JP5754482B2 - TiO2を含有するシリカガラス - Google Patents
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Description
このため、EUVL用露光装置の光学系部材は、熱膨張係数がほぼゼロとなる温度領域が広いことが好ましいが、従来のTiO2−SiO2ガラスでは、熱膨張係数がほぼゼロとなる温度領域が狭く、EUVL用露光装置の光学系部材に用いるには不充分であった。
このTiO2−SiO2ガラスは、熱膨張係数の温度変化が小さい、つまり熱膨張係数がほぼゼロとなる温度範囲が広く、またガラス中の熱膨張係数および機械的特性の均質性に優れており、EUVLに使用される光学系を構成する部材の素材としてきわめて好適であると考えられていた。
また、Fを含有するTiO2−SiO2ガラスではないが、図2の例3〜例5の比較から明らかなように、仮想温度が異なる場合、熱膨張係数の温度変化が異なっている。
したがって、特許文献2に記載のTiO2−SiO2ガラスは、熱膨張係数がほぼゼロとなる温度範囲が広くなっているが、F濃度および仮想温度のうち、少なくとも一方が異なる場合、熱膨張係数の温度変化が異なり、熱膨張係数がほぼゼロとなる温度領域が異なってくる。
本発明のTiO2−SiO2ガラスは、熱膨張係数(CTE)が0ppb/℃となる温度(クロスオーバー温度:Cross−over Temperature;COT)が23±4℃の範囲にあり、熱膨張係数(CTE)が0±5ppb/℃となる温度幅ΔTが5℃以上であることを特徴とする。
TiO2−SiO2ガラスのCOTおよびΔTは、TiO2−SiO2ガラスの熱膨張係数(CTE)を公知の方法、例えば、レーザー干渉式熱膨張計を用いて−150〜+200℃の範囲で測定し、CTEと温度の関係を図1に示すようにプロットすることにより求めることができる。
EUV光の照射条件にもよるが、EUVLを実施する際のEUV光の通常の照射条件では、光学系部材の温度は、4〜6℃程度局所的に上昇する場合がある。
また、本発明のTiO2−SiO2ガラスにおいて、ΔTが6℃以上であることが好ましく、7℃以上であることがより好ましい。ΔTが8℃以上になると、上記23±4℃といった温度範囲で±5ppb/℃となることが可能となるので、ΔTは8℃以上であることが特に好ましい。
TiO2含有量:3〜9質量%
仮想温度:850℃以下
OH濃度:100ppm以上
したがって、TiO2−SiO2ガラス(1)は、TiO2およびSiO2以外にOHを含有する。TiO2−SiO2ガラス(1)において、TiO2およびOHを除いた残部はSiO2であるが、TiO2、SiO2およびOH以外の成分を含有してもよい。
したがって、TiO2−SiO2ガラス(1)のTiO2含有量を調節することによって、該TiO2−SiO2ガラス(1)のCOTを調節することができる。具体的には、TiO2−SiO2ガラス(1)の仮想温度をより低くした場合はTiO2含有量を増やすことにより、該TiO2−SiO2ガラス(1)のCOTを調節することができる。また、TiO2−SiO2ガラス(1)のOH含有量をより多くした場合はTiO2含有量を増やすことにより、該TiO2−SiO2ガラス(1)のCOTを調節することができる。
TiO2−SiO2ガラス(1)は、仮想温度が850℃以下であることで、ΔTが5℃以上となる。仮想温度が850℃超だと、ΔTが5℃未満となり、TiO2−SiO2ガラス(1)をEUVL用露光装置の光学系部材として使用した場合に、EUV光照射時の光学系部材の熱膨張係数がほぼゼロとならないおそれがある。
鏡面研磨されたTiO2−SiO2ガラスについて、吸収スペクトルを赤外分光計(後述する実施例では、Nikolet社製Magna760を使用)を用いて取得する。この際、データ間隔は約0.5cm-1にし、吸収スペクトルは、64回スキャンさせた平均値を用いる。このようにして得られた赤外吸収スペクトルにおいて、約2260cm-1付近に観察されるピークがTiO2−SiO2ガラスのSi−O−Si結合による伸縮振動の倍音に起因する。このピーク位置を用いて、仮想温度が既知で同組成のガラスにより検量線を作成し、仮想温度を求める。あるいは、表面の反射スペクトルを同様の赤外分光計を用いて、同様に測定する。このようにして得られた赤外反射スペクトルにおいて、約1120cm-1付近に観察されるピークがTiO2−SiO2ガラスのSi−O−Si結合による伸縮振動に起因する。このピーク位置を用いて、仮想温度が既知で同組成のガラスにより検量線を作成し、仮想温度を求める。なお、ガラス組成の変化によるピーク位置のシフトは、検量線の組成依存性から外挿することが可能である。
TiO2−SiO2ガラス(1)は、仮想温度のばらつきが50℃以内であることが好ましく、より好ましくは30℃以内である。仮想温度のばらつきが上記範囲を超えると、場所により、熱膨張係数に差を生じるおそれがある。
本明細書では、「仮想温度のばらつき」を少なくとも1つの面内における50mm×50mm内での仮想温度の最大値と最小値の差と定義する。
仮想温度のばらつきは以下のように測定できる。所定のサイズに成形した透明TiO2−SiO2ガラス体をスライスし、50mm×50mm×2.0mmのTiO2−SiO2ガラスブロックとする。このTiO2−SiO2ガラスブロックの50mm×50mm面について、10mmピッチの間隔で前述の方法に従い仮想温度の測定を行うことで、成形TiO2−SiO2ガラス体の仮想温度のばらつきを求める。
OHの添加により、ガラスの構造緩和が促進され、仮想温度が低いガラス構造が実現しやすくなる。よって、OHの含有は、TiO2−SiO2ガラスの仮想温度を低くするのに有効な手段である。TiO2−SiO2ガラス(1)のOH濃度を100ppm以上とし、段落[0026]に記載の手順を実施することにより、仮想温度が850℃以下のTiO2−SiO2ガラス(1)を得ることができる。OH濃度が100ppm未満だと、仮想温度が850℃以下のTiO2−SiO2ガラスを得るには非常に長い時間を要する。
ガラスの仮想温度を低くするためには、OH濃度を200ppm以上とすることが好ましく、400ppm以上とすることがより好ましい。より効果的に仮想温度さげる、例えば、段落[0026]に記載の手順で平均降温速度を下げずに仮想温度を下げるためには、OH濃度は900ppm以上であることが好ましく、1000ppm以上であることがより好ましい。
TiO2−SiO2ガラスの熱膨張係数分布は公知の方法を用いて測定することができる。例えば、所定のサイズに成形した透明TiO2−SiO2ガラス体を切断し、15mm×15mm×1mmのTiO2−SiO2ガラス小片となるよう分割し、この各小片について、前述の方法に従い、熱膨張係数の測定を行うことで、成形TiO2−SiO2ガラスブロックの熱膨張係数のばらつきを求める。
(a)工程
ガラス形成原料であるSi前駆体およびTi前駆体を火炎加水分解させて得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積、成長させて多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成させる。ガラス形成原料としては、ガス化可能な原料であれば特に限定されないが、Si前駆体としては、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Clなどの塩化物、SiF4、SiHF3、SiH2F2などのフッ化物、SiBr4、SiHBr3などの臭化物、SiI4などのヨウ化物といったハロゲン化ケイ素化合物、またRnSi(OR)4-n(ここにRは炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜3の整数)で示されるアルコキシシランが挙げられ、またTi前駆体としては、TiCl4、TiBr4などのハロゲン化チタン化合物、またRnTi(OR)4-n(ここにRは炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜3の整数)で示されるアルコキシチタンが挙げられる。また、Si前駆体およびTi前駆体として、シリコンチタンダブルアルコキシドなどのSiとTiの化合物を使用することもできる。
基材としては石英ガラス製の種棒(例えば特公昭63−24973号公報記載の種棒)を使用できる。また棒状に限らず板状の基材を使用してもよい。
(a)工程で得られた多孔質TiO2−SiO2ガラス体を水蒸気含有雰囲気にて緻密化温度まで昇温して、OHを含有したTiO2−SiO2緻密体を得る。緻密化温度は、通常は1250〜1550℃であり、特に1300〜1500℃であることが好ましい。OHの含有量が600ppm以上の場合は、ガラスの粘性が低下し、緻密化温度が低下するため、1250〜1450℃が好ましく、特に1300〜1400℃であることが好ましい。この水蒸気含有雰囲気としては、水蒸気分圧(pH2O)が10000〜200000Paとなる不活性ガス雰囲気が好ましい。不活性ガスとしては、ヘリウムが好ましい。このような雰囲気下、圧力10000〜200000Pa程度で処理を行うことが好ましい。
(b)工程で得られたOHを含有したTiO2−SiO2緻密体を、透明ガラス化温度まで昇温して、OHを含有した透明TiO2−SiO2ガラス体を得る。透明ガラス化温度は、通常は1350〜1800℃であり、特に1400〜1750℃であることが好ましい。OHの含有量が600ppm以上の場合は、ガラスの粘性が低下し、透明ガラス化温度が低下するため、1350〜1750℃が好ましく、特に1400〜1700℃であることが好ましい。
(c)工程で得られたOHを含有した透明TiO2−SiO2ガラス体を、軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し、OHを含有した成形TiO2−SiO2ガラス体を得る。成形加工の温度としては、1500〜1800℃が好ましい。1500℃未満では、OHを含有した透明TiO2−SiO2ガラスの粘度が高いため、実質的に自重変形が行われず、またSiO2の結晶相であるクリストバライトの成長またはTiO2の結晶相であるルチルもしくはアナターゼの成長が起こり、いわゆる失透が生じる。1800℃超では、SiO2の昇華が無視できなくなる。
なお、(c)工程と(d)工程を連続的に、あるいは同時に行うこともできる。
(d)工程で得られた成形TiO2−SiO2ガラス体を、600〜1200℃の温度にて1時間以上保持した後、5℃/hr以下の平均降温速度で500℃以下まで降温するアニール処理を行い、TiO2−SiO2ガラスの仮想温度を制御する。あるいは、1200℃以上の(d)工程で得られた成形TiO2−SiO2ガラス体を500℃まで60℃/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行い、TiO2−SiO2ガラスの仮想温度を制御する。500℃以下まで降温した後は放冷できる。この場合の雰囲気は、ヘリウム、アルゴン、窒素などの不活性ガス100%の雰囲気下、これらの不活性ガスを主成分とする雰囲気下、または空気雰囲気下で、圧力は減圧または常圧が好ましい。
より低い仮想温度を達成するためには、ガラスの徐冷点や歪点付近の温度域をより遅い冷却速度で冷却することが有効である。
具体的には、(e)工程の冷却プロファイルにおいて、最も遅い冷却速度が5℃/hr以下であることが好ましく、4℃/hr以下であることがより好ましく、2.5℃/hr以下であることがさらに好ましく、2℃/hr以下であることが特に好ましく、1.5℃/hr以下であることが最も好ましい。
但し、TiO2−SiO2ガラスのF含有量が1000ppm未満である場合は、最も遅い冷却速度が2.0℃/hr以下であることが好ましく、1.5℃/hr以下であることがより好ましく、1.0℃/hr以下であることがさらに好ましい。
ここで、(e)工程は温度保持工程を有してもよい。本明細書において、±5℃以内の温度変化に要する時間が100時間以上かかる工程を温度保持工程とする。
(e)工程において、上記した温度保持工程を除いた場合に、5℃を超える温度低下とその温度低下に要する時間から求められる平均降温速度を冷却速度と定義する。このように定義した冷却速度のうち、最も小さい冷却速度のことを最も遅い冷却速度とする。
TiO2含有量:3〜9質量%
仮想温度:850℃以下
F濃度:1000ppm以上
したがって、TiO2−SiO2ガラス(2)は、TiO2およびSiO2以外にFを含有する。TiO2−SiO2ガラス(2)において、TiO2およびFを除いた残部はSiO2であるが、TiO2、SiO2およびF以外の成分を含有してもよい。
TiO2−SiO2ガラス(2)をEUVL用露光装置の光学系部材として使用するときに、ガラス中におけるTiO2/SiO2組成比を均一にすることは、ガラス内での熱膨張係数のばらつきを小さくするという点で重要である。
Fの添加がガラスの構造緩和に影響を及ぼすことは以前から知られており(Journal・of・Applied・Physics・91(8)、4886(2002))、これによればFの添加により構造緩和時間が促進され、仮想温度が低いガラス構造が実現しやすくなる(第1の効果)。よってFの添加は、TiO2−SiO2ガラスの仮想温度を低くするのに有効な手段である。また、Fの添加は、ΔTの範囲を広げる効果(第2の効果)があると考えられる。
TiO2−SiO2ガラス(2)のF濃度を1000ppm以上とし、段落[0048]に記載の手順を実施することにより、仮想温度が850℃以下のTiO2−SiO2ガラス(2)を得ることができる。F濃度が1000ppm未満の条件で段落[0048]に記載の手順を実施した場合、仮想温度が850℃以下のTiO2−SiO2ガラスを得ることが困難であり、TiO2−SiO2ガラスのΔTが5℃以上とならない。
ガラスの仮想温度を低くし、ΔTを広くするためには、F濃度を3000ppm以上とすることが好ましく、5000ppm以上とすることがより好ましい。特に好ましくは7000ppm以上である。
試料液の起電力をフッ素イオン選択性電極および比較電極としてラジオメータトレーディング社製No.945−220およびNo.945−468をそれぞれ用いてラジオメータにより測定し、フッ素イオン標準溶液を用いてあらかじめ作成した検量線に基づいて、フッ素含有量を求める(日本化学会誌、1972(2),350)。なお本法による検出限界は10ppmである。
例えば、フッ素含有雰囲気としてSiF4を用いる場合、多孔質TiO2−SiO2ガラス体にドープさせたいフッ素量に合わせ、以下のように処理温度、処理時間を設定すればよい。
より低い仮想温度を達成するためには、ガラスの徐冷点や歪点付近の温度域をより遅い冷却速度で冷却することが有効である。具体的には、(e)工程の冷却プロファイルにおいて、最も遅い冷却速度が5℃/hr以下であることが好ましく、より好ましくは4℃/hr以下、さらに好ましくは2.5℃/hr以下、特に好ましくは2℃/hr以下、最も好ましくは1.5℃/hr以下である。
但し、TiO2−SiO2ガラスのOH含有量が100ppm未満である場合は、最も遅い冷却速度が2.0℃/hr以下であることが好ましく、1.5℃/hr以下であることがより好ましく、1.0℃/hr以下であることがさらに好ましい。
また、TiO2−SiO2ガラス(1)の場合と同様に、(e)工程は温度保持工程を有してもよい。
なお、例1、6は参考例であり、例2は実施例であり、その他は比較例である。
TiO2−SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素火炎中で加熱加水分解(火炎加水分解)させることで得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて、多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成した((a)工程)。
得られた多孔質TiO2−SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいので、基材に堆積させたままの状態で、大気中1200℃にて6時間保持したのち、基材から外した。
その後、同じ雰囲気下で1450℃まで昇温した後、この温度で4時間保持しOHを含有したTiO2−SiO2緻密体を得た((b)工程)。
得られたOHを含有した透明TiO2−SiO2ガラス体を、軟化点以上の温度(1750℃)に加熱して所望の形状に成形し、OHを含有した成形TiO2−SiO2ガラス体を得る((d)工程)。
得られたガラスを1100℃にて10時間保持し、5℃/hrの速度で500℃まで降温し、大気放冷した((e)工程)。
なお、例1においては、(c)工程でガラス体にOHを含有させ、かつ、(e)工程の徐冷によりガラス体の仮想温度を低くしているため、OHを含有せず仮想温度がより高いガラス体に比べ、(a)工程でのTiCl4量を増やし、ガラス体のTiO2含有量を多くすることにより、COTを調整している。
TiO2−SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素火炎中で加熱加水分解(火炎加水分解)させることで得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて、多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成した((a)工程)。
得られた多孔質TiO2−SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいので、基材に堆積させたままの状態で、大気中1200℃にて4時間保持したのち、基材から外した。
その後、O2100%雰囲気下にて1050℃、常圧下4時間保持した後、He100%雰囲気下で1450℃まで昇温した後、この温度で4時間保持しフッ素を含有したTiO2−SiO2緻密体を得た((b)工程)。
得られたフッ素を含有した透明TiO2−SiO2ガラス体を、軟化点以上の温度(1700℃)に加熱して所望の形状に成形し、フッ素を含有した成形TiO2−SiO2ガラス体を得た((d)工程)。
得られたガラスを1000℃にて10時間保持し、5℃/hrの速度で300℃まで降温し、大気放冷した((e)工程)。
なお、例2においても、(e)工程の徐冷によりガラス体の仮想温度を低くしていることおよび(c)工程でガラス体にフッ素を含有させていることを考慮して、(a)工程でガラス体のTiO2含有量を調整することによりCOTを調整している。
TiO2−SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素火炎中で加熱加水分解(火炎加水分解)させることで得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて、多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成した((a)工程)。
得られた多孔質TiO2−SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいので、基材に堆積させたままの状態で、大気中1200℃にて4時間保持したのち、基材から外した。
その後、多孔質TiO2−SiO2ガラス体を雰囲気制御可能な電気炉に設置し、室温にて10Torrまで減圧した後、He/SiF4=90/10(体積比)の混合ガスを導入しながら、この雰囲気にて900℃、常圧下4時間保持し、フッ素ドープを行った。
その後、O2100%雰囲気下にて1050℃、常圧下4時間保持した後、He100%雰囲気下で1450℃まで昇温した後、この温度で4時間保持しフッ素を含有したTiO2−SiO2緻密体を得た((b)工程)。
得られたフッ素を含有したTiO2−SiO2緻密体を、カーボン炉を用いてアルゴン雰囲気下で1700℃に加熱して、フッ素を含有した透明TiO2−SiO2ガラス体を得た((c)工程)。
得られたフッ素を含有した透明TiO2−SiO2ガラス体を、軟化点以上の温度(1750℃)に加熱して所望の形状に成形し、フッ素を含有した成形TiO2−SiO2ガラス体を得た((d)工程)。
得られたガラスを1100℃にて10時間保持し、150℃/hrの速度で300℃まで降温し、大気放冷した((e)工程)。
TiO2−SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素火炎中で加熱加水分解(火炎加水分解)させることで得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて、多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成した((a)工程)。
得られた多孔質TiO2−SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいので、基材に堆積させたままの状態で、大気中1200℃にて4時間保持したのち、基材から外した。
得られた透明TiO2−SiO2ガラス体を、軟化点以上の温度(1750℃)に加熱して所望の形状に成形し、成形TiO2−SiO2ガラス体を得た((d)工程)。
得られたガラスを1100℃にて10時間保持し、150℃/hrの速度で500℃まで降温し、大気放冷した((e)工程)。
ゼロ膨張TiO2−SiO2ガラスとして知られるCorning社ULE#7972である。
TiO2−SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素火炎中で加熱加水分解(火炎加水分解)させることで得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて、多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成した((a)工程)。
得られた多孔質TiO2−SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいので、基材に堆積させたままの状態で、大気中1200℃にて6時間保持したのち、基材から外した。
その後、多孔質TiO2−SiO2ガラス体を雰囲気制御可能な電気炉に設置し、室温にて約1000Pa(7.50Torr)まで減圧した後、水をガラス製のバブラー内に入れ、大気圧100℃で沸騰させ、Heガスでバブリングを行い、Heガスと共に水蒸気を炉内に導入しながら、この雰囲気にて1000℃、常圧下4時間保持し、OHドープを行った。
その後、同じ雰囲気下で1450℃まで昇温した後、この温度で4時間保持しOHを含有したTiO2−SiO2緻密体を得た((b)工程)。
得られたOHを含有したTiO2−SiO2緻密体を、カーボン炉を用いてアルゴン雰囲気下で1700℃に加熱して、OHを含有した透明TiO2−SiO2ガラス体を得た((c)工程)。
得られた透明TiO2−SiO2ガラス体を、軟化点以上の温度(1750℃)に加熱して所望の形状に成形し、成形TiO2−SiO2ガラス体を得た((d)工程)。
得られたガラスを1100℃にて10時間保持し、10℃/hrの速度で900℃まで降温後、1℃/hrの速度で700℃まで降温、さらに10℃/hrの速度で500℃まで降温し、大気放冷した((e)工程)。
なお、例6においては、(c)工程でガラス体にOHを含有させ、かつ、(e)工程の徐冷によりガラス体の仮想温度を低くしているため、OHを含有せず仮想温度がより高いガラス体に比べ、(a)工程でのTiCl4量を増やし、ガラス体のTiO2含有量を多くすることにより、COTを調整している。
TiO2−SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素火炎中で加熱加水分解(火炎加水分解)させることで得られるTiO2−SiO2ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて、多孔質TiO2−SiO2ガラス体を形成する((a)工程)。
得られた多孔質TiO2−SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいので、基材に堆積させたままの状態で、大気中1200℃にて6時間保持したのち、基材から外す。
その後、多孔質TiO2−SiO2ガラス体を雰囲気制御可能な電気炉に設置し、室温にて10Paまで減圧した後、そのまま真空雰囲気にて1450℃まで昇温した後、この温度で4時間保持しTiO2−SiO2緻密体を得る((b)工程)。
得られたTiO2−SiO2緻密体を、カーボン炉を用いてアルゴン雰囲気下で1750℃に加熱して、透明TiO2−SiO2ガラス体を得る((c)工程)。
得られた透明TiO2−SiO2ガラス体を、軟化点以上の温度(1750℃)に加熱して所望の形状に成形し、成形TiO2−SiO2ガラス体を得る((d)工程)。
得られたガラスを1100℃にて10時間保持し、3℃/hrの速度で500℃まで降温し、大気放冷する((e)工程)。
なお、例7においては、(e)工程の徐冷によりガラス体の仮想温度を低くしているため、OHを含有せず仮想温度がより高いガラス体に比べ、(a)工程でのTiCl4量を増やし、ガラス体のTiO2含有量を多くすることにより、COTを調整する。
また、各物性の測定結果を表1にまとめる。なお、評価方法については、それぞれ前述の測定方法に従って行う。また、表1のCOTは、図2および図3の曲線から熱膨張係数が0ppb/℃となる温度を求め、導出する。表1のΔTは、図2および図3の曲線から熱膨張係数が−5〜5ppb/℃となる温度の範囲を求め、導出する。
表1から明らかなように、COTが23±4℃の範囲内にあり、ΔTが5℃以上である例1、2および6は、EUVL実施時の露光装置内の温度条件下(22±2℃)において、熱膨張係数がほぼゼロとなるため、EUVL用露光装置の光学系部材に好適である。
Claims (2)
- 熱膨張係数が0ppb/℃となる温度が23±4℃の範囲にあり、熱膨張係数が0±5ppb/℃となる温度幅が8℃以上であり、仮想温度が850℃以下であり、TiO2含有量が3〜9質量%であり、F濃度が7000ppm以上であることを特徴とするTiO2を含有するシリカガラス。
- 仮想温度が800℃以下である、請求項1に記載のTiO2を含有するシリカガラス。
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