JP2006190941A - 相変化メモリおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
相変化層と、第1電極と、複数の孔を有する形成された多孔質誘電層と、を備える相変化メモリ。多孔質誘電層は、相変化層と第1電極との間に形成される。
【選択図】図1
Description
20 電極
21 第1電極
22 第2電極
30 多孔質誘電層
31 多孔質誘電層
32 多孔質誘電層
33 第1多孔質誘電層
34 第2多孔質誘電層
40 孔
41 孔
42 孔
43 孔
44 孔
50 誘電層
51 金属層
52 第1電極
53 第1誘電層
54 多孔質誘電層
55 相変化層
56 第2電極
57 第2誘電層
58 金属層
60 第1多孔質誘電層
61 第2多孔質誘電層
Claims (20)
- 相変化層と、
相変化層上に形成される第1電極と、
相変化層および第1電極が孔を通じて互いに接触するように、その間に形成され、かつその上に形成された複数の孔を有する多孔質誘電層とを備えることを特徴とする、相変化メモリ。 - 相変化層のもう一方の面上に形成される第2電極をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の相変化メモリ。
- 前記多孔質誘電層が、ブロック共重合体材料から製造されることを特徴とする、請求項1に記載の相変化メモリ。
- 前記孔が、ブロック共重合体材料から製造されることを特徴とする、請求項1に記載の相変化メモリ。
- 前記孔が、ラテックス材料から製造されることを特徴とする、請求項1に記載の相変化メモリ。
- 前記孔が、非連続的な膜、または薄膜プロセスにおいて形成される島状構造により形成されることを特徴とする、請求項1に記載の相変化メモリ。
- 前記孔が、被覆にマスクとして使用されるナノ粒子/ラインを除去することによって形成されることを特徴とする、請求項1に記載の相変化メモリ。
- 相変化層と、
相変化層の2つの面上にそれぞれ形成される第1電極および第2電極と、
相変化層と第1電極が孔を通じて互いに接触するように、相変化層と第1電極との間に形成され、かつその上に形成された複数の孔を有する第1多孔質誘電層とを備え、且つ
相変化層と第2電極が孔を通じて互いに接触するように、相変化層と第2電極との間に形成され、かつその上に形成された複数の孔を有する第2多孔質誘電層とを備えることを特徴とする、相変化メモリ。 - 前記孔が、ブロック共重合体材料から製造されることを特徴とする、請求項8に記載の相変化メモリ。
- 前記孔が、ラテックス材料から製造されることを特徴とする、請求項8に記載の相変化メモリ。
- 前記孔が、非連続的な膜、または薄膜プロセスにおいて形成される島状構造により形成されることを特徴とする、請求項8に記載の相変化メモリ。
- 前記孔が、被覆にマスクとして使用されるナノ粒子/ラインを除去することによって形成されることを特徴とする、請求項8に記載の相変化メモリ。
- 第1電極を形成する段階と、
第1電極の周りに第1誘電層を形成する段階と、
その上に形成された複数の孔を有する第1多孔質誘電層を第1電極上に形成する段階、および
相変化層を第1多孔質誘電層上に形成する段階とを含むことを特徴とする、相変化メモリの製造方法。 - 第2電極を相変化層上に形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項13に記載の製造方法。
- 第2誘電層を第2電極上に形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項14に記載の製造方法。
- その上に形成された複数の孔を有する第2多孔質誘電層を相変化層上に形成する段階と、
第2電極を第2多孔質誘電層上に形成する段階とをさらに含むことを特徴とする、請求項13に記載の製造方法。 - 前記孔が、ブロック共重合体材料から製造されることを特徴とする、請求項13に記載の製造方法。
- 前記孔が、ラテックス材料から製造されることを特徴とする、請求項13に記載の製造方法。
- 前記孔が、非連続的な膜、または薄膜プロセスにおいて形成される島状構造により形成されることを特徴とする、請求項13に記載の製造方法。
- 前記孔が、被覆にマスクとして使用されるナノ粒子/ラインを除去することによって形成されることを特徴とする、請求項13に記載の製造方法。
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