JPH04103349A - 熱可塑性樹脂金属張積層板の製造方法 - Google Patents
熱可塑性樹脂金属張積層板の製造方法Info
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、寸法安定性に優れ、適当誘電亭かつ低誘電正
接、熱膨張係数が小さい熱可塑性樹脂金属張積層板の装
造方法κ関する。
接、熱膨張係数が小さい熱可塑性樹脂金属張積層板の装
造方法κ関する。
プリント配線板用金属張積層板は、mmi材に熱硬化性
樹脂を含浸乾燥し′C得たプリプレグの複数枚上型ね、
その外側表面に金Jll箔を重ね曾わせた積層@斜上加
熱加圧して作られるのが普通である。
樹脂を含浸乾燥し′C得たプリプレグの複数枚上型ね、
その外側表面に金Jll箔を重ね曾わせた積層@斜上加
熱加圧して作られるのが普通である。
ところが、最近壷工熱硬化性樹脂に体わって熱可塑性樹
脂金用いた積層板が注目されるに到った。
脂金用いた積層板が注目されるに到った。
その理由を次に説明する。すなわち、熱可塑性樹脂は熱
硬化性樹脂に比べ【誘電率及び誘電圧接が小さい。プリ
ント配線板においχ、基板の誘電率が小さいほど回路の
信号伝送速度が速く、基板の誘電正接が小さいほど回路
の信号伝送損失が小さい。したがって、コンビ島一夕な
ど信号伝送の高変化、高効率化が必9な用途では基鈑に
低置1[皐及び低誘電正接が望まわる。又、高周波用基
板には信号の伝送損失の低減が要求される。
硬化性樹脂に比べ【誘電率及び誘電圧接が小さい。プリ
ント配線板においχ、基板の誘電率が小さいほど回路の
信号伝送速度が速く、基板の誘電正接が小さいほど回路
の信号伝送損失が小さい。したがって、コンビ島一夕な
ど信号伝送の高変化、高効率化が必9な用途では基鈑に
低置1[皐及び低誘電正接が望まわる。又、高周波用基
板には信号の伝送損失の低減が要求される。
以上の理由によって熱可塑性S+脂脂層層板注目される
。
。
熱可塑性樹脂積層板には、上記の叫長の反面、面方向の
熱膨張係数が20〜sox+o であつ二、熱硬化性
樹脂積層板の10〜15X10−6に比べ1大きい。又
、高周波用基板として使用する時、誘電率がl」・さい
ために信号ラインが長くなるという欠点もある。
熱膨張係数が20〜sox+o であつ二、熱硬化性
樹脂積層板の10〜15X10−6に比べ1大きい。又
、高周波用基板として使用する時、誘電率がl」・さい
ために信号ラインが長くなるという欠点もある。
そのため、充填剤を添加する方法が提案されたが、充填
剤は比重、粒径等が大きく均一分散が不巧能であり、光
分な寸法安定性r得難い問題がある。
剤は比重、粒径等が大きく均一分散が不巧能であり、光
分な寸法安定性r得難い問題がある。
本発明は、以上述べた問題点にかんがみ、熱膨張が小さ
く、寸法安定性に優n1通当誘を率かつ低誘電正接の熱
5′J塑性檎脂金属張稍層板の製造方法上提供すること
を目的とする。
く、寸法安定性に優n1通当誘を率かつ低誘電正接の熱
5′J塑性檎脂金属張稍層板の製造方法上提供すること
を目的とする。
〔課題會肩決するための手段〕
上記の目的音達成するために、不発明は、多孔質セラミ
ックシートに熱可塑性樹脂紮を浸し工なるプリプレグの
複数枚を重ね、その外面に金属陥會配し加熱加圧して収
る金属張積場板である。
ックシートに熱可塑性樹脂紮を浸し工なるプリプレグの
複数枚を重ね、その外面に金属陥會配し加熱加圧して収
る金属張積場板である。
便用する#1可塑性樹脂とし″Cは、フッ素樹脂、熱可
塑性ポリイばド、ポリフェニレンオキサイド、ボVエー
テルエーテルクトン、ポリエチレン等がある。フッ素樹
脂は%に官浸しやすく好筐しい。
塑性ポリイばド、ポリフェニレンオキサイド、ボVエー
テルエーテルクトン、ポリエチレン等がある。フッ素樹
脂は%に官浸しやすく好筐しい。
多孔質セラミックシートは、非金属の無機物起体のシー
ト状集会体であっ又、粒体相互は僅かなバインダ結−1
n−L、連続気孔を形成して侍足の空FJ藁を有する。
ト状集会体であっ又、粒体相互は僅かなバインダ結−1
n−L、連続気孔を形成して侍足の空FJ藁を有する。
本発明に用いる多孔質セラミックシートの空l!J″4
は5%以上が過当であり、5%未満では樹脂が空隙部V
C含浸しにくく好筐しくない。
は5%以上が過当であり、5%未満では樹脂が空隙部V
C含浸しにくく好筐しくない。
空隙は連続気孔會形収し、個々の孔の大ささは、樹脂が
含浸するために、[15μm以上が好適である。
含浸するために、[15μm以上が好適である。
多孔質セラミックシートに基拐として熱oJ望性梱樹脂
含浸することによっ℃、熱W#彊係数に/J・さく抑え
ることができ、同時にセラミックの種類金運ぶことによ
って誘電率を調整することができる。
含浸することによっ℃、熱W#彊係数に/J・さく抑え
ることができ、同時にセラミックの種類金運ぶことによ
って誘電率を調整することができる。
実施例1.2.3に示すようにセラミックにチタン酸バ
リウム、酸化チタン、アルミナを用いると積層板の誘電
率は約10となり、実施力4に示すように二散化ケイ素
を用いると積層板の誘電率は約2.7となる。
リウム、酸化チタン、アルミナを用いると積層板の誘電
率は約10となり、実施力4に示すように二散化ケイ素
を用いると積層板の誘電率は約2.7となる。
金属箔としては、鋼、アルミニウム、鉄、ステンレス鋼
、ニッケル等の金属又は酋金のF!を用いるが、鋼はプ
リント基板の回路部としC,−も広く用いられ、最も好
ましい。
、ニッケル等の金属又は酋金のF!を用いるが、鋼はプ
リント基板の回路部としC,−も広く用いられ、最も好
ましい。
多孔質セラミックシートハ、セラミック粒子の集合体で
あり、その充填空隙が均等な連続気孔を形成するもので
ある。したがつ1、熱司・塑性樹脂を良く含浸するため
には空隙5%以上孔の大きさCL5μm以上とする必要
がある。
あり、その充填空隙が均等な連続気孔を形成するもので
ある。したがつ1、熱司・塑性樹脂を良く含浸するため
には空隙5%以上孔の大きさCL5μm以上とする必要
がある。
熱可塑性樹脂を多孔質セラミックシートに含浸し′C成
るプリプレグには無機物粒子が均一に分散する構造とな
り寸法安定性が良い。又、熱膨張係数を小さく調整する
結果とし又も寸法安定性が良くなる。
るプリプレグには無機物粒子が均一に分散する構造とな
り寸法安定性が良い。又、熱膨張係数を小さく調整する
結果とし又も寸法安定性が良くなる。
セラミック/−トによって熱膨張?7・さくすると同時
に、セラミック粒子のm類を選ぶことによって誘電率を
調整することができる。
に、セラミック粒子のm類を選ぶことによって誘電率を
調整することができる。
実施例1.2.3によって得る積層板の誘電率は6弱の
数値であるが、スーパーコンピュータに用いると電算速
[k速くすることができる。
数値であるが、スーパーコンピュータに用いると電算速
[k速くすることができる。
実施例4によっ℃得る積層板の誘電!ISは約10の数
値となるが、高周波回路に用いると基板’に/J・さく
することがて・きる。
値となるが、高周波回路に用いると基板’に/J・さく
することがて・きる。
(実施例1)
空隙率10%、孔の大きさが1μmのチタン虐バリウム
多孔質シートKPTFE(4フツ化エテvン樹Ffi)
ディスパージ璽ンを官浸し、400℃で焼成し℃、2ツ
累樹脂プリプレグ七作製した。
多孔質シートKPTFE(4フツ化エテvン樹Ffi)
ディスパージ璽ンを官浸し、400℃で焼成し℃、2ツ
累樹脂プリプレグ七作製した。
このプリプレグ’i−8枚重ね、その両7i[銅i’!
+klね合わせ380℃、40kg/cmで加熱加圧一
体化した。
+klね合わせ380℃、40kg/cmで加熱加圧一
体化した。
(実施flJ2)
’ji!Mf’ll 1のチタン酸バリウム全酸化チタ
ンに代えた他は実施例1と同様にした。
ンに代えた他は実施例1と同様にした。
(実施例3)
実施例1のチタン酸バリウムrアルミナに代えた他は実
施例1と同様にした。
施例1と同様にした。
(比較例1)
ガラスクロスKPTFEディスバージョン會含浸し、そ
の他実施例1と同様にし″C7ツ素柚脂金属張積層板1
1−得た。
の他実施例1と同様にし″C7ツ素柚脂金属張積層板1
1−得た。
(実施例4)
空隙率10%、孔の大きさ1 am ’(有する二訳化
ケイ素多孔質シートに7ツs11脂ディスバージ嘗ン會
含浸し、400℃で焼成し℃プリプレグを作りた。この
プリブレダ七8枚重ね、その両面に銅箔全型ね合わせて
380℃、40kg/ばで加熱加圧一体化した。
ケイ素多孔質シートに7ツs11脂ディスバージ嘗ン會
含浸し、400℃で焼成し℃プリプレグを作りた。この
プリブレダ七8枚重ね、その両面に銅箔全型ね合わせて
380℃、40kg/ばで加熱加圧一体化した。
(比較例2)
ガラスクロスにフッ素a月盲ティスパージ冨ンを含浸し
400℃で焼成し又プリプレグを作った。
400℃で焼成し又プリプレグを作った。
実施例4と同様にして積層一体化した。
(比較例3)
ガラスクロスに二酸化ケイソ微粉末會添加したフッ素樹
脂ディスバージランを含浸し、400’Cで焼成してプ
リプレグを作った。実ya?I14と同様にし又積層一
体化した。
脂ディスバージランを含浸し、400’Cで焼成してプ
リプレグを作った。実ya?I14と同様にし又積層一
体化した。
(試験)
以上、実施例及び比112例で得たフッ素樹脂金属張積
層板の誘電率、誘電圧切及び熱膨張係数を測定し、表1
.2に示す。
層板の誘電率、誘電圧切及び熱膨張係数を測定し、表1
.2に示す。
表1
表2
〔発明の効果〕
熱膨張係数につい′Cは、従来の方法では比較例1.2
.3の数値を表わし、本発明による実施例1、 2.
3. 4の数値が顕著に効果を示す。
.3の数値を表わし、本発明による実施例1、 2.
3. 4の数値が顕著に効果を示す。
誘電率につい工は、従来法では比較例1,2゜3の示す
数値で明らかなようにガラスクロス基羽に熱可塑性樹脂
含浸値として約2.7であるが、本発明の方法によると
セラミックシートのセラミックを選ぶことによって誘電
率を10程度及び2.7程度とすることが可能となった
。
数値で明らかなようにガラスクロス基羽に熱可塑性樹脂
含浸値として約2.7であるが、本発明の方法によると
セラミックシートのセラミックを選ぶことによって誘電
率を10程度及び2.7程度とすることが可能となった
。
Claims (4)
- 1.熱可塑性樹脂を多孔質セラミックシートに含浸して
なるプリプレグを積層し、その両面又は片面に金属箔を
重ね加熱加圧して一体化することを特徴とする熱可塑性
樹脂金属張積層板の製造方法。 - 2.多孔質セラミックシートの空隙率を5%以上、孔の
大きさを0.5μm以上とすることを特徴とする請求項
1記載の熱可塑性樹脂金属張積層板の製造方法。 - 3.多孔質セラミックシートを構成する無機物粒体の誘
電率を10以上とすることを特徴とする請求項2記載の
熱可塑性樹脂金属張積層板の製造方法。 - 4.多孔質セラミックシートを構成する無機物粒体の誘
電率を5以下とすることを特徴とする請求項2記載の熱
可塑性樹脂金属張積層板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2221705A JPH04103349A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 熱可塑性樹脂金属張積層板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2221705A JPH04103349A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 熱可塑性樹脂金属張積層板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04103349A true JPH04103349A (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=16770987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2221705A Pending JPH04103349A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 熱可塑性樹脂金属張積層板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04103349A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995010492A1 (en) * | 1993-10-15 | 1995-04-20 | Shinagawa Refractories Co., Ltd. | Packing material for refractory |
JP2002134926A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-05-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ポリマー/セラミック複合電子基板 |
JP2020083990A (ja) * | 2018-11-21 | 2020-06-04 | Agc株式会社 | 複合体の製造方法及び複合体 |
Citations (2)
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JPS6226886A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | イビデン株式会社 | セラミツクス質複合体からなる電子回路用基板 |
JPS62126694A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-08 | イビデン株式会社 | 電子回路用多層基板 |
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1990
- 1990-08-23 JP JP2221705A patent/JPH04103349A/ja active Pending
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