CN114141721A - 具有低溶剂无纤维介电层的部件承载件 - Google Patents
具有低溶剂无纤维介电层的部件承载件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114141721A CN114141721A CN202010922679.5A CN202010922679A CN114141721A CN 114141721 A CN114141721 A CN 114141721A CN 202010922679 A CN202010922679 A CN 202010922679A CN 114141721 A CN114141721 A CN 114141721A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dielectric layer
- solvent
- fiber
- layer
- component carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002904 solvent Substances 0.000 title claims abstract description 146
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 71
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 71
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 70
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 19
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 claims description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 claims description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 15
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 11
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 7
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 5
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 description 4
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical class OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- QXJJQWWVWRCVQT-UHFFFAOYSA-K calcium;sodium;phosphate Chemical compound [Na+].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O QXJJQWWVWRCVQT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000012767 functional filler Substances 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000206 moulding compound Substances 0.000 description 1
- BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N nickel palladium Chemical compound [Ni].[Pd] BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/142—Metallic substrates having insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49822—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
- H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4652—Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern
- H05K3/4655—Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern by using a laminate characterized by the insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0783—Using solvent, e.g. for cleaning; Regulating solvent content of pastes or coatings for adjusting the viscosity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/111—Preheating, e.g. before soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
- H05K2203/1305—Moulding and encapsulation
- H05K2203/1316—Moulded encapsulation of mounted components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
本发明公开了具有低溶剂无纤维介电层的部件承载件。一种制造部件承载件(100)的方法,其中,所述方法包括:形成叠置件(102),所述叠置件包括至少一个导电层结构(104)和至少一个电绝缘层结构(106);并且将直接连接至金属层(112)的无纤维介电层(110)中的溶剂(108)的量减少成使得:具有减少的溶剂(108)的量的所述介电层(110)保持至少部分地未固化。
Description
技术领域
本发明涉及一种制造部件承载件的方法,并且涉及一种部件承载件。
背景技术
在配备有一个或更多个电子部件的部件承载件的产品功能越来越多、并且这种部件的小型化增加、以及待连接至诸如印刷电路板等部件承载件的部件数量增多的背景下,越来越强大的类阵列部件或具有若干部件的封装被采用,该类阵列部件或封装具有多个触点或连接部,在这些触点之间具有更小的间隔。特别地,部件承载件应该是机械上坚固并且电气上可靠的,以便甚至在恶劣条件下是可操作的。
然而,层压型部件承载件,特别是当包括一个或更多个RCC(树脂涂布铜)结构时,可能遭受性能问题和可靠性问题,诸如分层或翘曲。
发明内容
可能需要一种能够以可靠的方式制造并且能够以高性能操作的部件承载件。
根据本发明的一种示例性实施方式,提供了一种制造部件承载件的方法,其中,该方法包括形成叠置件,所述叠置件包括至少一个导电层结构和至少一个电绝缘层结构,将直接连接至金属层的无纤维介电层中的溶剂的量减少成使得:具有减少的溶剂的量的介电层保持至少部分地未固化,并且可选地,随后通过使介电层至少部分地固化而将无纤维介电层与金属层一起层压到叠置件。
根据本发明的另一示例性实施方式,提供了一种部件承载件,其中,所述部件承载件包括:叠置件,所述叠置件包括至少一个导电层结构和至少一个电绝缘层结构;以及无纤维介电层,所述无纤维介电层被层压到所述叠置件,并且具有相对于无纤维介电层的总重量的小于0.15重量百分比的溶剂浓度,其中,所述介电层直接布置在所述叠置件与附加的金属层之间(其中,所述介电层和所述金属层可以形成双层,即两个连接层的整体结构,诸如RCC)。
在本申请的上下文中,术语“部件承载件”可以特别地表示以下任意支撑结构,在该任意支撑结构上和/或在该任意支撑结构中能够容纳一个或更多个部件以提供机械支撑和/或电连接。换而言之,部件承载件可以被构造成用于部件的机械和/或电子承载件。特别地,部件承载件可以是印刷电路板、有机中介层和IC(集成电路)基板中的一者。部件承载件也可以是将上述类型的部件承载件中的不同部件承载件进行组合的混合板。
在本申请的上下文中,术语“叠置件(stack)”可以特别地表示平行地安装在彼此顶部的多个平面层结构的布置。所述叠置件的层结构可以通过层压来连接,即通过施加热和/或压力来连接。
在本申请的上下文中,术语“层结构”可以特别地表示连续的层、图案化的层或在共同平面内的多个非连续的岛。
在本申请的上下文中,术语“溶剂”可以特别地表示如下物质:在所述物质中可以溶解固体。溶剂可以是液体,但也可以是或可以包括固体、气体和/或超临界流体。这种溶剂可以属于以下物质类别中的一者或更多者:醇、酮、乙二醇衍生物、酰胺、苯衍生物以及环状烃或脂肪族烃。例如,所述溶剂可以包括以下溶剂中的一者或更多者:醇,诸如乙醇或1-甲氧基2-丙醇;酮,诸如甲基乙基酮或环己酮;乙二醇衍生物,诸如丙二醇甲基醚乙酸酯或二乙二醇单乙醚乙酸酯;酰胺,诸如二甲基甲酰胺;苯衍生物,诸如甲苯;或环状和/或脂肪族(饱和或非饱和)烃(诸如石脑油(科利塔石脑油,coletal naphtha))。
在本申请的上下文中,术语“无纤维介电层”可以特别地表示包括一种或更多种成分但不包括增强纤维的介电层。特别地,无纤维介电层不包括玻璃纤维或玻璃布。这种玻璃纤维或玻璃布可以在诸如预浸料或FR4之类的材料中使用以用于机械增强目的。例如,无纤维介电层可以包括树脂(诸如环氧树脂)、溶剂和可选的填料颗粒。所述填料颗粒可以为无纤维介电层提供相应的性质或功能,诸如增加的导热性。然而,在这种无纤维介电层中不存在纤维。
在本申请的上下文中,术语“直接连接”可以特别地表示两个层或层结构(诸如介电层和金属层)可以通过直接的物理接触(即之间没有另外的结构)彼此连接。然而,本领域技术人员将理解,极薄的种子层、粘合促进剂等可以布置或可以不布置在直接连接的层或层结构之间。然而,两个直接连接的层之间没有大量的材料。
在本申请的上下文中,术语“至少部分地未固化的介电层”可以特别地表示完全地未固化的介电层(例如,A阶树脂)或者仅部分地未固化的介电层(例如,B阶树脂)、但不是完全地固化的介电层(例如C阶树脂)。A阶表示一些热固性树脂的反应阶段,其中材料是可熔的并可溶于某些液体中。B阶表示一些热固性树脂的中间反应阶段,其中当施加热时材料软化,其中该阶段可能不会完全溶解或熔化。C阶表示一些热固性树脂的最终反应阶段,其中环氧树脂是基本上不可溶和不可熔的,特别地是完全地固化的。至少部分地未固化的介电层仍然能够经受固化过程,通过该固化过程,介电材料可以变得暂时可流动和/或可以聚合和/或可以交联。在固化过程之后,至少部分地未固化的介电层再凝固。在上述层压程序期间,至少部分地未固化的材料再熔化并流入其环境中的缝隙中,并且例如可以由此完全地固化。
在本申请的上下文中,术语“至少部分地固化介电层”可以特别地表示仅部分地或完全地固化介电层。仅部分地固化可以涉及将介电层的材料处理成变得可流动和/或聚合和/或交联以使得:稍后可以通过仍未完全地固化的介电层的材料来重复这种固化处理。完全地固化可以涉及将介电层的材料处理成变得可流动和/或聚合和/或交联以使得:这种固化处理不能再次重复,因为介电层的材料已经被完全地固化。这种材料可能无法再次变得可流动。
在本申请的上下文中,术语“层压”可以特别地表示将层、层结构和/或层叠置件进行连接的过程,其中,该连接可以通过施加热和/或压力来触发。特别地,层压可以使至少部分地未固化但仍可流动的电介质(诸如环氧树脂或任何其他合适的聚合物)暂时呈液态或粘性,因为可能会发生聚合或交联,而此后电介质可能会再次再凝固。结果,可以获得在层、层结构和/或层叠置件之间的层压,其中,现在固化的电介质可以将层、层结构和/或层叠置件粘合在一起。
根据本发明的一个示例性实施方式,提供了一种用于制造部件承载件(诸如印刷电路板(PCB)或集成电路(IC)基板)的制造架构。在这种制造架构中,在将双层层压到部件承载件的层叠置件之前,可以通过直接在金属层上对由金属层和介电层组成的双层进行预处理来改善容易制造的部件承载件的性能和/或可靠性。所述预处理可以特别地适于在层压之前去除双层中的介电层中的溶剂的一部分。尽管对于双层(例如,RCC(树脂涂布铜)结构)的制造过程而言可能需要介电层中的溶剂,但双层中的介电层中的过量的溶剂可能是导致通过将双层层压到层叠置件而制造的部件承载件的可靠性问题和性能问题的原因。在不希望受特定理论的束缚的情况下,目前认为双层中的金属层在层压期间充当针对溶剂从介电层蒸发出来的屏障。因此,在层压期间仅可以从介电层中去除不足量的溶剂。容易制造的部件承载件中剩余的过量的溶剂因此可能会破坏其在可靠性和性能方面的性质,并且可能引起诸如分层和翘曲等的问题。有利地,根据一个示例性实施方式,与金属层一起形成化合物的至少部分地未固化的介电层可以以如下方式在与叠置件层压之前被预处理(例如通过预烘烤):在预处理期间,从介电层中除去过量的溶剂而没有使介电层完全地固化。在不希望受特定理论的束缚的情况下,目的可能是将预烘烤期间的温度保持在所涉及的(一种或更多种)树脂的玻璃化转变温度以下。因此,限制了树脂的交联(作为固化的示例),并且树脂在预处理期间可能无法被完全地固化。由于介电层可能在这种预处理期间暴露,因此这种溶剂去除可能是有效的。在与叠置件层压之前来自介电层的溶剂的量的受控减少还可以有利地允许适当地调节所获得的部件承载件的物理性质,例如在玻璃化转变温度、杨氏模量值等方面。高度有利的是,在叠置件层压之前避免通过溶剂去除过程使介电层完全地固化可以通过在所述随后的层压期间供应热和/或压力来维持介电层变得可流动的能力。在所述层压期间,介电层的树脂因此可以变得可流动、可以固化并且可以再凝固。通过所述过程,先前至少部分地未固化的介电层可以用作金属层与叠置件之间的粘合剂。因此,可以有利地限制在层压之前对介电层的优选热触发的部分溶剂去除,使得热能的供应不会引起完全地固化,而仅引起介电层的半固化。通过采取这种措施,可以将制造的部件承载件的高可靠性和性能与在双层与层压之后的层叠置件之间的适当粘合相结合。当介电层不含增强纤维时,可以在层压之后适当且容易地对其进行处理,例如用于在这种介电层上和/或这种介电层中形成填充铜的激光过孔(via)。
示例性实施方式的详细描述
在下文中,将解释所述方法和部件承载件的另外的示例性实施方式。
在一个实施方式中,所述方法包括通过预加热无纤维介电层来减少无纤维介电层中的溶剂的量。加热与金属层共同的化合物中的介电层可以蒸发介电层中的溶剂而没有使介电层完全地固化。这去除了过量的溶剂,同时保持了部分地未固化的介电层在与叠置件层压期间用作粘合剂的能力。
在一个实施方式中,预加热包括将无纤维介电层预加热到升高的温度,该升高的温度高于环境温度但低于无纤维介电层的树脂的玻璃化转变温度(Tg)。溶剂的去除可能在很大程度上取决于添加到环氧树脂中的溶剂。更具体地,预处理期间的合适温度取决于溶剂的沸点(一个或更多个)。因此,当在升高的温度下且低于所使用的树脂的Tg时,加热可能是非常合适的。
在一个实施方式中,预加热包括将无纤维介电层预加热直到在从60℃至160℃的范围内的温度,特别地预加热直到在从80℃至100℃的范围内的温度。最低温度为60℃,优选为80℃,以确保通过蒸发除去足够量的溶剂。同时,最高温度为160℃,优选为100℃,以确保防止使介电层的至少部分地未固化的树脂完全地固化,这可能由足够高的热冲击所触发的。因此,由于足够少量的残留溶剂,所提到的温度范围可以导致高性能和高度可靠的部件承载件,而由于至少部分地未固化的树脂在层压时维持的粘合性质同时抑制了任何分层趋势。
在一个实施方式中,所述方法包括通过施加负压来减少无纤维介电层中的溶剂的量。因此,溶剂的去除也可以通过施加真空或低压来完成。通过这种方式,可以进一步降低施加的温度,这可以导致在预烘烤期间树脂的较少固化。通过这种方式,可以将温度保持在树脂的玻璃化转变温度以下,同时在较低温度处除去溶剂。
可以附加地(特别是同时地)或可替代于上述预加热地实施用于降低溶剂浓度温度的负压的施加。特别地,可以在预烘烤期间施加负压。
在一个实施方式中,预加热包括将无纤维介电层预加热持续在从5分钟至20分钟的范围内的预加热时间,特别地预加热持续在从5分钟至10分钟的范围内的预加热时间。以与所提到的温度范围类似的方式,所提到的预加热或预烘烤的时间范围也促使了溶剂的足够明显的部分从介电层中被去除,同时其仍可固化的特性可以被维持到足够的程度。
在一个实施方式中,所述方法包括在减少溶剂的量期间使无纤维介电层部分地固化。部分地固化的无纤维介电层可以处于B阶。因此,例如由于部分聚合或部分交联,通过预烘烤降低介电层的溶剂含量可以导致溶剂耗尽的介电层的半固化的树脂含量。然而,无论通过预处理的溶剂减少如何,都可以维持树脂进行附加的聚合或交联的能力,这确保了适当的层压而在部件承载件的内部没有随后的分层趋势。
在一个实施方式中,所述方法包括通过层压来使无纤维介电层完全地固化。完全地固化的无纤维介电层可以处于C阶。仅通过层压,即在双层(例如,RCC结构)与(特别是已经完全地固化或至少部分地未固化的)叠置件之间供应进一步的热和/或机械压力,可以完成介电层的树脂的固化。这可以确保叠置件与双层之间的正确连接。
在一个实施方式中,所述方法包括在至少180℃,特别是至少200℃的温度处将无纤维介电层层压到叠置件。因此,用于层压所施加的温度可以大于用于预烘烤所施加的温度。这确保了预烘烤仅去除溶剂而没有完全地固化,同时层压可以将介电层转变成完全或基本上完全地固化的构造。
在一个实施方式中,所述方法包括,在将无纤维介电层层压到叠置件之后,将无纤维介电层、金属层和叠置件后加热到在从120℃至260℃的范围内的温度,特别地后加热到在从140℃至200℃的范围内的温度。可以执行这种后加热程序以进一步加强部件承载件的内部中的互连。除此之外,可以在非常高的温度下进行的所述后加热可以从介电层中去除另一部分剩余的溶剂。从描述上来说,后加热可以因此作为在预加热和层压之后的第三溶剂去除阶段来实施。
在一个实施方式中,所述方法包括通过在层压之前进行预处理,以将无纤维介电层的溶剂的量相对于无纤维介电层的总重量减少直到小于1.5重量百分比,特别地直到小于1重量百分比。鉴于层压造成的溶剂的附加损失,在介电层和金属层的双层中的这种足够少剩余量的溶剂可以与具有高性能的高度可靠的部件承载件的制造相兼容。
在一个实施方式中,所述方法包括通过层压进一步将无纤维介电层的溶剂的量相对于无纤维介电层的总重量减少直到小于0.15重量百分比,特别地直到小于0.1重量百分比,更特别地直到小于0.05重量百分比。换句话说,所述制造方法可以涉及介电层的溶剂含量的多阶段降低。第一阶段可被实现为层压之前的预烘烤阶段。第二阶段可以是层压过程本身,其中,由于在层压过程期间施加了热和/或机械压力,还可以从介电层中除去一定的附加量的溶剂。溶剂去除的可选第三阶段可以涉及后加热。
在一个实施方式中,金属层是铜箔。铜箔和无纤维介电层可以例如通过层压,即施加热和/或压力来直接彼此连接。然而,所述层压应当在温度、压力和时间方面足够适度,以保持在仅与金属层进行层压之后的介电层的树脂的至少部分地未固化的性质。
在一个实施方式中,无纤维介电层和铜箔形成树脂涂布铜(RCC)结构。与在标准半添加处理(SAP)架构中使用的传统预浸料片等相比,RCC结构的使用可以使使用非常薄的介电层成为可能。RCC的介电层可以包括例如环氧树脂。例如,介电层可以是无纤维的预浸料材料、积层(build-up)材料或膜等。
在一个实施方式中,所述方法包括减少溶剂的量,使得减少的溶剂的量均匀地或基本上均匀地分布在介电层上。相应地,易于制造的部件承载件的介电层可以由具有基本上均匀分布的溶剂的基本上均匀的材料制成。换句话说,除了公差等之外,金属层上的介电层可以没有溶剂的梯度的明显变化或其他材料不均匀性。均匀的溶剂分布抑制了部件承载件的内部中的热应力和机械应力,从而有助于高可靠性和高性能。
在一个实施方式中,当减少溶剂的量时,直接连接至无纤维介电层的金属层是连续的金属层。因此,金属层可以是优选恒定厚度的不间断的金属膜,其可以在预烘烤之前已经连接至介电层,作为机械支撑。
在一个实施方式中,所述方法包括在层压之后将连续的金属层进行图案化或(特别是部分地或完全地)去除连续的金属层。例如,容易制造的部件承载件的金属层可以是连续的金属层和图案化的金属层中的一者,或者金属层可能根本不形成容易制造的部件承载件的一部分。可选地,所述金属层可以附加地包括一个或更多个竖向贯穿连接部,诸如被镀覆的过孔(特别是镀铜的激光过孔)。因此,当通过将一个或更多个RCC箔层压到一侧或两个相对侧而进行PCB叠置件的积层时,可以构造出RCC结构的暴露的铜箔(例如,通过激光或通过光刻和蚀刻处理)。还可以在连接至这种图案化的铜箔的介电层中形成导电竖向贯穿连接部,诸如填充铜的激光过孔。
在所述部件承载件的一个实施方式中,连接至叠置件的无纤维介电层具有相对于无纤维介电层的总重量小于0.1重量百分比的溶剂浓度,特别地,连接至叠置件的无纤维介电层具有相对于无纤维介电层的总重量小于0.05重量百分比的溶剂浓度,更特别地,连接至叠置件的无纤维介电层具有相对于无纤维介电层的总重量小于0.02重量百分比的溶剂浓度。容易制造的部件承载件中的这种少量的残留溶剂可以与部件承载件的高可靠性和高性能相兼容,并且可以在包括介电层和金属层的双层中的溶剂的量通过预烘烤并随后层压到上述值而减少时获得。
在一个实施方式中,容易制造的部件承载件的介电层具有高于150℃,特别是高于160℃的玻璃化转变温度Tg。特别地,所述玻璃化转变温度可以通过动态力学分析(DMA)来测量。在DMA分析期间,可以通过在周期性应力下的变形来测量介电材料的模量和阻尼(特别是能量耗散)性质。在用于确定玻璃化转变温度的DMA测量期间,可以施加由于温度引起的应力和由于机械施加的载荷引起的应力两者。因此,检测到的Tg值可能取决于温度和载荷两者。在实验中,所提到的Tg值是在对应于49mN的载荷情况下获得的。从描述上讲,介电层的树脂的玻璃化转变温度可以表示材料在脆性的与类橡胶之间发生变化的温度范围的中点。更具体地,玻璃化转变可以表示随着温度的升高从硬的且相对脆性的玻璃态到粘性或橡胶态的逐步且可逆的转变。
通过调节介电层中的残留溶剂含量来调节玻璃化转变温度,还可以调节部件承载件的机械性质,诸如杨氏模量的值。从描述上讲,溶剂可以充当增塑剂。在单聚合物链之间发现了溶剂分子,使得能够促进单个聚合物链的滑动。因此,增加了塑性性质(以及将Tg抑制到较低的温度),并且降低了弹性性质(取决于聚合物、溶剂以及溶剂含量)。因此,在去除溶剂之后,可以增加Tg以及杨氏模量。
在一个实施方式中,无纤维介电层包括在树脂基质中的填料颗粒。可替代地,无纤维介电层包括树脂,该树脂不含填料颗粒,即其不包括填料颗粒。因此,可选地,可以为介电层提供功能性(例如,基本上球形的)颗粒,即,为介电层提供特定功能的颗粒。例如,这种填料颗粒可以是高导热性颗粒,诸如氧化铝或氮化铝珠,或电磁辐射屏蔽的磁性颗粒。
在一个实施方式中,所述部件承载件包括一个或更多个部件。这种部件可以被表面安装在叠置件上或被表面安装在由介电层和金属层构成的双层上。可替代地,这种部件也可以被嵌入在叠置件中和/或被嵌入在由介电层和金属层构成的双层中。在本申请的上下文中,术语“部件”可以特别地表示嵌体式(inlay-type)构件。这种部件可以布置在叠置件的内部中。考虑到欧姆损耗,部件特别地可以具有电子功能并且因此可以是热源。例如,这种部件可以是半导体管芯。嵌入部件可能导致部件完全埋在叠置件材料内。然而,也可以通过将部件插入叠置件中的腔体中以使部件仍然具有表面接触来完成将部件嵌入在叠置件中。
在一个实施方式中,部件承载件包括模制结构件,该模制结构件围绕部件的至少一部分并且位于叠置件和双层(由介电层和金属层组成)中的至少一者上。模制结构件的宽度可以与叠置件和双层的宽度相对应。当部件例如通过焊接连接被表面安装在具有层压的RCC箔(一个或更多个)的叠置件上时,这种实施方式可能是特别合适的。然后可能的是,例如通过注塑成型用模制化合物将表面安装的部件包覆模制。因此,表面安装的部件可以通过模制结构件被包封。结果,可以获得层压型部件承载件与包封的封装之间的混合体。由于混合部件承载件的层压型的部分中的溶剂的量有限,因此层压型材料与模制化合物之间的材料桥接件将不会对部件承载件造成损坏。
在另一实施方式中,一个或更多个部件被嵌入在叠置件中和/或被嵌入在一个或更多个双层中,每个双层包括介电层和金属层。由于这种部件(例如,诸如硅管芯之类的半导体芯片)可能具有与部件承载件材料(特别是树脂和铜,可选地是叠置件中的增强颗粒)显著不同的材料性质,因此具有嵌入的部件的部件承载件可能特别容易出现如翘曲和CTE(热膨胀系数)不匹配等的可靠性问题。如上所述,限制(一个或更多个)无纤维介电层中的溶剂含量可以有助于明显抑制甚至消除这种问题。
在一个实施方式中,部件承载件包括至少一个电绝缘层结构和至少一个导电层结构的叠置件。例如,部件承载件可以是所提到的(一个或更多个)电绝缘层结构和(一个或更多个)导电层结构的层压件,特别是通过施加机械压力和/或热能而形成的层压件。所提到的叠置件可以提供板形部件承载件,该部件承载件能够为其他的部件提供大的安装表面并且仍然非常薄且紧凑。
在一个实施方式中,部件承载件成形为板。这有助于紧凑的设计,其中部件承载件仍然为在部件承载件上安装部件提供了大的基底。此外,特别是例如对于嵌入的电子部件而言的裸管芯,得益于其小的厚度,可以方便地被嵌入在诸如印刷电路板之类的薄板中。
在一个实施方式中,部件承载件被构造为印刷电路板、基板(特别是IC基板)和中介层中的一者。
在本申请的上下文中,术语“印刷电路板”(PCB)可以特别地表示板形部件承载件,其通过将若干导电层结构与若干电绝缘层结构进行层压而形成,例如通过施加压力和/或通过供应热能。作为PCB技术的优选材料,导电层结构由铜制成,而电绝缘层结构可以包含树脂和/或玻璃纤维、所谓的预浸料或FR4材料。各种导电层结构可以通过如下期望的方式彼此连接:例如通过激光钻孔或机械钻孔而形成穿过层压件的通孔(through hole),并通过用导电材料(特别是铜)填充所述通孔,从而形成过孔作为通孔连接部。除了可以被嵌入在印刷电路板中的一个或更多个部件之外,印刷电路板通常被构造成用于在板状的印刷电路板的一个表面或两个相对的表面上容纳一个或更多个部件。它们可以通过焊接连接至相应的主表面。PCB的介电部分可以包括具有增强纤维(诸如玻璃纤维)的树脂。
在本申请的上下文中,术语“基板”可以特别地表示小的部件承载件。相对于PCB,基板可以是相对小的部件承载件,其上可以安装一个或更多个部件,并且可以用作(一个或更多个)芯片与其他PCB之间的连接介质。例如,基板可以具有与待安装在基板上的部件(特别是电子部件)基本相同的尺寸(例如,在芯片级封装(CSP)的情况下)。更具体地,基板可以被理解为用于电连接或电网络的承载件以及与印刷电路板(PCB)相当的部件承载件,但是所述基板具有相当高的密度的侧向和/或竖向布置的连接部。侧向连接部是例如传导路径,而竖向连接部可以是例如钻孔。这些侧向和/或竖向连接部布置在基板内,并且可用于提供(特别是IC芯片的)所容置的部件或未容置的部件(例如裸管芯)与印刷电路板或中间印刷电路板的电连接、热连接和/或机械连接。因此,术语“基板”还可以包括“IC基板”。基板的介电部分可以包括具有增强颗粒(诸如增强球体,特别是玻璃球体)的树脂。
基板或中介层可以包括(或由以下组成):至少一层玻璃、硅(Si)或者可光成像(photoimageable)或可干蚀刻的有机材料,如环氧基积层材料(诸如环氧基积层膜)或高分子化合物,如聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯官能化的聚合物。
在一个实施方式中,所述至少一个电绝缘层结构包括以下各者中的至少一者:树脂(诸如增强或非增强树脂,例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂)、氰酸酯树脂、聚亚苯基衍生物、玻璃(特别是玻璃纤维、多层玻璃、类玻璃材料)、预浸料材料(例如FR-4或FR-5)、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合物(LCP)、环氧基积层膜、聚四氟乙烯(PTFE,特氟隆)、陶瓷和金属氧化物。也可以使用例如由玻璃(多层玻璃)制成的增强结构,诸如网状物、纤维或球体。虽然预浸料特别是FR4通常对于刚性PCB是优选的,但也可以使用其他材料,尤其是环氧基积层膜或可光成像的介电材料。对于高频应用,可以在部件承载件中施用诸如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂之类的高频材料、低温共烧陶瓷(LTCC),或其他的低、极低或超低DK材料。
在一个实施方式中,所述至少一个导电层结构包括铜、铝、镍、银、金、钯和钨中的至少一者。虽然铜通常是优选的,但是其他材料或其他材料的涂布形式也是可能的,特别是涂布有例如石墨烯之类的超导材料。
可以被嵌入叠置件的至少一个部件可以选自以下各者:非导电嵌体(诸如陶瓷嵌体,优选包含氮化铝或氧化铝)、导电嵌体(诸如金属嵌体,优选地包括铜或铝)、热传递单元(例如热管)、光引导元件(例如光波导或光导体连接件)、光学元件(例如透镜)、电子部件或其组合。例如,所述部件可以是有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置(例如DRAM或其他数据存储器)、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、发光二极管、光耦合器、电压转换器(例如DC/DC转换器或AC/DC转换器)、密码部件、发射器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统(MEMS)、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、相机、天线、逻辑芯片、以及能量收集单元。但是,可以在部件承载件中嵌入其他部件。例如,磁性元件可以被用作部件。这种磁性元件可以是永磁元件(诸如铁磁元件、反铁磁元件、多铁性元件或亚铁磁元件,例如铁氧体芯)或者可以是顺磁元件。然而,该部件也可以是基板、中介层或另外的部件承载件,例如以板中板构型的形式。部件可以被表面安装在部件承载件上和/或可以被嵌入部件承载件内部。此外,还有其他部件也可以用作部件。
在一个实施方式中,所述部件承载件是层压型部件承载件。在这样的实施方式中,部件承载件是通过施加压力和/或热而被叠置并连接在一起的多层结构的化合物。
在处理部件承载件的内部层结构之后,可以用一个或更多个另外的电绝缘层结构和/或导电层结构对称地或不对称地覆盖(特别是通过层压)经处理的层结构的一个主表面或两个相对的主表面。换而言之,可以继续积层直到获得所需数量的层。
在完成电绝缘层结构和导电层结构的叠置件的形成之后,可以对所获得的层结构或部件承载件进行表面处理。
特别地,在表面处理方面,可以将电绝缘阻焊剂施加到层叠置件或部件承载件的一个主表面或两个相对的主表面上。例如,可以在整个主表面上形成例如阻焊剂并随后对阻焊剂的层进行图案化,以暴露一个或更多个导电表面部分,该一个或更多个导电表面部分将用于将部件承载件与电子外围进行电耦接。可以有效地保护仍然被阻焊剂覆盖的部件承载件的表面部分、特别是含铜的表面部分免受氧化或腐蚀。
就表面处理而言,还可以选择性地将表面修饰应用于部件承载件的暴露的导电表面部分。这种表面修饰可以是在部件承载件的表面上暴露的导电层结构(诸如,特别是包含铜或由铜组成的焊盘、传导轨道等)上的导电覆盖材料。如果这种暴露的导电层结构不受保护,则暴露的导电部件承载件材料(特别是铜)可能氧化,使得部件承载件不太可靠。然后可以形成表面修饰,例如作为表面安装的部件和部件承载件之间的界面。表面修饰具有以下功能:保护暴露的导电层结构(特别是铜电路),并且能够例如通过焊接而实现与一个或更多个部件的接合过程。用于表面修饰的适当材料的示例是有机可焊性保护层(OSP)、无电镀镍浸金(ENIG)、金(特别是硬金)、化学锡、镍-金、镍-钯、化学镀镍浸钯浸金(ENIPIG)等。
根据下文将要描述的实施方式的示例,本发明的上述方面和其他方面是明显的,并且参考这些实施方式的示例进行解释。
附图说明
图1示出了树脂涂布铜箔,其包括金属层和具有初始溶剂的量的介电层。
图2示出了在通过预加热减少介电层中的溶剂的量之后的图1的树脂涂布铜箔。
图3示出了部件承载件的组成,所述部件承载件包括中央层压的层叠置件和两个树脂涂布铜箔,这两个树脂涂布铜箔根据图2预处理并布置在所述层叠置件的两个相对的主表面附近。
图4示出了通过执行根据图1至图3的制造方法获得的根据本发明的一个示例性实施方式的部件承载件的剖视图。
图5示出了根据本发明的另一示例性实施方式的具有嵌入的部件的部件承载件的剖视图。
图6示出了根据本发明的又一示例性实施方式的具有被表面安装和模制的部件的部件承载件的剖视图。
具体实施方式
附图中的图示是示意性的。在不同的附图中,相似或相同的元件设置有相同的附图标记。
在参考附图之前,将进一步详细地描述示例性实施方式,将基于已经被开发的本发明的示例性实施方式来总结一些基本的考虑因素。
在制造树脂涂布铜(RCC)结构期间,在树脂层中通常需要溶剂或溶剂的混合物以用于制造目的。
然而,本发明人已经发现,RCC结构的介电层中过量的溶剂可能是RCC结构所层压到的部件承载件的可靠性问题的原因。尽管在与层叠置件层压期间,一些溶剂可能从RCC结构的树脂层中蒸发出来,但RCC结构的铜箔可能会无意中在叠置件层压期间对于溶剂蒸发而言充当屏障。
根据本发明的示例性实施方式,可以在将RCC结构层压在部件承载件叠置件之前,在单独的制造阶段中通过树脂材料的热诱导的半固化来减少树脂涂布铜(RCC)结构的树脂层中的溶剂量。通过RCC树脂的部分溶剂含量的这种受控的预蒸发,可以精确地调节溶剂含量,以使RCC特别适合于特定应用。换句话说,在层压之前预烘烤RCC可以允许除去部分溶剂,从而促进无纤维介电层(例如,纯树脂)中的溶剂损耗。特别地,控制RCC树脂的溶剂含量可以允许调节树脂的玻璃化转变温度,即可以允许调节如下温度:在所述温度以上聚合物变得更软并且脆性更小。因此,RCC结构的预层压溶剂减少处理可以用作用于调节RCC树脂的性质的设计参数。特别地,可以有效地防止由于过量的溶剂含量而引起的可加工性问题和可靠性问题。此外,可以强烈抑制不期望的现象,例如容易制造的部件承载件的翘曲和/或分层。由于本发明的示例性实施方式的溶剂控制架构,通过具有调节(特别是增加)玻璃化转变温度的机会,还可以精确地调节RCC树脂的热膨胀系数(CTE)、杨氏模量等。特别地,层压之前的溶剂减少因此可以允许调节玻璃化转变温度的值和杨氏模量的值,并且也可以设定聚合物的可流动性的特性。此外,在部件承载件的积层期间在将RCC层压到层叠置件之前的附加溶剂减少阶段可以允许获得光滑的表面、铜与树脂之间的正确连接以及大体上改善的可靠性和性能。通过低溶剂含量的RCC处理,可以确保具有可调节条件的RCC箔的PCB可加工性。然而,在预处理RCC箔期间对于预层压溶剂减少而言,应注意在预处理期间RCC箔的树脂未完全地固化。然后可以确保在随后的与叠置件的层压期间,溶剂耗尽的树脂可以充当粘合剂。
根据本发明的一个示例性实施方式,低溶剂含量的RCC处理成为可能。根据本发明的示例性实施方式,提供了一种用于制造诸如印刷电路板(PCB)或集成电路(IC)基板之类的部件承载件的架构,其中,可以以高可靠性和高性能制造这种部件承载件。可以使用一个或更多个RCC箔来生产这种部件承载件,所述RCC箔可以经受在层压之前去除过量的溶剂的受控的溶剂去除过程。因此,示例性实施方式提供具有高可靠性和高性能的部件承载件,其中,可以使一个或更多个RCC箔经受介电材料中的溶剂含量的附加控制。
本发明人惊奇地发现,在层压期间溶剂从RCC的介电层中蒸发出来可能被周围的铜无意中禁止或阻止。因此,容易制造的部件承载件可能遭受RCC等的介电层中的过量的溶剂。为了克服这些缺点,本发明的一个示例性实施方式在层压到层叠置件之前减少了RCC的介电层中的溶剂量。更具体地,可以将附加的干燥或烘烤过程整合到制造过程中,以便将介电层中的溶剂含量降低到1.5重量百分比水平以下,或者甚至降低到更低的水平。这可以确保获得具有足够小的最终溶剂含量和足够高的介电材料的玻璃化温度(优选通过DMA、动态机械分析来测量)的部件承载件以达到稳定的性能。通过确保在容易制造的部件承载件中足够低的溶剂残留,可以实现高且稳定的性能。
图1至图4示出了在以低溶剂含量的RCC技术执行图4所示的根据本发明的一个示例性实施方式的制造部件承载件100的方法期间获得的结构的剖视图。
图1示出了体现为树脂涂布铜箔(RCC)的双层130的剖视图。双层130由金属层112和直接附接至金属层112的介电层110组成或构成,即,之间没有任何其他结构。介电层110中可以包含显著初始量的溶剂108。这种溶剂108可以包括例如一种或更多种有机溶剂,诸如乙醇、甲基乙基酮(MEK)、甲苯等。在制造RCC期间,在介电层110中提供显著量的有机溶剂108可能是有利的。相对于介电层110的整个重量,在根据图1的介电层110中的溶剂108的这种显著或过量的量可以例如大于2重量百分比或甚至大于3重量百分比或大于5重量百分比。
在RCC的本示例中,双层130的金属层112是铜箔。可替代地,可以使用其他金属,诸如镍或铝。如图1所示,直接连接至介电层110的金属层112是连续的金属箔,即尚未被图案化或结构化的箔。
介电层110可以是无纤维的电绝缘层。如细节132所示,除了溶剂108之外,介电层110还可包括部分地或完全地未固化的环氧树脂的基质120,以及可选的填料颗粒114。另外的添加剂可以可选地也包括在介电层110中(未显示)。部分地或完全地未固化的环氧树脂(特别是A阶或B阶树脂)在存在足够的热和/或压力时仍能够交联或聚合,然后可以变得可流动,从而可以用作粘合剂,用于在层压过程期间将双层130与下述叠置件102连接。双层130可以不含(即不包括)玻璃纤维的网络或玻璃布,所述玻璃纤维的网络或玻璃布可以在印刷电路板的FR4材料中用作增强纤维网络。这使得双层130的介电层110非常适合于形成竖向贯穿连接部,诸如填充铜的激光过孔。
尽管在制造双层130期间介电层110中显著量的溶剂108是适当的,但是本发明人发现,当将双层130与叠置件100层压在一起时,双层130中过量的溶剂108可能会引起问题,以及在如图4所示的容易制造的部件承载件100中。这种问题可能包括部件承载件100的有限的机械的、电的和热的可靠性,以及有限的性能。此外,在介电层110中具有如此过量的溶剂108的部件承载件100可能引起翘曲,可能趋于分层,并且还可能发生其他问题。此外,本发明人已经发现,在参考图3描述的层压过程期间,过量的溶剂108没有从介电层110中被去除到足够的程度,因为在层压期间双层130的和叠置件102的铜材料可以阻止溶剂108的蒸发。
为了克服所提及的和/或其他缺点中的至少一部分,可以例如按照以下参考图2所述的方式进行附加的预层压溶剂减少过程:
图2示出了减少介电层110中的溶剂108的量之后的图1的树脂涂布铜箔。
高度有利地,图2示出了减少无纤维介电层110(同时直接连接至金属层112)中的溶剂108的量之后的双层130。例如,双层130的无纤维介电层110中的溶剂108的量可以通过以下进一步详细描述的预处理而相对于无纤维介电层110的总重量减少直到小于1.5重量百分比,优选地直到小于1重量百分比。可以控制介电层110中的溶剂108的含量的所述减少,以使在预处理之后具有减少的溶剂108的量的介电层110保持至少部分地未固化。换句话说,介电层110可以在溶剂减少过程之后例如处于B阶,而不是处于C阶。这具有以下优点:在下面参考图3描述的层压过程期间,介电层110的树脂材料仍然可以变得可流动,以使介电层110可以有助于双层130与叠置件102之间的粘合。
优选地,可以通过将与金属层112连接的无纤维介电层110预加热为化合物来完成减少无纤维介电层110中的溶剂108的量。对于预加热或预烘烤,可以将具有无纤维介电层110的双层130放置在烤箱(未示出)中,并且可以将其加热直到优选地在从80℃至100℃的范围内的温度。优选地,可以在所提及的温度范围内对无纤维介电层110进行预加热,持续在从5分钟至10分钟的范围内的预加热时间。高度有利地,预加热或预烘烤过程可以在如下温度和时间范围内进行:在所述温度和时间范围内,溶剂108有效地从介电层110中蒸发出来,而不会对介电层110中的至少部分地未固化的树脂材料进行过度的固化、聚合或交联。通过确保这一点,具有减少的溶剂含量的介电层110可以稍后用于将双层130粘附性地连接至叠置件102。在该预加热过程期间,可以发生无纤维介电层110的仅部分的固化,以使其后介电层110可以处于半固化的构造。作为参考图2描述的过程的结果,在烘烤之后并且在层压之前,介电层110中的溶剂含量可以小于1.5重量百分比。
有利地,可以进行将溶剂108的量减少成使得减少的溶剂108的量均匀地分布在介电层110上。这也有助于图4所示的容易制造的部件承载件100的适当的性能和高可靠性。。
对于预加热以从双层130中去除溶剂108,附加地或可替代地,也可以通过调节环境压力和/或气氛、通过施加机械压力等来完成这种去除。高度有利地,例如可以附加地施加例如真空。在这种情况下,预烘烤期间的温度可以保持非常低,并且甚至可以更好地控制固化行为。除此之外,甚至可以在较低的温度处除去沸点较高的溶剂。
图3示出了部件承载件100(图4中所示)的仍然分离的组成部分,其包括中央层压的层叠置件102和根据图2被处理并布置在层叠置件102的两个相对的主表面附近的两个树脂涂布铜箔型双层130。
层压的层叠置件102包括导电层结构104和电绝缘层结构106。例如,导电层结构104可以包括图案化的铜箔和竖向贯穿连接部,例如填充铜的激光过孔。电绝缘层结构106可以包括树脂164(例如环氧树脂),该树脂可以在其中包括增强纤维160(例如玻璃纤维),参见细节162。例如,电绝缘层结构106可以由预浸料或FR4或积层膜诸如ABF制成。层结构104、层结构106可以通过层压,即通过施加压力和/或热来连接。
叠置件102中央的芯154可以由诸如FR4之类的完全地固化的介电材料制成,其可以被两个相对的主表面上的图案化的铜箔部分地覆盖。各种层结构104、106以对称的方式积层在芯154的两个相对的主表面上。
叠置件102的电绝缘层结构106可以或可以不完全地固化。当完全地固化时,可以通过使部分地未固化的介电层110例如在与叠置件102层压期间完全地固化来实现叠置件102与双层130之间的粘合。当叠置件100的电绝缘层结构106尚未被完全地固化时(例如,包括B阶树脂),它们也可以在层压期间有助于与双层130连接。
如图3所示,相对于叠置件100放置双层130,使得介电层110面对叠置件102的两个相对的主表面中的相应一个主表面。之后,可以伴随热将结构130、102、130按压在一起,该热触发了将无纤维介电层110与金属层112一起层压到叠置件102。在该层压期间,先前部分地未固化的介电层110可以被完全地固化,例如可以转变为C阶树脂。
在将无纤维介电层110层压到叠置件102期间,可以调节例如190℃的温度。这不仅确保了介电层110的树脂120的完全地固化,而且还通过蒸发从层110中去除了附加的溶剂108。
在将双层130层压到叠置件102之后,可以通过升高例如高达200℃的温度来对无纤维介电层110、金属层112和叠置件102进行后加热。这种后加热可以进一步提高获得的部件承载件100的稳定性,并且还可以去除剩余溶剂108的又一部分。
作为参考图3描述的过程的结果,在预烘烤之后和在层压之后以及可选地在后烘烤之后,介电层110中的剩余的溶剂含量可以小于0.1重量百分比。层压之后,通过DMA测量的介电层110的树脂的玻璃化转变温度Tg可以为至少150℃。
所描述的过程允许获得具有高性能和低伪像(诸如翘曲或分层)的高度可靠的部件承载件100。此外,调节溶剂108的剩余含量允许调节玻璃化转变温度,从而也调节了另外的参数,诸如杨氏模量。因此,剩余溶剂含量可以用作用于产生更软或更刚性的部分承载件100的设计参数。
图4示出了通过执行以上参考图1至图3所述的制造方法而获得的根据本发明一个示例性实施方式的部件承载件100的剖视图。
在图3中描述的层压过程之后,可以进一步处理所获得的结构,例如,通过在层压之后对RCC箔的先前连续暴露的金属层112进行图案化,参见图4。
图4所示的部件承载件100是板形层压型印刷电路板(PCB)。部件承载件100包括层压的层叠置件102,该叠置件102包括所述导电层结构104和所述电绝缘层结构106。整体连接至指定的金属层112的相应的无纤维介电层110被层压到叠置件的每个主表面。每个介电层110具有相对于无纤维介电层110的总重量优选地小于0.1重量百分比的有机溶剂108的浓度。如图所示,每个介电层110直接布置在叠置件102的相应的导电层结构104与指定的金属层112之间。优选地,介电层110可以具有高于150℃的玻璃化转变温度。每个无纤维介电层110可以可选地包括在树脂120的基质中的珠形功能填料颗粒114。
暴露的金属层112中的每个暴露的金属层是图案化的铜箔。每个介电层110由具有均匀低分布的溶剂108的基于环氧树脂120的均质材料制成。例如,溶剂108包括以下各者中的一者或更多者:醇,诸如乙醇或1-甲氧基2-丙醇;酮,诸如甲基乙基酮或环己酮;二醇衍生物,诸如丙二醇甲基醚乙酸酯或二乙二醇单乙醚乙酸酯;酰胺,诸如例如二甲基甲酰胺;苯衍生物,诸如甲苯;或环状和/或脂肪族(饱和或非饱和)烃(诸如石脑油)。
图5示出了具有嵌入的部件116的根据本发明的另一示例性实施方式的部件承载件100的剖视图。
图5的实施方式与图4的实施方式的不同之处在于,在图5的实施方式中,一个或更多个(这里:两个)部件116(例如,诸如硅片之类的半导体芯片)被嵌入在叠置件102中。由于一方面的(一个或更多个)部件116(主要是半导体材料)与另一方面的叠置件102和双层130(例如铜、树脂和玻璃)的根本不同的材料性质,包括就热膨胀系数(CTE)而言的显著不同的性质,因此最大的优势在于,在层压之前以及附加地在层压期间从双层130中去除相当大的量的溶剂108,以保持较小的热应力、翘曲和其他不期望的现象。
图6示出了具有通过模制结构件118包覆模制的表面安装的部件116的根据本发明的又一示例性实施方式的部件承载件100的剖视图。
因此,图6的部件承载件100包括SMD部件116,即,部件116被表面安装在叠置件102上,在该实施方式中,该叠置件在两个相对的主表面上用多个双层130来覆盖。部件116被焊接在RCC型双层130中的一者的最上面的图案化的金属层112上。为了对部件116进行机械保护和电绝缘,部件承载件100包括围绕部件116的模制结构件118。
从描述上来说,图6的实施方式示出了具有RCC基板的电子封装。表面安装的部件116(其可以是半导体芯片)可以例如通过注射成型被包封在模制结构件118中。下面的IC基板可用RCC材料制作。更具体地,根据图6的SMD(表面安装的装置)型部件116可以在其焊盘138处焊接连接至IC基板的顶部上的焊接结构140(诸如,焊接球或焊接凸块),所述IC基板包括中央叠置件102和对称地积层在叠置件102的两个相对的主表面上的多个RCC结构(参见附图标记130)。在焊接之前或之后,部件116可以通过模制结构件118包覆模制。
仍然参考图6,在其他实施方式中,可替代地,RCC箔(即,双层130)可以仅存在于图6的模制化合物与层压的层之间的界面处(即,位于放置在PCB型层压的层叠置件上的部件116的侧面上)。换句话说,可以仅存在图6中的最上面的双层130,并且图6中所示的其他双层130可以被与铜结构等组合的预浸料层代替。
应当注意,术语“包括”不排除其他元件或步骤,并且冠词“一/一个”或“一种”不排除复数。此外,可以将结合不同实施方式描述的元件组合起来。
还应注意,权利要求中的附图标记不应被解释为限制权利要求的范围。
本发明的实施方式的实现不限于图中所示和上面描述的优选实施方式。相反,即使在基本上不同的实施方式的情况下,也可以使用所示的解决方案和根据本发明的原理的多种变型。
Claims (29)
1.一种制造部件承载件(100)的方法,其中,所述方法包括:
形成叠置件(102),所述叠置件包括至少一个导电层结构(104)和至少一个电绝缘层结构(106);
将直接连接至金属层(112)的无纤维介电层(110)中的溶剂(108)的量减少成使得:具有减少的溶剂(108)的量的所述介电层(110)保持至少部分地未固化。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述方法包括:随后通过使所述无纤维介电层(110)至少部分地固化而将所述无纤维介电层(110)与所述金属层(112)一起层压到所述叠置件(102)。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述方法包括:通过对所述无纤维介电层(110)进行预加热来减少所述无纤维介电层(110)中的溶剂(108)的量。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述预加热包括:将所述无纤维介电层(110)预加热直到在从60℃至160℃的范围内的温度,特别是预加热直到在从80℃至100℃的范围内的温度。
5.根据权利要求3或4所述的方法,其中,所述预加热包括:将所述无纤维介电层(110)预加热持续在从5分钟至20分钟的范围内的预加热时间,特别地预加热持续在从5分钟至10分钟的范围内的预加热时间。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的方法,其中,所述预加热包括:将所述无纤维介电层(110)预加热到升高的温度,所述升高的温度高于环境温度但低于所述无纤维介电层的树脂的玻璃化转变温度。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法,其中,所述方法包括:通过施加负压来减少所述无纤维介电层(110)中的溶剂(108)的量。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法,其中,所述方法包括:在减少溶剂(108)的量期间,使所述无纤维介电层(110)仅部分地固化。
9.根据权利要求2至8中的任一项所述的方法,其中,所述方法包括:通过层压来使所述无纤维介电层(110)完全地固化。
10.根据权利要求2至9中的任一项所述的方法,其中,所述方法包括:在至少180℃的温度处,特别是在至少200℃的温度处,将所述无纤维介电层(110)层压到所述叠置件(102)。
11.根据权利要求2至10中的任一项所述的方法,其中,所述方法包括:在将所述无纤维介电层(110)层压到所述叠置件(102)之后,将所述无纤维介电层(110)、所述金属层(112)和所述叠置件(102)后加热到在从120℃至260℃的范围内的温度,特别地后加热到在从140℃至200℃的范围内的温度。
12.根据权利要求2至11中的任一项所述的方法,其中,所述方法包括:在层压之前将所述无纤维介电层(110)的溶剂(108)的量相对于所述无纤维介电层(110)的总重量减少直到小于1.5重量百分比,特别地直到小于1重量百分比。
13.根据权利要求2至12中的任一项所述的方法,其中,所述方法包括:通过层压将所述无纤维介电层(110)的溶剂(108)的量相对于所述无纤维介电层(110)的总重量进一步减少直到小于0.15重量百分比,特别地直到小于0.1重量百分比,更特别地直到小于0.05重量百分比。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的方法,其中,所述无纤维介电层(110)和所述金属层(112)形成双层(130),所述双层(130)特别地是树脂涂布铜(RCC)结构。
15.根据权利要求1至14中的任一项所述的方法,其中,所述方法包括:将溶剂(108)的量减少成使得所减少的溶剂(108)的量均匀地分布在所述介电层(110)上。
16.根据权利要求1至15中的任一项所述的方法,其中,当减少溶剂(108)的量时,直接连接至所述无纤维介电层(110)的所述金属层(112)是连续的金属层。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述方法包括:在层压之后对连续的所述金属层(112)进行图案化或去除连续的所述金属层(112)。
18.一种部件承载件(100),其中,所述部件承载件(100)包括:
叠置件(102),所述叠置件包括至少一个导电层结构(104)和至少一个电绝缘层结构(106);以及
无纤维介电层(110),所述无纤维介电层被层压到所述叠置件(102),并且所述无纤维介电层具有相对于所述无纤维介电层(110)的总重量小于0.15重量百分比的溶剂(108)浓度;
其中,所述介电层(110)直接布置在所述叠置件(102)与附加的金属层(112)之间。
19.根据权利要求18所述的部件承载件(100),其中,所述无纤维介电层(110)具有相对于所述无纤维介电层(110)的总重量小于0.1重量百分比的溶剂(108)浓度,特别地,所述无纤维介电层(110)具有相对于所述无纤维介电层(110)的总重量小于0.05重量百分比的溶剂(108)浓度,更特别地,所述无纤维介电层(110)具有相对于所述无纤维介电层(110)的总重量小于0.02重量百分比的溶剂(108)浓度。
20.根据权利要求18或19所述的部件承载件(100),其中,所述介电层(110)具有高于150℃,特别地具有高于160℃的玻璃化转变温度。
21.根据权利要求18至20中的任一项所述的部件承载件(100),其中,所述无纤维介电层(110)包括在树脂(120)的基质中的填料颗粒(114)。
22.根据权利要求18至21中的任一项所述的部件承载件(100),其中,所述无纤维介电层(110)包括不含填料颗粒的树脂(120)。
23.根据权利要求18至22中的任一项所述的部件承载件(100),其中,所述金属层(110)是连续的金属层和图案化的金属层中的一者,并且所述金属层(110)可选地包括一个或更多个竖向贯穿连接部,所述竖向贯穿连接部诸如为被镀覆的过孔。
24.根据权利要求18至23中的任一项所述的部件承载件(100),其中,所述介电层(110)由具有均匀分布的溶剂(108)的均匀的材料制成。
25.根据权利要求18至24中的任一项所述的部件承载件(100),其中,所述溶剂(108)属于以下各者中的至少一种物质类别:醇、酮、乙二醇衍生物、酰胺、苯衍生物以及烃,特别是环状烃或脂肪族烃。
26.根据权利要求18至25中的任一项所述的部件承载件(100),其中,所述溶剂(108)包括了以下各者中的至少一者:乙醇、甲基乙基酮、甲苯、1-甲氧基2-丙醇、丙二醇甲基醚乙酸酯、二甲基甲酰胺、环己酮、科利塔石脑油以及二甘醇单乙醚乙酸酯。
27.根据权利要求18至26中的任一项所述的部件承载件(100),其中,所述部件承载件(100)包括部件(116),所述部件特别地是以下部件(116):所述部件(116)被表面安装在所述叠置件(102)上、或被表面安装在由所述介电层(110)和所述金属层(112)构成的双层(130)上、或被嵌入在所述叠置件(102)中和/或被嵌入在由所述介电层(110)和所述金属层(112)构成的双层(130)中。
28.根据权利要求27所述的部件承载件(100),其中,所述部件承载件包括模制结构件(118),所述模制结构件围绕所述部件(116)的至少一部分并且位于所述叠置件(102)和所述双层(130)中的至少一者上。
29.根据权利要求27或28所述的部件承载件(100),其中,所述部件(116)选自以下各者:电子部件、非导电嵌体和/或导电嵌体、热传递单元、光引导元件、光学元件、桥接件、能量收集单元、有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器、密码部件、发送器和/或接收器、机电换能器、致动器、微机电系统、微处理器、电容器、电阻器、电感、蓄能器、开关、相机、天线、磁性元件、另外的部件承载件以及逻辑芯片。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010922679.5A CN114141721A (zh) | 2020-09-04 | 2020-09-04 | 具有低溶剂无纤维介电层的部件承载件 |
US17/446,741 US20220078923A1 (en) | 2020-09-04 | 2021-09-02 | Component Carrier With Low-Solvent Fiber-Free Dielectric Layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010922679.5A CN114141721A (zh) | 2020-09-04 | 2020-09-04 | 具有低溶剂无纤维介电层的部件承载件 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114141721A true CN114141721A (zh) | 2022-03-04 |
Family
ID=80438776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010922679.5A Pending CN114141721A (zh) | 2020-09-04 | 2020-09-04 | 具有低溶剂无纤维介电层的部件承载件 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220078923A1 (zh) |
CN (1) | CN114141721A (zh) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6770380B2 (en) * | 1998-08-11 | 2004-08-03 | Nikko Materials Usa, Inc. | Resin/copper/metal laminate and method of producing same |
JP6247629B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2017-12-13 | Ckd株式会社 | コイル用シートの製造方法、及びコイルの製造方法 |
KR20230029867A (ko) * | 2020-06-22 | 2023-03-03 | 훈츠만 어드밴스트 머티리얼스 라이센싱 (스위처랜드) 게엠베하 | 광경화성 조성물 |
-
2020
- 2020-09-04 CN CN202010922679.5A patent/CN114141721A/zh active Pending
-
2021
- 2021-09-02 US US17/446,741 patent/US20220078923A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220078923A1 (en) | 2022-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111952193A (zh) | 具有嵌入层压叠置件中的表面可接触部件的部件承载件 | |
US11963310B2 (en) | Component carrier having component covered with ultra-thin transition layer | |
CN111599687A (zh) | 具有高刚度的超薄部件承载件及其制造方法 | |
CN112996271A (zh) | 制造部件承载件的方法及部件承载件 | |
US20220256704A1 (en) | Component Carriers Connected by Staggered Interconnect Elements | |
US11810844B2 (en) | Component carrier and method of manufacturing the same | |
US11670613B2 (en) | Arrangement with central carrier and two opposing layer stacks, component carrier and manufacturing method | |
US20220078923A1 (en) | Component Carrier With Low-Solvent Fiber-Free Dielectric Layer | |
US11551989B2 (en) | Component carrier and method of manufacturing the same | |
US11445601B2 (en) | Component carrier and method of manufacturing a component carrier | |
CN213991156U (zh) | 部件承载件系统 | |
US11688668B2 (en) | Component carrier with low shrinkage dielectric material | |
US20220287181A1 (en) | Component Carrier Comprising at Least Two Components | |
CN213960397U (zh) | 用于部件承载件的层结构 | |
EP4345895A1 (en) | Ic substrate with embedded bridge element, arrangement, and manufacture method | |
EP4064343A1 (en) | Component carrier with gap around component in core and filled with first material in bottom portion and with second material in top portion | |
US20230217589A1 (en) | Component Carrier With Asymmetric Build-Up And Methods for Determining a Design of And Manufacturing the Same | |
US20240021440A1 (en) | Component Carrier and Method of Manufacturing the Same | |
US11116075B2 (en) | Component carrier comprising dielectric structures with different physical properties | |
US20220386464A1 (en) | Component Carrier Interconnection and Manufacturing Method | |
EP4068918A2 (en) | Embedding methods for fine-pitch components and corresponding component carriers | |
US20230105997A1 (en) | Partially Filling a Component Carrier Opening in a Controlled Manner | |
EP4081005A1 (en) | Component carrier | |
TW202329364A (zh) | 設計層中沖壓表面輪廓及使用圖案化電鍍保護結構在晶種層上定義電鍍結構 | |
CN115132696A (zh) | 部件承载件及其制造方法和半成品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |