JP2002530505A - 架橋性マトリックス前駆体および気孔発生体を含有する組成物、並びにそれから製造された多孔質マトリックス - Google Patents

架橋性マトリックス前駆体および気孔発生体を含有する組成物、並びにそれから製造された多孔質マトリックス

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JP2002530505A JP2000584005A JP2000584005A JP2002530505A JP 2002530505 A JP2002530505 A JP 2002530505A JP 2000584005 A JP2000584005 A JP 2000584005A JP 2000584005 A JP2000584005 A JP 2000584005A JP 2002530505 A JP2002530505 A JP 2002530505A
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ダブリュ．，ジュニア スミス，デニス
エイチ．，ザ サード タウンゼンド，ポール
ジェイ． ブーク，ケビン
シャン ジェイ． ニュ，クイング
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Abstract

(57)【要約】 適当な架橋性マトリックス前駆体および気孔発生体が、３００℃より高いＴｇを有する多孔質架橋マトリックスを形成するように処理され得る。該多孔質マトリックス材料は、対応する非多孔質マトリックス材料より低い誘電率を有し、しかしてそれにより該多孔質マトリックス材料を、集積回路、マルチチップモジュールおよびフラットパネル表示装置を含めて様々な電子用途用に特に魅力的にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本出願は、１９９８年１１月２４日に出願された米国仮出願番号６０／１０９
，７１０の利益を主張する。 本発明は、架橋性マトリックス前駆体および気孔発生体（ポラゲン（ｐｏｒａ
ｇｅｎ））を含有する組成物、並びにそれから製造された多孔質マトリックスに
関する。
【０００２】 半導体デバイスがますます小さくなりそしてチップ実装密度が相応して増大す
るにつれて、望ましくないキャパシタンス関連遅れおよび金属配線間のクロスト
ークがより鋭く現れる。キャパシタンス関連遅れおよびクロストークは絶縁体の
誘電率に関係するので、超低誘電率材料（すなわち、≦２．０の誘電率を有する
誘電材料）の創造に注意が集中されてきた。かかる努力は、多孔質の無機（たと
えば、二酸化ケイ素）または熱可塑性ポリマー（たとえば、ポリイミド）物質の
創造を含む。
【０００３】 過去４０年間主要なレベル間誘電材料（ＩＬＤ）であってきた二酸化ケイ素は
、Ｐｒｏｃ．Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．３８１，２６１（１９９５）；Ｐｒｏｃ
．Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．４４３，９１（１９９７）；およびＰｒｏｃ．Ｍａ
ｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．４４３，９９（１９９７）に開示されているもののような
十分に発達したゾル−ゲル技法により多孔性にされ得る。二酸化ケイ素中への気
孔の導入は４．２から２．０未満への誘電率の低減を引き起こすけれども、生じ
る多孔質物質は有意的に弱化される。かくして、多孔質二酸化ケイ素は、低誘電
率材料として実用的でない。
【０００４】 多孔質熱可塑性ポリマー、特にポリイミドのような熱安定性ポリマーもまた、
超低誘電材料としての使用について調査されてきた。たとえば米国特許５，８９
５，２６３および５，７７６，９９０参照。これらの多孔質熱可塑性物質は受容
可能な誘電率を有するように作製され得るけれども、気孔は後続の高温加工中崩
壊する傾向にあり、それによりこれらの物質の興味ある用途用の使用を排除する
。
【０００５】 当該技術におけるかかる欠陥にかんがみて、半導体を製作する際に必要とされ
る苛酷な加工条件に安定である超低誘電材料を得ることは望ましいであろう。
【０００６】 本発明は、ａ）炭化水素含有マトリックス前駆体およびｂ）気孔発生体を含む
組成物であって、該マトリックス前駆体が、硬化時に３００℃より高いＴｇを有
する架橋炭化水素含有物質を形成するように選択される該組成物を提供すること
により、先行技術の問題に取り組む。架橋炭化水素含有物質は、好ましくは、少
なくとも４００℃の熱安定性を有する。
【０００７】 第２の具体的態様において、本発明は、３００℃より高いＴｇを有する多孔質
架橋炭化水素含有マトリックスを含む低誘電率材料である。該材料は、好ましく
は、基板上の薄いフィルムの形態にある。
【０００８】 第３の具体的態様において、本発明は、基板上において多孔質フィルムを作製
する方法であって、 少なくとも３００℃のＴｇを有するマトリックス材料を形成するよう硬化する
マトリックス前駆体、気孔発生体および溶媒を含む溶液を基板上に塗布すること
、 該溶媒を除去すること、 該マトリックス前駆体を反応させて、該マトリックス材料を形成させ、そして
該気孔発生体を分解して、該マトリックス中に気孔を形成させること を含む方法である。除去、反応および分解の工程は、下記に一層詳細に記載され
るように、１つまたはそれ以上の加熱工程により遂行される。
【０００９】 第４の具体的態様において、本発明は、トランジスターを含有する能動基板お
よび少なくとも部分的に多孔質誘電材料の層または領域により分離されたパター
ン化金属線路を含有する電気配線構造体を含む集積回路物品であって、該誘電材
料が、３００℃より高いＴｇを有する架橋炭化水素含有マトリックスを含む上記
集積回路物品である。
【００１０】 本発明は、超小型電子工学用途用の中間層誘電体として適合しかつ３００℃よ
り高い加工温度に安定である低誘電率の多孔質マトリックス材料を提供すること
により、当該技術における問題を解決する。
【００１１】 「Ｂ段階」は、部分重合モノマー、またはモノマーと部分重合モノマーの混合
物を指す。Ｂ段階生成物は、通常、「プレポリマー」または「オリゴマー」と同
義である。
【００１２】 「架橋性」は、再造形または再成形され得ない材料に不可逆的に硬化されるこ
とが可能であるマトリックス前駆体を指す。架橋は、ＵＶ、マイクロ波、Ｘ線ま
たはＥビームの照射により助成され得る。架橋が熱的になされる場合、しばしば
「熱硬化性」と互換的に用いられる。
【００１３】 「マトリックス前駆体」は、硬化時に架橋マトリックス材料を形成するモノマ
ー、プレポリマーもしくはポリマー、またはそれらの混合物を指す。 「モノマー」は、重合性化合物または重合性化合物の混合物を指す。
【００１４】 「官能価」は、重合のために利用され得るモノマー中の基の数を指す。たとえ
ば、ビスシクロペンタジエノンおよびビス−アセチレンは各々２の官能価を有す
るのに対して、モノマー１，１，１−トリス（４−トリフルオロビニルオキシフ
ェニル）エタンは３の官能価を有する。
【００１５】 「炭化水素含有」は、炭素および水素を含有するがしかし他の元素を含有して
いてもよいマトリックスまたはマトリックス前駆体を指す。マトリックスまたは
マトリックス前駆体は、好ましくは５０重量パーセントより多くないケイ素、一
層好ましくは３０重量パーセントより多くないケイ素、最も好ましくは２０重量
パーセントより多くないケイ素を含有する。
【００１６】 「気孔発生体」は、後続的に完全に硬化されるマトリックス中に気孔または空
隙を発生し、それによりその樹脂の有効誘電率を低下するよう部分的にまたは完
全に架橋されたマトリックスから除去可能である固体状、液体状または気体状物
質を指す。
【００１７】 「熱安定性温度」は、最大温度Ｔであって、不活性環境中にその温度において
維持された試料の重量損失が１時間当たり１パーセント未満である最大温度Ｔを
指す。
【００１８】 「マトリックス」は、明確な組成の分散領域を取り囲む連続相を指す。最終物
品において、マトリックスは、分散された空隙または気孔を取り囲む固相である
。
【００１９】 本発明の多孔質マトリックスは、気孔発生体および架橋性炭化水素含有マトリ
ックス前駆体の混合物から製造され得る。気孔発生体は気孔発生体がポリマーマ
トリックス中に化学的に結合されるようになるように反応性であり得、またはそ
れは非反応性であり得る。
【００２０】 適当なマトリックス前駆体は、３００℃より高い、より好ましくは３５０℃よ
り高いＴｇを有する架橋樹脂を形成するものである。 好ましくは、マトリックス前駆体は、更に、硬化中モジュラスの低減を全くま
たは比較的小さい低減しか受けないことにおいて特徴づけられる。この物質が硬
化中大きいモジュラス降下を受ける場合、特に低いモジュラスが気孔発生体の分
解温度に近い温度において発生する場合、気孔崩壊が起こり得る。
【００２１】 マトリックス前駆体の一つの好ましいクラスは、米国特許４，５４０，７６３
および米国特許４，８１２，５８８に記載されているもののような、熱硬化性ベ
ンゾシクロブテン（ＢＣＢ）またはそれらのＢ段階生成物を含む。特に好ましい
ＢＣＢは、１，３−ビス（２−ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−ト
リエン−３−イルエチニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（Ｄ
ＶＳ−ビスＢＣＢと称される）であり、しかしてそのＢ段階樹脂はＣＹＣＬＯＴ
ＥＮＥTM樹脂として商業的に入手できる（Ｔｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃ
ｏｍｐａｎｙから）。
【００２２】 マトリックス材料の別の第２の好ましいクラスは、ポリアリーレンを含む。こ
こにおいて用いられるポリアリーレンは、繰返しアリーレン単位から作られた主
鎖を有する化合物、および主鎖中においてアリーレン単位を他の結合単位（たと
えば、ポリアリーレンエーテルにおける酸素）と一緒に有する化合物を含む。商
業的に入手できるポリアリーレン組成物の例は、ＳｉＬＫTM半導体誘電体（Ｔｈ
ｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙから）、ＦｌａｒｅTM誘電体（Ａ
ｌｌｉｅｄ Ｓｉｇｎａｌ，Ｉｎｃ．から）およびＶｅｌｏｘTM（ポリ（アリー
レンエーテル））（ＡｉｒＰｒｏｄｕｃｔｓ／Ｓｈｕｍａｃｈｅｒから）を含む
。ポリアリーレンマトリックス前駆体の好ましいクラスは、ＷＯ９８／１１１４
９に記載されているもののような、ポリシクロペンタジエノンとポリアセチレン
の熱硬化性混合物またはＢ段階生成物である。本発明の組成物において用いられ
得る熱硬化性組成物または架橋性ポリアリーレンの例は、ＷＯ９７／１０１９３
に示されているような、芳香族環上において互いにオルトにてエチニル基で置換
された芳香族化合物のようなモノマー；ＷＯ９８／１１１４９に示されているよ
うな、芳香族アセチレン化合物と組み合わせられたシクロペンタジエノン官能性
化合物；並びに米国特許第５，１１５，０８２号、第５，１５５，１７５号、第
５，１７９，１８８号および第５，８７４，５１６号並びにＰＣＴ ＷＯ９１／
０９０８１、ＷＯ９７／０１５９３およびＥＰ０７５５９５７−８１のポリアリ
ーレンエーテルを含む。一層好ましくは、熱硬化性組成物は、上記に挙げられた
モノマーの部分重合反応生成物（すなわち、Ｂ段階オリゴマー）（たとえばＷＯ
９８／１１１４９、ＷＯ９７／１０１９３参照）を含む。
【００２３】 好ましくは、ポリアリーレン前駆体は、組成物の加熱中３００〜４００℃の温
度範囲において観測される最小測定モジュラスが温度Ｔminにおいて発生しそし
て該最小測定モジュラスが最大温度に加熱しそしてＴminまで冷却し戻した後の
組成物の測定硬化モジュラスの２０パーセント一層好ましくは５０パーセントに
等しい値より大きいことにおいて特徴づけられるところの、ねじり含浸布分析（
ＴＩＣＡ）により測定されるときのモジュラスプロフィールにより特徴づけられ
る。「測定昇温モジュラス」は、モジュラス対温度のプロットにおいて試験の加
熱段階中試験複合材について検出された所与温度におけるモジュラスである。「
最小測定昇温モジュラス」は、３００〜４５０℃の温度範囲において発生する最
小測定昇温モジュラスである。「測定硬化モジュラス」は、冷却段階中の試験複
合材についての所与温度におけるモジュラスである。このＴＩＣＡ技法において
、ガラス織布（好ましくは、たとえば厚さ０．３ｍｍ、幅１５ｍｍおよび長さ３
５ｍｍ，ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓの部品番号９８０２２８．９０２）が、
ＤｕＰｏｎｔ ９８３ ＤＭＡのような動的機械分析器、好ましくは、感度を高め
るための低質量垂直クランプ付属品または同等の機能体を備えたものに取り付け
られる。該布の端は、長さ１０ｍｍを暴露したままにしてアルミニウム箔中に包
まれる。次いで、該布は、動的機械分析器の垂直クランプ（これらのクランプは
１０ｍｍ離して据え付けられる）に取り付けられる。該クランプは、トルクレン
チを用いて１２インチ（３４．４８ｃｍ）ポンドに締められる。該布は、前駆体
化合物を１０〜３０パーセント固形分にて含む溶液を用いて、ピペットを経て含
浸される。該布は該溶液を完全に染み込まされ、そして過剰分はピペットを用い
て除去される。熱ディフレクターおよびオーブンが取り付けられ、そして１時間
当たり３標準立方フィートの窒素流が確立される。変位の振幅は１．００ｍｍに
そして周波数は１Ｈｚに設定される。試料は１分当たり５℃にて５００℃に加熱
され、そして次いで冷却される。データは、加熱および冷却の段階の両方中集め
られる。データ分析は、ガラスと処方物の複合材について温度対曲げモジュラス
値を得るように遂行され得る。ＤｕＰｏｎｔのＤＭＡ標準データ分析バージョン
４．２またはＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓのウインドウズ９５／９８／ＮＴ用
汎用分析バージョン２．５Ｈのような既製ソフトウエアプログラムは、該データ
分析を遂行するために用いられ得る。該モジュラス値それら自体は、ガラス布の
寄与および試料負荷の不可避な変動に因り、試験処方物についての絶対値ではな
い。しかしながら、ある一貫した温度までの硬化および冷却後の複合材のモジュ
ラスに対する加熱中のある点におけるモジュラス値の比率を用いると、異なる処
方物を比較するために用いられ得る値が与えられる。代理人参照番号４４５２８
を有する同時係属中の共通所有の米国出願シリアル番号 も参照され
たい。
【００２４】 好ましいポリアリーレン型マトリックス前駆体は、次の化合物または一層好ま
しくは次の化合物の部分重合（Ｂ段階）反応生成物を含む。すなわち、 （ａ）式
【化４】 のビスシクロペンタジエノン （ｂ）式
【化５】 の多官能性アセチレン （ｃ）および任意に式
【化６】 のジアセチレン、 ここで、Ｒ1およびＲ2は独立的にＨまたは未置換もしくは不活性置換芳香族部で
ありそしてＡｒ1、Ａｒ2およびＡｒ3は独立に未置換芳香族部分または不活性置
換芳香族部分であり、そしてｙは３またはそれ以上の整数である。
【００２５】 その代わりに述べられる最も好ましいマトリックス前駆体物質は、式 ［Ａ］w［Ｂ］z［ＥＧ］v の硬化性ポリマーを含み、 ここで、 Ａは構造
【化７】 を有し、 そしてＢは構造
【化８】 を有し、 末端基ＥＧは独立的に式 ＥＧ＝
【化９】 のいずれか一つにより表され、 Ｒ1およびＲ2は独立にＨまたは未置換もしくは不活性置換芳香族部分でありそし
てＡｒ1、Ａｒ2およびＡｒ3は独立に未置換芳香族部分または不活性置換芳香族
部分でありそしてＭは結合であり、そしてｙは３またはそれ以上の整数であり、
ｐは所定のモノマー単位における未反応アセチレン基の数であり、ｒは所定のモ
ノマー単位における反応アセチレン基の数より１小さくかつｐ＋ｒ＝ｙ−１であ
り、ｚは１〜１０００の整数であり、ｗは０〜１０００の整数であり、そしてｖ
は２またはそれ以上の整数である。
【００２６】 マトリックス前駆体がポリシクロペンタジエノンとポリアセチレンの熱硬化性
混合物またはＢ段階生成物を含む場合、該前駆体は、好ましくは、分岐が硬化過
程中比較的早く起こるように特徴づけられる。硬化過程中早期における分岐状マ
トリックスの形成は、該マトリックスのモジュラス降下を最小にし、そして硬化
過程中あり得る気孔崩壊を最小にするのを助けおよび／またはより低い温度にお
いて分解する気孔発生体の使用を許容する。これを達成する一つの手法は、前駆
体組成物におけるシクロペンタジエノン官能価対アセチレン官能価の、３：４よ
り大きいかつ好ましくは２：１より小さい一層好ましくは１：１の比率を用いる
ことである。３部の３，３′−（オキシジ−１，４−フェニレン）ビス（２，４
，５−トリフェニルシクロペンタジエノン）および２部の１，３，５−トリス（
フェニルエチニル）ベンゼン（モル比）からなるマトリックス前駆体は、かかる
系の例である。その代わりに、ポリシクロペンタジエノンとポリアセチレンの熱
硬化性混合物またはＢ段階生成物を架橋することの可能な追加的試薬が、硬化過
程中マトリックスのモジュラス降下を最小にするために添加され得る。適当な試
薬の例は、たとえばＷＯ９７／１０１９３に開示されているようなビスオルトジ
アセチレン；モノオルトジアセチレン；ビストリアゼン；１，３−ジフェニルテ
トラジンのようなテトラジン；ビススルホニルアジドのようなビスアジド；およ
び二過酸化物を含めて過酸化物を含む。試薬の負荷レベルは、固形分を基準とし
て＜１重量パーセントから固形分を基準として＞３０重量パーセントで変動し得
る。
【００２７】 本発明の多孔質マトリックスの製造のために適したマトリックス前駆体の第３
の例は、熱硬化性ペルフルオロエチレンモノマー（３またはそれ以上の官能価を
有する）またはそのＢ段階生成物であり、そしてその開示および製造は米国特許
５，０２３，３８０（第４欄第３８行以下）および米国特許５，５４０，９９７
（第３欄第４ないし４６行）に見られ得る。好ましい熱硬化性ペルフルオロエチ
レンは、１，１，１−トリス（４−トリフルオロビニルオキシフェニル）エタン
である。熱硬化性ペルフルオロエチレンモノマーはまた、好都合には、米国特許
５，０２１，６０２、５，０３７，９１７および５，２４６，７８２に記載され
ているように製造された２の官能価を有するペルフルオロエチレンと共重合され
得る。
【００２８】 別のポリアリーレンマトリックス前駆体は、ＷＯ９７／１０１９３に記載され
ているような熱硬化性ビス−ｏ−ジアセチレンまたはそのＢ段階生成物である。
この具体的態様によれば、前駆体は、式
【化１０】 の化合物を含み、ここで各Ａｒは芳香族基または不活性置換芳香族基でありかつ
各Ａｒは少なくとも１個の芳香族環を含み；各Ｒは独立に水素、アルキル、アリ
ールまたは不活性置換のアルキルもしくはアリール基であり；Ｌは共有結合また
は１個のＡｒを少なくとも１個の他のＡｒに連結する基、好ましくは置換または
未置換アルキル基であり；ｎおよびｍは少なくとも２の整数であり；そしてｑは
少なくとも１の整数であり；しかも芳香族環の一つの上にあるエチニル基の少な
くとも二つは互いにオルトである。
【００２９】気孔発生体および多孔質架橋誘電体を形成する方法 気孔発生体物質は、マトリックスまたはマトリックス前駆体においてドメイン
（または離散領域）を形成する物質である。好ましくは、ドメインは、最終所望
気孔サイズより大きくないべきである。
【００３０】 多くのポリマー物質は、気孔発生体として有用であり得る。しかしながら、第
１マトリックス系に関して良好に機能する気孔発生体は、別のマトリックス系に
関して必ずしも良好に機能するとは限らない。マトリックス系との気孔発生体の
相溶性は、非常に大きいドメインが形成されないよう十分に高くなければならな
いが、しかしドメインが形成されない程十分に高くはあり得ない。
【００３１】 本発明において有用な気孔発生体は、好ましくは、マトリックス材料の熱安定
性温度より低い温度において熱分解する（すなわち、バーンアウト）ものである
。分解温度範囲は、硬化が分解より速く（または分解の前に）起こって気孔発生
体が実質的に除去される前にマトリックスが硬化するのを可能にする限り、硬化
温度範囲と重なり得る。これらの物質は、好ましくは、主として低分子量種に分
解しそしてかくして実質的な「炭」を多孔質マトリックス中に残さない。
【００３２】 気孔発生体、およびそれらがマトリックス前駆体と共に用いられて多孔質架橋
マトリックス材料を形成し得る方法の例は、次のように記載される。
【００３３】 気孔発生体は、ブロックコポリマー（たとえば、ジブロックポリマー）であり
得る。かかる物質は、これらのブロックがナノメートルサイズ範囲の分離ドメイ
ンを与えるよう非混和性であるならば、Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｔｏｄａｙ，１９９９
年２月号ｐ．３２に記載されているように自己集合することが可能であり得る。
かかるブロックコポリマーは、加工に適した処方物を得るために溶媒と共にまた
は溶媒なしに、架橋性マトリックス前駆体に添加され得る。ブロックコポリマー
は、加工中（たとえば、回転塗布後しかしマトリックスが形成される前）自己集
合し得る。ブロックの一つまたはそれ以上はマトリックスと反応性であり得、ま
たはブロックは非反応性であり得る。ブロックの一つまたはそれ以上はマトリッ
クスまたはその前駆体と相溶性であり得るが、しかし好ましくは少なくとも１つ
のブロックはマトリックスと非相溶性である。有用なポリマーブロックは、マト
リックス前駆体のオリゴマー、ポリビニル芳香族化合物（ポリスチレン、ポリビ
ニルピリジン、ハロゲン化ポリビニル芳香族化合物のような）、ポリアクリロニ
トリル、ポリアルキレンオキシド（ポリエチレンオキシドおよびポリプロピレン
オキシドのような）、ポリエチレン、ポリ乳酸、ポリシロキサン、ポリカプロラ
クトン、ポリカプロラクタム、ポリウレタン、ポリメタクリレート（ポリメチル
メタクリレートのような）またはポリメタクリル酸、ポリアクリレート（ポリメ
チルアクリレートのような）およびポリアクリル酸、ポリジエン（ポリブタジエ
ンおよびポリイソプレンのような）、ポリビニルクロライド、ポリアセタール、
およびアミンキャップドアルキレンオキシド（Ｈｕｎｔｓｍａｎ Ｃｏｒｐ．か
らＪｅｆｆａｍｉｎｅTMポリエーテルアミンとして商業的に入手できる）を含み
得る。たとえば、ポリスチレンとポリメチルメタクリレートを基剤としたジブロ
ックポリマーは、メシチレンのような適当な溶媒中のＣＹＣＬＯＴＥＮＥ樹脂の
溶液に、樹脂対ジブロックポリマーの、好ましくは１：１より小さくない一層好
ましくは２：１より小さくない最も好ましくは３：１より小さくない重量：重量
の比率にて添加され得る。総固形分含有率は用途依存性であるが、しかし好まし
くは１重量パーセントより少なくなく一層好ましくは５重量パーセントより少な
くなく最も好ましくは１０重量パーセントより少なくなくかつ好ましくは７０重
量パーセントより多くない一層好ましくは５０重量パーセントより多くない最も
好ましくは３０重量パーセントより多くない。該溶液は、次いでシリコンウェー
ハ上に回転塗布されて、ＤＶＳ−ビスＢＣＢの連続相中のジブロックコポリマー
の分散相を含有する薄いフィルムを残し得る。次いで、該フィルムは、熱硬化さ
れて、架橋ＤＶＳ−ビスＢＣＢの連続相中のポリ（スチレン−ｂ−メチルメタク
リレート）の分散相を含有する架橋ポリマー系を残し得る。次いで、ジブロック
コポリマーは分解または除去されて、多孔質架橋ＤＶＳ−ビスＢＣＢポリマーが
残され得る。同様に、ポリスチレンとポリブタジエンを基剤としたジブロックポ
リマーは、ジシクロペンタジエノン（たとえば、３，３′−（オキシジ−１，４
−フェニレン）ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエノン））とト
リスアセチレン（たとえば、１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼン
）のＢ段階溶液に添加され得る。
【００３４】 熱可塑性のホモポリマーおよびランダム（ブロックとは対照的に）コポリマー
もまた、気孔発生体として利用され得る。ここにおいて用いられる「ホモポリマ
ー」は、単一モノマーからの繰返し単位を含む化合物を意味する。適当な熱可塑
性物質は、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリブタジ
エン、ポリイソプレン、ポリフェニレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポ
リエチレンオキシド、ポリ（ジメチルシロキサン）、ポリテトラヒドロフラン、
ポリエチレン、ポリシクロヘキシルエチレン、ポリエチルオキサゾリン、ポリビ
ニルピリジン、ポリカプロラクトン、ポリ乳酸、これらの物質のコポリマー、お
よびこれらの物質の混合物を含む。熱可塑性物質は、特質上において線状、分岐
状、超分岐状、樹枝状または星様状であり得る。
【００３５】 ポリスチレンは、ＷＯ９８／１１１４９に記載されているもののようなポリシ
クロペンタジエノンとポリアセチレンの熱硬化性混合物またはＢ段階生成物に関
して特に適合することが分かり、何故ならそれは高温（たとえば、約４２０℃〜
４５０℃）において分解し、また主としてモノマーに分解しそして該モノマーは
マトリックスから拡散して出ていき得るからである。いかなる公知のポリスチレ
ンも、気孔発生体として有用であり得る。たとえば、アニオン性重合ポリスチレ
ン、シンジオタクチックポリスチレン、未置換および置換ポリスチレン（たとえ
ば、ポリ（α−メチルスチレン））はすべて、気孔発生体として用いられ得る。
未置換ポリスチレンが特に好ましい。
【００３６】 たとえば、８，５００の数平均分子量を有するアニオン重合ポリスチレンは、
ポリシクロペンタジエノンとポリアセチレンのポリアリーレンＢ段階反応生成物
とブレンドされ得る。次いで、この溶液は、ポリアリーレンマトリックス前駆体
中のポリスチレンの分散相を含有する薄いフィルムを生じるようにシリコンウェ
ーハ上に回転塗布され得る。被覆されたウェーハはホットプレート上で硬化され
てマトリックスを形成し、次いでポリスチレン気孔発生体はオーブン中での熱処
理により除去されて多孔質ポリアリーレンマトリックスが形成される。
【００３７】 気孔発生体はまた、Ｂ段階中またはＢ段階に後続して架橋性マトリックス前駆
体と反応してポリマー鎖のブロックまたはペンダント状（懸垂状）置換を形成す
るように設計され得る。かくして、たとえばビニル、アクリレート、メタクリレ
ート、アリル、ビニルエーテル、マレイミド、スチリル、アセチレン、ニトリル
、フラン、シクロペンタジエノン、ペルフルオロエチレン、ＢＣＢ、ピロン、プ
ロピオレートまたはオルト−ジアセチレン基のような反応性基を含有する熱可塑
性ポリマーは、架橋性マトリックス前駆体と化学結合を形成し得、そして次いで
該熱可塑性ポリマーは除去されて気孔を残し得る。熱可塑性ポリマーは、ポリス
チレン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリブタジエン、ポリイソプ
レン、ポリフェニレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリエチレンオキシ
ド、ポリ（ジメチルシロキサン）、ポリテトラヒドロフラン、ポリエチレン、ポ
リシクロヘキシルエチレン、ポリエチルオキサゾリン、ポリカプロラクトン、ポ
リ乳酸およびポリビニルピリジンのホモポリマーもしくはコポリマー、またはそ
れらの混合物であり得る。１個の反応性基または多数の反応性基が、熱可塑性ポ
リマー上に存在し得る。反応性基の数およびタイプは、熱可塑性気孔発生体がペ
ンダント状物質としてまたはブロックとしてマトリックス中に合体されるかどう
かで決まる。熱可塑性物質は、特質上において線状、分岐状、超分岐状、樹枝状
または星様状であり得る。
【００３８】 たとえば、低分子量（＜１０，０００Ｍn）ポリプロピレングリコールオリゴ
マーは、シンナメート基で末端がキャップされそして次いで純ＤＶＳ−ビスＢＣ
Ｂモノマーに１０〜３０重量パーセントにて添加され得る。次いで、この混合物
は、加熱によりＢ段階にされ、次いでメシチレンのような適当な溶媒で希釈され
そしてシリコンウェーハ上に回転塗布されて、Ｂ段階ＤＶＳ−ビスＢＣＢに化学
的に結合されたポリプロピレングリコールオリゴマーの分散相を含有する薄いフ
ィルムを生じ得る。次いで、分散ポリプロピレングリコールオリゴマーは分解さ
れて、多孔質架橋ＤＶＳ−ビスＢＣＢポリマーが残され得る。
【００３９】 ポリマー気孔発生体の所望分子量は、マトリックス前駆体および硬化マトリッ
クスとのそれらの相溶性、所望気孔サイズ、等のような様々な因子と共に変動す
る。しかしながら、一般に、気孔発生体の数平均分子量は、２０００より大でか
つ１００，０００より小である。一層好ましくは分子量は、５０００〜５０，０
００の範囲にあり、そして最も好ましくは３５，０００より小である。気孔発生
体ポリマーはまた、好ましくは、狭い分子量分布を有する。
【００４０】 気孔発生体はまた、１〜５０ｎｍの平均直径を有する物質であり得る。かかる
物質の例は、デンドリマー（Ｄｅｎｄｒｉｔｅｃｈ，Ｉｎｃ．を通じて入手でき
並びにＰｏｌｙｍｅｒ Ｊ．（東京），Ｖｏｌ．１７，１１７（１９８５）にＴ
ｏｍａｌｉａ等により記載されているポリアミドアミン（ＰＡＭＡＭ）デンドリ
マー；ＤＳＭ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手できるポリプロピレンイミンポ
リアミン（ＤＡＢ−Ａｍ）デンドリマー；フレチェット型ポリエーテルデンドリ
マー（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１１２，７６３８（１９９０）
、Ｖｏｌ．１１３，４２５２（１９９１）にＦｒｅｃｈｅｔ等により記載されて
いる）；パーセク型液晶モノデンドロン、デンドロン化ポリマーおよびそれらの
自己集合高分子（Ｎａｔｕｒｅ，Ｖｏｌ．３９１，１６１（１９９８）、Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１１９，１５３９（１９９７）にＰｅｒｃｅ
ｃ等により記載されている）；ボルトロンＨシリーズ樹枝状ポリエステル（Ｐｅ
ｒｓｔｏｒｐ ＡＢから商業的に入手できる）のような超分岐状ポリマー系およ
びラテックス粒子、特に架橋ポリスチレン含有ラテックスを含む。これらの物質
は、架橋性マトリックス前駆体に対して非反応性であり得、または上記に記載さ
れたように反応性であり得る。たとえば、Ｄｅｎｄｒｉｔｅｃｈ，Ｉｎｃ．の第
２世代ＰＡＭＡＭ（ポリアミドアミン）デンドリマーはビニルベンジルクロライ
ドで官能化されて、デンドリマーの表面上のアミン基がビニルベンジル基に転化
され得る。次いで、この官能化デンドリマーはメシチレン中のＢ段階ＤＶＳ−ビ
スＢＣＢの溶液に添加され得、そして次いでこの混合物はシリコンウェーハ上に
回転塗布されて、ＤＶＳ−ビスＢＣＢオリゴマー中のＰＡＭＡＭデンドリマーの
分散相が得られ得る。このフィルムは熱硬化されて、架橋ＤＶＳ−ビスＢＣＢの
連続相に化学的に結合されたＰＡＭＡＭデンドリマーの分散相を含有する架橋ポ
リマー系が得られ得る。次いで、デンドリマーは熱分解されて、多孔質架橋ＤＶ
Ｓ−ビスＢＣＢポリマーが得られ得る。その代わりに、Ｐｅｒｓｔｏｒｐ ＡＢ
の第４世代ボルトロン樹枝状ポリマー（Ｈ４０）はその周辺にてベンゾイルクロ
ライドで変性されて、デンドリマーの表面上のヒドロキシ基がフェニルエステル
基に転化され得る。次いで、この官能化デンドリマーは、ガンマ−ブチロラクト
ンとシクロヘキサノンの溶媒混合物中のポリシクロペンタジエン化合物とポリア
セチレン化合物の部分重合（すなわち、Ｂ段階）反応生成物の前駆体溶液に添加
され得る。次いで、この混合物はシリコンウェーハ上に回転塗布されて、前駆体
オリゴマー中のボルトロンＨ４０ベンゾエート樹枝状ポリマーの分散相が得られ
得る。このフィルムは熱硬化されて、架橋ポリアリーレンの連続相に化学的に結
合されたデンドリマーの分散相を含有する架橋ポリマー系が得られ得る。次いで
、デンドリマーは４００℃にて熱分解されて、多孔質架橋ポリアリーレンが得ら
れ得る。
【００４１】 その代わりに、気孔発生体はまた、溶媒であり得る。たとえば、Ｂ段階プレポ
リマーまたは部分架橋ポリマーは、最初に、適当な溶媒またはガスの存在下で膨
潤され得る。次いで、膨潤物質は、構造保全性を増大するために更に架橋され得
、しかしてその後溶媒またはガスは、真空または加熱を適用することにより除去
され得る。適当な溶媒は、メシチレン、ピリジン、トリエチルアミン、Ｎ−メチ
ルピロリジノン（ＮＭＰ）、メチルベンゾエート、エチルベンゾエート、ブチル
ベンゾエート、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シク
ロオクタノン、シクロヘキシルピロリジノン、およびジベンジルエーテル、ジグ
リム、トリグリム、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリ
コールジメチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレン
グリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテルのような
エーテルまたはヒドロキシエーテル、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジプロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジクロロベンゼン、プロピレン
カーボネート、ナフタレン、ジフェニルエーテル、ブチロラクトン、ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、並びにそれらの混合物を含む。
【００４２】 多孔質マトリックス中の気孔の濃度は、マトリックスの誘電率を下げるのに十
分に高いが、しかしマトリックスが所望の超小型電子装置（たとえば、集積回路
、マルチチップモジュールまたはフラットパネル表示装置）の製造において必要
とされるプロセス工程に耐えることを可能にするのに十分に低い。好ましくは、
気孔の密度は、マトリックスの誘電率を２．５未満に一層好ましくは２．０未満
に下げるのに十分である。好ましくは、気孔の濃度は、多孔質マトリックスの総
容積を基準として少なくとも５容量パーセント一層好ましくは少なくとも１０容
量パーセント最も好ましくは少なくとも２０容量パーセントかつ好ましくは７０
容量パーセントより大でない一層好ましくは６０容量パーセントより大でない。
【００４３】 気孔の平均直径は、好ましくは４００ｎｍ未満、一層好ましくは１００ｎｍ未
満、なお一層好ましくは５０ｎｍより大でなく、更に一層好ましくは２０ｎｍよ
り大でなく、最も好ましくは１０ｎｍより大でない。
【００４４】多孔質マトリックス層を製造する方法 理論により縛られないけれども、次の出来事がマトリックス前駆体と気孔発生
体を含有する溶液の加工中起こると考えられる。マトリックス前駆体と気孔発生
体の溶液は、回転塗布のような方法により基板上に施用される。この施用中、溶
媒のいくらかは蒸発して、基板上により濃厚な溶液が残される。次いで、被覆基
板はホットプレート上で加熱されて残存溶媒のほとんどが除去されて、マトリッ
クス前駆体中に分散された気孔発生体が残される。溶媒除去過程中および／また
は後続の熱加工中、気孔発生体相はマトリックス前駆体から分離する。この相分
離は、溶媒の損失（濃縮効果および／または溶液の溶解パラメーター変化）、マ
トリックス前駆体の分子量増加、特定位置における十分な気孔発生体量の集合も
しくは凝集、またはそれらの組合わせにより推進され得る。更なる熱処理でもっ
て、マトリックスは一層完全に硬化されるようになる。高められた温度において
、気孔発生体は断片に分解し始め、しかして該断片は拡散して被覆フィルムから
出ていって気孔を残し、かくして多孔質マトリックスを形成し得る。
【００４５】 マトリックス前駆体、気孔発生体および溶媒は一緒にされそして混合されて、
光学的に透明な溶液を形成する。気孔発生体の量に関してのマトリックス前駆体
の量は、所望多孔度を生じるように調整され得る。しかしながら、好ましくは、
気孔発生体およびマトリックスの重量を基準として気孔発生体の重量パーセント
は、少なくとも５パーセント一層好ましくは少なくとも１０パーセント最も好ま
しくは少なくとも２０パーセントである。気孔発生体の最大量は、最終製品にお
いて所望される機械的および電気的性質により決定される。好ましくは、気孔発
生体重量パーセントは、８０パーセントより大でなく一層好ましくは７０パーセ
ントより大でなく最も好ましくは６０パーセントより大でない。
【００４６】 光学的に透明な溶液をもたらすのに十分な溶媒が用いられるべきである。加え
て、溶媒の量は、様々な被膜厚を得ることが可能であるように変動され得る。用
いられる溶媒が多ければ多いほど、最終フィルムの層はより薄い。好ましくは、
溶媒の量は、全溶液の５０〜９５重量パーセントの範囲にある。
【００４７】 いかなる公知の塗布方法も、前駆体／気孔発生体／溶媒の組成物を基板に施用
するために用いられ得る。回転塗布は、所望の非常に薄いフィルム層をもたらす
ために特に適合する。好ましいフィルム厚は、レベル間誘電フィルムについて１
０ミクロン未満好ましくは５ミクロン未満である。該組成物は、薄い多孔性フィ
ルムが所望されるいかなる基板にも施用され得る。好ましくは、基板は、シリコ
ンウェーハを含む。基板は、集積回路において見られるような他の層または特徴
（たとえば、ゲート、金属配線線路、他の絶縁材、等）を更に含み得る。
【００４８】 用いられる溶媒は、気孔発生体およびマトリックス前駆体の組合わせが溶液を
形成するいかなる溶媒または溶媒の組合わせでもよい。適当な溶媒の例は、メシ
チレン、ピリジン、トリエチルアミン、Ｎ−メチルピロリジノン（ＮＭＰ）、メ
チルベンゾエート、エチルベンゾエート、ブチルベンゾエート、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、シクロヘキシル
ピロリジノン、およびジベンジルエーテル、ジグリム、トリグリム、ジエチレン
グリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジプロピレ
ングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロ
ピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ト
リプロピレングリコールメチルエーテルのようなエーテルまたはヒドロキシエー
テル、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジプロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、ジクロロベンゼン、プロピレンカーボネート、ナフタレン、ジ
フェニルエーテル、ブチロラクトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムア
ミド、並びにそれらの混合物を含む。
【００４９】 気孔発生体およびマトリックス前駆体は施用に先だって単に混合され得、また
はそれらは所望基板への溶液の施用に先だって部分的に反応されもしくはＢ段階
にされ得る。気孔発生体は、マトリックス前駆体Ｂ段階過程の様々な段階におい
て所望に応じて添加され得る。
【００５０】 マトリックス前駆体フィルムが形成された後、フィルムは、溶媒を除去しかつ
マトリックス前駆体の更なる重合を引き起こすのに十分な条件下で焼き付けられ
得る。焼付け温度は系依存性であり、そして過度の実験なしに当業者により決定
され得る。マトリックス前駆体またはマトリックス材料の引き続いて形成された
被膜（典型的には０．１〜５ミクロンの厚さである）は、所望されるなら、化学
的機械的磨き（ＣＭＰ）により滑らかにされ得る。気孔発生体は、ＣＭＰ過程の
前または後のいずれかにて除去され得る。
【００５１】 マトリックス中に実質的残渣を残さない低分子量種への気孔発生体の熱分解が
好ましい。基板への組成物の施用後、溶媒は、典型的には中温への加熱により、
除去される。次いで、組成物は、前駆体物質を架橋しそしてマトリックスを形成
するのに少なくとも十分な温度に急速に加熱される。気孔発生体は、気孔発生体
を分解するのに十分な温度への加熱により除去される。ポリスチレン含有気孔発
生体が用いられる場合、加熱は酸素の不存在下で行われることが好ましい。乾燥
（溶媒除去）、硬化および分解の工程は別々の加熱工程により行われ得るけれど
も、単一加熱工程が用いられ得ることも可能であり、そして多段加熱段階が用い
られるとしても、諸過程のうちの一つより多い過程がいかなる所与の加熱工程に
おいても起こっていることがあり得ることが認識される。
【００５２】 好ましくは気孔発生体の少なくとも８０パーセント、一層好ましくは少なくと
も９０パーセントそして最も好ましくは少なくとも９５パーセントが除去される
。気孔発生体の除去は、赤外分光法、透過電子顕微鏡法、等のような技法により
決定され得る。気孔発生体の除去は、フィルムから拡散し得る低分子量種に気孔
発生体が分解する場合起こり得る。好ましくは気孔発生体の少なくとも８０パー
セント、一層好ましくは少なくとも９０パーセントそして最も好ましくは少なく
とも９５パーセントが、低分子量種に分解する。熱可塑性気孔発生体の好ましく
は少なくとも８０パーセント一層好ましくは少なくとも９０パーセント最も好ま
しくは少なくとも９５パーセントは、そのモノマー単位またはより小さい単位に
分解する。
【００５３】 一つの好ましい具体的態様によれば、塗布後、被覆基板は、急速硬化を引き起
こすのに十分なしかし気孔発生体についての分解温度未満の温度に加熱される。
かかる急速加熱工程を遂行するための適当な方法は、ホットプレート上での焼付
けおよび赤外線ランプ下での急速熱アニールを含む。ＷＯ９８／１１１４９に見
られるもののような好ましいマトリックス材料について、組成物は、好ましくは
、３００℃一層好ましくは３５０℃を越える温度に、１秒当たり少なくとも２０
℃一層好ましくは１秒当たり少なくとも５０℃の速度にて上げられる。この初期
硬化工程は、気孔発生体およびマトリックスの構造を「固定」するのに十分にマ
トリックスが硬化される限り、完全硬化を引き起こす必要はない。次いで、少な
くとも１つの追加的加熱工程が、硬化を完全に完了させるために（必要ならば）
および気孔発生体を分解するために遂行される。この後続加熱工程は、好ましく
は４００℃を越える一層好ましくは４２０℃を越えるかつ好ましくは５００℃未
満一層好ましくは４７０℃未満の温度にて行われる。
【００５４】 別の具体的態様によれば、硬化および気孔発生体の分解の両方を引き起こすの
に十分な温度への、好ましくは１秒当たり少なくとも２０℃一層好ましくは１秒
当たり少なくとも５０℃の速度にての単一急速加熱工程が用いられ得る。この具
体的態様において、乾燥後または別個の乾燥工程を用いないのいずれかにおいて
、温度は急速に上げられる。ＷＯ９８／１１１４９に見られるもののような好ま
しいマトリックス材料について、温度は、４００℃より高く一層好ましくは４２
０℃より高く上げられる。
【００５５】 フィルムの多層が所望される場合、上記の工程は、繰り返され得る。また、多
孔質フィルムを形成した後、その層は、集積回路物品および他の超小型電子装置
の製造において所望されるような溝、バイア、穴を形成するために、公知の方法
によりエッチングまたは作像され得る。
【００５６】 架橋炭化水素含有マトリックス／気孔発生体系は、気孔発生体が分解する前に
マトリックスが形成しかつマトリックスが分解する前に気孔発生体が完全にまた
は実質的に完全に分解するように選択される。マトリックスの架橋から分解まで
の温度窓は、気孔発生体の選択における最大融通性を有するように広いことが好
ましい。
【００５７】 気孔発生体は、上記に論じられた好ましい熱的バーンアウト法を含めて多数の
方法により除去され得る。該熱的バーンアウトは、酸素の不存在下で、または気
孔発生体の除去を促進するために酸素を存在させてもしくは酸素を添加してさえ
行われ得る。この第２の手法は、熱硬化性マトリックスが比較的熱酸化的に安定
である場合特に望ましい。気孔発生体はまた、気孔発生体が適切な溶媒でもって
熱硬化マトリックスから効果的に溶解除去される湿式溶解によりまたは気孔発生
体を選択的に除去するようにプラズマ化学が用いられる乾式すなわちプラズマ除
去により除去され得る。たとえば、上記に列挙されたもののような溶媒または超
臨界ガスは、分散第２相を溶解しそして除去するために用いられ得る。第２相は
、熱可塑性物質、ジブロックポリマー、無機物質、またはナノ規模レベルにて分
散され得かつポリマー系中に拡散しそして出ていき得る溶媒中に溶解されること
が可能であるいかなる物質でもよい。
【００５８】 本発明の多孔質架橋マトリックスは、集積回路、マルチチップモジュールまた
はフラットパネル表示装置用の単一または多層電気配線アーキテクチャにおいて
絶縁または誘電層の一つまたはそれ以上として用いられ得る。本発明のポリマー
は、これらの用途において単独誘電体として、または二酸化ケイ素、窒化ケイ素
もしくはオキシ窒化ケイ素のような無機誘電体ともしくは他の有機ポリマーと共
に用いられ得る。
【００５９】 本発明の多孔質炭化水素含有マトリックス材料は、ケイ素またはガリウムのヒ
化物でもって製作されるもののような集積回路の配線構造において低誘電率絶縁
材料として特に有用である。多孔質炭化水素含有マトリックス材料はまた、米国
特許５，５５０，４０５および５，５９１，６７７に開示されているような集積
回路装置を作製する方法において用いられ得る。 次の例は、例示的目的のみのためであり、そして本発明の範囲を限定するよう
には意図されていない。
【００６０】実施例１−反応性熱可塑性オリゴマーを用いての多孔質ベンゾシクロブテンマト リックスの製造 ポリ（プロピレングリコール）ビスシンナメートの製造 磁気撹拌機、平衡添加漏斗、および窒素導入口を有する還流凝縮器を備えた２
５０ｍＬ丸底フラスコ中に、撹拌しながら、８０００の数平均分子量を有するポ
リ（プロピレングリコール）（３８．２１ｇ，４．７８ｍｍｏｌ）およびクロロ
ホルム（４０ｍＬ）を添加した。次いで、この撹拌溶液に、ピリジン（０．６０
ｇ，７．６４ｍｍｏｌ）を添加した。この溶液に、シンナモイルクロライド（０
．６４ｇ，３．８２ｍｍｏｌ）を１５分かけて滴加した。添加の完了時に、反応
混合物を還流下で１８時間加熱した。次いで、反応を室温に冷却した。この溶液
を１０パーセントＨＣｌ（３×２５ｍＬ）、次いで水（１×５０ｍＬ）、次いで
１Ｍ−ＮａＯＨ（２×２５ｍＬ）、次いで再び水（１×５０ｍＬ）、次いでブラ
イン（１×５０ｍＬ）で洗浄した。次いで、有機分を硫酸マグネシウム上で乾燥
し、そして溶媒を除去して生成物（３７．５ｇ）が得られ、しかしてその構造は
陽子および炭素ＮＭＲ分光法により確認された。
【００６１】ジビニルシロキサン−ビス−ベンゾシクロブテンとポリ（プロピレングリコール ）ビスシンナメートのコポリマーの製造 ガラス反応器中に、ジビニルシロキサン−ビス−ベンゾシクロブテン（ＣＡＳ
＃１２４２２１−３０−３）（４．０ｇ，１．０２４×１０-2ｍｏｌ）およびポ
リ（プロピレングリコール）ビスシンナメート（１．０ｇ，１．２２×１０-4ｍ
ｏｌ）を入れた。単一相を形成したこの混合物を２００℃にて１８時間加熱し、
その結果物質は白くかつ固くなっていた。この物質を窒素下で５０時間３２５℃
に加熱して、１０〜５０ｎｍの範囲の気孔サイズ（透過電子顕微鏡法により決定
されるとき）を有する多孔質物品が得られた。
【００６２】実施例２−反応性熱可塑性オリゴマーを用いてのベンゾシクロブテンマトリック スの多孔質の薄いフィルムの製造 メシチレン中のＭｗ４９６００のオリゴマーのジビニルシロキサン−ビスベン
ゾシクロブテン８０部の溶液をＭｗ４０００のポリ（プロピレングリコール）か
ら製造されたポリ（プロピレングリコール）ビスシンナメート２０部と一緒にし
た。この溶液を１６５℃にて窒素下で４．５時間加熱して、分子量を更に高めた
。室温に冷却してから、この溶液の固形分総パーセントを、適切量のメシチレン
の添加により２０パーセントに調整した。
【００６３】 上記の溶液の１０ミリリットルを４インチ（１０．１６ｃｍ）シリコンウェー
ハ上に溜まらせ、そして最初に５００ｒｐｍにて３秒間回転させそして次いで２
，０００ｒｐｍにて３０秒間回転させた。次いで、このウェーハを、次の熱条件
に付した。すなわち、ホットプレート２００℃にて５分間、２５０℃にて６分間
、３５０℃にて１０分間。このウェーハを、窒素雰囲気を有するオーブンに移し
そして３００℃に９時間保持した。透過電子顕微鏡法は、サイズが６０〜７０ｎ
ｍの平均値で２０〜１００ｎｍの範囲にある気孔の存在を指摘した。
【００６４】実施例３−反応性ポリスチレン気孔発生体を用いての多孔質のポリアリーレンの 薄いフィルムの製造 ３，５−ビス（フェニルエチニル）ベンゾイルクロライドの製造 ａ．）メチル３，５−ジブロモベンゾエートの製造 凝縮器および窒素導入口を備えた２５０ｍＬ丸底フラスコに、３，５−ジブロ
モ安息香酸（３０．０６ｇ，０．１０７４モル）、メタノール（６０ｇ，１．８
７モル）および濃硫酸（１．８ｍＬ）を添加した。この混合物を２３時間加熱還
流し、そしてこの混合物を室温に冷却し、しかして冷却期間中に固体が沈殿した
。この混合物を氷浴中で冷却し、そして固体を濾過により単離した。この固体を
冷メタノールですすぎ、そして次いで真空中で４０℃にて乾燥した。反応の進行
を監視するためにおよび生成物の純度を評価するために、反応および最終生成物
をＧＣにより分析した。
【００６５】 ｂ．）メチル３，５−ジブロモベンゾエートとフェニルアセチレンとのカップ
リング 窒素導入口を備えた１Ｌ丸底フラスコに、メチル３，５−ジブロモベンゾエー
ト（２６．４ｇ，０．０８９８１モル）、塩化パラジウムビス（トリフェニルホ
スフィン）（６．２５８ｇ，０．００８９１６モル）、トリフェニルホスフィン
（１．１８ｇ，０．００４５０４モル）、フェニルアセチレン（２７．４０ｇ，
０．２６８２モル）、トリエチルアミン（３６．１３ｇ，０．３５６９モル）お
よびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（５００ｍＬ）を添加した。この混合物を、
室温にて２０分間撹拌した。次いで、ヨウ化銅（Ｉ）（０．４２８ｇ，０．００
２２５モル）を添加し、そしてこの混合物を室温にて９５時間撹拌した。反応を
、ＧＣにより追跡した。溶媒を、真空中で除去した。残渣をメタノールでスラリ
ー化し、そして濾過により単離した。固体を塩化メチレン中に溶解し、そして濾
過用漏斗中のシリカゲルの詰め物を通じて濾過した。溶媒を真空中で除去して、
褐色固体が得られた。
【００６６】 ｃ．）３，５−ビス（フェニルエチニル）安息香酸の製造 １Ｌ丸底フラスコに、メチル３，５−ビス（フェニルエチニル）ベンゾエート
（３２．７ｇ，０．００９７２モル）およびイソプロパノール（２６１ｍＬ）を
添加した。この混合物を、固体のすべてが溶解するまで加熱還流した。水酸化カ
リウム（２４．２４ｇの４５パーセントＫＯＨａｑ，０．１９４４モル）を添加
し、そしてこの混合物を熱い状態に４時間保った。この混合物を冷却し、そして
次いで固体が沈殿するまで濃ＨＣｌで酸性化した。この固体を濾過により単離し
、そして真空中で８０℃にて一晩乾燥して、帯灰色固体（２２ｇ）が得られた。
この固体をトルエン中で脱色炭と共に還流し、濾過助剤を通じて熱いまま濾過し
、そして冷却し、しかして冷却期間中に固体が沈殿した。固体を濾過により単離
し、そして真空中で一晩乾燥した。高性能液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）
による分析は、この物質が純粋であると示した。この物質を、1Ｈ−ＮＭＲおよ
び13Ｃ−ＮＭＲにより更に分析した。スペクトルは、所望構造と一致していた。
【００６７】 ｄ．）３，５−ビス（フェニルエチニル）ベンゾイルクロライドの製造 ３，５−ビス（フェニルエチニル）安息香酸（２．７９８２ｇ，０．００８６
８０モル）、オキサリルクロライド（２．２ｍＬ，０．０２５２１モル）および
トルエン（７ｍＬ）を、５０ｍＬ丸底フラスコに添加した。この混合物を、固体
のすべてが溶解するまでおよび加えて更に１時間５０℃にて加熱した。溶媒およ
び過剰のオキサリルクロライドを、真空を適用することにより除去した。この固
体を室温にてトルエン中に再溶解し、そして次いで真空を適用することにより溶
媒を除去した。固体を、更なる精製なしに引き続いて用いた。
【００６８】３，５−ビス（フェニルエチニル）安息香酸のポリ（スチレン）エステルの製造 還流トルエンで清浄にしそして真空下で乾燥した１．５Ｌガラス製重合反応器
に、７００ｍＬのシクロヘキサン（活性アルミナに通された）を装填した。反応
器を５５℃に加熱し、そして１０３．３ｇのスチレン（使用に先だって、活性ア
ルミナに通され、水素化カルシウムおよびジブチルマグネシウムから蒸留された
）を添加した。重合を、９．０ｍＬ（３．４５６ミリモル）の０．３８４Ｍのｓ
ｅｃ−ブチルリチウム溶液を添加することにより開始させた。１時間撹拌した後
、０．６０ｇのエチレンオキシド（水素化カルシウム上で乾燥された）を添加し
、それにより橙色溶液が無色になった。３０ｍｉｎ後、１０ｍＬのテトラヒドロ
フラン（活性アルミナに通された）中の１．７７８ｇ（３．４５６ミリモル，１
．０当量）の３，５−ビス（フェニルエチニル）ベンゾイルクロライドを添加し
た。３０分後、この溶液を冷却し、そして反応器から取り出した。１．５Ｌのメ
タノール中で沈殿させそして真空下で８０℃にて一晩乾燥することにより、ポリ
マーを単離した。収量は、定量的であった。狭い分子量のポリスチレン標準品に
対する該ポリマーのＧＰＣ分析は、Ｍn＝３９，３５３、Ｍw＝４１，３０３およ
びＭw／Ｍn＝１．０５０を与えた。類似的に、４６，５００および５０，０００
のＭn値を有する官能化ポリスチレンもまた製造された。
【００６９】４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエン−３−オン）ジ フェニルエーテル、１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼンおよび３ ，５−ビス（フェニルエチニル）安息香酸のポリスチレンエステルからのオリゴ マー溶液の製造 ５００ｍＬの三口丸底フラスコに、４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニ
ルシクロペンタジエノン）ジフェニルエーテル（４５．３８ｇ，０．０５８０モ
ル）、１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼン（１４．６２ｇ，０．
０３８６モル）、３，５−ビス（フェニルエチニル）安息香酸のポリスチレンエ
ステル（Ｍn＝３９，３５３）（１５．００ｇ，０．０００３７５モル）および
ガンマ−ブチロラクトン（１４０ｇ）を添加した。フラスコを、窒素／真空導入
口に取り付けた。磁気式に撹拌されている溶液を、５回の真空の適用および窒素
の再充填により脱ガスした。次いで、この溶液を、２００℃の内部温度に加熱し
た。５５．５時間の加熱後、溶液を１４５℃に冷却し、次いでシクロヘキサノン
（２０５ｇ）で希釈した。次いで、この溶液を室温に冷却した。ゲル透過クロマ
トグラフィーによる最終溶液の分析は、ポリスチレン標準品に関してＭn＝５３
６２およびＭw＝３４０２２を指摘した。他の分子量の反応性ポリスチレンを用
いての同様な溶液が、類似的に製造された。
【００７０】多孔質の薄いフィルムの製造および評価 ３，５−ビス（フェニルエチニル）安息香酸のポリスチレンエステル（Ｍn＝
４６，５００）を気孔発生体として含有するところの、４，４′−ビス（２，４
，５−トリフェニルシクロペンタジエン−３−オン）ジフェニルエーテルおよび
１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼンからの樹脂溶液を、上記に記
載されたようにして製造した。この溶液をシリコンウェーハに施用し、そして回
転塗布により流延して、１．１６・ｍ厚の被膜を形成させた。このフィルムを、
ＭＴＩホットプレート上で窒素下で３２０℃にて２分間そして次いで窒素下で４
００℃にて１０分間焼き付けた。ウェーハ上のこの被膜を、Ｂｌｕｅ Ｍオーブ
ン中で窒素下で４５０℃にて２０分間更に加熱した。このフィルムのＴＥＭ観察
の目視検査に基づいて、気孔は直径１２０ｎｍであった。屈折率は、１．５８で
あった。
【００７１】実施例４−非反応性ポリスチレン気孔発生体を用いての多孔質のポリアリーレン の薄いフィルムの製造 モル比率３：２の４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエ ン−３−オン）ジフェニルエーテルおよび１，３，５−トリス（フェニルエチニ ル）ベンゼンからのオリゴマー溶液の製造 ５００ｍＬの三口丸底フラスコに、４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニ
ルシクロペンタジエノン）ジフェニルエーテル（６０．００ｇ，０．０７６６２
モル）、１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼン（１９．３４ｇ，０
．０５１１モル）およびガンマ−ブチロラクトン（１８５ｇ）を添加した。フラ
スコを、窒素／真空導入口に取り付けた。磁気式に撹拌されている溶液を、５回
の真空の適用および窒素の再充填により脱ガスした。次いで、この溶液を、２０
０℃の内部温度に加熱した。４８時間の加熱後、溶液を１４５℃に冷却し、次い
でシクロヘキサノン（１３２ｇ）で希釈した。次いで、この溶液を室温に冷却し
た。ゲル透過クロマトグラフィーによる最終溶液の分析は、ポリスチレン標準品
に関してＭn＝５５５０およびＭw＝３０５５０を指摘した。
【００７２】アニオン重合ポリスチレンの製造 還流シクロヘキサンで清浄にしそして真空下で乾燥した１．５Ｌガラス製重合
反応器に、７５０ｍＬのシクロヘキサン（活性アルミナに通された）を装填した
。反応器を５５℃に加熱し、そして１０３．２２ｇのスチレン（活性アルミナお
よびＱ５触媒床に通された）を添加した。重合を、７．８ｍＬの１．３２Ｍのｓ
ｅｃ−ブチルリチウム溶液を添加することにより開始させた。１時間撹拌した後
、１ｍＬのメタノールを添加して重合をクエンチした。この溶液を更に３０分間
撹拌し、しかして反応器は冷えた。２Ｌのメタノール中で沈殿させそして真空下
で９０℃にて一晩乾燥することにより、ポリマーを単離した。総量１０１．９６
ｇ（９９パーセントの収率）が採取された。狭い分子量のポリスチレン標準品に
対する該ポリマーのＧＰＣ分析は、Ｍn＝８，２９６、Ｍw＝８，６７９およびＭ w ／Ｍn＝１．０４６を与えた。他の分子量のポリスチレンが、類似的に製造され
た。
【００７３】ヒドロキシ末端アニオン重合ポリスチレンの製造 磁気撹拌子、セプタムを有するセプタムポートおよび窒素導入アダプターを備
えた１Ｌの一口丸底フラスコに、２０８ｇのシクロヘキサン（活性アルミナに通
された）および５２．６４ｇのスチレン（活性アルミナに通され、水素化カルシ
ウムおよびジブチルマグネシウムから蒸留された）を装填した。重合を、５．６
ｍＬの０．６２４Ｍのｓｅｃ−ブチルリチウム溶液を添加して橙色溶液をもたら
すことにより、室温にて開始させた。２時間後、２．３１ｇのエチレンオキシド
（水素化カルシウム上で乾燥された）を添加して、無色の溶液が得られた。３０
分後、２ｍＬのメタノール（ＭｅＯＨ）を添加して重合を停止させた。ＭｅＯＨ
中で沈殿させそして真空下で９０℃にて一晩乾燥することにより、ポリマーを単
離した。収量は、定量的であった。狭い分子量のポリスチレン標準品に対するＧ
ＰＣ分析は、Ｍn＝１４，９６０、Ｍw＝１６，０３５およびＭw／Ｍn＝１．０７
２を与えた。他の分子量のヒドロキシ末端ポリスチレンが、類似的に製造された
。
【００７４】星状ポリスチレンの製造 ディーン・スタークトラップ／凝縮器／窒素導入口を備えた２５０ｍＬ丸底フ
ラスコに、ヒドロキシ末端ポリスチレン（Ｍn＝４８３７）（１０．００ｇ，０
．０２０７モル）およびトルエン（１５０ｍＬ）を添加した。この混合物を、固
体が溶解するまで撹拌した。この混合物を２時間加熱還流して、水を共沸的に除
去した。この溶液を室温に冷却し、次いでフラスコをゴムセプタムで密封した。
四塩化ケイ素（５９マイクロリットル，０．０００５１７モル）を注射器により
添加し、そしてこの混合物を５分間撹拌した。ピリジン（５０マイクロリットル
）を注射器により添加し、そしてこの混合物を室温にて４８時間撹拌した。次い
で、この混合物を、１．５時間加熱還流した。次いで、溶媒を真空中で除去した
。残渣をメチレンクロライド中に溶解し、ＨＣｌ（ａｑ）およびＮａＣｌ（飽和
）で洗浄し、次いで乾燥し（ＭｇＳＯ4）、そして溶媒を真空中で除去した。ゲ
ル透過クロマトグラフィーによるこの物質の分析は、ポリスチレン標準品に関し
てＭn＝１６８７６およびＭw＝１７２２２を指摘した。
【００７５】８７００Ｍnポリスチレンを用いての処方、薄いフィルムの形成および評価 ８７００のＭnを有するアニオン重合ポリスチレンを、上記に記載されたよう
にして製造されたモル比３：２の４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシ
クロペンタジエン−３−オン）ジフェニルエーテルおよび１，３，５−トリス（
フェニルエチニル）ベンゼンからのオリゴマー溶液に、固形分に関して２０質量
パーセント添加した。この溶液は光学的に透明である共に、Ｂ段階樹脂中へのポ
リスチレンの溶解を指摘する暗赤色の色合いを有していた。この溶液をシリコン
ウェーハに施用し、そして回転塗布により流延して、３．５μｍ厚の被膜を形成
させた。このフィルムを、ＭＴＩホットプレート上で窒素下で３２０℃にて２分
間そして次いで窒素下で４００℃にて１０分間焼き付けた。ウェーハ上のこの被
膜を、Ｂｌｕｅ Ｍオーブン中で窒素下で４２５℃にて６０分間更に加熱した。
この後者の加熱工程後、ポリスチレンの９５パーセントが除去されたと、フーリ
エ変換赤外分光法（ＦＴＩＲ）により決定された。このフィルムのＴＥＭ観察の
目視検査に基づいた平均気孔サイズの推定は、３００ｎｍであった。多孔質被膜
の屈折率は、１．５であった。これは、完全緻密マトリックスについての１．６
３の屈折率と対照される。
【００７６】 上記からのポリスチレン含有溶液をシリコンウェーハに施用し、そして回転塗
布により流延して、３．３μｍ厚の被膜を形成させた。このフィルムを、ホット
プレート上で窒素下で３８０℃にて２分間そして次いで窒素下で４００℃にて１
０分間焼き付けた。ウェーハ上のこの被膜を、オーブン中で窒素下で４２５℃に
て６分間更に加熱した。この後者の加熱工程は、ＦＴＩＲにより測定されたとき
、ポリスチレンの８０パーセントを除去した。推定平均気孔サイズは３０ｎｍで
あった。２０分間の４５０℃における引き続く加熱により、残存ポリスチレンの
ほとんどが除去された。気孔の形態は本質的に未変化であり、３０ｎｍの平均気
孔サイズを有していた。
【００７７】 上記からのポリスチレン含有溶液をシリコンウェーハに施用し、そして回転塗
布により流延して、５．８μｍ厚の被膜を形成させた。このフィルムを、ＭＴＩ
ホットプレート上で窒素下で３４０℃にて２分間そして次いで窒素下で４００℃
にて１０分間焼き付けた。ウェーハ上のこの被膜を、Ｂｌｕｅ Ｍオーブン中で
窒素下で４２５℃にて６０分間更に加熱した。このフィルムのＴＥＭ観察の目視
検査に基づいた平均気孔サイズの推定は、３００ｎｍであった。
【００７８】１５，８００Ｍnポリスチレンを用いての処方、薄いフィルムの形成および評価 Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｉｎｃ．から購
入されるような１５，８００のＭnを有するアニオン重合ポリスチレンを、上記
に記載されたようにして製造されたモル比３：２の４，４′−ビス（２，４，５
−トリフェニルシクロペンタジエン−３−オン）ジフェニルエーテルおよび１，
３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼンからのオリゴマー溶液に添加（固
形分に関して２０質量パーセント）した。メシチレンを、総固形分含有率が２０
パーセントなるように添加した。この溶液をシリコンウェーハに施用し、そして
回転塗布により流延して、１．８５μｍ厚の被膜を形成させた。このフィルムを
、ホットプレート上で窒素下で３２０℃にて２分間そして次いで窒素下で４００
℃にて１０分間焼き付けた。次いで、ウェーハ上のこの被膜を、オーブン中で窒
素下で４５０℃にて２０分間更に加熱した。推定平均気孔サイズは２００ｎｍで
あった。容積分率は、ＴＥＭ顕微鏡写真の画像分析を用いて、１１パーセントと
１５パーセントの間にあると測定された。０．２５インチ（．６３５ｃｍ）直径
の平行板コンデンサーでもって測定された誘電率は２．３であった。
【００７９】１２，４００Ｍnポリスチレンを用いての処方、薄いフィルムの形成および評価 Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｉｎｃ．から購
入されるような１２，４００ＭnのＭnを有するアニオン重合ポリスチレンを、上
記に記載されたようにして製造されたモル比３：２の４，４′−ビス（２，４，
５−トリフェニルシクロペンタジエン−３−オン）ジフェニルエーテルおよび１
，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼンからのオリゴマー溶液に、添加
（固形分に関して２０質量パーセント）した。総固形分含有率を、シクロヘキサ
ノンでもって１５パーセントに調整した。この溶液を４枚のほぼ同一の２００ｍ
ｍシリコンウェーハに施用し、そしてＭＴＩ２００ｍｍトラックコーターにて回
転塗布により流延して、０．９μｍ厚の被膜を形成させた。これらのフィルムを
、該トラック上のホットプレート上で窒素下で１５０℃にて２分間焼き付けた。
引き続いて、これらのフィルムの二つを、該トラックコーターに隣接したホット
プレートモジュール上で７ｐｓｉの窒素パージ下で３２０℃にて焼き付けた。残
りのウェーハを、該トラックに隣接した該ホットプレートと同様な孤立型モジュ
ールホットプレート上で５５ｐｓｉの窒素パージ下で３２０℃にて焼き付けた。
次いで、四つのフィルムのすべてを、５５ｐｓｉの窒素パージ下で４００℃にて
１０分間焼き付け、そして最後にオーブン中で窒素下で４５０℃にて２０分間加
熱してポリスチレンを除去した。７ｐｓｉの窒素パージのホットプレート上で３
２０℃にて焼き付けられたウェーハは、気孔発生体含有率に比例したフィルムの
損失を被り、０．６８μｍの最終厚さおよび１．６３の屈折率を有し、しかして
これは気孔の形成の代わりにフィルムの崩壊を指摘している。５５ｐｓｉのパー
ジ下で焼き付けられたウェーハは、０．８３μｍの最終厚さおよび１．５５の屈
折率を有し、しかしてこれは４５０℃の加熱工程中における気孔の形成を指摘し
ている。
【００８０】モル比３：２の４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエン −３−オン）ジフェニルエーテルおよび１，３，５−トリス（フェニルエチニル ）ベンゼンからのオリゴマー溶液中の星状ポリスチレンの処方、薄いフィルムの 形成および評価 上記からの星状ポリスチレン物質を、上記に記載されたモル比３：２の４，４
′−ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエン−３−オン）ジフェニ
ルエーテルおよび１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼンからのオリ
ゴマー溶液に、固形分に関して２０重量パーセントレベルにて添加した。この溶
液をシリコンウェーハに施用し、そして回転塗布により流延して、２．２μｍ厚
の被膜を形成させた。このフィルムを、ＭＴＩホットプレート上で窒素下で３２
０℃にて２分間そして次いで窒素下で４００℃にて１０分間焼き付けた。ウェー
ハ上のこの被膜を、Ｂｌｕｅ Ｍオーブン中で窒素下で４２５℃にて６０分間更
に加熱した。このフィルムのＴＥＭ観察の目視検査に基づいた平均気孔サイズの
推定は、１２０ｎｍであった。多孔質被膜の屈折率は、１．５６であった。
【００８１】実施例５−反応性ポリアミド気孔発生体を用いての多孔質のポリアリーレンの薄 いフィルムの製造 セバコイルジクロライドおよび２，５−ジメチルピペラジンからのポリアミドの 製造 １Ｌの丸底フラスコに、２，５−ジメチルピペラジン（アセトンから再結晶さ
れた）（１０．００００ｇ，０．０８７５７モル）およびクロロホルム（４００
ｍＬ）を添加した。トリエチルアミン（２３．１ｍＬ，０．１６５６モル）を、
注射器により添加した。セバコイルクロライド（１９．７９９ｇ，０．０８２７
９モル）をビーカー中に量り取り、クロロホルム（３００ｍＬ）中に溶解し、そ
して１Ｌ丸底フラスコに取り付けられた滴下漏斗に移した。この酸塩化物の溶液
を、上記のジアミンの溶液に急速に添加した。滴下漏斗をクロロホルム（５０ｍ
Ｌ）ですすぎ、しかしてこのクロロホルムは反応混合物に添加された。この混合
物を、室温にて１０分間撹拌した。次いで、この混合物をヘキサン（２Ｌ）中に
注ぐと、白色固体が沈殿した。水（１Ｌ）を添加し、そしてこの混合物を撹拌し
た。液体層を、白色固体からデカントした。この固体をクロロホルム中に採取し
、そして上部の水性層を除去しそして捨てた。溶媒を真空中で除去した。残渣を
ジメチルホルムアミド中に採取し、そして次いで水中に沈殿させた。生じた固体
を濾過により単離し、そして真空中で１００℃にて一晩乾燥した。
【００８２】セバコイルジクロライドおよび２，５−ジメチルピペラジンからのポリアミドと ３，５−ビス（フェニルエチニル）ベンゾイルクロライドとの反応 ３，５−ビス（フェニルエチニル）安息香酸（０．３２２４ｇ，０．００１モ
ル）を、２５ｍＬ丸底フラスコ中に量り取った。チオニルクロライド（１０ｍＬ
）を添加し、そしてこの混合物を室温にて２時間撹拌した。過剰のチオニルクロ
ライドを、蒸留によりおよび次いで真空の適用により除去した。生じた固体を、
２回、クロロホルム中に溶解しそして溶媒を真空中で除去した。次いで、この固
体をクロロホルム中に溶解した。上記に記載されたようにして製造されたポリア
ミド（５．０ｇ，０．０００５モル）を１００ｍＬ丸底フラスコ中に量り取り、
そしてクロロホルム（５０ｍＬ）中に溶解した。次いで、上記の酸塩化物の溶液
を添加し、そして次いでトリエチルアミン（０．５ｍＬ）を添加した。この混合
物を、室温にて１７時間撹拌した。この反応混合物を１ミクロンフィルターを通
じて濾過し、次いでヘキサンで希釈すると、薄黄色固体が沈殿した。溶媒をこの
固体からデカントし、そして追加的ヘキサンを添加した。溶媒を再びデカント除
去し、そして固体を真空中で室温にて乾燥した。試料をゲル透過クロマトグラフ
ィーにより分析し、しかしてＭn＝２４１００およびＭw＝４３８０３が指摘され
た。
【００８３】４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエン−３−オン）ジ フェニルエーテル、１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼンおよび３ ，５−ビス（フェニルエチニル）ベンズアミド基で末端がキャップされたポリア ミドからのオリゴマー溶液の製造 ５００ｍＬの三口丸底フラスコに、４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニ
ルシクロペンタジエノン）ジフェニルエーテル（１０．００００ｇ，０．０１２
７７モル）、１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼン（４．８３４０
ｇ，０．０１２７７モル）、上記からの３，５−ビス（フェニルエチニル）ベン
ズアミド基で末端がキャップされたポリアミド（３．７０８５ｇ，０．０００１
５４モル）およびガンマ−ブチロラクトン（４３．２７ｇ）を添加した。フラス
コを、窒素／真空導入口に取り付けた。磁気式に撹拌されている溶液を、５回の
真空の適用および窒素の再充填により脱ガスした。次いで、この溶液を、２００
℃の内部温度に加熱した。４８時間の加熱後、溶液を１４５℃に冷却し、次いで
シクロヘキサノン（３０．８９ｇ）で希釈した。次いで、この溶液を室温に冷却
した。ゲル透過クロマトグラフィーによる最終溶液の分析は、ポリスチレン標準
品に関してＭn＝５０７１およびＭw＝１４３７８を指摘した。この溶液をシリコ
ンウェーハに施用し、そして回転塗布により流延して、１．５μｍ厚の被膜を形
成させた。このフィルムを、ＭＴＩホットプレート上で窒素下で３２０℃にて２
分間そして次いで窒素下で４００℃にて１０分間焼き付けた。ウェーハ上のこの
被膜を、Ｂｌｕｅ Ｍオーブン中で窒素下で４５０℃にて２０分間更に加熱した
。このフィルムのＴＥＭ観察の目視検査に基づいた気孔サイズは、大きい方の気
孔が２５０ｎｍ直径でそして小さい方の気孔が３０ｎｍである二モードであるよ
うに見えた。
【００８４】実施例６−気孔発生体としてラテックス粒子を用いての多孔質のポリアリーレン の薄いフィルムの製造 モル比３：２の４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエン −３−オン）ジフェニルエーテルおよび１，３，５−トリス（フェニルエチニル ）ベンゼンからのオリゴマー溶液中のラテックス粒子の形成 架橋ラテックス溶液（ｔｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙか
ら入手できるもののような）を、上記に記載されたモル比３：２の４，４′−ビ
ス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエン−３−オン）ジフェニルエー
テルおよび１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼンからのオリゴマー
溶液（水中に沈殿され、乾燥されそしてＤｏｗａｎｏｌ ＰＭアセテート中に再
溶解されていた）に、固形分対固形分に基づいて２０重量パーセントレベルにて
添加した。この溶液をディーン・スタークトラップ／凝縮器／窒素導入口を備え
た丸底フラスコ中で加熱還流して、ラテックス粒子でもって導入された水を共沸
蒸留により除去した。生じた溶液を冷却し、そして次いで後続の加工において用
いた。気孔発生体としてＤＷ−１１０ＮＡラテックス（Ｔｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙから）を含有する樹脂溶液を、記載されたようにし
て製造した。この溶液をシリコンウェーハに施用し、そして回転塗布により流延
して、２．７μｍ厚の被膜を形成させた。このフィルムを、ＭＴＩホットプレー
ト上で窒素下で３２０℃にて２分間そして次いで窒素下で４００℃にて１０分間
焼き付けた。ウェーハ上のこの被膜を、Ｂｌｕｅ Ｍオーブン中で窒素下で４５
０℃にて２０分間更に加熱した。このフィルムのＴＥＭ観察の目視検査に基づい
て、気孔は、長軸がフィルムの平面にある偏球状であるように見えた。長軸は１
５０ｎｍであり、そして短軸は５０ｎｍであった。
【００８５】実施例７−気孔発生体として樹枝状ポリエステルを用いての多孔質のポリアリー レンの薄いフィルムの製造 ボルトロンＨ４０ベンゾエートの製造 磁気撹拌機、平衡添加漏斗、および窒素導入口を有する還流凝縮器を備えた２
５０ｍＬ丸底フラスコ中に、撹拌しながら、１モル当たり７，３１６ｇの理論分
子量を有するボルトロンＨ４０樹枝状ポリエステルポリマー（５．０ｇ，１ｇ当
たり８．７５ミリモルのＯＨ，４４ミリモル）およびＴＨＦ（７０ｍＬ）を添加
した。次いで、この撹拌溶液に、ピリジン（７ｍＬ）を添加した。この溶液に、
ベンゾイルクロライド（７．０３ｇ，５０ｍｍｏｌ）を１５分かけて滴加した。
添加の完了時に、反応混合物を還流下で２時間加熱した。次いで、反応を室温に
冷却した。この溶液を濾過し、２００ｍＬのメチレンクロライドで希釈し、１０
パーセントＨＣｌ（３×２５ｍＬ）、次いで水（１×５０ｍＬ）、次いで１Ｍ−
ＮａＯＨ（２×２５ｍＬ）、次いで再び水（１×５０ｍＬ）そして次いでブライ
ン（１×５０ｍＬ）で洗浄した。次いで、有機分を硫酸マグネシウム上で乾燥し
、そして溶媒を除去して粗生成物が得られ、しかしてこの粗生成物をメタノール
中への沈殿により更に精製して７．４ｇの生成物（７７パーセント）が得られ、
その構造は陽子および炭素ＮＭＲ分光法により確認された。
【００８６】１，２，３，４−テトラキス（フェニルエチニル）ベンゼンの合成 ２５０ｍＬフラスコ中に、１１．８１ｇ（０．０３０モル）の１，２，３，４
−テトラブロモベンゼン（Ｃｏｌｌｉｎｓ，Ｉ．、Ｓｕｓｃｈｉｔｚｋｙ，Ｈ．
，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃ，１９６９，２３３７）、２７．０ｇ（０．２６
７モル）のトリエチルアミン、１３．６ｇ（０．１３２モル）のフェニルアセチ
レンおよび６０ｍＬのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを入れた。この反応混合物
を窒素で１５分間パージし、そして次いで０．９４５ｇ（０．００３６モル）の
トリフェニルホスフィンおよび０．１３５ｇ（０．０００６モル）の酢酸パラジ
ウムを添加した。この反応混合物を窒素雰囲気下で８０℃にて２０時間加熱した
後、フラスコを室温に冷却し、水（１００ｍＬ）およびトルエン（１００ｍＬ）
を添加した。生じた有機層を１０パーセントＨＣｌ、水および飽和ＮａＣｌで洗
浄し、そしてＮａ2ＳＯ4で乾燥した。溶媒の除去およびヘキサン／トルエン混合
物からの再結晶にて、純粋な生成物（５．４ｇ，３８パーセント）が得られた。 1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，３００ＭＨｚ）δ７．３７（ｍ，１２Ｈ）、７．５０
（ｓ，２Ｈ）、７．６２（ｍ，８Ｈ）。13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，７５ＭＨｚ
）δ８７．３、８８．１、９５．５、９８．２、１２３．１、１２３．４、１２
５．７、１２８．４、１２８．５、１２８．８、１３０．９、１３１．８、１３
１．９。
【００８７】モル比１：１の４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエン −３−オン）ジフェニルエーテルおよび１，３，５−トリス（フェニルエチニル ）ベンゼンからのオリゴマー溶液中のボルトロンＨ４０ベンゾエート＋１，２， ３，４−テトラキス（フェニルエチニル）ベンゼンの処方、薄いフィルムの形成 および評価 上記に製造されたようなボルトロンＨ４０ベンゾエートを固形分に関して２５
質量パーセントおよび１，２，３，４−テトラキス（フェニルエチニル）ベンゼ
ンを固形分に関して２０質量パーセント、ＷＯ９８／１１１４９に記載されてい
るような、ガンマ−ブチロラクトンおよびシクロヘキサノン中のモル比１：１の
４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエン−３−オン）ジ
フェニルエーテルおよび１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼンから
のオリゴマー溶液に添加した。この溶液は光学的に透明である共に、Ｂ段階樹脂
中へのボルトロンＨ４０ベンゾエートおよび１，２，３，４−テトラキス（フェ
ニルエチニル）ベンゼンの溶解を指摘する暗赤色の色合いを有していた。この溶
液をシリコンウェーハに施用し、そして回転塗布により流延して、１．６μｍ厚
の被膜を形成させた。このフィルムを、ＭＴＩホットプレート上で窒素下で３２
０℃にて２分間そして次いで窒素下で４００℃にて１０分間焼き付けた。ウェー
ハ上のこの被膜を、Ｂｌｕｅ Ｍオーブン中で窒素下で４２５℃にて６０分間更
に加熱した。このフィルムのＴＥＭ観察の目視検査に基づいた平均気孔サイズの
推定は、３００ｎｍであった。また、５ｎｍと１０ｎｍの間のサイズを有するよ
り小さい気孔構造が見えた。
【００８８】実施例８−気孔発生体としてブロックコポリマーを用いての多孔質のポリアリー レンの薄いフィルムの製造 ポリ（スチレン−ブロック−メチルメタクリレート）（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ）の 製造 磁気撹拌子、セプタムを有するセプタムポート、およびセプタムおよび窒素導
入口を有する添加漏斗を備えた５００ｍＬの一口丸底フラスコに、１９３ｇのテ
トラヒドロフラン（活性アルミナに通された）を装填した。フラスコを−７８℃
に冷却し、そして１２．７３ｇのスチレン（活性アルミナおよびＱ５触媒床に通
された）を添加した。重合を、１．１５ｍＬ（０．８４ミリモル）の０．７３３
Ｍのｓｅｃ−ブチルリチウム溶液を添加して橙色溶液をもたらすことにより開始
させた。２時間後、アリコートを取り出しそしてそれをメタノール（ＭｅＯＨ）
に添加することによりポリ（スチレン）（ＰＳ）ブロックをサンプリングし、そ
して０．１９ｇ（１．０５ミリモル，１．２５当量）のジフェニルエチレン（ジ
フェニルヘキシルリチウムから蒸留された）を添加すると暗赤色を生じた。２５
分後、１３．１８ｇのメチルメタクリレート（ＭＭＡ）（水素化カルシウムおよ
びトリエチルアルミニウムから蒸留された）を、２０分の期間をかけて添加漏斗
を経て滴加した。赤色は、ＭＭＡの最初の数滴後に消失した。１時間後、０．２
ｍＬのＭｅＯＨを添加することにより重合を停止させた。この溶液を室温に温め
、そして６００ｍＬのＭｅＯＨ中で沈殿させそして濾過により採取することによ
りポリマーを単離した。両方のポリマーを、真空下で６０℃にて数時間乾燥した
。総量２４．６９ｇ（９５パーセントの収率）のＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡが採取され
た。狭い分子量のポリスチレン標準品に対するＰＳブロックのＧＰＣ分析は、Ｍ n ＝１４，５６７、Ｍw＝１５，８２１およびＭw／Ｍn＝１．０８６を与えた。Ｐ
Ｓ−ｂ−ＰＭＭＡコポリマーは、Ｍn＝２６，８２５、Ｍw＝２８，８９３および
Ｍw／Ｍn＝１．０７７を与えた。このブロックコポリマーのＮＭＲ分析は、ＰＭ
ＭＡブロックがＭn＝１５，３６４を有することを示し、しかして該コポリマー
についてＭn＝２９，９１３が与えられた。
【００８９】ポリ（ブタジエン−ブロック−ε−カプロラクトン）（ＰＢ−ｂ−ＰＣＬ）の製 造 還流トルエンで清浄にしそして真空下で乾燥した１．５Ｌガラス製重合反応器
に、６５０ｍＬのシクロヘキサン（活性アルミナに通された）を装填した。反応
器を５０℃に加熱し、そして３２．５５ｇの１，３−ブタジエン（活性アルミナ
およびＱ５触媒床に通された）を添加した。重合を、７．０ｍＬ（９．１ミリモ
ル）の１．３Ｍのｓｅｃ−ブチルリチウム溶液を添加することにより開始させた
。２．５時間撹拌した後、アリコートを取り出しそしてそれをメタノール（Ｍｅ
ＯＨ）に添加することによりポリ（ブタジエン）（ＰＢ）ブロックをサンプリン
グし、そして１．５８ｇ（３．５９ミリモル，３．９当量）のエチレンオキシド
（水素化カルシウム上で乾燥された）を添加した。反応温度を７０℃に上げた。
２０分後、９．１ｍＬ（９．１ミリモル，１．０当量）の１．０Ｍジエチルアル
ミニウムクロライドおよび０．１ｍＬのテトラヒドロフラン（活性アルミナを通
された）を添加すると、濁った溶液が得られた。反応器を６０℃に冷却し、そし
て３４．８１ｇのε−カプロラクトン（２回水素化カルシウムから蒸留された）
を添加すると、乳白色溶液が得られた。９０分後、０．５ｍＬのＭｅＯＨを添加
して重合を停止させた。この溶液を更に３０分間撹拌して完全停止を確実にし、
そして次いで０．７５ｇの２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノー
ルに添加した。１．２Ｌのメタノール中で沈殿させそして真空下で５０℃にて数
時間乾燥することにより、ポリマーを単離した。総量４８．１ｇ（７１パーセン
トの収率）のＰＢ−ｂ−ＰＣＬが採取された。狭い分子量のポリ（ブタジエン）
標準品に対するＰＢブロックのＧＰＣ分析は、Ｍn＝４，８９０、Ｍw＝５，０８
０およびＭw／Ｍn＝１．０３９を与えた。ＰＢ−ｂ−ＰＣＬコポリマーは、Ｍn
＝５，６５５、Ｍw＝６，６２９およびＭw／Ｍn＝１．１７２を与えた。このブ
ロックコポリマーのＮＭＲ分析は、ＰＣＬブロックがＭn＝４，７９４を有する
ことを示し、しかして該コポリマーについてＭn＝９，６８５が与えられた。
【００９０】モル比３：２の４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエン −３−オン）ジフェニルエーテルおよび１，３，５−トリス（フェニルエチニル ）ベンゼンからのオリゴマー溶液中のポリ（スチレン−ブロック−メチルメタク リレート）（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ）の処方、薄いフィルムの形成および評価 上記に記載されたようなポリスチレンとＰＭＭＡのブロックコポリマーを、上
記に記載されたモル比３：２の４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシク
ロペンタジエン−３−オン）ジフェニルエーテルおよび１，３，５−トリス（フ
ェニルエチニル）ベンゼンからのオリゴマー溶液に、添加（固形分に関して２０
質量パーセント）した。この溶液は光学的に透明である共に、Ｂ段階樹脂中への
該ブロックコポリマーの溶解を指摘する暗赤色の色合いを有していた。この溶液
をシリコンウェーハに施用し、そして回転塗布により流延して、１．９４μｍ厚
の被膜を形成させた。このフィルムを、ＭＴＩホットプレート上で窒素下で４０
０℃にて１０分間焼き付けた。ウェーハ上のこの被膜を、Ｂｌｕｅ Ｍオーブン
中で窒素下で４５００℃にて２０分間更に加熱した。このフィルムのＴＥＭ観察
の目視検査に基づいた平均気孔サイズの推定は、２００ｎｍであった。
【００９１】モル比３：２の４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエン −３−オン）ジフェニルエーテルおよび１，３，５−トリス（フェニルエチニル ）ベンゼンからのオリゴマー溶液中のポリ（ブタジエン−ブロック−ｂ−カプロ ラクトン）（ＰＢ−ｂ−ＰＣＬ）の処方、薄いフィルムの形成および評価 上記に記載されたポリスチレンとポリカプロラクトンのブロックコポリマーを
、上記に記載されたモル比３：２の４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニル
シクロペンタジエン−３−オン）ジフェニルエーテルおよび１，３，５−トリス
（フェニルエチニル）ベンゼンからのオリゴマー溶液に添加（固形分に関して２
０質量パーセント）した。この溶液は光学的に透明である共に、Ｂ段階樹脂中へ
の該ブロックコポリマーの溶解を指摘する暗赤色の色合いを有していた。この溶
液をシリコンウェーハに施用し、そして回転塗布により流延して、２．８５μｍ
厚の被膜を形成させた。このフィルムを、ＭＴＩホットプレート上で窒素下で３
２０℃にて２分間そして次いで窒素下で４００℃にて１０分間焼き付けた。ウェ
ーハ上のこの被膜を、Ｂｌｕｅ Ｍオーブン中で窒素下で４５０℃にて２０分間
更に加熱した。このフィルムのＴＥＭ観察の目視検査に基づいた平均気孔サイズ
の推定は、２０ｎｍであった。
【００９２】実施例９−気孔発生体として官能化デンドリマーを用いての多孔質ベンゾシクロ ブテンフィルムの製造 Ｄｅｎｄｒｉｔｅｃｈ，Ｉｎｃ．から入手できる第２世代のポリアミドアミン
デンドリマーをフェニルプロピオル酸で官能化して、周辺に１６個のフェニルプ
ロピオルアミドを有するデンドリマーが得られた。この官能化プロピオルアミド
（０．３ｇ）を、Ｎ−シクロヘキシルピロリジノン中の２５重量パーセントオリ
ゴマージビニルシロキサン−ビス−ベンゾシクロブテンの溶液６．９ｇに添加し
た。この混合物を６０℃に温め、そして次いで室温に冷却しそして４８時間放置
した。デンドリマー対ベンゾシクロブテンオリゴマーの重量比は１６．７：８３
．３であり、そして固形分総パーセントは２８．６パーセントであった。このプ
レポリマー溶液を２．７ｇのＮ−シクロヘキシルピロリジノンで更に希釈して、
２０重量パーセント固形分の最終溶液が得られた。この溶液を４インチ（１０．
１６ｃｍ）シリコンウェーハ上で回転させ（５００ｒｐｍで３秒、次いで２００
０ｒｐｍで３０秒）、そして次いで次の熱処理に付した。すなわち、２００℃で
５分、２５０℃で６分、ホットプレート３５０℃で１０分、そしてオーブン３０
０℃で９時間。フィルムはわずかに曇っており、そして透過電子顕微鏡法（ＴＥ
Ｍ）により調べた場合、直径５〜２００ｎｍの範囲の球状の閉鎖セル気孔の分布
を示した。
【００９３】実施例１０−気孔発生体として非反応性星状ポリエチレングリコールを用いての 多孔質のポリアリーレンの薄いフィルムの製造 ８腕型ポリ（エチレングリコール）ベンゾエートの製造 磁気撹拌機、平衡添加漏斗、および窒素導入口を有する還流凝縮器を備えた２
５０ｍＬ丸底フラスコ中に、撹拌しながら、１モル当たり１０，０００ｇの分子
量を有する分岐状ＰＥＧ（８腕型，Ｓｈｅａｒｗａｔｅｒ Ｐｏｌｙｍｅｒｓか
ら）ポリマー（５．０ｇ，４ミリモルＯＨ）およびメチレンクロライド（４０ｍ
Ｌ）を添加した。次いで、この撹拌溶液に、トリエチルアミン（５ｍＬ）を添加
した。この溶液に、２０ｍＬのメチレンクロライド中のベンゾイルクロライド（
１．６９ｇ，１２ミリモル）を１５分かけて滴加した。添加の完了時に、反応混
合物を還流下で２時間加熱した。次いで、反応を室温に冷却した。この溶液を１
０パーセントＨＣｌ（３×２５ｍＬ）、次いで水（１×５０ｍＬ）、次いで１Ｍ
−ＮａＯＨ（２×２５ｍＬ）、次いで再び水（１×５０ｍＬ）、次いでブライン
（１×５０ｍＬ）で洗浄した。次いで、有機分を硫酸マグネシウム上で乾燥し、
そして溶媒を除去して粗生成物が得られ、しかしてこの粗生成物をエーテル中へ
の沈殿により更に精製して、４．４ｇの生成物（８１パーセント）が得られた。
その構造は、陽子および炭素ＮＭＲ分光法により確認された。
【００９４】モル比３：２の４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエン −３−オン）ジフェニルエーテルおよび１，３，５−トリス（フェニルエチニル ）ベンゼンからのオリゴマー溶液中の８腕型星状ポリ（エチレングリコール）ベ ンゾエートの処方、薄いフィルムの形成および評価 上記に記載された８腕型星状ポリ（エチレングリコール）ベンゾエートを、上
記に記載されたモル比３：２の４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシク
ロペンタジエン−３−オン）ジフェニルエーテルおよび１，３，５−トリス（フ
ェニルエチニル）ベンゼンからのオリゴマー溶液に、固形分に関して２０質量パ
ーセント添加した。この溶液は光学的に透明である共に、Ｂ段階樹脂中への気孔
発生体の溶解を指摘する暗赤色の色合いを有していた。この溶液をシリコンウェ
ーハに施用し、そして回転塗布により流延して、２．５μｍ厚の被膜を形成させ
た。このフィルムをＭＴＩホットプレート上で窒素下で４００℃にて２分間焼き
付け、そしてウェーハ上のこの被膜をＢｌｕｅ Ｍオーブン中で窒素下で４５０
℃にて２０分間更に加熱した。このフィルムのＴＥＭ観察の目視検査に基づいた
平均気孔サイズの推定は、１８０ｎｍであった。
【００９５】実施例１１−ポリスチレン−ブロック−ポリアリーレンを用いての多孔質のポリ アリーレンの薄いフィルムの製造 ４−フェニルエチニル安息香酸のポリスチレンエステルの製造 磁気撹拌機、平衡添加漏斗、および窒素導入口を有する還流凝縮器を備えた２
５０ｍＬ丸底フラスコ中に、撹拌しながら、１モル当たり１０，０００ｇの分子
量を有するモノヒドロキシル末端ポリスチレン（Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｐｏｌ
ｙｍｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓから）（１０．０ｇ，１．０ミリモル）であるポリ
スチレンおよびＴＨＦ（５０ｍＬ）を添加した。次いで、この撹拌溶液に、ピリ
ジン（５ｍＬ）を添加した。この溶液に、１０ｍＬのＴＨＦ中の４−フェニルエ
チニルベンゾイルクロライド（０．９６ｇ，４ミリモル）を１５分かけて滴加し
た。この反応混合物を還流下で２時間加熱し、そして次いで室温に冷却した。こ
の溶液を濾過し、２００ｍＬのクロロホルムで希釈し、そして１０パーセントＨ
Ｃｌ（２５ｍＬ）、次いで水（５０ｍＬ）、次いで１Ｍ−ＮａＯＨ（２５ｍＬ）
、次いで再び水（５０ｍＬ）そして次いでブライン（５０ｍＬ）で洗浄した。次
いで、有機分を硫酸マグネシウム上で乾燥し、そして溶媒を除去して粗生成物が
得られ、しかしてこの粗生成物をメタノール中への沈殿により更に精製して、９
．３ｇの生成物が得られた。
【００９６】４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエン−３−オン）ジ フェニルエーテル、１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼンおよび４ −フェニルエチニル安息香酸のポリスチレンエステルからのオリゴマー溶液の製 造並びに薄いフィルムの処方および評価 ２５０ｍＬの三口丸底フラスコに、４，４′−ビス（２，４，５−トリフェニ
ルシクロペンタジエノン）ジフェニルエーテル（８．０ｇ，０．０１０２モル）
、１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼン（３．７１ｇ，０．００９
８モル）、４−フェニルエチニル安息香酸のポリスチレンエステル（Ｍw＝１モ
ル当たり１０，０００ｇ）（３．０ｇ，他の固形分に関して２０パーセント）お
よびガンマ−ブチロラクトン（３７．３ｇ）を添加した。フラスコを、窒素／真
空導入口に取り付けた。磁気式に撹拌されている溶液を、５回の真空の適用およ
び窒素の再充填により脱ガスした。次いで、この溶液を、２００℃の内部温度に
加熱した。４６時間の加熱後、溶液を１４５℃に冷却し、次いでシクロヘキサノ
ン（１９．６ｇ）で希釈した。次いで、この溶液を室温に冷却した。この溶液を
シリコンウェーハに施用し、そして回転塗布により流延して、４．７μｍ厚の被
膜を形成させた。このフィルムを、ＭＴＩホットプレート上で窒素下で３２０℃
にて２分間そして次いで窒素下で４００℃にて１０分間焼き付けた。ウェーハ上
のこの被膜を、Ｂｌｕｅ Ｍオーブン中で窒素下で４２５℃にて６０分間更に加
熱した。このフィルムのＴＥＭ観察の目視検査に基づいた平均気孔サイズの推定
は、１１０ｎｍであった。
【００９７】実施例１２−ゲル化−膨潤−硬化の手順を用いての多孔質のペルフルオルシクロ ブタンの熱硬化の薄いフィルムの製造 この例において、我々は、メシチレン中に溶解されたペルフルオルシクロブテ
ン樹脂のオリゴマー溶液を用いた。この樹脂を、厚さがほぼ１ミクロンになるよ
うに、３０００ｒｐｍにて４インチ（１０．１６ｃｍ）シリコンウェーハ上に回
転塗布した。次いで、これらのウェーハを１６１℃にてアイドリングしているオ
ーブン中に入れることにより、樹脂をそのゲル化点を越えるまで反応させた。オ
ーブンは、５分で１７５℃に上昇され、そして次いで１７５℃に４６分間保持さ
れた。室温に冷却した後、これらのウェーハを、膨潤溶液なし、９０重量パーセ
ントのメシチレンと１０重量パーセントのスチリル−ベンゾシクロブテンの溶液
または９０重量パーセントメシチレンと１０重量パーセントスチリル−ベンゾシ
クロブテンの溶液の溶液のいずれかに曝した。この曝しは、網状構造を膨潤させ
るために溶液をウェーハ上に１分間溜まらせることにより行われた。次いで、該
ウェーハを３０００ｒｐｍにて４５秒間回転させて、過剰の溶媒を除去した。回
転後、該ウェーハをホットプレート上に窒素パージ下で３２５℃にて１分間置い
て、フィルムを硬化した。ウェーハは上記の過程における様々な時点においてサ
ンプリングされ、そして５つの異なる箇所においてエリプソメトリーを用いて屈
折率が測定されそして次いで平均された。それらの結果は、下記の表中に列挙さ
れている。
【００９８】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ // Ｃ０８Ｌ 57:00 Ｃ０８Ｌ 57:00 (72)発明者 シャッファー，エドワード オー．，ザ セカンド アメリカ合衆国，ミシガン 48642，ミッ ドランド，ハニーサックル サークル 820 (72)発明者 スミス，デニス ダブリュ．，ジュニア アメリカ合衆国，サウスカロライナ 29672，セネカ，ノース ベイショア ド ライブ 3010 (72)発明者 タウンゼンド，ポール エイチ．，ザ サ ード アメリカ合衆国，ミシガン 48642，ミッ ドランド，ウィラード ストリート 1102 (72)発明者 ブーク，ケビン ジェイ． アメリカ合衆国，ミシガン 48642，ミッ ドランド，イースト アカシア ドライブ 3760 (72)発明者 ニュ，クイング シャン ジェイ． アメリカ合衆国，ミシガン 48640，ミッ ドランド，ウエスト チャペル 305 Ｆターム(参考） 2H090 JB03 4F074 AA54 AA55 AB02 BB00 CB01 CC06X CC12Y DA02 DA03 DA23 DA47 DA54 4J100 AP17Q AR03P AS23P AS28P AT13P AT13R AT20Q BA02P BA11P BB07P BC43P BC43Q BC43R CA01 CA04 CA05 CA31 DA02 DA22 DA25 DA55 FA30 HA53 JA44

Claims (36)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ）炭化水素含有マトリックス前駆体およびｂ）気孔発生体
    を含む組成物であって、該マトリックス前駆体が、硬化時に３００℃より高いＴ
    ｇを有する架橋炭化水素含有物質を形成するように選択される組成物。
  2. 【請求項２】 架橋炭化水素含有物質が、少なくとも４００℃の熱安定性を
    有する、請求項１記載の組成物。
  3. 【請求項３】 マトリックス前駆体が、ベンゾシクロブテン；ベンゾシクロ
    ブテンのＢ段階生成物；ポリシクロペンタジエノン官能性化合物とポリアセチレ
    ン官能性化合物の混合物であって、それらの少なくともいくらかが３個またはそ
    れ以上の反応性官能基を有する該混合物；ポリシクロペンタジエノンとポリアセ
    チレンの混合物のＢ段階生成物であって、それらの少なくともいくらかが３個ま
    たはそれ以上の反応性官能基を有する該Ｂ段階生成物；３またはそれ以上の官能
    価を有するペルフルオロエチレン化合物；３またはそれ以上の官能価を有するペ
    ルフルオロエチレン化合物のＢ段階生成物；ビス−オルト−ジアセチレン芳香族
    化合物；およびビス−オルト−ジアセチレン芳香族化合物のＢ段階反応生成物か
    ら選択された化合物を含む、請求項１記載の組成物。
  4. 【請求項４】 マトリックス前駆体が、ジビニルシロキサン−ビス−ベンゾ
    シクロブテンのＢ段階反応生成物を含む、請求項３記載の組成物。
  5. 【請求項５】 マトリックス前駆体が、 （ａ）式 【化１】 のビスシクロペンタジエノン （ｂ）式 【化２】 の多官能性アセチレン （ｃ）および任意に式 【化３】 のジアセチレン 〔ここで、Ｒ1およびＲ2は独立にＨまたは未置換もしくは不活性置換芳香族部分
    でありそしてＡｒ1、Ａｒ2およびＡｒ3は独立に未置換芳香族部分または不活性
    置換芳香族部分であり、そしてｙは３またはそれ以上の整数である〕 を含む反応体の部分重合反応生成物を含む、請求項３記載の組成物。
  6. 【請求項６】 気孔発生体がポリマーである、請求項１記載の組成物。
  7. 【請求項７】 気孔発生体が、架橋炭化水素含有物質の熱安定性温度より低
    い温度において分解するポリマーである、請求項２記載の組成物。
  8. 【請求項８】 気孔発生体が、ブロックコポリマーである、請求項６記載の
    組成物。
  9. 【請求項９】 気孔発生体が、ホモポリマーである、請求項７記載の組成物
    。
  10. 【請求項１０】 気孔発生体がポリスチレンであり、そして架橋炭化水素含
    有物質がポリアリーレンである、請求項９記載の組成物。
  11. 【請求項１１】 気孔発生体が、マトリックス前駆体と反応して架橋炭化水
    素含有物質から枝分かれしている基を形成する、請求項１記載の組成物。
  12. 【請求項１２】 気孔発生体が１〜５０ｎｍの平均直径を有する粒子であり
    、かつ該粒子がデンドリマー、超分岐状ポリマーおよびラテックス粒子から選択
    される、請求項１記載の組成物。
  13. 【請求項１３】 少なくとも３５０℃のＴｇを有する請求項１記載の組成物
    であって、気孔発生体が、反応性または非反応性の、ａ）ブロックの一方が架橋
    ポリマーマトリックス樹脂と相溶性でありかつ他方のブロックがそれと非相溶性
    であるジブロックポリマー、ｂ）デンドリマー、ｃ）ラテックス粒子、ｄ）溶媒
    、ｅ）ガス、ｆ）熱可塑性オリゴマーまたはｇ）溶媒もしくは超臨界ガス中に溶
    解され得る物質である、請求項１記載の組成物。
  14. 【請求項１４】 溶媒を更に含む、請求項１記載の組成物。
  15. 【請求項１５】 溶媒が、メシチレン、ピリジン、トリエチルアミン、Ｎ−
    メチルピロリジノン（ＮＭＰ）、メチルベンゾエート、エチルベンゾエート、ブ
    チルベンゾエート、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、
    シクロオクタノン、シクロヘキシルピロリジノン、およびジベンジルエーテル、
    ジグリム、トリグリム、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリ
    コールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレン
    グリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピ
    レングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテルのよ
    うなエーテルまたはヒドロキシエーテル、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジプ
    ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジクロロベンゼン、プロピ
    レンカーボネート、ナフタレン、ジフェニルエーテル、ブチロラクトン、ジメチ
    ルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、並びにそれらの混合物から選択される
    、請求項１４記載の組成物。
  16. 【請求項１６】 気孔発生体が、アルキレン基が２〜５個の炭素原子を有す
    るポリ（アルキレングリコール）、ポリアルキレングリコールのブロックコポリ
    マー、ポリアミドアミンデンドリマー、およびポリカプロラクトンから選択され
    る、請求項４記載の組成物。
  17. 【請求項１７】 気孔発生体が、反応性および非反応性の、ポリスチレン含
    有ポリマー、超分岐状ポリエステル、架橋ポリスチレン含有ラテックス、脂肪族
    ポリアミド、アルキレン基が２〜５個の炭素原子を有するポリアルキレングリコ
    ール含有ポリマー、スチレンとアクリレートまたはメタクリレートのブロックコ
    ポリマー、およびブタジエンとカプロラクトンのブロックコポリマーから選択さ
    れる、請求項５記載の組成物。
  18. 【請求項１８】 基板上において多孔質フィルムを作製する方法であって、 基板を用意すること、 請求項２記載の組成物と溶媒を含む溶液を該基板上に塗布すること、 該溶媒を除去し、該マトリックス前駆体を硬化して架橋炭化水素含有物質を形
    成させ、そして該架橋炭化水素含有物質の熱安定性温度より低い温度に加熱する
    ことにより該気孔発生体を分解すること、 を含む方法。
  19. 【請求項１９】 除去、反応および分解の工程が、単一加熱工程中で行われ
    る、請求項１８記載の方法。
  20. 【請求項２０】 分解工程が、被膜から熱可塑性物質の少なくとも８０パー
    セントを除去することを含む、請求項１８記載の方法。
  21. 【請求項２１】 架橋炭化水素含有物質がポリアリーレンであり、そして気
    孔発生体がポリスチレンである、請求の範囲第１８項の方法。
  22. 【請求項２２】 基板上において多孔質フィルムを作製する方法であって、 基板を用意すること、 請求項１６記載の組成物と溶媒を含む溶液を該基板上に塗布すること、 該溶媒を除去し、該マトリックス前駆体を硬化して架橋炭化水素含有物質を形
    成させ、そして該気孔発生体を加熱により分解すること を含む方法。
  23. 【請求項２３】 基板上において多孔質フィルムを作製する方法であって、 基板を用意すること、 請求項１６記載の組成物と溶媒を含む溶液を該基板上に塗布すること、 該溶媒を除去し、該マトリックス前駆体を硬化して架橋炭化水素含有物質を形
    成させ、そして該気孔発生体を加熱により分解すること を含む方法。
  24. 【請求項２４】 低誘電率材料であって、３００℃より高いＴｇを有する多
    孔質架橋炭化水素含有マトリックスを含む材料。
  25. 【請求項２５】 ２．５未満の誘電率を有する、請求項２４記載の材料。
  26. 【請求項２６】 ２．２未満の誘電率を有する、請求項２４記載の材料。
  27. 【請求項２７】 気孔の平均直径が、４００ｎｍ未満である、請求項２４記
    載の材料。
  28. 【請求項２８】 気孔の平均直径が、２０ｎｍ未満である、請求項２４記載
    の材料。
  29. 【請求項２９】 気孔が、材料の少なくとも１０容積パーセントを占める、
    請求項２４記載の材料。
  30. 【請求項３０】 １０ミクロン未満の厚さを有するフィルムである、請求項
    ２４記載の材料。
  31. 【請求項３１】 ポリアリーレンである、請求項２４記載の材料。
  32. 【請求項３２】 基板および請求項３１記載の材料を含む、物品。
  33. 【請求項３３】 材料が、ポリアリーレンである、請求項３２記載の物品。
  34. 【請求項３４】 トランジスターを含有する能動基板および少なくとも部分
    的に多孔質誘電材料の層または領域により分離されたパターン化金属線路を含有
    する電気配線構造体を含む集積回路物品であって、該誘電材料が、３００℃より
    高いＴｇを有する架橋炭化水素含有マトリックスである物品。
  35. 【請求項３５】 架橋樹脂が、ポリシクロペンタジエノン官能性化合物とポ
    リアセチレン官能性化合物の硬化生成物である、請求項３４記載の物品。
  36. 【請求項３６】 液晶表示装置である、請求項３２記載の物品。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001329096A (ja) * 2000-03-17 2001-11-27 Toray Ind Inc 低誘電率重合体
JP2004506797A (ja) * 2000-08-21 2004-03-04 ダウ　グローバル　テクノロジーズ　インコーポレイティド マイクロ電子デバイス製造に使用する有機ポリマー絶縁膜用ハードマスクとしての有機シリケート樹脂
JP2005330495A (ja) * 2002-03-06 2005-12-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 多孔質誘電材料とその製造方法
JP2006176466A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 芳香族の化合物
JP2006190941A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Ind Technol Res Inst 相変化メモリおよびその製造方法
JP2006519292A (ja) * 2003-02-20 2006-08-24 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド ポリアリーレンの合成方法及びその方法により製造されたポリアリーレン
JP2006525413A (ja) * 2003-04-02 2006-11-09 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 多官能性の、置換モノマー類、および、そのポリアリーレン組成物
JP2007505976A (ja) * 2003-09-19 2007-03-15 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 結合ポラゲン含有多官能性モノマー及びそれからのポリアリーレン組成物
JP2007509225A (ja) * 2003-10-21 2007-04-12 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 結合メソゲン性ポラゲン形成性部分を含有する多官能性モノマー及びそれからのポリアリーレン組成物
JP2007515501A (ja) * 2003-09-19 2007-06-14 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 多官能性モノマー及びそれからのポリアリーレン組成物
JP2008502786A (ja) * 2004-06-10 2008-01-31 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド ナノ多孔質誘電体フィルムの形成方法
US7501185B2 (en) 2004-06-10 2009-03-10 Fujifilm Corporation Film-forming composition, insulating material-forming composition, insulating film and electronic device
JP2009212260A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Fujifilm Corp 膜
WO2010084918A1 (ja) * 2009-01-21 2010-07-29 日産化学工業株式会社 ベンゾシクロブテン樹脂のインプリント技術への適用及び当該技術によるパターン形成方法
JP2017014193A (ja) * 2015-07-06 2017-01-19 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ ポリアリーレン材料

Families Citing this family (128)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002530505A (ja) * 1998-11-24 2002-09-17 ザ ダウ ケミカル カンパニー 架橋性マトリックス前駆体および気孔発生体を含有する組成物、並びにそれから製造された多孔質マトリックス
JP4159199B2 (ja) * 1999-09-16 2008-10-01 日東電工株式会社 多孔質体及び多孔質体の製造方法
US6420441B1 (en) 1999-10-01 2002-07-16 Shipley Company, L.L.C. Porous materials
US6359091B1 (en) * 1999-11-22 2002-03-19 The Dow Chemical Company Polyarylene compositions with enhanced modulus profiles
JP2001348451A (ja) * 2000-06-07 2001-12-18 Toray Ind Inc 低誘電率重合体
US6271273B1 (en) 2000-07-14 2001-08-07 Shipley Company, L.L.C. Porous materials
KR100741648B1 (ko) * 2000-07-19 2007-07-24 다우 글로벌 테크놀로지스 인크. 피막 증강제를 함유하는 스핀-온-유전성 조성물
US20020022708A1 (en) * 2000-07-19 2002-02-21 Honeywell International Inc. Compositions and methods for thermosetting molecules in organic compositions
US6391932B1 (en) 2000-08-08 2002-05-21 Shipley Company, L.L.C. Porous materials
JP4951831B2 (ja) * 2000-08-31 2012-06-13 住友ベークライト株式会社 絶縁膜用樹脂組成物及びこれを用いた絶縁膜
AU2001288954A1 (en) 2000-09-13 2002-03-26 Shipley Company, L.L.C. Electronic device manufacture
US20020132496A1 (en) * 2001-02-12 2002-09-19 Ball Ian J. Ultra low-k dielectric materials
US6685983B2 (en) * 2001-03-14 2004-02-03 International Business Machines Corporation Defect-free dielectric coatings and preparation thereof using polymeric nitrogenous porogens
US6998148B1 (en) 2001-03-28 2006-02-14 Shipley Company, L.L.C. Porous materials
KR100432152B1 (ko) * 2001-04-12 2004-05-17 한국화학연구원 다분지형 폴리알킬렌 옥시드 포로젠과 이를 이용한저유전성 절연막
US20030006477A1 (en) * 2001-05-23 2003-01-09 Shipley Company, L.L.C. Porous materials
JP2003131001A (ja) 2001-05-25 2003-05-08 Shipley Co Llc 多孔性光学物質
US7141188B2 (en) * 2001-05-30 2006-11-28 Honeywell International Inc. Organic compositions
US6740685B2 (en) 2001-05-30 2004-05-25 Honeywell International Inc. Organic compositions
WO2003064495A2 (en) * 2001-11-07 2003-08-07 Dow Global Technologies Inc. Planarized microelectronic substrates
US6783862B2 (en) 2001-12-13 2004-08-31 International Business Machines Corporation Toughness, adhesion and smooth metal lines of porous low k dielectric interconnect structures
AU2003210504A1 (en) * 2002-01-15 2003-07-30 Honeywell International Inc. Organic compositions for low dielectric constant materials
US20030152693A1 (en) * 2002-02-12 2003-08-14 Su Kai C. Methods of applying a coating to an optical surface
US20030165625A1 (en) * 2002-02-15 2003-09-04 So Ying Hung Method of making a nanoporous film
JP4447923B2 (ja) * 2002-02-15 2010-04-07 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 多官能性モノマー並びにそれらの架橋ポリマー及び多孔質フィルムの製造における使用
US7635741B2 (en) 2002-02-15 2009-12-22 Dow Global Technologies Inc. Multifunctional monomers and their use in making cross-linked polymers and porous films
JP4531400B2 (ja) 2002-04-02 2010-08-25 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド エアギャップ含有半導体デバイスの製造方法及び得られる半導体デバイス
US7060204B2 (en) * 2002-04-29 2006-06-13 Honeywell International Inc. Organic compositions
US20040017698A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 Micron Technology, Inc. Refined gate coupled noise compensation for open-drain output from semiconductor device
US7470564B2 (en) * 2002-10-28 2008-12-30 Intel Corporation Flip-chip system and method of making same
US20040191417A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Dorie Yontz Method of integrating a porous dielectric in an integrated circuit device
WO2004089862A2 (en) 2003-04-02 2004-10-21 Dow Global Technologies Inc. Multifunctional unsymmetrically substituted monomers and polyarylene compositions therefrom
US6855738B2 (en) * 2003-06-06 2005-02-15 Dow Global Technologies Inc. Nanoporous laminates
US20040253442A1 (en) * 2003-06-11 2004-12-16 Ervin Mubarekyan Method of forming a nanoporous film and compositions useful in such methods
US7030167B2 (en) * 2003-06-25 2006-04-18 Agilent Technologies, Inc. Nanoporous structures produced from self-assembling molecules
KR100510915B1 (ko) * 2003-07-18 2005-08-26 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 절연막 형성 방법
US7071539B2 (en) 2003-07-28 2006-07-04 International Business Machines Corporation Chemical planarization performance for copper/low-k interconnect structures
KR100612079B1 (ko) * 2003-10-09 2006-08-11 주식회사 엘지화학 방사형 다분지 고분자 및 이를 이용한 다공성 막
US7626059B2 (en) 2003-10-21 2009-12-01 Dow Global Technologies Inc. Multifunctional ethynyl substituted monomers and polyarylene compositions therefrom
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
CA2554163A1 (en) 2004-01-23 2005-08-11 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Facially amphiphilic polyaryl and polyarylalkynyl polymers and oligomers and uses thereof
DE502005002521D1 (de) * 2004-08-10 2008-02-21 Basf Ag Polymerblends aus styrolcopolymeren und hyperverzweigten polycarbonaten oder polyestern
US7678682B2 (en) * 2004-11-12 2010-03-16 Axcelis Technologies, Inc. Ultraviolet assisted pore sealing of porous low k dielectric films
US7754818B2 (en) * 2005-01-11 2010-07-13 Brewer Science Inc. Gap fill materials and bottom anti-reflective coatings comprising hyperbranched polymers
US8535702B2 (en) * 2005-02-01 2013-09-17 Boston Scientific Scimed, Inc. Medical devices having porous polymeric regions for controlled drug delivery and regulated biocompatibility
US7482389B2 (en) 2005-04-20 2009-01-27 International Business Machines Corporation Nanoporous media with lamellar structures
US7960442B2 (en) * 2005-04-20 2011-06-14 International Business Machines Corporation Nanoporous media templated from unsymmetrical amphiphilic porogens
US7723438B2 (en) * 2005-04-28 2010-05-25 International Business Machines Corporation Surface-decorated polymeric amphiphile porogens for the templation of nanoporous materials
US7459183B2 (en) * 2005-07-27 2008-12-02 International Business Machines Corporation Method of forming low-K interlevel dielectric layers and structures
JP4788415B2 (ja) * 2006-03-15 2011-10-05 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US20090311189A1 (en) * 2006-05-12 2009-12-17 Massachusetts Institute Of Technology Temperature-jump dynamic nuclear polarization
US8053375B1 (en) * 2006-11-03 2011-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Super-dry reagent compositions for formation of ultra low k films
US8394483B2 (en) 2007-01-24 2013-03-12 Micron Technology, Inc. Two-dimensional arrays of holes with sub-lithographic diameters formed by block copolymer self-assembly
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
US8083953B2 (en) 2007-03-06 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films
US8361337B2 (en) 2007-03-19 2013-01-29 The University Of Massachusetts Method of producing nanopatterned templates
US8557128B2 (en) 2007-03-22 2013-10-15 Micron Technology, Inc. Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers
US8097175B2 (en) 2008-10-28 2012-01-17 Micron Technology, Inc. Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure
US7959975B2 (en) 2007-04-18 2011-06-14 Micron Technology, Inc. Methods of patterning a substrate
US8294139B2 (en) 2007-06-21 2012-10-23 Micron Technology, Inc. Multilayer antireflection coatings, structures and devices including the same and methods of making the same
US8372295B2 (en) * 2007-04-20 2013-02-12 Micron Technology, Inc. Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method
US8404124B2 (en) 2007-06-12 2013-03-26 Micron Technology, Inc. Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces
US8080615B2 (en) 2007-06-19 2011-12-20 Micron Technology, Inc. Crosslinkable graft polymer non-preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide
JP2009079137A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Fujifilm Corp 膜形成用組成物及び膜の製造方法
US20100294989A1 (en) * 2007-12-28 2010-11-25 Shaffer Ii Edward O Small scale functional materials
WO2009085083A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-09 Dow Global Technologies Inc. Phase compensation film comprising polymer nanoparticles imbibed with liquid crystal material
US8999492B2 (en) 2008-02-05 2015-04-07 Micron Technology, Inc. Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers
US8101261B2 (en) 2008-02-13 2012-01-24 Micron Technology, Inc. One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof
US8425982B2 (en) 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids
US8426313B2 (en) 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference
JP2009242440A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Fujifilm Corp 絶縁膜形成用組成物
US8114300B2 (en) 2008-04-21 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Multi-layer method for formation of registered arrays of cylindrical pores in polymer films
US8114301B2 (en) 2008-05-02 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders
CN102143995B (zh) * 2008-08-19 2013-04-24 Dic株式会社 有机聚合物多孔质体及其制造方法
US8247033B2 (en) * 2008-09-19 2012-08-21 The University Of Massachusetts Self-assembly of block copolymers on topographically patterned polymeric substrates
US8211737B2 (en) 2008-09-19 2012-07-03 The University Of Massachusetts Method of producing nanopatterned articles, and articles produced thereby
US8518837B2 (en) * 2008-09-25 2013-08-27 The University Of Massachusetts Method of producing nanopatterned articles using surface-reconstructed block copolymer films
US9138308B2 (en) 2010-02-03 2015-09-22 Apollo Endosurgery, Inc. Mucosal tissue adhesion via textured surface
ES2623475T3 (es) 2010-05-11 2017-07-11 Allergan, Inc. Composiciones de porógenos, métodos para hacerlas y usos
US9156682B2 (en) 2011-05-25 2015-10-13 The University Of Massachusetts Method of forming oriented block copolymer line patterns, block copolymer line patterns formed thereby, and their use to form patterned articles
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
US9120898B2 (en) 2011-07-08 2015-09-01 Baker Hughes Incorporated Method of curing thermoplastic polymer for shape memory material
US8939222B2 (en) 2011-09-12 2015-01-27 Baker Hughes Incorporated Shaped memory polyphenylene sulfide (PPS) for downhole packer applications
US8829119B2 (en) * 2011-09-27 2014-09-09 Baker Hughes Incorporated Polyarylene compositions for downhole applications, methods of manufacture, and uses thereof
US8900963B2 (en) 2011-11-02 2014-12-02 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures, and related structures
US9144925B2 (en) 2012-01-04 2015-09-29 Baker Hughes Incorporated Shape memory polyphenylene sulfide manufacturing, process, and composition
CN102658037B (zh) * 2012-04-26 2014-02-26 青岛科技大学 一种聚偏氟乙烯平板微孔膜的制备方法
WO2014022657A1 (en) 2012-08-02 2014-02-06 Allergan, Inc. Mucosal tissue adhesion via textured surface
KR101394396B1 (ko) * 2012-08-06 2014-05-13 광주과학기술원 공유결합 망상구조를 가지는 다공성 고분자 분리막 및 그 제조방법
WO2014052724A1 (en) 2012-09-28 2014-04-03 Allergan, Inc. Porogen compositions, methods of making and uses
US9087699B2 (en) 2012-10-05 2015-07-21 Micron Technology, Inc. Methods of forming an array of openings in a substrate, and related methods of forming a semiconductor device structure
US9109080B2 (en) 2012-10-22 2015-08-18 Delsper LP Cross-linked organic polymer compositions and methods for controlling cross-linking reaction rate and of modifying same to enhance processability
US9269623B2 (en) 2012-10-25 2016-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ephemeral bonding
US9273215B2 (en) 2012-10-30 2016-03-01 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Adhesion promoter
US9707642B2 (en) 2012-12-07 2017-07-18 Baker Hughes Incorporated Toughened solder for downhole applications, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
WO2014117110A1 (en) 2013-01-28 2014-07-31 Greene, Tweed Technologies, Inc. Anti-extrusion compositions for sealing and wear components
US9109075B2 (en) 2013-03-15 2015-08-18 Delsper LP Cross-linked organic polymers for use as elastomers in high temperature applications
US9229328B2 (en) 2013-05-02 2016-01-05 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures, and related semiconductor device structures
US9441258B2 (en) 2013-06-28 2016-09-13 Verily Life Sciences LLP Enzyme immobilization by crosslinking
US9750445B2 (en) 2013-06-28 2017-09-05 Verily Life Sciences Llc Porous polymeric formulation prepared using porogens
US9828620B2 (en) 2013-06-28 2017-11-28 Verily Life Sciences Llc Porous polymeric formulation prepared using monomer
US9551680B2 (en) 2013-06-28 2017-01-24 Verily Life Sciences Llc Chemically reactive enzyme immobilization
US9177795B2 (en) 2013-09-27 2015-11-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming nanostructures including metal oxides
US9763605B2 (en) 2013-11-27 2017-09-19 Verily Life Sciences Llc Adjustment of sensor sensitivity by controlling copolymer film thickness through a controlled drying step
US9617578B2 (en) 2013-12-06 2017-04-11 Verily Life Sciences Llc Sensor membrane with low temperature coefficient
US9739746B1 (en) 2013-12-23 2017-08-22 Google Inc. Analyte sensor incorporating negatively charged moieties
US9855359B2 (en) 2013-12-23 2018-01-02 Verily Life Sciences Llc Analyte sensors with ethylene oxide immunity
US9834805B2 (en) 2013-12-23 2017-12-05 Verily Life Sciences Llc Two-layer analyte sensor
US9153357B1 (en) 2014-03-27 2015-10-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Adhesion promoter
US10369248B2 (en) 2014-07-29 2019-08-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Porous polymer composites
US9868820B2 (en) * 2014-08-29 2018-01-16 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Polyarylene materials
US9481810B2 (en) 2014-12-15 2016-11-01 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Silylated polyarylenes
WO2016137445A1 (en) 2015-02-24 2016-09-01 South Dakota Board Of Regents Polycarbonates having superior dielectric properties suitable for energy dense capacitors
US9486685B2 (en) 2015-02-25 2016-11-08 Jay Rambo Apparatus for providing swing technique feedback
US9296915B1 (en) 2015-04-10 2016-03-29 Dow Global Technologies Llc Toughened arylcyclobutene polymers
EP3194502A4 (en) 2015-04-13 2018-05-16 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications
US10340182B2 (en) 2015-11-30 2019-07-02 International Business Machines Corporation Enhanced via fill material and processing for dual damscene integration
US10190100B1 (en) 2015-12-28 2019-01-29 Verily Life Sciences Llc Chemical modification of glucose oxidase and its application to biosensors
US11175581B2 (en) 2016-12-05 2021-11-16 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Aromatic resins for underlayers
US10790146B2 (en) 2016-12-05 2020-09-29 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Aromatic resins for underlayers
US20180171069A1 (en) * 2016-12-19 2018-06-21 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Polyarylene resins
CN107903436A (zh) * 2017-11-28 2018-04-13 烟台史密得机电设备制造有限公司 一种涂覆多孔环氧树脂泡沫的制备方法
EP3623136B1 (en) 2018-09-14 2023-11-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method for producing three-dimensional hydrogel structures and device for the layerwise building-up of such hydrogel structures
CN111362587B (zh) * 2020-04-28 2022-05-24 东莞南玻太阳能玻璃有限公司 一种高硬度防潮增透太阳能玻璃及其制备方法
EP4317339A1 (en) 2021-03-30 2024-02-07 Nissan Chemical Corporation Adhesive composition, laminate, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing processed substrate
EP4310157A1 (en) 2021-03-31 2024-01-24 Nissan Chemical Corporation Laminate, release agent composition, and method for manufacturing machined semiconductor substrate
KR20230165266A (ko) 2021-03-31 2023-12-05 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 적층체, 박리제 조성물 및 가공된 반도체 기판의 제조 방법
KR20230164088A (ko) 2021-03-31 2023-12-01 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 적층체, 박리제 조성물 및 가공된 반도체 기판의 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998011149A1 (en) * 1996-09-10 1998-03-19 The Dow Chemical Company Polyphenylene oligomers and polymers

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US588329A (en) * 1897-08-17 Rotary blower
US554305A (en) * 1896-02-11 Sash-fastener
GB154644A (en) 1919-06-05 1920-12-06 British Thomson Houston Co Ltd Improvements in and relating to driving mechanism for paper making machines
US3705118A (en) 1971-01-11 1972-12-05 Ibm Process for forming a microporous cellular polyimide
GB1473946A (en) 1973-05-03 1977-05-18 Exxon Research Engineering Co Cellular heterocyclic polymer structures
US4201820A (en) 1973-05-03 1980-05-06 Exxon Research & Engineering Co. Microcellular heterocyclic polymer structures
US4272467A (en) 1975-12-22 1981-06-09 Exxon Research & Engineering Co. Method for producing an essentially gas and liquid impermeable low density, closed-cell, microcellular polyparabanic acid article
US4400865A (en) 1980-07-08 1983-08-30 International Business Machines Corporation Self-aligned metal process for integrated circuit metallization
US4426769A (en) 1981-08-14 1984-01-24 Amp Incorporated Moisture getter for integrated circuit packages
US4859715A (en) 1984-05-18 1989-08-22 Raychem Corporation Microporous poly (arylether ketone) article
US4540763A (en) 1984-09-14 1985-09-10 The Dow Chemical Company Polymers derived from poly(arylcyclobutenes)
JPS61137711A (ja) 1984-12-10 1986-06-25 Asahi Chem Ind Co Ltd 多孔質プラスチツク成形品及びその製造方法
JPS6211617A (ja) 1985-07-09 1987-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd 微孔性膜の製造方法
US4812588A (en) * 1987-12-14 1989-03-14 The Dow Chemical Company Polyorganosiloxane-bridged bisbenzocyclobutene monomers
JPH01254758A (ja) 1988-04-01 1989-10-11 Junkosha Co Ltd 低誘電率複合材料
JPH0756763B2 (ja) 1988-04-01 1995-06-14 株式会社潤工社 超電導ケーブル
US5246782A (en) 1990-12-10 1993-09-21 The Dow Chemical Company Laminates of polymers having perfluorocyclobutane rings and polymers containing perfluorocyclobutane rings
US5037917A (en) 1989-06-09 1991-08-06 The Dow Chemical Company Perfluorocyclobutane ring-containing polymers
US5021602A (en) 1989-06-09 1991-06-04 The Dow Chemical Company Reactive compounds containing perfluorocyclobutane rings
US5023380A (en) 1989-06-09 1991-06-11 The Dow Chemical Company Perfluorovinyl compounds
US5155175A (en) 1989-12-08 1992-10-13 Intellectual Property Law Dept. Crosslinkable fluorinated polyarylene ether composition
US5227103A (en) 1990-02-07 1993-07-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company High speed insulated conductors
US5115082A (en) 1990-04-17 1992-05-19 Raychem Corporation Fluorinated poly(arylene ether)
US5179188A (en) 1990-04-17 1993-01-12 Raychem Corporation Crosslinkable fluorinated aromatic ether composition
JP2802172B2 (ja) 1990-12-06 1998-09-24 松下電工株式会社 複合誘電体およびプリント回路用基板
US5714243A (en) 1990-12-10 1998-02-03 Xerox Corporation Dielectric image receiving member
US5155082A (en) * 1991-04-12 1992-10-13 Allied-Signal Inc. Catalyst for the manufacture of chlorofluorocarbons, hydrochlorofluorocarbons and hydrofluorocarbons
JPH0799646B2 (ja) 1991-05-03 1995-10-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 分子的多孔性エーロゲルで充填された低誘電率複合積層品
JP2531906B2 (ja) * 1991-09-13 1996-09-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 発泡重合体
JPH05168880A (ja) 1991-12-20 1993-07-02 Mitsubishi Kasei Corp 複合分離膜
US5235044A (en) 1992-09-09 1993-08-10 Raychem Corporation Compounds having oxadiazole and triazene moieties, crosslinkable polymers therefrom, and methods therefor
FR2700883B1 (fr) 1993-01-26 1995-02-24 Thomson Csf Procédé d'obtention de polymère à permittivité réduite.
CA2115334A1 (en) 1993-02-10 1994-08-11 Isao Tomioka Film forming solution, porous film obtained therefrom and coated material with the porous film
FR2701602B1 (fr) 1993-02-12 1995-03-31 Thomson Csf Détecteur thermique comprenant un isolant thermique en polymère expansé.
US5290820A (en) 1993-07-29 1994-03-01 Shell Oil Company Process for preparing low density porous crosslinked polymeric materials
JPH07182291A (ja) 1993-12-22 1995-07-21 Casio Comput Co Ltd データバンク装置
US5486493A (en) 1994-02-25 1996-01-23 Jeng; Shin-Puu Planarized multi-level interconnect scheme with embedded low-dielectric constant insulators
US5422377A (en) 1994-04-06 1995-06-06 Sandia Corporation Microporous polymer films and methods of their production
US5785787A (en) 1994-05-23 1998-07-28 General Electric Company Processing low dielectric constant materials for high speed electronics
US5449427A (en) 1994-05-23 1995-09-12 General Electric Company Processing low dielectric constant materials for high speed electronics
US5550405A (en) 1994-12-21 1996-08-27 Advanced Micro Devices, Incorporated Processing techniques for achieving production-worthy, low dielectric, low interconnect resistance and high performance ICS
US5540997A (en) 1995-03-13 1996-07-30 The Dow Chemical Company Alignment layer for a liquid crystal in a liquid crystal display device
US5986045A (en) 1995-06-26 1999-11-16 Alliedsignal Inc. Poly(arylene ether) compositions and the method for their manufacture
US5874516A (en) 1995-07-13 1999-02-23 Air Products And Chemicals, Inc. Nonfunctionalized poly(arylene ethers)
DE69616580T2 (de) 1995-09-12 2002-05-29 Dow Chemical Co Mit ethynylgruppen substituierte aromatische verbindungen, verfahren zu ihrer synthese, sowie davon abgeleitete polymere und deren verwendung
JP3115215B2 (ja) 1995-10-05 2000-12-04 松下電器産業株式会社 低誘電率プラスチック絶縁フィルムおよびその製造方法
US5726211A (en) 1996-03-21 1998-03-10 International Business Machines Corporation Process for making a foamed elastometric polymer
US5700844A (en) 1996-04-09 1997-12-23 International Business Machines Corporation Process for making a foamed polymer
US5767014A (en) 1996-10-28 1998-06-16 International Business Machines Corporation Integrated circuit and process for its manufacture
US5895263A (en) 1996-12-19 1999-04-20 International Business Machines Corporation Process for manufacture of integrated circuit device
US5883219A (en) 1997-05-29 1999-03-16 International Business Machines Corporation Integrated circuit device and process for its manufacture
US6110649A (en) 1997-11-19 2000-08-29 International Business Machines Corporation Process for manufacture of integrated circuit device
AU756688B2 (en) 1998-06-05 2003-01-23 Georgia Tech Research Corporation Porous insulating compounds and method for making same
US6093636A (en) 1998-07-08 2000-07-25 International Business Machines Corporation Process for manufacture of integrated circuit device using a matrix comprising porous high temperature thermosets
US6114458A (en) 1998-09-23 2000-09-05 International Business Machines Corporation Highly branched radial block copolymers
US6313185B1 (en) 1998-09-24 2001-11-06 Honeywell International Inc. Polymers having backbones with reactive groups employed in crosslinking as precursors to nanoporous thin film structures
JP2002530505A (ja) * 1998-11-24 2002-09-17 ザ ダウ ケミカル カンパニー 架橋性マトリックス前駆体および気孔発生体を含有する組成物、並びにそれから製造された多孔質マトリックス
US6172128B1 (en) 1999-04-09 2001-01-09 Honeywell International Inc. Nanoporous polymers crosslinked via cyclic structures
US6156812A (en) 1999-04-09 2000-12-05 Honeywell International Inc. Nanoporous material fabricated using polymeric template strands
US6420441B1 (en) 1999-10-01 2002-07-16 Shipley Company, L.L.C. Porous materials
US6107357A (en) 1999-11-16 2000-08-22 International Business Machines Corporatrion Dielectric compositions and method for their manufacture
US6359091B1 (en) 1999-11-22 2002-03-19 The Dow Chemical Company Polyarylene compositions with enhanced modulus profiles

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998011149A1 (en) * 1996-09-10 1998-03-19 The Dow Chemical Company Polyphenylene oligomers and polymers

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001329096A (ja) * 2000-03-17 2001-11-27 Toray Ind Inc 低誘電率重合体
JP2004506797A (ja) * 2000-08-21 2004-03-04 ダウ　グローバル　テクノロジーズ　インコーポレイティド マイクロ電子デバイス製造に使用する有機ポリマー絶縁膜用ハードマスクとしての有機シリケート樹脂
JP2009120843A (ja) * 2002-03-06 2009-06-04 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 多孔質誘電材料とその製造方法
JP2005330495A (ja) * 2002-03-06 2005-12-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 多孔質誘電材料とその製造方法
JP4765076B2 (ja) * 2003-02-20 2011-09-07 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー ポリアリーレンの合成方法及びその方法により製造されたポリアリーレン
JP2006519292A (ja) * 2003-02-20 2006-08-24 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド ポリアリーレンの合成方法及びその方法により製造されたポリアリーレン
JP4637830B2 (ja) * 2003-04-02 2011-02-23 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 多官能性の、置換モノマー類、および、そのポリアリーレン組成物
JP2006525413A (ja) * 2003-04-02 2006-11-09 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 多官能性の、置換モノマー類、および、そのポリアリーレン組成物
JP2007505976A (ja) * 2003-09-19 2007-03-15 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 結合ポラゲン含有多官能性モノマー及びそれからのポリアリーレン組成物
JP2007515501A (ja) * 2003-09-19 2007-06-14 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 多官能性モノマー及びそれからのポリアリーレン組成物
JP2007509225A (ja) * 2003-10-21 2007-04-12 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 結合メソゲン性ポラゲン形成性部分を含有する多官能性モノマー及びそれからのポリアリーレン組成物
JP4885724B2 (ja) * 2003-10-21 2012-02-29 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 結合メソゲン性ポラゲン形成性部分を含有する多官能性モノマー及びそれからのポリアリーレン組成物
US7501185B2 (en) 2004-06-10 2009-03-10 Fujifilm Corporation Film-forming composition, insulating material-forming composition, insulating film and electronic device
JP2008502786A (ja) * 2004-06-10 2008-01-31 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド ナノ多孔質誘電体フィルムの形成方法
JP2006176466A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 芳香族の化合物
JP2006190941A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Ind Technol Res Inst 相変化メモリおよびその製造方法
JP2009212260A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Fujifilm Corp 膜
WO2010084918A1 (ja) * 2009-01-21 2010-07-29 日産化学工業株式会社 ベンゾシクロブテン樹脂のインプリント技術への適用及び当該技術によるパターン形成方法
JP2017014193A (ja) * 2015-07-06 2017-01-19 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ ポリアリーレン材料

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