JP2002126474A - 支持された金属膜並びにその製造及び使用 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜支持体がこれまで実現化できなかった高い
多孔度を有する、ガス混合物から水素を分離するための
支持された金属膜。 【解決手段】 金属膜が膜支持体の支持体表面上に施与
され、その際、膜支持体の細孔が、金属膜の施与前に少
なくとも支持体表面の範囲内で助剤物質により封孔さ
れ、かつ金属膜の施与後にはじめて助剤物質の除去によ
り開放される。
多孔度を有する、ガス混合物から水素を分離するための
支持された金属膜。 【解決手段】 金属膜が膜支持体の支持体表面上に施与
され、その際、膜支持体の細孔が、金属膜の施与前に少
なくとも支持体表面の範囲内で助剤物質により封孔さ
れ、かつ金属膜の施与後にはじめて助剤物質の除去によ
り開放される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多孔性膜支持体上
に金属膜を有する支持された金属膜並びにその製造及び
その使用に関する。この種類の支持された金属膜は、ガ
ス混合物の分離、殊に燃料電池に必要な燃料ガスを供給
するためにリフォメートガスからの水素の分離に使用さ
れる。
に金属膜を有する支持された金属膜並びにその製造及び
その使用に関する。この種類の支持された金属膜は、ガ
ス混合物の分離、殊に燃料電池に必要な燃料ガスを供給
するためにリフォメートガスからの水素の分離に使用さ
れる。
【0002】このためには、通常、パラジウム膜又はパ
ラジウム合金膜を多孔性又は非多孔性の支持体上で、例
えば緻密なパラジウム膜又はパラジウム合金膜が使用さ
れる。非多孔性の支持体として、とりわけ、水素透過性
の金属からなる箔が使用される。水素の膜の透過能は、
温度が上昇するにつれて増大する。従って、典型的な運
転温度は300〜600℃である。
ラジウム合金膜を多孔性又は非多孔性の支持体上で、例
えば緻密なパラジウム膜又はパラジウム合金膜が使用さ
れる。非多孔性の支持体として、とりわけ、水素透過性
の金属からなる箔が使用される。水素の膜の透過能は、
温度が上昇するにつれて増大する。従って、典型的な運
転温度は300〜600℃である。
【0003】T. S. Moss及びR. C. Dye [Proc.-Natl. H
ydrogen Assoc. Annu. U.S. Hydrogen Meet., 8th (199
7), 357-365]及びT. S. Moss, N. M. Peachey, R. C. S
now及びR. C. Dye [Int. J. Hydrogen Energy 23(2),
(1998), 99-106 ISSN:0360-3199]には、第5亜族の金属
からの箔の陰極噴霧によりPdAg又はPdを両面に施
与することにより得られる膜の製造及び使用が記載され
ている。両面に施与される層の厚さは変えてよいので、
非対称成分が生じる(例えば:0.1μm Pd/40
μm V/0.5μm Pd)。透過実験は、自体支持さ
れたPd膜と比較して20倍高い水素透過性を示す。従
って、記載された膜は、従来の接触ガス精製段階(水性
ガスシフト反応及びCOの優先酸化)の代わりに、PE
M燃料電池系の使用に適している。
ydrogen Assoc. Annu. U.S. Hydrogen Meet., 8th (199
7), 357-365]及びT. S. Moss, N. M. Peachey, R. C. S
now及びR. C. Dye [Int. J. Hydrogen Energy 23(2),
(1998), 99-106 ISSN:0360-3199]には、第5亜族の金属
からの箔の陰極噴霧によりPdAg又はPdを両面に施
与することにより得られる膜の製造及び使用が記載され
ている。両面に施与される層の厚さは変えてよいので、
非対称成分が生じる(例えば:0.1μm Pd/40
μm V/0.5μm Pd)。透過実験は、自体支持さ
れたPd膜と比較して20倍高い水素透過性を示す。従
って、記載された膜は、従来の接触ガス精製段階(水性
ガスシフト反応及びCOの優先酸化)の代わりに、PE
M燃料電池系の使用に適している。
【0004】英国特許第1292025号明細書には、
繋がっていない又は多孔性のパラジウム(−合金)−層
のための非多孔性支持体としての鉄、バナジウム、タン
タル、ニッケル、ニオブ又はその合金の使用が記載され
ている。パラジウム層は、12.7mmの厚さを有する
支持体に約0.6mmの厚さで、プレス、溶射又は電着
法によって施与される。ついで、こうして生じる複合材
料の厚さは、圧延により0.01〜0.04mmに低下
される。
繋がっていない又は多孔性のパラジウム(−合金)−層
のための非多孔性支持体としての鉄、バナジウム、タン
タル、ニッケル、ニオブ又はその合金の使用が記載され
ている。パラジウム層は、12.7mmの厚さを有する
支持体に約0.6mmの厚さで、プレス、溶射又は電着
法によって施与される。ついで、こうして生じる複合材
料の厚さは、圧延により0.01〜0.04mmに低下
される。
【0005】ドイツ連邦共和国特許第19738513
C1号明細書によれば、パラジウム及び元素の周期表の
第8又は1亜族からの合金金属を、詳細に個々に述べら
れていない金属支持体上に交互電着することにより、特
に薄い水素分離膜(20μm未満の層厚)は製造される
ことができる。交互層を均質な合金に変換するために、
適切な熱処理が電着プロセスに続いてもよい。
C1号明細書によれば、パラジウム及び元素の周期表の
第8又は1亜族からの合金金属を、詳細に個々に述べら
れていない金属支持体上に交互電着することにより、特
に薄い水素分離膜(20μm未満の層厚)は製造される
ことができる。交互層を均質な合金に変換するために、
適切な熱処理が電着プロセスに続いてもよい。
【0006】金属材料並びにセラミック材料は、パラジ
ウム(−合金)−膜のための多孔性支持体として適して
いる。その際、特開平05−078810号公報(WPIDS
1993-140642)によれば、パラジウムは、例えばプラス
マ溶射法により多孔性支持体に施与されることができ
る。
ウム(−合金)−膜のための多孔性支持体として適して
いる。その際、特開平05−078810号公報(WPIDS
1993-140642)によれば、パラジウムは、例えばプラス
マ溶射法により多孔性支持体に施与されることができ
る。
【0007】Y. Lin, G. Lee及びM. Rei [Catal. Today
44 (1998) 343-349及びInt. J. ofHydrogen Energy 25
(2000) 211-219] によれば、欠陥不含のパラジウム膜
(層厚20〜25μm)は、無電解めっき法において多
孔性ステンレス鋼316Lからなる管状の支持体上に製
造されることができ、かつ水蒸気改質反応器中で構成要
素として組み入れられることができる。300〜400
℃の作業温度で、95体積% H2を含有している精製
されたリフォメートが得られる。しかしながら、最適な
作業温度範囲は極めて制限される、それというのも、3
00℃未満でパラジウム膜は、水素により引き起こされ
た脆化が始まるのに対して、400〜450℃を上回る
と、ステンレス鋼支持体中の合金成分はパラジウム層に
拡散しかつ透過性の劣悪化をまねく。
44 (1998) 343-349及びInt. J. ofHydrogen Energy 25
(2000) 211-219] によれば、欠陥不含のパラジウム膜
(層厚20〜25μm)は、無電解めっき法において多
孔性ステンレス鋼316Lからなる管状の支持体上に製
造されることができ、かつ水蒸気改質反応器中で構成要
素として組み入れられることができる。300〜400
℃の作業温度で、95体積% H2を含有している精製
されたリフォメートが得られる。しかしながら、最適な
作業温度範囲は極めて制限される、それというのも、3
00℃未満でパラジウム膜は、水素により引き起こされ
た脆化が始まるのに対して、400〜450℃を上回る
と、ステンレス鋼支持体中の合金成分はパラジウム層に
拡散しかつ透過性の劣悪化をまねく。
【0008】無電解めっき法は、セラミック支持体を被
覆するのに好ましくは使用される。例えば、水素をリフ
ォメートから分離するためのメタン水蒸気改質反応器中
で使用される非対称の多孔性セラミックのパラジウムで
のCVDコーティングは、E.Kikuchiにより記載されて
いる[Catal. Today 56 (2000) 97-101]。最小の層厚は
4.5μmである。層が薄ければ薄いほど、層の気密性
はもはや保証され得ない。純粋なPdでのCVDコーテ
ィングに加えて、パラジウム合金でのコーティングも可
能であり、その際、銀との合金がパラジウム膜の脆化を
防止し、かつ水素の透過性を増大させる。
覆するのに好ましくは使用される。例えば、水素をリフ
ォメートから分離するためのメタン水蒸気改質反応器中
で使用される非対称の多孔性セラミックのパラジウムで
のCVDコーティングは、E.Kikuchiにより記載されて
いる[Catal. Today 56 (2000) 97-101]。最小の層厚は
4.5μmである。層が薄ければ薄いほど、層の気密性
はもはや保証され得ない。純粋なPdでのCVDコーテ
ィングに加えて、パラジウム合金でのコーティングも可
能であり、その際、銀との合金がパラジウム膜の脆化を
防止し、かつ水素の透過性を増大させる。
【0009】純粋な水素分離膜に加えて、燃料電池系に
おける使用に、水素分離層(パラジウム)に加えて反応
性層を備えている膜が繰り返し記載されている。従っ
て、パラジウム(−合金)−膜の多孔性支持体は、例え
ばPdで被覆されていない面に、燃焼触媒で覆われてい
てよい。反応性面での燃焼の際に放出された熱は、同時
に水素分離膜の運転温度を維持するのに利用される(欧
州特許出願公開第0924162A1号明細書)。その
ような構成要素は、改質プロセスにおいてリフォーマー
の後方で組み入れられるか又はリフォーマー中に直接組
み込まれる(欧州特許出願公開第0924161A1
号、同第0924163A1号明細書)。
おける使用に、水素分離層(パラジウム)に加えて反応
性層を備えている膜が繰り返し記載されている。従っ
て、パラジウム(−合金)−膜の多孔性支持体は、例え
ばPdで被覆されていない面に、燃焼触媒で覆われてい
てよい。反応性面での燃焼の際に放出された熱は、同時
に水素分離膜の運転温度を維持するのに利用される(欧
州特許出願公開第0924162A1号明細書)。その
ような構成要素は、改質プロセスにおいてリフォーマー
の後方で組み入れられるか又はリフォーマー中に直接組
み込まれる(欧州特許出願公開第0924161A1
号、同第0924163A1号明細書)。
【0010】更に、燃料電池分野における水素分離には
パラジウム膜が使用可能なだけではない。欧州特許第0
945174A1号明細書には、普遍的に組立可能な層
膜の使用の概念が紹介されており、これは微多孔性で、
分離選択性のプラスチック及び/又は複数のセラミック
層及び/又は分離選択性の金属(好ましくは第4、5又
は8亜族)からなる層を含有していてよく、その際、こ
れらの層は多孔性支持体(ガラス、セラミック、金属発
泡体、カーボン又は多孔性プラスチック)上に施与され
ている。
パラジウム膜が使用可能なだけではない。欧州特許第0
945174A1号明細書には、普遍的に組立可能な層
膜の使用の概念が紹介されており、これは微多孔性で、
分離選択性のプラスチック及び/又は複数のセラミック
層及び/又は分離選択性の金属(好ましくは第4、5又
は8亜族)からなる層を含有していてよく、その際、こ
れらの層は多孔性支持体(ガラス、セラミック、金属発
泡体、カーボン又は多孔性プラスチック)上に施与され
ている。
【0011】ガス混合物からの水素の分離のための金属
膜の開発の目的は、水素の高い透過率を得ることであ
る。このためには、金属膜が、その際穴の形の漏れが生
じないように、できるだけ薄く形成されなければならな
い。そのような膜は、担持された形でのみ加工されう
る。膜支持体は、水素の透過性にできるだけ少ない影響
を及ぼすためには、高い多孔度を有していなければなら
ない。従って、担持された膜の公知の製造法の場合に
は、欠陥のない膜を多孔性支持体上に分離析出させると
いう困難が存在する。この際、2つの問題が生じる。1
つには、例えばパラジウム又はパラジウム合金の分離析
出のための記載された方法は、まず最初に特定の層厚か
ら相対的に欠陥のない膜層を保証しうる。この最小層厚
は、約4〜5μmにある。他方では、多孔性膜支持体上
への膜層の施与のために使用された被覆技術は、膜支持
体の平均孔径が、特定の値を上回るべきではないことを
必要とする、それというのも、さもないと繋がりかつ欠
陥のない被覆が施与されることは不可能であるからであ
る。従って、公知の膜支持体材料、例えば多孔性セラミ
ック又は多孔性金属支持体の孔径は、0.1μm未満で
ある。これは、細孔を通るガスの流れ抵抗が望ましい値
の範囲に低下され得ないということになる。
膜の開発の目的は、水素の高い透過率を得ることであ
る。このためには、金属膜が、その際穴の形の漏れが生
じないように、できるだけ薄く形成されなければならな
い。そのような膜は、担持された形でのみ加工されう
る。膜支持体は、水素の透過性にできるだけ少ない影響
を及ぼすためには、高い多孔度を有していなければなら
ない。従って、担持された膜の公知の製造法の場合に
は、欠陥のない膜を多孔性支持体上に分離析出させると
いう困難が存在する。この際、2つの問題が生じる。1
つには、例えばパラジウム又はパラジウム合金の分離析
出のための記載された方法は、まず最初に特定の層厚か
ら相対的に欠陥のない膜層を保証しうる。この最小層厚
は、約4〜5μmにある。他方では、多孔性膜支持体上
への膜層の施与のために使用された被覆技術は、膜支持
体の平均孔径が、特定の値を上回るべきではないことを
必要とする、それというのも、さもないと繋がりかつ欠
陥のない被覆が施与されることは不可能であるからであ
る。従って、公知の膜支持体材料、例えば多孔性セラミ
ック又は多孔性金属支持体の孔径は、0.1μm未満で
ある。これは、細孔を通るガスの流れ抵抗が望ましい値
の範囲に低下され得ないということになる。
【0012】国際特許出願公表第89/04556号明
細書には、パラジウムをベースとする多孔性金属体によ
り保護された細孔不含の膜を製造する電気化学的方法が
記載されている。前記方法によれば、細孔不含のパラジ
ウム(−銀)−膜は、多孔性の金属支持体上に、合金箔
(好ましくは黄銅)が片面でパラジウム又はパラジウム
/銀で電着される(パラジウム層の厚さ:約1μm)こ
とにより生じる。支持体の多孔度は後から、黄銅箔から
の卑金属成分の溶出により生じる。溶出は、電気化学的
に行われ、その際、循環法において、まず最初に双方の
支持体成分を溶液中に取るけれども、しかし貴金属成分
は直接に再びパラジウム層に分離析出される(電気化学
的再結晶)。箔の形の合金のより少ない貴金属成分は、
その際、実施上溶液中で定量的に進行するので、多孔性
金属体、好ましくは多孔性銅体は、パラジウム/銀−膜
のための支持体として残留する。
細書には、パラジウムをベースとする多孔性金属体によ
り保護された細孔不含の膜を製造する電気化学的方法が
記載されている。前記方法によれば、細孔不含のパラジ
ウム(−銀)−膜は、多孔性の金属支持体上に、合金箔
(好ましくは黄銅)が片面でパラジウム又はパラジウム
/銀で電着される(パラジウム層の厚さ:約1μm)こ
とにより生じる。支持体の多孔度は後から、黄銅箔から
の卑金属成分の溶出により生じる。溶出は、電気化学的
に行われ、その際、循環法において、まず最初に双方の
支持体成分を溶液中に取るけれども、しかし貴金属成分
は直接に再びパラジウム層に分離析出される(電気化学
的再結晶)。箔の形の合金のより少ない貴金属成分は、
その際、実施上溶液中で定量的に進行するので、多孔性
金属体、好ましくは多孔性銅体は、パラジウム/銀−膜
のための支持体として残留する。
【0013】国際特許出願公表第89/04556号明
細書による方法は、支持体として使用される黄銅箔が事
実上完全に溶解し、かつ電気化学的再結晶により再び新
たに組み立てなければならないという欠点を有する。こ
れにより、パラジウム層と支持体箔の間の接合は破壊さ
れる。再結晶された箔の機械的強度は僅かであり、かつ
その多孔度は不確定である。
細書による方法は、支持体として使用される黄銅箔が事
実上完全に溶解し、かつ電気化学的再結晶により再び新
たに組み立てなければならないという欠点を有する。こ
れにより、パラジウム層と支持体箔の間の接合は破壊さ
れる。再結晶された箔の機械的強度は僅かであり、かつ
その多孔度は不確定である。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、簡単
で費用のかからない方法により製造されることができ
る、ガス混合物から水素を分離するための支持された金
属膜を記載することである。本発明の別の対象は、その
膜支持体がこれまで実現化できなかった高い多孔度(平
均孔径及び細孔容積)を有する支持された金属膜であ
る。更に、膜支持体の平均孔径が金属膜の厚さよりも大
きい金属複合膜が本発明の対象である。
で費用のかからない方法により製造されることができ
る、ガス混合物から水素を分離するための支持された金
属膜を記載することである。本発明の別の対象は、その
膜支持体がこれまで実現化できなかった高い多孔度(平
均孔径及び細孔容積)を有する支持された金属膜であ
る。更に、膜支持体の平均孔径が金属膜の厚さよりも大
きい金属複合膜が本発明の対象である。
【0015】
【課題を解決するための手段】この課題は、金属膜を多
孔性膜支持体の支持体表面上に有している支持された金
属膜により解決される。支持された金属膜は、金属膜を
膜支持体の支持体表面上に施与することにより得ること
ができ、その際、膜支持体中の細孔が、金属膜の施与前
に、少なくとも支持体表面の範囲内において助剤物質に
より封孔されており、かつ金属膜の施与後にのみ助剤物
質を除去することにより開放されている。
孔性膜支持体の支持体表面上に有している支持された金
属膜により解決される。支持された金属膜は、金属膜を
膜支持体の支持体表面上に施与することにより得ること
ができ、その際、膜支持体中の細孔が、金属膜の施与前
に、少なくとも支持体表面の範囲内において助剤物質に
より封孔されており、かつ金属膜の施与後にのみ助剤物
質を除去することにより開放されている。
【0016】本発明の範囲内で、膜支持体の支持体表面
とその接触表面の間は区別されている。支持体表面は、
金属膜で被覆することができる膜支持体の全表面、即
ち、支持体表面の平面で有する助剤物質で封孔された細
孔表面、並びに助剤物質の除去後の金属膜との膜支持体
の直接接触面を含む。
とその接触表面の間は区別されている。支持体表面は、
金属膜で被覆することができる膜支持体の全表面、即
ち、支持体表面の平面で有する助剤物質で封孔された細
孔表面、並びに助剤物質の除去後の金属膜との膜支持体
の直接接触面を含む。
【0017】本発明による金属膜は、例えば、細孔が金
属膜の施与前に助剤物質で、完全にまたは目的とする支
持体表面の領域でのみ封孔されている多孔性膜支持体を
選択することにより得られることができる。膜支持体
は、有利に多孔性金属、金属合金、焼結金属、焼結鋼、
ガラス又はセラミックからなる。これらの材料の細孔
は、金属膜の施与前に、例えば、化学的に容易に溶解可
能な金属、塩、グラファイト、ポリマー又は高分子量の
有機化合物により封孔される。
属膜の施与前に助剤物質で、完全にまたは目的とする支
持体表面の領域でのみ封孔されている多孔性膜支持体を
選択することにより得られることができる。膜支持体
は、有利に多孔性金属、金属合金、焼結金属、焼結鋼、
ガラス又はセラミックからなる。これらの材料の細孔
は、金属膜の施与前に、例えば、化学的に容易に溶解可
能な金属、塩、グラファイト、ポリマー又は高分子量の
有機化合物により封孔される。
【0018】金属膜の施与前に、膜支持体の支持体表面
を、適した手段、例えば研削及び研磨により平滑化し、
かつ特に金属膜との引き続く接触面を粗面仕上げしかつ
清浄化することが推奨される。こうして生じた高品質の
表面は、移される金属膜に施与され、かつ助剤物質の除
去後にさえ維持されるままであるので、完成した支持さ
れた金属膜は、均質な層厚を有する極めて平らな構造を
有する。
を、適した手段、例えば研削及び研磨により平滑化し、
かつ特に金属膜との引き続く接触面を粗面仕上げしかつ
清浄化することが推奨される。こうして生じた高品質の
表面は、移される金属膜に施与され、かつ助剤物質の除
去後にさえ維持されるままであるので、完成した支持さ
れた金属膜は、均質な層厚を有する極めて平らな構造を
有する。
【0019】助剤物質は、助剤物質及び膜支持体の性質
に応じて、様々な方法、例えば溶融、燃焼、溶解、化学
的溶出及び電気化学的溶出により、膜支持体の細孔から
除去されることができる。
に応じて、様々な方法、例えば溶融、燃焼、溶解、化学
的溶出及び電気化学的溶出により、膜支持体の細孔から
除去されることができる。
【0020】電気化学的析出、PVD又はCVD法は、
膜支持体に金属膜を施与する方法として適している。金
属膜の析出のために好ましいPVDの中では、カソード
スパッタリングである、それというのも、この方法で、
僅かな多孔度、即ち高い充填密度を有する一般に極めて
稠密な層を生じうるからである。
膜支持体に金属膜を施与する方法として適している。金
属膜の析出のために好ましいPVDの中では、カソード
スパッタリングである、それというのも、この方法で、
僅かな多孔度、即ち高い充填密度を有する一般に極めて
稠密な層を生じうるからである。
【0021】本発明による支持された金属膜の製造のた
めにまさに記載された方法は、次の工程処理を含む: a)助剤物質での多孔性膜支持体の細孔の充填、 b)支持体表面の平滑化及び清浄化、 c)支持体表面上への金属膜の施与、及び d)膜支持体の細孔からの助剤物質の除去。
めにまさに記載された方法は、次の工程処理を含む: a)助剤物質での多孔性膜支持体の細孔の充填、 b)支持体表面の平滑化及び清浄化、 c)支持体表面上への金属膜の施与、及び d)膜支持体の細孔からの助剤物質の除去。
【0022】支持された金属膜の製造のための別の可能
性は、潜在的な多孔性を有する、まず最初に非多孔性の
膜支持体が選択されることにある。ここで、膜支持体が
不均質構造を有し、その際、引き続き細孔が、助剤物質
で充填されていることを意味し、これはそれを目的とす
る膜支持体の支持体表面上に金属膜が施与された後には
じめて除去される。
性は、潜在的な多孔性を有する、まず最初に非多孔性の
膜支持体が選択されることにある。ここで、膜支持体が
不均質構造を有し、その際、引き続き細孔が、助剤物質
で充填されていることを意味し、これはそれを目的とす
る膜支持体の支持体表面上に金属膜が施与された後には
じめて除去される。
【0023】簡単な方法で、このことは、膜支持体が多
相の共融合金からなり、かつ助剤物質が、相ドメイン中
に配置されたより卑金属(より電気陰性)の相により形
成され、これが金属膜の施与後に細孔の形成を伴い電気
化学的に溶出されることにより実現化されることができ
る。このためには、Cuに富む合金相及びAgに富む合
金相からなる共融合金AgCuが特に適している。Cu
に富む相は、より電気陰性であり、かつ電気化学的過程
で膜支持体から選択的に所望の多孔性の形成下に溶出さ
れうる。Agに富む相はその際殆ど手つかずのままであ
る。国際特許出願公表第89/04556号明細書によ
れば、膜支持体は完全に溶出されかつ再構成されるのに
対し、本発明によればAgに富む合金相からの硬質な骨
格が得られ−膜支持体の安定性にプラスの効果を有す
る。
相の共融合金からなり、かつ助剤物質が、相ドメイン中
に配置されたより卑金属(より電気陰性)の相により形
成され、これが金属膜の施与後に細孔の形成を伴い電気
化学的に溶出されることにより実現化されることができ
る。このためには、Cuに富む合金相及びAgに富む合
金相からなる共融合金AgCuが特に適している。Cu
に富む相は、より電気陰性であり、かつ電気化学的過程
で膜支持体から選択的に所望の多孔性の形成下に溶出さ
れうる。Agに富む相はその際殆ど手つかずのままであ
る。国際特許出願公表第89/04556号明細書によ
れば、膜支持体は完全に溶出されかつ再構成されるのに
対し、本発明によればAgに富む合金相からの硬質な骨
格が得られ−膜支持体の安定性にプラスの効果を有す
る。
【0024】好ましくは、共融合金の銅含量は合金の全
質量に対して20〜80質量%である。金属膜の施与前
又は施与後に400〜750℃での支持体に適した熱処
理により、膜支持体の構造、ひいては有利な方法のその
後の多孔度に影響を与えうる。
質量に対して20〜80質量%である。金属膜の施与前
又は施与後に400〜750℃での支持体に適した熱処
理により、膜支持体の構造、ひいては有利な方法のその
後の多孔度に影響を与えうる。
【0025】共融合金からなる膜支持体を用いる本発明
による支持された金属膜の製造法は、即ち、次の処理工
程を含む: a)膜支持体の支持体表面の清浄化、 b)支持体表面上への金属膜の施与、 c)金属膜及び膜支持体からなる複合材料の300〜7
00℃の温度での処理、及び d)膜支持体のより卑金属の相の電気化学的溶出。
による支持された金属膜の製造法は、即ち、次の処理工
程を含む: a)膜支持体の支持体表面の清浄化、 b)支持体表面上への金属膜の施与、 c)金属膜及び膜支持体からなる複合材料の300〜7
00℃の温度での処理、及び d)膜支持体のより卑金属の相の電気化学的溶出。
【0026】好ましくは、本発明による支持された金属
膜は、ガス混合物からの水素の分離のためのガス分離膜
として使用される。この場合に、金属膜は、パラジウム
又はパラジウム合金、例えば、PdAg23、PdCu
40又はPdY10から好ましくは製造される。
膜は、ガス混合物からの水素の分離のためのガス分離膜
として使用される。この場合に、金属膜は、パラジウム
又はパラジウム合金、例えば、PdAg23、PdCu
40又はPdY10から好ましくは製造される。
【0027】僅かな厚さの金属膜が、所望のガスのでき
るだけ高い透過性を確実にするために、ガス分離膜とし
ての使用に必要とされる。20μmを上回る厚さを有す
るパラジウム又はパラジウム合金からなるガス分離膜
は、貴金属の高い費用及び低い透過能のためにガス混合
物からの水素の分離に殆ど興味ないに過ぎない。0.3
μmを下回る厚さを有する膜は、多数の欠陥を有しう
る。その上、望ましくないガスの透過性も、この僅かな
厚さで増大する。双方の作用に基づき、0.3μm未満
の膜厚で膜の分離力は、もはや許容され得ない値に低下
する。従って、金属膜は、0.3〜5μm、好ましくは
0.5〜3μmの厚さを好ましくは有する。
るだけ高い透過性を確実にするために、ガス分離膜とし
ての使用に必要とされる。20μmを上回る厚さを有す
るパラジウム又はパラジウム合金からなるガス分離膜
は、貴金属の高い費用及び低い透過能のためにガス混合
物からの水素の分離に殆ど興味ないに過ぎない。0.3
μmを下回る厚さを有する膜は、多数の欠陥を有しう
る。その上、望ましくないガスの透過性も、この僅かな
厚さで増大する。双方の作用に基づき、0.3μm未満
の膜厚で膜の分離力は、もはや許容され得ない値に低下
する。従って、金属膜は、0.3〜5μm、好ましくは
0.5〜3μmの厚さを好ましくは有する。
【0028】多孔性の金属膜支持体は、薄い金属膜を保
護するために使用され、その際、膜支持体が、同じ厚さ
の支持されていない金属膜と比較して、金属膜の透過能
をできるだけ僅かな劣悪化にすべきである。他方では、
膜支持体の特定の最小限の厚さが、支持された膜の必要
な機械的安定性を確実にするために必要である。従っ
て、膜支持体の厚さは、100μm未満であるべきであ
り、かつ20μmを下回ってはならない。厚さ50〜2
0μmの膜支持体が、好ましくは目標とされる。
護するために使用され、その際、膜支持体が、同じ厚さ
の支持されていない金属膜と比較して、金属膜の透過能
をできるだけ僅かな劣悪化にすべきである。他方では、
膜支持体の特定の最小限の厚さが、支持された膜の必要
な機械的安定性を確実にするために必要である。従っ
て、膜支持体の厚さは、100μm未満であるべきであ
り、かつ20μmを下回ってはならない。厚さ50〜2
0μmの膜支持体が、好ましくは目標とされる。
【0029】水素を含むガス混合物のためのガス分離膜
としての支持された金属膜を使用する場合には、強く変
動する操作条件のため、時間的に水素の取り込みおよび
放出および温度変化による膜の体積及び寸法の変化に耐
えなければならない。金属膜の寸法変化は、支持された
金属膜の破壊を奉仕するために膜支持体のそれに匹敵す
べきである。従って、金属複合膜(金属膜支持体上の金
属膜)が、温度変化のために容積又は寸法の変化が問題
である場合に、均質な金属−セラミック−複合材料(セ
ラミック膜支持体上の金属膜)を超えることが好まし
い。2つの金属の熱膨張係数は、金属又はセラミックの
膨張係数よりも僅かな差異を有する。
としての支持された金属膜を使用する場合には、強く変
動する操作条件のため、時間的に水素の取り込みおよび
放出および温度変化による膜の体積及び寸法の変化に耐
えなければならない。金属膜の寸法変化は、支持された
金属膜の破壊を奉仕するために膜支持体のそれに匹敵す
べきである。従って、金属複合膜(金属膜支持体上の金
属膜)が、温度変化のために容積又は寸法の変化が問題
である場合に、均質な金属−セラミック−複合材料(セ
ラミック膜支持体上の金属膜)を超えることが好まし
い。2つの金属の熱膨張係数は、金属又はセラミックの
膨張係数よりも僅かな差異を有する。
【0030】上記の膜材料PdAg23、PdCu40
又はPdY10からは、PdAg23が、PdCu40
よりも水素の取り込みの際に寸法及び容積の実質的によ
り強い変化を有する。従って、水素の精製には、AgC
uからなる膜支持体上にPdCu40からなる金属膜
が、好ましくは使用される。
又はPdY10からは、PdAg23が、PdCu40
よりも水素の取り込みの際に寸法及び容積の実質的によ
り強い変化を有する。従って、水素の精製には、AgC
uからなる膜支持体上にPdCu40からなる金属膜
が、好ましくは使用される。
【0031】金属膜を多層で組み立てることがしばしば
有利である。この場合に、拡散バリアとして膜支持体上
に直接配置された第一の層を形成することも可能であ
る。拡散バリアは、特に金属膜支持体の場合に防止さ
れ、支持された金属膜の操作の際に、膜の中へ又は膜の
外への合金成分の拡散による金属膜中の合金組成の任意
の変化が行われない。合金組成のこの組成は、金属膜の
透過能に顕著な影響を及ぼしうる。セラミック酸化物、
例えば、酸化アルミニウム、二酸化チタン及び酸化セリ
ウムは、拡散バリアとして適している。酸化物材料から
の拡散バリアの代替物として、金属、例えばバナジウ
ム、タンタル又はニオブが使用されてもよく、これら
は、水素の良好な透過性を有する。この拡散バリア層の
厚さは、酸化物の場合に0.5μm未満でありかつ金属
の場合に2μm未満であるべきである。好ましくは、層
の厚さは双方の場合に0.1μm未満である。
有利である。この場合に、拡散バリアとして膜支持体上
に直接配置された第一の層を形成することも可能であ
る。拡散バリアは、特に金属膜支持体の場合に防止さ
れ、支持された金属膜の操作の際に、膜の中へ又は膜の
外への合金成分の拡散による金属膜中の合金組成の任意
の変化が行われない。合金組成のこの組成は、金属膜の
透過能に顕著な影響を及ぼしうる。セラミック酸化物、
例えば、酸化アルミニウム、二酸化チタン及び酸化セリ
ウムは、拡散バリアとして適している。酸化物材料から
の拡散バリアの代替物として、金属、例えばバナジウ
ム、タンタル又はニオブが使用されてもよく、これら
は、水素の良好な透過性を有する。この拡散バリア層の
厚さは、酸化物の場合に0.5μm未満でありかつ金属
の場合に2μm未満であるべきである。好ましくは、層
の厚さは双方の場合に0.1μm未満である。
【0032】リフォメートガスの精製のために支持され
た金属膜を使用する場合には、触媒と支持された金属膜
を組み合わせることが有利でありうる。このためには、
触媒作用に有効な被覆が、金属膜から離れた面に多孔性
膜支持体上に施与される。選択的に、触媒作用に有効な
被覆の代わりに、不純物及び有害物質を除去するための
官能性層が施与されてもよい。
た金属膜を使用する場合には、触媒と支持された金属膜
を組み合わせることが有利でありうる。このためには、
触媒作用に有効な被覆が、金属膜から離れた面に多孔性
膜支持体上に施与される。選択的に、触媒作用に有効な
被覆の代わりに、不純物及び有害物質を除去するための
官能性層が施与されてもよい。
【0033】本発明による支持された金属膜は、好まし
くはガス混合物から、特にリフォメートガスからの水素
の分離に使用される。本発明は、膜支持体がこれまで実
現化できなかった高い多孔度(平均孔径及び細孔容積)
を有する支持された金属膜の製造を可能にする。0.3
〜5μm、好ましくは0.5〜3μmのガス分離膜の厚
さで、膜支持体は、0.5μmを上回りかつ10μmを
下回る平均孔径を有する。即ち、本明細書中に、膜支持
体の平均孔径が、金属膜の厚さより大きい、支持された
金属膜を生じさせることが初めて記載されている。従っ
て、前記の金属膜は、卓越した水素透過能を有する。
くはガス混合物から、特にリフォメートガスからの水素
の分離に使用される。本発明は、膜支持体がこれまで実
現化できなかった高い多孔度(平均孔径及び細孔容積)
を有する支持された金属膜の製造を可能にする。0.3
〜5μm、好ましくは0.5〜3μmのガス分離膜の厚
さで、膜支持体は、0.5μmを上回りかつ10μmを
下回る平均孔径を有する。即ち、本明細書中に、膜支持
体の平均孔径が、金属膜の厚さより大きい、支持された
金属膜を生じさせることが初めて記載されている。従っ
て、前記の金属膜は、卓越した水素透過能を有する。
【0034】一般に、支持された金属膜は、平らな箔の
形で使用される。しかしながら、金属膜は、様々な幾何
学的構造の形で製造されてよく、これは、付加的にその
機械的安定性が同じ壁厚の平らな膜よりも実質的に良好
であるという利点を有する。特に、支持された金属膜
は、薄い細管の形でも製造されることができる。
形で使用される。しかしながら、金属膜は、様々な幾何
学的構造の形で製造されてよく、これは、付加的にその
機械的安定性が同じ壁厚の平らな膜よりも実質的に良好
であるという利点を有する。特に、支持された金属膜
は、薄い細管の形でも製造されることができる。
【0035】本発明は、以下の図1〜6に基づき及び以
下の例に基づき更に詳細に説明される:図1は、助剤物
質が膜支持体の細孔から溶出される前の本発明による支
持された金属膜の断面の理想化された図を示している。
(1)は、金属複合膜、即ち金属膜(2)及び膜支持体
(3)からなる複合材料を表す。金属膜と膜支持体との
界面での膜支持体の表面は、支持体表面(4)である。
支持体表面は、異なる表面部分からなり、即ち、膜支持
体材料(5)及び助剤物質で封孔された細孔(6)によ
り支持体表面の平面に形成される部分(8)により形成
される部分(7)からなる。表面部分(8)は、予め膜
支持体の接触面として定義された表面である。
下の例に基づき更に詳細に説明される:図1は、助剤物
質が膜支持体の細孔から溶出される前の本発明による支
持された金属膜の断面の理想化された図を示している。
(1)は、金属複合膜、即ち金属膜(2)及び膜支持体
(3)からなる複合材料を表す。金属膜と膜支持体との
界面での膜支持体の表面は、支持体表面(4)である。
支持体表面は、異なる表面部分からなり、即ち、膜支持
体材料(5)及び助剤物質で封孔された細孔(6)によ
り支持体表面の平面に形成される部分(8)により形成
される部分(7)からなる。表面部分(8)は、予め膜
支持体の接触面として定義された表面である。
【0036】図2は、助剤物質の除去後の図1の関係を
示している。水素の清浄化のためのガス分離膜としての
膜の操作中に、膜支持体の材料は、金属膜(2)へと拡
散しうるものであり、かつ金属膜の水素透過性の望まし
くない低下をまねきうる。この拡散を低下させるため
に、拡散を抑制する層(9)が金属膜(2)と膜支持体
(3)の間に導入されうる。図3は、そのような配置を
示している。拡散バリアに適した材料は、既に上記で述
べたようなセラミック酸化物、例えば酸化アルミニウ
ム、酸化チタン及び酸化セリウム及び、金属バナジウ
ム、タンタル又はニオブからなる層である。
示している。水素の清浄化のためのガス分離膜としての
膜の操作中に、膜支持体の材料は、金属膜(2)へと拡
散しうるものであり、かつ金属膜の水素透過性の望まし
くない低下をまねきうる。この拡散を低下させるため
に、拡散を抑制する層(9)が金属膜(2)と膜支持体
(3)の間に導入されうる。図3は、そのような配置を
示している。拡散バリアに適した材料は、既に上記で述
べたようなセラミック酸化物、例えば酸化アルミニウ
ム、酸化チタン及び酸化セリウム及び、金属バナジウ
ム、タンタル又はニオブからなる層である。
【0037】図4は、金属膜から離れた面に金属支持体
が官能性層(10)で被覆されている本発明による金属
複合膜の実施態様を示している。その際、官能性層は、
CO変換(水性ガスシフト)、一酸化炭素の酸化のため
の触媒作用層、又は硫黄種(例えば硫化水素)を吸収す
るための層であってよい。
が官能性層(10)で被覆されている本発明による金属
複合膜の実施態様を示している。その際、官能性層は、
CO変換(水性ガスシフト)、一酸化炭素の酸化のため
の触媒作用層、又は硫黄種(例えば硫化水素)を吸収す
るための層であってよい。
【0038】
【実施例】例1 AgCu28からなる50μmの厚さの箔上に、層厚
0.5μm、1μm及び2μmを有するPd薄層を電着
により製造した。
0.5μm、1μm及び2μmを有するPd薄層を電着
により製造した。
【0039】保護ガス(アルゴン)下に600℃で30
分の期間に亘る被覆した箔の熱処理後に、Cuに富む相
を膜支持体のAgCu28合金材料から溶出させた。溶
出を、40℃でポテンシオスタットな操作で10%硫酸
を有する硫酸電解液中で及び20時間に亘り230mV
の一定浴電圧でアノードで行った。これにより、膜支持
体箔中に開放気孔構造を生じた。
分の期間に亘る被覆した箔の熱処理後に、Cuに富む相
を膜支持体のAgCu28合金材料から溶出させた。溶
出を、40℃でポテンシオスタットな操作で10%硫酸
を有する硫酸電解液中で及び20時間に亘り230mV
の一定浴電圧でアノードで行った。これにより、膜支持
体箔中に開放気孔構造を生じた。
【0040】完成した、支持された金属膜の断面に関す
る金属組織学的試験及び走査電子顕微鏡での画像は、貫
通する多孔性及び孔径1〜5μmを有する多孔性AgC
u支持体層上に強固に接合した稠密なPd膜を示してい
た。
る金属組織学的試験及び走査電子顕微鏡での画像は、貫
通する多孔性及び孔径1〜5μmを有する多孔性AgC
u支持体層上に強固に接合した稠密なPd膜を示してい
た。
【0041】例2 PdAg23ターゲットを用いてカソードスパッタリン
グにより厚さ2μmのPdAg23層をAgCu28か
らなる箔上に施与した。
グにより厚さ2μmのPdAg23層をAgCu28か
らなる箔上に施与した。
【0042】30分の期間に亘る600℃での保護ガス
(アルゴン)下での被覆された箔の熱処理後に、Cuに
富む相を、膜支持体のAgCu28合金材料から溶出さ
せた。溶出を、40℃でポテンシオスタットな操作で1
0%硫酸を有する硫酸電解液中で及び20時間に亘り2
30mVの一定浴圧でアノードで行った。これにより、
膜支持体箔中に開放気孔構造を生じた。
(アルゴン)下での被覆された箔の熱処理後に、Cuに
富む相を、膜支持体のAgCu28合金材料から溶出さ
せた。溶出を、40℃でポテンシオスタットな操作で1
0%硫酸を有する硫酸電解液中で及び20時間に亘り2
30mVの一定浴圧でアノードで行った。これにより、
膜支持体箔中に開放気孔構造を生じた。
【0043】図5は、膜支持体の銅に富む相の溶出後
に、こうして生じた金属複合膜の断面の走査電子顕微鏡
写真を示している。図5からは、膜支持体の大きな細孔
構造が明瞭にみることができる。平均孔径は、金属膜の
厚さよりも大きい。金属膜は、金属膜がすでに細孔を備
えた膜支持体上に施与された場合に達成可能ではなかっ
た平坦さを有していた。平均孔径は、金属膜からの距離
が増大すればするほど増大し、かつ膜支持体の金属膜か
ら離れた表面で最も大きくなる。この勾配構造は、上記
の種類の膜支持体のCuに富む相のアノード溶出のため
である。
に、こうして生じた金属複合膜の断面の走査電子顕微鏡
写真を示している。図5からは、膜支持体の大きな細孔
構造が明瞭にみることができる。平均孔径は、金属膜の
厚さよりも大きい。金属膜は、金属膜がすでに細孔を備
えた膜支持体上に施与された場合に達成可能ではなかっ
た平坦さを有していた。平均孔径は、金属膜からの距離
が増大すればするほど増大し、かつ膜支持体の金属膜か
ら離れた表面で最も大きくなる。この勾配構造は、上記
の種類の膜支持体のCuに富む相のアノード溶出のため
である。
【0044】例3 例1及び2のようなAgCu28からなる別の膜支持体
箔から、箔から銅に富む相を溶出させた。膜支持体箔
を、銅に富む相の溶出前に、細孔構造の形成に関して熱
処理の影響を研究するために、例1及び2とは異なる熱
処理にかけた。
箔から、箔から銅に富む相を溶出させた。膜支持体箔
を、銅に富む相の溶出前に、細孔構造の形成に関して熱
処理の影響を研究するために、例1及び2とは異なる熱
処理にかけた。
【0045】図6は、こうして処理した膜支持体箔の断
面図を示している。生じた細孔構造の平均孔径は、図5
中よりもはるかに小さく、かつ膜支持体箔の多孔度及び
細孔構造がAgCu28−合金からなる共融合金膜支持
体の製造の種類の影響を受けうることを示している。原
則として、生じる孔径を決定するのは、例えば、冷却条
件がAgCu28合金の製造の際に選択され、熱機械的
処理、即ち例えば圧延が行われ、かつ長く熱的な後処理
が継続される。AgCu28の製造の際の急速冷却は、
僅かな相の大きさをもたらし、ひいては最後には膜担体
中のより小さな孔径を生じる;熱機械的な変形後の箔の
より長い熱的後処理は、再結晶、ひいては、相ドメイン
の粗大化をまねき、このことは、後者は膜支持体中の
(例2のように)より大きな孔径をまねく。異なる相
(Agに富む又はCu富む)からなるAgCu28の全
組成中のごく僅かな変化によっても、相の大きさ、ひい
てはその後の孔径に影響を及ぼす。しかし、これらの方
法は、本明細書中の対象ではない。
面図を示している。生じた細孔構造の平均孔径は、図5
中よりもはるかに小さく、かつ膜支持体箔の多孔度及び
細孔構造がAgCu28−合金からなる共融合金膜支持
体の製造の種類の影響を受けうることを示している。原
則として、生じる孔径を決定するのは、例えば、冷却条
件がAgCu28合金の製造の際に選択され、熱機械的
処理、即ち例えば圧延が行われ、かつ長く熱的な後処理
が継続される。AgCu28の製造の際の急速冷却は、
僅かな相の大きさをもたらし、ひいては最後には膜担体
中のより小さな孔径を生じる;熱機械的な変形後の箔の
より長い熱的後処理は、再結晶、ひいては、相ドメイン
の粗大化をまねき、このことは、後者は膜支持体中の
(例2のように)より大きな孔径をまねく。異なる相
(Agに富む又はCu富む)からなるAgCu28の全
組成中のごく僅かな変化によっても、相の大きさ、ひい
てはその後の孔径に影響を及ぼす。しかし、これらの方
法は、本明細書中の対象ではない。
【0046】上記の例において、共融合金AgCu28
からなる膜支持体のみが使用されているけれども、本発
明による膜の製造は、そのような膜支持体のみに制限さ
れるものではない。既に上記で述べたように、金属膜の
施与前に助剤物質で封孔されており、金属膜の施与後に
はじめて助剤物質が細孔から溶出されて開放される多孔
性膜支持体を使用することができる。
からなる膜支持体のみが使用されているけれども、本発
明による膜の製造は、そのような膜支持体のみに制限さ
れるものではない。既に上記で述べたように、金属膜の
施与前に助剤物質で封孔されており、金属膜の施与後に
はじめて助剤物質が細孔から溶出されて開放される多孔
性膜支持体を使用することができる。
【図1】膜支持体の細孔からの助剤物質の除去前の本発
明による支持された金属膜の理想化された断面図。
明による支持された金属膜の理想化された断面図。
【図2】膜支持体の細孔からの助剤物質の除去後の本発
明による支持された金属膜の理想化された断面図。
明による支持された金属膜の理想化された断面図。
【図3】金属膜と膜支持体の間に拡散バリア層を有する
本発明による支持された金属膜の理想化された断面図。
本発明による支持された金属膜の理想化された断面図。
【図4】金属膜と膜支持体の間に拡散バリア層を有し、
かつ膜支持体の金属膜から離れた面に触媒作用の被覆を
有する本発明による支持された金属膜の理想化された断
面図。
かつ膜支持体の金属膜から離れた面に触媒作用の被覆を
有する本発明による支持された金属膜の理想化された断
面図。
【図5】AgCuからなる膜支持体上の本発明による支
持されたPdAg−膜の断面図。
持されたPdAg−膜の断面図。
【図6】銅に富む相の溶出後の共融AgCu合金からな
る膜支持体の多孔性構造を示す図。
る膜支持体の多孔性構造を示す図。
1 複合材料、 2 金属膜、 3 膜支持体、 4
支持体表面、 5 膜支持体材料、 6 細孔、 7
部分、 8 部分、 9 拡散を抑制する層、10 官
能性層
支持体表面、 5 膜支持体材料、 6 細孔、 7
部分、 8 部分、 9 拡散を抑制する層、10 官
能性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C23C 14/34 C23C 14/34 N 16/06 16/06 (72)発明者 エルンスト ドロースト ドイツ連邦共和国 アルツェナウ ランネ ンベルクリング 11 (72)発明者 ヴェルナー クーン ドイツ連邦共和国 ローデンバッハ イン デア ガルテル 35 (72)発明者 マイケ ロース ドイツ連邦共和国 ビーバーゲミュント ジュートリング 3 (72)発明者 シュテファン ヴィーラント ドイツ連邦共和国 オッフェンバッハ シ ュタルケンブルクリング 27 (72)発明者 ベルント ケンプフ ドイツ連邦共和国 クラインヴァルシュタ ット リーメンシュナイダーシュトラーセ 38 Fターム(参考) 4D006 GA41 MA02 MA03 MA04 MA09 MA31 MC02X MC03 NA31 NA49 NA63 PA03 PB18 PB66 PC80 4K029 AA02 AA04 AA09 AA29 BA01 BA22 BD00 CA05 DC04 EA01 4K030 BA01 CA02 CA05 CA06 CA11 LA11 5H027 AA02 BA16
Claims (19)
- 【請求項1】 多孔性膜支持体の支持体表面上に金属膜
を有する支持された金属膜において、金属膜が膜支持体
の支持体表面上に施与されており、その際、膜支持体の
細孔が、金属膜の施与前に少なくとも支持体表面の範囲
内で助剤物質により封孔されており、かつ金属膜の施与
後にはじめて助剤物質の除去により開放されていること
を特徴とする、多孔性膜支持体の支持体表面上に金属膜
を有する支持された金属膜。 - 【請求項2】 膜支持体が、多孔性金属、金属合金、焼
結金属、焼結鋼、ガラス又はセラミックから製造されて
おり、かつ助剤物質が、化学的に容易に溶解可能な金
属、塩、グラファイト、ポリマー又は高分子量の有機化
合物である、請求項1記載の支持された金属膜。 - 【請求項3】 支持体が多相の共融合金からなり、かつ
助剤物質が相ドメイン中に配置されたより卑金属(より
電気陰性)の相により形成されており、前記相が金属膜
の施与後に、細孔の形成下に電気化学的に溶出されてい
る、請求項1記載の支持された金属膜。 - 【請求項4】 支持体が共融合金AgCuからなり、か
つ多孔性がCuに富む相の電気化学的溶出により形成さ
れている、請求項3記載の支持された金属膜。 - 【請求項5】 金属膜が、電気化学的析出によるか、P
VD又はCVD法により施与されている、請求項1から
4までのいずれか1項記載の支持された金属膜。 - 【請求項6】 施与された金属膜がパラジウム又はパラ
ジウム合金からなる、請求項5記載の支持された金属
膜。 - 【請求項7】 金属膜がPdAg23、PdCu40又
はPdY10を含有している、請求項6記載の支持され
た金属膜。 - 【請求項8】 金属膜が5μm未満、好ましくは2〜
0.3μmの厚さを有している、請求項1記載の支持さ
れた金属膜。 - 【請求項9】 膜支持体の平均孔径が0.5μmを上回
りかつ10μmを下回っている、請求項8記載の支持さ
れた金属膜。 - 【請求項10】 膜支持体の平均孔径が金属膜の厚さよ
りも大きい、請求項9記載の支持された金属膜。 - 【請求項11】 金属膜が多層の膜として構成されてい
る、請求項1記載の支持された金属膜。 - 【請求項12】 金属膜と金属支持体の間に拡散バリア
として作用する層が配置されている、請求項11記載の
支持された金属膜。 - 【請求項13】 金属膜が箔又は細管として構成されて
いる、請求項1記載の支持された金属膜。 - 【請求項14】 金属支持体が多孔性ハニカム体の形で
存在する、請求項1記載の支持された金属膜。 - 【請求項15】 多孔性膜支持体上に金属膜から離れた
面に触媒作用に有効な層が施与されている、請求項1記
載の支持された金属膜。 - 【請求項16】 多孔性膜支持体上に金属膜とは逆の面
に官能性層が、汚染物質及び有害物質のゲッタリングの
ために施与されている、請求項1記載の支持された金属
膜。 - 【請求項17】 ガス混合物からの水素の分離のための
請求項1から16までのいずれか1項記載の支持された
金属膜の使用。 - 【請求項18】 請求項2記載の支持された金属膜を製
造する方法において、次の工程: a)助剤物質での多孔性金属支持体の細孔の充填、 b)支持体表面の平滑化及び清浄化、 c)支持体表面上への金属膜の施与、及び d)膜支持体の細孔からの助剤物質の除去 を含むことを特徴とする、支持された金属膜の製造法。 - 【請求項19】 請求項3記載の支持された金属膜を製
造する方法において、次の工程: a)膜支持体の支持体表面の清浄化、 b)支持体表面への金属膜の施与、 c)300〜700℃の温度での金属膜及び膜支持体か
らなる複合材料の処理、及び d)膜支持体のより卑金属の相の電気化学的溶出 を含むことを特徴とする、支持された金属膜の製造法。
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