JP2002134926A - ポリマー／セラミック複合電子基板 - Google Patents
ポリマー／セラミック複合電子基板Info
- Publication number
- JP2002134926A JP2002134926A JP2001193284A JP2001193284A JP2002134926A JP 2002134926 A JP2002134926 A JP 2002134926A JP 2001193284 A JP2001193284 A JP 2001193284A JP 2001193284 A JP2001193284 A JP 2001193284A JP 2002134926 A JP2002134926 A JP 2002134926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- composite substrate
- poly
- composite
- surface layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0129—Thermoplastic polymer, e.g. auto-adhesive layer; Shaping of thermoplastic polymer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0141—Liquid crystal polymer [LCP]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/015—Fluoropolymer, e.g. polytetrafluoroethylene [PTFE]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0154—Polyimide
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0212—Resin particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/06—Thermal details
- H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249955—Void-containing component partially impregnated with adjacent component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249955—Void-containing component partially impregnated with adjacent component
- Y10T428/249956—Void-containing component is inorganic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/251—Mica
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/254—Polymeric or resinous material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/259—Silicic material
Abstract
(57)【要約】
【課題】 経済的に製造できる有機無機複合電子基板を
提供すること、比誘電率、インピーダンス、ＣＴＥ、複
屈折性および相互接続応力が低く、パッケージ−カード
信頼性が高い複合電子基板を提供すること、Ｔgが高
く、熱安定性が良好な複合電子基板を提供すること、お
よび吸湿性の低い複合電子基板を提供すること。 【解決手段】 ポリマー材料およびセラミック材料を含
み、比誘電率が４未満、熱膨張率が１００℃で８〜１４
ｐｐｍ／℃である複合電子および／または光基板。この
複合基板は、セラミック充てん材入りポリマー材料また
はポリマー充てん材入りセラミック材料である。
提供すること、比誘電率、インピーダンス、ＣＴＥ、複
屈折性および相互接続応力が低く、パッケージ−カード
信頼性が高い複合電子基板を提供すること、Ｔgが高
く、熱安定性が良好な複合電子基板を提供すること、お
よび吸湿性の低い複合電子基板を提供すること。 【解決手段】 ポリマー材料およびセラミック材料を含
み、比誘電率が４未満、熱膨張率が１００℃で８〜１４
ｐｐｍ／℃である複合電子および／または光基板。この
複合基板は、セラミック充てん材入りポリマー材料また
はポリマー充てん材入りセラミック材料である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高性能電子および
光パッケージング・ソリューション向けのポリマー／セ
ラミック複合相互接続基板に関する。詳細には本発明
は、セラミック充てん材入りポリマーおよびポリマー充
てん材入りセラミックを使用して、比誘電率が低く、シ
リコン・デバイス／基板または基板／プリント回路板の
それに近い熱膨張率（ＣＴＥ）を有するパッケージング
基板とすることによって、チップ−基板間および基板−
カード間相互接続の信頼性を向上させた高熱伝導電気絶
縁基板に関する。
光パッケージング・ソリューション向けのポリマー／セ
ラミック複合相互接続基板に関する。詳細には本発明
は、セラミック充てん材入りポリマーおよびポリマー充
てん材入りセラミックを使用して、比誘電率が低く、シ
リコン・デバイス／基板または基板／プリント回路板の
それに近い熱膨張率（ＣＴＥ）を有するパッケージング
基板とすることによって、チップ−基板間および基板−
カード間相互接続の信頼性を向上させた高熱伝導電気絶
縁基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層相互接続基板は、半導体デバイスの
パッケージングまたはマウンティングに使用される。こ
の基板は、電気絶縁体の働きをする誘電層の間に挟み込
まれた導電体の働きをするパターニングされた金属層を
備えることができる。この基板に、半導体デバイス、コ
ネクタ・リード、キャパシタ、抵抗、カバーなどを取り
付ける端子パッドを設計することができる。埋め込まれ
た導体レベル間の相互接続は、金属を充てんしたバイア
を通して実施することができる。この基板は、さまざま
なセラミックおよびポリマー材料から製造することがで
きる。
パッケージングまたはマウンティングに使用される。こ
の基板は、電気絶縁体の働きをする誘電層の間に挟み込
まれた導電体の働きをするパターニングされた金属層を
備えることができる。この基板に、半導体デバイス、コ
ネクタ・リード、キャパシタ、抵抗、カバーなどを取り
付ける端子パッドを設計することができる。埋め込まれ
た導体レベル間の相互接続は、金属を充てんしたバイア
を通して実施することができる。この基板は、さまざま
なセラミックおよびポリマー材料から製造することがで
きる。
【０００３】高密度半導体デバイスを有するセラミック
基板がピンまたははんだバンプでプリント回路板（ＰＣ
Ｂ）に接続された多層相互接続パッケージング基板に
は、セラミック製のチップ担体またはセラミック基板と
ＰＣＢ材料との間で熱膨張率（ＣＴＥ）が大きく異なる
ことに起因するコンタクト材料間の熱的なミスマッチの
問題があり、このことは、第２のレベルの接合の信頼性
に影響を与える。さらに、このようなセラミック基板の
製造コストは一般に高い。
基板がピンまたははんだバンプでプリント回路板（ＰＣ
Ｂ）に接続された多層相互接続パッケージング基板に
は、セラミック製のチップ担体またはセラミック基板と
ＰＣＢ材料との間で熱膨張率（ＣＴＥ）が大きく異なる
ことに起因するコンタクト材料間の熱的なミスマッチの
問題があり、このことは、第２のレベルの接合の信頼性
に影響を与える。さらに、このようなセラミック基板の
製造コストは一般に高い。
【０００４】プリント回路板材料は一般に、一般にＦＲ
−４難燃性エポキシ−ガラス積層板またはプリプレグで
あるガラス充てん材入りエポキシ樹脂、ポリイミド−ガ
ラス、ＢＴ／Ｅｐｏｘｙ（ビス−マレイミドトリアジン
樹脂）、およびシアン酸エステル樹脂含浸ガラス布から
成る。エポキシ樹脂ベースの従来の回路板材料よりも熱
および電気特性を高めるのに使用可能な、相対的にガラ
ス転移温度（Ｔg）が高く、ＣＴＥが低いその他のＰＣ
Ｂベース材料には、一般に繊維強化ポリエステル、ガラ
ス・マイクロスフェア充てん材入りポリエステルである
強化熱可塑性樹脂；ＧＥＴＥＫ積層板およびプリプレグ
などのＰＰＯ［ポリ（フェニレンオキシド）］／エポキ
シ樹脂ブレンド；マトリックス樹脂としてポリエステル
−イミド、アミド−イミド−エステルまたはアミド−イ
ミドを含むポリイミド−ガラス充てん材複合材料などが
ある。比誘電率の低いポリマー−充てん材複合材料を求
めて、一般にペルフルオロアルキレンから誘導された、
ポリ（テトラフルオロエチレン）（ＰＴＦＥ）、テトラ
フルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンの共重合
体などのフルオロポリマー・ベースの積層材料および関
連材料が広く検討された。ロジャーズ（Rogers）社から
ＲＯ２８００、ＲＯ２５００などの商品名で販売されて
いるものなど、ガラス繊維微粒子で補強されたフルオロ
ポリマーは市販されている。フルオロポリマー・ベース
の複合材料は、比誘電率が低いことが特徴だが、これら
の材料には、寸法安定性がよくない、ガラス転移温度
（Ｔg）が低い、ＣＴＥが高い、金属に対する接着性が
不十分で複雑な接合方式が必要である、熱流動性が高く
レーザ・エッチングを使用したバイア形成プロセスで熱
によるバイアの変形が生じるなどの問題がある。さら
に、フルオロカーボン・ポリマー・ベースの複合マトリ
ックスは、エポキシおよびポリイミド・ベースの絶縁材
料では使用可能なイメージング・オプションであるフォ
トイメージングと両立しない。いくつかの材料はさら
に、熱安定性が不十分であるという欠点を有する（すな
わち約２５０℃以上に加熱すると劣化しはじめる）。
−４難燃性エポキシ−ガラス積層板またはプリプレグで
あるガラス充てん材入りエポキシ樹脂、ポリイミド−ガ
ラス、ＢＴ／Ｅｐｏｘｙ（ビス−マレイミドトリアジン
樹脂）、およびシアン酸エステル樹脂含浸ガラス布から
成る。エポキシ樹脂ベースの従来の回路板材料よりも熱
および電気特性を高めるのに使用可能な、相対的にガラ
ス転移温度（Ｔg）が高く、ＣＴＥが低いその他のＰＣ
Ｂベース材料には、一般に繊維強化ポリエステル、ガラ
ス・マイクロスフェア充てん材入りポリエステルである
強化熱可塑性樹脂；ＧＥＴＥＫ積層板およびプリプレグ
などのＰＰＯ［ポリ（フェニレンオキシド）］／エポキ
シ樹脂ブレンド；マトリックス樹脂としてポリエステル
−イミド、アミド−イミド−エステルまたはアミド−イ
ミドを含むポリイミド−ガラス充てん材複合材料などが
ある。比誘電率の低いポリマー−充てん材複合材料を求
めて、一般にペルフルオロアルキレンから誘導された、
ポリ（テトラフルオロエチレン）（ＰＴＦＥ）、テトラ
フルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンの共重合
体などのフルオロポリマー・ベースの積層材料および関
連材料が広く検討された。ロジャーズ（Rogers）社から
ＲＯ２８００、ＲＯ２５００などの商品名で販売されて
いるものなど、ガラス繊維微粒子で補強されたフルオロ
ポリマーは市販されている。フルオロポリマー・ベース
の複合材料は、比誘電率が低いことが特徴だが、これら
の材料には、寸法安定性がよくない、ガラス転移温度
（Ｔg）が低い、ＣＴＥが高い、金属に対する接着性が
不十分で複雑な接合方式が必要である、熱流動性が高く
レーザ・エッチングを使用したバイア形成プロセスで熱
によるバイアの変形が生じるなどの問題がある。さら
に、フルオロカーボン・ポリマー・ベースの複合マトリ
ックスは、エポキシおよびポリイミド・ベースの絶縁材
料では使用可能なイメージング・オプションであるフォ
トイメージングと両立しない。いくつかの材料はさら
に、熱安定性が不十分であるという欠点を有する（すな
わち約２５０℃以上に加熱すると劣化しはじめる）。
【０００５】ポリマー材料とセラミック材料から成る複
合基板の製造およびその特性の改善の努力は数多い。
合基板の製造およびその特性の改善の努力は数多い。
【０００６】米国特許第５０６１５４８号明細書には、
シラン・カップリング剤で予めコーティングされたセラ
ミック充てん材を含み、多層回路板中でボンド・プライ
として使用される熱流動性のフルオロポリマー複合材料
が記載されている。この明細書の開示は参照によって本
明細書に組み込まれる。米国特許第５２８７６１９号明
細書には、シラン・コーティングされたシリカ充てん材
を含むフルオロポリマー（ＰＴＦＥ）複合材、および、
この複合材の、高密度相互接続デバイスの製造におけ
る、銅と熱可塑性フルオロポリマー複合誘電体から成る
複数の層を使用したアディティブ・プロセスによる多層
ＭＣＭ基板としての使用が記載されている。この明細書
の開示は参照によって本明細書に組み込まれる。ＭＣＭ
基板の層間の相互接続、またはモジュール中にパッケー
ジングされる半導体デバイスへの相互接続には固体Ｃｕ
バイアが使用される。米国特許第５３８４１８１号明細
書には、フェニルシランとフルオロシランのブレンドで
あるシラン・コーティング材料でコーティングされた溶
融アモルファス・シリカ充てん材を含むフルオロポリマ
ー複合材が記載されている。この明細書の開示は参照に
よって本明細書に組み込まれる。以上の特許は、金属へ
の接着性が不十分で、ガラス転移温度が低く、ＣＴＥが
高い（例えば、前記５０６１５４８号明細書の開示によ
れば７０ｐｐｍ／℃）フルオロポリマーに関する。
シラン・カップリング剤で予めコーティングされたセラ
ミック充てん材を含み、多層回路板中でボンド・プライ
として使用される熱流動性のフルオロポリマー複合材料
が記載されている。この明細書の開示は参照によって本
明細書に組み込まれる。米国特許第５２８７６１９号明
細書には、シラン・コーティングされたシリカ充てん材
を含むフルオロポリマー（ＰＴＦＥ）複合材、および、
この複合材の、高密度相互接続デバイスの製造におけ
る、銅と熱可塑性フルオロポリマー複合誘電体から成る
複数の層を使用したアディティブ・プロセスによる多層
ＭＣＭ基板としての使用が記載されている。この明細書
の開示は参照によって本明細書に組み込まれる。ＭＣＭ
基板の層間の相互接続、またはモジュール中にパッケー
ジングされる半導体デバイスへの相互接続には固体Ｃｕ
バイアが使用される。米国特許第５３８４１８１号明細
書には、フェニルシランとフルオロシランのブレンドで
あるシラン・コーティング材料でコーティングされた溶
融アモルファス・シリカ充てん材を含むフルオロポリマ
ー複合材が記載されている。この明細書の開示は参照に
よって本明細書に組み込まれる。以上の特許は、金属へ
の接着性が不十分で、ガラス転移温度が低く、ＣＴＥが
高い（例えば、前記５０６１５４８号明細書の開示によ
れば７０ｐｐｍ／℃）フルオロポリマーに関する。
【０００７】米国特許第５３５８７７５号明細書は、キ
ャパシタに対して低い誘電損、高い比誘電率（Ｋ’＞
４）、高い比誘電率熱係数（ＴＣＫ’）を示すセラミッ
ク粒子充てん材入りフルオロポリマーを含む、比誘電率
が高く（ｋ＞４）、ＣＴＥが比較的に高い（＜３５ｐｐ
ｍ／℃）マイクロ波応用向けの電気基板材料に関する。
この明細書の開示は参照によって本明細書に組み込まれ
る。
ャパシタに対して低い誘電損、高い比誘電率（Ｋ’＞
４）、高い比誘電率熱係数（ＴＣＫ’）を示すセラミッ
ク粒子充てん材入りフルオロポリマーを含む、比誘電率
が高く（ｋ＞４）、ＣＴＥが比較的に高い（＜３５ｐｐ
ｍ／℃）マイクロ波応用向けの電気基板材料に関する。
この明細書の開示は参照によって本明細書に組み込まれ
る。
【０００８】米国特許第５５４１２４９号明細書には、
有機シリコーン・ポリマーで処理した無機または金属充
てん材を、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリカーボネ
ートおよびポリアセタールを含む有機マトリックス樹脂
中に含む、射出成形可能なポリマー−充てん材複合組成
物が開示されている。この明細書の開示は参照によって
本明細書に組み込まれる。使用されるさまざまな無機充
てん材には、窒化シリコン、カーバイド、アルミナ、窒
化アルミニウム、チタニア、ジルコニア、およびこれら
の混合物が含まれ、金属充てん材には、鉄、ステンレス
鋼、クロム合金、ニッケル合金および青銅が含まれる。
この特許は、これらの材料を単に論じているだけであっ
て、これらの材料の応用、またはＣＴＥ、比誘電率など
のそれらの物理性については言及していない。
有機シリコーン・ポリマーで処理した無機または金属充
てん材を、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリカーボネ
ートおよびポリアセタールを含む有機マトリックス樹脂
中に含む、射出成形可能なポリマー−充てん材複合組成
物が開示されている。この明細書の開示は参照によって
本明細書に組み込まれる。使用されるさまざまな無機充
てん材には、窒化シリコン、カーバイド、アルミナ、窒
化アルミニウム、チタニア、ジルコニア、およびこれら
の混合物が含まれ、金属充てん材には、鉄、ステンレス
鋼、クロム合金、ニッケル合金および青銅が含まれる。
この特許は、これらの材料を単に論じているだけであっ
て、これらの材料の応用、またはＣＴＥ、比誘電率など
のそれらの物理性については言及していない。
【０００９】米国特許第５５７１６０９号明細書には、
ブタジエンおよびイソプレンを含むポリブタジエンおよ
びポリイソプレンから成る熱硬化性マトリックス、ガラ
ス織布、セラミック充てん材、難燃剤ならびに過酸化物
硬化開始剤を含む基板材料が開示されている。この明細
書の開示は参照によって本明細書に組み込まれる。この
複合材料は、ｚ方向のＣＴＥが低く、電気性能が改良さ
れているとされる。しかし、このクラスの材料は、引裂
き強度が不十分である、Ｔgが低い、熱安定性が低い、
硬化時間が長い、熱膨張が大きい、使用上限温度が低
い、耐溶剤性が不十分である、光酸化されやすいことな
どの理由から満足のゆくものではない。
ブタジエンおよびイソプレンを含むポリブタジエンおよ
びポリイソプレンから成る熱硬化性マトリックス、ガラ
ス織布、セラミック充てん材、難燃剤ならびに過酸化物
硬化開始剤を含む基板材料が開示されている。この明細
書の開示は参照によって本明細書に組み込まれる。この
複合材料は、ｚ方向のＣＴＥが低く、電気性能が改良さ
れているとされる。しかし、このクラスの材料は、引裂
き強度が不十分である、Ｔgが低い、熱安定性が低い、
硬化時間が長い、熱膨張が大きい、使用上限温度が低
い、耐溶剤性が不十分である、光酸化されやすいことな
どの理由から満足のゆくものではない。
【００１０】米国特許第４８１０５６３号明細書には、
上部および下部金属層、ならびにセラミック充てん材入
りポリアミド−ポリイミド・マトリックス樹脂の絶縁層
を含む多層基板製品が開示されている。この明細書の開
示は参照によって本明細書に組み込まれる。ポリアミド
−ポリイミド層は、エポキシ接合層を用いて相互に接着
される。開示の製品には、ポリ（アミド−イミド）マト
リックスに起因する吸湿性の高さ、熱安定性が低いこと
に関するエポキシ接着層の性能の低さ、パッケージ全体
の特性を不満足なものとする複合材の低いＴgおよび比
較的に高い比誘電率という制約がある。
上部および下部金属層、ならびにセラミック充てん材入
りポリアミド−ポリイミド・マトリックス樹脂の絶縁層
を含む多層基板製品が開示されている。この明細書の開
示は参照によって本明細書に組み込まれる。ポリアミド
−ポリイミド層は、エポキシ接合層を用いて相互に接着
される。開示の製品には、ポリ（アミド−イミド）マト
リックスに起因する吸湿性の高さ、熱安定性が低いこと
に関するエポキシ接着層の性能の低さ、パッケージ全体
の特性を不満足なものとする複合材の低いＴgおよび比
較的に高い比誘電率という制約がある。
【００１１】プラスチック・パッケージング構造では、
集積回路（ＩＣ）デバイスが、無機充てん材で補強され
たポリエポキシド、シアン酸エステル／エポキシ樹脂ブ
レンドなどの熱硬化性結合剤を含む硬化性組成物を使用
して製造された有機基板に接続される。微粒子を充てん
したフルオロポリマー複合積層板など、相互接続構造向
けの低比誘電率熱可塑性複合誘電材料は、ロジャー社
（Roger Corp.）によって販売されている。記載した有
機基板構造向けのその他の低比誘電率積層材料は、フル
オロポリマー積層板に熱硬化性樹脂、一般にシアン酸エ
ステル樹脂を含浸させることによって製造される。
集積回路（ＩＣ）デバイスが、無機充てん材で補強され
たポリエポキシド、シアン酸エステル／エポキシ樹脂ブ
レンドなどの熱硬化性結合剤を含む硬化性組成物を使用
して製造された有機基板に接続される。微粒子を充てん
したフルオロポリマー複合積層板など、相互接続構造向
けの低比誘電率熱可塑性複合誘電材料は、ロジャー社
（Roger Corp.）によって販売されている。記載した有
機基板構造向けのその他の低比誘電率積層材料は、フル
オロポリマー積層板に熱硬化性樹脂、一般にシアン酸エ
ステル樹脂を含浸させることによって製造される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、経済的に製造できる有機無機複合電子基板を提供
することにある。
的は、経済的に製造できる有機無機複合電子基板を提供
することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、比誘電率、インピー
ダンス、ＣＴＥ、複屈折性および相互接続応力が低く、
パッケージ−カード信頼性が高い複合電子基板を提供す
ることにある。
ダンス、ＣＴＥ、複屈折性および相互接続応力が低く、
パッケージ−カード信頼性が高い複合電子基板を提供す
ることにある。
【００１４】本発明の他の目的は、Ｔgが高く、熱安定
性が良好な複合電子基板を提供することにある。
性が良好な複合電子基板を提供することにある。
【００１５】本発明の他の目的は、吸湿性の低い複合電
子基板を提供することにある。
子基板を提供することにある。
【００１６】本発明のこれらの目的およびその他の目的
は、以下の本発明の説明を参照することによっていっそ
う明白となろう。
は、以下の本発明の説明を参照することによっていっそ
う明白となろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、本発明
の第１の態様に基づき、ポリマー材料とセラミック材料
の混合物をそれぞれが含む隣接する複数の層を含み、熱
膨張率が１００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４
未満である、複合電子および／または光基板を提供する
ことによって達成される。
の第１の態様に基づき、ポリマー材料とセラミック材料
の混合物をそれぞれが含む隣接する複数の層を含み、熱
膨張率が１００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４
未満である、複合電子および／または光基板を提供する
ことによって達成される。
【００１８】本発明の第２の態様によれば、ポリマー充
てん材入りセラミック材料をそれぞれが含む複数の層を
含み、熱膨張率が１００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘
電率が４未満である、複合電子および／または光基板が
提供される。
てん材入りセラミック材料をそれぞれが含む複数の層を
含み、熱膨張率が１００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘
電率が４未満である、複合電子および／または光基板が
提供される。
【００１９】本発明の第３の態様によれば、３０〜９０
重量％のポリマー材料および１０〜７０重量％のセラミ
ック材料を有するセラミック充てん材入りポリマー材料
をそれぞれが含む隣接する複数の層を含み、熱膨張率が
１００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４未満であ
る、複合電子または光基板が提供される。
重量％のポリマー材料および１０〜７０重量％のセラミ
ック材料を有するセラミック充てん材入りポリマー材料
をそれぞれが含む隣接する複数の層を含み、熱膨張率が
１００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４未満であ
る、複合電子または光基板が提供される。
【００２０】本発明の第４の態様によれば、複合電子お
よび／または光基板を製造する方法であって、ポリマー
材料とセラミック材料から成る分散物を形成する段階
と、前記分散物を用いて複数の複合グリーン・シートを
形成する段階と、それぞれの前記グリーン・シートにバ
イア・ホールを形成する段階と、それぞれの前記グリー
ン・シートの前記バイア・ホールに金属導体を充てんす
る段階と、それぞれの前記複合グリーン・シートの表面
に金属導体を形成する段階と、前記複数のグリーン・シ
ートを積み重ね、積層して、隣接する複合材料層から成
り、熱膨張率が１００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電
率が４未満である複合電子基板を形成する段階を含む方
法が提供される。
よび／または光基板を製造する方法であって、ポリマー
材料とセラミック材料から成る分散物を形成する段階
と、前記分散物を用いて複数の複合グリーン・シートを
形成する段階と、それぞれの前記グリーン・シートにバ
イア・ホールを形成する段階と、それぞれの前記グリー
ン・シートの前記バイア・ホールに金属導体を充てんす
る段階と、それぞれの前記複合グリーン・シートの表面
に金属導体を形成する段階と、前記複数のグリーン・シ
ートを積み重ね、積層して、隣接する複合材料層から成
り、熱膨張率が１００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電
率が４未満である複合電子基板を形成する段階を含む方
法が提供される。
【００２１】本発明の第５の態様によれば、複合電子ま
たは光基板を製造する方法であって、ポリマー材料とセ
ラミック材料から成る分散物を形成する段階と、前記分
散物を用いて複数の複合グリーン・シートを形成する段
階と、それぞれの前記グリーン・シートにバイア・ホー
ルを形成する段階と、それぞれの前記グリーン・シート
の前記バイア・ホールに金属導体を充てんする段階と、
それぞれの前記グリーン・シートの表面に金属導体を形
成する段階と、前記複数のグリーン・シートを積み重
ね、積層して、複合電子基板積層板を形成する段階と、
前記複合電子基板を加熱して、前記ポリマー材料および
炭素質残留物を熱的に除去する段階と、前記セラミック
材料を部分的に高密度化して、堅い骨格状構造を生成す
る段階と、前記堅い骨格状構造にポリマー材料を少なく
とも部分的に充てんして、熱膨張率が８〜１４ｐｐｍ／
℃、比誘電率が４未満である、複合電子基板を生成する
段階を含む方法が提供される。
たは光基板を製造する方法であって、ポリマー材料とセ
ラミック材料から成る分散物を形成する段階と、前記分
散物を用いて複数の複合グリーン・シートを形成する段
階と、それぞれの前記グリーン・シートにバイア・ホー
ルを形成する段階と、それぞれの前記グリーン・シート
の前記バイア・ホールに金属導体を充てんする段階と、
それぞれの前記グリーン・シートの表面に金属導体を形
成する段階と、前記複数のグリーン・シートを積み重
ね、積層して、複合電子基板積層板を形成する段階と、
前記複合電子基板を加熱して、前記ポリマー材料および
炭素質残留物を熱的に除去する段階と、前記セラミック
材料を部分的に高密度化して、堅い骨格状構造を生成す
る段階と、前記堅い骨格状構造にポリマー材料を少なく
とも部分的に充てんして、熱膨張率が８〜１４ｐｐｍ／
℃、比誘電率が４未満である、複合電子基板を生成する
段階を含む方法が提供される。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明は、ポリマーおよびセラミ
ック材料を含む低比誘電率、低ＣＴＥの複合電子および
／または光基板に関する。具体的には、基板の機能的要
件として、低いＣＴＥ、好ましくは、１００℃でＦＲ−
４ ＰＣＢ（ＣＴＥ １５〜１７ｐｐｍ（ｘ、ｙ方
向）、６０ｐｐｍ（ｚ方向））と半導体デバイス（ＣＴ
Ｅ ３ｐｐｍ）の中間の８〜１４ｐｐｍ／℃のＣＴＥ；
狭い間隔で配置された高密度かつ微細なライン／バイア
を可能にする＜４、好ましくは＜３．５の比誘電率；熱
応力条件下での良好な寸法安定性；改善された第２レベ
ル相互接続信頼性；および大きなダイ・サイズでのパッ
ケージ完全性が含まれる。
ック材料を含む低比誘電率、低ＣＴＥの複合電子および
／または光基板に関する。具体的には、基板の機能的要
件として、低いＣＴＥ、好ましくは、１００℃でＦＲ−
４ ＰＣＢ（ＣＴＥ １５〜１７ｐｐｍ（ｘ、ｙ方
向）、６０ｐｐｍ（ｚ方向））と半導体デバイス（ＣＴ
Ｅ ３ｐｐｍ）の中間の８〜１４ｐｐｍ／℃のＣＴＥ；
狭い間隔で配置された高密度かつ微細なライン／バイア
を可能にする＜４、好ましくは＜３．５の比誘電率；熱
応力条件下での良好な寸法安定性；改善された第２レベ
ル相互接続信頼性；および大きなダイ・サイズでのパッ
ケージ完全性が含まれる。
【００２３】同様に、本発明において有用なポリマー材
料の機能的要件には、低い平面内ＣＴＥ；低い複屈折性
ならびに光学的および機械的等方性；３．５以下の低い
比誘電率；＞３００℃の温度での高い機械的強度および
高い熱安定性；積層板／シート、プリプレグまたは溶液
注型フィルムを形成するオプション；射出成形に適した
低い溶融体粘度；層−層および層−金属接着の信頼性；
ポリマー充てん材複合材料の処理条件下での化学的安定
性；熱−酸性安定性；およびフォトイメージング技法と
の両立性が含まれる。
料の機能的要件には、低い平面内ＣＴＥ；低い複屈折性
ならびに光学的および機械的等方性；３．５以下の低い
比誘電率；＞３００℃の温度での高い機械的強度および
高い熱安定性；積層板／シート、プリプレグまたは溶液
注型フィルムを形成するオプション；射出成形に適した
低い溶融体粘度；層−層および層−金属接着の信頼性；
ポリマー充てん材複合材料の処理条件下での化学的安定
性；熱−酸性安定性；およびフォトイメージング技法と
の両立性が含まれる。
【００２４】本発明の複合基板中で有用な代表的ポリマ
ー材料には、ポリブチレンテレフタラート（ＰＢＴ
Ｐ）、ポリエチレンナフタラート（ＰＥＮ）、ポリアリ
ーレンエーテル、ポリカーボナート／ポリブチレンテレ
フタラート・ブレンドなどの熱可塑性ポリエステル；液
晶ポリマー（ＬＣＰ）ポリエステル、例えばｐ−ヒドロ
キシ安息香酸（ＨＢＡ）／ｐ−ヒドロキシナフトエ酸
（ＨＮＡ）；ＰＢＴＰ−ＬＣＰおよびＰＥＮ−ＬＣＰブ
レンド；ポリメチルメタクリラート（ＰＭＭＡ）；ポリ
（α−メチルスチレン）；ポリビニルブチラール；ＬＣ
Ｐとポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、およびＬＣＰとポ
リエーテルサルホンのブレンド；たわみ性平面鎖状ポリ
イミド；棒状構造の低ＣＴＥポリイミド；フッ化ポリイ
ミドおよびシロキサンポリイミド；熱伝導性ＫＡＰＴＯ
Ｎ（デュポン（Dupont）社商品名）、ＵＰＩＬＥＸ（宇
部興産商品名）などのポリイミド／ポリエステルのフィ
ルム／積層板；ポリイミドとＬＣポリエステルのブレン
ド、Ｂステージ・ガラス強化ポリエステル・シート；ポ
リフェニレンオキシド−エポキシ（ＰＰＯ−エポキシ）
ブレンド（例えばジェネラル・エレクトリック（Genera
l Electric）社のＧＥＴＥＫ積層板）；ポリシクロ−オ
レフィン／ポリノルボルネン（例えばＡＶＡＴＲＥＬ樹
脂（商品名。Ｂ．Ｆ．グッドリッチ社（B.F. Goodrich
Company））；ＳＩＬＫポリマー（ダウ・ケミカル社（D
ow Chemical, Inc.）の商品名）；ビス−ベンゾシクロ
ブテン・ポリマー、例えばＢＣＢ−ＤＶＳ（ＣＹＣＬＯ
ＴＥＮＥ樹脂（商品名。ダウ・ケミカル社）；ポリシル
セスキオキサン；およびシアン酸エステル樹脂、シアン
酸／エポキシおよびＢＴ／エポキシ樹脂、ＢＭＩ樹脂
（ビスマレイミド）などがある。
ー材料には、ポリブチレンテレフタラート（ＰＢＴ
Ｐ）、ポリエチレンナフタラート（ＰＥＮ）、ポリアリ
ーレンエーテル、ポリカーボナート／ポリブチレンテレ
フタラート・ブレンドなどの熱可塑性ポリエステル；液
晶ポリマー（ＬＣＰ）ポリエステル、例えばｐ−ヒドロ
キシ安息香酸（ＨＢＡ）／ｐ−ヒドロキシナフトエ酸
（ＨＮＡ）；ＰＢＴＰ−ＬＣＰおよびＰＥＮ−ＬＣＰブ
レンド；ポリメチルメタクリラート（ＰＭＭＡ）；ポリ
（α−メチルスチレン）；ポリビニルブチラール；ＬＣ
Ｐとポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、およびＬＣＰとポ
リエーテルサルホンのブレンド；たわみ性平面鎖状ポリ
イミド；棒状構造の低ＣＴＥポリイミド；フッ化ポリイ
ミドおよびシロキサンポリイミド；熱伝導性ＫＡＰＴＯ
Ｎ（デュポン（Dupont）社商品名）、ＵＰＩＬＥＸ（宇
部興産商品名）などのポリイミド／ポリエステルのフィ
ルム／積層板；ポリイミドとＬＣポリエステルのブレン
ド、Ｂステージ・ガラス強化ポリエステル・シート；ポ
リフェニレンオキシド−エポキシ（ＰＰＯ−エポキシ）
ブレンド（例えばジェネラル・エレクトリック（Genera
l Electric）社のＧＥＴＥＫ積層板）；ポリシクロ−オ
レフィン／ポリノルボルネン（例えばＡＶＡＴＲＥＬ樹
脂（商品名。Ｂ．Ｆ．グッドリッチ社（B.F. Goodrich
Company））；ＳＩＬＫポリマー（ダウ・ケミカル社（D
ow Chemical, Inc.）の商品名）；ビス−ベンゾシクロ
ブテン・ポリマー、例えばＢＣＢ−ＤＶＳ（ＣＹＣＬＯ
ＴＥＮＥ樹脂（商品名。ダウ・ケミカル社）；ポリシル
セスキオキサン；およびシアン酸エステル樹脂、シアン
酸／エポキシおよびＢＴ／エポキシ樹脂、ＢＭＩ樹脂
（ビスマレイミド）などがある。
【００２５】本発明に基づく複合基板に適したポリマー
材料の１つとして先に挙げたポリイミド材料のうち、特
に好ましいカテゴリーは低ＣＴＥポリイミドであり、こ
れには、ＢＰＤＡ−ＰＤＡ、ＢＰＤＡ−ＯＤＡ、ＰＭＤ
Ａ−ＰＤＡ、および酸無水物またはアミン・セグメン
ト、あるいは酸無水物とアミンの両方にペルフルオロイ
ソプロピリデン官能基を担持する部分フッ化ポリイミド
（例えば、デュポン社のＰｙｒａｌｉｎ ＲＣ２５６
６、ＦＰＩフッ化ポリイミド）、ならびに、それぞれ
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−ヘキサフルオロプロパン（ＢＤＡＦ）と１，２，
３，４−テトラカルボン酸二無水物ないしピロメリト酸
二無水物（ＰＭＤＡ）、ＢＤＡＦとｓｙｍ−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、ＢＤＡＦと３，３’，４，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物から誘
導されたＰＭＤＡ−ＢＤＡＦ、ＢＰＤＡ−ＢＤＡＦ、Ｂ
ＴＤＡ−ＢＤＡＦなどの部分フッ化ポリイミドが含まれ
る。使用することができる非フッ化半たわみ性鎖状ポリ
イミドの例には、ＰＭＤＡ−ＯＤＡ、例えばデュポン社
のＰｙｒａｌｉｎ ＲＣ５８７８ポリアミド酸前駆体ま
たはＫＡＰＴＯＮフィルム、およびＢＰＤＡ−ＯＤＡポ
リアミド酸前駆体溶液または前もってイミド化した対応
するフィルム、例えば宇部興産のＵｐｉｌｅｘ Ｒから
誘導されたものが含まれる。３５０〜４００℃での硬化
後の未充てんポリイミド・フィルムの代表的特性の一般
的な範囲は、Ｔg２６０℃超；比誘電率２．９〜３．
５；Ｅｂ％（破壊時の伸び率）５０〜９０％；弾性率
２．５〜１０ＧＰａ；ＣＴＥ３〜５０ｐｐｍ／℃（１０
０℃）である。本発明の部分フッ化ポリイミドは、自
体、その他のポリマーおよび金属に対する優れた接着性
を有し、したがって、積層板間に接合層の必要なしに積
層板間の接合および自己接合複合積層板に使用すること
ができる。
材料の１つとして先に挙げたポリイミド材料のうち、特
に好ましいカテゴリーは低ＣＴＥポリイミドであり、こ
れには、ＢＰＤＡ−ＰＤＡ、ＢＰＤＡ−ＯＤＡ、ＰＭＤ
Ａ−ＰＤＡ、および酸無水物またはアミン・セグメン
ト、あるいは酸無水物とアミンの両方にペルフルオロイ
ソプロピリデン官能基を担持する部分フッ化ポリイミド
（例えば、デュポン社のＰｙｒａｌｉｎ ＲＣ２５６
６、ＦＰＩフッ化ポリイミド）、ならびに、それぞれ
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−ヘキサフルオロプロパン（ＢＤＡＦ）と１，２，
３，４−テトラカルボン酸二無水物ないしピロメリト酸
二無水物（ＰＭＤＡ）、ＢＤＡＦとｓｙｍ−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、ＢＤＡＦと３，３’，４，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物から誘
導されたＰＭＤＡ−ＢＤＡＦ、ＢＰＤＡ−ＢＤＡＦ、Ｂ
ＴＤＡ−ＢＤＡＦなどの部分フッ化ポリイミドが含まれ
る。使用することができる非フッ化半たわみ性鎖状ポリ
イミドの例には、ＰＭＤＡ−ＯＤＡ、例えばデュポン社
のＰｙｒａｌｉｎ ＲＣ５８７８ポリアミド酸前駆体ま
たはＫＡＰＴＯＮフィルム、およびＢＰＤＡ−ＯＤＡポ
リアミド酸前駆体溶液または前もってイミド化した対応
するフィルム、例えば宇部興産のＵｐｉｌｅｘ Ｒから
誘導されたものが含まれる。３５０〜４００℃での硬化
後の未充てんポリイミド・フィルムの代表的特性の一般
的な範囲は、Ｔg２６０℃超；比誘電率２．９〜３．
５；Ｅｂ％（破壊時の伸び率）５０〜９０％；弾性率
２．５〜１０ＧＰａ；ＣＴＥ３〜５０ｐｐｍ／℃（１０
０℃）である。本発明の部分フッ化ポリイミドは、自
体、その他のポリマーおよび金属に対する優れた接着性
を有し、したがって、積層板間に接合層の必要なしに積
層板間の接合および自己接合複合積層板に使用すること
ができる。
【００２６】本発明に用いる低ＣＴＥポリイミドは、線
状平面または半たわみ性前駆体から誘導されたポリイミ
ドである。このうち好ましいのは、宇部興産からＵＰＩ
ＬＥＸの商品名で販売されているＢＰＤＡ−ＰＤＡ（ｓ
ｙｍ−ビフェニルテトラカルボン酸ジアンヒドリド（Ｂ
ＰＤＡ）−ｐ-フェニレンジアミン（ＰＤＡ））ポリイ
ミドの溶液注型フィルムならびに化学的または熱的に硬
化させた機械延伸積層板である。堅い棒状または半たわ
み性平面分子構造のため、このクラスのポリイミドは、
低平面内ＣＴＥ（１００℃で約５、３００℃で約８ｐｐ
ｍ）、低比誘電率（２．９〜３．１）、高弾性率（８〜
１１ＧＰａ）、高引張強さ（４００〜４５０ＭＰａ）、
低吸湿性（１％未満）、および高Ｔg（＞４００℃）と
いう特別な特性を有する。
状平面または半たわみ性前駆体から誘導されたポリイミ
ドである。このうち好ましいのは、宇部興産からＵＰＩ
ＬＥＸの商品名で販売されているＢＰＤＡ−ＰＤＡ（ｓ
ｙｍ−ビフェニルテトラカルボン酸ジアンヒドリド（Ｂ
ＰＤＡ）−ｐ-フェニレンジアミン（ＰＤＡ））ポリイ
ミドの溶液注型フィルムならびに化学的または熱的に硬
化させた機械延伸積層板である。堅い棒状または半たわ
み性平面分子構造のため、このクラスのポリイミドは、
低平面内ＣＴＥ（１００℃で約５、３００℃で約８ｐｐ
ｍ）、低比誘電率（２．９〜３．１）、高弾性率（８〜
１１ＧＰａ）、高引張強さ（４００〜４５０ＭＰａ）、
低吸湿性（１％未満）、および高Ｔg（＞４００℃）と
いう特別な特性を有する。
【００２７】複合基板用の好ましいセラミック材料は、
低い熱膨張率（好ましくは室温から４００℃までで８ｐ
ｐｍ未満／℃）および低い比誘電率（好ましくは６未
満）を有する。これらのセラミック材料のいくつかは、
電子グレードＳｉＯ2、シリル化シリカ、石英、溶融シ
リカ、Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2（ム
ライト）、ＢｅＯ、５ＳｉＯ2−２Ａｌ2Ｏ3−２ＭｇＯ
（コージエライト）などのＡｌ、ＦｅまたはＭｇのケイ
酸塩、ホウケイ酸ガラスなどのその他のガラス、および
これらの混合物を含むことができる。これらのセラミッ
ク材料の形状は、粉体、繊維、球体、マイクロスフェ
ア、中空球体、フレーク、ウィスカーなどとする。ポリ
マー−充てん材複合材料の等方性、具体的にはｘ、ｙお
よびｚ方向のＣＴＥのためには、粒子形状の充てん材を
使用することが好ましい。
低い熱膨張率（好ましくは室温から４００℃までで８ｐ
ｐｍ未満／℃）および低い比誘電率（好ましくは６未
満）を有する。これらのセラミック材料のいくつかは、
電子グレードＳｉＯ2、シリル化シリカ、石英、溶融シ
リカ、Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2（ム
ライト）、ＢｅＯ、５ＳｉＯ2−２Ａｌ2Ｏ3−２ＭｇＯ
（コージエライト）などのＡｌ、ＦｅまたはＭｇのケイ
酸塩、ホウケイ酸ガラスなどのその他のガラス、および
これらの混合物を含むことができる。これらのセラミッ
ク材料の形状は、粉体、繊維、球体、マイクロスフェ
ア、中空球体、フレーク、ウィスカーなどとする。ポリ
マー−充てん材複合材料の等方性、具体的にはｘ、ｙお
よびｚ方向のＣＴＥのためには、粒子形状の充てん材を
使用することが好ましい。
【００２８】本発明の複合基板は、複数のポリマー−セ
ラミック複合グリーン・シート層を製造し、それらを積
層して複合基板を形成することによって製作することが
できる。複合基板の組立ては並行して、または逐次的に
実施することができる。複合基板は、電子および／また
は光子を伝送する高密度電子金属導体および／または高
密度光導波路を支持するように特に適合された少なくと
も１層の表面層を有することができる。以下に詳細に説
明するとおり、複合基板は、セラミック充てん材入りポ
リマー材料またはポリマー充てん材入りセラミック材料
から製作することができる。まず、前者の構造から説明
する。
ラミック複合グリーン・シート層を製造し、それらを積
層して複合基板を形成することによって製作することが
できる。複合基板の組立ては並行して、または逐次的に
実施することができる。複合基板は、電子および／また
は光子を伝送する高密度電子金属導体および／または高
密度光導波路を支持するように特に適合された少なくと
も１層の表面層を有することができる。以下に詳細に説
明するとおり、複合基板は、セラミック充てん材入りポ
リマー材料またはポリマー充てん材入りセラミック材料
から製作することができる。まず、前者の構造から説明
する。
【００２９】Ｉ．セラミック充てん材入りポリマー基板 標準技法を使用して金属被覆されたセラミック充てん材
入り有機ポリマー複合材料の層および層間相互接続用の
金属バイアとから成る複合基板は、高性能半導体応用向
けの優れたパッケージ構造を提供する。ポリマー−充て
ん材複合材料を、成形可能なまたはシート注型可能な調
合物および積層板／Ｂステージ・プリプレグとして形成
する方法は、当技術分野でよく知られている。本発明の
一実施形態として、セラミック強化ポリイミド複合材を
形成する。これは、ポリアミド酸前駆体溶液中にセラミ
ック充てん材を分散させ、次いで溶剤を除去し、その後
イミド化してポリイミドを形成することにより成形材料
に転化させることによって実施する。適当な温度および
圧力条件下でこの成形粉体を圧縮成形して、複合シート
を形成することができる。あるいは、カーテン・コーテ
ィング、ロール・コーティングなどの従来のコーティン
グ・プロセスによってポリアミド酸−セラミック充てん
材分散物またはスラリを担体シート上で注型し、次いで
溶剤を除去し、任意選択で部分的または完全に硬化さ
せ、担体から取り外して複合プリプレグを得ることもで
きる。セラミック充てん材の含量は、セラミック充てん
材入りポリマー複合材料の１０〜７０重量％であること
が好ましい。
入り有機ポリマー複合材料の層および層間相互接続用の
金属バイアとから成る複合基板は、高性能半導体応用向
けの優れたパッケージ構造を提供する。ポリマー−充て
ん材複合材料を、成形可能なまたはシート注型可能な調
合物および積層板／Ｂステージ・プリプレグとして形成
する方法は、当技術分野でよく知られている。本発明の
一実施形態として、セラミック強化ポリイミド複合材を
形成する。これは、ポリアミド酸前駆体溶液中にセラミ
ック充てん材を分散させ、次いで溶剤を除去し、その後
イミド化してポリイミドを形成することにより成形材料
に転化させることによって実施する。適当な温度および
圧力条件下でこの成形粉体を圧縮成形して、複合シート
を形成することができる。あるいは、カーテン・コーテ
ィング、ロール・コーティングなどの従来のコーティン
グ・プロセスによってポリアミド酸−セラミック充てん
材分散物またはスラリを担体シート上で注型し、次いで
溶剤を除去し、任意選択で部分的または完全に硬化さ
せ、担体から取り外して複合プリプレグを得ることもで
きる。セラミック充てん材の含量は、セラミック充てん
材入りポリマー複合材料の１０〜７０重量％であること
が好ましい。
【００３０】このような複合多層基板には、半導体デバ
イス（１００℃で約３ｐｐｍ／℃）と従来のプリント回
路板（１００℃で約１７〜１８ｐｐｍ／℃）の中間の熱
膨張率を有するという利点がある。この複合基板は、層
間相互接続を提供するために導電性ペーストが充てんさ
れたバイア・ホールを有するセラミック充てん材入りポ
リマー材料の複数の誘電層から成る。代替としてバイア
に、固体金属を充てんすることもできる。
イス（１００℃で約３ｐｐｍ／℃）と従来のプリント回
路板（１００℃で約１７〜１８ｐｐｍ／℃）の中間の熱
膨張率を有するという利点がある。この複合基板は、層
間相互接続を提供するために導電性ペーストが充てんさ
れたバイア・ホールを有するセラミック充てん材入りポ
リマー材料の複数の誘電層から成る。代替としてバイア
に、固体金属を充てんすることもできる。
【００３１】この複合基板は、並行処理した層または逐
次処理した層から製造すること、あるいはこれらの組合
せによって製造することができる。例えば、この複合基
板は、両面に信号層を有する電力コアなどのスタックト
・トライプレート（stackedtriplate）およびコア間の
個々の電力層と並行して構築することができる。次いで
この複合基板に、少なくとも１つの適当な表面層を追加
することができる。あるいは、誘電層および金属導体層
を順番に追加することによってコア構造を形成すること
もできる。次いでこのコアに、少なくとも１つの適当な
表面層を追加する。
次処理した層から製造すること、あるいはこれらの組合
せによって製造することができる。例えば、この複合基
板は、両面に信号層を有する電力コアなどのスタックト
・トライプレート（stackedtriplate）およびコア間の
個々の電力層と並行して構築することができる。次いで
この複合基板に、少なくとも１つの適当な表面層を追加
することができる。あるいは、誘電層および金属導体層
を順番に追加することによってコア構造を形成すること
もできる。次いでこのコアに、少なくとも１つの適当な
表面層を追加する。
【００３２】層間接続用の導電性ペーストに使用する金
属充てん材は例えば、ＣｕまたはＮｉに対する共晶Ｂｉ
／Ｓｎ、Ｉｎ／Ｓｎ、Ｐｂ／Ｓｎ／Ａｇ、Ｉｎ／Ｓｎ、
Ｃｕに対するＰｂ／Ｓｎ、Ｃｕに対するＢｉ／Ｓｎ／Ｐ
ｂ、ＳｎをめっきしたＣｕ、ＢｉをコーティングしたＣ
ｕなど、低融点２元または３元合金を含むＣｕ、Ｎｉ、
ＰｄまたはＡｇ粉である。導電性ペーストは、有機結合
剤、導電性粒子、添加剤を含み、さらにガラス粉などの
無機成分を含むことができるペースト固体総量の６０〜
９０重量％の金属充てん材を含むことができる。表面フ
ィーチャは、高導電率金属（例えばＣｕ）から成り、こ
の層は、Ｎｉ層、続いて半導体デバイスおよびＰＣＢと
はんだ接続するための薄いＡｕめっき層または表面処理
メタラジを有することができる。
属充てん材は例えば、ＣｕまたはＮｉに対する共晶Ｂｉ
／Ｓｎ、Ｉｎ／Ｓｎ、Ｐｂ／Ｓｎ／Ａｇ、Ｉｎ／Ｓｎ、
Ｃｕに対するＰｂ／Ｓｎ、Ｃｕに対するＢｉ／Ｓｎ／Ｐ
ｂ、ＳｎをめっきしたＣｕ、ＢｉをコーティングしたＣ
ｕなど、低融点２元または３元合金を含むＣｕ、Ｎｉ、
ＰｄまたはＡｇ粉である。導電性ペーストは、有機結合
剤、導電性粒子、添加剤を含み、さらにガラス粉などの
無機成分を含むことができるペースト固体総量の６０〜
９０重量％の金属充てん材を含むことができる。表面フ
ィーチャは、高導電率金属（例えばＣｕ）から成り、こ
の層は、Ｎｉ層、続いて半導体デバイスおよびＰＣＢと
はんだ接続するための薄いＡｕめっき層または表面処理
メタラジを有することができる。
【００３３】次に図面、特にセラミック充てん材入りポ
リマー複合基板を形成する図４を参照する。可塑剤、表
面活性剤／分散剤、酸化防止剤、着色剤などの適当な添
加剤を含む溶剤担体中でセラミック充てん材とポリマー
・マトリックスとを混合して、分散物を形成する５２。
上記原料成分を、遊星ミキサ、ボール・ミルまたはロー
ル・ミルを使用した高せん断力混合プロセスで混合し
て、注型用の均一スラリを得る。充てん材のぬれ性およ
び分散安定性のため、一般に、ポリマー結合剤系とブレ
ンドする前に、有機シランまたは有機チタンなどのカッ
プリング剤を用いて充てん材粉体を表面改質することが
望ましい。あるいは、充てん材の表面改質剤を、ポリマ
ー−溶剤ビヒクルおよびその他の添加剤を担持した結合
剤系と混合してから、セラミック充てん材にブレンドす
る。
リマー複合基板を形成する図４を参照する。可塑剤、表
面活性剤／分散剤、酸化防止剤、着色剤などの適当な添
加剤を含む溶剤担体中でセラミック充てん材とポリマー
・マトリックスとを混合して、分散物を形成する５２。
上記原料成分を、遊星ミキサ、ボール・ミルまたはロー
ル・ミルを使用した高せん断力混合プロセスで混合し
て、注型用の均一スラリを得る。充てん材のぬれ性およ
び分散安定性のため、一般に、ポリマー結合剤系とブレ
ンドする前に、有機シランまたは有機チタンなどのカッ
プリング剤を用いて充てん材粉体を表面改質することが
望ましい。あるいは、充てん材の表面改質剤を、ポリマ
ー−溶剤ビヒクルおよびその他の添加剤を担持した結合
剤系と混合してから、セラミック充てん材にブレンドす
る。
【００３４】マトリックス樹脂との相互作用を改善する
ための充てん材粒子の表面改質の一般的な方法は、セラ
ミック粉を、メタノールまたはエタノールに溶解した
０．１〜１．０％（重量％）γ−アミノプロピルトリエ
トキシシランないしＡ−１１００（ユニオン・カーバイ
ド（Union Carbide）社）溶液と混合し、これを室温で
数時間ロール・ミルに掛け、液体を減圧除去し、処理し
た固体を約１００℃で乾燥させることを含む。セラミッ
ク粉を表面改質するその他のシラン・カップリング剤に
は、脂肪族アミン、例えばｎ-プロピルアミンの存在下
での、ビニルジメチルエトキシシラン、ビニルトリアル
コキシシラン、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、
ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＤＶＳ）および関
連材料が含まれる。希望に応じて接着促進剤をペースト
成分に追加することができる。選択するポリマー・マト
リックスが、アルコキシシラン、ビニルアルコキシシラ
ンなどの、セラミック粒子表面に対して親和性を有し、
したがって原位置での表面改質を提供するペンダント官
能基を含むことが好ましい。同様に、有機チタン・カッ
プリング剤を使用して、結合剤系とブレンドする前に充
てん材を表面改質すること、または有機チタン・カップ
リング剤を、セラミック充てん材にプレンドする前の結
合剤系に追加することもできる。シリカ充てん材の改質
に使用される一般的なチタン酸塩には、イソプロピルト
リ（ジオクチルピロホスファート）チタナート、イソプ
ロピルトリ（エチルアミノ−エチルアミノ）チタナー
ト、および関連材料が含まれる。
ための充てん材粒子の表面改質の一般的な方法は、セラ
ミック粉を、メタノールまたはエタノールに溶解した
０．１〜１．０％（重量％）γ−アミノプロピルトリエ
トキシシランないしＡ−１１００（ユニオン・カーバイ
ド（Union Carbide）社）溶液と混合し、これを室温で
数時間ロール・ミルに掛け、液体を減圧除去し、処理し
た固体を約１００℃で乾燥させることを含む。セラミッ
ク粉を表面改質するその他のシラン・カップリング剤に
は、脂肪族アミン、例えばｎ-プロピルアミンの存在下
での、ビニルジメチルエトキシシラン、ビニルトリアル
コキシシラン、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、
ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＤＶＳ）および関
連材料が含まれる。希望に応じて接着促進剤をペースト
成分に追加することができる。選択するポリマー・マト
リックスが、アルコキシシラン、ビニルアルコキシシラ
ンなどの、セラミック粒子表面に対して親和性を有し、
したがって原位置での表面改質を提供するペンダント官
能基を含むことが好ましい。同様に、有機チタン・カッ
プリング剤を使用して、結合剤系とブレンドする前に充
てん材を表面改質すること、または有機チタン・カップ
リング剤を、セラミック充てん材にプレンドする前の結
合剤系に追加することもできる。シリカ充てん材の改質
に使用される一般的なチタン酸塩には、イソプロピルト
リ（ジオクチルピロホスファート）チタナート、イソプ
ロピルトリ（エチルアミノ−エチルアミノ）チタナー
ト、および関連材料が含まれる。
【００３５】このように形成した複合スラリを、一般に
実施されるシート注型プロセスを使用して、一般にＰＥ
Ｔ、ポリエチレンまたはポリプロピレンの裏当て材料で
ある担体上で注型して（グリーン・シートと呼ばれる）
シートまたはプリプレグとする（図４の５４）。あるい
は、複合ポリマー・プリプレグ／シートを、当技術分野
で周知の溶融押出成形または射出成形技法によって形成
してもよい。後者のプロセスでは、容易に到達できる温
度での射出成形に適した溶融体粘度を有する成形粉とし
ての熱可塑性ポリマーと無機充てん材の無溶剤ブレンド
を圧縮成形して積層板とする。スラリ注型シートの場合
には一般に、その後に乾燥操作を実施して、注型シート
中の溶剤を除去する。同様に、溶剤を含むたわみ性鎖状
ポリ（アミド酸）またはポリ（アミド酸エステル）前駆
体溶液にセラミック粒子を充てんし、次いで、溶剤除
去、１００〜２００℃でのイミド化によって成形材料に
転化させ、圧縮成形してＢステージ積層板とする。
実施されるシート注型プロセスを使用して、一般にＰＥ
Ｔ、ポリエチレンまたはポリプロピレンの裏当て材料で
ある担体上で注型して（グリーン・シートと呼ばれる）
シートまたはプリプレグとする（図４の５４）。あるい
は、複合ポリマー・プリプレグ／シートを、当技術分野
で周知の溶融押出成形または射出成形技法によって形成
してもよい。後者のプロセスでは、容易に到達できる温
度での射出成形に適した溶融体粘度を有する成形粉とし
ての熱可塑性ポリマーと無機充てん材の無溶剤ブレンド
を圧縮成形して積層板とする。スラリ注型シートの場合
には一般に、その後に乾燥操作を実施して、注型シート
中の溶剤を除去する。同様に、溶剤を含むたわみ性鎖状
ポリ（アミド酸）またはポリ（アミド酸エステル）前駆
体溶液にセラミック粒子を充てんし、次いで、溶剤除
去、１００〜２００℃でのイミド化によって成形材料に
転化させ、圧縮成形してＢステージ積層板とする。
【００３６】ブランキング操作によって、所望のサイズ
の個々の複合基板層を生成し、位置合せに必要な位置決
め穴をあける。次いで裏当てシートを取り外し、機械パ
ンチング、レーザ・ドリリング、機械ドリリング、ｅビ
ーム加工または化学エッチングによってそれぞれの層に
バイアを形成し（図４の５６）、次いで、導電性金属を
充てんする（図４の５８）。
の個々の複合基板層を生成し、位置合せに必要な位置決
め穴をあける。次いで裏当てシートを取り外し、機械パ
ンチング、レーザ・ドリリング、機械ドリリング、ｅビ
ーム加工または化学エッチングによってそれぞれの層に
バイアを形成し（図４の５６）、次いで、導電性金属を
充てんする（図４の５８）。
【００３７】金属ペーストは、従来の方法で、例えば複
合積層板に接触させた金属マスクを通してペーストをス
クリーン印刷するか、またはペーストをスキージングす
ることによってバイアに充てんすることができる。ある
いは、めっき、サブトラクティブ・エッチングなどの周
知の技法で付着させた固体金属を充てんすることによっ
て、または導電性金属球を機械的に配置することによっ
てバイア・メタラジを形成することもできる。導電性ペ
ーストを使用してバイアを埋めた場合には、金属被覆し
たグリーン・シートを乾燥させる。次いで、従来の多層
セラミック製造技法を使用して、低融点金属充てん材を
用いて調合された導電性ペーストをスクリーン印刷また
は押出成形スクリーニングすることによって、グリーン
・シート層の表面に信号および配線金属被覆パターンを
形成する（図４の６０）。あるいは、信号および配線金
属被覆を、固体金属から（デカル（decal）プロセスな
どによって）形成し、次いで層の表面に移すこともでき
る。
合積層板に接触させた金属マスクを通してペーストをス
クリーン印刷するか、またはペーストをスキージングす
ることによってバイアに充てんすることができる。ある
いは、めっき、サブトラクティブ・エッチングなどの周
知の技法で付着させた固体金属を充てんすることによっ
て、または導電性金属球を機械的に配置することによっ
てバイア・メタラジを形成することもできる。導電性ペ
ーストを使用してバイアを埋めた場合には、金属被覆し
たグリーン・シートを乾燥させる。次いで、従来の多層
セラミック製造技法を使用して、低融点金属充てん材を
用いて調合された導電性ペーストをスクリーン印刷また
は押出成形スクリーニングすることによって、グリーン
・シート層の表面に信号および配線金属被覆パターンを
形成する（図４の６０）。あるいは、信号および配線金
属被覆を、固体金属から（デカル（decal）プロセスな
どによって）形成し、次いで層の表面に移すこともでき
る。
【００３８】金属被覆した層を１００〜２５０℃の加熱
サイクルにかけて、残留溶剤を除去し、かつ樹脂マトリ
ックスを部分的に（Ｂステージ）または完全に硬化させ
る。
サイクルにかけて、残留溶剤を除去し、かつ樹脂マトリ
ックスを部分的に（Ｂステージ）または完全に硬化させ
る。
【００３９】個々の層は検査、すなわち電気的に試験
し、次いで、所望の数の層を位置を合わせて積み重ね
（図４の６２）、このスタックの最上層および最下層の
上に非粘着性の薄いポリマー・シートを置き、油圧単軸
プレスを使用し温度１５０〜３５０℃、圧力２００〜２
０００ｐｓｉで積層して、多層複合相互接続構造を形成
する。続いて、積層した構造をめっきプロセスにかけ、
一般にＮｉ／Ａｕである表面処理金属を無電解プロセス
によって付着させる。
し、次いで、所望の数の層を位置を合わせて積み重ね
（図４の６２）、このスタックの最上層および最下層の
上に非粘着性の薄いポリマー・シートを置き、油圧単軸
プレスを使用し温度１５０〜３５０℃、圧力２００〜２
０００ｐｓｉで積層して、多層複合相互接続構造を形成
する。続いて、積層した構造をめっきプロセスにかけ、
一般にＮｉ／Ａｕである表面処理金属を無電解プロセス
によって付着させる。
【００４０】表面処理の前に、それぞれ電子および／ま
たは光子を伝送する高密度電子金属導体および／または
高密度光導波路を支持するように特に適合された少なく
とも１層の表面層を追加することができる。このような
表面層を、導波路８２（例えば光ファイバ）および／ま
たは８４（例えばオープン・チャネル）を有する表面層
８０として図６に示す。表面層８０の組成は、ポリマー
材料３０〜１００重量％、セラミック７０〜０重量％で
ある。
たは光子を伝送する高密度電子金属導体および／または
高密度光導波路を支持するように特に適合された少なく
とも１層の表面層を追加することができる。このような
表面層を、導波路８２（例えば光ファイバ）および／ま
たは８４（例えばオープン・チャネル）を有する表面層
８０として図６に示す。表面層８０の組成は、ポリマー
材料３０〜１００重量％、セラミック７０〜０重量％で
ある。
【００４１】あるいは、図９に示すように、導波路８２
および／またはチャネル８４を支持するセラミック充て
ん材入りポリマー層９２を形成することもできる。この
実施形態では、チャネル８４が、ポリマー材料層９４で
内張りされなければならない。チャネル８４は未充てん
のままであることに留意されたい。最後に、ポリマー表
面層９６を形成する。
および／またはチャネル８４を支持するセラミック充て
ん材入りポリマー層９２を形成することもできる。この
実施形態では、チャネル８４が、ポリマー材料層９４で
内張りされなければならない。チャネル８４は未充てん
のままであることに留意されたい。最後に、ポリマー表
面層９６を形成する。
【００４２】高密度光導波路およびチャネル用の表面層
８０、１０２およびライナ９４を使用する場合には、表
面層にセラミック充てん材があってはならない。このポ
リマー材料は、光学的に透明な低（光）損失材料でなけ
ればならない。表面層に適した材料の例には、フッ化お
よび過フッ化ポリイミドなどのフッ化ポリマー；フルオ
ロアルキル（メタクリラート）、ペルフルオロ（メタク
リラート）、ＰＭＭＡ、ＰＭＭＡ／ポリスチレン共重合
体などのアルキルメタクリラートの単独重合体／共重合
体などのアクリル・ポリマー；ポリエーテルケトン；ポ
リエステル；およびウレタン−アクリル・ポリマーなど
がある。導波路は、光ファイバ、光伝送用のオープン・
チャネルまたは光導波路とすることができる。光を屈折
させ、導波路の内部に閉じ込めるために誘電材料は、異
なる屈折率を有することが好ましい。
８０、１０２およびライナ９４を使用する場合には、表
面層にセラミック充てん材があってはならない。このポ
リマー材料は、光学的に透明な低（光）損失材料でなけ
ればならない。表面層に適した材料の例には、フッ化お
よび過フッ化ポリイミドなどのフッ化ポリマー；フルオ
ロアルキル（メタクリラート）、ペルフルオロ（メタク
リラート）、ＰＭＭＡ、ＰＭＭＡ／ポリスチレン共重合
体などのアルキルメタクリラートの単独重合体／共重合
体などのアクリル・ポリマー；ポリエーテルケトン；ポ
リエステル；およびウレタン−アクリル・ポリマーなど
がある。導波路は、光ファイバ、光伝送用のオープン・
チャネルまたは光導波路とすることができる。光を屈折
させ、導波路の内部に閉じ込めるために誘電材料は、異
なる屈折率を有することが好ましい。
【００４３】層間接着の完全性が不十分である場合、さ
まざまな処理および使用条件下での層間接着および接合
の完全性のために薄い接着性ポリマー層を使用すること
ができる。ポリイミド・ベースの複合金属被覆層の接合
に使用できる接着剤には例えば、アクリル樹脂、シロキ
サンポリイミド、アセチレン末端ポリイミド、例えばＢ
ＴＤＡ−ＡＰＢ（３，３’，４，４’−テトラカルボン
酸ベンゾフェノンジアンヒドリド／３，３″−ビス−ア
ミノフェノキシベンゼン）ポリイソイミド・オリゴマー
から誘導されたＩＰ−６１０またはＩＰ-６１５ Ｔｈ
ｅｒｍｉｄ−Ｉｓｏｉｍｉｄｅシリーズおよび関連する
６ＦＤＡ−ＡＰＢ誘導体ポリマー（ナショナル・スター
チ（National Starch）社）、ビスベンゾシクロブテ
ン、ジビニルシロキサン−ビスベンゾシクロブテン・ポ
リマー、例えばＤＶＳ−ビス−ＢＣＢポリマー（ＣＹＣ
ＬＯＴＥＮＥ樹脂、ダウ・ケミカル社の商品名）、６Ｆ
ＤＡ−ＯＤＡおよびＢＴＤＡ−ＯＤＡポリアミド酸（デ
ュポン社）、ポリエステル、ポリアルキルアクリラー
ト、低分子量芳香族コポリエステルまたはホモポリエス
テルなどがある。ただしこれらに限定されるわけではな
い。複合層間に挿入されたポリマー接着層は、積層化段
階の温度および圧力条件下で層−層接合を形成する。完
全に硬化させた複合シートの場合には、スプレー・コー
ティング、ロール・コーティングまたは一般に使用され
るその他の表面コーティング技法による接着層の適用前
に、Ｏ2プラズマへの暴露または化学的な手段、例えば
化学エッチングによって表面を活性化することが好まし
い。次いでこの接着コートをベークして、溶剤またはそ
の他の揮発性物質を除去し、かつ部分的に乾燥／硬化さ
せて、Ｂステージに硬化させた非粘着性の表面を形成す
る。次いで先に述べた後続の処理に進み、バイア・パタ
ーンの形成、層の組上げ、積層化および表面処理メタラ
ジの付着を実施して、セラミック充てん材入りポリマー
複合材を含む相互接続構造を形成する。あるいは、この
接着層を、標準技法を市販のアクリル接着剤と同様の標
準技法を使用してバイアのパンチングまたはレーザ・ド
リリングの前に積層によってセラミック充てん材入りポ
リマー複合材層に接合することができる、完全に硬化し
た熱可塑性溶融流動性ポリマー・フィルム、またはＴＥ
ＦＬＯＮ（デュポン社商品名）接合ＫＡＰＴＯＮ（デュ
ポン社商品名）、ボンド−プライ積層板、ＰＹＲＡＬＵ
Ｘ（デュポン社商品名）熱可塑性積層板および関連材料
とすることもできる。
まざまな処理および使用条件下での層間接着および接合
の完全性のために薄い接着性ポリマー層を使用すること
ができる。ポリイミド・ベースの複合金属被覆層の接合
に使用できる接着剤には例えば、アクリル樹脂、シロキ
サンポリイミド、アセチレン末端ポリイミド、例えばＢ
ＴＤＡ−ＡＰＢ（３，３’，４，４’−テトラカルボン
酸ベンゾフェノンジアンヒドリド／３，３″−ビス−ア
ミノフェノキシベンゼン）ポリイソイミド・オリゴマー
から誘導されたＩＰ−６１０またはＩＰ-６１５ Ｔｈ
ｅｒｍｉｄ−Ｉｓｏｉｍｉｄｅシリーズおよび関連する
６ＦＤＡ−ＡＰＢ誘導体ポリマー（ナショナル・スター
チ（National Starch）社）、ビスベンゾシクロブテ
ン、ジビニルシロキサン−ビスベンゾシクロブテン・ポ
リマー、例えばＤＶＳ−ビス−ＢＣＢポリマー（ＣＹＣ
ＬＯＴＥＮＥ樹脂、ダウ・ケミカル社の商品名）、６Ｆ
ＤＡ−ＯＤＡおよびＢＴＤＡ−ＯＤＡポリアミド酸（デ
ュポン社）、ポリエステル、ポリアルキルアクリラー
ト、低分子量芳香族コポリエステルまたはホモポリエス
テルなどがある。ただしこれらに限定されるわけではな
い。複合層間に挿入されたポリマー接着層は、積層化段
階の温度および圧力条件下で層−層接合を形成する。完
全に硬化させた複合シートの場合には、スプレー・コー
ティング、ロール・コーティングまたは一般に使用され
るその他の表面コーティング技法による接着層の適用前
に、Ｏ2プラズマへの暴露または化学的な手段、例えば
化学エッチングによって表面を活性化することが好まし
い。次いでこの接着コートをベークして、溶剤またはそ
の他の揮発性物質を除去し、かつ部分的に乾燥／硬化さ
せて、Ｂステージに硬化させた非粘着性の表面を形成す
る。次いで先に述べた後続の処理に進み、バイア・パタ
ーンの形成、層の組上げ、積層化および表面処理メタラ
ジの付着を実施して、セラミック充てん材入りポリマー
複合材を含む相互接続構造を形成する。あるいは、この
接着層を、標準技法を市販のアクリル接着剤と同様の標
準技法を使用してバイアのパンチングまたはレーザ・ド
リリングの前に積層によってセラミック充てん材入りポ
リマー複合材層に接合することができる、完全に硬化し
た熱可塑性溶融流動性ポリマー・フィルム、またはＴＥ
ＦＬＯＮ（デュポン社商品名）接合ＫＡＰＴＯＮ（デュ
ポン社商品名）、ボンド−プライ積層板、ＰＹＲＡＬＵ
Ｘ（デュポン社商品名）熱可塑性積層板および関連材料
とすることもできる。
【００４４】完成した複合基板１０を図１に示す。複数
のセラミック充てん材入りポリマー材料層１２が互いに
隣接するように積み重ねられ、積層されている。図１に
は示されていないが、層−層接合を提供するため、必要
に応じ任意選択で、これらの層の間に粘着性材料をはさ
み込んでもよい。この粘着性材料は、複合基板に関して
先に述べた特性（ＣＴＥ、比誘電率、Ｔg、熱安定性な
ど）を低下させず、好ましくは特性を補うものを選択し
なければならない。複合基板１０がさらに、バイア１４
および配線１６を備えるとより好ましい。
のセラミック充てん材入りポリマー材料層１２が互いに
隣接するように積み重ねられ、積層されている。図１に
は示されていないが、層−層接合を提供するため、必要
に応じ任意選択で、これらの層の間に粘着性材料をはさ
み込んでもよい。この粘着性材料は、複合基板に関して
先に述べた特性（ＣＴＥ、比誘電率、Ｔg、熱安定性な
ど）を低下させず、好ましくは特性を補うものを選択し
なければならない。複合基板１０がさらに、バイア１４
および配線１６を備えるとより好ましい。
【００４５】この複合基板はこの時点で、半導体デバイ
スをＰＣＢに結合および相互接続するのに使用すること
ができる。アンダーフィルの有無にかかわらず半導体の
結合には、従来のエリア・アレイ相互接続を使用するこ
とができる。ＰＣＢへの接続は、ボール・グリッド・ア
レイ（ＢＧＡ）、ランド・グリッド・アレイ（ＬＧ
Ａ）、プラジャブル・インターコネクションなど、従来
の表面実装技術を使用して実施することができる。開示
の構造およびプロセスの利点としては、低コスト；寸法
制御性；低比誘電率；低インピーダンス；より薄い高周
波誘電層に対するフィーチャ・サイズの均一性；小さな
フィーチャ・サイズを処理する能力；ならびにＣＴＥ、
比誘電率、タフネス、熱および熱酸化安定性、望ましい
電気的および機械的特性などの製品属性を調節する能力
などが挙げられる。
スをＰＣＢに結合および相互接続するのに使用すること
ができる。アンダーフィルの有無にかかわらず半導体の
結合には、従来のエリア・アレイ相互接続を使用するこ
とができる。ＰＣＢへの接続は、ボール・グリッド・ア
レイ（ＢＧＡ）、ランド・グリッド・アレイ（ＬＧ
Ａ）、プラジャブル・インターコネクションなど、従来
の表面実装技術を使用して実施することができる。開示
の構造およびプロセスの利点としては、低コスト；寸法
制御性；低比誘電率；低インピーダンス；より薄い高周
波誘電層に対するフィーチャ・サイズの均一性；小さな
フィーチャ・サイズを処理する能力；ならびにＣＴＥ、
比誘電率、タフネス、熱および熱酸化安定性、望ましい
電気的および機械的特性などの製品属性を調節する能力
などが挙げられる。
【００４６】ＩＩ．ポリマー充てん材入りセラミック基
板 本発明に基づく第２の実施形態は、低比誘電率、低ＣＴ
Ｅ、低吸湿性の有機または有機金属ポリマー絶縁体で表
面シールまたはバルク充てんされた部分高密度化セラミ
ック・マトリックスと金属導体とを備える。この構造
は、溶剤ビヒクル中にセラミック充てん材およびポリマ
ー結合剤系を含むグリーン・シート・スラリを調製し、
担体上でシート注型し、溶剤を揮発させてグリーン・シ
ートを形成することを含む、多層セラミック（ＭＬＣ）
タイプのプロセスを使用して製造することができる。溶
剤を除去するための乾燥操作およびブランキング操作の
後、機械パンチング、レーザ・ドリリング、機械ドリリ
ング、ｅビーム機械加工または化学エッチングによって
個々の層をパターニングして、バイアを画定する。バイ
ア・パンチング以降の段階には、スクリーンオン金属ペ
ーストを使用した個別化、乾燥、スクリーニングした個
々のシートの検査、スタッキングおよび位置合せ、積層
化、結合剤のバーンオフ、金属の高密度化、および高温
にかけることによるセラミックの部分的焼結が含まれ、
これによってビスク焼成された（bisquefired）堅い
「ネックド（necked）」骨格状網目構造または多孔質セ
ラミック体を得る。次いでこの構造を、有機または有機
金属ポリマー溶液あるいは無溶剤重合可能反応性モノマ
ー／オリゴマー組成物で処理して、これらが、スキン状
表面シールを形成するか、またはバルク・マトリックス
孔隙を埋めるようにする。溶剤を除去するための次の熱
処理および硬化または重合によって、ポリマーでカプセ
ル化された構造を得る。その後の処理は、パッド・メタ
ラジの付着、電気試験、半導体デバイスの接合、モジュ
ールの電気試験およびＰＣＢの接続である。
板 本発明に基づく第２の実施形態は、低比誘電率、低ＣＴ
Ｅ、低吸湿性の有機または有機金属ポリマー絶縁体で表
面シールまたはバルク充てんされた部分高密度化セラミ
ック・マトリックスと金属導体とを備える。この構造
は、溶剤ビヒクル中にセラミック充てん材およびポリマ
ー結合剤系を含むグリーン・シート・スラリを調製し、
担体上でシート注型し、溶剤を揮発させてグリーン・シ
ートを形成することを含む、多層セラミック（ＭＬＣ）
タイプのプロセスを使用して製造することができる。溶
剤を除去するための乾燥操作およびブランキング操作の
後、機械パンチング、レーザ・ドリリング、機械ドリリ
ング、ｅビーム機械加工または化学エッチングによって
個々の層をパターニングして、バイアを画定する。バイ
ア・パンチング以降の段階には、スクリーンオン金属ペ
ーストを使用した個別化、乾燥、スクリーニングした個
々のシートの検査、スタッキングおよび位置合せ、積層
化、結合剤のバーンオフ、金属の高密度化、および高温
にかけることによるセラミックの部分的焼結が含まれ、
これによってビスク焼成された（bisquefired）堅い
「ネックド（necked）」骨格状網目構造または多孔質セ
ラミック体を得る。次いでこの構造を、有機または有機
金属ポリマー溶液あるいは無溶剤重合可能反応性モノマ
ー／オリゴマー組成物で処理して、これらが、スキン状
表面シールを形成するか、またはバルク・マトリックス
孔隙を埋めるようにする。溶剤を除去するための次の熱
処理および硬化または重合によって、ポリマーでカプセ
ル化された構造を得る。その後の処理は、パッド・メタ
ラジの付着、電気試験、半導体デバイスの接合、モジュ
ールの電気試験およびＰＣＢの接続である。
【００４７】金属被覆セラミック複合体に対するポリマ
ー充てん材の割合は、セラミック中の孔隙の量、バルク
孔隙を埋めるのか、または表面領域だけをシールしてカ
プセル化するかの選択、および金属パターンの密度によ
って決まる。
ー充てん材の割合は、セラミック中の孔隙の量、バルク
孔隙を埋めるのか、または表面領域だけをシールしてカ
プセル化するかの選択、および金属パターンの密度によ
って決まる。
【００４８】ポリマー充てん材入りセラミック構造用の
グリーン・シート・スラリを形成する好ましいポリマー
は、結合剤バーンオフ加熱サイクルで従来どおりに３０
０〜４００℃に加熱したときに揮発するモノマー化学種
に実質上完全に解重合するポリマー、あるいはモノマー
／オリゴマー化学種に熱分解するポリマーである。この
目的に適したさまざまなポリマーには、ポリ（アルキル
メタクリラート）、好ましくはＰＭＭＡ［ポリ（メチル
メタクリラート）］、ＰＭＭＡ−ポリ−ｎ−ブチルメタ
クリラート共重合体、ポリ（ｔ−ブチルメタクリラー
ト）、ＰαＭＳ［ポリ（α−メチルスチレン）］、ポリ
ビニルブチラール、ポリ（プロピレンオキシド）、ＰＩ
Ｂ［ポリ（イソブチレン）］、ＰＭＭＡ−ＰＩＢブレン
ドなどがある。これらは４００℃未満の温度で容易に解
重合する。
グリーン・シート・スラリを形成する好ましいポリマー
は、結合剤バーンオフ加熱サイクルで従来どおりに３０
０〜４００℃に加熱したときに揮発するモノマー化学種
に実質上完全に解重合するポリマー、あるいはモノマー
／オリゴマー化学種に熱分解するポリマーである。この
目的に適したさまざまなポリマーには、ポリ（アルキル
メタクリラート）、好ましくはＰＭＭＡ［ポリ（メチル
メタクリラート）］、ＰＭＭＡ−ポリ−ｎ−ブチルメタ
クリラート共重合体、ポリ（ｔ−ブチルメタクリラー
ト）、ＰαＭＳ［ポリ（α−メチルスチレン）］、ポリ
ビニルブチラール、ポリ（プロピレンオキシド）、ＰＩ
Ｂ［ポリ（イソブチレン）］、ＰＭＭＡ−ＰＩＢブレン
ドなどがある。これらは４００℃未満の温度で容易に解
重合する。
【００４９】バイア充てん用の導電性金属ペーストは、
Ａｕ、Ａｕ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合
物、ＡｇをめっきしたＣｕ、ＡｕをめっきしたＮｉなど
の金属粉および任意選択でガラス・フリットなどの無機
微粒子を、３５０〜４５０℃未満の温度で容易に除去す
ることができるポリマー結合剤系中に含むことができ
る。この混合物をロール・ミル中で粉砕して、均一なペ
ーストを形成する。
Ａｕ、Ａｕ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合
物、ＡｇをめっきしたＣｕ、ＡｕをめっきしたＮｉなど
の金属粉および任意選択でガラス・フリットなどの無機
微粒子を、３５０〜４５０℃未満の温度で容易に除去す
ることができるポリマー結合剤系中に含むことができ
る。この混合物をロール・ミル中で粉砕して、均一なペ
ーストを形成する。
【００５０】表面層上にポリマー・シールを提供する、
すなわち表面層をカプセル化するため、あるいは基板の
バルク中の孔隙領域を埋めるために、この構造を、無溶
剤または溶剤担持ポリマーまたはプレポリマー溶液、好
ましくは無溶剤反応性オリゴマー組成物で処理して、セ
ラミックの網目構造中の多孔領域間に流入させる。例え
ば、ＢＣＢ樹脂溶液またはジビニルシロキサン−ビス−
ベンゾシクロブテン（ＤＶＳ−ＢＣＢ）プリポリマー溶
液（ＣＹＣＬＯＴＥＮＥ樹脂、ダウ・ケミカル社）を基
板の上に複数回塗布し、塗布と塗布の間に１００〜１５
０℃に加熱して、それぞれの塗布の後に溶剤または低分
子量化学種をゆっくりと除去し、最後に３５０℃のプロ
グラムド・オーブンまたは炉中で硬化させ、セラミック
・バルク孔隙を内部に封入した熱に安定な耐溶剤性ポリ
マー・マトリックスを形成する。溶剤中で部分的に重合
した（Ｂステージ）樹脂としてＢＣＢポリマーが使用可
能である。この硬化した橋かけポリマーはいくつかの利
点を有する。具体的には、比誘電率が低く（１ｋＨｚ〜
１ＭＨｚで２．６５）、誘電正接が低く（１ｋＨｚで＜
０．０００８）、完全に橋かけしたときに耐溶剤性であ
り、高い熱安定性が高く、吸湿性が低い。高固形分溶液
として得ることができ、ＢＣＢ溶液と同様に塗布するこ
とができ、４００℃までの温度でベークして、セラミッ
ク骨格状網目構造中に橋かけされた絶縁マトリックスを
形成することができるその他の低粘性材料、例えばＳＩ
ＬＫポリマー、ポリアリーレンエーテル、ポリ（メチル
シルセスキオキサン）などの橋かけ可能な低分子量ポリ
オルガノシランも、セラミック孔隙を充てんするのに使
用することができる。
すなわち表面層をカプセル化するため、あるいは基板の
バルク中の孔隙領域を埋めるために、この構造を、無溶
剤または溶剤担持ポリマーまたはプレポリマー溶液、好
ましくは無溶剤反応性オリゴマー組成物で処理して、セ
ラミックの網目構造中の多孔領域間に流入させる。例え
ば、ＢＣＢ樹脂溶液またはジビニルシロキサン−ビス−
ベンゾシクロブテン（ＤＶＳ−ＢＣＢ）プリポリマー溶
液（ＣＹＣＬＯＴＥＮＥ樹脂、ダウ・ケミカル社）を基
板の上に複数回塗布し、塗布と塗布の間に１００〜１５
０℃に加熱して、それぞれの塗布の後に溶剤または低分
子量化学種をゆっくりと除去し、最後に３５０℃のプロ
グラムド・オーブンまたは炉中で硬化させ、セラミック
・バルク孔隙を内部に封入した熱に安定な耐溶剤性ポリ
マー・マトリックスを形成する。溶剤中で部分的に重合
した（Ｂステージ）樹脂としてＢＣＢポリマーが使用可
能である。この硬化した橋かけポリマーはいくつかの利
点を有する。具体的には、比誘電率が低く（１ｋＨｚ〜
１ＭＨｚで２．６５）、誘電正接が低く（１ｋＨｚで＜
０．０００８）、完全に橋かけしたときに耐溶剤性であ
り、高い熱安定性が高く、吸湿性が低い。高固形分溶液
として得ることができ、ＢＣＢ溶液と同様に塗布するこ
とができ、４００℃までの温度でベークして、セラミッ
ク骨格状網目構造中に橋かけされた絶縁マトリックスを
形成することができるその他の低粘性材料、例えばＳＩ
ＬＫポリマー、ポリアリーレンエーテル、ポリ（メチル
シルセスキオキサン）などの橋かけ可能な低分子量ポリ
オルガノシランも、セラミック孔隙を充てんするのに使
用することができる。
【００５１】焼結後の表面シールまたはネックド・セラ
ミック・バルク中へのバルク含浸に使用することができ
る熱硬化性ポリマー系のその他の例には、Ｔｈｅｒｍｉ
ｄ−Ｉｓｏｉｍｉｄｅシリーズの材料、例えばＩＰ−６
１０または６１５オリゴマーなどのアセチレン末端ポリ
イミド；低ＣＴＥポリイミド、例えばＢＰＤＡ−ＰＤ
Ａ、ＢＰＤＡ−ＯＤＡ）；ビス−マレイミド−トリアジ
ン樹脂（ＢＴ樹脂）、シアン酸エステル−エポキシ・ブ
レンド、ＰＮＤＡ−ＯＤＡアミドエチルエステル、ＢＰ
ＤＡ−ＰＤＡアミドエチルエステルなどのポリ（アミド
エチルエステル）、および関連材料などがある。
ミック・バルク中へのバルク含浸に使用することができ
る熱硬化性ポリマー系のその他の例には、Ｔｈｅｒｍｉ
ｄ−Ｉｓｏｉｍｉｄｅシリーズの材料、例えばＩＰ−６
１０または６１５オリゴマーなどのアセチレン末端ポリ
イミド；低ＣＴＥポリイミド、例えばＢＰＤＡ−ＰＤ
Ａ、ＢＰＤＡ−ＯＤＡ）；ビス−マレイミド−トリアジ
ン樹脂（ＢＴ樹脂）、シアン酸エステル−エポキシ・ブ
レンド、ＰＮＤＡ−ＯＤＡアミドエチルエステル、ＢＰ
ＤＡ−ＰＤＡアミドエチルエステルなどのポリ（アミド
エチルエステル）、および関連材料などがある。
【００５２】「ネックド」セラミック構造の表面シール
は、高粘度ポリマーを塗布し、高温で硬化させることに
よっても実施することができる。例えば、基板を、ＮＭ
Ｐに約２０％の固体を溶かしたＢＴＤＡ−ＯＤＡ、ＢＰ
ＤＡ−ＯＤＡ、ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタ
ル酸無水物（６ＦＤＡ）−オキシジアニリン（ＯＤＡ）
（６ＦＤＡ-ＯＤＡ）（ＲＣ２５６６、デュポン社商品
名）などの部分フッ化ポリアミド酸またはポリ（アミド
酸エステル）などのポリイミド組成物を用いたスプレ
ー、浸漬またはその他の液体塗布法によって処理し、Ｎ
2パージしたプログラムド・オーブンまたは炉を使用し
てベークし／硬化させる。一般的な温度プロファイルは
以下のようなものである。約７０〜８０℃から開始し、
その後、２〜４℃／分の温度勾配を使用して、１５０
℃、２１０〜２４０℃、３００℃まで加温し、それぞれ
の温度で約２０分間その温度を維持し、最後に３５０〜
３７５℃で４５〜６０分間硬化させ、少なくとも７０〜
８０℃までゆっくりと冷却してから、部品を取り出す。
表面層だけでなくバルク中への浸透を増大させるために
ポリイミド溶液を複数回塗布することもできる。この場
合には、各回の塗布後にポリマーを１５０℃の中間ベー
クにかけ、室温まで冷却してから、次のコーティングを
塗布することが好ましい。最後の塗布の後、３５０〜３
７５℃の完全硬化温度プロファイルにかける。
は、高粘度ポリマーを塗布し、高温で硬化させることに
よっても実施することができる。例えば、基板を、ＮＭ
Ｐに約２０％の固体を溶かしたＢＴＤＡ−ＯＤＡ、ＢＰ
ＤＡ−ＯＤＡ、ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタ
ル酸無水物（６ＦＤＡ）−オキシジアニリン（ＯＤＡ）
（６ＦＤＡ-ＯＤＡ）（ＲＣ２５６６、デュポン社商品
名）などの部分フッ化ポリアミド酸またはポリ（アミド
酸エステル）などのポリイミド組成物を用いたスプレ
ー、浸漬またはその他の液体塗布法によって処理し、Ｎ
2パージしたプログラムド・オーブンまたは炉を使用し
てベークし／硬化させる。一般的な温度プロファイルは
以下のようなものである。約７０〜８０℃から開始し、
その後、２〜４℃／分の温度勾配を使用して、１５０
℃、２１０〜２４０℃、３００℃まで加温し、それぞれ
の温度で約２０分間その温度を維持し、最後に３５０〜
３７５℃で４５〜６０分間硬化させ、少なくとも７０〜
８０℃までゆっくりと冷却してから、部品を取り出す。
表面層だけでなくバルク中への浸透を増大させるために
ポリイミド溶液を複数回塗布することもできる。この場
合には、各回の塗布後にポリマーを１５０℃の中間ベー
クにかけ、室温まで冷却してから、次のコーティングを
塗布することが好ましい。最後の塗布の後、３５０〜３
７５℃の完全硬化温度プロファイルにかける。
【００５３】次に図２を参照すると、本発明の第２の実
施形態が開示されている。複合基板２０は、ポリマー材
料３０が充てんされた孔隙２８を有する複数のセラミッ
ク層２２を含む。孔隙２８は複合基板２０を通して連続
しており、そのため、ポリマー材料３０は、全ての孔隙
２８中に浸透することができる。複合基板２０がさら
に、バイア２４および配線２６を備えることが好まし
い。
施形態が開示されている。複合基板２０は、ポリマー材
料３０が充てんされた孔隙２８を有する複数のセラミッ
ク層２２を含む。孔隙２８は複合基板２０を通して連続
しており、そのため、ポリマー材料３０は、全ての孔隙
２８中に浸透することができる。複合基板２０がさら
に、バイア２４および配線２６を備えることが好まし
い。
【００５４】本発明の第２の実施形態の変形を図３に示
す。ここでは、複合基板２０’が、孔隙２８を含むセラ
ミック層２２を有する。しかし、複合基板２０’の場合
には、ポリマー材料３２が複合基板２０’の外側をシー
ルし、複合基板２０’中には部分的にしか浸透しない。
これにより、大部分の孔隙２８はポリマー材料３２を含
まない。ポリマー材料３２は領域３４から除去される
か、または領域３４に付着しないように塗布され、その
ため、半導体デバイス（図示せず）またはＰＣＢ（図示
せず）への電気接続を実施することができる。
す。ここでは、複合基板２０’が、孔隙２８を含むセラ
ミック層２２を有する。しかし、複合基板２０’の場合
には、ポリマー材料３２が複合基板２０’の外側をシー
ルし、複合基板２０’中には部分的にしか浸透しない。
これにより、大部分の孔隙２８はポリマー材料３２を含
まない。ポリマー材料３２は領域３４から除去される
か、または領域３４に付着しないように塗布され、その
ため、半導体デバイス（図示せず）またはＰＣＢ（図示
せず）への電気接続を実施することができる。
【００５５】次に図５を参照して、本発明の第２の実施
形態を実施する方法について論じる。可塑剤、界面活性
剤／分散剤、酸化防止剤、着色剤などの適当な添加剤を
含む溶剤担体中でセラミック材料をポリマー結合剤材料
と混合して、グリーン・シート・スラリとしても知られ
る分散物６３を形成する。上記原料成分を、遊星ミキ
サ、ボール・ミルまたはロール・ミルを使用した高せん
断力混合プロセスで混合して、注型用の均一スラリを得
る。ポリマー結合剤系に対する充てん材のぬれ性および
分散安定性のため、一般に、ポリマーとブレンドする前
に、有機シランまたは有機チタンなどのカップリング剤
を用いてセラミック材料を表面改質することが望まし
い。あるいは、粒子表面改質剤を有機結合剤系と混合
し、次いでセラミック材料をブレンドして、複合材スラ
リを形成してもよい。ポリマー結合剤は、先に述べたよ
うに解重合するものを選択する。
形態を実施する方法について論じる。可塑剤、界面活性
剤／分散剤、酸化防止剤、着色剤などの適当な添加剤を
含む溶剤担体中でセラミック材料をポリマー結合剤材料
と混合して、グリーン・シート・スラリとしても知られ
る分散物６３を形成する。上記原料成分を、遊星ミキ
サ、ボール・ミルまたはロール・ミルを使用した高せん
断力混合プロセスで混合して、注型用の均一スラリを得
る。ポリマー結合剤系に対する充てん材のぬれ性および
分散安定性のため、一般に、ポリマーとブレンドする前
に、有機シランまたは有機チタンなどのカップリング剤
を用いてセラミック材料を表面改質することが望まし
い。あるいは、粒子表面改質剤を有機結合剤系と混合
し、次いでセラミック材料をブレンドして、複合材スラ
リを形成してもよい。ポリマー結合剤は、先に述べたよ
うに解重合するものを選択する。
【００５６】このように形成した複合スラリを、シート
注型法を使用して、一般にＰＥＴ、ポリエチレンまたは
ポリプロピレンである担体上で注型し、（グリーン・シ
ートと呼ばれる）シートとする（図５の６４）。注型し
たシート中の溶剤を除去する乾燥操作の後、ブランキン
グ操作によって、所望のサイズの個々の複合基板層を生
成し、次いで位置合せに必要な位置決め穴をあける。
注型法を使用して、一般にＰＥＴ、ポリエチレンまたは
ポリプロピレンである担体上で注型し、（グリーン・シ
ートと呼ばれる）シートとする（図５の６４）。注型し
たシート中の溶剤を除去する乾燥操作の後、ブランキン
グ操作によって、所望のサイズの個々の複合基板層を生
成し、次いで位置合せに必要な位置決め穴をあける。
【００５７】次に裏当てシート材料を取り外し、機械パ
ンチング、レーザ・ドリリングまたは化学エッチングに
よってそれぞれの層にバイアを形成し（図５の６６）、
次いでバイアに導電性金属を充てんする（図５の６
８）。バイアには、従来どおり金属ペーストを充てんす
ることができる。あるいは、バイア・メタラジを、めっ
き、サブトラクティブ・エッチングなどの周知の技法で
付着させた固体金属を充てんすることによって、あるい
は例えば金属球を加圧成形することによって成形または
挿入した導電性金属元素を機械的に配置することによっ
て形成することもできる。導電性ペーストを使用してバ
イアに充てんを実施する場合には、揮発性物質を除去す
るためにグリーン・シートを乾燥させる。次いで、従来
の多層セラミック製造技法を使用して、金属充てん材を
用いて調合された導電性ペーストをスクリーン印刷また
は押出成形スクリーニングすることによって、グリーン
・シート層の表面に信号および配線金属被覆パターンを
形成する（図５の７０）。あるいは、信号および配線金
属被覆を、固体金属から（デカル・プロセスなどによっ
て）形成し、次いでグリーン・シート層の表面に移すこ
ともできる。
ンチング、レーザ・ドリリングまたは化学エッチングに
よってそれぞれの層にバイアを形成し（図５の６６）、
次いでバイアに導電性金属を充てんする（図５の６
８）。バイアには、従来どおり金属ペーストを充てんす
ることができる。あるいは、バイア・メタラジを、めっ
き、サブトラクティブ・エッチングなどの周知の技法で
付着させた固体金属を充てんすることによって、あるい
は例えば金属球を加圧成形することによって成形または
挿入した導電性金属元素を機械的に配置することによっ
て形成することもできる。導電性ペーストを使用してバ
イアに充てんを実施する場合には、揮発性物質を除去す
るためにグリーン・シートを乾燥させる。次いで、従来
の多層セラミック製造技法を使用して、金属充てん材を
用いて調合された導電性ペーストをスクリーン印刷また
は押出成形スクリーニングすることによって、グリーン
・シート層の表面に信号および配線金属被覆パターンを
形成する（図５の７０）。あるいは、信号および配線金
属被覆を、固体金属から（デカル・プロセスなどによっ
て）形成し、次いでグリーン・シート層の表面に移すこ
ともできる。
【００５８】個々の層を検査し、次いで、所望の数の層
を位置を合わせて積み重ね（図５の７２）、このスタッ
クの最上層および最下層の上に非粘着性の薄いポリマー
・シートを置き、油圧単軸プレスを使用し温度１５０〜
３５０℃、圧力２００〜２０００ｐｓｉで積層して、多
層複合相互接続構造を形成する。
を位置を合わせて積み重ね（図５の７２）、このスタッ
クの最上層および最下層の上に非粘着性の薄いポリマー
・シートを置き、油圧単軸プレスを使用し温度１５０〜
３５０℃、圧力２００〜２０００ｐｓｉで積層して、多
層複合相互接続構造を形成する。
【００５９】その後、このセラミック体を、ポリマー結
合剤を解重合させ、従来から結合剤バーンオフとして知
られ実施されているプロセスで炭素質残留物を除去する
のに十分な温度にまで加熱する（図５の７４）。次いで
焼結温度を、セラミックを部分的に高密度化させるのに
十分な温度にまで高める（７６）。セラミックの部分的
な高密度化または「ビスク」焼成によって、セラミック
技術分野で周知の多孔質または骨格状セラミック体が生
成される。多孔質セラミック体を室温まで冷却し、炉か
ら取り出した後、先に示したポリマー材料を多孔質セラ
ミック体中に部分的にまたは完全に浸透させる（図５の
７８）。続いて、この積層板構造をめっきプロセスにか
け、一般にＮｉ／Ａｕである金属付着を無電解プロセス
によって表面処理する。
合剤を解重合させ、従来から結合剤バーンオフとして知
られ実施されているプロセスで炭素質残留物を除去する
のに十分な温度にまで加熱する（図５の７４）。次いで
焼結温度を、セラミックを部分的に高密度化させるのに
十分な温度にまで高める（７６）。セラミックの部分的
な高密度化または「ビスク」焼成によって、セラミック
技術分野で周知の多孔質または骨格状セラミック体が生
成される。多孔質セラミック体を室温まで冷却し、炉か
ら取り出した後、先に示したポリマー材料を多孔質セラ
ミック体中に部分的にまたは完全に浸透させる（図５の
７８）。続いて、この積層板構造をめっきプロセスにか
け、一般にＮｉ／Ａｕである金属付着を無電解プロセス
によって表面処理する。
【００６０】表面処理の前に、それぞれ電子および／ま
たは光子を伝送する高密度電子金属導体および／または
高密度光導波路を支持するように特に適合された少なく
とも１層の表面層を追加することができる。このよう表
面層を、導波路８８（例えば光ファイバ）および／また
は９０（例えばオープン・チャネル）を有する表面層８
６として図７および８に示す。図７は、表面層８６を有
する以外、全体に図２と一致する。同様に図８は、表面
層８６を有する以外、全体に図３と一致する。表面層の
組成は、ポリマー材料３０〜１００重量％、セラミック
７０〜０重量％である。
たは光子を伝送する高密度電子金属導体および／または
高密度光導波路を支持するように特に適合された少なく
とも１層の表面層を追加することができる。このよう表
面層を、導波路８８（例えば光ファイバ）および／また
は９０（例えばオープン・チャネル）を有する表面層８
６として図７および８に示す。図７は、表面層８６を有
する以外、全体に図２と一致する。同様に図８は、表面
層８６を有する以外、全体に図３と一致する。表面層の
組成は、ポリマー材料３０〜１００重量％、セラミック
７０〜０重量％である。
【００６１】あるいは、図１０および１１に示すよう
に、導波路８８および／またはチャネル９０を支持する
セラミック充てん材入りポリマー層９８を形成すること
もできる。この実施形態では、チャネル９０が、ポリマ
ー材料層１００で内張りされなければならない。チャネ
ル９０は未充てんのままであることに留意されたい。最
後に、ポリマー表面層１０２を形成する。
に、導波路８８および／またはチャネル９０を支持する
セラミック充てん材入りポリマー層９８を形成すること
もできる。この実施形態では、チャネル９０が、ポリマ
ー材料層１００で内張りされなければならない。チャネ
ル９０は未充てんのままであることに留意されたい。最
後に、ポリマー表面層１０２を形成する。
【００６２】他の実施形態として図１２に示すように、
図１１に示したシール層３２を省くことができる。次い
で層１０４を、基板の残り部分と同様のセラミック充て
ん材入りポリマー材料または未充てんセラミック材料と
することができる。基板のシールは、ポリマー表面層１
０２によって提供される。
図１１に示したシール層３２を省くことができる。次い
で層１０４を、基板の残り部分と同様のセラミック充て
ん材入りポリマー材料または未充てんセラミック材料と
することができる。基板のシールは、ポリマー表面層１
０２によって提供される。
【００６３】高密度光導波路用の表面層８６、１０２お
よびライナ１００を使用する場合には、表面層にセラミ
ック充てん材があってはならない。このポリマー材料
は、光学的に透明な低（光）損失材料でなければならな
い。表面層に適した材料の例には、フッ化および過フッ
化ポリイミドなどのフッ化ポリマー；フルオロアルキル
（メタクリラート）、ペルフルオロ（メタクリラー
ト）、ＰＭＭＡ、ＰＭＭＡ／ポリスチレン共重合体など
のアルキルメタクリラートの単独重合体／共重合体など
のアクリル・ポリマー；ポリエーテルケトン；ポリエス
テル；およびウレタン−アクリル・ポリマーなどがあ
る。導波路は、光ファイバ、光伝送用のオープン・チャ
ネルまたは光導波路とすることができる。光を屈折さ
せ、導波路の内部に閉じ込めるために誘電材料は、異な
る屈折率を有することが好ましい。
よびライナ１００を使用する場合には、表面層にセラミ
ック充てん材があってはならない。このポリマー材料
は、光学的に透明な低（光）損失材料でなければならな
い。表面層に適した材料の例には、フッ化および過フッ
化ポリイミドなどのフッ化ポリマー；フルオロアルキル
（メタクリラート）、ペルフルオロ（メタクリラー
ト）、ＰＭＭＡ、ＰＭＭＡ／ポリスチレン共重合体など
のアルキルメタクリラートの単独重合体／共重合体など
のアクリル・ポリマー；ポリエーテルケトン；ポリエス
テル；およびウレタン−アクリル・ポリマーなどがあ
る。導波路は、光ファイバ、光伝送用のオープン・チャ
ネルまたは光導波路とすることができる。光を屈折さ
せ、導波路の内部に閉じ込めるために誘電材料は、異な
る屈折率を有することが好ましい。
【００６４】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００６５】（１）ポリマー材料とセラミック材料の混
合物をそれぞれが含む隣接する複数の層を含み、熱膨張
率が１００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４未満
であり、光および／または電子基板として使用するよう
に適合された複合基板。 （２）前記層がそれぞれ、３０〜９０重量％のポリマー
材料および１０〜７０重量％のセラミック材料を含む、
上記（１）に記載の複合基板。 （３）前記層がそれぞれ、４０〜６０重量％のポリマー
材料および４０〜６０重量％のセラミック材料を含む、
上記（１）に記載の複合基板。 （４）１００重量％のポリマー材料を含み、少なくとも
１つの光導波路を支持するのに適した表面層をさらに含
む、上記（１）に記載の複合基板。 （５）前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、アクリル
・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステル、およ
びウレタン−アクリル・ポリマーから成るグループから
選択される、上記（４）に記載の複合基板。 （６）前記隣接する複数の層の１層が、少なくとも１つ
の光導波路を支持し、さらに、前記複数の層の前記１層
に隣接し、１００重量％のポリマー材料を含む表面層を
含む、上記（１）に記載の複合基板。 （７）前記少なくとも１つの光導波路が、１００重量％
のポリマー材料から成るライナを備えたチャネルであ
る、上記（６）に記載の複合基板。 （８）前記ライナおよび前記表面層のポリマー材料が、
フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエーテルケ
トン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル・ポリ
マーから成るグループから選択される、上記（７）に記
載の複合基板。 （９）前記セラミック材料が、シリカ、溶融シリカ、石
英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ酸ボリア
およびこれらの混合物から成るグループから選択され
る、上記（１）に記載の複合基板。 （１０）前記ポリマー材料が、熱可塑性ポリエステル、
ＬＣポリエステル、ＬＣＰ−熱可塑性ポリマー・ブレン
ド、ポリイミド、フッ化ポリイミド、棒状構造の低熱膨
張ポリイミド、熱可塑性ポリマー、ポリ（シクロオレフ
ィン）、ポリ（ベンゾシクロブテン）、シアン酸エステ
ル樹脂、シアン酸エステル／エポキシ・ブレンド、ビス
−マレイミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリ（アル
キルメタクリラート）、ポリ（α−メチルスチレン）お
よびこれらの混合物から成るグループから選択される、
上記（１）に記載の複合基板。 （１１）前記複数の層がそれぞれ、少なくとも１つのバ
イアを有する、上記（１）に記載の複合基板。 （１２）それぞれの層対間に導線をさらに備える、上記
（１）に記載の複合基板。 （１３）ポリマー充てん材入りセラミック材料をそれぞ
れが含む複数の層を含み、熱膨張率が１００℃で８〜１
４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４未満であり、光および／ま
たは電子基板として使用するように適合された複合基
板。 （１４）１００重量％のポリマー材料を含み、少なくと
も１つの光導波路を支持するのに適した表面層をさらに
含む、上記（１３）に記載の複合基板。 （１５）前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、アクリ
ル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステル、お
よびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグループか
ら選択される、上記（１４）に記載の複合基板。 （１６）前記複数の層の１層が、少なくとも１つの光導
波路を支持し、さらに、前記複数の層の前記１層に隣接
し、１００重量％のポリマー材料を含む表面層を含む、
上記（１３）に記載の複合基板。 （１７）前記少なくとも１つの光導波路が、１００重量
％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネルであ
る、上記（１６）に記載の複合基板。 （１８）前記ライナおよび前記表面層のポリマー材料
が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエーテ
ルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル・
ポリマーから成るグループから選択される、上記（１
７）に記載の複合基板。 （１９）前記セラミック材料が、シリカ、溶融シリカ、
石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ酸ボリ
アおよびこれらの混合物から成るグループから選択され
る、上記（１３）に記載の複合基板。 （２０）前記セラミック材料に充てんされた前記ポリマ
ー材料が、ポリイミド、低ＣＴＥポリイミド、フッ化ポ
リイミド、ポリ（アリーレンエーテル）、ＳＩＬＫ、ポ
リ（シクロオレフィン）、ポリ（ベンゾシクロブテ
ン）、シアン酸エステル樹脂、シアン酸エステル／エポ
キシ・ブレンド、ビス−マレイミド（ＢＭＩ）樹脂およ
びこれらの混合物から成るグループから選択される、上
記（１３）に記載の複合基板。 （２１）前記複数の層がそれぞれ、少なくとも１つのバ
イアを有する、上記（１３）に記載の複合基板。 （２２）それぞれの層対間に導線をさらに備える、上記
（１３）に記載の複合基板。 （２３）３０〜９０重量％のポリマー材料および１０〜
７０重量％のセラミック材料を有するセラミック充てん
材入りポリマー材料をそれぞれが含む隣接する複数の層
を含み、熱膨張率が１００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比
誘電率が４未満であり、光および／または電子基板とし
て使用するように適合された複合基板。 （２４）１００重量％のポリマー材料を含み、少なくと
も１つの光導波路を支持するのに適した表面層をさらに
含む、上記（２３）に記載の複合基板。 （２５）前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、アクリ
ル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステル、お
よびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグループか
ら選択される、上記（２４）に記載の複合基板。 （２６）前記隣接する複数の層の１層が、少なくとも１
つの光導波路を支持し、さらに、前記隣接する複数の層
の前記１層に隣接し、１００重量％のポリマー材料を含
む表面層を含む、上記（２３）に記載の複合基板。 （２７）前記少なくとも１つの光導波路が、１００重量
％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネルであ
る、上記（２６）に記載の複合基板。 （２８）前記ライナおよび前記表面層のポリマー材料
が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエーテ
ルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル・
ポリマーから成るグループから選択される、上記（２
７）に記載の複合基板。 （２９）前記セラミック材料が、シリカ、溶融シリカ、
石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ酸ボリ
アおよびこれらの混合物から成るグループから選択され
る、上記（２３）に記載の複合基板。 （３０）前記ポリマー材料が、ＬＣポリエステル、ポリ
イミド、フッ化ポリイミド、低熱膨張ポリイミド、ポリ
（ベンゾシクロブテン）、ポリ（アリーレンエーテ
ル）、シアン酸エステル樹脂、シアン酸エステル／エポ
キシ・ブレンド、ビス−マレイミド樹脂およびこれらの
混合物から成るグループから選択される、上記（２３）
に記載の複合基板。 （３１）前記複数の層がそれぞれ、少なくとも１つのバ
イアを有する、上記（２３）に記載の複合基板。 （３２）それぞれの層対間に導線をさらに備える、上記
（２３）に記載の複合基板。 （３３）ポリマー材料とセラミック材料から成る分散物
を形成する段階と、前記分散物を用いて複数の複合グリ
ーン・シートを形成する段階と、それぞれの前記グリー
ン・シートにバイア・ホールを形成する段階と、それぞ
れの前記グリーン・シートの前記バイア・ホールに金属
導体を充てんする段階と、それぞれの前記複合グリーン
・シートの表面に金属導体を形成する段階と、前記複数
のグリーン・シートを積み重ね、積層して、隣接する複
合材料層から成り、熱膨張率が１００℃で８〜１４ｐｐ
ｍ／℃、比誘電率が４未満で、光および／または電子基
板として使用するように適合された複合基板を形成する
段階を含む、複合基板の製造方法。 （３４）それぞれの前記グリーン・シートの前記バイア
・ホール中の前記金属導体を高密度化する段階をさらに
含む、上記（３３）に記載の方法。 （３５）それぞれの前記グリーン・シートの表面の前記
金属導体を高密度化する段階をさらに含む、上記（３
３）に記載の方法。 （３６）それぞれの前記グリーン・シートの前記バイア
・ホール中の前記金属導体が固体金属元素を含む、上記
（３３）に記載の方法。 （３７）それぞれの前記グリーン・シートの表面の前記
金属導体が金属デカルを含む、上記（３３）に記載の方
法。 （３８）前記分散物が、３０〜９０重量％のポリマー材
料および１０〜７０重量％のセラミック材料を含む、上
記（３３）に記載の方法。 （３９）前記セラミック材料が、シリカ、溶融シリカ、
石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ酸ボリ
アおよびこれらの混合物から成るグループから選択され
る、上記（３３）に記載の方法。 （４０）前記ポリマー材料が、熱可塑性ポリエステル、
ＬＣポリエステル、ポリイミド、フッ化ポリイミド、低
熱膨張ポリイミド、ポリ（アリーレンエーテル）、熱可
塑性ポリマー、ポリ（シクロオレフィン）、ポリ（ベン
ゾシクロブテン）、シアン酸エステル樹脂、シアン酸エ
ステル／エポキシ・ブレンド、ビス−マレイミド樹脂、
ポリ（アルキルメタクリラート）、ポリ（α−メチルス
チレン）およびこれらの混合物から成るグループから選
択される、上記（３３）に記載の方法。 （４１）前記積重ね／積層段階の前に、少なくとも２枚
の前記グリーン・シートをサブユニットに形成する段階
をさらに含む、上記（３３）に記載の方法。 （４２）光導波路として使用するのに適した表面層を形
成する段階と、前記積重ね／積層段階の後に、前記表面
層を前記複合基板に接合する段階をさらに含む、上記
（３３）に記載の方法。 （４３）前記表面層が１００重量％のポリマー材料を含
む、上記（４２）に記載の方法。 （４４）前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、アクリ
ル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステル、お
よびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグループか
ら選択される、上記（４３）に記載の方法。 （４５）前記複数のグリーン・シートの１枚が、少なく
とも１つの光導波路を支持するのに適し、さらに、前記
積重ね／積層段階の後に、１００重量％のポリマー材料
を含む表面層を前記複数のグリーン・シートの前記１枚
に隣接して接合する段階を含む、上記（３３）に記載の
方法。 （４６）前記少なくとも１つの光導波路が、１００重量
％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネルであ
る、上記（４５）に記載の方法。 （４７）前記ライナおよび前記表面層のポリマー材料
が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエーテ
ルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル・
ポリマーから成るグループから選択される、上記（４
６）に記載の方法。 （４８）ポリマー材料とセラミック材料から成る分散物
を形成する段階と、前記分散物を用いて複数の複合グリ
ーン・シートを形成する段階と、それぞれの前記グリー
ン・シートにバイア・ホールを形成する段階と、それぞ
れの前記グリーン・シートの前記バイア・ホールに金属
導体を充てんする段階と、それぞれの前記グリーン・シ
ートの表面に金属導体を形成する段階と、前記複数のグ
リーン・シートを積み重ね、積層して、複合基板積層板
を形成する段階と、前記複合基板を加熱して、前記ポリ
マー材料および炭素質残留物を熱的に除去する段階と、
前記セラミック材料を部分的に高密度化して、堅い骨格
状構造を生成する段階と、前記堅い骨格状構造にポリマ
ー材料を少なくとも部分的に充てんして、熱膨張率が８
〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４未満で、光および／ま
たは電子基板として使用するように適合された複合基板
を生成する段階を含む、複合電子基板の製造方法。 （４９）前記セラミック材料を部分的に高密度化する前
記段階において、それぞれの前記グリーン・シートの前
記バイア・ホール中の前記金属導体を高密度化する段階
をさらに含む、上記（４８）に記載の方法。 （５０）前記セラミック材料を部分的に高密度化する前
記段階において、それぞれの前記グリーン・シートの表
面の前記金属導体を高密度化する段階をさらに含む、上
記（４８）に記載の方法。 （５１）それぞれの前記グリーン・シートの前記バイア
・ホール中の前記金属導体が固体金属元素を含む、上記
（４８）に記載の方法。 （５２）それぞれの前記グリーン・シートの表面の前記
金属導体が金属デカルを含む、上記（４８）に記載の方
法。 （５３）前記分散物が、３０〜７０重量％のポリマー材
料および３０〜７０重量％のセラミック材料を含む、上
記（４８）に記載の方法。 （５４）前記セラミック材料が、シリカ、溶融シリカ、
石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ酸ボリ
アおよびこれらの混合物から成るグループから選択され
る、上記（４８）に記載の方法。 （５５）ポリマー材料とセラミック材料から成る分散物
を形成する前記ポリマー材料が、ＰＭＭＡ［ポリ（メチ
ルメタクリラート）］、ＰＭＭＡ−ポリ−ｎ−ブチルメ
タクリラート共重合体、ポリ（ｔ−ブチルメタクリラー
ト）、ＰαＭＳ［ポリ（α−メチルスチレン）］、ポリ
ビニルブチラール、ポリ（プロピレンオキシド）、ＰＩ
Ｂ［ポリ（イソブチレン）］、ＰＭＭＡ−ＰＩＢブレン
ドから成るグループから選択される、上記（４８）に記
載の方法。 （５６）前記堅い骨格状セラミック構造に少なくとも部
分的に充てんされる前記ポリマー材料が、ポリイミド、
フッ化ポリイミド、低ＣＴＥポリイミド、ポリ（アリー
レンエーテル）、ＳＩＬＫ、ポリ（シクロオレフィ
ン）、ポリ（ベンゾシクロブテン）、シアン酸エステル
樹脂、シアン酸エステル／エポキシ・ブレンド、ビス−
マレイミド（ＢＭＩ）樹脂およびこれらの混合物から成
るグループから選択される、上記（４８）に記載の方
法。 （５７）光導波路として使用するのに適した表面層を形
成する段階と、少なくとも部分的に充てんする前記段階
の後に、前記表面層を前記複合基板に接合する段階をさ
らに含む、上記（４８）に記載の方法。 （５８）前記表面層が１００重量％のポリマー材料を含
む、上記（５７）に記載の方法。 （５９）前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、アクリ
ル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステル、お
よびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグループか
ら選択される、上記（５８）に記載の方法。 （６０）前記複数のグリーン・シートの１枚が、少なく
とも１つの光導波路を支持するのに適し、さらに、少な
くとも部分的に充てんする前記段階の後に、１００重量
％のポリマー材料を含む表面層を前記複数のグリーン・
シートの前記１枚に隣接して接合する段階を含む、上記
（４８）に記載の方法。 （６１）前記少なくとも１つの光導波路が、１００重量
％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネルであ
る、上記（６０）に記載の方法。 （６２）前記ライナおよび前記表面層のポリマー材料
が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエーテ
ルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル・
ポリマーから成るグループから選択される、上記（６
１）に記載の方法。 （６３）少なくとも１つの光導波路を支持するのに適し
た少なくとも１層の追加の層を形成する段階と、１００
重量％のポリマー材料を含む表面層を形成する段階と、
少なくとも部分的に充てんする前記段階の後に、前記少
なくとも１層の追加の層および前記表面層を前記複合基
板に接合する段階をさらに含む、上記（４８）に記載の
方法。 （６４）前記少なくとも１つの光導波路が、１００重量
％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネルであ
る、上記（６３）に記載の方法。 （６５）前記ライナおよび前記表面層のポリマー材料
が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエーテ
ルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル・
ポリマーから成るグループから選択される、上記（６
４）に記載の方法。
合物をそれぞれが含む隣接する複数の層を含み、熱膨張
率が１００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４未満
であり、光および／または電子基板として使用するよう
に適合された複合基板。 （２）前記層がそれぞれ、３０〜９０重量％のポリマー
材料および１０〜７０重量％のセラミック材料を含む、
上記（１）に記載の複合基板。 （３）前記層がそれぞれ、４０〜６０重量％のポリマー
材料および４０〜６０重量％のセラミック材料を含む、
上記（１）に記載の複合基板。 （４）１００重量％のポリマー材料を含み、少なくとも
１つの光導波路を支持するのに適した表面層をさらに含
む、上記（１）に記載の複合基板。 （５）前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、アクリル
・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステル、およ
びウレタン−アクリル・ポリマーから成るグループから
選択される、上記（４）に記載の複合基板。 （６）前記隣接する複数の層の１層が、少なくとも１つ
の光導波路を支持し、さらに、前記複数の層の前記１層
に隣接し、１００重量％のポリマー材料を含む表面層を
含む、上記（１）に記載の複合基板。 （７）前記少なくとも１つの光導波路が、１００重量％
のポリマー材料から成るライナを備えたチャネルであ
る、上記（６）に記載の複合基板。 （８）前記ライナおよび前記表面層のポリマー材料が、
フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエーテルケ
トン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル・ポリ
マーから成るグループから選択される、上記（７）に記
載の複合基板。 （９）前記セラミック材料が、シリカ、溶融シリカ、石
英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ酸ボリア
およびこれらの混合物から成るグループから選択され
る、上記（１）に記載の複合基板。 （１０）前記ポリマー材料が、熱可塑性ポリエステル、
ＬＣポリエステル、ＬＣＰ−熱可塑性ポリマー・ブレン
ド、ポリイミド、フッ化ポリイミド、棒状構造の低熱膨
張ポリイミド、熱可塑性ポリマー、ポリ（シクロオレフ
ィン）、ポリ（ベンゾシクロブテン）、シアン酸エステ
ル樹脂、シアン酸エステル／エポキシ・ブレンド、ビス
−マレイミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリ（アル
キルメタクリラート）、ポリ（α−メチルスチレン）お
よびこれらの混合物から成るグループから選択される、
上記（１）に記載の複合基板。 （１１）前記複数の層がそれぞれ、少なくとも１つのバ
イアを有する、上記（１）に記載の複合基板。 （１２）それぞれの層対間に導線をさらに備える、上記
（１）に記載の複合基板。 （１３）ポリマー充てん材入りセラミック材料をそれぞ
れが含む複数の層を含み、熱膨張率が１００℃で８〜１
４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４未満であり、光および／ま
たは電子基板として使用するように適合された複合基
板。 （１４）１００重量％のポリマー材料を含み、少なくと
も１つの光導波路を支持するのに適した表面層をさらに
含む、上記（１３）に記載の複合基板。 （１５）前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、アクリ
ル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステル、お
よびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグループか
ら選択される、上記（１４）に記載の複合基板。 （１６）前記複数の層の１層が、少なくとも１つの光導
波路を支持し、さらに、前記複数の層の前記１層に隣接
し、１００重量％のポリマー材料を含む表面層を含む、
上記（１３）に記載の複合基板。 （１７）前記少なくとも１つの光導波路が、１００重量
％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネルであ
る、上記（１６）に記載の複合基板。 （１８）前記ライナおよび前記表面層のポリマー材料
が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエーテ
ルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル・
ポリマーから成るグループから選択される、上記（１
７）に記載の複合基板。 （１９）前記セラミック材料が、シリカ、溶融シリカ、
石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ酸ボリ
アおよびこれらの混合物から成るグループから選択され
る、上記（１３）に記載の複合基板。 （２０）前記セラミック材料に充てんされた前記ポリマ
ー材料が、ポリイミド、低ＣＴＥポリイミド、フッ化ポ
リイミド、ポリ（アリーレンエーテル）、ＳＩＬＫ、ポ
リ（シクロオレフィン）、ポリ（ベンゾシクロブテ
ン）、シアン酸エステル樹脂、シアン酸エステル／エポ
キシ・ブレンド、ビス−マレイミド（ＢＭＩ）樹脂およ
びこれらの混合物から成るグループから選択される、上
記（１３）に記載の複合基板。 （２１）前記複数の層がそれぞれ、少なくとも１つのバ
イアを有する、上記（１３）に記載の複合基板。 （２２）それぞれの層対間に導線をさらに備える、上記
（１３）に記載の複合基板。 （２３）３０〜９０重量％のポリマー材料および１０〜
７０重量％のセラミック材料を有するセラミック充てん
材入りポリマー材料をそれぞれが含む隣接する複数の層
を含み、熱膨張率が１００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比
誘電率が４未満であり、光および／または電子基板とし
て使用するように適合された複合基板。 （２４）１００重量％のポリマー材料を含み、少なくと
も１つの光導波路を支持するのに適した表面層をさらに
含む、上記（２３）に記載の複合基板。 （２５）前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、アクリ
ル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステル、お
よびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグループか
ら選択される、上記（２４）に記載の複合基板。 （２６）前記隣接する複数の層の１層が、少なくとも１
つの光導波路を支持し、さらに、前記隣接する複数の層
の前記１層に隣接し、１００重量％のポリマー材料を含
む表面層を含む、上記（２３）に記載の複合基板。 （２７）前記少なくとも１つの光導波路が、１００重量
％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネルであ
る、上記（２６）に記載の複合基板。 （２８）前記ライナおよび前記表面層のポリマー材料
が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエーテ
ルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル・
ポリマーから成るグループから選択される、上記（２
７）に記載の複合基板。 （２９）前記セラミック材料が、シリカ、溶融シリカ、
石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ酸ボリ
アおよびこれらの混合物から成るグループから選択され
る、上記（２３）に記載の複合基板。 （３０）前記ポリマー材料が、ＬＣポリエステル、ポリ
イミド、フッ化ポリイミド、低熱膨張ポリイミド、ポリ
（ベンゾシクロブテン）、ポリ（アリーレンエーテ
ル）、シアン酸エステル樹脂、シアン酸エステル／エポ
キシ・ブレンド、ビス−マレイミド樹脂およびこれらの
混合物から成るグループから選択される、上記（２３）
に記載の複合基板。 （３１）前記複数の層がそれぞれ、少なくとも１つのバ
イアを有する、上記（２３）に記載の複合基板。 （３２）それぞれの層対間に導線をさらに備える、上記
（２３）に記載の複合基板。 （３３）ポリマー材料とセラミック材料から成る分散物
を形成する段階と、前記分散物を用いて複数の複合グリ
ーン・シートを形成する段階と、それぞれの前記グリー
ン・シートにバイア・ホールを形成する段階と、それぞ
れの前記グリーン・シートの前記バイア・ホールに金属
導体を充てんする段階と、それぞれの前記複合グリーン
・シートの表面に金属導体を形成する段階と、前記複数
のグリーン・シートを積み重ね、積層して、隣接する複
合材料層から成り、熱膨張率が１００℃で８〜１４ｐｐ
ｍ／℃、比誘電率が４未満で、光および／または電子基
板として使用するように適合された複合基板を形成する
段階を含む、複合基板の製造方法。 （３４）それぞれの前記グリーン・シートの前記バイア
・ホール中の前記金属導体を高密度化する段階をさらに
含む、上記（３３）に記載の方法。 （３５）それぞれの前記グリーン・シートの表面の前記
金属導体を高密度化する段階をさらに含む、上記（３
３）に記載の方法。 （３６）それぞれの前記グリーン・シートの前記バイア
・ホール中の前記金属導体が固体金属元素を含む、上記
（３３）に記載の方法。 （３７）それぞれの前記グリーン・シートの表面の前記
金属導体が金属デカルを含む、上記（３３）に記載の方
法。 （３８）前記分散物が、３０〜９０重量％のポリマー材
料および１０〜７０重量％のセラミック材料を含む、上
記（３３）に記載の方法。 （３９）前記セラミック材料が、シリカ、溶融シリカ、
石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ酸ボリ
アおよびこれらの混合物から成るグループから選択され
る、上記（３３）に記載の方法。 （４０）前記ポリマー材料が、熱可塑性ポリエステル、
ＬＣポリエステル、ポリイミド、フッ化ポリイミド、低
熱膨張ポリイミド、ポリ（アリーレンエーテル）、熱可
塑性ポリマー、ポリ（シクロオレフィン）、ポリ（ベン
ゾシクロブテン）、シアン酸エステル樹脂、シアン酸エ
ステル／エポキシ・ブレンド、ビス−マレイミド樹脂、
ポリ（アルキルメタクリラート）、ポリ（α−メチルス
チレン）およびこれらの混合物から成るグループから選
択される、上記（３３）に記載の方法。 （４１）前記積重ね／積層段階の前に、少なくとも２枚
の前記グリーン・シートをサブユニットに形成する段階
をさらに含む、上記（３３）に記載の方法。 （４２）光導波路として使用するのに適した表面層を形
成する段階と、前記積重ね／積層段階の後に、前記表面
層を前記複合基板に接合する段階をさらに含む、上記
（３３）に記載の方法。 （４３）前記表面層が１００重量％のポリマー材料を含
む、上記（４２）に記載の方法。 （４４）前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、アクリ
ル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステル、お
よびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグループか
ら選択される、上記（４３）に記載の方法。 （４５）前記複数のグリーン・シートの１枚が、少なく
とも１つの光導波路を支持するのに適し、さらに、前記
積重ね／積層段階の後に、１００重量％のポリマー材料
を含む表面層を前記複数のグリーン・シートの前記１枚
に隣接して接合する段階を含む、上記（３３）に記載の
方法。 （４６）前記少なくとも１つの光導波路が、１００重量
％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネルであ
る、上記（４５）に記載の方法。 （４７）前記ライナおよび前記表面層のポリマー材料
が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエーテ
ルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル・
ポリマーから成るグループから選択される、上記（４
６）に記載の方法。 （４８）ポリマー材料とセラミック材料から成る分散物
を形成する段階と、前記分散物を用いて複数の複合グリ
ーン・シートを形成する段階と、それぞれの前記グリー
ン・シートにバイア・ホールを形成する段階と、それぞ
れの前記グリーン・シートの前記バイア・ホールに金属
導体を充てんする段階と、それぞれの前記グリーン・シ
ートの表面に金属導体を形成する段階と、前記複数のグ
リーン・シートを積み重ね、積層して、複合基板積層板
を形成する段階と、前記複合基板を加熱して、前記ポリ
マー材料および炭素質残留物を熱的に除去する段階と、
前記セラミック材料を部分的に高密度化して、堅い骨格
状構造を生成する段階と、前記堅い骨格状構造にポリマ
ー材料を少なくとも部分的に充てんして、熱膨張率が８
〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４未満で、光および／ま
たは電子基板として使用するように適合された複合基板
を生成する段階を含む、複合電子基板の製造方法。 （４９）前記セラミック材料を部分的に高密度化する前
記段階において、それぞれの前記グリーン・シートの前
記バイア・ホール中の前記金属導体を高密度化する段階
をさらに含む、上記（４８）に記載の方法。 （５０）前記セラミック材料を部分的に高密度化する前
記段階において、それぞれの前記グリーン・シートの表
面の前記金属導体を高密度化する段階をさらに含む、上
記（４８）に記載の方法。 （５１）それぞれの前記グリーン・シートの前記バイア
・ホール中の前記金属導体が固体金属元素を含む、上記
（４８）に記載の方法。 （５２）それぞれの前記グリーン・シートの表面の前記
金属導体が金属デカルを含む、上記（４８）に記載の方
法。 （５３）前記分散物が、３０〜７０重量％のポリマー材
料および３０〜７０重量％のセラミック材料を含む、上
記（４８）に記載の方法。 （５４）前記セラミック材料が、シリカ、溶融シリカ、
石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ酸ボリ
アおよびこれらの混合物から成るグループから選択され
る、上記（４８）に記載の方法。 （５５）ポリマー材料とセラミック材料から成る分散物
を形成する前記ポリマー材料が、ＰＭＭＡ［ポリ（メチ
ルメタクリラート）］、ＰＭＭＡ−ポリ−ｎ−ブチルメ
タクリラート共重合体、ポリ（ｔ−ブチルメタクリラー
ト）、ＰαＭＳ［ポリ（α−メチルスチレン）］、ポリ
ビニルブチラール、ポリ（プロピレンオキシド）、ＰＩ
Ｂ［ポリ（イソブチレン）］、ＰＭＭＡ−ＰＩＢブレン
ドから成るグループから選択される、上記（４８）に記
載の方法。 （５６）前記堅い骨格状セラミック構造に少なくとも部
分的に充てんされる前記ポリマー材料が、ポリイミド、
フッ化ポリイミド、低ＣＴＥポリイミド、ポリ（アリー
レンエーテル）、ＳＩＬＫ、ポリ（シクロオレフィ
ン）、ポリ（ベンゾシクロブテン）、シアン酸エステル
樹脂、シアン酸エステル／エポキシ・ブレンド、ビス−
マレイミド（ＢＭＩ）樹脂およびこれらの混合物から成
るグループから選択される、上記（４８）に記載の方
法。 （５７）光導波路として使用するのに適した表面層を形
成する段階と、少なくとも部分的に充てんする前記段階
の後に、前記表面層を前記複合基板に接合する段階をさ
らに含む、上記（４８）に記載の方法。 （５８）前記表面層が１００重量％のポリマー材料を含
む、上記（５７）に記載の方法。 （５９）前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、アクリ
ル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステル、お
よびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグループか
ら選択される、上記（５８）に記載の方法。 （６０）前記複数のグリーン・シートの１枚が、少なく
とも１つの光導波路を支持するのに適し、さらに、少な
くとも部分的に充てんする前記段階の後に、１００重量
％のポリマー材料を含む表面層を前記複数のグリーン・
シートの前記１枚に隣接して接合する段階を含む、上記
（４８）に記載の方法。 （６１）前記少なくとも１つの光導波路が、１００重量
％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネルであ
る、上記（６０）に記載の方法。 （６２）前記ライナおよび前記表面層のポリマー材料
が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエーテ
ルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル・
ポリマーから成るグループから選択される、上記（６
１）に記載の方法。 （６３）少なくとも１つの光導波路を支持するのに適し
た少なくとも１層の追加の層を形成する段階と、１００
重量％のポリマー材料を含む表面層を形成する段階と、
少なくとも部分的に充てんする前記段階の後に、前記少
なくとも１層の追加の層および前記表面層を前記複合基
板に接合する段階をさらに含む、上記（４８）に記載の
方法。 （６４）前記少なくとも１つの光導波路が、１００重量
％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネルであ
る、上記（６３）に記載の方法。 （６５）前記ライナおよび前記表面層のポリマー材料
が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエーテ
ルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル・
ポリマーから成るグループから選択される、上記（６
４）に記載の方法。
【図１】セラミック充てん材入り複合ポリマー基板を示
す本発明の第１の実施形態の断面図である。
す本発明の第１の実施形態の断面図である。
【図２】ポリマー充てん材入り複合セラミック基板を示
す本発明の第２の実施形態の断面図である。
す本発明の第２の実施形態の断面図である。
【図３】ポリマーが複合基板の表面領域および周縁部だ
けにあって、したがって構造全体がカプセル化された、
ポリマー充てん材入りセラミック基板を示す本発明の第
２の実施形態の一変形の断面図である。
けにあって、したがって構造全体がカプセル化された、
ポリマー充てん材入りセラミック基板を示す本発明の第
２の実施形態の一変形の断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態を形成する方法を示す
流れ図である。
流れ図である。
【図５】本発明の第２の実施形態を形成する方法を示す
流れ図である。
流れ図である。
【図６】信号の光伝送のための表面層が所定の位置に配
置された図１と類似の断面図である。
置された図１と類似の断面図である。
【図７】信号光伝送用の表面層が所定の位置に配置され
た図２と同様の断面図である。
た図２と同様の断面図である。
【図８】信号光伝送用の表面層が所定の位置に配置され
た図３と同様の断面図である。
た図３と同様の断面図である。
【図９】信号の光伝送をサポートする層およびカバー表
面層が所定の位置に配置された図１と同様の断面図であ
る。
面層が所定の位置に配置された図１と同様の断面図であ
る。
【図１０】信号の光伝送をサポートする層およびカバー
表面層が所定の位置に配置された図２と同様の断面図で
ある。
表面層が所定の位置に配置された図２と同様の断面図で
ある。
【図１１】信号の光伝送をサポートする層が所定の位置
に配置された図３と同様の断面図である。
に配置された図３と同様の断面図である。
【図１２】信号の光伝送をサポートする層が所定の位置
に配置された図３と同様の断面図である。
に配置された図３と同様の断面図である。
１０ 複合基板 １２ セラミック充てん材入りポリマー材料層 １４ バイア １６ 配線 ２０ 複合基板 ２０’ 複合基板 ２２ セラミック層 ２４ バイア ２６ 配線 ２８ 孔隙２８ ３０ ポリマー材料 ３２ ポリマー材料 ８０ 表面層 ８２ 導波路 ８４ チャネル ８６ 表面層 ８８ 導波路 ９０ チャネル ９２ セラミック充てん材入りポリマー層 ９４ ポリマー・ライナ ９６ ポリマー表面層 ９８ セラミック充てん材入りポリマー層 １００ ポリマー・ライナ １０２ ポリマー表面層
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｓ Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｎ Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｒ (72)発明者 ダニエル・ジョージ・バーガー アメリカ合衆国12590 ニューヨーク州ワ ッピンガーズ・フォールズ トップ・オ ー・ヒル・ロード 50 (72)発明者 シャジ・ファルーク アメリカ合衆国12533 ニューヨーク州ホ ープウェル・ジャンクション ダータント ラ・ドライブ ６ (72)発明者 レスター・ワイン・ヘロン アメリカ合衆国12561 ニューヨーク州ニ ュー・パルツ デュボワ・ロード 223 (72)発明者 ジェームズ・エヌ・ハメニク アメリカ合衆国12540 ニューヨーク州ラ グランジュヴィル プリング・ロード ７ (72)発明者 ジョン・ウルリッチ・ニッカーボッカー アメリカ合衆国12533 ニューヨーク州ホ ープウェル・ジャンクション クリーメリ ー・ロード 53 (72)発明者 ロバート・ウィリアム・パスコ アメリカ合衆国12590 ニューヨーク州ワ ッピンガーズ・フォールズ アルパート・ ドライブ １ (72)発明者 チャールズ・エイチ・ペリー アメリカ合衆国12603 ニューヨーク州ポ キプシースパイ・ヒル・ロード 14 (72)発明者 クリシュナ・ジー・サチデフ アメリカ合衆国12533 ニューヨーク州ホ ープウェル・ジャンクション ファービュ ー・ドライブ 23 Ｆターム(参考） 2H047 KA04 QA01 QA04 QA05 QA07 TA05 4F100 AA18A AA18B AA19A AA19B AA20A AA20B AD01A AD01B AK01A AK01B AK02A AK02B AK17A AK17B AK25A AK25B AK41A AK41B AK49A AK49B AK51A AK51B AK54A AK54B BA02 CA23A CA23B GB43 JG04 5E346 AA12 CC08 CC10 CC12 CC18 CC32 CC37 CC38 DD13 DD22 EE22 EE24 EE27 FF18 GG04 GG05 HH06 HH11 HH16 HH31
Claims (65)
- 【請求項１】ポリマー材料とセラミック材料の混合物を
それぞれが含む隣接する複数の層を含み、熱膨張率が１
００℃で８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４未満であ
り、光または電子基板として使用するように適合された
複合基板。 - 【請求項２】前記層がそれぞれ、３０〜９０重量％のポ
リマー材料および１０〜７０重量％のセラミック材料を
含む、請求項１に記載の複合基板。 - 【請求項３】前記層がそれぞれ、４０〜６０重量％のポ
リマー材料および４０〜６０重量％のセラミック材料を
含む、請求項１に記載の複合基板。 - 【請求項４】１００重量％のポリマー材料を含み、少な
くとも１つの光導波路を支持するのに適した表面層をさ
らに含む、請求項１に記載の複合基板。 - 【請求項５】前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、ア
クリル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステ
ル、およびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグル
ープから選択される、請求項４に記載の複合基板。 - 【請求項６】前記隣接する複数の層の１層が、少なくと
も１つの光導波路を支持し、さらに、前記複数の層の前
記１層に隣接し、１００重量％のポリマー材料を含む表
面層を含む、請求項１に記載の複合基板。 - 【請求項７】前記少なくとも１つの光導波路が、１００
重量％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネル
である、請求項６に記載の複合基板。 - 【請求項８】前記ライナおよび前記表面層のポリマー材
料が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエー
テルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリル
・ポリマーから成るグループから選択される、請求項７
に記載の複合基板。 - 【請求項９】前記セラミック材料が、シリカ、溶融シリ
カ、石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ酸
ボリアおよびこれらの混合物から成るグループから選択
される、請求項１に記載の複合基板。 - 【請求項１０】前記ポリマー材料が、熱可塑性ポリエス
テル、ＬＣポリエステル、ＬＣＰ−熱可塑性ポリマー・
ブレンド、ポリイミド、フッ化ポリイミド、棒状構造の
低熱膨張ポリイミド、熱可塑性ポリマー、ポリ（シクロ
オレフィン）、ポリ（ベンゾシクロブテン）、シアン酸
エステル樹脂、シアン酸エステル／エポキシ・ブレン
ド、ビス−マレイミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポ
リ（アルキルメタクリラート）、ポリ（α−メチルスチ
レン）およびこれらの混合物から成るグループから選択
される、請求項１に記載の複合基板。 - 【請求項１１】前記複数の層がそれぞれ、少なくとも１
つのバイアを有する、請求項１に記載の複合基板。 - 【請求項１２】それぞれの層対間に導線をさらに備え
る、請求項１に記載の複合基板。 - 【請求項１３】ポリマー充てん材入りセラミック材料を
それぞれが含む複数の層を含み、熱膨張率が１００℃で
８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４未満であり、光また
は電子基板として使用するように適合された複合基板。 - 【請求項１４】１００重量％のポリマー材料を含み、少
なくとも１つの光導波路を支持するのに適した表面層を
さらに含む、請求項１３に記載の複合基板。 - 【請求項１５】前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、
アクリル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステ
ル、およびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグル
ープから選択される、請求項１４に記載の複合基板。 - 【請求項１６】前記複数の層の１層が、少なくとも１つ
の光導波路を支持し、さらに、前記複数の層の前記１層
に隣接し、１００重量％のポリマー材料を含む表面層を
含む、請求項１３に記載の複合基板。 - 【請求項１７】前記少なくとも１つの光導波路が、１０
０重量％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネ
ルである、請求項１６に記載の複合基板。 - 【請求項１８】前記ライナおよび前記表面層のポリマー
材料が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエ
ーテルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリ
ル・ポリマーから成るグループから選択される、請求項
１７に記載の複合基板。 - 【請求項１９】前記セラミック材料が、シリカ、溶融シ
リカ、石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ
酸ボリアおよびこれらの混合物から成るグループから選
択される、請求項１３に記載の複合基板。 - 【請求項２０】前記セラミック材料に充てんされた前記
ポリマー材料が、ポリイミド、低ＣＴＥポリイミド、フ
ッ化ポリイミド、ポリ（アリーレンエーテル）、ＳＩＬ
Ｋ、ポリ（シクロオレフィン）、ポリ（ベンゾシクロブ
テン）、シアン酸エステル樹脂、シアン酸エステル／エ
ポキシ・ブレンド、ビス−マレイミド（ＢＭＩ）樹脂お
よびこれらの混合物から成るグループから選択される、
請求項１３に記載の複合基板。 - 【請求項２１】前記複数の層がそれぞれ、少なくとも１
つのバイアを有する、請求項１３に記載の複合基板。 - 【請求項２２】それぞれの層対間に導線をさらに備え
る、請求項１３に記載の複合基板。 - 【請求項２３】３０〜９０重量％のポリマー材料および
１０〜７０重量％のセラミック材料を有するセラミック
充てん材入りポリマー材料をそれぞれが含む隣接する複
数の層を含み、熱膨張率が１００℃で８〜１４ｐｐｍ／
℃、比誘電率が４未満であり、光または電子基板として
使用するように適合された複合基板。 - 【請求項２４】１００重量％のポリマー材料を含み、少
なくとも１つの光導波路を支持するのに適した表面層を
さらに含む、請求項２３に記載の複合基板。 - 【請求項２５】前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、
アクリル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステ
ル、およびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグル
ープから選択される、請求項２４に記載の複合基板。 - 【請求項２６】前記隣接する複数の層の１層が、少なく
とも１つの光導波路を支持し、さらに、前記隣接する複
数の層の前記１層に隣接し、１００重量％のポリマー材
料を含む表面層を含む、請求項２３に記載の複合基板。 - 【請求項２７】前記少なくとも１つの光導波路が、１０
０重量％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネ
ルである、請求項２６に記載の複合基板。 - 【請求項２８】前記ライナおよび前記表面層のポリマー
材料が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエ
ーテルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリ
ル・ポリマーから成るグループから選択される、請求項
２７に記載の複合基板。 - 【請求項２９】前記セラミック材料が、シリカ、溶融シ
リカ、石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ
酸ボリアおよびこれらの混合物から成るグループから選
択される、請求項２３に記載の複合基板。 - 【請求項３０】前記ポリマー材料が、ＬＣポリエステ
ル、ポリイミド、フッ化ポリイミド、低熱膨張ポリイミ
ド、ポリ（ベンゾシクロブテン）、ポリ（アリーレンエ
ーテル）、シアン酸エステル樹脂、シアン酸エステル／
エポキシ・ブレンド、ビス−マレイミド樹脂およびこれ
らの混合物から成るグループから選択される、請求項２
３に記載の複合基板。 - 【請求項３１】前記複数の層がそれぞれ、少なくとも１
つのバイアを有する、請求項２３に記載の複合基板。 - 【請求項３２】それぞれの層対間に導線をさらに備え
る、請求項２３に記載の複合基板。 - 【請求項３３】ポリマー材料とセラミック材料から成る
分散物を形成する段階と、 前記分散物を用いて複数の複合グリーン・シートを形成
する段階と、 それぞれの前記グリーン・シートにバイア・ホールを形
成する段階と、 それぞれの前記グリーン・シートの前記バイア・ホール
に金属導体を充てんする段階と、 それぞれの前記複合グリーン・シートの表面に金属導体
を形成する段階と、 前記複数のグリーン・シートを積み重ね、積層して、隣
接する複合材料層から成り、熱膨張率が１００℃で８〜
１４ｐｐｍ／℃、比誘電率が４未満で、光または電子基
板として使用するように適合された複合基板を形成する
段階を含む、複合基板の製造方法。 - 【請求項３４】それぞれの前記グリーン・シートの前記
バイア・ホール中の前記金属導体を高密度化する段階を
さらに含む、請求項３３に記載の方法。 - 【請求項３５】それぞれの前記グリーン・シートの表面
の前記金属導体を高密度化する段階をさらに含む、請求
項３３に記載の方法。 - 【請求項３６】それぞれの前記グリーン・シートの前記
バイア・ホール中の前記金属導体が固体金属元素を含
む、請求項３３に記載の方法。 - 【請求項３７】それぞれの前記グリーン・シートの表面
の前記金属導体が金属デカルを含む、請求項３３に記載
の方法。 - 【請求項３８】前記分散物が、３０〜９０重量％のポリ
マー材料および１０〜７０重量％のセラミック材料を含
む、請求項３３に記載の方法。 - 【請求項３９】前記セラミック材料が、シリカ、溶融シ
リカ、石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ
酸ボリアおよびこれらの混合物から成るグループから選
択される、請求項３３に記載の方法。 - 【請求項４０】前記ポリマー材料が、熱可塑性ポリエス
テル、ＬＣポリエステル、ポリイミド、フッ化ポリイミ
ド、低熱膨張ポリイミド、ポリ（アリーレンエーテ
ル）、熱可塑性ポリマー、ポリ（シクロオレフィン）、
ポリ（ベンゾシクロブテン）、シアン酸エステル樹脂、
シアン酸エステル／エポキシ・ブレンド、ビス−マレイ
ミド樹脂、ポリ（アルキルメタクリラート）、ポリ（α
−メチルスチレン）およびこれらの混合物から成るグル
ープから選択される、請求項３３に記載の方法。 - 【請求項４１】前記積重ね／積層段階の前に、少なくと
も２枚の前記グリーン・シートをサブユニットに形成す
る段階をさらに含む、請求項３３に記載の方法。 - 【請求項４２】光導波路として使用するのに適した表面
層を形成する段階と、前記積重ね／積層段階の後に、前
記表面層を前記複合基板に接合する段階をさらに含む、
請求項３３に記載の方法。 - 【請求項４３】前記表面層が１００重量％のポリマー材
料を含む、請求項４２に記載の方法。 - 【請求項４４】前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、
アクリル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステ
ル、およびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグル
ープから選択される、請求項４３に記載の方法。 - 【請求項４５】前記複数のグリーン・シートの１枚が、
少なくとも１つの光導波路を支持するのに適し、さら
に、前記積重ね／積層段階の後に、１００重量％のポリ
マー材料を含む表面層を前記複数のグリーン・シートの
前記１枚に隣接して接合する段階を含む、請求項３３に
記載の方法。 - 【請求項４６】前記少なくとも１つの光導波路が、１０
０重量％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネ
ルである、請求項４５に記載の方法。 - 【請求項４７】前記ライナおよび前記表面層のポリマー
材料が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエ
ーテルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリ
ル・ポリマーから成るグループから選択される、請求項
４６に記載の方法。 - 【請求項４８】ポリマー材料とセラミック材料から成る
分散物を形成する段階と、 前記分散物を用いて複数の複合グリーン・シートを形成
する段階と、 それぞれの前記グリーン・シートにバイア・ホールを形
成する段階と、 それぞれの前記グリーン・シートの前記バイア・ホール
に金属導体を充てんする段階と、 それぞれの前記グリーン・シートの表面に金属導体を形
成する段階と、 前記複数のグリーン・シートを積み重ね、積層して、複
合基板積層板を形成する段階と、 前記複合基板を加熱して、前記ポリマー材料および炭素
質残留物を熱的に除去する段階と、 前記セラミック材料を部分的に高密度化して、堅い骨格
状構造を生成する段階と、 前記堅い骨格状構造にポリマー材料を少なくとも部分的
に充てんして、熱膨張率が８〜１４ｐｐｍ／℃、比誘電
率が４未満で、光および／または電子基板として使用す
るように適合された複合基板を生成する段階を含む、複
合電子基板の製造方法。 - 【請求項４９】前記セラミック材料を部分的に高密度化
する前記段階において、それぞれの前記グリーン・シー
トの前記バイア・ホール中の前記金属導体を高密度化す
る段階をさらに含む、請求項４８に記載の方法。 - 【請求項５０】前記セラミック材料を部分的に高密度化
する前記段階において、それぞれの前記グリーン・シー
トの表面の前記金属導体を高密度化する段階をさらに含
む、請求項４８に記載の方法。 - 【請求項５１】それぞれの前記グリーン・シートの前記
バイア・ホール中の前記金属導体が固体金属元素を含
む、請求項４８に記載の方法。 - 【請求項５２】それぞれの前記グリーン・シートの表面
の前記金属導体が金属デカルを含む、請求項４８に記載
の方法。 - 【請求項５３】前記分散物が、３０〜７０重量％のポリ
マー材料および３０〜７０重量％のセラミック材料を含
む、請求項４８に記載の方法。 - 【請求項５４】前記セラミック材料が、シリカ、溶融シ
リカ、石英、ケイ酸アルミナ、ケイ酸マグネシア、ケイ
酸ボリアおよびこれらの混合物から成るグループから選
択される、請求項４８に記載の方法。 - 【請求項５５】ポリマー材料とセラミック材料から成る
分散物を形成する前記ポリマー材料が、ＰＭＭＡ［ポリ
（メチルメタクリラート）］、ＰＭＭＡ−ポリ−ｎ−ブ
チルメタクリラート共重合体、ポリ（ｔ−ブチルメタク
リラート）、ＰαＭＳ［ポリ（α−メチルスチレ
ン）］、ポリビニルブチラール、ポリ（プロピレンオキ
シド）、ＰＩＢ［ポリ（イソブチレン）］、ＰＭＭＡ−
ＰＩＢブレンドから成るグループから選択される、請求
項４８に記載の方法。 - 【請求項５６】前記堅い骨格状セラミック構造に少なく
とも部分的に充てんされる前記ポリマー材料が、ポリイ
ミド、フッ化ポリイミド、低ＣＴＥポリイミド、ポリ
（アリーレンエーテル）、ＳＩＬＫ、ポリ（シクロオレ
フィン）、ポリ（ベンゾシクロブテン）、シアン酸エス
テル樹脂、シアン酸エステル／エポキシ・ブレンド、ビ
ス−マレイミド（ＢＭＩ）樹脂およびこれらの混合物か
ら成るグループから選択される、請求項４８に記載の方
法。 - 【請求項５７】光導波路として使用するのに適した表面
層を形成する段階と、少なくとも部分的に充てんする前
記段階の後に、前記表面層を前記複合基板に接合する段
階をさらに含む、請求項４８に記載の方法。 - 【請求項５８】前記表面層が１００重量％のポリマー材
料を含む、請求項５７に記載の方法。 - 【請求項５９】前記ポリマー材料が、フッ化ポリマー、
アクリル・ポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエステ
ル、およびウレタン−アクリル・ポリマーから成るグル
ープから選択される、請求項５８に記載の方法。 - 【請求項６０】前記複数のグリーン・シートの１枚が、
少なくとも１つの光導波路を支持するのに適し、さら
に、少なくとも部分的に充てんする前記段階の後に、１
００重量％のポリマー材料を含む表面層を前記複数のグ
リーン・シートの前記１枚に隣接して接合する段階を含
む、請求項４８に記載の方法。 - 【請求項６１】前記少なくとも１つの光導波路が、１０
０重量％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネ
ルである、請求項６０に記載の方法。 - 【請求項６２】前記ライナおよび前記表面層のポリマー
材料が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエ
ーテルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリ
ル・ポリマーから成るグループから選択される、請求項
６１に記載の方法。 - 【請求項６３】少なくとも１つの光導波路を支持するの
に適した少なくとも１層の追加の層を形成する段階と、 １００重量％のポリマー材料を含む表面層を形成する段
階と、 少なくとも部分的に充てんする前記段階の後に、前記少
なくとも１層の追加の層および前記表面層を前記複合基
板に接合する段階をさらに含む、請求項４８に記載の方
法。 - 【請求項６４】前記少なくとも１つの光導波路が、１０
０重量％のポリマー材料から成るライナを備えたチャネ
ルである、請求項６３に記載の方法。 - 【請求項６５】前記ライナおよび前記表面層のポリマー
材料が、フッ化ポリマー、アクリル・ポリマー、ポリエ
ーテルケトン、ポリエステル、およびウレタン−アクリ
ル・ポリマーから成るグループから選択される、請求項
６４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/606,359 US6528145B1 (en) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | Polymer and ceramic composite electronic substrates |
| US09/606359 | 2000-06-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134926A true JP2002134926A (ja) | 2002-05-10 |
| JP3745653B2 JP3745653B2 (ja) | 2006-02-15 |
Family
ID=24427650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001193284A Expired - Fee Related JP3745653B2 (ja) | 2000-06-29 | 2001-06-26 | ポリマー／セラミック複合電子基板 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6528145B1 (ja) |
| EP (1) | EP1168436A3 (ja) |
| JP (1) | JP3745653B2 (ja) |
| KR (1) | KR100462451B1 (ja) |
| CN (1) | CN1170314C (ja) |
| MY (1) | MY117336A (ja) |
| TW (1) | TW515055B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128520A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Tdk Corp | 多層基板の製造方法 |
| JP2006128519A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Tdk Corp | 多層基板の製造方法 |
| JP2006152173A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、樹脂層、樹脂層付きキャリア材料および回路基板 |
| JP2008506158A (ja) * | 2004-07-08 | 2008-02-28 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 短距離光相互接続装置 |
| US7444058B2 (en) | 2004-09-08 | 2008-10-28 | Toray Industries, Inc. | Resin composition for optical wiring, and optoelectronic circuit board |
| KR101053808B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2011-08-03 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 광학 적층체, 편광판 및 화상 표시 장치 |
Families Citing this family (121)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000018202A1 (fr) * | 1998-09-17 | 2000-03-30 | Ibiden Co., Ltd. | Tableau de connexions multicouche d'accumulation |
| US6875719B2 (en) * | 2000-04-27 | 2005-04-05 | Industrial Technology Research Institute | Catalyst composition for preparing olefin polymers |
| JP4095763B2 (ja) * | 2000-09-06 | 2008-06-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6800815B1 (en) * | 2001-01-16 | 2004-10-05 | National Semiconductor Corporation | Materials and structure for a high reliability bga connection between LTCC and PB boards |
| US6656313B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Structure and method for improved adhesion between two polymer films |
| US6682619B2 (en) * | 2001-07-17 | 2004-01-27 | Sikorsky Aircraft Corporation | Composite pre-preg ply having tailored dielectrical properties and method of fabrication thereof |
| US20030137815A1 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Printed wiring board and method of manufacturing the same |
| US7714432B2 (en) * | 2002-07-26 | 2010-05-11 | Intel Corporation | Ceramic/organic hybrid substrate |
| US6617690B1 (en) * | 2002-08-14 | 2003-09-09 | Ibm Corporation | Interconnect structures containing stress adjustment cap layer |
| KR100483622B1 (ko) * | 2002-08-16 | 2005-04-19 | 삼성전기주식회사 | 광도파로 소자를 인쇄회로기판에 부착하는 방법 |
| DE10393284T5 (de) * | 2002-09-16 | 2005-09-08 | World Properties, Inc., Lincolnwood | Flüssigkristallpolymerverbundstoffe, Verfahren zu ihrer Herstellung und daraus hergestellte Gegenstände |
| JP4426805B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2010-03-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
| TWI234210B (en) * | 2002-12-03 | 2005-06-11 | Sanyo Electric Co | Semiconductor module and manufacturing method thereof as well as wiring member of thin sheet |
| KR100451635B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2004-10-08 | 삼성전기주식회사 | 섬유 블록과 파이프 블록, 및 이를 이용하여 다층인쇄회로기판의 층간 광신호를 연결하는 방법 |
| JP3948473B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2007-07-25 | ダイキン工業株式会社 | フルオロポリマー及びその組成物 |
| DE10302104A1 (de) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Friwo Gerätebau Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Schaltungsträgern mit intergrierten passiven Bauelementen |
| US6764748B1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-07-20 | International Business Machines Corporation | Z-interconnections with liquid crystal polymer dielectric films |
| US7265300B2 (en) * | 2003-03-21 | 2007-09-04 | Commscope Solutions Properties, Llc | Next high frequency improvement using hybrid substrates of two materials with different dielectric constant frequency slopes |
| TW573444B (en) * | 2003-04-22 | 2004-01-21 | Ind Tech Res Inst | Substrate having organic and inorganic functional package |
| US7126228B2 (en) * | 2003-04-23 | 2006-10-24 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for processing semiconductor devices in a singulated form |
| KR20040106674A (ko) * | 2003-06-11 | 2004-12-18 | 삼성전자주식회사 | 광도파로 적층 인쇄회로기판 및 광연결 블록의 구조와 그광도파로층 제작 방법 |
| US7164197B2 (en) * | 2003-06-19 | 2007-01-16 | 3M Innovative Properties Company | Dielectric composite material |
| US7226654B2 (en) * | 2003-07-29 | 2007-06-05 | Kyocera Corporation | Laminated wiring board and its mounting structure |
| US7129318B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-10-31 | I.S.T. (Ma) Corporation | RTM and RI processable polyimide resins |
| JP2005195690A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Toshiba Corp | 金属含有樹脂粒子、樹脂粒子、及び電子回路の製造方法 |
| US7015075B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-03-21 | Freescale Semiconuctor, Inc. | Die encapsulation using a porous carrier |
| US7342181B2 (en) * | 2004-03-12 | 2008-03-11 | Commscope Inc. Of North Carolina | Maximizing capacitance per unit area while minimizing signal transmission delay in PCB |
| US7429789B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-09-30 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Fluoropolymer dielectric composition for use in circuitized substrates and circuitized substrate including same |
| US7470990B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-12-30 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Low moisture absorptive circuitized substrate with reduced thermal expansion, method of making same, electrical assembly utilizing same, and information handling system utilizing same |
| US7190594B2 (en) | 2004-05-14 | 2007-03-13 | Commscope Solutions Properties, Llc | Next high frequency improvement by using frequency dependent effective capacitance |
| US7980900B2 (en) * | 2004-05-14 | 2011-07-19 | Commscope, Inc. Of North Carolina | Next high frequency improvement by using frequency dependent effective capacitance |
| US8221885B2 (en) | 2004-06-02 | 2012-07-17 | Cool Options, Inc. a corporation of the State of New Hampshire | Thermally conductive polymer compositions having low thermal expansion characteristics |
| US20060001145A1 (en) * | 2004-07-03 | 2006-01-05 | Aptos Corporation | Wafer level mounting frame with passive components integration for ball grid array packaging |
| DE102004037381A1 (de) * | 2004-08-02 | 2006-03-16 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Kittlos gesockelte Lampe |
| KR100638620B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2006-10-26 | 삼성전기주식회사 | 임베디드 수동소자용 인쇄회로기판재료 |
| TW200613447A (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-01 | Ind Tech Res Inst | Dielectric constant adjustable resin composition, prepreg and copper clad laminate utilizing the same |
| CA2593781C (en) * | 2005-01-14 | 2011-05-17 | National Research Council Of Canada | Tie layer and method for forming thermoplastics |
| US7352061B2 (en) * | 2005-05-20 | 2008-04-01 | Intel Corporation | Flexible core for enhancement of package interconnect reliability |
| US7095602B1 (en) * | 2005-06-29 | 2006-08-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic structure and nonreciprocal circuit device |
| US7342183B2 (en) * | 2005-07-11 | 2008-03-11 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Circuitized substrate with sintered paste connections, multilayered substrate assembly, electrical assembly and information handling system utilizing same |
| WO2007013239A1 (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型電子部品、電子装置および積層型電子部品の製造方法 |
| JP2007096185A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板 |
| JP5309316B2 (ja) * | 2006-02-06 | 2013-10-09 | 国立大学法人東北大学 | チップ素子 |
| US20070235450A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Advanced Composite Materials Corporation | Composite materials and devices comprising single crystal silicon carbide heated by electromagnetic radiation |
| EP2026379B1 (en) * | 2006-06-02 | 2012-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component and method for manufacturing same |
| US7407415B2 (en) * | 2006-06-07 | 2008-08-05 | International Business Machines Corporation | Crosstalk reduction in dual inline memory module (DIMM) connectors |
| US20070291440A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Dueber Thomas E | Organic encapsulant compositions based on heterocyclic polymers for protection of electronic components |
| KR100752019B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2007-08-28 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판용 절연재 |
| JP5175476B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2013-04-03 | 三洋電機株式会社 | 回路装置の製造方法 |
| US20080217748A1 (en) * | 2007-03-08 | 2008-09-11 | International Business Machines Corporation | Low cost and low coefficient of thermal expansion packaging structures and processes |
| GB0706638D0 (en) * | 2007-04-04 | 2007-05-16 | Mbda Uk Ltd | A high-dielectric material |
| US20120052222A1 (en) * | 2007-08-10 | 2012-03-01 | Gagne Robert R | Lightweight ballistic protection materials, |
| WO2009045932A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-09 | Tri-Star Laminates, Inc. | Improved systems and methods for drilling holes in printed circuit boards |
| US20100283570A1 (en) * | 2007-11-14 | 2010-11-11 | Lavoie Adrien R | Nano-encapsulated magnetic particle composite layers for integrated silicon voltage regulators |
| US20100012354A1 (en) * | 2008-07-14 | 2010-01-21 | Logan Brook Hedin | Thermally conductive polymer based printed circuit board |
| GB2473982B (en) * | 2008-07-18 | 2013-01-23 | World Properties Inc | Circuit materials, circuits laminates and method of manufacture thereof |
| KR100983219B1 (ko) * | 2008-12-05 | 2010-09-20 | 조근호 | 직접인쇄방식에 의한 인쇄회로기판의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 인쇄회로기판 |
| US8047879B2 (en) * | 2009-01-26 | 2011-11-01 | Commscope, Inc. Of North Carolina | Printed wiring boards and communication connectors having series inductor-capacitor crosstalk compensation circuits that share a common inductor |
| TW201032689A (en) * | 2009-02-20 | 2010-09-01 | Unimicron Technology Corp | Composite circuit substrate structure |
| DE102009024982B4 (de) * | 2009-06-16 | 2013-01-10 | Solarworld Innovations Gmbh | Maskierungsverfahren, Verwendung des Verfahrens und Zwischenprodukt und Verfahren zur Herstellung einer Kontakt-Struktur für ein Halbleiter-Bauelement |
| KR20110019536A (ko) * | 2009-08-20 | 2011-02-28 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
| KR101123900B1 (ko) * | 2009-08-28 | 2012-03-23 | 한국세라믹기술원 | 복합 소재 및 그 제조 방법 |
| DE102009029485A1 (de) * | 2009-09-15 | 2011-03-24 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Keramikbauteils, Keramikbauteil und Bauteilanordnung |
| CN102117670B (zh) * | 2009-10-29 | 2016-05-04 | 住友金属矿山株式会社 | 电阻体材料、电阻薄膜形成用溅射靶、电阻薄膜、薄膜电阻器以及它们的制造方法 |
| EP2501743B1 (en) * | 2009-11-20 | 2016-03-16 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Wire wrap compositions and methods relating thereto |
| CN103003038B (zh) * | 2010-07-22 | 2015-03-25 | 日本碍子株式会社 | 成型体以及成型体的制造方法 |
| CN102480012B (zh) * | 2011-04-28 | 2013-02-13 | 深圳光启高等理工研究院 | 一种超材料介质基板及其加工方法 |
| US20120286416A1 (en) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | Tessera Research Llc | Semiconductor chip package assembly and method for making same |
| US9182204B2 (en) | 2011-07-28 | 2015-11-10 | Mac, Llc | Subsonic ammunition casing |
| EP2737275A4 (en) | 2011-07-28 | 2014-09-17 | Mac Llc | POLYMER MUNITION SLEEVE GEOMETRY |
| DE102011080299B4 (de) * | 2011-08-02 | 2016-02-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren, mit dem ein Schaltungsträger hergestellt wird, und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
| JP6295663B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2018-03-20 | 日立化成株式会社 | 積層体、積層板、多層積層板、プリント配線板及び積層板の製造方法 |
| KR20140063712A (ko) * | 2011-09-22 | 2014-05-27 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 적층체, 적층판, 다층 적층판, 프린트 배선판 및 적층판의 제조 방법 |
| US9101061B2 (en) * | 2011-09-22 | 2015-08-04 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Laminate body, laminate plate, multilayer laminate plate, printed wiring board, and method for manufacture of laminate plate |
| WO2015157202A1 (en) | 2014-04-09 | 2015-10-15 | Corning Incorporated | Device modified substrate article and methods for making |
| US10543662B2 (en) | 2012-02-08 | 2020-01-28 | Corning Incorporated | Device modified substrate article and methods for making |
| FR2988223B1 (fr) * | 2012-03-19 | 2016-09-02 | Solarwell | Dispositif emettant de la lumiere contenant des nanocristaux colloidaux semiconducteurs anisotropes aplatis et procede de fabrication de tels dispositifs |
| WO2014011243A1 (en) * | 2012-07-12 | 2014-01-16 | Eaton Corporation | Load buss assembly and method of manufacturing the same |
| US10014177B2 (en) | 2012-12-13 | 2018-07-03 | Corning Incorporated | Methods for processing electronic devices |
| US9340443B2 (en) | 2012-12-13 | 2016-05-17 | Corning Incorporated | Bulk annealing of glass sheets |
| TW201429708A (zh) * | 2012-12-13 | 2014-08-01 | Corning Inc | 玻璃及製造玻璃物品的方法 |
| TWI617437B (zh) | 2012-12-13 | 2018-03-11 | 康寧公司 | 促進控制薄片與載體間接合之處理 |
| US10086584B2 (en) | 2012-12-13 | 2018-10-02 | Corning Incorporated | Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers |
| US10287473B2 (en) * | 2012-12-20 | 2019-05-14 | Dow Global Technologies Llc | Polymer composite components for wireless-communication towers |
| KR20140091346A (ko) * | 2013-01-11 | 2014-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US10510576B2 (en) | 2013-10-14 | 2019-12-17 | Corning Incorporated | Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing |
| AT515069B1 (de) * | 2013-11-07 | 2019-10-15 | At & S Austria Tech & Systemtechnik Ag | Leiterplattenstruktur |
| EP3094944B1 (en) | 2014-01-13 | 2019-02-27 | Mac Llc | Polymeric ammunition casing |
| US10046542B2 (en) | 2014-01-27 | 2018-08-14 | Corning Incorporated | Articles and methods for controlled bonding of thin sheets with carriers |
| US9453714B2 (en) | 2014-04-04 | 2016-09-27 | Mac, Llc | Method for producing subsonic ammunition casing |
| US9379298B2 (en) * | 2014-10-03 | 2016-06-28 | Henkel IP & Holding GmbH | Laminate sub-mounts for LED surface mount package |
| KR102573207B1 (ko) | 2015-05-19 | 2023-08-31 | 코닝 인코포레이티드 | 시트와 캐리어의 결합을 위한 물품 및 방법 |
| CN107810168A (zh) | 2015-06-26 | 2018-03-16 | 康宁股份有限公司 | 包含板材和载体的方法和制品 |
| US10008382B2 (en) | 2015-07-30 | 2018-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device having a porous low-k structure |
| KR20170025021A (ko) * | 2015-08-27 | 2017-03-08 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조용 수지 부착 동박 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 |
| US11001000B2 (en) * | 2015-10-21 | 2021-05-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Three-dimensional (3D) printing |
| US10476164B2 (en) | 2015-10-28 | 2019-11-12 | Rogers Corporation | Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same |
| US11367959B2 (en) | 2015-10-28 | 2022-06-21 | Rogers Corporation | Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same |
| US10374315B2 (en) | 2015-10-28 | 2019-08-06 | Rogers Corporation | Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same |
| US20170287838A1 (en) | 2016-04-02 | 2017-10-05 | Intel Corporation | Electrical interconnect bridge |
| JP2019527667A (ja) * | 2016-07-27 | 2019-10-03 | コーニング インコーポレイテッド | セラミックとポリマーとの複合材、その作製方法および使用 |
| TW201825623A (zh) | 2016-08-30 | 2018-07-16 | 美商康寧公司 | 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物 |
| TWI810161B (zh) | 2016-08-31 | 2023-08-01 | 美商康寧公司 | 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法 |
| US20200094523A1 (en) * | 2016-12-16 | 2020-03-26 | Sabic Global Technologies B.V. | Structured ceramic composites modeled after natural materials and made via cold sintering |
| CN106604536B (zh) * | 2017-01-26 | 2019-05-21 | 上海安缔诺科技有限公司 | 聚四氟乙烯复合微波介质材料及其制备方法 |
| WO2018182654A1 (en) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | Intel Corporation | Package substrate having polymer-derived ceramic core |
| US11876295B2 (en) | 2017-05-02 | 2024-01-16 | Rogers Corporation | Electromagnetic reflector for use in a dielectric resonator antenna system |
| US11283189B2 (en) * | 2017-05-02 | 2022-03-22 | Rogers Corporation | Connected dielectric resonator antenna array and method of making the same |
| CN110754017B (zh) | 2017-06-07 | 2023-04-04 | 罗杰斯公司 | 介质谐振器天线系统 |
| WO2019118660A1 (en) | 2017-12-15 | 2019-06-20 | Corning Incorporated | Method for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets |
| US11616302B2 (en) | 2018-01-15 | 2023-03-28 | Rogers Corporation | Dielectric resonator antenna having first and second dielectric portions |
| US10892544B2 (en) | 2018-01-15 | 2021-01-12 | Rogers Corporation | Dielectric resonator antenna having first and second dielectric portions |
| US10910722B2 (en) | 2018-01-15 | 2021-02-02 | Rogers Corporation | Dielectric resonator antenna having first and second dielectric portions |
| RU2715085C2 (ru) * | 2018-07-02 | 2020-02-25 | Виталий Евгеньевич Поляков | Активная среда для волоконных лазеров и способ ее изготовления |
| US11167375B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-11-09 | The Research Foundation For The State University Of New York | Additive manufacturing processes and additively manufactured products |
| US11031697B2 (en) | 2018-11-29 | 2021-06-08 | Rogers Corporation | Electromagnetic device |
| WO2020117489A1 (en) | 2018-12-04 | 2020-06-11 | Rogers Corporation | Dielectric electromagnetic structure and method of making the same |
| KR20200080992A (ko) | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 삼성전자주식회사 | 복합체, 성형품, 전지 케이스, 및 전지 |
| US11482790B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-10-25 | Rogers Corporation | Dielectric lens and electromagnetic device with same |
| CN111534820B (zh) * | 2020-06-15 | 2021-03-23 | 北京师范大学 | 一种自支撑绝缘介质及其制备方法和应用 |
| CN114911003B (zh) * | 2022-05-31 | 2023-09-22 | 上海大学 | 一种基于包层紫外光刻的光波导制备方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62126694A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-08 | イビデン株式会社 | 電子回路用多層基板 |
| JPH01112792A (ja) * | 1987-09-30 | 1989-05-01 | E I Du Pont De Nemours & Co | ポリマーセラミック複合プライ |
| JPH03177376A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-08-01 | Japan Gore Tex Inc | セラミック基板 |
| JPH0491497A (ja) * | 1990-08-02 | 1992-03-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | セラミック―樹脂複合体よりなる配線板の製造方法 |
| JPH04103349A (ja) * | 1990-08-23 | 1992-04-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱可塑性樹脂金属張積層板の製造方法 |
| JPH05281426A (ja) * | 1992-04-01 | 1993-10-29 | Sony Corp | プリント基板 |
| JPH05291706A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-11-05 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | プリント配線用基板の製造法 |
| JPH06281831A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電気配線・光配線混載フレキシブルプリント配線板及びその基板 |
| JPH08125339A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-05-17 | Kyocera Corp | 多層配線基板の製造方法 |
| JPH08130377A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
| JPH08186376A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Hitachi Ltd | 高密度薄膜多層配線基板並びにその実装構造体及びその製造方法 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4680220A (en) * | 1985-02-26 | 1987-07-14 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Dielectric materials |
| EP0196865B1 (en) * | 1985-03-27 | 1990-09-12 | Ibiden Co, Ltd. | Electronic circuit substrates |
| US4810563A (en) * | 1986-03-14 | 1989-03-07 | The Bergquist Company | Thermally conductive, electrically insulative laminate |
| US5384181B1 (en) | 1987-02-17 | 2000-06-13 | World Properties Inc | Low volume fraction ceramic filled fluoropolymeric composite material |
| US5061548A (en) | 1987-02-17 | 1991-10-29 | Rogers Corporation | Ceramic filled fluoropolymeric composite material |
| US4849284A (en) * | 1987-02-17 | 1989-07-18 | Rogers Corporation | Electrical substrate material |
| US5139852A (en) * | 1988-03-11 | 1992-08-18 | International Business Machines Corporation | Low dielectric composite substrate |
| JPH02148789A (ja) * | 1988-03-11 | 1990-06-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子回路基板 |
| JPH0811781B2 (ja) * | 1988-03-26 | 1996-02-07 | 松下電工株式会社 | 賦形高誘電性ポリフェニレンオキサイド系樹脂組成物 |
| JPH088416B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1996-01-29 | 日本電気株式会社 | セラミック多層回路基板の製造方法 |
| US5213878A (en) * | 1990-03-23 | 1993-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ceramic composite for electronic applications |
| US5541249A (en) | 1990-12-18 | 1996-07-30 | Hoechst Celanese Corp. | Injection moldable ceramic and metallic compositions and method of preparing the same |
| US5287619A (en) | 1992-03-09 | 1994-02-22 | Rogers Corporation | Method of manufacture multichip module substrate |
| JPH06219819A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-09 | Asahi Glass Co Ltd | セラミックスグリーンシート及びセラミックス基板 |
| US5358775A (en) | 1993-07-29 | 1994-10-25 | Rogers Corporation | Fluoropolymeric electrical substrate material exhibiting low thermal coefficient of dielectric constant |
| JP3442895B2 (ja) * | 1994-07-04 | 2003-09-02 | 新光電気工業株式会社 | 基板製造用焼成体、基板およびその製造方法 |
| DE69417027T2 (de) * | 1994-08-02 | 2000-01-05 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Verfahren zur Produktion einer Rohplatte für gedruckte Leiterplatten |
| US5571609A (en) | 1994-10-13 | 1996-11-05 | Rogers Corporation | Polybutadiene and polyisoprene based thermosetting compositions and method of manufacture thereof |
| US5552210A (en) * | 1994-11-07 | 1996-09-03 | Rogers Corporation | Ceramic filled composite polymeric electrical substrate material exhibiting high dielectric constant and low thermal coefficient of dielectric constant |
| JPH08231274A (ja) * | 1995-02-24 | 1996-09-10 | Kyocera Corp | 樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた電子回路基板 |
| US5670262A (en) * | 1995-05-09 | 1997-09-23 | The Dow Chemical Company | Printing wiring board(s) having polyimidebenzoxazole dielectric layer(s) and the manufacture thereof |
| US5919546A (en) * | 1995-06-22 | 1999-07-06 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Porous ceramic impregnated wiring body |
| JPH10100320A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 複合セラミックス板およびその製造法 |
| US5965273A (en) * | 1997-01-31 | 1999-10-12 | Hoechst Celanese Corporation | Polymeric compositions having a temperature-stable dielectric constant |
| US5922453A (en) * | 1997-02-06 | 1999-07-13 | Rogers Corporation | Ceramic-filled fluoropolymer composite containing polymeric powder for high frequency circuit substrates |
| US6845184B1 (en) * | 1998-10-09 | 2005-01-18 | Fujitsu Limited | Multi-layer opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making |
| US6233817B1 (en) * | 1999-01-17 | 2001-05-22 | Delphi Technologies, Inc. | Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board |
-
2000
- 2000-06-29 US US09/606,359 patent/US6528145B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-06-18 KR KR10-2001-0034264A patent/KR100462451B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-06-18 EP EP01305287A patent/EP1168436A3/en not_active Withdrawn
- 2001-06-21 MY MYPI20012928A patent/MY117336A/en unknown
- 2001-06-26 TW TW090115463A patent/TW515055B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-06-26 JP JP2001193284A patent/JP3745653B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-28 CN CNB011218142A patent/CN1170314C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62126694A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-08 | イビデン株式会社 | 電子回路用多層基板 |
| JPH01112792A (ja) * | 1987-09-30 | 1989-05-01 | E I Du Pont De Nemours & Co | ポリマーセラミック複合プライ |
| JPH03177376A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-08-01 | Japan Gore Tex Inc | セラミック基板 |
| JPH0491497A (ja) * | 1990-08-02 | 1992-03-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | セラミック―樹脂複合体よりなる配線板の製造方法 |
| JPH04103349A (ja) * | 1990-08-23 | 1992-04-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱可塑性樹脂金属張積層板の製造方法 |
| JPH05281426A (ja) * | 1992-04-01 | 1993-10-29 | Sony Corp | プリント基板 |
| JPH05291706A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-11-05 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | プリント配線用基板の製造法 |
| JPH06281831A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電気配線・光配線混載フレキシブルプリント配線板及びその基板 |
| JPH08125339A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-05-17 | Kyocera Corp | 多層配線基板の製造方法 |
| JPH08130377A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
| JPH08186376A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Hitachi Ltd | 高密度薄膜多層配線基板並びにその実装構造体及びその製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008506158A (ja) * | 2004-07-08 | 2008-02-28 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 短距離光相互接続装置 |
| JP4855397B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2012-01-18 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 短距離光相互接続装置 |
| US7444058B2 (en) | 2004-09-08 | 2008-10-28 | Toray Industries, Inc. | Resin composition for optical wiring, and optoelectronic circuit board |
| JP2006128520A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Tdk Corp | 多層基板の製造方法 |
| JP2006128519A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Tdk Corp | 多層基板の製造方法 |
| JP2006152173A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、樹脂層、樹脂層付きキャリア材料および回路基板 |
| KR101053808B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2011-08-03 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 광학 적층체, 편광판 및 화상 표시 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW515055B (en) | 2002-12-21 |
| CN1330403A (zh) | 2002-01-09 |
| US6528145B1 (en) | 2003-03-04 |
| KR20020002216A (ko) | 2002-01-09 |
| EP1168436A3 (en) | 2008-11-19 |
| JP3745653B2 (ja) | 2006-02-15 |
| KR100462451B1 (ko) | 2004-12-17 |
| MY117336A (en) | 2004-06-30 |
| CN1170314C (zh) | 2004-10-06 |
| EP1168436A2 (en) | 2002-01-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3745653B2 (ja) | ポリマー／セラミック複合電子基板 | |
| JP3375555B2 (ja) | 回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法 | |
| JP5344022B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板及び半導体装置 | |
| KR20130089235A (ko) | 프리프레그, 배선판 및 반도체 장치 | |
| JP2003532747A (ja) | 低粘度アクリレート単量体、それを含有する配合物、及びその使用 | |
| JP2012117052A (ja) | 多層配線基板用絶縁樹脂組成物及びこれを含む多層配線基板 | |
| CN109564899A (zh) | 支撑基板、带有支撑基板的层叠体及半导体元件搭载用封装基板的制造方法 | |
| JP2012072405A (ja) | 高分子樹脂組成物及びこれを用いて製造された絶縁フィルム並びにその製造方法 | |
| JP5849390B2 (ja) | エポキシ樹脂前駆体組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板および半導体装置 | |
| WO2007108087A1 (ja) | 絶縁樹脂層、キャリア付き絶縁樹脂層および多層プリント配線板 | |
| JP2008244091A (ja) | 多層配線基板用層間接続ボンディングシート | |
| US6249045B1 (en) | Tented plated through-holes and method for fabrication thereof | |
| JP2002344100A (ja) | 基板用誘電体材料及びその製造方法 | |
| JP2012216685A (ja) | 多層基板 | |
| JP4422555B2 (ja) | 多層配線基板用導電性ペースト組成物 | |
| JP4438890B2 (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
| JP2002261453A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP2841966B2 (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| JP3694673B2 (ja) | 絶縁フィルムおよびこれを用いた多層配線基板 | |
| KR20060130585A (ko) | 열가소성 수지 조성물, 기판용 재료 및 기판용 필름 | |
| CN114141721A (zh) | 具有低溶剂无纤维介电层的部件承载件 | |
| JP2004082554A (ja) | 絶縁フィルムおよびこれを用いた多層配線基板 | |
| JP2004179011A (ja) | 絶縁フィルムおよびこれを用いた多層配線基板 | |
| JP2003200526A (ja) | プリント配線板製造用材料及びプリント配線板及びその製造方法 | |
| JP2003046259A (ja) | 多層配線基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041005 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20041217 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20041222 |
|
| RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20050203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050405 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051101 |
|
| RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20051101 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051117 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3745653 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081202 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101202 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101202 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111202 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111202 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121202 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121202 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131202 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |