JP2004523914A - フッ化バリウム高繰返しレートｕｖエキシマーレーザ - Google Patents
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Abstract
本発明は、レーザビーム源及びフッ化バリウムを含む１つまたはそれより多くの窓を備えるエキシマーレーザに関する。発明の別の態様は、レーザビーム源、フッ化バリウムを含む１つまたはそれより多くの窓及びこれらの１つまたはそれより多くの窓のためのアニール源を備えるエキシマーレーザに関する。本発明の別の態様は既定の狭い帯域幅をもつレーザビームの生成方法に関する。
Description
【技術分野】
【０００１】
本発明は全般的にはエキシマーレーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
本明細書全体にわたって様々な文献が参照される。これらの文献のそれぞれの開示はその全体が本特許出願明細書に参照として含まれる。
【０００３】
エキシマーレーザは、超精密加工を可能にすることから、半導体製造装置用の縮小投影及び露光装置の光源として商業利用するためにこれまで開発されてきた。
【０００４】
エキシマーレーザからの発振光は、様々な波長成分を有し、中心波長が変化する。この結果、発振光のままの状態にあると、レンズなどの外部光学素子を光が通過するときに収差が生じ、よって加工精度が悪くなる。この理由により、レーザ発振波長のスペクトル幅を狭めるため及び中心波長を発振波長の中心値として安定化させるために、回折格子のような波長選択素子をエキシマーレーザに装備する挟帯域化技術が広く用いられている。
【０００５】
特許文献１はエキシマーレーザを開示している。レーザガスがレーザチャンバに封入され、放電電極における放電の結果としてエネルギーが供給されて、レーザビームを発振させる。発振レーザビームは後部窓から出射し、第１のプリズム及び第２のプリズムを通過しながらビーム寸法が広げられ、次いでレーザビームは回折格子に入射する。回折格子において、アクチュエータによりレーザビームの光路に対する角度を制御して、レーザビームを既定の波長で発振させることにより挟帯域が達成される。第１のプリズム、第２のプリズム及び回折格子である光学素子群は、まとめて挟帯域光学系と呼ばれる。波長が挟帯域光学系で制御されているレーザビームは、前部窓及び、半透ミラーである前部ミラーを通過して、レーザビームの一部がレーザチャンバから出射する。
【０００６】
一般に、合成石英ガラスまたはフッ化カルシウムがエキシマーレーザ用光学部品の材料として用いられるが、これらの材料の使用には重大な欠点がある。半導体デバイスを高効率で大量に製造するため、単位時間当りのレーザ発振パルス数(繰返し周波数または繰返しレートとも呼ばれる)を大きくすることでレーザパワーを高めることが要求されてきた。しかし、レーザ共振器内のエネルギー密度が高く、さらに、レーザビームは共振器内を往復し、光学部品を何度も通過する。このため、レーザパワーが高くなると、材料内部の小さな歪または不均一性でさえも光学部品を劣化させる。光学部品の小さな劣化であっても、発振レーザビームの品質に大きな影響を及ぼす。
【特許文献１】
米国特許第６１８１７２４号明細書
【特許文献２】
米国特許第６２８２２２１号明細書
【特許文献３】
米国特許第６０６７３１１号明細書
【特許文献４】
米国特許第６０１４３９８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、合成石英ガラスまたはフッ化カルシウムの光学部品は、エキシマーレーザのパワー増加時における耐久性が不十分であり、これらの光学部品が用いられるときにはエキシマーレーザの高精度の波長制御が困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明はレーザビーム源、及びフッ化バリウムを含む１つまたはそれより多くの窓を備えるエキシマーレーザに関する。
【０００９】
本発明の別の態様は、レーザビーム源、フッ化バリウムを含む１つまたはそれより多くの窓及び前記１つまたはそれより多くの窓のためのアニール源を備えるエキシマーレーザを含む。
【００１０】
本発明のまた別の態様はフッ化バリウムを含むエキシマーレーザ窓を含む。
【００１１】
本発明のまた別の態様は、既定の挟い帯域幅をもつレーザビームを生成する方法を含む。本方法は、レーザビームを発振させて、レーザビームをチャンバの第１の窓から出射させる工程、１つまたはそれより多くのプリズムを通してレーザビームを拡大する工程、レーザビームを既定の狭い帯域幅通りに制御する工程、及び既定の狭い帯域幅をもつレーザビームにチャンバの第２の窓を通過させる工程を含み、チャンバの第１及び第２の窓はフッ化バリウムを含む。
【００１２】
本発明の上記及びその他の特徴及び利点は、以下の好ましい実施形態の詳細な説明を添付図面と合せて読めば明らかであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は、レーザビーム源及び、フッ化バリウムを含む、１つまたはそれより多くの窓を備えるエキシマーレーザに関する。
【００１４】
エキシマーレーザ装置は、特許文献１、特許文献２、特許文献３及び特許文献４に説明され、これらの明細書は本明細書に参照として含まれる。
【００１５】
一般に、エキシマーレーザは以下のように動作する。レーザガスがレーザチャンバに封入され、放電電極における放電によりガスにエネルギーが供給される。これによりレーザビームの発振がおこる。発振レーザビームは後部窓を通ってレーザチャンバから出射し、プリズムを通過しながらレーザビームの寸法が拡大されて、レーザビームは回折格子に入射する。回折格子では、アクチュエータがレーザビームの光路に対する角度を制御し、レーザビームを既定の波長で発振させることにより挟帯域幅が達成される。波長が制御されたレーザビームは前部窓及び前部ミラーを通過し、レーザビームの一部がレーザチャンバから出射する。
【００１６】
エキシマーレーザの動作に関する上記概要をふまえて、図１は本発明のエキシマーレーザの一実施形態を示す。図１に示されるように、エキシマーレーザ装置１０は、第１並びに第２の（及び、必要に応じて第３の）プリズム１２などの複数のプリズム，第１のミラー１３，第２のミラー１５，回折格子１４，第１の窓１６及び第２の窓１８を備える。レーザチャンバ１７にある第１の窓１６と第２の窓１８は、エネルギー損失を小さくするため、レーザビーム１１に対して常ブルースター角をなす。複数のプリズム１２，第１のミラー１３及び第２のミラー１５並びに第１の窓１６及び第２の窓１８などの構成部品は、フッ化カルシウム、フッ化バリウムまたはフッ化マグネシウムのようなフッ化物光学材料でつくられる。一実施形態において、これらの構成部品はフッ化バリウムでつくられる。別の実施形態においては、第１の窓１６及び第２の窓１８がフッ化バリウムでつくられ、複数のプリズム１２，第１のミラー及び第２のミラー１５のような他の構成部品はフッ化カルシウムのような別の材料でつくられる。
【００１７】
本発明の別の態様は、既定の狭い帯域幅をもつレーザビームを生成する方法を含む。本方法は、レーザビームを発振させて、レーザビームをチャンバの第１の窓から出射させる工程、１つまたはそれより多くのプリズムを通してレーザビームを拡大する工程、レーザビームを既定の狭い帯域幅通りに制御する工程及び既定の狭い帯域幅をもつレーザビームにチャンバの第２の窓を通過させる工程を含み、チャンバの第１及び第２の窓はフッ化バリウムを含む。
【００１８】
図１を参照すれば、使用時、（Ａｒ，Ｋｒ，Ｎｅ及び／またはＦ２のような）レーザガスがレーザチャンバ１７に封入され、放電電極（図示せず）における放電によりエネルギーがレーザガスに供給される。これにより、レーザビーム１１が発振する。発振レーザビーム１１は、後部窓１６を通ってレーザチャンバ１７から出射する。レーザビーム１１は、プリズム１２を通過して、第２のミラー１５及び回折格子１４で反射される。第２のミラー１５において、レーザビーム１１の光路に対する角度がアクチュエータ１９により制御される。レーザビーム１１を既定の波長で発振させることにより、レーザビーム１１に対して挟帯域幅が達成される。レーザビーム１１は回折格子１４及び第２のミラー１５により全反射されて、レーザビーム１１は元の光路を逆行し、前部窓１８からチャンバ１７を出て、第１のミラー１３から出射する。
【００１９】
図２は本発明の第２の実施形態を示す。エキシマーレーザ装置２０は、第１及び第２のプリズム２２などの複数のプリズム、ミラー２５，回折格子２４並びに第１の窓２６及び第２の窓２８を備える。レーザチャンバ２７にある第１の窓２６及び第２の窓２８は、エネルギー損失を小さくするため、レーザビーム２１に対して常ブルースター角をなす。本実施形態においては、レーザビーム２１の一部が、半透ミラーであるミラー２５で反射され、レーザビーム２１の一部がレーザチャンバ２７から出射する。複数のプリズム２２，第２のミラー２５並びに第１の窓２６及び第２の窓２８のような構成部品は、フッ化カルシウム、フッ化バリウムまたはフッ化マグネシウムのようなフッ化物光学材料でつくられる。一実施形態において、これらの構成部品はフッ化バリウムでつくられる。別の実施形態においては、第１の窓２６及び第２の窓２８がフッ化バリウムでつくられ、複数のプリズム２２及びミラー２５のような他の構成部品はフッ化カルシウムなどの別の材料でつくられる。
【００２０】
本発明の別の態様はフッ化バリウムでつくられたエキシマーレーザ窓を含む。
【００２１】
フッ化バリウムでつくられた本発明のレーザ窓はエキシマーレーザの長い稼働寿命にわたり耐久性を維持する。本明細書で用いられる“耐久性を維持する”とは、フッ化バリウム窓では認め得る誘起吸収がないことを意味する。フッ化バリウム窓は、出力が１０ｍＪ以上であり、繰返しレートが約４ｋＨｚ以上のレーザに対して耐久性を維持する。さらに、本発明のフッ化バリウム窓は、出力が１０ｍＪ以上で繰返しレートが約４ｋＨｚ以上のレーザに対して、５億パルス以上、必要によっては９億パルス以上にわたり、耐久性を維持する。
【００２２】
本発明の別の態様は、レーザービーム源、フッ化バリウムを含む１つまたはそれより多くの窓、及びこれらの１つまたはそれより多くの窓のためのアニール源を備えるエキシマーレーザを含む。
【００２３】
図３は、レーザチャンバの窓のためのアニール源を備える、本発明の実施形態を示す。図３に示されるように、エキシマーレーザ装置３０は、第１及び第２の（及び、必要に応じて第３の）プリズム３２のような複数のプリズム、第１のミラー３３，第２のミラー３５，回折格子３４並びに第１の窓３６及び第２の窓３８を備える。レーザチャンバ３７にある第１の窓３６及び第２の窓３８は、エネルギー損失を小さくするため、レーザビーム３１に対して常ブルースター角をなす。複数のプリズム３２，第１のミラー３３及び第２のミラー３５並びに第１の窓３６及び第２の窓３８のような構成部品は、フッ化カルシウム、フッ化バリウムまたはフッ化マグネシウムのような、フッ化物光学材料でつくられる。一実施形態において、これらの構成部品はフッ化バリウムでつくられる。別の実施形態においては、第１の窓３６及び第２の窓３８がフッ化バリウムでつくられ、複数のプリズム３２，第１のミラー３３及び第２のミラー３５のような他の構成部品はフッ化カルシウムのような別の材料でつくられる。
【００２４】
一般に、(上述したような)第１のレーザビーム及び第２のレーザビームは、レーザチャンバ３７内の放電電極により生成される。図３を参照すれば、使用時、（Ａｒ，Ｋｒ，Ｎｅ及び／またはＦ２などの）第２のレーザガスがレーザチャンバ３７に封入され、第２の放電電極（図示せず）における第２の放電によりエネルギーが第２のガスに供給される。これにより、第２のレーザビーム３１が発振する。発振レーザビーム３１は後部窓３６を通ってレーザチャンバ３７から出射する。レーザビーム３１はプリズム３２を通過して、第２のミラー３５及び回折格子３４で反射される。第２のミラー３５において、レーザビーム３１の光路に対する角度がアクチュエータ３９により制御される。レーザビーム３１を既定の波長で発振させることにより、レーザビーム３１に対して挟帯域幅が達成される。レーザビーム３１は、回折格子３４及び第２のミラー３５で全反射されて、レーザビーム３１は元の光路を逆行し、前部窓３８からチャンバ３７を出て第１のミラー３３から出射する。
【００２５】
第２のレーザビーム３１は、エキシマーレーザの動作と同時に、第１の窓３６及び第２の窓３８をアニールするために用いられる。窓は、波長が約２５０ｎｍの光の第２のレーザビーム３１で照射される。この波長は誘起吸収帯の波長に相当する。あるいは、第２のレーザビーム３１は、エキシマーレーザの動作の後または前に第１の窓３６及び第２の窓３８をアニールするために用いられ、この間は、エキシマーレーザは使用されない。
【００２６】
あるいは、窓３６及び窓３８は熱アニールされる。熱アニールは、不活性ガスのような雰囲気内または真空下で、第１及び／または第２の窓を加熱することにより達成される。窓の加熱温度は誘起吸収のレベルに依存するが、約２００℃から約８００℃の温度が一般的である。
【００２７】
好ましい実施形態を本明細書で図示し、詳細に説明したが、当業者には、本発明の精神を逸脱することなく様々な改変、付加、置換等がなされ得ること、したがってそのような改変、付加、置換等が特許請求の範囲で定められるような本発明の範囲内にあると見なされることが明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態にしたがうエキシマーレーザを示す
【図２】本発明の別の実施形態にしたがうエキシマーレーザを示す
【図３】本発明のさらに別の実施形態にしたがうエキシマーレーザを示す
【符号の説明】
【００２９】
１０ エキシマーレーザ装置
１１ レーザビーム
１２ プリズム
１３，１５ ミラー
１４ 回折格子
１６，１８ 窓
１７ レーザチャンバ
１９ アクチュエータ
【０００１】
本発明は全般的にはエキシマーレーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
本明細書全体にわたって様々な文献が参照される。これらの文献のそれぞれの開示はその全体が本特許出願明細書に参照として含まれる。
【０００３】
エキシマーレーザは、超精密加工を可能にすることから、半導体製造装置用の縮小投影及び露光装置の光源として商業利用するためにこれまで開発されてきた。
【０００４】
エキシマーレーザからの発振光は、様々な波長成分を有し、中心波長が変化する。この結果、発振光のままの状態にあると、レンズなどの外部光学素子を光が通過するときに収差が生じ、よって加工精度が悪くなる。この理由により、レーザ発振波長のスペクトル幅を狭めるため及び中心波長を発振波長の中心値として安定化させるために、回折格子のような波長選択素子をエキシマーレーザに装備する挟帯域化技術が広く用いられている。
【０００５】
特許文献１はエキシマーレーザを開示している。レーザガスがレーザチャンバに封入され、放電電極における放電の結果としてエネルギーが供給されて、レーザビームを発振させる。発振レーザビームは後部窓から出射し、第１のプリズム及び第２のプリズムを通過しながらビーム寸法が広げられ、次いでレーザビームは回折格子に入射する。回折格子において、アクチュエータによりレーザビームの光路に対する角度を制御して、レーザビームを既定の波長で発振させることにより挟帯域が達成される。第１のプリズム、第２のプリズム及び回折格子である光学素子群は、まとめて挟帯域光学系と呼ばれる。波長が挟帯域光学系で制御されているレーザビームは、前部窓及び、半透ミラーである前部ミラーを通過して、レーザビームの一部がレーザチャンバから出射する。
【０００６】
一般に、合成石英ガラスまたはフッ化カルシウムがエキシマーレーザ用光学部品の材料として用いられるが、これらの材料の使用には重大な欠点がある。半導体デバイスを高効率で大量に製造するため、単位時間当りのレーザ発振パルス数(繰返し周波数または繰返しレートとも呼ばれる)を大きくすることでレーザパワーを高めることが要求されてきた。しかし、レーザ共振器内のエネルギー密度が高く、さらに、レーザビームは共振器内を往復し、光学部品を何度も通過する。このため、レーザパワーが高くなると、材料内部の小さな歪または不均一性でさえも光学部品を劣化させる。光学部品の小さな劣化であっても、発振レーザビームの品質に大きな影響を及ぼす。
【特許文献１】
米国特許第６１８１７２４号明細書
【特許文献２】
米国特許第６２８２２２１号明細書
【特許文献３】
米国特許第６０６７３１１号明細書
【特許文献４】
米国特許第６０１４３９８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、合成石英ガラスまたはフッ化カルシウムの光学部品は、エキシマーレーザのパワー増加時における耐久性が不十分であり、これらの光学部品が用いられるときにはエキシマーレーザの高精度の波長制御が困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明はレーザビーム源、及びフッ化バリウムを含む１つまたはそれより多くの窓を備えるエキシマーレーザに関する。
【０００９】
本発明の別の態様は、レーザビーム源、フッ化バリウムを含む１つまたはそれより多くの窓及び前記１つまたはそれより多くの窓のためのアニール源を備えるエキシマーレーザを含む。
【００１０】
本発明のまた別の態様はフッ化バリウムを含むエキシマーレーザ窓を含む。
【００１１】
本発明のまた別の態様は、既定の挟い帯域幅をもつレーザビームを生成する方法を含む。本方法は、レーザビームを発振させて、レーザビームをチャンバの第１の窓から出射させる工程、１つまたはそれより多くのプリズムを通してレーザビームを拡大する工程、レーザビームを既定の狭い帯域幅通りに制御する工程、及び既定の狭い帯域幅をもつレーザビームにチャンバの第２の窓を通過させる工程を含み、チャンバの第１及び第２の窓はフッ化バリウムを含む。
【００１２】
本発明の上記及びその他の特徴及び利点は、以下の好ましい実施形態の詳細な説明を添付図面と合せて読めば明らかであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は、レーザビーム源及び、フッ化バリウムを含む、１つまたはそれより多くの窓を備えるエキシマーレーザに関する。
【００１４】
エキシマーレーザ装置は、特許文献１、特許文献２、特許文献３及び特許文献４に説明され、これらの明細書は本明細書に参照として含まれる。
【００１５】
一般に、エキシマーレーザは以下のように動作する。レーザガスがレーザチャンバに封入され、放電電極における放電によりガスにエネルギーが供給される。これによりレーザビームの発振がおこる。発振レーザビームは後部窓を通ってレーザチャンバから出射し、プリズムを通過しながらレーザビームの寸法が拡大されて、レーザビームは回折格子に入射する。回折格子では、アクチュエータがレーザビームの光路に対する角度を制御し、レーザビームを既定の波長で発振させることにより挟帯域幅が達成される。波長が制御されたレーザビームは前部窓及び前部ミラーを通過し、レーザビームの一部がレーザチャンバから出射する。
【００１６】
エキシマーレーザの動作に関する上記概要をふまえて、図１は本発明のエキシマーレーザの一実施形態を示す。図１に示されるように、エキシマーレーザ装置１０は、第１並びに第２の（及び、必要に応じて第３の）プリズム１２などの複数のプリズム，第１のミラー１３，第２のミラー１５，回折格子１４，第１の窓１６及び第２の窓１８を備える。レーザチャンバ１７にある第１の窓１６と第２の窓１８は、エネルギー損失を小さくするため、レーザビーム１１に対して常ブルースター角をなす。複数のプリズム１２，第１のミラー１３及び第２のミラー１５並びに第１の窓１６及び第２の窓１８などの構成部品は、フッ化カルシウム、フッ化バリウムまたはフッ化マグネシウムのようなフッ化物光学材料でつくられる。一実施形態において、これらの構成部品はフッ化バリウムでつくられる。別の実施形態においては、第１の窓１６及び第２の窓１８がフッ化バリウムでつくられ、複数のプリズム１２，第１のミラー及び第２のミラー１５のような他の構成部品はフッ化カルシウムのような別の材料でつくられる。
【００１７】
本発明の別の態様は、既定の狭い帯域幅をもつレーザビームを生成する方法を含む。本方法は、レーザビームを発振させて、レーザビームをチャンバの第１の窓から出射させる工程、１つまたはそれより多くのプリズムを通してレーザビームを拡大する工程、レーザビームを既定の狭い帯域幅通りに制御する工程及び既定の狭い帯域幅をもつレーザビームにチャンバの第２の窓を通過させる工程を含み、チャンバの第１及び第２の窓はフッ化バリウムを含む。
【００１８】
図１を参照すれば、使用時、（Ａｒ，Ｋｒ，Ｎｅ及び／またはＦ２のような）レーザガスがレーザチャンバ１７に封入され、放電電極（図示せず）における放電によりエネルギーがレーザガスに供給される。これにより、レーザビーム１１が発振する。発振レーザビーム１１は、後部窓１６を通ってレーザチャンバ１７から出射する。レーザビーム１１は、プリズム１２を通過して、第２のミラー１５及び回折格子１４で反射される。第２のミラー１５において、レーザビーム１１の光路に対する角度がアクチュエータ１９により制御される。レーザビーム１１を既定の波長で発振させることにより、レーザビーム１１に対して挟帯域幅が達成される。レーザビーム１１は回折格子１４及び第２のミラー１５により全反射されて、レーザビーム１１は元の光路を逆行し、前部窓１８からチャンバ１７を出て、第１のミラー１３から出射する。
【００１９】
図２は本発明の第２の実施形態を示す。エキシマーレーザ装置２０は、第１及び第２のプリズム２２などの複数のプリズム、ミラー２５，回折格子２４並びに第１の窓２６及び第２の窓２８を備える。レーザチャンバ２７にある第１の窓２６及び第２の窓２８は、エネルギー損失を小さくするため、レーザビーム２１に対して常ブルースター角をなす。本実施形態においては、レーザビーム２１の一部が、半透ミラーであるミラー２５で反射され、レーザビーム２１の一部がレーザチャンバ２７から出射する。複数のプリズム２２，第２のミラー２５並びに第１の窓２６及び第２の窓２８のような構成部品は、フッ化カルシウム、フッ化バリウムまたはフッ化マグネシウムのようなフッ化物光学材料でつくられる。一実施形態において、これらの構成部品はフッ化バリウムでつくられる。別の実施形態においては、第１の窓２６及び第２の窓２８がフッ化バリウムでつくられ、複数のプリズム２２及びミラー２５のような他の構成部品はフッ化カルシウムなどの別の材料でつくられる。
【００２０】
本発明の別の態様はフッ化バリウムでつくられたエキシマーレーザ窓を含む。
【００２１】
フッ化バリウムでつくられた本発明のレーザ窓はエキシマーレーザの長い稼働寿命にわたり耐久性を維持する。本明細書で用いられる“耐久性を維持する”とは、フッ化バリウム窓では認め得る誘起吸収がないことを意味する。フッ化バリウム窓は、出力が１０ｍＪ以上であり、繰返しレートが約４ｋＨｚ以上のレーザに対して耐久性を維持する。さらに、本発明のフッ化バリウム窓は、出力が１０ｍＪ以上で繰返しレートが約４ｋＨｚ以上のレーザに対して、５億パルス以上、必要によっては９億パルス以上にわたり、耐久性を維持する。
【００２２】
本発明の別の態様は、レーザービーム源、フッ化バリウムを含む１つまたはそれより多くの窓、及びこれらの１つまたはそれより多くの窓のためのアニール源を備えるエキシマーレーザを含む。
【００２３】
図３は、レーザチャンバの窓のためのアニール源を備える、本発明の実施形態を示す。図３に示されるように、エキシマーレーザ装置３０は、第１及び第２の（及び、必要に応じて第３の）プリズム３２のような複数のプリズム、第１のミラー３３，第２のミラー３５，回折格子３４並びに第１の窓３６及び第２の窓３８を備える。レーザチャンバ３７にある第１の窓３６及び第２の窓３８は、エネルギー損失を小さくするため、レーザビーム３１に対して常ブルースター角をなす。複数のプリズム３２，第１のミラー３３及び第２のミラー３５並びに第１の窓３６及び第２の窓３８のような構成部品は、フッ化カルシウム、フッ化バリウムまたはフッ化マグネシウムのような、フッ化物光学材料でつくられる。一実施形態において、これらの構成部品はフッ化バリウムでつくられる。別の実施形態においては、第１の窓３６及び第２の窓３８がフッ化バリウムでつくられ、複数のプリズム３２，第１のミラー３３及び第２のミラー３５のような他の構成部品はフッ化カルシウムのような別の材料でつくられる。
【００２４】
一般に、(上述したような)第１のレーザビーム及び第２のレーザビームは、レーザチャンバ３７内の放電電極により生成される。図３を参照すれば、使用時、（Ａｒ，Ｋｒ，Ｎｅ及び／またはＦ２などの）第２のレーザガスがレーザチャンバ３７に封入され、第２の放電電極（図示せず）における第２の放電によりエネルギーが第２のガスに供給される。これにより、第２のレーザビーム３１が発振する。発振レーザビーム３１は後部窓３６を通ってレーザチャンバ３７から出射する。レーザビーム３１はプリズム３２を通過して、第２のミラー３５及び回折格子３４で反射される。第２のミラー３５において、レーザビーム３１の光路に対する角度がアクチュエータ３９により制御される。レーザビーム３１を既定の波長で発振させることにより、レーザビーム３１に対して挟帯域幅が達成される。レーザビーム３１は、回折格子３４及び第２のミラー３５で全反射されて、レーザビーム３１は元の光路を逆行し、前部窓３８からチャンバ３７を出て第１のミラー３３から出射する。
【００２５】
第２のレーザビーム３１は、エキシマーレーザの動作と同時に、第１の窓３６及び第２の窓３８をアニールするために用いられる。窓は、波長が約２５０ｎｍの光の第２のレーザビーム３１で照射される。この波長は誘起吸収帯の波長に相当する。あるいは、第２のレーザビーム３１は、エキシマーレーザの動作の後または前に第１の窓３６及び第２の窓３８をアニールするために用いられ、この間は、エキシマーレーザは使用されない。
【００２６】
あるいは、窓３６及び窓３８は熱アニールされる。熱アニールは、不活性ガスのような雰囲気内または真空下で、第１及び／または第２の窓を加熱することにより達成される。窓の加熱温度は誘起吸収のレベルに依存するが、約２００℃から約８００℃の温度が一般的である。
【００２７】
好ましい実施形態を本明細書で図示し、詳細に説明したが、当業者には、本発明の精神を逸脱することなく様々な改変、付加、置換等がなされ得ること、したがってそのような改変、付加、置換等が特許請求の範囲で定められるような本発明の範囲内にあると見なされることが明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態にしたがうエキシマーレーザを示す
【図２】本発明の別の実施形態にしたがうエキシマーレーザを示す
【図３】本発明のさらに別の実施形態にしたがうエキシマーレーザを示す
【符号の説明】
【００２９】
１０ エキシマーレーザ装置
１１ レーザビーム
１２ プリズム
１３，１５ ミラー
１４ 回折格子
１６，１８ 窓
１７ レーザチャンバ
１９ アクチュエータ
Claims (26)
- 繰返しレートが４ｋＨｚ以上の挟帯域幅エキシマーレーザビームの生成方法において、
レーザビームを発振させることによって前記レーザビームはチャンバの第１のフッ化バリウム結晶の窓から出射する工程、
前記レーザビームを既定の挟い帯域幅に制御する工程、及び
繰返しレートが４ｋＨｚ以上のエキシマーレーザビームを提供するため、前記既定の狭い帯域幅をもつレーザビームに前記チャンバの第２のフッ化バリウム結晶の窓を通過させる工程、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記繰返しレート４ｋＨｚ以上のエキシマーレーザビームが１０ｍＪ以上のパワーを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記フッ化バリウム結晶の窓が前記レーザビームの５億パルス以上にわたり耐久性を維持することを特徴とする請求項１に記載の方法。
- レーザビーム源、及び
フッ化バリウムを含む１つまたはそれより多くの窓、
を備えることを特徴とするエキシマーレーザ。 - 前記レーザビームが１０ｍＪ以上のパワーを有することを特徴とする請求項４に記載のエキシマーレーザ。
- 前記レーザビームが４ｋＨｚ以上の繰返しレートを有することを特徴とする請求項４に記載のエキシマーレーザ。
- 前記レーザビーム源がフッ化アルゴンであることを特徴とする請求項５に記載のエキシマーレーザ。
- 前記レーザビーム源がフッ化クリプトンであることを特徴とする請求項４に記載のエキシマーレーザ。
- 前記１つまたはそれより多くの窓のためのアニール源をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載のエキシマーレーザ。
- 前記窓が前記レーザビームの５億パルス以上にわたり耐久性を維持することを特徴とする請求項４に記載のエキシマーレーザ。
- レーザビーム源、
フッ化バリウムを含む１つまたはそれより多くの窓、及び
前記１つまたはそれより多くの窓のためのアニール源、
を備えることを特徴とするエキシマーレーザ。 - 前記レーザビームが１０ｍＪ以上のパワーを有することを特徴とする請求項１１に記載のエキシマーレーザ。
- 前記レーザビームが４ｋＨｚ以上の繰返しレートを有することを特徴とする請求項１１に記載のエキシマーレーザ。
- 前記レーザビーム源がフッ化アルゴンであることを特徴とする請求項１１に記載のエキシマーレーザ。
- 前記レーザビーム源がフッ化クリプトンであることを特徴とする請求項１１に記載のエキシマーレーザ。
- エキシマーレーザ窓において、前記窓がフッ化バリウムを含むことを特徴とするエキシマーレーザ窓。
- 既定の狭い帯域幅をもつレーザビームの生成方法において、
レーザビームを発振させることによって前記レーザビームはチャンバの第１の窓から出射する工程、
１つまたはそれより多くのプリズムを通して前記レーザビームを拡大する工程、
前記レーザビームを既定の挟帯域幅に制御する工程、及び
前記既定の狭い帯域幅をもつレーザビームに前記チャンバの第２の窓を通過させる工程、
を含み、前記チャンバの前記第１及び第２の窓はフッ化バリウムからなることを特徴とする方法。 - 前記レーザビームが１０ｍＪ以上のパワーを有することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
- 前記レーザビームが４ｋＨｚ以上の繰返しレートを有することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
- 前記レーザビームを５億パルス以上にわたってパルス動作させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
- 前記第１及び第２の窓が耐久性を維持することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
- 前記レーザビームが９億パルス以上にわたりパルス動作させられ、前記第１及び第２の窓が耐久性を維持することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
- 前記第１の窓をアニールする工程をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
- 前記第２の窓をアニールする工程をさらに含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
- 前記レーザビーム源がフッ化アルゴンであることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
- 前記レーザビーム源がフッ化クリプトンであることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US27302801P | 2001-03-02 | 2001-03-02 | |
| PCT/US2002/009047 WO2002071556A2 (en) | 2001-03-02 | 2002-02-25 | Barium fluoride high repetition rate uv excimer laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004523914A true JP2004523914A (ja) | 2004-08-05 |
Family
ID=23042247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002570359A Withdrawn JP2004523914A (ja) | 2001-03-02 | 2002-02-25 | フッ化バリウム高繰返しレートｕｖエキシマーレーザ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6839374B2 (ja) |
| EP (1) | EP1368868A4 (ja) |
| JP (1) | JP2004523914A (ja) |
| AU (1) | AU2002258594A1 (ja) |
| TW (1) | TW569509B (ja) |
| WO (1) | WO2002071556A2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6868106B1 (en) * | 1998-06-04 | 2005-03-15 | Lambda Physik Ag | Resonator optics for high power UV lasers |
| US6801562B2 (en) * | 2001-03-02 | 2004-10-05 | Corning Incorporated | High repetition rate excimer laser system |
| US7061959B2 (en) * | 2001-04-18 | 2006-06-13 | Tcz Gmbh | Laser thin film poly-silicon annealing system |
| US8048155B2 (en) * | 2002-02-02 | 2011-11-01 | Powervision, Inc. | Intraocular implant devices |
| WO2003069739A1 (en) * | 2002-02-13 | 2003-08-21 | Corning Incorporated | High repetition rate excimer laser system |
| JP2003347627A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Gigaphoton Inc | 紫外線レーザ装置 |
| FR2869224B1 (fr) * | 2004-04-22 | 2006-06-09 | Oreal | Compose 2-oxy-acetamide, ses utilisations et compositions pour stimuler ou induire la pousse des fibres keratiniques et/ou freiner leur chute |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4817096A (en) * | 1986-03-26 | 1989-03-28 | United Technologies Corporation | Multiple wavelength excimer laser |
| JPH06250015A (ja) | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | エキシマレーザ装置用レーザ光取り出し窓及びそれを用いたエキシマレーザ装置 |
| RU2041298C1 (ru) | 1993-08-17 | 1995-08-09 | Акционерное общество "Инкром" | Способ выращивания кристаллов из паровой фазы |
| JPH0940499A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-10 | Japan Steel Works Ltd:The | エキシマレーザーアニール処理装置 |
| US5978409A (en) * | 1998-09-28 | 1999-11-02 | Cymer, Inc. | Line narrowing apparatus with high transparency prism beam expander |
| JP4268700B2 (ja) * | 1998-04-03 | 2009-05-27 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | エキシマレーザアニール装置、多結晶薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示素子の製造方法 |
| US6345065B1 (en) * | 1998-06-04 | 2002-02-05 | Lambda Physik Ag | F2-laser with line selection |
| JP2000034193A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Nikon Corp | フッ化物単結晶の熱処理方法及び製造方法 |
| US6567450B2 (en) | 1999-12-10 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system |
| US6421365B1 (en) * | 1999-11-18 | 2002-07-16 | Lambda Physik Ag | Narrow band excimer or molecular fluorine laser having an output coupling interferometer |
| US6242136B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-06-05 | Corning Incorporated | Vacuum ultraviolet transmitting silicon oxyfluoride lithography glass |
| US6587202B2 (en) | 2000-01-28 | 2003-07-01 | Lambda Physik Ag | Optical materials testing method |
-
2002
- 2002-02-25 WO PCT/US2002/009047 patent/WO2002071556A2/en not_active Application Discontinuation
- 2002-02-25 AU AU2002258594A patent/AU2002258594A1/en not_active Abandoned
- 2002-02-25 EP EP02728550A patent/EP1368868A4/en not_active Withdrawn
- 2002-02-25 JP JP2002570359A patent/JP2004523914A/ja not_active Withdrawn
- 2002-03-01 US US10/087,484 patent/US6839374B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-11 TW TW091104776A patent/TW569509B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1368868A4 (en) | 2005-01-19 |
| AU2002258594A1 (en) | 2002-09-19 |
| TW569509B (en) | 2004-01-01 |
| WO2002071556A2 (en) | 2002-09-12 |
| US6839374B2 (en) | 2005-01-04 |
| EP1368868A2 (en) | 2003-12-10 |
| US20020122451A1 (en) | 2002-09-05 |
| WO2002071556A3 (en) | 2003-02-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |