KR101053808B1

KR101053808B1 - 광학 적층체, 편광판 및 화상 표시 장치

Info

Publication number: KR101053808B1
Application number: KR1020080094459A
Authority: KR
Inventors: 가나 야마모토; 기요시 이토
Original assignee: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
Priority date: 2007-09-28
Filing date: 2008-09-26
Publication date: 2011-08-03
Also published as: US20120301609A1; CN101458343A; JP2009098654A; CN101458343B; KR20090033073A; TW200930569A; US20090263653A1

Abstract

(과제) 방현층에 실리카 입자를 함유해도, 실리카 입자가 적당히 응집하여, 광학 특성이 우수한 광학 적층체를 제공한다.

(해결 수단) 광투과성 기재와, 실리카 입자를 함유하는 방현층을 갖고, 상기 실리카 입자는 비유전율이 4.0 미만인 광학 적층체.

Description

광학 적층체, 편광판 및 화상 표시 장치 {OPTICAL LAMINATES, POLARIZING PALTES AND IMAGE DISPLAY DEVICES}

본 발명은 광학 적층체, 그 제조 방법, 그리고 상기 광학 적층체를 구비하는 편광판 및 그들 중 어느 하나를 구비하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.

음극선관 표시 장치 (CRT), 액정 디스플레이 (LCD), 플라즈마 디스플레이 (PDP), 일렉트로루미네선스 디스플레이 (ELD) 등의 화상 표시 장치의 최외각표면에는, 여러 가지 기능을 갖는 기능층으로 이루어지는 광학 적층체가 형성되어 있다. 이와 같은 광학 적층체로는, 기재 상에 방현층 및 저굴절률층 등의 기능층을 순차적으로 형성한 적층 구조를 갖고, 이들 기능층에, 방현제로서 미립자를 함유한 것이 알려져 있다 (예를 들어 특허 문헌 1 및 2 참조). 이것은, 방현성에 있어서 우수한 성능을 갖는 것이다.

이와 같은 광학 적층체에 있어서의 방현층에는, 방현제로서 실리카 입자가 범용되고 있으며, 방현제로서 실리카 입자를 함유하는 방현층은, 예를 들어 실리카 입자와 경화성 수지를 함유하는 방현층 형성용 수지 조성물을 기재 상에 도포함으로써 형성되어 있다.

그러나, 방현제로서 실리카 입자를 함유하는 방현층 형성용 수지 조성물을 사용하여 광학 적층체를 형성하는 경우, 방현층 형성용 수지 조성물 중의 실리카 입자의 분산 안정성이 저하되어 응집하여, 형성되는 방현층의 광학 특성이 저하된다는 문제가 있었다.

[특허 문헌 1] 일본 공개특허공보 2007-090717호

[특허 문헌 2] 일본 공개특허공보 2006-267556호

본 발명은 상기 현상황을 감안하여, 실리카 입자를 함유하는 방현층을 형성하기 위한 방현층 형성용 수지 조성물 중에서, 실리카 입자가 적당히 응집하고, 또한 분산 안정성이 우수한 조성물을 사용하여, 광학 특성이 우수한 광학 적층체를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.

본 발명은 광투과성 기재와, 실리카 입자를 함유하는 방현층을 갖고, 상기 실리카 입자는 비유전율이 4.0 미만인 것을 특징으로 하는 광학 적층체이다.

실리카 입자는 비표면적이 2000㎡/g 이하인 것이 바람직하다.

실리카 입자는 부정형 실리카 입자가 바람직하다.

실리카 입자의 함유량은 방현층의 수지 성분 100 질량부에 대하여 10 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하다.

본 발명은 또한, 최외각표면에 상기 광학 적층체를 구비하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치이기도 하다.

본 발명은 또한, 편광 소자를 구비하고, 편광 소자 표면에 상기 광학 적층체를 구비하는 것을 특징으로 하는 편광판이기도 하다.

본 발명은 또한, 최외각표면에 상기 광학 적층체 또는 상기 편광판을 구비하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치이기도 하다.

본 발명은 또한, 광투과성 기재와, 실리카 입자를 함유하는 방현층을 갖고, 그 광학 특성이 개선된 광학 적층체의 제조 방법에 있어서,

(a) 실리카 입자의 비유전율을 4.0 미만으로 조정하는 공정,

(b) 바인더 수지 및, 원하는 바에 따라 그 밖의 성분과 함께 상기 실리카 입자를 용매에 분산, 혼합시켜, 방현층 형성용 조성물을 조제하는 공정으로서, 그 때, 그 실리카 입자 간의 정전적인 인력이 억제되어, 그 실리카 입자의 응집이 제어된 조성물이 얻어지는 공정,

(c) 광투과성 기재를 제공하는 공정,

(d) 상기 광투과성 기재에 공정 (b) 에서 조제한 방현층 형성용 조성물을 도포하여, 도포막을 형성하는 공정,

(e) 상기 도포막을 건조, 경화시켜 광학 적층체를 얻는 공정,

여기서, 얻어진 광학 적층체는 우수한 흑색 재현성 및 방현성을 겸비한 것임,

이상의 공정 (a) ∼ (e) 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 제조 방법이기도 하다.

공정 (a) 에서, 실리카 입자로서 중공 실리카 입자를 사용하고, 그 공극률을 변화시킴으로써, 상기 실리카 입자의 비유전율을 4.0 미만으로 조정하는 것이 바람직하다.

또한, 공정 (a) 에서, 실리카 입자를 도핑함으로써, 상기 실리카 입자의 비유전율을 4.0 미만으로 조정하는 것이 바람직하다.

또한, 공정 (a) 에서, 실리카 입자의 표면에 화학 수식을 실시함으로써, 상 기 실리카 입자의 비유전율을 4.0 미만으로 조정하는 것이 바람직하다.

그리고, 실리카 입자의 표면 화학 수식이 실리콘 재료를 사용하는 소수화 표면 화학 처리인 것이 보다 바람직하다.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.

또한, 본 발명에서는, 모노머, 올리고머, 프레폴리머 등의 경화성 수지 전구체를, 특별한 기재가 없는 한 총칭하여 "수지" 라고 표기한다.

본 발명의 광학 적층체는, 광투과성 기재 상에 실리카 입자를 함유하는 방현층을 갖는다.

상기 실리카 입자는, 비유전율이 1.5 이상 4.0 미만이다. 이와 같은 실리카 입자를 함유하는 방현층을 갖는 본 발명의 광학 적층체가 우수한 광학 특성을 나타내는 이유는 이하와 같이 추측된다.

즉, 종래의 광학 적층체는, 실리카 입자를 함유시켜 높은 방현성을 부여하고 있다. 그러나, 종래의 실리카 입자는 일반적으로 높은 비유전율을 나타내는 것이 사용되고 있었기 때문에, 방현층 형성용 수지 조성물 중에서 응집이 발생되고 있었다. 이 때문에, 실리카 입자가 균일하게 분산된 방현층을 얻을 수 없어, 형성된 광학 적층체의 광학 특성이 저하되어 있었던 것으로 생각된다.

이에 대하여 본 발명의 광학 적층체는, 방현층에 함유되는 실리카 입자를 특정 범위의 비유전율을 나타내는 것으로 하고 있기 때문에, 실리카 입자 간의 정전기적인 인력이 억제되어 실리카 입자가 적당히 응집하여, 우수한 광학 특성을 나타낸다.

상기 실리카 입자는 비유전율이 4.0 미만이다. 4.0 이상이면 실리카 입자가 응집하기 쉬워져 광학 특성이 저하된다. 상기 비유전율은 적을수록 바람직하다. 현재 얻어지는 하한의 비유전율은 1.5 이고, 2.0 인 것이 보다 바람직하다. 상기 비유전율의 상한은 3.3 인 것이 바람직하고, 3.0 인 것이 보다 바람직하다.

실리카 입자의 비유전율은, 실리카 입자 상태 또는 실리카 입자를 함유한 잉크 조성물의 상태 및 그 조성물을 사용하여, 도공, 경화시킨 광학 적층체의 필름 상태의 어느 것에서도 측정이 가능하다. 그 방법으로는, 프로브법, 개방형 공진기법, 섭동 공동 공진법, 전파 지연법, 엘립소메트리법 등이 있고, 비유전율의 범위에 맞추어 각 측정 방법을 적절히 선택한다. 측정물이 겔상 또는 액체 형태인 경우에는, 전용의 측정 셀을 사용하여 도통을 취하고, 비유전율을 결정할 수 있다. 측정물이 경화막상인 경우, 실리카 입자가 함유되는 층이 최외각표면이 된 광학 적층체의 도통을 취하고, 비유전율을 결정할 수 있다. 경화막의 실리카 입자가 함유되는 층 부분만을 절삭 등에 의해 잘라내어 측정하면, 더욱 양호하게 비유전율을 결정할 수 있다.

실리카의 비유전율은, 예를 들어 중공 실리카 입자의 공극률을 변경하고, 실리카 입자에 도핑하고, 실리카 입자 표면에 화학 수식을 실시하는 등의 방법에 의해 변화시킬 수 있다. 실리카 입자에 도핑하는 경우, 불소, 붕소, 인 등의 비금속 원소 도프, 티탄, 비스무트, 니켈 등의 전이 금속, 금속 원소 도프, 또는 다원 도프, 산화물 도프 등을 들 수 있고, 도프하는 원소를 적절히 선택하거나, 혹은 도핑 농도를 조정하여 비유전율을 변경할 수 있다. 상기 화학 수식에 대해서는 후술하겠지만, 실리카 입자 표면을 유기물 처리할 때에, 표면 처리의 정도를 조정하거나, 또는 표면 처리제를 적절히 선택함으로써 비유전율을 변경할 수 있다.

상기 실리카 입자로서 비표면적이 2000㎡/g 이하인 것이 바람직하다. 2000㎡/g 을 초과하면 다공질적으로 되어, 응집 제어가 곤란해질 우려가 있다. 상기 비표면적의 상한은 1500㎡/g 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 비표면적의 하한은 100㎡/g 인 것이 바람직하고, 500㎡/g 인 것이 보다 바람직하다. 상기 비표면적은, BET 비표면적 측정 장치 (시마즈 제작소 제조 트라이스타 3000) 에 의해 측정할 수 있다.

상기 실리카 입자는, 표면에 유기물 처리를 행하는 것이 바람직하다. 이와 같은 실리카 입자를 사용함으로써, 이하에서 상세히 서술하는 방현층 형성용 수지 조성물의 점도 상승을 발생시키지 않고 실리카 입자의 분산성을 양호한 것으로 할 수 있다.

상기 유기물 처리가 행해지는 실리카 입자로는 특별히 한정되지 않고, 결정성, 졸상, 겔상, 중공, 다공질 등의 어느 상태의 실리카 입자이어도 된다. 또한, 부정형 실리카 입자이어도 된다. 또한, 상기 유기물 처리가 행해지는 실리카 입자로는, 시판품을 사용할 수 있고, 예를 들어 부정형 실리카 (다이니치 세이카 공업사 제조), 에어로질 (데구사사 제조), 콜로이달 실리카 (닛산 화학 공업 제조) 등을 들 수 있다.

상기 실리카 입자는, 효과적인 요철 형상 형성, 방현성 발현 면에서 부정형 실리카 입자인 것이 바람직하다.

상기 유기물 처리에는, 실리카 입자 표면에 화합물을 화학적으로 결합시키는 방법이나, 입자 표면과는 화학적인 결합 없이, 입자 내 또는 입자 간에 있는 공극 등에 침투시키는 물리적인 방법이 있고, 어느 쪽을 사용해도 된다.

일반적으로는, 수산기 또는 실란올기 등의 실리카 입자 표면의 활성기를 이용하는 화학적 처리법이 처리 효율의 관점에서 바람직하게 사용된다.

상기 유기물 처리를 행하는 것에 의한 소수화는, 트리메틸클로르실란 등의 실릴화제 등에 의해 행해지고, 실릴화제의 첨가량, 반응 온도 등에 의해, 소수화율을 조정하여 처리시킬 수 있다. 실릴화 처리 실리카 입자의 분산 안정성 등을 고려하여, 소수화율은 50 ∼ 90％ 정도가 바람직하다.

처리에 사용하는 화합물로는, 상기 실리카 입자 표면의 활성기와 반응성이 높은 실란계, 실록산계, 실라잔계 재료 등이 사용된다. 예를 들어 메틸트리클로로실란 등의, 직사슬 알킬 단치환 실리콘 재료, 분기 알킬 단치환 실리콘 재료, 혹은 디-n-부틸디클로로실란, 에틸디메틸클로로실란 등의 다치환 직사슬 알킬실리콘 화합물이나, 다치환 분기사슬 알킬실리콘 화합물을 들 수 있다. 마찬가지로, 직사슬 알킬기 혹은 분기 알킬기의 단치환, 다치환 실록산 재료, 실라잔 재료도 유효하게 사용할 수 있다.

필요 기능에 따라, 알킬 사슬의 말단 내지 중간 부위에, 헤테로 원자, 불포화 결합기, 고리형 결합기, 방향족 관능기 등을 갖는 것을 사용해도 상관없다.

이들 화합물은, 함유되는 알킬기가 소수성을 나타내기 때문에, 피처리 재료 표면을, 친수성에서 소수성으로 용이하게 변환시킬 수 있게 되고, 미처리에서는 친화성이 부족한 고분자 재료와도 높은 친화성을 얻을 수 있다.

상기 실리카 입자의 함유량은, 방현층의 수지 성분 100 질량부에 대하여 10 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하다. 10 질량부 미만이면, 방현성이 불충분할 우려가 있다.

상기 함유량의 하한은 20 질량부인 것이 보다 바람직하다. 또한, 50 질량부를 초과하면, 광투과율이 저하되어, 광학 적층체로 한 경우에, 광학 특성에 악영향을 미칠 우려가 있다. 상기 함유량의 상한은 40 질량부인 것이 보다 바람직하다.

상기 실리카 입자는, 평균 입경이 0.5 ∼ 10.0㎛ 인 것이 바람직하다. 0.5㎛ 미만이면, 응집력이 증가하여, 응집 제어가 곤란해질 우려가 있고, 게다가 방현성이 저하되어, 대량으로 첨가할 필요가 발생할 우려도 있다. 10.0㎛ 를 초과하면, 광투과율이 저하되어, 광학 적층체로 하였을 때에, 광학 특성에 악영향을 미칠 우려가 있다. 상기 평균 입경은 1.0 ∼ 5.0㎛ 인 것이 보다 바람직하다.

상기 평균 입경은, 콜터 카운터에 의해 측정하여 얻어진 값이다.

상기 실리카 입자는 단독으로 사용해도 되고, 유기 수지 비즈와 병용하여 사용해도 된다.

상기 유기 수지 비즈로는, 폴리스티렌 비즈 (굴절률 1.60), 멜라민 비즈 (굴절률 1.57), 아크릴 비즈 (굴절률 1.49 ∼ 1.53), 아크릴-스티렌 비즈 (굴절률 1.54 ∼ 1.58), 벤조구아나민-포름알데히드 축합물 비즈 (굴절률 1.66), 멜라민-포름알데히드 축합물 (굴절률 1.66), 폴리카보네이트 비즈 (굴절률 1.57), 폴리에틸렌 비즈 (굴절률 1.50) 등을 들 수 있다. 상기 유기 수지 비즈는, 그 표면에 소수성기를 갖는 것이 바람직하고, 이와 같은 비즈로는, 예를 들어 폴리스티렌 비즈나 굴절률을 변경하기 쉬운 아크릴-스티렌 비즈를 들 수 있다.

상기 유기 수지 비즈는, 입자형이 정형되어 있는지 등의 기준으로 선택하는 것이 바람직하다.

상기 유기 수지 비즈는, 평균 입경이 0.5 ∼ 10.0㎛ 인 것이 바람직하다. 0.5㎛ 미만이면, 응집력이 증가하여, 응집 제어가 곤란해질 우려가 있고, 게다가 충분한 방현성이 얻어지지 않아, 대량으로 첨가할 필요가 발생할 우려도 있다. 10.0㎛ 를 초과하면, 광투과율이 저하되어, 광학 적층체로 하였을 때에, 광학 특성에 악영향을 미칠 우려가 있다. 상기 평균 입경은 1.0 ∼ 5.0㎛ 인 것이 보다 바람직하다.

상기 평균 입경은, 콜터 카운터 측정에 의해 얻어진 값이다.

상기 유기 수지 비즈의 함유량은, 실리카 입자 100 질량부에 대하여 10 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하다. 10 질량부 미만이면, 충분한 방현성이 얻어지지 않을 우려가 있다.

50 질량부를 초과하면, 광투과율이 저하되어, 광학 적층체로 하였을 때에, 광학 특성에 악영향을 미칠 우려가 있다. 상기 함유량의 하한은 20 질량부인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상한은 40 질량부인 것이 보다 바람직하다.

방현층은, 추가로 방오제를 함유하는 것이 바람직하다.

종래의 광학 적층체에서는, 방오성을 부여하기 위해서 방현층 형성용 수지 조성물에 방오제를 함유시키면, 방오제와 실리카 입자가 응집하여 방현층의 광학 특성을 저하시킨다는 문제가 있었다.

그러나, 본 발명의 광학 적층체의 방현층을 형성하기 위한 방현층 형성용 수지 조성물에 함유되는 실리카 입자는, 상기 서술한 바와 같이 특정 범위의 비유전율을 나타내기 때문에, 방현층 형성용 수지 조성물 중에 상기 방오제를 함유하는 경우에도, 정전기적인 인력이 억제되어, 실리카 입자와 방오제가 응집하기 어렵다. 이 때문에, 제조되는 광학 적층체에 높은 방오성이 요구되어, 방현층 형성용 수지 조성물에 방오제가 첨가된 경우에도, 광학 특성을 저하시키지 않고, 높은 방오성을 나타내는 광학 적층체를 얻을 수 있다.

상기 방오제는 특별히 한정되지 않고 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어 불소계 화합물 및/또는 규소계 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, 다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조 메가팩 F-482 를 들 수 있다.

상기 방현층은, 방오제를 함유하는 경우에는, 특히 최외각표면을 구성하는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 광학 적층체가 방오성을 충분히 발휘할 수 있다.

상기 실리카 입자를 함유하는 방현층은, 표면에 요철 형상을 갖고, 외광에 의한 이미지의 투영이나 반사, 면 번쩍임 (신틸레이션) 등에 의한 시인성의 저하를 억제하기 위한 층이다.

상기 표면에 요철 형상을 형성하는 방법으로는, 상기 실리카 입자, 및, 원하는 바에 따라 상기 유기 수지 비즈에 의해 요철을 형성하는 방법이나 엠보스 부형 처리를 행함으로써 형성하는 방법을 들 수 있다.

상기 방현층은, 상기 실리카 입자, 바인더 수지, 용매 및 임의 성분을 함유하는 방현층 형성용 수지 조성물을 조제하여 형성할 수 있다.

상기 방현층 형성용 수지 조성물에 있어서, 바인더 수지로는 투명성인 것이 바람직하고, 예를 들어 자외선 또는 전자선에 의해 경화되는 수지인 전리 방사선 경화형 수지, 전리 방사선 경화형 수지와 용제 건조형 수지 (열가소성 수지 등, 도공시에 고형분을 조정하기 위해서 첨가한 용제를 건조시키는 것만으로 피막이 되는 수지) 의 혼합물, 또는 열경화형 수지를 들 수 있다. 보다 바람직하게는 전리 방사선 경화형 수지이다.

상기 전리 방사선 경화형 수지로는, 예를 들어 아크릴레이트계 관능기를 갖는 화합물 등의 1 또는 2 이상의 불포화 결합을 갖는 화합물을 들 수 있다. 1 의 불포화 결합을 갖는 화합물로는, 예를 들어 에틸(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 스티렌, 메틸스티렌, N-비닐피롤리돈 등을 들 수 있다. 2 이상의 불포화 결합을 갖는 화합물로는, 예를 들어 폴리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 헥산디올(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 화합물과 (메트)아크릴레이트 등의 반응 생성물 (예를 들어 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트에스테르) 등을 들 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 「(메트)아크릴레이트」는, 메타크릴레이트 및 아크릴레이트를 가리키는 것이다.

상기 화합물 외에, 불포화 이중 결합을 갖는 비교적 저분자량의 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 알키드 수지, 스피로아세탈 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리티올폴리엔 수지 등도 상기 전리 방사선 경화형 수지로서 사용할 수 있다.

상기 전리 방사선 경화형 수지는, 용제 건조형 수지와 병용하여 사용할 수도 있다. 용제 건조형 수지를 병용함으로써, 도포면의 피막 결함을 유효하게 방지할 수 있고, 이로써 보다 우수한 풍부한 흑색감을 얻을 수 있다. 상기 전리 방사선 경화형 수지와 병용하여 사용할 수 있는 용제 건조형 수지로는 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 열가소성 수지를 사용할 수 있다.

상기 열가소성 수지로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 스티렌계 수지, (메트)아크릴계 수지, 아세트산비닐계 수지, 비닐에테르계 수지, 할로겐 함유 수지, 지환식 올레핀계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리아미드계 수지, 셀룰로오스 유도체, 실리콘계 수지 및 고무 또는 엘라스토머 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지는, 비결정성이고, 또한 유기 용매 (특히 복수의 폴리머나 경화성 화합물을 용해 가능한 공통 용매) 에 가용인 것이 바람직하다. 특히, 제막성, 투명성이나 내후성의 것이라는 관점에서, 스티렌계 수지, (메트)아크릴계 수지, 지환식 올레핀계 수지, 폴리에스테르계 수지, 셀룰로오스 유도체 (셀 룰로오스에스테르류 등) 등이 바람직하다.

본 발명의 광학 적층체에 있어서, 후술하는 광투과성 기재의 재료가 트리아세틸셀룰로오스 (TAC) 등의 셀룰로오스계 수지인 경우, 상기 열가소성 수지의 바람직한 구체예로서, 셀룰로오스계 수지, 예를 들어 니트로셀룰로오스, 아세틸셀룰로오스, 셀룰로오스아세테이트프로피오네이트, 에틸히드록시에틸셀룰로오스, 아세틸부틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스 유도체 등을 들 수 있다. 셀룰로오스계 수지를 사용함으로써, 광투과성 기재나 원하는 바에 따라 형성하는 대전 방지층 등의 층과의 밀착성과 투명성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 서술한 셀룰로오스계 수지 외에, 아세트산비닐 및 그 공중합체, 염화비닐 및 그 공중합체, 염화비닐리덴 및 그 공중합체 등의 비닐계 수지, 폴리비닐포르말, 폴리비닐부티랄 등의 아세탈 수지, 아크릴 수지 및 그 공중합체, 메타아크릴 수지 및 그 공중합체 등의 아크릴계 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리아미드 수지, 폴리카보네이트 수지 등을 들 수 있다.

상기 바인더 수지로서 사용할 수 있는 열경화형 수지로는, 페놀 수지, 우레아 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 멜라닌 수지, 구아나민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 아미노알키드 수지, 멜라민-우레아 공축합 수지, 규소 수지, 폴리실록산 수지 등을 들 수 있다.

상기 방현층 형성용 수지 조성물은, 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 광중합 개시제로는, 아세토페논류 (예를 들어 상품명 이르가큐어 184, 치바·스페셜티·케미컬즈사 제조) 로서 시판되고 있는 1-히드록시-시클로헥 실-페닐-케톤), 벤조페논류, 티옥산톤류, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 방향족 디아조늄염, 방향족 술포늄염, 방향족 요오드늄염, 메탈로센 화합물, 벤조인술폰산에스테르 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 사용하거나 또는 2 종 이상을 병용해도 된다.

상기 광중합 개시제의 첨가량은, 상기 전리 방사선 경화형 수지 고형분 100 질량부에 대하여 0.1 ∼ 10 질량부인 것이 바람직하다.

상기 방현층 형성용 수지 조성물은, 본 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 정도에 있어서, 필요에 따라 그 밖의 임의 성분을 첨가할 수 있다. 상기 임의 성분으로는, 상기 유기 수지 비즈, 상기 방오제, 상기 서술한 것 이외의 수지, 계면 활성제, 커플링제, 증점제, 착색 방지제, 안료 또는 염료 등의 착색제, 소포제, 레벨링제, 난연제, 자외선 흡수제, 적외선 흡수제, 접착 부여제, 중합 금지제, 산화 방지제, 표면 개질제 등을 들 수 있다. 이들은, 방현층에 통상 사용되는 공지된 것을 사용할 수 있다.

상기 방현층 형성용 수지 조성물은, 예를 들어 상기 서술한 실리카 입자, 바인더 수지, 광중합 개시제 및 그 밖의 임의 성분을 용매와 혼합하여 분산 처리함으로써 얻을 수 있다. 상기 혼합 분산에는, 페인트 셰이커 또는 비즈 밀 등을 사용할 수 있다.

상기 용매로는, 물, 알코올 (예를 들어 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 벤질알코올), 케톤 (예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논), 에스테르 (예를 들어 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아 세트산부틸, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산프로필, 포름산부틸), 지방족 탄화수소 (예를 들어 헥산, 시클로헥산), 할로겐화 탄화수소 (예를 들어 메틸렌클로라이드, 클로로포름, 4염화탄소), 방향족 탄화수소 (예를 들어 벤젠, 톨루엔, 자일렌), 아미드 (예를 들어 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, n-메틸피롤리돈), 에테르 (예를 들어 디에틸에테르, 디옥산, 테트라히드로푸란), 에테르알코올 (예를 들어 1-메톡시-2-프로판올) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 용제는 적절히 1 종류 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 케톤류, 에스테르류, 방향족 탄화수소류인 것이 바람직하고, 분산성, 분산 안정성, 안전성 면에 있어서, 특히 케톤계 용매를 적어도 1 종류 사용하는 것이 보다 바람직하고, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논인 것이 더욱 바람직하다.

상기 방현층은, 상기 방현층 형성용 수지 조성물을 광투과성 기재 상에 도포하고, 필요에 따라 건조시키고, 활성 에너지선 조사에 의해 경화시켜 형성하는 것이 바람직하다.

상기 방현층 형성용 수지 조성물을 도포하는 방법으로는, 롤 코트법, 메이어 바 코트법, 그라비아 코트법, 다이 코트법 등의 도포 방법을 들 수 있다.

상기 활성 에너지선 조사로는, 자외선 또는 전자선에 의한 조사를 들 수 있다. 자외선원의 구체예로는, 초고압 수은등, 고압 수은등, 저압 수은등, 카본 아크등, 블랙 라이트 형광등, 메탈 할라이드 램프등 등의 광원을 들 수 있다. 자외선의 파장으로는 190 ∼ 380㎚ 의 파장역을 사용할 수 있다. 전자선원의 구체예로는, 코크로프트 월튼형, 반데그라프형, 공진 변압기형, 절연 코어 변압기형, 또는 직선형, 다이나미트론형, 고주파형 등의 각종 전자선 가속기를 들 수 있다.

상기 방현층의 두께로는 1.0 ∼ 7.5㎛ 인 것이 바람직하다.

1.0㎛ 미만이면 충분한 방현성이 얻어지지 않을 우려가 있다. 7.5㎛ 를 초과하면, 투과율이 저하되어, 광학 적층체로 하였을 때에, 광학 특성에 악영향을 미칠 우려가 있다. 상기 두께의 하한은 2.0㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상한은 3.0㎛ 인 것이 보다 바람직하다.

또한, 상기 방현층의 두께는, 레이저 현미경, SEM, TEM 에 의한 단면 관찰로 측정할 수 있다. 예를 들어 레이저 현미경에 의한 막두께 측정 방법으로는, 공초점 레이저 현미경 (LeicaTCS-NT : 라이카사 제조 : 배율 200 ∼ 1000 배) 을 사용하여, 방현층의 단면을 투과 관찰한다. 예를 들어 구체적으로는, 할레이션이 없는 선명한 화상을 얻기 위해서, 공초점 레이저 현미경에 습식의 대물 렌즈를 사용하고, 또한, 대물 렌즈와 방현층 단면 사이의 공기층을 소실시키기 위해서 방현층 단면 상에 굴절률 1.518 의 오일을 약 2㎖ 올려놓고 관찰할 수 있다. 그리고, 현미경의 관찰 1 화면에 대하여 요철의 Max 부, Min 부의 막을 1 점씩, 계 2 점 측정한다. 5 화면분, 계 10 점 측정하여, 평균값을 산출함으로써, 평균 막두께를 구할 수 있다. SEM, TEM 의 단면 관찰에 있어서도, 상기와 같이 5 화면분 관찰하여, 평균값을 구할 수 있다.

상기 광투과성 기재로는, 투명성, 평활성, 내열성을 구비하고, 기계적 강도 가 우수한 것인 것이 바람직하다. 상기 광투과성 기재를 형성하는 재료의 구체예로는, 폴리에스테르(폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌나프탈레이트), 트리아세틸셀룰로오스 (TAC), 셀룰로오스디아세테이트, 셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 폴리염화비닐, 폴리비닐아세탈, 폴리에테르케톤, 폴리메타크릴산메틸, 폴리카보네이트, 또는 폴리우레탄 등의 열가소성 수지를 들 수 있고, 바람직하게는 폴리에스테르 (폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트), 트리아세틸셀룰로오스 (TAC) 를 들 수 있다.

상기 광투과성 기재로는, 또한, 지환 구조를 가진 비정질 올레핀 폴리머 (Cyclo-Olefin-Polymer : COP) 필름도 사용할 수 있다. 이것은, 노르보르넨계 중합체, 단고리의 고리형 올레핀계 중합체, 고리형 공액 디엔계 중합체, 비닐 지환식 탄화수소계 중합체 수지 등이 사용되고 있는 기재이며, 예를 들어 니혼 제온 (주) 제조의 제오넥스나 제오노아 (노르보르넨계 수지), 스미토모 베이크라이트 (주) 제조 스미라이트 FS-1700, JSR (주) 제조 아톤 (변성 노르보르넨계 수지), 미츠이 화학 (주) 제조 아페르 (고리형 올레핀 공중합체), Ticona 사 제조 Topas (고리형 올레핀 공중합체), 히타치 화성 (주) 제조 옵토레즈 OZ-1000 시리즈 (지환식 아크릴 수지) 등을 들 수 있다. 또한, 트리아세틸셀룰로오스의 대체 기재로서 아사히 화성 케미컬즈 (주) 제조의 FV 시리즈 (저복굴절률, 저광탄성률 필름) 도 바람직하다.

상기 광투과성 기재는, 상기 열가소성 수지를 유연성이 풍부한 필름상체로 하여 사용하는 것이 바람직하지만, 경화성이 요구되는 사용 양태에 따라, 이들 열가소성 수지의 판을 사용할 수도 있고, 또는 유리판의 판상체인 것을 사용해도 된다.

상기 광투과성 기재의 두께는 20 ∼ 300㎛ 인 것이 바람직하고, 30 ∼ 200㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 광투과성 기재가 판상체인 경우에는 이들의 두께를 초과하는 두께 300㎛ ∼ 5000㎛ 이어도 된다. 기재는, 그 위에 대전 방지층 등을 형성할 때에, 접착성 향상을 위해서, 코로나 방전 처리, 산화 처리 등의 물리적인 처리 외에, 앵커제 혹은 프라이머라고 불리는 도료의 도포를 미리 실시해도 된다.

본 발명의 광학 적층체는, 상기 방현층 상에 추가로 저굴절률층을 갖는 것이 바람직하다. 상기 저굴절률층은 방현층의 표면에 형성되어 이루어지고, 그 굴절률이 방현층보다 낮은 것이다. 본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 방현층의 굴절률이 1.48 이상이고, 저굴절률층의 굴절률이 1.48 미만이며, 바람직하게는 1.45 이하로 구성되어 이루어지는 것이 바람직하다.

저굴절률층은, 1) 실리카 또는 불화마그네슘을 함유하는 재료, 2) 저굴절률 수지인 불소계 재료, 3) 실리카 또는 불화마그네슘을 함유하는 불소계 재료, 4) 실리카 또는 불화마그네슘의 박막 등의 어느 하나로 구성되어 있어도 된다.

상기 불소계 재료란, 적어도 분자 중에 불소 원자를 함유하는 중합성 화합물 또는 그 중합체이다. 중합성 화합물은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 전 리 방사선에 의해 경화되는 관능기 (전리 방사선 경화성기) 나 열에 의해 경화되는 극성기 (열경화 극성기) 등의 경화 반응성의 기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 이들 반응성 기를 동시에 겸비하는 화합물이어도 된다.

불소 원자를 함유하는 전리 방사선 경화성기를 갖는 중합성 화합물로는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 불소 함유 모노머를 널리 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 플루오로올레핀류 (예를 들어 플루오로에틸렌, 비닐리덴플루오라이드, 테트라플루오로에틸렌, 헥사플루오로프로필렌, 퍼플루오로부타디엔, 퍼플루오로-2,2-디메틸-1,3-디옥솔 등) 를 예시할 수 있다. (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 것으로서, 2,2,2-트리플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필(메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로부틸)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로헥실)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로옥틸)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로데실)에틸(메트)아크릴레이트, α-트리플루오로메타크릴산메틸, α-트리플루오로메타크릴산에틸과 같은, 분자 중에 불소 원자를 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물 ; 분자 중에, 불소 원자를 적어도 3 개 갖는 탄소수 1 ∼ 14 의 플루오로알킬기, 플루오로시클로알킬기 또는 플루오로알킬렌기와, 적어도 2 개의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 함불소 다관능 (메트)아크릴산에스테르 화합물 등도 있다.

불소 원자를 함유하는 열경화성 극성기를 갖는 중합성 화합물로는, 예를 들어 4-플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체 ; 플루오로에틸렌-탄화수소계 비닐에테르 공중합체 ; 에폭시, 폴리우레탄, 셀룰로오스, 페놀, 폴리이미드 등의 각 수지의 불소 변성품 등을 예시할 수 있다. 상기 열경화성 극성기로는, 예를 들어 수산기, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기 등의 수소 결합 형성기를 바람직하게 들 수 있다. 이들은, 도막과의 밀착성뿐만 아니라, 실리카 등의 무기 초미립자와의 친화성도 우수하다.

전리 방사선 경화성기와 열경화성 극성기를 겸비하는 중합성 화합물 (불소계 수지) 로는, 아크릴 또는 메타크릴산의 부분 및 완전 불소화 알킬, 알케닐, 아릴에스테르류, 완전 또는 부분 불소화 비닐에테르류, 완전 또는 부분 불소화 비닐에스테르류, 완전 또는 부분 불소화 비닐케톤류 등을 예시할 수 있다.

불소 원자를 함유하는 상기 중합성 화합물의 중합체로는, 예를 들어 상기 전리 방사선 경화성기를 갖는 중합성 화합물의 함불소 (메트)아크릴레이트 화합물을 적어도 1 종류 함유하는 모노머 또는 모노머 혼합물의 중합체 ; 함불소 (메트)아크릴레이트 화합물의 적어도 1 종류와, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트와 같이 분자 중에 불소 원자를 함유하지 않는 (메트)아크릴레이트 화합물의 공중합체 ; 플루오로에틸렌, 불화비닐리덴, 트리플루오로에틸렌, 클로로트리플루오로에틸렌, 3,3,3-트리플루오로프로필렌, 1,1,2-트리클로로-3,3,3-트리플루오로 프로필렌, 헥사플루오로프로필렌과 같은 함불소 모노머의 단독 중합체 또는 공중합체 ; 등을 들 수 있다.

또한, 이들 공중합체에 실리콘 성분을 함유시킨 실리콘 함유 불화비닐리덴 공중합체도, 상기 중합성 화합물의 중합체로서 사용할 수 있다. 이 경우의 실 리콘 성분으로는, (폴리)디메틸실록산, (폴리)디에틸실록산, (폴리)디페닐실록산, (폴리)메틸페닐실록산, 알킬 변성 (폴리)디메틸실록산, 아조기 함유 (폴리)디메틸실록산이나, 디메틸실리콘, 페닐메틸실리콘, 알킬·아르알킬 변성 실리콘, 플루오로실리콘, 폴리에테르 변성 실리콘, 지방산 에스테르 변성 실리콘, 메틸 수소 실리콘, 실란올기 함유 실리콘, 알콕시기 함유 실리콘, 페놀기 함유 실리콘, 메타크릴 변성 실리콘, 아크릴 변성 실리콘, 아미노 변성 실리콘, 카르복실산 변성 실리콘, 카르비놀 변성 실리콘, 에폭시 변성 실리콘, 메르캅토 변성 실리콘, 불소 변성 실리콘, 폴리에테르 변성 실리콘 등을 예시할 수 있다. 그 중에서도 디메틸실록산 구조를 갖는 것이 바람직하다.

상기한 것 외에, 나아가서는, 분자 중에 적어도 1 개의 이소시아나토기를 갖는 함불소 화합물과, 아미노기, 히드록실기, 카르복실기 등의 이소시아나토기와 반응하는 관능기를 분자 중에 적어도 1 개 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 화합물 ; 불소 함유 폴리에테르폴리올, 불소 함유 알킬폴리올, 불소 함유 폴리에스테르폴리올, 불소 함유 ε-카프로락톤 변성 폴리올 등의 불소 함유 폴리올과, 이소시아네이트기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 화합물 ; 등도 불소계 재료로서 사용할 수 있다.

저굴절률층의 형성에 있어서는, 예를 들어 원료 성분을 함유하는 조성물 (굴절률층 형성용 조성물) 을 사용하여 형성할 수 있다. 보다 구체적으로는, 원료 성분 (수지 등) 및 필요에 따라 첨가제 (예를 들어 후술하는 「공극을 갖는 미립자」, 중합 개시제, 대전 방지제 등) 를 용제에 용해 또는 분산시켜 이루어지는 용액 또는 분산액을, 저굴절률층 형성용 조성물로서 사용하여, 상기 조성물에 의한 도막을 형성하고, 상기 도막을 경화시킴으로써 저굴절률층을 얻을 수 있다. 또한, 중합 개시제 등의 첨가제는, 예를 들어 방현층에서 상기 서술한 것을 들 수 있다.

용제도 방현층에서 상기 서술한 것을 들 수 있고, 바람직하게는, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 이소프로필알코올 (IPA), n-부탄올, t-부탄올, 디에틸케톤, PGME 등이다.

상기 조성물의 조제 방법은, 성분을 균일하게 혼합할 수 있으면 되고, 공지된 방법에 따라 실시하면 된다. 예를 들어 방현층의 형성에서 상기 서술한 공지된 장치를 사용하여 혼합할 수 있다.

도막의 형성 방법은 공지된 방법에 따르면 된다. 예를 들어 방현층의 형성에서 상기 서술한 각종 방법을 사용할 수 있다.

얻어진 도막의 경화 방법은, 조성물의 내용 등에 따라 적절히 선택하면 된다. 예를 들어 자외선 경화형이면, 도막에 자외선을 조사함으로써 경화시키면 된다.

상기 저굴절률층에 있어서는, 저굴절률제로서 「공극을 갖는 미립자」를 이용하는 것이 바람직하다. 「공극을 갖는 미립자」는 방현층의 층 강도를 유지하면서, 그 굴절률을 낮출 수 있다. 본 발명에 있어서, 「공극을 갖는 미립자」란, 미립자의 내부에 기체가 충전된 구조 및/또는 기체를 포함하는 다공질 구조체를 형성하고, 미립자 본래의 굴절률에 비해 미립자 중의 기체의 점유율에 반비례하여 굴절률이 저하되는 미립자를 의미한다. 또한, 본 발명에 있어서는, 미립 자의 형태, 구조, 응집 상태, 피막 내부에서의 미립자의 분산 상태에 따라, 내부, 및/또는 표면의 적어도 일부에 나노포러스 구조의 형성이 가능한 미립자도 포함된다. 이 미립자를 사용한 저굴절률층은, 굴절률을 1.30 ∼ 1.45 로 조절할 수 있다.

공극을 갖는 무기계 미립자로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2001-233611호에 기재된 방법에 의해 조제된 실리카 미립자를 들 수 있다. 일본 공개특허공보 평7-133105호, 일본 공개특허공보 2002-79616호, 일본 공개특허공보 2006-106714호 등에 기재된 제법에 의해 얻어지는 실리카 미립자이어도 된다. 공극을 갖는 실리카 미립자는 제조가 용이하고 그 자체의 경도가 높기 때문에, 바인더와 혼합하여 저굴절률층을 형성하였을 때, 그 층 강도가 향상되고, 또한, 굴절률을 1.20 ∼ 1.45 정도의 범위 내로 조제할 수 있게 한다. 특히, 공극을 갖는 유기 계 미립자의 구체예로는, 일본 공개특허공보 2002-80503호에서 개시되어 있는 기술을 사용하여 조제한 중공 폴리머 미립자를 바람직하게 들 수 있다.

피막의 내부 및/또는 표면의 적어도 일부에 나노포러스 구조의 형성이 가능한 미립자로는 상기 실리카 미립자에 추가하여, 비표면적을 크게 하는 것을 목적으로 하여 제조되고, 충전용 칼럼 및 표면의 다공질부에 각종 화학 물질을 흡착시키는 제방재 (除放材), 촉매 고정용으로 사용되는 다공질 미립자 또는 단열재나 저유전재에 삽입하는 것을 목적으로 하는 중공 미립자의 분산체나 응집체를 들 수 있다. 그러한 구체적으로는, 시판품으로서 니혼 실리카 공업 주식회사 제조의 상품명 Nipsil 이나 Nipgel 중으로부터 다공질 실리카 미립자의 집합체, 닛산 화학 공업 (주) 제조의 실리카 미립자가 사슬형으로 연결된 구조를 갖는 콜로이달 실리카 UP 시리즈 (상품명) 로부터, 본 발명의 바람직한 입자 직경의 범위 내의 것을 이용할 수 있다.

「공극을 갖는 미립자」의 평균 입자 직경은 5㎚ 이상 300㎚ 이하이고, 바람직하게는 하한이 8㎚ 이상이고 상한이 100㎚ 이하이며, 보다 바람직하게는 하한이 10 ㎚ 이상이고 상한이 80㎚ 이하이다. 미립자의 평균 입자 직경이 이 범위 내에 있음으로써, 방현층에 우수한 투명성을 부여할 수 있게 된다. 또한, 상기 평균 입자 직경은, 동적 광산란법 등이라는 방법에 의해 측정한 값이다. 「공극을 갖는 미립자」는, 상기 저굴절률층 중에 매트릭스 수지 100 질량부에 대하여 통상 0.1 ∼ 500 질량부 정도, 바람직하게는 10 ∼ 200 질량부 정도로 하는 것이 바람직하다.

저굴절률층의 형성에 있어서는, 상기 저굴절률층 형성용 조성물의 점도를 바람직한 도포성이 얻어지는 0.5 ∼ 5cps (25℃), 바람직하게는 0.7 ∼ 3cps (25℃) 의 범위의 것으로 하는 것이 바람직하다. 가시광선의 우수한 반사 방지막을 실현할 수 있고, 또한 균일하고 도포 불균일이 없는 박막을 형성할 수 있으며, 또한 기재에 대한 밀착성이 특히 우수한 저굴절률층을 형성할 수 있다.

수지의 경화 수단은, 방현층의 항에서 설명한 수단과 동일해도 된다. 경화 처리를 위해서 가열 수단이 이용되는 경우에는, 가열에 의해, 예를 들어 라디칼을 발생하여 중합성 화합물의 중합을 개시시키는 열중합 개시제가 불소계 수지 조성물에 첨가되는 것이 바람직하다.

저굴절률층의 막두께 (㎚) dA 는, 하기 식 (I) :

dA = mλ/(4nA) (I)

(상기 식 중, nA 는 저굴절률층의 굴절률을 나타내고, m 은 정의 기수를 나타내며, 바람직하게는 1 을 나타내고, λ 은 파장이며, 바람직하게는 480 ∼ 580㎚ 범위의 값이다) 을 만족시키는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 있어서는, 저굴절률층은 하기 수학식 (II) :

120 < nAdA < 145 (II)

를 만족시키는 것이 저반사율화 면에서 바람직하다.

본 발명의 광학 적층체는, 상기 방현층 및 저굴절률층 외에도 필요에 따라, 임의의 층으로서 방오염층, 대전 방지층, 고굴절률층 또는 중굴절률층 등을 구비하고 있는 것이어도 된다.

상기 방오염층, 대전 방지층, 고굴절률층, 중굴절률층은, 일반적으로 사용되는 방오제, 고굴절률제, 중굴절률제, 대전 방지제 또는 수지 등을 첨가한 조성물을 조제하고, 각각의 층을 공지된 방법에 의해 형성하면 된다.

본 발명의 광학 적층체는, 표면에 요철 형상을 갖는 것인 것이 바람직하다. 상기 요철 형상으로는, 광학 적층체의 최외각표면 층의 요철의 평균 간격을 Sm 으로 하고, 요철부의 평균 경사각을 θa 로 하고, 요철의 10 점 평균 거칠기를 Rz 로 한 경우에, (Sm, θa, Rz 의 정의는, JIS B0601 1994 에 준거한다) Sm 이 40㎛ 이상 600㎛ 이하이고, θa 가 0.3 도 이상 5.0 도 이하이며, Rz 가 0.3㎛ 이상 4.0㎛ 이하인 것이 바람직하다.

또한, 이들 Sm, θa, Rz 를 구하기 위해서 사용한 표면 거칠기 측정기의 측정 조건은 이하와 같다.

표면 거칠기 측정기 (제품 번호 : SE-3400/(주) 고사카 연구소 제조)

1) 표면 거칠기 검출부의 촉침 :

제품 번호/SE2555N (2μ 표준) (주) 고사카 연구소 제조

(선단 곡률 반경 2㎛/꼭지각 : 90 도/재질 : 다이아몬드)

2) 표면 거칠기 측정기의 측정 조건 :

기준 길이 (거칠기 곡선의 컷오프값 λc) : 0.8㎜

평가 길이 (기준 길이 (컷오프값 λc) × 5) : 4.0㎜

촉침의 이송 속도 : 0.1㎜/s

본 발명의 광학 적층체의 가시광 투과율은 90％ 이상인 것이 바람직하다. 90％ 미만이면, 디스플레이 표면에 장착한 경우에 있어서, 색재현성을 저해할 우려가 있다. 상기 가시광 투과율은 95％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 98％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.

상기 광학 적층체의 표면 헤이즈값은 10％ 이하인 것이 바람직하다. 10％ 를 초과하면, 디스플레이 표면에 장착한 경우에 있어서, 색재현성을 저해할 우려가 있다. 상기 헤이즈값은 0.2 ∼ 5％ 인 것이 보다 바람직하다. 상기 표면 헤이즈값은, 반사·투과율계 HM-150 (무라카미 색채 기술 연구소 제조) 에 의해 측정하여 얻어진 값이다.

상기 광학 적층체의 내부 헤이즈값은 70％ 이하인 것이 바람직하다. 상 기 내부 헤이즈값이 상기 범위 내에 있으면, 본 발명의 광학 적층체를 LCD 용 등에 사용하는 경우의 면 번쩍임 (신틸레이션) 을 개선하는 효과가 얻어진다.

상기 표면 헤이즈값 및 내부 헤이즈값은, 후술한 방법에 의해 얻어지는 값이다. 즉, 광학 적층체의 최표층 (예를 들어 방현층 또는 저굴절률층) 의 요철 상에 펜타에리트리톨트리아크릴레이트 등의 수지 (모노머 또는 올리고머 등의 수지 성분을 포함한다) 를 톨루엔 등으로 희석하고, 고형분 60％ 로 한 것을 와이어 바로 건조 막두께가 8㎛ 가 되도록 도포한다. 이로써, 최표층의 표면 요철이 붕괴되어 평탄한 층이 된다. 단, 이 최표층을 형성하는 조성물 중에 레벨링제 등이 들어가 있음으로써, 리코트제가 튕겨져나오기 쉬워 젖기 어려운 경우에는, 미리 방현 필름을 비누화 처리 (2㏖/ℓ 의 NaOH (또는 KOH) 용액 55 도 3 분 침지한 후, 수세하고, 킴와이프즈 (kimwipes) 로 물방울을 완전하게 제거한 후, 50 도 오븐에서 1 분 건조) 에 의해, 친수 처리를 행하면 된다. 이 표면을 평탄하게 한 필름은, 표면 요철에 의한 헤이즈를 갖지 않는, 내부 헤이즈만을 갖는 상태로 되어 있다. 이 헤이즈를 내부 헤이즈로서 구할 수 있다. 그리고, 내부 헤이즈를, 원래의 광학 적층체의 헤이즈 (전체 헤이즈) 로부터 차감한 값이, 표면 요철에서만 기인하는 헤이즈 (표면 헤이즈) 로서 구해진다.

본 발명은 또한, 편광 소자를 구비하여 이루어지는 편광판으로서, 상기 편광판은, 편광 소자 표면에 상기 서술한 광학 적층체를 구비하는 편광판이기도 하다.

상기 편광 소자로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 요오드 등에 의해 염색하고, 연신한 폴리비닐알코올 필름, 폴리비닐포르말 필름, 폴리비닐아세탈 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체계 비누화 필름 등을 사용할 수 있다. 상기 편광 소자와 본 발명의 광학 적층체의 라미네이트 처리에 있어서는, 광투과성 기재에 비누화 처리를 행하는 것이 바람직하다. 비누화 처리에 의해, 접착성이 양호해지고 대전 방지 효과도 얻을 수 있다.

본 발명은, 최외각표면에 상기 광학 적층체 또는 상기 편광판을 구비하여 이루어지는 화상 표시 장치이기도 하다.

상기 화상 표시 장치로서 LCD, PDP, FED, ELD (유기 EL, 무기 EL), CRT 등을 들 수 있다.

상기 화상 표시 장치의 대표적인 예인 LCD 는, 투과성 표시체와, 그것을 배면으로부터 조사하는 광원 장치를 구비하여 이루어지는 것이다. 본 발명의 화상 표시 장치가 LCD 인 경우, 이 투과성 표시체의 표면에, 본 발명의 광학 적층체 또는 본 발명의 편광판이 형성되어 이루어지는 것이다.

본 발명이 상기 광학 적층체를 갖는 액정 표시 장치인 경우, 광원 장치의 광원은 광학 적층체의 하측으로부터 조사된다. 또한, STN 형의 액정 표시 장치에는, 액정 표시 소자와 편광판 사이에 위상차판이 삽입되어도 된다. 이 액정 표시 장치의 각 층 사이에는 필요에 따라 접착제층이 형성되어도 된다.

상기 화상 표시 장치의 일례인 PDP 는, 표면 유리 기판과, 당해 표면 유리 기판에 대향하여 사이에 방전 가스가 봉입되어 배치된 배면 유리 기판을 구비하여 이루어지는 것이다. 본 발명의 화상 표시 장치가 PDP 인 경우, 상기 표면 유리 기판의 표면, 또는 그 전면판 (유리 기판 또는 필름 기판) 에 상기 서술한 광학 적 층체를 구비하는 것이기도 하다.

상기 화상 표시 장치는, 전압을 가하면 발광하는 황화아연, 디아민류 물질 : 발광체를 유리 기판에 증착시키고, 기판에 가하는 전압을 제어하여 표시를 실시하는 ELD 장치, 또는, 전기 신호를 광으로 변환하고, 인간의 눈에 보이는 이미지를 발생시키는 CRT 등의 화상 표시 장치이어도 된다. 이 경우, 상기와 같은 각 표시 장치의 최외각표면 또는 그 전면판의 표면에 상기 서술한 광학 적층체를 구비하는 것이다.

본 발명의 광학 적층체는, 어느 경우에도, 텔레비전, 컴퓨터, 워드프로세서 등의 디스플레이 표시에 사용할 수 있다. 특히, CRT, 액정 패널, PDP, ELD 등의 고정세 화상용 디스플레이의 표면에 바람직하게 사용할 수 있다.

본 발명의 광학 적층체는, 상기 서술한 구성으로 이루어지는 것이기 때문에, 방현성, 방오성 및 색재현성이 우수한 것이다. 이 때문에, 음극선관 표시 장치 (CRT), 액정 디스플레이 (LCD), 플라즈마 디스플레이 (PDP), 일렉트로루미네선스 디스플레이 (ELD) 등에 바람직하게 적용할 수 있다.

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 기초하여 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명의 내용은 이들의 실시형태에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 특별히 언급이 없는 한, 「부」및 「％」는 질량 기준이다.

(부정형 실리카 입자의 조제)

하기 실시예 및 비교예에서 사용한 부정형 실리카는, 규산나트륨과 황산의 중화 반응에 의한 습식법 (예를 들어 일본 특허 제1781081호, 일본 특허 제1409252호, 일본 특허 제2667071호, 일본 특허 제3719687호) 으로 제조하였다. 얻어진 부정형 실리카 입자에, 트리메틸클로르실란에 의한 소수화 표면 화학 처리를 행하고, 그 소수화율을 50 ∼ 90％ 의 범위에서 조정하여, 비유전율이 상이한 각종 부정형 실리카 입자를 얻었다.

(비유전율의 측정)

각 실시예 및 비교예에 사용하는 부정형 실리카 입자를 1 종류씩 분산한 분산액을 제조하고, 비유전율 측정용 시료를 제조하였다.

비유전율은, 솔라트론사 제조 1260 형 임피던스 애널라이저 (2 단자법) 를 사용하여, 주파수 범위 1KHz ∼ 100KHz, 측정 온도 25℃ 하에서 측정하였다.

또한, 비유전율은, 전술한 바와 같이 분산액 상태 이외에, 도포, 경화하여 광학 적층체 상태로 한 후에, 경화막의 실리카가 포함되는 층 부분만을 절삭 등에 의해 잘라내어 측정할 수도 있다. 그 경우에는, 그 잘라낸 막의 양면에 금을 스퍼터링하고, 또한 은 페이스트를 필름의 주위에 적절히 부착시켜 도통을 취하고, 80℃ 가온하 감압 건조를 실시하여, 유전율 측정용 시료로 할 수 있다. 경화막으로 한 경우에는, 부정형 실리카 입자가 몇 종류인가 함유되어 있을 때에는 그들의 평균치적인 값이 된다.

(방현층 형성용 수지 조성물의 조제)

(조제예 1)

방현층 형성용 수지 조성물 1 의 조제

자외선 경화형 수지 :

펜타에리트리톨트리아크릴레이트 (PETA) (굴절률 1.51) 20 질량부

셀룰로오스아세테이트프로피오네이트 (분자량 50,000) 0.25 질량부

광경화 개시제 :

이르가큐어 184 (치바·스페셜티·케미컬즈 (주) 제조) 1.2 질량부

이르가큐어 907 (치바·스페셜티·케미컬즈 (주) 제조) 0.2 질량부

부정형 실리카 입자 (비유전율 2.5) 1.24 질량부

(평균 입경 1.0㎛, 실란 커플링제에 의한 표면 소수 처리 있음)

실리콘계 레벨링제 0.013 질량부

톨루엔 34.0 질량부

메틸이소부틸케톤 8.5 질량부

상기 재료를 충분히 혼합하여, 조성물로서 조제하였다. 이 조성물을 구멍 직경 30㎛ 의 폴리프로필렌제 필터로 여과하여 고형분 35％ 의 방현층 형성용 수지 조성물 1 을 조제하였다.

(조제예 2)

방현층 형성용 수지 조성물 2 의 조제

자외선 경화형 수지 :

펜타에리트리톨트리아크릴레이트 (PETA) (굴절률 1.51) 38 질량부

셀룰로오스아세테이트프로피오네이트 (분자량 50,000) 0.76 질량부

광경화 개시제 :

이르가큐어 184 (치바·스페셜티·케미컬즈 (주) 제조) 2.3 질량부

이르가큐어 907 (치바·스페셜티·케미컬즈 (주) 제조) 0.4 질량부

부정형 실리카 입자 (평균 입경 1.5㎛, 비유전율 2.5) 1.16 질량부

부정형 실리카 입자 (평균 입경 1.0㎛, 비유전율 3.0) 7.27 질량부

실리콘계 레벨링제 0.079 질량부

톨루엔 60.2 질량부

메틸이소부틸케톤 14.1 질량부

상기 재료를 충분히 혼합하여, 조성물로서 조제하였다. 이 조성물을 구멍 직경 30㎛ 의 폴리프로필렌제 필터로 여과하여 고형분 38.5％ 의 방현층 형성용 수지 조성물 2 를 조제하였다.

(조제예 3)

방현층 형성용 수지 조성물 3 의 조제

자외선 경화형 수지 :

펜타에리트리톨트리아크릴레이트 (PETA) (굴절률 1.51) 2.20 질량부

이소시아눌산 변성 디아크릴레이트 M215

(니혼 가야쿠 (주) 제조, 굴절률 1.51) 1.21 질량부

폴리메틸메타크릴레이트 (분자량 75,000) 0.34 질량부

광경화 개시제 :

이르가큐어 184 (치바·스페셜티·케미컬즈 (주) 제조) 0.22 질량부

이르가큐어 907 (치바·스페셜티·케미컬즈 (주) 제조) 0.04 질량부

투광성 제 1 입자 :

단분산 아크릴 비즈 (입자 직경 9.5㎛, 굴절률 1.535) 0.82 질량부

투광성 제 2 입자 :

부정형 실리카 잉크 1.73 질량부

(평균 입자 직경 1.5㎛, 고형분 60％, 비유전율 2.5)

레벨링제 :

실리콘계 레벨링제 0.02 질량부

용제 :

톨루엔 5.88 질량부

시클로헥사논 1.55 질량부

상기 재료를 충분히 혼합하여, 고형분 40.5％ 의 조성물로서 조제하였다. 이 조성물을 구멍 직경 30㎛ 의 폴리프로필렌제 필터로 여과하여 방현층 형성용 수지 조성물 3 을 조제하였다.

(조제예 4)

방현층 형성용 수지 조성물 4 의 조제

방현층 형성용 수지 조성물 1 에 기재된 부정형 실리카 입자 (비유전율 2.5) 를, 부정형 실리카 입자 (비유전율 4.0) 로 변경한 것 외에는, 배합비 등 완전히 동일하게 하여 방현층 형성용 수지 조성물 4 를 조제하였다.

(조제예 5)

방현층 형성용 수지 조성물 5 의 조제

방현층 형성용 수지 조성물 2 에 기재된 부정형 실리카 입자 (평균 입경 1.5㎛, 비유전율 2.5) 를, 부정형 실리카 입자 (평균 입경 1.5㎛, 비유전율 4.0) 의 재료로 변경한 것 외에는, 배합비 등 완전히 동일하게 하여 방현층 형성용 수지 조성물 5 를 조제하였다.

(조제예 6)

방현층 형성용 수지 조성물 6 의 조제

방현층 형성용 수지 조성물 3 에 기재된 「부정형 실리카 잉크 (평균 입자 직경 1.5㎛, 고형분 60％, 비유전율 2.5)」를, 부정형 실리카 잉크 (평균 입자 직경 1.5㎛, 고형분 60％, 비유전율 4.0) 의 재료로 변경한 것 외에는, 배합비 등 완전히 동일하게 하여 방현층 형성용 수지 조성물 6 을 조제하였다.

(조제예 7)

방현층 형성용 수지 조성물 7 의 조제

방현층 형성용 수지 조성물 3 에 기재된 「부정형 실리카 잉크 (평균 입자 직경 1.5㎛, 고형분 60％, 비유전율 2.5)」를, 부정형 실리카 잉크 (평균 입경 1.5㎛, 고형분 50％, 비유전율 1.0) 의 재료로 변경한 것 외에는, 배합비 등 완전히 동일하게 하여 방현층 형성용 수지 조성물 7 을 조제하였다.

(조제예 8)

방현층 형성용 수지 조성물 8 의 조제

방현층 형성용 수지 조성물 3 에 기재된 「부정형 실리카 잉크 (평균 입자 직경 1.5㎛, 고형분 60％, 비유전율 2.5)」를, 부정형 실리카 잉크 (평균 입경 1.5㎛, 고형분 50％, 비유전율 1.5) 의 재료로 변경한 것 외에는, 배합비 등 완전히 동일하게 하여 방현층 형성용 수지 조성물 8 을 조제하였다.

(조제예 9)

방현층 형성용 수지 조성물 9 의 조제

방현층 형성용 수지 조성물 3 에 기재된 「부정형 실리카 잉크 (평균 입자 직경 1.5㎛, 고형분 60％, 비유전율 2.5)」를, 부정형 실리카 잉크 (평균 입경 1.5㎛, 고형분 50％, 비유전율 2.0) 의 재료로 변경한 것 외에는, 배합비 등 완전히 동일하게 하여 방현층 형성용 수지 조성물 9 를 조제하였다.

(조제예 10)

방현층 형성용 수지 조성물 10 의 조제

방현층 형성용 수지 조성물 3 에 기재된 「부정형 실리카 잉크 (평균 입자 직경 1.5㎛, 고형분 60％, 비유전율 2.5)」를, 부정형 실리카 잉크 (평균 입경 1.5㎛, 고형분 50％, 비유전율 3.0) 의 재료로 변경한 것 외에는, 배합비 등 완전히 동일하게 하여 방현층 형성용 수지 조성물 10 을 조제하였다.

(조제예 11)

방현층 형성용 수지 조성물 11 의 조제

방현층 형성용 수지 조성물 3 에 기재된 「부정형 실리카 잉크 (평균 입자 직경 1.5㎛, 고형분 60％, 비유전율 2.5)」를, 부정형 실리카 잉크 (평균 입경 1.5 ㎛, 고형분 50％, 비유전율 3.3) 의 재료로 변경한 것 외에는, 배합비 등 완전히 동일하게 하여 방현층 형성용 수지 조성물 11 을 조제하였다.

(조제예 12)

저굴절률층 형성용 조성물의 조제

중공 실리카 슬러리 9.57 질량부

(IPA, MIBK 분산, 고형분 20％, 입경 50㎚)

펜타에리트리톨트리아크릴레이트 PET30 0.981 질량부

(자외선 경화형 수지 ; 니혼 가야쿠 제조)

AR110 6.53 질량부

(불소 폴리머 ; 고형분 15％ MIBK 용액 ; 다이킨 공업 제조)

이르가큐어 184 0.069 질량부

(광경화 개시제 ; 치바·스페셜티·케미컬즈사 제조)

실리콘계 레벨링제 0.157 질량부

프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 28.8 질량부

메틸이소부틸케톤 53.9 질량부

상기 성분을 충분히 혼합하고, 구멍 직경 10㎛ 의 폴리프로필렌제 필터로 여과하여, 고형분 4％ 의 저굴절률층 형성용 조성물을 조제하였다. 이것은, 굴절률이 1.40 이었다.

(실시예 1)

방현층의 형성

트리아세틸셀룰로오스 필름 (TD80U, 후지 사진 필름 (주) 제조 ; 두께 80㎛) 을 투명 기재로서 사용하고, 방현층 형성용 수지 조성물 8 을, 필름 상에 코팅용 권선 로드 (메이어즈 바) #6 을 사용하여 도포하고, 70℃ 의 오븐 중에서 1 분간 가열 건조하고, 용제분을 증발시킨 후, 질소 분위기하 (산소 농도 200ppm 이하) 에서, 자외선을 조사선량이 100mJ 가 되도록 조사하여 도막을 경화시켜 방현층을 형성하였다.

저굴절률층의 적층

방현층 상에 조제예 12 에서 조제한 저굴절률층 형성용 조성물을, 코팅용 권선 로드 (메이어즈 바) #2 를 사용하여 도포하고, 70℃ 의 오븐 중에서 1 분간 가열 건조하고, 용제분을 증발시킨 후, 질소 분위기하 (산소 농도 200ppm 이하) 에서, 자외선을 조사선량이 100mJ 가 되도록 조사하여 도막을 경화시키고, 저굴절률층을 적층하여 광학 적층체 1 을 얻었다.

(실시예 2)

방현층 형성용 수지 조성물 8 을, 방현층 형성용 수지 조성물 9 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 광학 적층체 2 를 얻었다.

(실시예 3)

방현층 형성용 수지 조성물 8 을, 방현층 형성용 수지 조성물 1 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 광학 적층체 3 을 얻었다.

(실시예 4)

방현층 형성용 수지 조성물 8 을, 방현층 형성용 수지 조성물 2 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 광학 적층체 4 를 얻었다.

(실시예 5)

실시예 1 과 동일한 트리아세테이트셀룰로오스 필름 (TD80U 후지 사진 필름 (주) 제조 ; 두께 80㎛) 을 투명 기재로서 사용하고, 방현층 형성용 수지 조성물 3 을, 필름 상에 코팅용 권선 로드 (메이어즈 바) #14 를 사용하여 도포하고, 70℃ 의 오븐 중에서 1 분간 가열 건조하고, 용제분을 증발시킨 후, 자외선을 조사선량이 30mJ 가 되도록 조사하여 도막을 경화시켜 방지층을 형성하였다.

저굴절률층의 적층

방현층 상에 조제예 12 에서 조제한 저굴절률층 형성용 조성물을, 코팅용 권선 로드 (메이어즈 바) #2 를 사용하여 도포하고, 70℃ 의 오븐 중에서 1 분간 가열 건조하고, 용제분을 증발시킨 후, 질소 분위기하 (산소 농도 200ppm 이하) 에서, 자외선을 조사선량이 100mJ 가 되도록 조사하여 도막을 경화시키고, 저굴절률층을 적층하여 광학 적층체 5 를 얻었다.

(실시예 6)

방현층 형성용 수지 조성물 8 을 방현층 형성용 수지 조성물 10 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 광학 적층체 6 을 얻었다.

(실시예 7)

방현층 형성용 수지 조성물 8 을 방현층 형성용 수지 조성물 11 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 광학 적층체 7 을 얻었다.

(비교예 1)

방현층 형성용 수지 조성물 8 을 방현층 형성용 수지 조성물 4 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 광학 적층체 8 을 얻었다.

(비교예 2)

방현층 형성용 수지 조성물 8 을 방현층 형성용 수지 조성물 5 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 광학 적층체 9 를 얻었다.

(비교예 3)

방현층 형성용 수지 조성물 3 을 방현층 형성용 수지 조성물 6 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 5 와 동일하게 하여 광학 적층체 10 을 얻었다.

(평가 시험)

하기 평가를 실시하고, 그 결과를 표 1 에 기재하였다.

평가 1 : 광학 특성 시험, 표면 형상

실시예와 비교예의 광학 적층체에 대하여, 본 명세서에 정의에 따라, 광학 적층체의 전체 헤이즈 Ha 값과, 상기 광학 적층체의 내부 헤이즈값 Hi 와, Hi/Ha 의 값, 반사 Y 값 (5 도 반사) 을 측정하였다.

반사율의 측정에 대해서는, 5℃ 정반사 측정 장치를 구비한 분광도계 (시마즈 제작소 (주) 제조, UV-3100PC) 를 사용하여 측정을 실시하였다. 또한, 반사율은 파장 550㎚ 부근에서 극소값 (최저 반사율) 이 되었을 때의 값을 사용하였다.

평가 2 : 흑색 재현성 시험 (명실 환경)

실시예와 비교예의 광학 적층체의 필름면과 반대측에 크로스니콜의 편광판에 부착시킨 후, 30W 의 3 파장 형광하 (방현층면에 45°방향에서 조사) 에서 관능 평 가 (샘플면으로부터 50㎝ 상방, 약 45°의 각도에서 육안 관찰) 를 실시하여, 흑색 재현성 (블랙이 검게 보이는가) 을 하기 기준에 의해 상세하게 평가하였다. 그 때, 블랙의 기준 샘플로서 크로스니콜 편광판을 사용하여 흑색의 비교를 실시하였다.

평가 기준

평가 ◎ : 흑색 재현할 수 있었다. (유백색감이 없다)

평가 ○ : 거의 흑색 재현할 수 있었다. (유백색감이 약간 있지만, 신경이 쓰이지 않는 레벨)

평가 △ : 흑색 재현이 불충분하였다. (약간 유백색감이 신경이 쓰이는 레벨)

평가 × : 흑색 재현할 수 없었다. (유백색감이 강하고, 충분히 신경이 쓰이는 레벨)

평가 3 : 방현성 평가 시험

실시예 및 비교예에서 얻어진 광학 적층체의 이면을 점착 처리하고, 흑 아크릴판에 부착시킨 것을 평가용 샘플로 하였다. 폭 20㎜ 의 흑백 스트라이프판을 준비하고, 상기 샘플 (샘플면은, 30 도 정도 상방으로 기울인다) 에 이 스트라이프를 샘플면 법선으로부터 20 도의 각도로 투영시켜 관찰하였다. 이 때 샘플면의 조도는 2501x (럭스) 이고, 스트라이프의 휘도 (흰색) 는 65cd/㎡ 로 하였다. 또한 스트라이프판과 샘플의 거리는 1.5m 이고, 샘플과 관찰자의 거리는 1m 로 하였다. 이것을 관찰자가 보았을 때의 스트라이프가 보이는 방식에 따라 다음과 같이 정의하여 평가하였다.

평가 기준

평가 ◎ : 스트라이프가 보이지 않고, 방현성 양호

평가 ○ : 스트라이프가 보이지만, 신경이 쓰이지 않는 레벨

평가 × : 스트라이프를 인식할 수 있음.

본 발명의 광학 적층체는, 음극선관 표시 장치 (CRT), 액정 디스플레이 (LCD), 플라즈마 디스플레이 (PDP), 일렉트로루미네선스 디스플레이 (ELD) 등에 바람직하게 적용할 수 있다.

Claims

광투과성 기재와, 1 또는 2 이상의 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물로 이루어진 바인더 수지 및 실리카 입자를 함유하는 방현층 형성용 조성물을 광경화하여 이루어진 방현층을 갖고, 상기 실리카 입자는 비유전율이 4.0 미만인 것을 특징으로 하는 광학 적층체.
제 1 항에 있어서,

실리카 입자는 부정형 실리카 입자인 광학 적층체.
제 1 항에 있어서,

실리카 입자는 비표면적이 2000㎡/g 이하인 광학 적층체.
제 3 항에 있어서,

실리카 입자는 부정형 실리카 입자인 광학 적층체.
제 1 항에 있어서,

실리카 입자의 함유량이 방현층의 수지 성분 100 질량부에 대하여 10 ∼ 50 질량부인 광학 적층체.
제 1 항에 있어서,

방현층 상에 추가로 저굴절률층을 갖는 광학 적층체.
최외각표면에 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 광학 적층체를 구비하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
편광 소자를 구비하고, 편광 소자 표면에 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 광학 적층체를 구비하는 것을 특징으로 하는 편광판.
최외각표면에 제 8 항에 기재된 편광판을 구비하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
광투과성 기재와, 실리카 입자를 함유하는 방현층을 갖고, 그 광학 특성이 개선된 광학 적층체의 제조 방법에 있어서,

(a) 실리카 입자의 비유전율을 4.0 미만으로 조정하는 공정,

(b) 1 또는 2 이상의 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물로 이루어진 바인더 수지, 상기 실리카 입자 및 광경화 개시제를 용매에 분산, 혼합시켜, 방현층 형성용 조성물을 조제하는 공정으로서, 그 때, 그 실리카 입자 간의 정전적인 인력이 억제되어, 그 실리카 입자의 응집이 제어된 조성물이 얻어지는 공정,

(c) 광투과성 기재를 제공하는 공정,

(d) 상기 광투과성 기재에 공정 (b) 에서 조제한 방현층 형성용 조성물을 도포하여, 도포막을 형성하는 공정,

(e) 상기 도포막을 건조, 광경화시켜 광학 적층체를 얻는 공정,

여기서, 얻어진 광학 적층체는 흑색 재현성 및 방현성을 겸비한 것임,

이상의 공정 (a) ∼ (e) 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 제조 방법.
제 10 항에 있어서,

공정 (a) 에서, 실리카 입자로서 중공 실리카 입자를 사용하고, 그 공극률을 변화시킴으로써, 상기 실리카 입자의 비유전율을 4.0 미만으로 조정하는 제조 방법.
제 10 항에 있어서,

공정 (a) 에서, 실리카 입자를 도핑함으로써, 상기 실리카 입자의 비유전율을 4.0 미만으로 조정하는 제조 방법.
제 10 항에 있어서,

공정 (a) 에서, 실리카 입자의 표면에 화학 수식을 실시함으로써, 상기 실리카 입자의 비유전율을 4.0 미만으로 조정하는 제조 방법.
제 13 항에 있어서,

실리카 입자의 표면 화학 수식이 실리콘 재료를 사용하는 소수화 표면 화학 처리인 제조 방법.
제 10 항에 있어서,

공정 (b) 에서, 유기 수지 비즈, 방오제, 바인더 수지 이외의 수지, 계면 활성제, 커플링제, 증점제, 착색 방지제, 착색제, 소포제, 레벨링제, 난연제, 자외선 흡수제, 적외선 흡수제, 접착 부여제, 중합 금지제, 산화 방지제 및 표면 개질제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 성분을 바인더 수지, 실리카 입자 및 광경화 개시제와 함께 용매에 분산, 혼합시켜, 방현층 형성용 조성물을 조제하는 제조 방법.