JP2001326353A5 - - Google Patents

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  1. 第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に形成され、前記半導体基板の表面から、０．２μｍ以上、１．０μｍ以下の厚さを有する第２導電型の不純物層と、前記不純物層内に形成され、前記半導体基板の表面から０．２μｍ以下の厚さを有し、前記不純物層の厚さよりも薄く、不純物濃度のピークが前記不純物層のそれよりも高い第２導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成される第１電極と、前記半導体基板の他面側に形成される第２電極とを具備し、前記第１及び第２電極の間に電流が流れることを特徴とする半導体装置。
  2. 第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に形成される第２導電型の不純物層と、前記不純物層内に形成され、前記不純物層の厚さよりも薄く、前記不純物層の不純物濃度よりも濃い第２導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成される第１電極と、前記第１電極と前記コンタクト層の間に形成されるシリサイド層とを具備し、前記シリサイド層の前記コンタクト層側の面は、前記コンタクト層の濃度プロファイルのピーク位置に実質的に一致していることを特徴とする半導体装置。
  3. 前記不純物層は、前記不純物層から前記半導体基板へキャリアを注入することを目的に設けられ、前記コンタクト層は、前記第１電極と前記不純物層のコンタクト抵抗を下げることを目的に設けられ、前記キャリアの注入に寄与しないことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
  4. 前記半導体装置は、ＩＧＢＴであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
  5. 前記不純物層は、前記半導体基板の表面から、０．２μｍ以上、１．０μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
  6. 前記コンタクト層は、前記半導体基板の表面から０．２μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
  7. 前記シリサイド層は、前記半導体基板の表面から０．２μｍ以下の厚さを有し、前記コンタクト層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
  8. 前記不純物層は、前記半導体基板の一面側の全体に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
  9. 前記不純物層は、前記半導体基板の一面側の一部分に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
  10. 第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に形成される第２導電型のベース領域と、前記ベース領域内に形成される第１導電型の第１不純物領域と、前記第１不純物領域に接続される第１電極と、絶縁膜を介して前記ベース領域に接続されるゲート電極と、前記半導体基板の他面側に形成され、前記半導体基板の他面側の表面から、０．２μｍ以上、１．０μｍ以下の厚さを有する第２導電型の第２不純物領域と、前記第２不純物領域内に形成され、前記半導体基板の他面側の表面から０．２μｍ以下の厚さを有し、前記第２不純物領域の厚さよりも薄く、不純物濃度のピークが前記第２不純物領域のそれよりも高い第２導電型のコンタクト領域と、前記コンタクト領域上に形成される第２電極とを具備することを特徴とする半導体装置。
  11. 第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に形成される第２導電型のベース領域と、前記ベース領域内に形成される第１導電型の第１不純物領域と、前記第１不純物領域に接続される第１電極と、絶縁膜を介して前記ベース領域に接続されるゲート電極と、前記半導体基板の他面側に形成される第２導電型の第２不純物領域と、前記第２不純物領域内に形成され、前記第２不純物領域の厚さよりも薄く、前記第２不純物領域の不純物濃度よりも濃い第２導電型のコンタクト領域と、前記コンタクト領域上に形成される第２電極と、前記第２電極と前記コンタクト層の間に形成されるシリサイド領域とを具備し、前記シリサイド領域の前記コンタクト領域側の面は、前記コンタクト領域の濃度プロファイルのピーク位置に実質的に一致していることを特徴とする半導体装置。
  12. 前記第２不純物領域は、前記第２不純物領域から前記半導体基板へキャリアを注入することを目的に設けられ、前記コンタクト領域は、前記第２電極と前記第２不純物領域のコンタクト抵抗を下げることを目的に設けられ、前記キャリアの注入に寄与しないことを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体装置。
  13. 前記半導体装置は、ＩＧＢＴであることを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体装置。
  14. 前記第２不純物領域は、前記半導体基板の表面から、０．２μｍ以上、１．０μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
  15. 前記コンタクト領域は、前記半導体基板の表面から０．２μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
  16. 前記シリサイド領域は、前記半導体基板の表面から０．２μｍ以下の厚さを有し、前記コンタクト領域の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１５記載の半導体装置。
  17. 前記第２不純物領域は、前記半導体基板の一面側の全体に形成されていることを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体装置。
  18. 前記第２不純物層は、前記半導体基板の一面側の一部分に形成されていることを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体装置。
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