JP4513486B2 - TiO2を含有するシリカガラスの製造方法 - Google Patents
TiO2を含有するシリカガラスの製造方法 Download PDFInfo
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Description
周波数 :9.44GHz付近(X−band)
出力 :4mW
変調磁場 :100KHz、0.2mT
測定温度 :室温
ESR種積分範囲:332〜368mT
感度校正 :一定量のMn2+/MgOのピーク高さにて実施。
(a)多孔質ガラス体形成工程
ガラス形成原料であるSi前駆体およびTi前駆体を火炎加水分解させて得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積、成長させて多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成させる。ガラス形成原料としては、ガス化可能な原料であれば特に限定されない。Si前駆体としては、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Clなどの塩化物、SiF4、SiHF3、SiH2F2などのフッ化物、SiBr4、SiHBr3などの臭化物、SiI4などのヨウ化物といったハロゲン化ケイ素化合物、またRnSi(OR)4−n(ここにRは炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜3の整数)で示されるアルコキシシランが挙げらる。また、Ti前駆体としては、TiCl4、TiBr4などのハロゲン化チタン化合物、またRnTi(OR)4−n(ここにRは炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜3の整数)で示されるアルコキシチタンが挙げられる。また、Si前駆体およびTi前駆体として、シリコンチタンダブルアルコキシドなどのSiとTiの化合物を使用することもできる。
多孔質ガラス体形成工程で得られた多孔質TiO2−SiO2ガラス体を酸素およびFを含む雰囲気下にて保持し、Fを含有した多孔質TiO2−SiO2ガラス体を得る。酸素およびFを含む雰囲気としては、含Fガス(例えばSiF4、SF6CHF3、CF4、C2F6、C3F8、F2)を0.1〜50体積%含有し、かつ酸素を50〜99.9体積%含有するガス雰囲気が好ましい。
多孔質ガラス体形成工程で得られた多孔質TiO2−SiO2ガラス体、またはF含有工程で得られたFを含有した多孔質TiO2−SiO2ガラス体を15体積%以上の酸素を含有する雰囲気下にて保持し、酸素処理を施した多孔質TiO2−SiO2ガラス体を得る。このとき、透過率を改善させるためには酸素濃度が高い方が好ましく、50%以上が好ましく、70%以上がより好ましく、90%以上が特に好ましい。これらの雰囲気下、1気圧程度の圧力で数十分〜数十時間の酸素処理を、高温で行うことが好ましい。
多孔質ガラス体形成工程で得られた多孔質TiO2−SiO2ガラス体を緻密化温度まで昇温して、実質的に泡や気泡を含有しないTiO2−SiO2緻密体を得る。本明細書では、緻密化温度とは、光学顕微鏡で空隙が確認できなくなるまで多孔質ガラス体を緻密化できる温度をいう。緻密化温度は、1100〜1650℃であることが好ましく、1200〜1550℃であることがより好ましく、1300〜1500℃であることが特に好ましい。
緻密化工程で得られたTiO2−SiO2緻密体をガラス化温度まで昇温して、実質的に結晶成分を含有しない高透過率ガラス体を得る。ガラス化温度は、1500〜1900℃であることが好ましい。1500℃以下では、SiO2の結晶相であるクリストバライトの成長またはTiO2の結晶相であるルチルもしくはアナターゼの成長が起こる可能性があり、透明にならない。1900℃以上では、SiO2の昇華やTiO2の還元が生じる可能性があるからである。1550〜1850℃であることがより好ましく、1600〜1800℃であることが特に好ましい。
ガラス化工程で得られた高透過率ガラス体をカーボン製型枠に入れ、カーボン炉において、成形温度まで昇温し、所望の形状に成形された成形ガラス体を得る。成形温度は、1500〜1900℃であることが好ましく、1550〜1850℃であることがより好ましく、1600〜1800℃であることが特に好ましい。1650〜1780℃であることが更に好ましい。
ガラス化工程で得られた高透過率ガラス体、あるいは成形工程で得られた成形ガラス体を、600〜1200℃の温度にて5時間以上保持した後、10℃/hr以下の平均降温速度で500℃以下の温度まで降温するアニール処理を行い、ガラスの仮想温度を制御する。あるいは、ガラス化工程や成形工程における1200℃以上の温度からの降温過程において、得られる高透過率ガラス体や成形ガラス体を1200℃〜500℃まで10℃/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行い、ガラスの仮想温度を制御する。また、500℃以下の温度まで降温した後は放冷できる。なお、雰囲気は特に限定されない。
[例1]
TiO2−SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素火炎中で加熱加水分解(火炎加水分解)させることで得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて、直径約80mm、長さ約100mmの多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成する(多孔質ガラス体形成工程)。
TiO2−SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素火炎中で加熱加水分解(火炎加水分解)させることで得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて、直径約250mm、長さ約1000mmの多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成する。(多孔質ガラス体形成工程)。
ガラス化工程を経ても、ガラス体中でTi還元型(Ti3+)を含む異物結晶が多く析出している、または、Ti3+量が多くなっており、高透過率ガラス体を得ることができない。
TiO2−SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素火炎中で加熱加水分解(火炎加水分解)させることで得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて、直径約80mm、長さ約100mmの多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成する(多孔質ガラス体形成工程)。
TiO2−SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素火炎中で加熱加水分解(火炎加水分解)させることで得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて、直径約80mm、長さ約100mmの多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成する(多孔質ガラス体形成工程)。
Claims (5)
- ガラス形成原料を火炎加水分解して得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積、成長して多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成する工程(多孔質ガラス体形成工程)と、
多孔質TiO2−SiO2ガラス体を、セラミックス製炉心管で構成される管状炉またはメタル炉にて、非還元性雰囲気下にて、1100〜1650℃の温度まで昇温して、多孔質TiO2−SiO2 ガラス体から密度2.0〜2.3g/cm3のTiO2−SiO2緻密体を得る工程(緻密化工程)と、
TiO2−SiO2緻密体を、0.01MPa以上の気圧下にて、1400〜1700℃の温度まで昇温して、高透過率ガラス体を得る工程(ガラス化工程)と、
高透過率ガラス体を、600℃を超える温度にて一定時間保持した後に500℃まで10℃/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程、または、1200℃以上の高透過率ガラス体を500℃まで10℃/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程(アニール工程)と、
を含むTiO2を含有するシリカガラスの製造方法。 - ガラス形成原料を火炎加水分解して得られるTiO 2 −SiO 2 ガラス微粒子を基材に堆積、成長して多孔質TiO 2 −SiO 2 ガラス体を形成する工程(多孔質ガラス体形成工程)と、
多孔質TiO 2 −SiO 2 ガラス体を、セラミックス製炉心管で構成される管状炉またはメタル炉にて、非還元性雰囲気下にて、1100〜1650℃の温度まで昇温して、多孔質TiO 2 −SiO 2 ガラス体から密度2.0〜2.3g/cm 3 のTiO 2 −SiO 2 緻密体を得る工程(緻密化工程)と、
TiO 2 −SiO 2 緻密体を、0.01MPa以上の気圧下にて、1400〜1700℃の温度まで昇温して、高透過率ガラス体を得る工程(ガラス化工程)と、
高透過率ガラス体を、軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し、成形ガラス体を得る工程(成形工程)と、
成形ガラス体を、600℃を超える温度にて一定時間保持した後に500℃まで10℃/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程、または、1200℃以上の成形ガラス体を500℃まで10℃/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程(アニール工程)と、
を含むTiO2を含有するシリカガラスの製造方法。 - 製造されるTiO 2 を含有するシリカガラスは、仮想温度が1100℃以下である、請求項1または2に記載のTiO 2 を含有するシリカガラスの製造方法。
- 製造されるTiO 2 を含有するシリカガラスは、0〜100℃での熱膨張係数が0±150ppb/℃である、請求項1〜3のいずれかに記載のTiO 2 を含有するシリカガラスの製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のTiO 2 を含有するシリカガラスの製造方法により、TiO 2 を含有するシリカガラスを得て、EUVリソグラフィに使用する露光装置光学材として用いる方法。
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