ素ドーププロセス 本発明にしたがう乾燥石英(すなわちＯＨ基をほとんどまたは全く有していな
い石英)を形成するためには、上述の方法で形成された固結前プリフォーム体が
高温でハロゲン含有雰囲気であることが好ましい脱水ガス剤にさらされ、次いで
さらに高い温度で焼結されて、モノリシック溶融シリカ体にされる。ある実施形
態において、 脱水プロセスは１０００から１1００℃の間の温度で(ヘリウム／
ハロゲン化合物、ヘリウム／Ｃｌ２のような)Ｈｅ／脱水ガス剤雰囲気内で多孔
質シリカプリフォームを加熱してシリカスートから水分を除去し、次いでプリフ
ォームに高温帯(一般に１４５０〜１５００℃)を通過させることによりプリフォ
ームを焼結して無孔モノリシック乾燥溶融シリカ体を形成することを含む。フッ
素ドープガラスをつくるためには、脱水工程後に、スートプリフォームを１１５
０から１２５０℃の範囲の温度で、Ｈｅ及びＣＦ４，ＳｉＦ４，ＳＦ６，Ｆ２，
Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８及びこれらの混合気のようなフッ素含有ガスの雰囲気にさら
すことが好ましい。フッ素ドープ工程は脱水工程の前、途中、または後のいずれ
でも行い得るが、ガラス中に存在し得るいかなる塩素もフッ素で置換して塩素が
除去されたガラスを得ることができるので、塩素乾燥工程後にフッ素ドープを行
うことが好ましい。またフッ素ドープは一般に脱水工程よりも高温で行われるか
ら、焼結されたガラスはフッ素を“トラップ”する傾向がある。さらに、フッ素
ドープが脱水工程の前または途中で行われる場合には、いくらかのフッ素がフッ
素ドープ温度より低い乾燥温度でブランクからガスになって抜けてしまう傾向を
示すであろう。そのようなプロセスでは、ブランクは有害な残留塩素もより多く
含むであろう。最後に、フッ素処理ガス自体にブランクをさらに乾燥させる傾向
があるから、脱水工程後のフッ素処理によりさらなる利点が得られる。さらに多
孔質プリフォームの作成にオキシフッ化ケイ素シリカ粒子を利用することにより
、フッ素レベルを向上させることができる。そのようなオキシフッ化ケイ素含有
シリカ粒子は(ＳｉＣｌ４またはＯＭＣＴＳ(オクタメチルシクロテトラシロキサ
ン)のような)ケイ素供給原料を(ＣＦ４またはＣ２Ｆ６のような)フッ素源ととも
に燃焼させることにより得ることが好ましい。さらに、フッ素ドーププロセスは
無孔体に固結／焼結する前及び途中に大量のフッ素を多孔質プリフォーム内に保
持することにより改善することができる。そのような保持は、多孔質プリフォー
ム体上への(外表面に集束させた高温光熱処理によるような)無孔外層の形成及び
フッ素含有ガスの多孔質プリフォーム内部への注入により、無孔外層が多孔質プ
リフォーム体からのフッ素の抜け出しを抑制するための外殻障壁を形成するよう
にすることで改善することができる。一実施形態において、多孔質プリフォーム
体の外表面は焼結されて無孔殻が形成され、フッ素が多孔質体に注入される。
【００３２】 発明者等は乾燥及びフッ素処理工程のいずれを含むとして好ましいプロセスを
説明したが、本発明の一実施形態において、発明者等は１９３ｎｍ以下の波長に
適した高透過率溶融シリカが、先立つ乾燥工程なしに、フッ素ドープにより作成
することができることも見いだした。
【００３３】 ガラス中に取り込まれるフッ素の量([Ｆ])は関係式： [Ｆ]＝Ｃ×ｅ−Ｅ/ＲＴ×Ｐ１/４ にしたがい、フッ素含有ガスの分圧(Ｐ)及び温度(Ｔ)により制御される。ここで
Ｃは定数、Ｒは気体定数、Ｅはフッ素含有ガスとシリカとの間の反応、例えば： ＣＦ４＋４ＳｉＯ２＝４ＳｉＯ１.５Ｆ＋ＣＯ２ ＳｉＦ４＋３ＳｉＯ２＝４ＳｉＯ１.５Ｆ の活性化エネルギーである。乾燥−フッ素ドープスートプリフォームは次いで、
無孔−モノリシック−乾燥−オキシフッ化ケイ素ＳｉＯ２ガラス体を形成するた
めに、先に述べたように、高温帯(一般に１４５０〜１５００℃)を通過させるこ
とで焼結される。焼結工程中のプリフォーム周囲の雰囲気はＨｅまたはＨｅ／フ
ッ素含有ガス混合気とすることができるが、ＳｉＯ２ガラス中への塩素の導入を
最小限に抑えるために、塩素が含まれていないことが好ましい。溶融シリカ中の
フッ素量は、１０００ｐｐｍ以下ではないことが好ましく、２０００ｐｐｍない
しそれ以上であることがより好ましい。
【００３４】 ＯＨ基を含まず、フッ素ドープされ、実質的に塩素フリーであることが好まし
いことに加えて、発明者等は、本発明の溶融シリカフォトマスクブランクの水素
分子濃度は低いことが好ましく、 水素分子が１×１０１７分子／ｃｍ３より少
ないことが好ましく、 ５×１０１６分子／ｃｍ３より少ないことがより好まし
いことも見いだした。
【００３５】 低ＯＨ(ＯＨ含有量＜１ｐｐｍ)改質溶融シリカオキシフッ化ケイ素ガラスフォ
トマスク基板は０．８重量％のフッ素がドープされ、熱膨張が０．５２ｐｐｍ／
℃まで低められ、内部透過率が１５７ｎｍで約８４％／ｃｍであった。
【００３６】 ＯＨ含有量を５０ｐｐｍより少なく、好ましくは１０ｐｐｍより少なく、最も
好ましくは１ｐｐｍより少なくし、溶融シリカにフッ素をドープすることにより
、１５７ｎｍにおける透過率が高められ、熱膨張が小さくなる。好ましい、１５
７ｎｍ透過−フォトリソグラフィ用−フッ素ドープ−低ＯＨ−溶融シリカフォト
マスク基板は、 １５７ｎｍにおいて少なくとも８０％／ｃｍ，好ましくは少な
くとも約８３％／ｃｍの透過率を有し、 ０．５５ｐｐｍ／℃より小さく、好ま
しくは０．５３ｐｐｍ／℃より小さい熱膨張を有する。
【００３７】 フォトマスク基板を、シリカスートプリフォームを形成することで作成した。
シリカスートプリフォームは四塩化ケイ素(シリカ供給原料)をＳｉＯ２に転換す
ることで生成させたシリカスートを被着することにより形成した。シロキサンシ
リカ供給原料、好ましくは環状シロキサン類、最も好ましくはオクタメチルシク
ロテトラシロキサンもＳｉＯ２に転換できる。そのようなシリカ供給原料の転換
は、供給原料に転換部バーナーの転換部火炎を通過させることにより達成される
ことが好ましい。
【００３８】 本発明はさらに、１７５ｎｍ以下のＶＵＶリソグラフィ用ガラスを含む。リソ
グラフィ用ガラスは溶融オキシフッ化ケイ素ガラスを含む。オキシフッ化ケイ素
ガラスのＯＨ含有量は重量で５ｐｐｍより少なく、塩素含有量は重量で５ｐｐｍ
より少なく、Ｈ２含有量は１×１０１７分子／ｃｍ３より少なく、フッ素含有量
は少なくとも０．１重量％であり、 本ガラスの１５７ｎｍにおける内部透過率
は少なくとも８０％／ｃｍ、好ましくは少なくとも８５％／ｃｍである。本オキ
シフッ化ケイ素ガラスの熱膨張係数は溶融シリカより小さく、室温から３００℃
の範囲で０．５５ｐｐｍ／℃である。リソグラフィ用ガラスの内部透過率は１５
７ｎｍから１７５ｎｍの波長範囲で少なくとも８０％／ｃｍであることが好まし
く、 少なくとも８５％／ｃｍであることがより好ましい。 本リソグラフィ用オ
キシフッ化ケイ素ガラスは、１５７ｎｍの波長を含むＦ２エキシマーレーザ光を
、４ｍＪ／ｃｍ２／パルスで少なくとも０．９６×１０６パルスあてたときに、
２１５ｎｍにおける吸収の増加が光学濃度(log10[１／透過率])で１ｍｍあたり
０．１より小さいことが好ましく、 ２１５ｎｍにおける吸収の増加が光学濃度
で０．０５より小さいことがより好ましく、実質的に２１５ｎｍ吸収帯が形成さ
れないことが最も好ましい。本ガラスのＣｌ含有量は１ｐｐｍより少なくかつＯ
Ｈ含有量は１ｐｐｍより少ないことが好ましく、本ガラスは実質的にＳｉ，Ｏ及
びＦからなることが最も好ましい。好ましくは、本ガラスは実質的に金属間Ｓｉ
−Ｓｉ結合を含まず、本ガラスは１６５ｎｍの吸収中心をもたず、１６５ｎｍに
おける内部透過率は少なくとも８５％／ｃｍである。
【００３９】 好ましい実施形態においてリソグラフィ用ガラスは、ＶＵＶ光がフォトマスク
を透過し、リソグラフィ用ガラスの表面が透過フォトリソグラフィマスクパター
ンを形成する(Ｃｒのような)パターン付被着膜を有することが好ましい、ＶＵＶ
透過フォトマスクの作成に用いられる(図８)。別の実施形態において、リソグラ
フィ用ガラスは、ガラスを通って進行するＶＵＶリソグラフィ光の位相がシフト
され、強め合う干渉及び／または弱め合う干渉を行うように操作される、ＶＵＶ
位相シフトフォトマスクを作成するために用いられる(図９)。また別の実施形態
においては、熱膨張が低められ、０．５５ｐｐｍ／℃より小さい熱膨張係数を有
するリソグラフィガラスが、反射パターン型リソグラフィマスクパターンが前記
オキシフッ化ケイ素ガラスに支持される、反射フォトマスクを作成するために用
いられる(図１０)。
【００４０】 本発明はさらに、ＶＵＶリソグラフィ用光子を作り出すための１６４ｎｍ以下
の放射光源を準備する工程；重量で５ｐｐｍより少ないＯＨ及び重量で５ｐｐｍ
より少ないＣｌを有し、１５７ｎｍ及び１６５ｎｍにおける測定透過率が少なく
とも７５％／５ｍｍのリソグラフィ用オキシフッ化ケイ素ガラスを準備する工程
；準備されたリソグラフィ用オキシフッ化ケイ素ガラスを通してＶＵＶリソグラ
フィ用光子を透過させる工程；光子でリソグラフィパターンを形成する工程；及
び形成されたリソグラフィパターンを縮小し、形成されたパターンをＶＵＶ感光
性リソグラフィ焼付媒体上に投影して、焼き付けられたリソグラフィパターンを
形成する工程(図８)；を含むＶＵＶリソグラフィ方法を含む。リソグラフィ用オ
キシフッ化ケイ素ガラスを準備する工程は、ガラス前駆体のＨ２，ＯＨ及びＣｌ
含有量を少なくし、ガラス前駆体のＦ含有量を多くして、５０％透過ＶＵＶ遮断
波長が１６０ｎｍ以下のオキシフッ化ケイ素ガラスが得られるような、ＳｉＯ２ ガラス形成前駆体を準備することによりガラスのＶＵＶ遮断波長を短くする工程
を含むことが好ましい。得られたガラスは実質的にＳｉ，Ｏ及びＦからなり、実
質的にＳｉ−Ｓｉ結合を含まないことが好ましい。
【００４１】 本発明は、図８に示されるように、ＯＨ含有量が１ｐｐｍより少なく、フッ素
含有量が０．２から１．５重量％の範囲にあり、１５７ｎｍにおける内部透過率
が少なくとも５０％，好ましくは少なくとも６５％，最も好ましくは少なくとも
８３％で、熱膨張係数が０．５５ｐｐｍ／℃より小さく、 好ましくは０．５３
ｐｐｍ／℃より小さく、最も好ましくは０．５２ｐｐｍ／℃以下であるような、
フッ素ドープ−低ＯＨ−オキシフッ化ケイ素シリカガラスフォトマスク基板をも
つ、１５７ｎｍフォトリソグラフィ用フォトマスク基板フォトマスクステージ及
び１５７ｎｍフォトリソグラフィ装置(１５７ｎｍ照明系、 フォトマスク−マス
クステージ、１５７ｎｍ投影光学系、１５７ｎｍウエハステージ)を提供する。
【００４２】実施例１ 供給原料としてＳｉＣｌ４を用いたＯＶＤ法により重量１２０９ｇ，長さ７０
ｃｍの多孔質シリカプロフォームを作成した。このスートプリフォームを、１０
００℃の炉中で６０分間、０．０６６ｓｌｐｍ(ｓｌｐｍ：標準状態換算リット
ル毎分)のＣｌ２及び４０．６４ｓｌｐｍのＨｅの雰囲気で脱水した。雰囲気を
４０ｓｌｐｍのＨｅに変え、炉温を２０分かけて１１００℃まで一定の割合で上
昇させた。雰囲気を０．４ｓｌｐｍのＣＦ４及び４０ｓｌｐｍのＨｅに変え、ス
ートプリフォームを１１００℃に１２０分間保持した。次いで雰囲気を４０ｓｌ
ｐｍのＨｅに変え、スートプリフォームを焼結して十分に緻密なガラス体にする
ため、スートプリフォームを炉の１４８０℃に保たれた底部域に０．５ｃｍ／分
の速度で平行移動させた。ガラスプリフォームから５ｍｍ厚の試料を切り出して
研磨した。マイクロプローブ分析で決定した試料の平均Ｆ濃度は０．１７重量％
(重量で１７００ｐｐｍ)であった。 マイクロプローブ分析で決定した試料の平
均Ｃｌ濃度は０．００１１重量％(重量で１１ｐｐｍ)であった。ＦＴＩＲ(フー
リエ変換赤外分光)法で測定したＯＨ含有量は検出限界より下(＜１ｐｐｍ)であ
った。 真空紫外分光光度計を用いて測定した１５７ｎｍにおける透過率は６７
．２％／５ｍｍであった。
【００４３】実施例２ 供給原料としてＳｉＣｌ４を用いたＯＶＤ法により重量１００４ｇ，長さ７０
ｃｍの多孔質シリカプロフォームを作成した。このスートプリフォームを、１０
００℃の炉中で６０分間、０．０６６ｓｌｐｍのＣｌ２及び４０．６４ｓｌｐｍ
のＨｅの雰囲気で脱水した。雰囲気を４０ｓｌｐｍのＨｅに変え、炉温を４５分
かけて１２２５℃まで一定の割合で上昇させた。雰囲気を０．８ｓｌｐｍのＣＦ ４ 及び３９．２ｓｌｐｍのＨｅに変え、 スートプリフォームを１２２５℃に１
２０分間保持した。次いでプリフォームを焼結して十分に緻密なガラス体にする
ため、同じ雰囲気の下でスートスートプリフォームを炉の１４８０℃に保たれた
底部域に０．５ｃｍ／分の速度で平行移動させた。ガラスプリフォームから５ｍ
ｍ厚の試料を切り出して研磨した。マイクロプローブ分析で決定した試料の平均
Ｆ濃度は０．８０重量％(重量で８０００ｐｐｍ)であった。 マイクロプローブ
分析で決定した平均Ｃｌ濃度は０．００１０重量％(重量で１０ｐｐｍ)であった
。 ＦＴＩＲ法で測定したＯＨ含有量は検出限界より下(＜１ｐｐｍ)であった。
真空紫外分光光度計を用いて測定した１５７ｎｍにおける透過率は７６．８％／
５ｍｍであった。
【００４４】実施例３ 供給原料としてＳｉＣｌ４を用いたＯＶＤ法により重量１０１６ｇ，長さ７０
ｃｍの多孔質シリカプロフォームを作成した。このスートプリフォームを、１０
００℃の炉中で６０分間、０．０６６ｓｌｐｍのＣｌ２及び２０．６４ｓｌｐｍ
のＨｅの雰囲気で脱水した。雰囲気を１６ｓｌｐｍのＨｅに変え、炉温を４５分
かけて１２２５℃まで一定の割合で上昇させた。雰囲気を４ｓｌｐｍのＣＦ４及
び１２ｓｌｐｍのＨｅに変え、スートプリフォームを１２２５℃に１８０分間保
持した。次いでプリフォームを焼結して十分に緻密なガラス体にするため、同じ
雰囲気の下でスートスートプリフォームを炉の１４８０℃に保たれた底部域に０
．５ｃｍ／分の速度で平行移動させた。 ガラスプリフォームから５ｍｍ厚の試
料を切り出して研磨した。マイクロプローブ分析で決定した試料の平均Ｆ濃度は
１．４８重量％(重量で１４８００ｐｐｍ)であった。マイクロプローブ分析で決
定した平均Ｃｌ濃度は０．００２０重量％(重量で２０ｐｐｍ)であった。 ＦＴ
ＩＲ法で測定したＯＨ含有量は検出限界より下(＜１ｐｐｍ)であった。真空紫外
分光光度計を用いて測定した１５７ｎｍにおける透過率は７３．５％／５ｍｍで
あった。
【００４５】実施例４ 供給原料としてオクタメチルシクロテトラシロキサンを用いたＯＶＤ法により
重量１０００ｇ，長さ５０ｃｍの多孔質シリカプロフォームを作成した。このス
ートプリフォームを４０ｓｌｐｍのＨｅの雰囲気で１０００℃の炉中に入れた。
炉温を４５分かけて１２２５℃まで一定の割合で上昇させた。 雰囲気を０．８
ｓｌｐｍのＣＦ４及び３９．２ｓｌｐｍのＨｅに変え、スートプリフォームを１
２２５℃に１２０分間保持した。次いでプリフォームを焼結して十分に緻密なガ
ラス体にするため、同じ雰囲気の下でスートスートプリフォームを炉の１４８０
℃に保たれた底部域に０．５ｃｍ／分の速度で平行移動させた。ガラスプリフォ
ームから５ｍｍ厚の試料を切り出して研磨した。マイクロプローブ分析で決定し
た試料の平均Ｆ濃度は０．９６重量％(重量で９６００ｐｐｍ)であった。 マイ
クロプローブ分析で決定した平均Ｃｌ濃度は＜０．００１０重量％(重量で＜１
０ｐｐｍ)であった。ＦＴＩＲ法で測定したＯＨ含有量は検出限界より下(＜１ｐ
ｐｍ)であった。真空紫外分光光度計を用いて測定した１５７ｎｍにおける透過
率は７６．８％／５ｍｍであった。
【００４６】実施例５ 供給原料としてＳｉＣｌ４を用いたＯＶＤ法により重量３１２９ｇ，長さ５０
ｃｍの多孔質シリカプロフォームを作成した。このスートプリフォームを、１０
００℃の炉中で１２０分間、０．４ｓｌｐｍのＣｌ２及び４０ｓｌｐｍのＨｅの
雰囲気で脱水した。雰囲気を４０ｓｌｐｍのＨｅに変え、炉温を２０分かけて１
１５０℃まで一定の割合で上昇させた。雰囲気を２ｓｌｐｍのＯ２及び２０ｓｌ
ｐｍのＨｅに変え、炉温をさらに２０分かけて１２００℃に上昇させた。雰囲気
を１．２ｓｌｐｍのＳｉＦ４，１８．８ｓｌｐｍのＨｅ及び０．２ｓｌｐｍのＯ ２ に変え、スートプリフォームを１２００℃に１８０分間保持した。次いでプリ
フォームを焼結して十分に緻密なガラス体にするため、同じ雰囲気の下でスート
スートプリフォームを炉の１４８０℃に保たれた底部域に０．５ｃｍ／分の速度
で平行移動させた。ガラスプリフォームから５ｍｍ厚の試料を切り出して研磨し
た。マイクロプローブ分析で決定した試料の平均Ｆ濃度は１．２９重量％(重量
で１２９００ｐｐｍ)であった。マイクロプローブ分析で決定した平均Ｃｌ濃度
は＜０．００１０重量％(重量で＜１０ｐｐｍ)であった。ＦＴＩＲ法で測定した
ＯＨ含有量は検出限界より下(＜１ｐｐｍ)であった。真空紫外分光光度計を用い
て測定した１５７ｎｍにおける透過率は７４．９％／５ｍｍであった。
【００４７】対照例１ 市販のコーニング(Corning)ＨＰＦＳ(登録商標)ＵＶエキシマー級高純度溶融
シリカ(米国，14831，ニューヨーク州コーニング，コーニング・インコーポレー
テッド)の試料を入手した。 このガラスはフッ素及び塩素を含有せず、８００ｐ
ｐｍのＯＨを含有し、Ｈ２含有量は＞１×１０１７分子／ｃｍ３であった。５ｍ
ｍ厚の試料の１５７ｎｍにおける透過率は０であった。
【００４８】対照例２ 供給原料としてＳｉＣｌ４を用いたＯＶＤ法により重量２７８８ｇ，長さ７０
ｃｍの多孔質シリカプロフォームを作成した。このスートプリフォームを、１０
００℃の炉中で５０分間、０．０６６ｓｌｐｍのＣｌ２及び４０．６４ｓｌｐｍ
のＨｅの雰囲気で脱水した。次いでプリフォームを焼結して十分に緻密なガラス
体にするため、同じ雰囲気の下でスートスートプリフォームを炉の１４８０℃に
保たれた底部域に０．５ｃｍ／分の速度で平行移動させた。ガラスプリフォーム
から５ｍｍ厚の試料を切り出して研磨した。試料はフッ素を含有していなかった
。マイクロプローブ分析で決定した平均Ｃｌ濃度は０．１７６重量％(重量で１
７６０ｐｐｍ)であった。 ＦＴＩＲ法で測定したＯＨ含有量は検出限界より下(
＜１ｐｐｍ)であった。真空紫外分光光度計を用いて測定した１５７ｎｍにおけ
る透過率は２１．２％／５ｍｍであった。
【００４９】 別の実施例において、塩素を含む乾燥処理雰囲気を用いて石英スートプリフォ
ームを脱水(−ＯＨを除去)した。乾燥処理雰囲気は塩素源分子に加えてヘリウム
を含むことが好ましい。ハロゲン化物を含む乾燥処理雰囲気をスートを脱水し、
−ＯＨを除去するために用いることができる。フッ素及び／または臭素及び／ま
たはその他のハロゲン化物を含む乾燥処理雰囲気を、好ましくはヘリウムととも
に、用いることができる。
【００５０】 ＣＦ４及びヘリウムのドープ処理雰囲気を用いて石英スートプリフォームにフ
ッ素をドープした。シリカへのフッ素ドープにおけるフッ素源としてフッ化ケイ
素を用いることもできる。フッ素ドープはスートの脱水後に行われることが好ま
しい。
【００５１】 石英スートプリフォームをＣＦ４及びＨｅの焼結処理雰囲気で固結した。フッ
化ケイ素(ＳｉＦ４)をフッ素源としてヘリウムとともに固結雰囲気に用いること
もできる。
【００５２】 得られたオキシフッ化ケイ素ガラスから、ガラスを切り出し、ガラスを研磨し
て、１５７ｎｍレーザ光にさらすことにより、フォトマスク基板を形成した。
【００５３】 本発明は、 １５７ｎｍにおける測定透過率が７３．８％／６．４ｍｍで内部
透過率が８７．９％／ｃｍの、低ＯＨ含有及び低フッ素レベル−オキシフッ化ケ
イ素改質−溶融シリカを含む。発明者等は、試料の屈折率測定値を外挿すること
により、１５７ｎｍにおける測定透過率の理論限界(反射損失のみ)を約８８％と
計算している。このガラスはレーザ誘起色中心形成に高い耐性を有することがわ
かった。ガラスの熱膨張及びヤング率は市販のコーニングＨＰＦＳ(登録商標)溶
融シリカより低いが、 熱伝導度は同等である。本発明のオキシフッ化ケイ素ガ
ラスフォトマスク基板は、研磨及びＣｒ膜被着のようなマスク作成プロセスにお
いて標準的溶融シリカ基板と同様の挙動を示すことがわかった。
【００５４】 低ＯＨシリカ試料及びフッ素ドープ−低ＯＨシリカ試料を、２ステップスート
固結プロセスで作成した。スートプリフォームを火炎被着法で作成し、次いで、
乾燥し、フッ素をドープして、高温炉内で焼結した。高ＯＨ溶融シリカ試料には
、 １ステップ火炎加水分解プロセスで作成されたコーニングＨＰＦＳ(登録商標
)を用いた。本明細書に記述されるガラスのＯＨレベルは、赤外分光法を用いて
ＯＨの基本伸縮振動を測定することにより定量した、フッ素レベルはマイクロプ
ローブ分析により測定した。
【００５５】 マスク作成プロセスの研究に用いるオキシフッ化ケイ素ガラス基板を切り出し
て研磨した。フォトマスク業界で行われている方法にしたがって、洗浄及びＣｒ
膜被着を行った。
【００５６】 透過率データは、アクトン(Acton)モデルＶＴＭＳ−５０２真空透過率測定シ
ステムで記録した。分散及び検出器コンポーネントは、集束重水素光源、調節可
能な入射スリット及び出射スリットをもつ単モノクロメータ並びに光電子増倍管
を用いる検出器インターフェースで構成されていた。ＶＵＶ透過率測定は真空下
で行った。
【００５７】 １５７ｎｍ露光には、テュイレーザ・エクサイスター(TuiLaser ExciStar)Ｓ
２００ Ｆ２レーザを用いた。モレクトロン(Molectron)社の熱検出器を用いて、
アパーチャを通過するエネルギーをモニターした。真空紫外及び紫外測定は、露
光後に行った。
【００５８】 屈折率測定はプリズムで行った。 可視波長(６３４．８ｎｍ，５８９．３ｎｍ
，５４６．１ｎｍ，４８０．０ｎｍ及び４３５．８ｎｍ)における屈折率測定は
、ボッシュ・アンド・ローム(Bausch and Lomb)社の狭範囲屈折計をナトリウム
及びＨｇ−Ｃｄ発光ランプとともに用いて行った。アメリカ連邦標準・技術局(N
ational Institute of Standards and Technology (NIST))により認定された屈
折率標準を試料とともに測定し、試料の読みを補正するために用いた。 近赤外
波長(７７７ｎｍ，１３００ｎｍ及び１５４１ｎｍ)の屈折率測定はメトリコン(M
etricon)モデル２０１０プリズムカップラーをダイオードレーザ源とともに用い
て行った。可視及び近赤外測定の精度は±０．０００１と推定される。
【００５９】 図１は、 コーニングＨＰＦＳ(登録商標)ＵＶエキシマー級溶融シリカ(ガラス
Ａ)，フッ素を含有しない乾燥シリカ(ガラスＢ)及び０．９４重量％のフッ素を
含有する本発明の乾燥−オキシフッ化ケイ素シリカガラス(ガラスＣ)のＶＵＶ透
過スペクトルを比較している。 ガラスＡは重量で約８６０ｐｐｍのＯＨを含ん
でいたが、一方ガラスＢ及びＣのＯＨ含有量は測定の検出限界より下(＜１ｐｐ
ｍ)であった。試料は全て５ｍｍ厚であり、測定前にいかなる特別な表面洗浄も
受けていない。ガラスＡは１５７ｎｍを透過させない。ガラスＢではＵＶ吸収端
が短波長側にシフトし、このガラスは１５７ｎｍにおいて若干の透過率を示す。
ガラスＣではＵＶ吸収端がさらに短波長側にシフトし、このガラスは１５７ｎｍ
において７９％／５ｍｍというかなりの透過率を示す。
【００６０】 ガラスＣの１５７ｎｍにおける内部透過率は、３つの異なる経路長についての
１５７ｎｍにおける光学濃度の測定値を、厚さに対してプロットすることにより
決定した(図２)。データは５ÅのＲＡ表面をもつ光学研磨した試料で測定した。
直線の傾きから材料の内部透過率の尺度である吸収係数が得られる。直線の“ゼ
ロ厚”交点が、反射、表面散乱及び表面汚染による表面損失の尺度である。直線
の傾きから計算したこのガラスの内部透過率は８７．９％／ｃｍであることがわ
かった。 内部及び表面損失を含むガラスＣの１５７ｎｍ透過率の測定値は７３
．８％／６．４ｃｍであった。 交点からの計算により、測定された損失２６．
２％の内２０％は試料表面の作製及び洗浄に強く依存する表面損失によるもので
あり、したがって、 わずか６．２％だけがガラスの内部損失機構によるもので
あることが示された。
【００６１】 内部損失機構は材料内の散乱及び吸収である。２つの機構を分離するために、
発明者等は１９３ｎｍまで下げた波長でオキシフッ化ケイ素ガラスの散乱測定を
行った。散乱強度の測定は、オキシフッ化ケイ素ガラス及びコーニングＨＰＦＳ
(登録商標)の試料について、垂直偏光させた１９３ｎｍレーザを用い、９０°散
乱角で行った。強度測定値の比は１に近かった。コーニングＨＰＦＳ(登録商標)
の１９３ｎｍにおける散乱損失は０．１５％／ｃｍであることが以前に決定され
ていた。１５７ｎｍへのλ−４外挿を用いると、約０．３４％／ｃｍの推定散乱
損失値が得られる。これは、ガラスＣで測定された１２．１％／ｃｍの内部損失
に比べて非常に小さい。したがってガラスＣの主要な損失機構はおそらく吸収で
あろう。
【００６２】 図３は、Ｆ２光への露光前後の、ガラスＢ及び本発明のオキシフッ化ケイ素ガ
ラスＤ(Ｆが０．２重量％)の吸収スペクトルを比較している。 スペクトルは全
て４００ｎｍで透過率を１００％として正規化した。ガラスＢには４ｍＪ／ｃｍ ２ ／パルスで０．９６×１０６パルスの露光を加えた。ＶＵＶ測定は１５５〜２
２０ｎｍの全波長範囲にわたるかなりの吸収の増加、及び２１５ｎｍ帯(Ｅ’中
心)の形成を示した。ガラスＤには４ｍＪ／ｃｍ２／パルスで６９×１０６パル
スというはるかに強い露光を加えたが、このガラスの吸収の増加ははるかに小さ
く、２１５ｎｍ帯は実質的に検出不能であった。
【００６３】 図４は可視及び近赤外の８つの波長におけるオキシフッ化ケイ素ガラスＥ(Ｆ
が０．８重量％)の屈折率測定値を示す。屈折率と波長との関係は一般に３項セ
ルマイヤー方程式(１)：
【数１】 により表される。ここでｎ(λ)は波長λ(単位：μｍ)における屈折率、Ｓｊ，λ ｊ はフィッティングパラメータである。実験的に決定された屈折率値を最小二乗
フィッティングシーケンスを用いてセルマイヤー方程式にフィッティングするこ
とにより、ガラスＥのパラメータを：Ｓ１＝０．６９７６１，λ１＝０．０６６
３０，Ｓ２＝０．３９７７８，λ２＝０．１１８３２，Ｓ３＝０．８８０５９，
及びλ３＝９．９１１８と決定した。方程式(１)を１５７ｎｍまで外挿すること
により、ガラスＥの１５７ｎｍにおける屈折率を１．６７３３と計算した。
【００６４】 シリカの屈折率はフッ素の添加により低下することが知られている。１５７ｎ
ｍでの効果を見るため、発明者等は、０から１．５重量％のＦを含有する乾燥−
溶融シリカについて、可視から近赤外までの屈折率測定及び上述のセルマイヤー
解析を行った。 図５はフッ素含有量の関数としての４３５．８ｎｍにおける屈
折率測定値のプロットを示す。図６はフッ素含有量の関数としての１５７ｎｍ屈
折率の計算値のプロットを示す。図５及び６におけるデータに関して行われた直
線回帰から、屈折率変化(１００Δｎ／ｎ)を、４３５．８ｎｍで１重量％Ｆあた
り−０．３０％及び１５７ｎｍで１重量％Ｆあたり−０．３２％と計算した。
【００６５】 発明者等はさらに、上記と同じ範囲のフッ素含有量範囲における、乾燥−溶融
シリカの熱的及び機械的特性を決定した。一例として、図７は熱膨張係数(ＣＴ
Ｅ)をフッ素レベルの関数として示している。アニール点(粘度＝１０１３.２ポ
アズ)で１時間加熱し、 １００℃／時間の割合で室温まで冷却することによりア
ニールした試料についてデータをとった。図７のデータの直線フィッティングか
ら、フッ素により１重量％Ｆあたり約０．１１ｐｐｍ／℃のＣＴＥ低下が生じる
ことがわかった。
【００６６】 表１に、発明者等の光学的及び物理的特性測定の結果を要約してある。この表
は、 コーニングＨＰＦＳ(登録商標)(ガラスＡ)とオキシフッ化ケイ素ガラス(ガ
ラスＥ)の特性を比較し、 ガラスの特性に関するフッ素含有量の変化の効果を示
している。Ｆ含有量にともなう特性の変化は、測定された特性データへの図７と
同様の直線フィッティングにより得た。
【００６７】
【表１】 オキシフッ化ケイ素ガラスの処理と標準的な高純度溶融シリカフォトマスク基
板の処理との間の何らかの全般的な差を明らかにするため、フォトマスク研磨及
び膜被着実験を行った。
【００６８】 ２５ｍｍ×２５ｍｍ×１．５ｍｍ厚の研磨基板を、オキシフッ化ケイ素ガラス
から作成した。比較のために、２５ｍｍ×２５ｍｍ×６．３５ｍｍ厚の基板も、
市販の標準的なシリカフォトマスク基板から切り出した。これらの基板を硫酸／
過酸化物溶液及びマスク洗剤で洗浄し、次いでスピン乾燥し、１２０℃でベーク
して、１００ｎｍ厚のＣｒ膜をスパッタリングにより被着した。
【００６９】 膜付着強度の測定は、ナノインデンターII(Nanoindenter II)を用いた押込及
び引掻試験により行った。同じ試験条件の下で、いずれのタイプの基板でもＣｒ
膜の剥離を生じさせることはできなかった。上記の結果は良好な膜付着を示す。
【００７０】 コーニングＨＰＦＳ(登録商標)溶融シリカ基板及びオキシフッ化ケイ素ガラス
基板を化学−機械研磨を用いて０．２ｎｍ ｒｍｓの表面粗さまで研磨した。
【００７１】 損失が反射だけに起因するとして定義される、オキシフッ化ケイ素ガラスの理
論透過率限界，％Ｔ(理論)は、公式(２)：
【数２】 を用いて１５７ｎｍにおける材料の屈折率(ｎ)から計算できる。
【００７２】 ％Ｔ(理論)に対するこの式は、多重内部反射に基づく。図６の実験データへの
直線フィッティングから、 ガラスＣ(Ｆが０．９４重量％)の１５７ｎｍ屈折率
を１．６７３０と計算した。 この屈折率を式(２)に用いれば、約８８％の１５
７ｎｍにおける理論透過率限界が予測される。この限界はセルマイヤー方程式の
外挿から計算された屈折率に基づいているから、利用できる最善のデータに基づ
く近似値と見なすべきである。
【００７３】 ガラスＣの６．４ｍｍを通した測定透過率は７３．８％であった。８８％の理
論限界への改善は、表面損失または内部損失の低減から達成できるであろう。表
面損失は試料表面の作製及び洗浄に強く依存する。重要な材料特性はガラスの内
部透過率である。オキシフッ化ケイ素ガラスＣの内部透過率は８７．９％／ｃｍ
であった。１５７ｎｍはオキシフッ化ケイ素のＵＶ吸収端に極めて近く、ガラス
構造における(ＯＨ及びＣｌを含む)残留不純物及びその他の欠陥が、透過率に大
きく影響する。
【００７４】 溶融シリカ構造は、４つの角(かど)の全てで互いに結合され、互いに対してラ
ンダムな方向に向いている、ＳｉＯ４正四面体の網状組織として表すことができ
る。水は≡Ｓｉ−ＯＨとしてガラス構造に取り込まれ(≡はＳｉＯ４網への結合
を示す)、 よって隣接する正四面体への結合がＯＨ基で断たれる。ＯＨは＜１７
５ｎｍの深紫外で吸収を生じさせる。 フッ素は同様に≡Ｓｉ−Ｆとしてガラス
構造に取り込まれて、網状組織の連結がＦ原子で断たれる。 Ｓｉ−Ｆ結合にと
もなう電子遷移は、 Ｓｉ−Ｏ網結合からの電子遷移よりも高エネルギー(短波長
)でおこると考えられる。
【００７５】 フッ素ドープシリカ構造は、Ｆ２エキシマーレーザ照射による損傷に特に耐性
がある。本明細書で、発明者等は、非常に低濃度のフッ素を含有するシリカであ
ってもフッ素化構造においてはＥ’色中心の形成が極めて抑制されることを示し
た。フッ素は、 弱いかまたは歪んだ結合及び酸素不足によるＳｉ−Ｓｉ欠陥の
ような色中心形成前駆部位の数を減少させることができる。
【００７６】 塩素含有量がオキシフッ化ケイ素ガラスの１５７ｎｍ透過率に強く影響するこ
とが見いだされた。図１１に見られるように、５ｍｍ厚オキシフッ化ケイ素ガラ
ス試料の１５７ｎｍ吸収対試料の塩素濃度のプロットは、１５７ｎｍ透過率が低
レベルの塩素により、好ましくはガラスを塩素フリーとすることにより、改善さ
れることを示す。
【００７７】 発明者等の測定はオキシフッ化ケイ素ガラスが、標準的なＵＶエキシマー級シ
リカと同様の、光学的、熱的及び機械的特性を有することを示す。シリカ構造へ
のフッ素添加は、これらの特性のほとんどに測定可能な変化を生じさせる。熱膨
張、ヤング率、及び剪断弾性率は全てフッ素含有量が多くなるとともに低下し、
一方熱伝導度及び比熱はほとんど影響されない。オキシフッ化ケイ素ガラスの熱
膨張がより低いことは１５７ｎｍ用途に有益であることを証明し、反射型リソグ
ラフィシステム、特に非常に短波長のシステムのようなその他のリソグラフィ及
びフォトマスク用途に利用することができる。このガラスの屈折率もフッ素によ
り低下する。しかし屈折率分散のため、１５７ｎｍにおけるオキシフッ化ケイ素
ガラスの屈折率は、標準的エキシマー級溶融シリカの１９３ｎｍにおける屈折率
よりもかなり高い。比較すると、ＣａＦ２はシリカより実質的に高い熱伝導度及
び低い１５７ｎｍ屈折率を有し、これらはいずれもフォトマスク用途に有益であ
るが、高熱膨張係数及び結晶性が製造及びマスク化処理を極めて困難にしている
。
【００７８】 ８７．９％／ｃｍもの高い内部透過率をもつオキシフッ化ケイ素を作成した。
散乱測定は、１５７ｎｍにおける散乱損失が極めて少なく、よってガラスの主要
な損失機構が吸収であることを示す。屈折率測定から、１５７ｎｍにおける測定
透過率の理論限界(反射損失のみ)は約８８％であると予測される。オキシフッ化
ケイ素ガラスの光学的、熱的及び機械的特性は、ガラスへのフッ素添加により、
標準的なＵＶエキシマー級溶融シリカの特性とは異なる。
【００７９】 本発明の精神及び範囲から逸脱することなく本発明に様々な改変及び変形がな
され得ることが、当業者には明らかであろう。よって、本発明の改変及び変形が
特許請求事項及びその等価物の範囲に入れば、本発明はそれらの改変及び変形を
包含するとされる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明にしたがう０． ８重量％のＦを含有するガラスＣと、 ＶＵＶスペク
トルを比較する、％透過率対波長（ｎｍ）のグラフである
【図２】 本発明にしたがうＦが０． ８重量％のガラスＣについての、 光学濃度対経
路長試料厚( ｍｍ) の光学濃度のグラフである
【図３】 Ｆが０％のガラスＢ及び本発明にしたがう０． ２重量％のＦを含有するガラ
スＤの１． １ｍｍ厚試料について、Ｆ２ レーザ光露光前後の、光学濃度対波長
( ｎｍ) をプロットした吸収スペクトルである
【図４】 ３項セルマイヤーフィッティング及び１５７ｎｍへの外挿を示す、本発明に
したがうガラスＥ( Ｆが０． ８重量％) に関する、 波長( ｎｍ) の関数とし
ての屈折率のグラフである
【図５】 本発明にしたがうフッ素含有量( Ｆの重量％) の関数としての４３５． ８ｎ
ｍ屈折率のグラフである
【図６】 本発明にしたがうフッ素含有量( Ｆの重量％) の関数としての( セルマイヤ
ーフィッティングから計算した) １５７ｎｍ屈折率のグラフである
【図７】 本発明にしたがうフッ素含有量( Ｆの重量％) の関数としての熱膨張係数(
ＣＴＥ，３００℃〜室温( ｐｐｍ／ ℃)) のグラフである
【図８】 本発明にしたがう、方法／リソグラフィシステムを示す
【図９】 本発明にしたがう、方法／リソグラフィシステムを示す
【図１０】 本発明にしたがう、方法／リソグラフィシステムを示す
【図１１】 本発明にしたがう、５ｍｍ厚試料の１５７ｎｍ吸収対塩素濃度( Ｃｌの重量
％) のグラフである
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ０９／３９７，５７３ (32)優先日 平成11年９月16日(1999．9．16) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＫＲ Ｆターム(参考） 2H095 BA07 BC27 BC28 2H097 AA03 CA13 CA17 JA02 LA10 4G062 AA04 BB02 DA08 DB01 DC01 DD01 DE01 DF01 EA01 EA10 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GB01 GC01 GD01 GE02 GE03 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM02 MM27 NN01 NN16

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 約１５７ｎｍの波長におけるフォトリソグラフィのための
    、波長が１９３ｎｍ以下のＶＵＶ( 真空紫外) 用フォトマスク基板において：Ｏ
    Ｈ含有量が重量で５０ｐｐｍ以下及び水素含有量が１×１０１７ 分子／ ｃｍ３ 以下であり、フッ素含有量が０． １から２重量％の範囲にある、高純度オキシ
    フッ化ケイ素ガラスを含むことを特徴とするＶＵＶ用フォトマスク基板。
  2. 【請求項２】 前記ガラスのＣｌ含有量が重量で５ｐｐｍ以下であること
    を特徴とする請求項１記載のＶＵＶ用フォトマスク基板。
  3. 【請求項３】 前記水素分子含有量が３×１０１６ 分子／ ｃｍ３ 以下で
    あることを特徴とする請求項１記載のＶＵＶ用フォトマスク基板。
  4. 【請求項４】 前記ガラスが検出可能な量の水素分子を含有しないことを
    特徴とする請求項１記載のＶＵＶ用フォトマスク基板。
  5. 【請求項５】 前記ＯＨ含有量が重量で１０ｐｐｍ以下であることを特徴
    とする請求項１記載のＶＵＶ用フォトマスク基板。
  6. 【請求項６】 前記フッ素含有量が０． ２から１． ２重量％の範囲にあ
    ることを特徴とする請求項１記載のＶＵＶ用フォトマスク基板。
  7. 【請求項７】 １５７ｎｍ波長領域における透過率が少なくとも５０％／
    ｃｍであることをさらに特徴とする請求項１記載のＶＵＶ用フォトマスク基板。
  8. 【請求項８】 前記フォトマスク基板の厚さを通して測定される透過率が
    少なくとも６５％であることを特徴とする請求項７記載のＶＵＶ用フォトマスク
    基板。
  9. 【請求項９】 前記厚さが約５ｍｍであることを特徴とする請求項８記載
    のＶＵＶ用フォトマスク基板。
  10. 【請求項１０】 実質的に塩素を含有しないことをさらに特徴とする請求
    項１記載のＶＵＶ用フォトマスク基板。
  11. 【請求項１１】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスが実質的にＳｉ，Ｏ及び
    Ｆからなり、実質的にＯＨ，Ｃｌ及びＨ２ を含有しないことを特徴とする請求
    項１記載のＶＵＶ用フォトマスク基板。
  12. 【請求項１２】 前記ガラスが、真空下で約１０００度まで加熱されたと
    きに放出される水素分子が１０１８ 分子／ ｍ２ より少ないような、低量のＨ
    ２ を含有することを特徴とする請求項１記載のＶＵＶ用フォトマスク基板。
  13. 【請求項１３】 前記フォトマスク基板に、４， １００ｃｍ−１ におけ
    る吸収ピークが存在しないことを特徴とする請求項１記載のＶＵＶ用フォトマス
    ク基板。
  14. 【請求項１４】 １５７ｎｍ波長領域におけるエキシマーレーザ光に対す
    る光損傷耐性が高いフォトマスク基板を作成するプロセスにおいて、前記プロセ
    スが： ａ) ＳｉＯ２ 粒子を準備する工程； ｂ) 前記粒子を脱水する工程； ｃ) 前記脱水工程の前、途中、または後のいずれかにおいて、前記粒子にフ
    ッ素をドープする工程；及び ｄ) 前記粒子を固結して、透明溶融オキシフッ化ケイ素ガラスの乾燥−無孔
    −モノリシック体を形成する工程； を含むことを特徴とするプロセス。
  15. 【請求項１５】 前記ドープ工程において、固結の結果前記ガラスに取り
    込まれるフッ素の量が０． １から２． ０重量％の範囲になるように前記粒子が
    フッ素含有ガスと反応させられることを特徴とする請求項１４記載のプロセス。
  16. 【請求項１６】 前記フッ素含有ガスがＣＦ４ ，ＳｉＦ４ ，Ｆ２ ，ＳＦ ６ ，Ｃ２ Ｆ６ ，Ｃ３ Ｆ８ 及びこれらの混合気からなる群から選ばれること
    を特徴とする請求項１４記載のプロセス。
  17. 【請求項１７】 １５７ｎｍ波長領域におけるフォトマスクブランクとし
    ての使用に適するオキシフッ化ケイ素ガラスにおいて、前記ガラスが実質的にＯ
    Ｈ基を含有せず、 少なくとも２０００ｐｐｍのフッ素及び５×１０１６ 分子
    ／ ｃｍ３ より少ない水素分子を含有することを特徴とするオキシフッ化ケイ素
    ガラス。
  18. 【請求項１８】 オキシフッ化ケイ素ガラスを含むリソグラフィ用ガラス
    において：前記オキシフッ化ケイ素ガラスの、ＯＨ含有量が重量で５ｐｐｍ以下
    及びＣｌ含有量が重量で５ｐｐｍ以下であり、Ｈ２ 含有量が１×１０１７ 分子
    ／ ｃｍ３ より少なく、フッ素含有量が少なくとも０． １重量％であって、前
    記ガラスの１５７ｎｍ内部透過率が少なくとも８０％／ ｃｍであることを特徴
    とするリソグラフィ用ガラス。
  19. 【請求項１９】 前記ガラスの室温から３００℃の温度範囲における熱膨
    張係数が０． ５５ｐｐｍ／ ℃より小さいことを特徴とする請求項１８記載のリ
    ソグラフィ用ガラス。
  20. 【請求項２０】 前記ガラスの１５７ｎｍ内部透過率が少なくとも８５％
    ／ ｃｍであることを特徴とする請求項１８記載のリソグラフィ用ガラス。
  21. 【請求項２１】 前記ガラスの１５７ｎｍから１７５ｎｍの波長範囲にお
    ける内部透過率が少なくとも８０％／ ｃｍであることを特徴とする請求項１８
    記載のリソグラフィ用ガラス。
  22. 【請求項２２】 前記ガラスの１５７ｎｍから１７５ｎｍの波長範囲におけ
    る内部透過率が少なくとも８５％／ｃｍであることを特徴とする請求項１８記載
    のリソグラフィ用ガラス。
  23. 【請求項２３】 前記ガラスが１５７ｎｍ波長を含む１パルスあたり４ｍ
    Ｊ／ ｃｍ２ のＦ２ エキシマーレーザ光の少なくとも０． ９６×１０６ パル
    スに露光されたときに、前記ガラスの２１５ｎｍにおける吸収の増加が１ｍｍあ
    たりの光学濃度(log10[ １／ 透過率]) で０． １より小さいことを特徴とする
    請求項１８記載のリソグラフィ用ガラス。
  24. 【請求項２４】 ２１５ｎｍにおける吸収の前記増加が１ｍｍあたりの光
    学濃度で０． ０５より小さいことを特徴とする請求項２３記載のガラス。
  25. 【請求項２５】 前記Ｃｌ含有量が重量で１ｐｐｍより少なく、前記ＯＨ
    含有量が重量で１ｐｐｍより少ないことを特徴とする請求項１８記載のガラス。
  26. 【請求項２６】 前記ガラスが実質的にＳｉ， Ｏ及びＦからなることを特
    徴とする請求項１８記載のガラス。
  27. 【請求項２７】 請求項１８記載のガラスからなることを特徴とするＶＵ
    Ｖ透過フォトマスク。
  28. 【請求項２８】 請求項１８記載のガラスからなることを特徴とするＶＵ
    Ｖ位相シフトフォトマスク。
  29. 【請求項２９】 請求項１９記載のガラスからなることを特徴とする反射
    型フォトマスク。
  30. 【請求項３０】 前記ガラスが実質的に金属間Ｓｉ−Ｓｉ結合を含まない
    ことを特徴とする請求項１８記載のガラス。
  31. 【請求項３１】 前記ガラスが１６５ｎｍ吸収中心を含まず、１６５ｎｍ
    における内部吸収が少なくとも８５％／ ｃｍであることを特徴とする請求項３
    ０記載のガラス。
  32. 【請求項３２】 ＶＵＶリソグラフィ法において、前記方法が： ＶＵＶリソグラフィ用光子を作り出すための波長が１６４ｎｍ以下の光源を
    準備する工程； 重量で５ｐｐｍより少ないＯＨ及び重量で５ｐｐｍより少ないＣｌを含み、
    １５７ｎｍ及び１６５ｎｍで測定される透過率が少なくとも７５％／ ５ｍｍで
    あるオキシフッ化ケイ素リソグラフィ用ガラスを準備する工程； 前記オキシフッ化ケイ素リソグラフィ用ガラスを通して前記ＶＵＶリソグラ
    フィ用光子を透過させる工程； 前記ＶＵＶリソグラフィ用光子によりリソグラフィパターンを形成する工程
    ；及び 前記リソグラフィパターンを縮小し、前記リソグラフィパターンをＶＵＶ感
    光性リソグラフィ用焼付媒体上に投影して、焼き付けられたリソグラフィパター
    ンを形成する工程； を含むことを特徴とする方法。
  33. 【請求項３３】 オキシフッ化ケイ素ガラスを準備する前記工程が、Ｓｉ
    Ｏ２ 形成前駆体を準備し、前記ガラス前駆体の前記Ｈ２ 含有量，前記ＯＨ含有
    量及び前記Ｃｌ含有量を少なくし、前記ガラス前駆体の前記Ｆ含有量を多くして
    、５０％透過ＶＵＶ遮断波長が１６０ｎｍ以下にあるオキシフッ化ケイ素ガラス
    を準備することにより、前記ガラスのＶＵＶ遮断波長を短波長側にシフトさせる
    工程を含むことを特徴とする請求項３２記載の方法。
  34. 【請求項３４】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスが実質的にＳｉ，Ｏ及び
    Ｆからなり、実質的にＳｉ−Ｓｉ結合を含まないことを特徴とする請求項３２記
    載の方法。
  35. 【請求項３５】 ＶＵＶ透過オキシフッ化ケイ素ガラスにおいて：ＯＨ含
    有量が重量で５ｐｐｍより少なく、Ｃｌ含有量が重量で５ｐｐｍより少なく、Ｈ ２ 含有量が１×１０１７ 分子／ ｃｍ３ より少なく、フッ素含有量が少なくと
    も０． １重量％であり；前記ガラスが実質的にＳｉ，Ｏ及びＦからなり、実質
    的に金属間Ｓｉ−Ｓｉ結合を含まず；前記ガラスの１５７ｎｍから１７５ｎｍの
    波長範囲における内部透過率が少なくとも８５％／ ｃｍであり、 前記ガラス
    が１パルスあたり４ｍＪ／ ｃｍ２ の１５７ｎｍＦ２ エキシマーレーザ光の少
    なくとも０． ９６×１０６ パルスに露光されたときに、前記ガラスの２１５ｎ
    ｍにおける吸収の増加が１ｍｍあたりの光学濃度で０． １より小さいことを特
    徴とするＶＵＶ透過オキシフッ化ケイ素ガラス。
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