JP2002516385A - 金属粒子を凝集する方法および改良された特性を有する金属粒子 - Google Patents

金属粒子を凝集する方法および改良された特性を有する金属粒子

Info

Publication number
JP2002516385A
JP2002516385A JP2000550625A JP2000550625A JP2002516385A JP 2002516385 A JP2002516385 A JP 2002516385A JP 2000550625 A JP2000550625 A JP 2000550625A JP 2000550625 A JP2000550625 A JP 2000550625A JP 2002516385 A JP2002516385 A JP 2002516385A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
particles
liquid
wet
tantalum
powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000550625A
Other languages
English (en)
Inventor
ラオ,プラサド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cabot Corp
Original Assignee
Cabot Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cabot Corp filed Critical Cabot Corp
Publication of JP2002516385A publication Critical patent/JP2002516385A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • H01G9/0525Powder therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/09Mixtures of metallic powders
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/14Treatment of metallic powder
    • B22F1/148Agglomerating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/045Alloys based on refractory metals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/12Metallic powder containing non-metallic particles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Glanulating (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】 タンタルおよびニオブ粉末のような金属粒子を凝集する方法が記載されており、揮発もしくは蒸発しやすい液体をその粒子と結合してぬれた粒子を形成すること;ぬれた粒子を圧密化すること;圧密化された、ぬれた粒子を乾燥してケーキにすること;そしてケーキを熱処理して、凝集された粒子を形成することを含む。さらに、この方法により得られた凝集粒子、そしてさらに少くとも約65mg/秒の流動速度および/または改良された細孔分布および/または比較的高いスコット密度を有する粒子、特にタンタルもしくはニオブ粉末が記載されている。タンタル粉末およびニオブ粉末から製造されるコンデンサも記載されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】発明の背景 本発明は、金属粒子およびその凝集方法に関する。
【0002】 タンタル粉末のような金属粉末の取り扱いを改良するために努力がいつもなさ
れている。特に、たとえば粒径0.1〜200μmを有する微粉末は、一緒に働
くのがきわめて困難であり、微粉末を凝集させる方法が、たとえばタンタル粉末
に対する特開平4−362101号公報(1992)に記載される方法のように
、開発されている。
【0003】 しかしながら、金属微粉末を凝集する方法を開発するのに加えて、流動特性お
よび1または他の望ましい性質が維持もしくは改良されるような方法でこのよう
な粉末を凝集するのにも努力がなされている。 したがって、微粉末の問題に向けられるばかりでなく、良好な流動特性および
改良された細孔分布のような望ましい特性を有する金属粒子を凝集するように導
くためにも、タンタル粉末のような金属微粉末を凝集する方法を開発する要求が
ある。
【0004】発明の要約 本発明の1つの態様によれば、金属粒子、好ましくはタンタルおよび/または
ニオブ粒子、を凝集する方法が提供され、それは、揮発もしくは蒸発しやすい液
体を、金属粒子と結合して、ぬれた金属粒子を形成する段階を含む。これらのぬ
れた金属粒子は圧密化され、ついで乾燥され、ケーキを形成する。ついで、その
ケーキは熱的に凝集され、もしくは熱処理され、凝集された金属粒子を生じる。
【0005】 本発明のもう1つの態様によれば、少くとも約65mg/sec の流動速度および
改良された細孔分布を有する金属粒子、特にタンタルおよび/またはニオブ粒子
が提供される。 さらに本発明は、本発明のタンタルおよび/またはニオブ粉末を含むコンデン
サアノードに関する。
【0006】 先の一般的説明および次の詳細な説明は典型的で説明的なものにすぎず、請求
項に規定された本発明のさらなる説明を提供するものであることが理解されるべ
きである。
【0007】発明の詳細な説明 本発明の1つの態様は金属粒子を凝集する方法に関する。この方法は揮発もし
くは蒸発しやすい液体を金属粒子と結合させてぬれた金属粒子を形成する工程を
含む。このぬれた金属粒子は圧密化され、ついで乾燥され、ケーキを形成する。
このケーキはついで熱処理され、凝集金属粒子を生じる。
【0008】 本発明の目的のために、金属粒子はいかなる種類の金属粒子であってもよい。
金属粒子の例は、金属、合金、混合物等を含むが、これに限定されない。具体的
な例は、タンタル、ニオブ、鉄、亜鉛、これらを含む合金、およびこれらの混合
物を含む。好適には、金属粒子はニオブもしくはタンタル、またはタンタルおよ
びニオブを含む合金、の粉末を含む。
【0009】 本発明方法により凝集される金属粒子は、いかなる粒形もしくは粒径であって
もよく、好適には粒子は粉末の形態であり、この粉末は約1μm〜約200μm
の範囲の粒径を有するが通常である。金属粒子の形状は、角ばった(angul
ar)、球状(nodular)、フレーク状、もしくはそれらの組合わせのよ
うな、いかなる形状であってもよい。好適には、特に金属粒子がタンタルおよび
/またはニオブであるときには、形状は球状である。
【0010】 金属粒子の凝集方法に関して、揮発もしくは蒸発しやすい液体を金属粒子と結
合してぬれた金属粒子を形成する段階は、単に固体を液体と混合する方法を含む
従来の方法により行なわれ得る。たとえば、簡単な撹拌は、混合−研磨機(mi
xer−muller)によるような混合および摩砕の複雑な方法と同様に使用
されうる。あるいは、液体は、混合もしくは撹拌して、もしくはなしに、金属粒
子を含む容器の上部に単に注がれることもできる。
【0011】 揮発もしくは蒸発しやすい液体は、この性質を有するいかなる液体であっても
よい。例は、水、水含有液体、アルコール、芳香族含有液体、アルカン含有液体
等を含むが、限定されない。好適には、この揮発もしくは蒸発しやすい液体は、
事実上水性であり、もっと好ましくは水、さらに好ましくは脱イオン水である。
高温での粉末の焼結動力学を調節するのに有用な成分/化学品は、所望の割合で
水に添加されうる。
【0012】 好適には、金属粒子と結合されてぬれた金属粒子を形成する液体の量は、スラ
リーを形成しないで粒子をぬらすのに十分な量である。好ましくは、金属粒子に
含まれる液体の量は、ペーストの形成を生じる量である。たとえば、細孔を有す
る金属粒子に存在する液体の量は、液体が金属粒子の細孔に入る量であり、もっ
と好ましくは金属粒子の実質的にすべての細孔に入る量である。液体はスラリー
を形成する量を添加されるとき、重力等の作用により金属粒子の細孔を出る。こ
のように、液体を金属粒子と結合する1つの好適な方法は、液体の最初の添加が
存在する金属粒子の細孔に吸収されたときに、付加的な量の液体を添加するため
に決定がなされうるような段階で、液体を添加することである。液体導入の実施
は、少量の液体層が金属粒子の表面で形成されるまで行なわれることができ、そ
れは実質的にすべての細孔(もし存在すれば)がその中に液体を有し、そして液
体のさらなる添加はスラリーの形成を導くことを示す。表面の液体層は、好適に
は容器の面積の0.125ml/cm2 未満である。金属粉末がタンタル粉末を含む
とき、粉末が20cm×20cm×5cmの皿を十分に充たすと、たとえば約50mlを
超えない水が粉末の表面にある。
【0013】 細孔が金属粒子に存在するとき、液体が金属粒子に入るのを確保するために、
液体が金属粒子に吸収されるのに十分な時間で、液体に金属粒子を浸させるのが
好適である。たとえば、タンタル粉末に関しては、好ましくは少くとも約5時間
、もっと好ましくは約8時間、さらに好ましくは約5時間〜約16時間、液体に
粉末を浸させる。もし、この浸漬時に、追加の液体を添加するのが必要であれば
、金属粒子に存在しうる細孔の全充てんもしくは実質的な全充てんを確保するた
めに、いつでも液体が添加されうる。好ましくは、タンタルの場合、存在する液
体の量は、存在する金属粒子の約30wt%〜約40wt%、もっと好ましくは存在
するタンタル粒子の質量基準で約35wt%である。同様な量の液体がニオブ粉末
でも期待される。他の粒子については、液体の量は金属粒子の粒径分布の関数で
あり、したがって存在する液体の量は量を変動されうる。
【0014】 好適には、無機酸溶液が金属粒子に添加もしくは結合される液体の一部である
。好ましい無機酸は、特に液体が脱イオン水であり金属粒子がタンタル、ニオブ
もしくはそれらの合金であるときに、リン酸を含む。好ましくは金属粒子の質量
の10ppm 〜200ppm のリンが存在し、この量を得るために、十分な量のリン
酸が液体中に存在し、ぬれた金属粒子と結合して液体中のリンの量が得られる。
リンは焼結抑制剤として作用しうる。他の焼結抑制剤が使用され得、焼結される
金属粒子に依ることができる。
【0015】 液体が金属粒子と結合されてぬれた金属粒子を形成した後に、そのぬれた金属
粒子は、粒子および/または液体間のエアポケットを減少もしくは除去し、そし
て粒子間の領域を減少するために、圧密化される。好ましくは、金属粒子の細孔
内に存在しうる液体を細孔から追い出すことなく、金属粒子が互いにもっと近接
するような方法で、ぬれた粒子が圧密化される。ぬれた粒子の圧密化は、さらに
金属粒子の細孔内の液体の量を増加させうる。ぬれた金属粒子を圧密化する最適
の方法は、ぬれた金属粒子を含む容器を振動することを伴う。容器を振動する方
法はいかなるものであっても使用でき、たとえば手動でも、もしくは容器に振動
を創出することのできる装置であってもよい。好適には、圧密化段階は、非粘着
容器中で行なわれ、たとえば、容器の側面に材料が「粘りつく」(“stick
ing”)するのを防止できる能力を有する、「カルファロン」(“calph
alon”)トレイもしくは他の類似型の容器が挙げられる。振動段階の間、表
面に存在するのが好適である液層が消失し始めたら、追加の液体を添加すること
ができ、好ましくは添加されるべきである。振動後に、ぬれた金属粒子は、歩道
に塗られ、平らにされ、そして圧密化されたばかりの、ぬれたセメントに類似す
る粘稠度(コンシステンシー)を有するべきである。最も好適なコンシステンシ
ーは、絞りチューブ(たとえば、練り歯磨き)から分散されたペーストのコンシ
ステンシーである。好適には、ぬれた金属粒子は、少くとも2分間、もっと好ま
しくは約4分〜20分間、圧密化される。
【0016】 圧密化段階の後に、ぬれた金属粒子を有する容器は、ぬれた粒子から水を分離
させるのに十分な時間、放置される。好ましくは、容器は少くとも1時間、静止
されるべきであり、分離する過剰液体は、たとえばデカントのような、いかなる
方法によっても除去されうる。 圧密化段階の後に、圧密化された、ぬれた金属粒子は、乾燥によりケーキを形
成する。ぬれた金属粒子を乾燥してケーキを形成する方法はいかなるものであっ
てもよい。たとえば、もし必ずしも存在するすべての液体でなくても、大部分を
除去することにより、すべての粉末を実質的に乾燥するのに十分な温度および/
または圧力を有する真空乾燥を用いて、ケーキは乾燥されうる。好ましくは、真
空乾燥は約195°Fの温度、約40torrの真空で、約10時間以上、好ましく
は約14時間以上で行なわれる。
【0017】 いったん金属粉末ケーキが乾燥されると、その材料は熱処理もしくは熱的に凝
集されるのが好適である。好ましくは、この熱処理は、金属粉末での他の熱処理
と同様に行なわれる。たとえば、ケーキは加熱トレイ上に移されることができ、
熱処理に供されるが、それは特定の金属粒子が含まれる場合に通常用いられる熱
処理であってもよい。ある場合には本発明の方法を用いて得られる特性のために
熱処理温度は低下されうる。たとえば、タンタル粉末に関して、熱処理は好まし
くは、約1300℃で約30分間である。他の熱処理温度および時間も使用され
うる。
【0018】 熱処理の後に、熱処理ケーキは凝集を解かれ(deagglomerated
)(たとえば、粉砕、破砕もしくは摩砕により)、使用のための微粉末を生成す
る。たとえば、タンタルおよびニオブ粉末に関しては、粉末はコンデンサアノー
ド、もしくはタンタルおよびニオブ粉末に関連する他の用途のために、形成され
うる。
【0019】 フレーク状の金属粉末、特にタンタルおよびニオブのフレーク状粉末に関して
、本発明の方法は、最初にフレーク状金属粉末を熱処理し、ついで熱処理された
フレーク状粉末を破砕もしくは摩砕して、凝集体を得ることにより行われるのが
好適である。好適には、これらの凝集体は約50〜約100μmの大きさを有す
る。これらの凝集体は、ついで揮発もしくは蒸発しやすい液体等を添加して上述
の凝集方法に供される。フレーク状金属粉末を含む凝集ケーキの熱処理後に、ケ
ーキは再び破砕され凝集体を形成し、これらの凝集体は、改良されたグリーン強
度(green strength)を含む、ここに述べられる改良特性を有す
るのが好適である。
【0020】 様々な特性が本発明により得られる。特に、金属粉末の流動特性、ならびにコ
ンデンサアノードのDF値が、特にタンタル粉末で、改良されうる。特にタンタ
ルに関して、少くとも約65mg/秒、好ましくは約65〜約400mg/秒の流動
が得られ、さらに好ましくは約159mg/秒〜約250mg/秒である。これらの
流動特性と共同して、比較的低いDF値が得られる。さらに、本発明により凝集
された金属粉末は優れたスコット密度を有する。たとえば、スコット密度は、凝
集されていない金属粉末に比較して、少くとも10%、好ましくは少くとも25
%そしてもっと好ましくは少くとも35%以上増加する。好適には、スコット密
度は少くとも約20g/inch3 、もっと好ましくは少くとも22g/inch3 、そ
してさらに好ましくは約20〜約40g/inch3 である。
【0021】 本発明のもう1つの利点は、プレスされアノードに焼結された後に、金属粒子
(好適にはタンタルおよび/またはニオブのような金属粒子)の細孔分布を増加
させる能力である。プレスされ焼結されたアノードの細孔分布を増加させること
は、通常、Mn(NO2)3 がアノード上に塗布され、ついで材料は熱分解される、
タンタルおよび/またはニオブのコンデンサアノードに関して有利である。この
増加もしくは改良された範囲は、改良された流動および/またはDF値のような
有利な特性を導く、図に示されるように、本発明の粉末から得られるアノードの
細孔分布は、非凝集粉末、もしくは他の方法で凝集された粉末で製造されたアノ
ードでは存在しない大きい細孔(サイズが比較的大きい)を有する。さらに本発
明のアノードでは、全体の大きい細孔の数も比較的多い。粉末、特に金属粉末を
コンデンサアノードに製造する方法は当業者に知られており、そのような方法は
、米国特許第4,805,074、5,412,533、5,211,741お
よび5,245,514号明細書ならびにヨーロッパ特許出願第634762お
よび634761に記述されており、使用され得、そして引用によりここに丸ご
と組み入れられる。
【0022】 本発明は、次の実施例により、さらに明らかになるであろうが、これらは単に
本発明の典型例を示すものである。 実施例 試料1および2は、タンタル粉末基本ロット(basic lots)を用い
て処理され、その特性は表1に記載される。各試料は約5.4kg(12 lbs)の
基本ロットタンタルを用いて調製された。各基本ロットはアンモニウムヘキサフ
ルオロリン酸塩(NH4 PF6 )2.9gと混合された。NH4 PF6 はリン酸
源を与え、その量は粉末の質量で、リン10ppm を与えた。混合された各試料は
水銀5×10-6未満の真空度、1325℃で30分間、熱処理された。試料1お
よび2は、2つの別々の熱処理バッチを表わす。ケーキの形態であった熱処理さ
れた材料は、破砕され、ついで70メッシュ(米国ふるい)スクリーンを用いて
ふるい分けされた。メッシュ70以下の粉末は、マグネシウム含量2wt%となる
ようにマグネシウムと混合された。マグネシウムを混合されたタンタル粉末は9
50℃で加熱することにより、脱酸素された。この酸化段階は、タンタル粉末の
酸素含量を適度の水準に低下させるために行なわれた。ついで酸化されたタンタ
ル粉末は、残りのマグネシウムおよび酸化処理中に発生した酸化マグネシウムを
除去するために、硝酸、過酸化水素および脱イオン水で処理された。さらにこの
タンタル粉末は、DI水中で10μΩ/cm未満の導電度が得られるまで脱イオン
水で洗浄された。洗浄されたタンタル粉末は、真空乾燥機を用いて乾燥された。
乾燥タンタル粉末の代表的な試料が分取され、粉末の物理的、化学的、電気的特
性および水銀ポロシメータ装置を使用して細孔分布、が分析された。その結果を
表1,2に示す。電気的特性は次の手順を用いて評価された: (1)アノード製造 (a)Habererプレス (1)潤滑されていない(non−lubed)粉末 (2)サイズ−0.1235インチ径×0.1928インチ長さ (3)Dp=5.5g/cc (4)粉末wt=207.5mg (2)アノード焼結 (a)NRC炉; 1335℃×10(「A」傾斜(ramp)) (b)N=32アノード/各粉末 (3)30V Ef評価 (a)アノード化 (1)2つの形成(別々に焼成) N=1試料につき8アノード(1つの木) (1)木/試料×(1)焼結×(8)試料=8つの木 +C606標準(stds) (2)電解質:(0.6%H3 PO4 ,83°,1.86mmoh) (3)一定電流密度:337.5mA/g (4)端子電圧=30.0VDC+/−0.03 (5)端子電圧時間=300分−0/+5分 (b)DCリーク (1)チャージE=21.0+/−0.02 (2)チャージ時間=30秒および120秒 (3)DCL試験電解質=10%H3 PO4 ,21℃ (c)キャパシタンス/DF: (1)キャパシタンス試験電解質=18%H2 SO4 ,21℃ (2)バイアス=2.5VDC (3)周波数=120Hz (4)直列キャパシタンス (5)GenRad#1658 (4)水銀ポロシメータ評価: 保有していた焼結アノードが、Micromeritics Instrument Corporation(One M
icrometrics Drive,Norcross,Ga 30093)に送付された。細孔分布は、AutoPore I
II 9420および次の設定を使用して、Micromeritics社のThe
Materials Analysis Laboratoryで測定された:
針入度計(Penetrometer):33−(14) 3バルブ、0.41
2ステム、粉末 Pen.コンスタント:10.970μL/pF Adv.接触角:130.000度固定 Pen.質量:63,6614g Rec.接触角:130.000度固定 ステム容積:0.4120mL Hg表面張力:485.000ダイン/cm固定 最大熱圧力:4.6800psia Hg密度:13.5335g/mL Pen.容積:3.1251mL 試料質量 1.6879g 組立て質量 103.8746g 低圧: 排気圧:50.000μmHg 排気時間:5分間 水銀充てん圧:20.05psia 平衝化時間:10秒 高圧: 平衝化時間:10秒 処方によるブランク補正:Micromeriticsにより固定 試料3が、表Aに示す基本ロットを用いて調製された。2つの基本ロット粉末
27.5lbs.が5ガロンのステンレス鋼バケツ2つに入れられた。リンドーパン
ト溶液が200mlDI水に、85%試薬級リン酸(85%溶液)10mlを添加す
ることにより調製された。DI水4443mlがリンドーパント溶液551mlと混
合された。この溶液は、タンタル粉末27.5lbs.に対して水40wt%を示す。
この溶液は、質量でリン100ppm を含有する。この混合DI水4994mlは、
タンタル粉末を含むステンレス鋼バケツにその溶液を移すことにより、タンタル
粉末に添加された。同様に、もう1つの4994mlDI水+リン酸溶液が調製さ
れ、タンタル粉末を含む第2のステンレス鋼バケツに移された。粉末は20時間
浸漬された。浸漬されたタンタル粉末は、ステンレス鋼ひしゃくを用いてぬれた
粉末をすくうことによりタンタル熱処理トレイに移された。ぬれたタンタル粉末
を含むタンタルトレイは乾燥のために真空乾燥機に移された。粉末は真空乾燥機
中で185°Fで、約50torrの真空中、48時間乾燥された。乾燥後に、乾燥
粉末を含むタンタルトレイは熱処理炉に移された。粉末は、1345℃で30分
間、5×10-6Hg未満の真空下で熱処理された。熱処理されたケーキは破砕され
、50メッシュ(米国ふるい)を用いてふるい分けされた。50メッシュ以下の
粉末は2%マグネシウムと混合され、脱酸素され、さらに試料1および2につい
て述べられたように処理された。
【0023】 凝集タンタル粉末の試料4および5は、次のように調製された。この2つの試
料のために用いられた基本ロットタンタル粉末は表Aに示される。いずれの場合
においても、増加分5lbs.が、ステンレス鋼バケツに入れられた。使用された全
タンタル粉末は、試料4および5ともに250lbs.であった。脱イオン水694
4gが実施例1で述べられたリンドーパント溶液1002mlと混合された。その
溶液7966mlが各バケツに添加された。この溶液はタンタル粉末35wt%を示
し、質量で100ppm のリンをも含む。水は、タンタル粉末を約12〜16時間
、浸漬させた。ついで、ぬれたタンタル粉末約8.1lbs.が乾燥トレイに移され
た。乾燥トレイは、「カルファロン」(“Calphalon”)の四角いケー
キ皿(8×8×2インチ)からなっていた。カルファロンは、先端の非粘着被覆
系を有する耐熱容器を供給する。ぬれたタンタル粉末を含む「カルファン」トレ
イは、振動装置に移された。振動テーブルを有する振動装置は60psi の圧力で
作動する空気作動モータを備えていた。150mlの量の追加脱イオン水がそれぞ
れのトレイに添加され、約4分間振動された。振動後に、トレイは水が分離する
ように少くとも60分間静置された。分離された水はデカントされた。ついで乾
燥トレイは真空乾燥機に移された。市販の真空乾燥機は、STOKES VAC
UUM Inc.から、型番338Jが購入された。「カルファロン」トレイ中
の材料は約14時間、約195°Fで50torrの圧力下で乾燥された。乾燥され
た粉末は、熱処理のためにタンタルトレイに移された。熱処理は約1320〜1
330℃で、30分間、行なわれた。ついで、ケーキは摩砕のためにバッチ缶に
移され、摩砕され、70メッシュ(米国ふるい)スクリーンを用いてふるい分け
された。材料の70メッシュ以下の部分は脱酸素され、実施例1のように酸浸出
された。最終製品の試料は分析され、そのデータは表1に示される。
【0024】 試料7〜10は、比較的高い表面積のタンタル基本ロットを用いて処理された
。使用された基本ロットの代表的な分析が表Aに示される。 試料9および10は従来の方法を用いて処理された。通常、タンタル粉末12
lbs.が、リンを質量100ppm 添加するためにアンモニウムヘキサフルオロリン
酸塩と混合された。混合された粉末は、1200〜1265℃の範囲で、30分
間、真空下で熱処理された。熱処理されたケーキは、試料1について述べられた
ように、処理され、最終粉末となった。これらの粉末の脱酸素は850℃で、2
.5%マグネシウムを添加して行なわれた。これらの試料についての電気的評価
手順は次のとおりである。 (1)アノード製造 (a)Habererプレス (1)潤滑されていない粉末 (2)大きさ−0.1545インチ径×0.1363インチ長さ (3)Dp=4.5g/cc (4)粉末wt=188mg (2)アノード焼結 (a)NRC炉:1265℃×10(「A」傾斜) (b)N=34アノード/各粉末試料 (3)30V Ef評価 (a)アノード化 (1)1つの形成 N=1試料につき8アノード(1つの木) (2)電解質:(0.6%H3 PO4 ,83°,2.86mmho) (3)一定電流密度:E251試験電流(337.5mA/g) (4)端子電圧=30.0VDC+/−0.03 (5)端子電圧時間=300分−0/+5分 (6)浸漬25℃、30分 (7)100℃超、30分 (b)DCリーク: (1)チャージE=21.0+/−0.02 (2)チャージ時間=30秒および120秒 (3)DCL試験電解質=10%H3 PO4 ,21℃ (c)キャパシタンス/DC: (1)キャパシタンス試験電解質=18%H2 SO4 ,21℃ (2)バイアス=2.5VDC (3)周波数=120Hz (4)直列キャパシタンス 焼結アノードを用いたミクロ細孔評価がAutoPore III 9420を使
用して、Micromeritics社で行なわれた。
【0025】 試料7および8が、表Aに示される基本ロットを用いて調製された。試料7は
、質量で100ppm のリンを与えるためにリンドーパント溶液を含む25wt%脱
イオン水に24lbs.タンタルを浸漬することにより調製された。粉末は16時間
浸漬された。浸漬された粉末は4つのカルファロントレイに移され、300〜4
50mlの追加脱イオン水が添加された。ぬれた粉末は振動テーブルを用いて4分
間、振動された。振動後に、トレイは、水を分離するように少くとも60分間静
置された。分離した水はデカントされた。ついで、乾燥トレイは真空乾燥機に移
された。市販の真空乾燥機は、STOKES VACUUM Inc.から、型
番338Jが購入された。「カルファロン」トレイ中の材料は約14時間、約1
96°Fで50torrの圧力下で乾燥された。乾燥されたタンタル粉末は熱処理の
ためにタンタルトレイに移された。熱処理は約1265℃で、30分間行なわれ
た。ついでケーキは摩砕のためにバッチ缶に移され、摩砕され、70メッシュ(
米国ふるい)スクリーンを用いてふるい分けされた。70メッシュ以下の部分の
材料は、2.5%マグネシウムを用いて850℃で脱酸素され、実施例1のよう
に酸浸出された。最終製品の試料は分析され、そのデータは表2に示される。
【0026】 試料8は、質量で100ppm のリンを与えるためにリンドーパント溶液を含む
35wt%脱イオン水に24lbs.タンタルを浸漬することにより調製された。粉末
は16時間浸漬された。浸漬された粉末は4つのカルファロントレイに移され、
100〜235mlの脱イオン水が追加して添加された。ぬれた粉末は振動テーブ
ルを用いて4分間、振動された。振動後に、トレイは水を分離するように少くと
も60分間静置された。分離した水はデカントされた。ついで、乾燥トレイは真
空乾燥機に移された。市販の真空乾燥機は、STOKES VACUUM In
c.から、型番338Jが購入された。「カルファロン」トレイ中の材料は、約
14時間、約195°Fで、50torrの真空下で乾燥された。乾燥タンタル粉末
はついで熱処理のためにタンタルトレイに移された。熱処理は、約1200℃で
約30分間行なわれた。ついでケーキは摩砕のためにバッチ缶に移され、摩砕さ
れ、70メッシュ(米国ふるい)スクリーンを用いてふるい分けされた。70メ
ッシュ以下の部分の材料は、2.5%マグネシウムを用いて850℃で脱酸素さ
れ、実施例1のように酸浸出された。最終製品の試料は分析され、そのデータは
表2に示される。
【0027】
【表1】
【0028】 材料は、ついで次のような方法でプレスされ、コンデンサーを形成された: 粉末はプレス密度で5.5g/ccでプレスされ、径0.1235インチ、長さ
0.1928インチのアノードとされた。プレスされたアノードは1335℃で
10分間、焼結され、つづいてH3 PO4 電解質を用いて30Vでアノード化さ
れた。アノード化されたアノードはキャパシタンス、DCリーク、プレス密度お
よび収縮を試験された。
【0029】 タンタル粉末も300mf10V固体コンデンサを製造するために加工され、固
体コンデンサのDF値が測定された。流動速度は、die fill試験により
測定され、棒の長さの中央の線に沿って等間隔の1/8インチ径の10個の穴を
有するスタンドを有する。die fillの方法は、70%未満の相対温度、
および室温の部屋で行なわれた。金属粉末(この場合、タンタル粉末)40gが
、スタンドの10個の穴を横切るホッパーに入れられ、そこでホッパーがそれら
を横切るにつれて、粉末は穴に流動する。スライド棒がスタンドの下に配置され
、各穴を覆って、粉末がスタンドから落下するのを防止する。流動速度を測定す
るのに4つの試験が伴い、そこではホッパーは、ちょうど2秒通過、4秒通過、
6秒通過および8秒通過を伴って10個の穴を横切り、各通過の間、ホッパーは
開口しているので粉末は10個の穴にわたって流動する。各通過の後に、穴にお
ける粉末の量が秤量され、最後に計算がなされ、流動速度がmg/秒基準で決定さ
れる。
【0030】 表1,2は、製造され試験された各試料の種々のパラメータを示す。表および
図からわかるように、本発明の粉末の流動速度および細孔分布は、非凝集タンタ
ルおよび異なる方法で形成された凝集タンタルよりも意外なほど優れている。
【0031】
【表2】
【0032】
【表3】
【0033】 図1〜4にしめされるように、本発明の方法により凝集された粉末から製造さ
れるアノード試料4,5,7および8は、その他の試料には存在しない、比較的
大きなサイズを有し、さらに他の試料よりもずっと大きい数の大きな細孔を有し
ていた。 したがって、細孔分布は、これらの2つの改良されたパラメータからみて、本
発明の試料がかなり良好であった。これらの改良されたパラメータは、アノード
および他の有利な特性についてのもっと低い散逸ファクター(Dissipat
ion Factor)に関して予測する指標である。
【0034】 本発明の他の態様は、ここで開示される本発明の明細書を考慮して当業者に明
らかであろう。明細書、実施例は単に典型的なものにすぎず、本発明の範囲は請
求項に示される。
【手続補正書】
【提出日】平成12年11月30日(2000.11.30)
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
【手続補正4】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図3
【補正方法】変更
【補正内容】
【図3】
【手続補正5】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図4
【補正方法】変更
【補正内容】
【図4】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,UG,ZW),E A(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ ,TM),AL,AM,AT,AU,AZ,BA,BB ,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CZ,DE, DK,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,G M,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE ,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS, LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN,MW,M X,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE ,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT, UA,UG,UZ,VN,YU,ZW

Claims (50)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 a)揮発もしくは蒸発しやすい液体を、タンタル、ニオブも
    しくは両方を含む粒子と結合して、ぬれた粒子を形成すること; b)ぬれた粒子を圧密化すること; c)ぬれた圧密化粒子を乾燥してケーキを形成すること;および d)ケーキを熱処理すること、 を含むことを特徴とするタンタル、ニオブ粒子もしくは両方を凝集する方法。
  2. 【請求項2】 該圧密化が、容器中で該ぬれた粒子を振動させることにより
    行なわれる請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 該圧密化が、該ぬれた粒子に圧力を加えることにより行なわ
    れる請求項1記載の方法。
  4. 【請求項4】 該液体が水である請求項1記載の方法。
  5. 【請求項5】 該水が脱イオン水である請求項4記載の方法。
  6. 【請求項6】 該圧密化の前に、該粒子が少くとも5時間、液体に浸る請求
    項1記載の方法。
  7. 【請求項7】 該圧密化の前に、該粒子が少くとも8時間、液体に浸る請求
    項1記載の方法。
  8. 【請求項8】 該乾燥が、少くとも10時間行なわれる請求項1記載の方法
  9. 【請求項9】 該乾燥が少くとも14時間行なわれる請求項1記載の方法。
  10. 【請求項10】 該液体が、粒子の約30wt%〜約50wt%の量で存在する
    請求項1記載の方法。
  11. 【請求項11】 該液体が粒子の約40wt%の量で添加される請求項1記載
    の方法。
  12. 【請求項12】 ケーキが熱処理後に凝集を解かれる請求項1記載の方法。
  13. 【請求項13】 該粒子が細孔を有し、該振動の前に、粒子の細孔を実質的
    に液体に充填させるに十分な時間、粒子が液体に浸る、請求項1記載の方法。
  14. 【請求項14】 粒子がタンタル粒子である請求項1記載の方法。
  15. 【請求項15】 粒子がニオブ粒子である請求項1記載の方法。
  16. 【請求項16】 粒子がタンタル粒子を含む請求項1記載の方法。
  17. 【請求項17】 金属粒子がニオブ粒子を含む請求項1記載の方法。
  18. 【請求項18】 液体が水を含む請求項1記載の方法。
  19. 【請求項19】 液体が水およびリン酸を含む請求項1記載の方法。
  20. 【請求項20】 液体が水および約10ppm 〜約100ppm のリンを含む請
    求項1記載の方法。
  21. 【請求項21】 液体が水および無機酸である請求項1記載の方法。
  22. 【請求項22】 液体が粒子の約10wt%〜約50wt%の量で存在する請求
    項1記載の方法。
  23. 【請求項23】 液体が、粒子とともにペーストの粘稠度を形成するような
    量で存在する請求項1記載の方法。
  24. 【請求項24】 さらに、容器が振動されている間に、付加的な揮発もしく
    は蒸発しやすい液体を添加する段階を含む請求項1記載の方法。
  25. 【請求項25】 該乾燥が真空乾燥機内で行なわれる請求項1記載の方法。
  26. 【請求項26】 該乾燥が約82℃〜約107℃(約180°F〜約225
    °F)の温度で行なわれる請求項1記載の方法。
  27. 【請求項27】 該乾燥が約82℃〜約107℃(約180°F〜約225
    °F)の温度および約2.7kPa 〜6.7kPa (約20torr〜約50torr)の真
    空圧で行なわれる請求項1記載の方法。
  28. 【請求項28】 圧密化の前もしくは後に、液体乾燥がぬれた粒子の表面で
    生じる請求項1記載の方法。
  29. 【請求項29】 約0.125ml/cm2 の水が、粒子を含む容器の面積基準
    で、ぬれた粒子の表面で生じる請求項1記載の方法。
  30. 【請求項30】 請求項1記載の方法により得られる凝集粒子。
  31. 【請求項31】 請求項2記載の方法により得られる凝集粒子。
  32. 【請求項32】 請求項3記載の方法により得られる凝集粒子。
  33. 【請求項33】 少くとも約65mg/sec の流動速度および非凝集粒子より
    も大きい細孔径を有する、タンタル、ニオブもしくは両方を含む粒子。
  34. 【請求項34】 該粒子が約100mg/sec の流動速度を有する請求項33
    記載の粒子。
  35. 【請求項35】 該粒子が約150mg/sec の流動速度を有する請求項33
    記載の粒子。
  36. 【請求項36】 該粒子が約175mg/sec の流動速度を有する請求項33
    記載の粒子。
  37. 【請求項37】 該粒子が約200mg/sec の流動速度を有する請求項33
    記載の粒子。
  38. 【請求項38】 該粒子がニオブを含む請求項33記載の粒子。
  39. 【請求項39】 該粒子がタンタルを含む請求項33記載の粒子。
  40. 【請求項40】 該細孔分布が、比較的大きな細孔径に関し、非凝集粒子よ
    りも少くとも10%大きい請求項33記載の粒子。
  41. 【請求項41】 該粒子が球状タンタル粉末である請求項33記載の粒子。
  42. 【請求項42】 該粒子が球状ニオブ粉末である請求項33記載の粒子。
  43. 【請求項43】 該粒子が少くとも約20g/inch3 のスコット密度を有す
    る請求項41記載の粒子。
  44. 【請求項44】 該粒子が約20g/inch3 〜約40g/inch3 のスコット
    密度を有する請求項41記載の粒子。
  45. 【請求項45】 請求項39記載のタンタル粉末からなるコンデンサ要素。
  46. 【請求項46】 請求項38記載のニオブ粉末からなるコンデンサ要素。
  47. 【請求項47】 該要素がコンデンサアノードである請求項45記載のコン
    デンサ要素。
  48. 【請求項48】 該要素がコンデンサアノードである請求項46記載のコン
    デンサ要素。
  49. 【請求項49】 a)揮発もしくは蒸発しやすい液体を金属粒子と結合して
    ぬれた粒子を形成すること; b)ぬれた金属粒子を圧密化すること; c)ぬれた圧密化金属粒子を乾燥してケーキを形成すること;および d)ケーキを熱処理すること、 を含むことを特徴とする金属粒子を凝集する方法。
  50. 【請求項50】 a)揮発もしくは蒸発しやすい液体をぬれた金属粒子を含
    む粒子と結合させること; b)ぬれた粒子を振動すること; c)ぬれた金属粒子を乾燥してケーキを形成すること;および d)ケーキを熱処理すること、 を含む金属粒子を凝集する方法。
JP2000550625A 1998-05-22 1999-05-20 金属粒子を凝集する方法および改良された特性を有する金属粒子 Pending JP2002516385A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8660198P 1998-05-22 1998-05-22
US60/086,601 1998-05-22
PCT/US1999/011149 WO1999061184A1 (en) 1998-05-22 1999-05-20 Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002516385A true JP2002516385A (ja) 2002-06-04

Family

ID=22199654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000550625A Pending JP2002516385A (ja) 1998-05-22 1999-05-20 金属粒子を凝集する方法および改良された特性を有する金属粒子

Country Status (15)

Country Link
US (3) US6576038B1 (ja)
EP (1) EP1087852B1 (ja)
JP (1) JP2002516385A (ja)
KR (1) KR20010052388A (ja)
CN (1) CN1305399B (ja)
AT (1) ATE305352T1 (ja)
AU (1) AU746431B2 (ja)
BR (1) BR9910661A (ja)
CZ (1) CZ303300B6 (ja)
DE (1) DE69927500T2 (ja)
HU (1) HUP0102249A3 (ja)
IL (1) IL139767A0 (ja)
MX (1) MXPA00011481A (ja)
RU (1) RU2226139C2 (ja)
WO (1) WO1999061184A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007504094A (ja) * 2003-05-19 2007-03-01 キャボット コーポレイション ニオブ酸化物及び酸素が低減したニオブ酸化物の製造方法
JP2009510260A (ja) * 2005-09-29 2009-03-12 ニンシア オリエント タンタル インダストリー カンパニー、 リミテッド 金属粒子を球状に造粒し塊成化する方法、これらの方法により調製される金属粒子、これらの金属粒子から製造されるアノード
JP2010536708A (ja) * 2007-08-25 2010-12-02 ニンシア オリエント タンタル インダストリー カンパニー、 リミテッド ニオブ亜酸化物又はニオブの粉末を調製するための方法

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6576038B1 (en) * 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
JP3871824B2 (ja) 1999-02-03 2007-01-24 キャボットスーパーメタル株式会社 高容量コンデンサー用タンタル粉末
US6375704B1 (en) * 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
IL151549A0 (en) 2000-03-01 2003-04-10 Cabot Corp Nitrided valve metals and processes for making the same
JP4697832B2 (ja) * 2000-04-21 2011-06-08 昭和電工株式会社 ニオブ焼結体、その製造方法及びその焼結体を用いたコンデンサ
JP3718412B2 (ja) * 2000-06-01 2005-11-24 キャボットスーパーメタル株式会社 ニオブまたはタンタル粉末およびその製造方法
DE10030387A1 (de) * 2000-06-21 2002-01-03 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
US6652619B2 (en) * 2000-08-10 2003-11-25 Showa Denko K.K. Niobium powder, sintered body thereof, and capacitor using the same
JP2002060803A (ja) * 2000-08-10 2002-02-28 Showa Kyabotto Super Metal Kk 電解コンデンサ用タンタル焼結体の製造方法
JP2002093666A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Showa Denko Kk ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ
EP1433187A4 (en) * 2001-10-01 2007-10-24 Showa Denko Kk SINTERED BODY IN TANTALIUM AND CONDENSER PRODUCED BY MEANS OF SAID FRITTE BODY
JP2004143477A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Cabot Supermetal Kk ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ
US7655214B2 (en) * 2003-02-26 2010-02-02 Cabot Corporation Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods
US7142409B2 (en) * 2003-07-28 2006-11-28 Cabot Corporation Nitrided valve metal material and method of making same
US20060070492A1 (en) * 2004-06-28 2006-04-06 Yongjian Qiu High capacitance tantalum flakes and methods of producing the same
US8814861B2 (en) 2005-05-12 2014-08-26 Innovatech, Llc Electrosurgical electrode and method of manufacturing same
US7147634B2 (en) 2005-05-12 2006-12-12 Orion Industries, Ltd. Electrosurgical electrode and method of manufacturing same
US20060269436A1 (en) * 2005-05-31 2006-11-30 Cabot Corporation Process for heat treating metal powder and products made from the same
CN100339172C (zh) * 2005-09-29 2007-09-26 宁夏东方钽业股份有限公司 球化造粒凝聚金属粉末的方法,金属粉末和电解电容器阳极
GB0622463D0 (en) * 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
CA2661469A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-11 Andre Foucault Leg rehabilitation apparatus
US20100085685A1 (en) * 2008-10-06 2010-04-08 Avx Corporation Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates
US8619410B2 (en) 2010-06-23 2013-12-31 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage applications
US8512422B2 (en) 2010-06-23 2013-08-20 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing an improved manganese oxide electrolyte
US8687347B2 (en) 2011-01-12 2014-04-01 Avx Corporation Planar anode for use in a wet electrolytic capacitor
US9105401B2 (en) 2011-12-02 2015-08-11 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a gelled working electrolyte
CN102806345B (zh) * 2012-04-19 2014-07-09 潘伦桃 钽粉的造粒装置及造粒制造凝聚钽粉的方法
JP5933397B2 (ja) 2012-08-30 2016-06-08 エイヴィーエックス コーポレイション 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ
GB2512486B (en) 2013-03-15 2018-07-18 Avx Corp Wet electrolytic capacitor
GB2512481B (en) 2013-03-15 2018-05-30 Avx Corp Wet electrolytic capacitor for use at high temperatures
US9472350B2 (en) 2013-05-13 2016-10-18 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating
US9892862B2 (en) 2013-05-13 2018-02-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer
GB2517019B (en) 2013-05-13 2018-08-29 Avx Corp Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles
US9312075B1 (en) 2013-09-06 2016-04-12 Greatbatch Ltd. High voltage tantalum anode and method of manufacture
USRE48439E1 (en) 2013-09-06 2021-02-16 Greatbatch Ltd. High voltage tantalum anode and method of manufacture
US9165718B2 (en) 2013-09-16 2015-10-20 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a hydrogen protection layer
US10403444B2 (en) 2013-09-16 2019-09-03 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a composite coating
US9183991B2 (en) 2013-09-16 2015-11-10 Avx Corporation Electro-polymerized coating for a wet electrolytic capacitor
US9236193B2 (en) 2013-10-02 2016-01-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions
CN104884195B (zh) * 2013-12-04 2017-10-27 宁夏东方钽业股份有限公司 一种超高比容钽粉末的团化方法及由该方法制备的钽粉
CA2958043A1 (en) * 2014-08-12 2016-02-18 Global Advanced Metals Usa, Inc. A method of making a capacitor grade powder and capacitor grade powder from said process
CN104493156B (zh) * 2014-12-12 2016-09-14 中国兵器科学研究院宁波分院 纳米钽粉的热处理方法
US9928963B2 (en) 2015-03-13 2018-03-27 Avx Corporation Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly
US9754730B2 (en) 2015-03-13 2017-09-05 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly in cylindrical housing
US10014108B2 (en) 2015-03-13 2018-07-03 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly
US9870869B1 (en) 2016-06-28 2018-01-16 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
US9870868B1 (en) 2016-06-28 2018-01-16 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor for use in a subcutaneous implantable cardioverter-defibrillator
US10315249B2 (en) * 2016-07-29 2019-06-11 United Technologies Corporation Abradable material feedstock and methods and apparatus for manufacture
US20180144874A1 (en) 2016-10-21 2018-05-24 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Tantalum Powder, Anode, And Capacitor Including Same, And Manufacturing Methods Thereof
CN108273989B (zh) * 2017-12-22 2020-01-21 北京机科国创轻量化科学研究院有限公司 一种金属合金微细粉末防结块的高温热处理方法
US11534830B2 (en) * 2017-12-28 2022-12-27 Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd Tantalum powder and preparation method therefor
US20230395329A1 (en) * 2022-06-02 2023-12-07 Kemet Electronics Corporation Method of Producing a Tantalum Capacitor Anode

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1280512B (de) * 1958-09-19 1968-10-17 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von gepressten und gesinterten Werkstuecken aus nicht fliessendem Metallpulver oder Metallpulvergemisch
US3071463A (en) 1960-05-17 1963-01-01 Sylvania Electric Prod Method of producing sintered metal bodies
US3295951A (en) * 1965-02-02 1967-01-03 Nat Res Corp Production of metals
US3397057A (en) 1966-09-26 1968-08-13 Int Nickel Co Method for producing flowable metal powders
JPS5241465B1 (ja) * 1967-10-25 1977-10-18
US3418106A (en) * 1968-01-31 1968-12-24 Fansteel Inc Refractory metal powder
US3473915A (en) * 1968-08-30 1969-10-21 Fansteel Inc Method of making tantalum metal powder
US3635693A (en) * 1969-01-27 1972-01-18 Starck Hermann C Fa Method of producing tantalum or niobium powder from compact bodies
US3992192A (en) * 1974-07-01 1976-11-16 Haig Vartanian Metal powder production
US4009007A (en) * 1975-07-14 1977-02-22 Fansteel Inc. Tantalum powder and method of making the same
US4017302A (en) * 1976-02-04 1977-04-12 Fansteel Inc. Tantalum metal powder
US4141719A (en) * 1977-05-31 1979-02-27 Fansteel Inc. Tantalum metal powder
US4149876A (en) * 1978-06-06 1979-04-17 Fansteel Inc. Process for producing tantalum and columbium powder
SE434958B (sv) 1980-12-08 1984-08-27 Bostroem Olle Forfarande och anordning for att pa en rorlig sugsintringsrost eller i en stationer eller rorlig sugsintringspanna astadkomma en charge med hog permeabilitet och stabil struktur
DE3130392C2 (de) * 1981-07-31 1985-10-17 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden
DE3140248C2 (de) * 1981-10-09 1986-06-19 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verwendung von dotiertem Ventilmetallpulver für die Herstellung von Elektrolytkondensatoranoden
DE3330455A1 (de) * 1983-08-24 1985-03-14 GfE Gesellschaft für Elektrometallurgie mbH, 4000 Düsseldorf Verfahren zur herstellung von ventilmetallpulver fuer elektrolytkondensatoren und dergleichen
JPS60221365A (ja) * 1984-04-13 1985-11-06 住友化学工業株式会社 高強度炭化珪素焼結体の製造法
US4544403A (en) * 1984-11-30 1985-10-01 Fansteel Inc. High charge, low leakage tantalum powders
US4684399A (en) * 1986-03-04 1987-08-04 Cabot Corporation Tantalum powder process
US4722826A (en) * 1986-09-15 1988-02-02 Inco Alloys International, Inc. Production of water atomized powder metallurgy products
US4740238A (en) * 1987-03-26 1988-04-26 Fansteel Inc. Platelet-containing tantalum powders
US4940490A (en) * 1987-11-30 1990-07-10 Cabot Corporation Tantalum powder
US5580367A (en) * 1987-11-30 1996-12-03 Cabot Corporation Flaked tantalum powder and method of using same flaked tantalum powder
US5211741A (en) * 1987-11-30 1993-05-18 Cabot Corporation Flaked tantalum powder
SU1632624A1 (ru) * 1988-05-12 1991-03-07 Всесоюзный научно-исследовательский и проектный институт механической обработки полезных ископаемых "Механобр" Устройство дл переработки материалов
DE3820960A1 (de) * 1988-06-22 1989-12-28 Starck Hermann C Fa Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung
US5242481A (en) * 1989-06-26 1993-09-07 Cabot Corporation Method of making powders and products of tantalum and niobium
US4968481A (en) * 1989-09-28 1990-11-06 V Tech Corporation Tantalum powder with improved capacitor anode processing characteristics
US5082491A (en) * 1989-09-28 1992-01-21 V Tech Corporation Tantalum powder with improved capacitor anode processing characteristics
JP3105294B2 (ja) 1991-04-30 2000-10-30 昭和キャボットスーパーメタル株式会社 タンタル粉末の造粒方法
JPH086122B2 (ja) 1991-06-06 1996-01-24 昭和キャボットスーパーメタル株式会社 タンタル粉末の造粒方法
US5448447A (en) * 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
JPH0897096A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Sutaruku Buitetsuku Kk タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
US5993513A (en) * 1996-04-05 1999-11-30 Cabot Corporation Method for controlling the oxygen content in valve metal materials
US5954856A (en) * 1996-04-25 1999-09-21 Cabot Corporation Method of making tantalum metal powder with controlled size distribution and products made therefrom
US6165623A (en) * 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
CZ300529B6 (cs) * 1997-02-19 2009-06-10 H.C. Starck Gmbh Práškový tantal, zpusob jeho výroby a z nej vyrobené anody a kondezátory
CZ301097B6 (cs) * 1997-02-19 2009-11-04 H.C. Starck Gmbh Tantalový prášek sestávající z aglomerátu, zpusob jeho výroby a z nej získané slinuté anody
FR2773666B1 (fr) 1998-01-19 2000-03-24 Galvelpor Sa Case de maternite destinee a recevoir une femelle et ses petits et un ou plusieurs tapis de sol destines a equiper ladite case
US6171363B1 (en) * 1998-05-06 2001-01-09 H. C. Starck, Inc. Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium
CN1073480C (zh) * 1998-05-08 2001-10-24 宁夏有色金属冶炼厂 团化钽粉的生产方法
US6576038B1 (en) * 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
KR20010113845A (ko) * 1999-03-19 2001-12-28 마싸 앤 피네간 밀링에 의한 니오븀 및 기타 금속 분말의 제조
US6558447B1 (en) * 1999-05-05 2003-05-06 H.C. Starck, Inc. Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium
US6375704B1 (en) * 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
US6563695B1 (en) * 1999-11-16 2003-05-13 Cabot Supermetals K.K. Powdered tantalum, niobium, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the powdered tantalum or niobium
US6432161B1 (en) * 2000-02-08 2002-08-13 Cabot Supermetals K.K. Nitrogen-containing metal powder, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the metal powder
IL151549A0 (en) * 2000-03-01 2003-04-10 Cabot Corp Nitrided valve metals and processes for making the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007504094A (ja) * 2003-05-19 2007-03-01 キャボット コーポレイション ニオブ酸化物及び酸素が低減したニオブ酸化物の製造方法
JP4773355B2 (ja) * 2003-05-19 2011-09-14 キャボット コーポレイション ニオブ酸化物及び酸素が低減したニオブ酸化物の製造方法
JP2009510260A (ja) * 2005-09-29 2009-03-12 ニンシア オリエント タンタル インダストリー カンパニー、 リミテッド 金属粒子を球状に造粒し塊成化する方法、これらの方法により調製される金属粒子、これらの金属粒子から製造されるアノード
JP2010536708A (ja) * 2007-08-25 2010-12-02 ニンシア オリエント タンタル インダストリー カンパニー、 リミテッド ニオブ亜酸化物又はニオブの粉末を調製するための方法

Also Published As

Publication number Publication date
RU2226139C2 (ru) 2004-03-27
CN1305399A (zh) 2001-07-25
MXPA00011481A (es) 2004-12-03
AU4193299A (en) 1999-12-13
US20020033072A1 (en) 2002-03-21
DE69927500D1 (de) 2006-02-09
CZ303300B6 (cs) 2012-07-25
US6576038B1 (en) 2003-06-10
US6479012B2 (en) 2002-11-12
KR20010052388A (ko) 2001-06-25
ATE305352T1 (de) 2005-10-15
US20030115985A1 (en) 2003-06-26
DE69927500T2 (de) 2006-06-22
CZ20004317A3 (cs) 2001-07-11
EP1087852A1 (en) 2001-04-04
WO1999061184A9 (en) 2000-04-13
HUP0102249A3 (en) 2001-11-28
HUP0102249A2 (hu) 2001-10-28
IL139767A0 (en) 2002-02-10
CN1305399B (zh) 2012-12-26
EP1087852B1 (en) 2005-09-28
BR9910661A (pt) 2001-12-11
AU746431B2 (en) 2002-05-02
WO1999061184A1 (en) 1999-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002516385A (ja) 金属粒子を凝集する方法および改良された特性を有する金属粒子
TW539585B (en) Nitrided valve metals and processes for making the same
KR100522066B1 (ko) 탄탈 분말, 그의 제조 방법 및 그로부터 얻어진 소결 양극
KR100964565B1 (ko) 금속 입자의 구형 입상화 및 응집화 방법 및 상기 방법으로제조된 금속 입자, 상기 금속 입자로부터 제조된 애노드
US6689187B2 (en) Tantalum powder for capacitors
US8257463B2 (en) Capacitor anode formed from flake powder
JP5684453B2 (ja) 金属粉末の熱処理方法およびそれにより製造された製品
JP2000509103A (ja) コントロールされたサイズ分布を有するタンタル金属粉末の製造方法とその生産品
PT1334498E (pt) Oxidos de metais de valvula modificados com reduzido teor de oxigenio
EP1137021A1 (en) Sinter of niobium for capacitor, and method of manufacture thereof
JP2003213302A (ja) ニオブ粉、ニオブ焼結体及びニオブ焼結体を用いたコンデンサ
JP5779728B2 (ja) タングステン微粉の製造方法
JPH0234701A (ja) タンタル粉末造粒体
CN103934452B (zh) 一种超高比容钽粉末的团化方法及由该方法制备的钽粉末
JP2002527624A (ja) 鉄粉末組成物
CN104884195B (zh) 一种超高比容钽粉末的团化方法及由该方法制备的钽粉
JPH06315249A (ja) 摺動部材の製造方法
JPS5825401A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム−チタン顆粒粉末の製造方法
Govindaiah et al. Dielectric formation and electrical characterization of sintered tantalum slugs
JPS63138706A (ja) 永久磁石の製造方法
JP2004035989A (ja) ニオブ粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060519

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090421

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090717

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090818