JP2006228961A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＩＧＢＴのオン電圧を低減すること。
【解決手段】 少なくとも一つの断面において、コレクタ電極２１と、ｐ^＋型コレクタ領域２２と、ｐ⁻型の介在領域２３と、ｎ^＋型のバッファ領域２４と、ｎ⁻型のドリフト領域２５と、ｐ型のボディ領域２６の積層構造を備えている。さらに、ボディ領域２６によってドリフト領域２５から隔てられているｎ^＋型のエミッタ領域３４と、エミッタ領域３４に接続しているエミッタ電極５２と、エミッタ領域３４とドリフト領域２５を隔てているボディ領域２６にゲート絶縁膜４２を介して対向しているゲート電極４４を備えており、コレクタ領域２２、介在領域２３、バッファ領域２４、ドリフト領域２５の各々の不純物濃度が、前記の順で低下していることを特徴とするＩＧＢＴ。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置のオン電圧を低減する技術に関する。

半導体装置は一般的に、ｐ型不純物を含む半導体領域とｎ型不純物を含む半導体領域を備えている。したがって半導体装置には、両者が接する面（ｐｎ接合面）が形成されている。例えば、半導体材料にシリコンを用いた半導体装置では、ｐ型不純物としてボロンを導入したｐ型半導体領域と、ｎ型不純物としてリンを導入したｎ型半導体領域を備えていることが多い。ボロン原子とリン原子は大きさが異なることから、ボロンを導入したｐ型半導体領域とリンを導入したｎ型半導体領域の間に形成されるｐｎ接合面の周囲には格子歪が発生している。ｐ型不純物にボロンを選択した場合に、ｐｎ接合面で格子歪が大きくなり易いことが知られており、ボロンを高濃度に導入するほど格子歪が大きくなり易いことも知られている。
熱処理等をして導入した不純物を活性化すると、格子歪が緩和される一方において結晶欠陥が発生する。発生した結晶欠陥が半導体装置の特性に悪影響を及ぼすことがある。不純物を導入したときのｐｎ接合面の格子歪が大きいほど、熱処理後のｐｎ接合面の近傍に多量の結晶欠陥が発生してしまう。

ｎチャンネルのパンチスルー型のＩＧＢＴは、ｐ^＋型のコレクタ領域とｎ^＋型のバッファ領域とｎ⁻型のドリフト領域とｐ型のボディ領域の積層構造を備えており、ｐ^＋型のコレクタ領域とｎ^＋型のバッファ領域の間にｐｎ接合面が形成されている。コレクタ領域にはボロンが高濃度に導入されていることが多い。
前記バッファ領域は、ＩＧＢＴがオフしたときに、ｐ型のボディ領域とｎ⁻型のドリフト領域のｐｎ接合面から伸びる空乏層がコレクタ領域まで達するのを防止する。空乏層がコレクタ領域まで達するのを防止することができるので、ドリフト領域を薄膜化することができる。ドリフト領域が薄膜化されると、ドリフト領域における抵抗を小さくすることができる。このようなバッファ領域を備えたＩＧＢＴをパンチスルー型という。
前記したように、ｎチャンネルのパンチスルー型のＩＧＢＴは、ボロンが高濃度に導入されたｐ^＋型のコレクタ領域と、そのコレクタ領域に接するｎ^＋型のバッファ領域を備えている。したがって、ｐ^＋型のコレクタ領域とｎ^＋型のバッファ領域の間のｐｎ接合面の近傍には、結晶欠陥が多量に存在している。結晶欠陥が多量に存在していると、コレクタ領域からバッファ領域を介してドリフト領域に注入される正孔の注入効率が低下する。正孔の注入効率が低下すると、ＩＧＢＴがオンした場合に、ドリフト領域でのキャリア濃度が低くなり、オン電圧が高くなってしまう。なお、ｐ型不純物がボロン以外の場合も、同様の問題が生じ得る。
パンチスルー型のＩＧＢＴの一例が特許文献１に記載されている。特許文献１のＩＧＢＴは、コレクタ領域とバッファ領域の間に、両者の不純物濃度よりも不純物濃度が低い半導体層（ｐ型、ｎ型のいずれでもよい）を介在させる技術を提案している。
特開２００２−３０５３０５号公報

特許文献１の半導体装置は、ＩＧＢＴのスイッチング特性の改善を図るために提案された技術である。低濃度半導体層の不純物濃度をコレクタ領域とバッファ領域の不純物濃度よりも低く調整することにより、低濃度半導体層に多量のキャリアが蓄積され、ＩＧＢＴがターンオフしたときに、そのキャリアがコレクタ電極に向けて緩やかに排出されるようにしている。サージ電圧等の発生を抑制することを意図している。
特許文献１には記載されていないが、コレクタ領域とバッファ領域の間に低濃度半導体層を形成することによって、コレクタ領域とバッファ領域の間のｐｎ接合面近傍の結晶欠陥の発生を回避できるものと思われる。即ち、不純物が低濃度に導入された低濃度半導体層を形成することによって、低濃度半導体層とバッファ層の接合面における格子歪が減少し、結晶欠陥の発生が抑制されるものと思われる。

しかしながら、特許文献１のように、低濃度半導体層の不純物濃度をコレクタ領域とバッファ領域の不純物濃度よりも低濃度にすると、不純物量が過少となりすぎるので、低濃度半導体層の抵抗が大きくなるという問題が生じる。このため、半導体装置のオン電圧が高くなってしまうという問題がある。
特許文献１の技術は、スイッチング特性の改善を図ることを意図したものであり、オン電圧の増大に対しては何ら対策も講じていない。
本発明は、ｐ型不純物を含む半導体領域とｎ型不純物を含む半導体領域が接している面（ｐｎ接合面）を備えている半導体装置において、そのｐｎ接合面近傍の結晶欠陥を少なくすることによって、オン電圧を低減することを目的としている。

本発明の半導体装置は、少なくとも一つの断面において、コレクタ電極と、第１導電型不純物を含むコレクタ領域と、第１導電型不純物を含む介在領域と、第２導電型不純物を含むバッファ領域と、第２導電型不純物を含むドリフト領域と、第１導電型不純物を含むボディ領域が、その順序で積層された積層構造を備えている。本発明の半導体装置は、さらに、ボディ領域によってドリフト領域から隔てられている第２導電型不純物を含むエミッタ領域と、エミッタ領域に接続しているエミッタ電極と、エミッタ領域とドリフト領域を隔てているボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極を備えている。
本発明の半導体装置は、コレクタ領域、介在領域、バッファ領域、ドリフト領域の各々の不純物濃度が、その順序で低下していることを特徴としている。
ここでいう不純物濃度とは、導電型の種類と関係がなく、異なる導電型であってもその不純物濃度を比較すればよい。
ここでいう「介在領域」とは、コレクタ領域から結晶成長して形成された領域の他に、コレクタ領域に不純物を導入することによって形成された領域も含む。介在領域は、コレクタ領域上の少なくとも一部に形成されていればよい。
またコレクタ領域は、コレクタ電極と介在領域の間を完全に隔てるように形成されている場合に限らず、分散配置された状態で形成される場合がある。一般的にコレクタショートと呼ばれるタイプであり、スイッチング速度を向上させることができる。
上記の半導体装置は、従来構造のコレクタ領域とバッファ領域の間に、コレクタ領域の不純物濃度よりも不純物濃度が低く、バッファ領域の不純物濃度よりも不純物濃度が高い介在領域を備えていると評価することもできる。なお、［背景技術］で挙げた特許文献１の「低濃度半導体層」の不純物濃度は、コレクタ領域とバッファ領域の両者の不純物濃度よりも低いことを特徴としている。本発明の「介在領域」の不純物濃度は、コレクタ領域の不純物濃度よりも不純物濃度が低く形成されている点では特許文献１に共通しているが、バッファ領域の不純物濃度よりも高く調整されている点において特許文献１から明白に異なるものである。
ｐ型不純物の含有量が少ない介在領域を形成することによって、従来構造のコレクタ領域とバッファ領域の間のｐｎ接合面の近傍に発生していた結晶欠陥を低減することができる。即ち、介在領域を形成することによって、介在領域とバッファ領域の間の接合面の格子歪が減少し、結晶欠陥の発生が抑制される。コレクタ領域からドリフト領域にかけて結晶欠陥の少ない半導体装置が得られる。この結果、コレクタ領域から介在領域とバッファ領域を介してドリフト領域に向けて十分な量のキャリアが供給される。半導体装置がオンの場合に、ドリフト領域のキャリア濃度が高くなるので、半導体装置のオン電圧は低減されるのである。さらに、介在領域の不純物濃度は極端に低く調整されないので、それ自身の抵抗も大きくならない。介在領域の抵抗をほとんど増大させずに、キャリアの注入効率を向上させることによって、半導体装置のオン電圧が低減されるのである。

コレクタ領域の不純物濃度が５×１０^１８ｃｍ^−３以上であることが好ましい。
従来構造では、コレクタ領域の不純物濃度を高くするほど、コレクタ領域とバッファ領域の間のｐｎ接合面において結晶欠陥が多量に発生していた。結晶欠陥の発生を避けるために、コレクタ領域の不純物濃度を低くしたとすると、コレクタ領域における抵抗が大きくなり、半導体装置のオン電圧は高くなってしまう。本発明は、介在領域を設けることによって、コレクタ領域の不純物濃度が高い場合でも、結晶欠陥が多量に発生することを抑制する。コレクタ領域の不純物濃度が５×１０^１８ｃｍ^−３以上であると、ほぼ導体と見なすことができ、コレクタ領域における抵抗は極めて小さい。コレクタ領域の不純物濃度を高くすることによって、コレクタ領域自体の抵抗を低減するとともに、さらに、コレクタ領域からドリフト領域にかけて結晶欠陥の少ない状態を得ている。したがって、コレクタ領域から介在領域とバッファ領域を介してドリフト領域に向けて十分な量のキャリアが供給され、極めてオン電圧の低い半導体装置を得ることができる。

コレクタ領域と介在領域に含まれている第１導電型不純物がボロンである場合に、介在領域を設けることが特に有効である。［背景技術］で説明したように、ｐ型不純物としてボロンを選択すると、格子歪が大きくなり易く、多量の結晶欠陥が発生してしまう。本発明は、このような場合によく対処することができる。ｐ型不純物としてボロンを用いたとしても、結晶欠陥の発生を抑制し、オン電圧の低い半導体装置を得ることができる。

コレクタ領域とバッファ領域の間に存在する介在領域の厚みが、５０μm以下であることが好ましい。
介在領域の厚みは、その厚み方向の抵抗が実質的に増大しない程度に薄いのが好ましい。介在領域の厚みが厚すぎると、それ自身の抵抗が高くなりオン電圧が増大してしまう。したがって、介在領域は、抵抗が高くならない程度に薄く調整されているのが好ましい。介在領域の抵抗が実質的に増大しないようにするには、介在領域の厚みを５０μm以下にするのが好ましい。この厚み以下に調整すると、介在領域の電圧降下を約０．０５Ｖ以下にすることができる。介在領域の電圧降下が約０．０５Ｖ以下であれば、オン電圧の増大に影響していないと評価することができる。これにより、介在領域自身の抵抗は高くなることなく、コレクタ領域から供給される正孔の注入効率を向上することによって、半導体装置のオン電圧を低減することができる。

介在領域とバッファ領域は、コレクタ領域からエピタキシャル成長した層によって形成されていることが好ましい。
エピタキシャル成長を利用して半導体領域を形成すると、母材となる半導体領域とエピタキシャル成長する半導体領域の不純物の種類及び濃度の違いによって、格子歪が発生し易い。第１導電型不純物を含むコレクタ領域から第２導電型不純物を含むバッファ領域をエピタキシャル成長すると、そのｐｎ接合面に格子歪が発生し、ｐｎ接合面の近傍に結晶欠陥が多量に発生してしまう。本発明は、コレクタ領域から介在領域をエピタキシャル成長した後に、その介在領域からバッファ領域をエピタキシャル成長することによって結晶欠陥の発生を抑制することができる。

本発明によると、介在領域を設けることによって、介在領域とバッファ領域の接合面において、結晶欠陥が少ない状態を得ることができる。したがって、コレクタ領域からドリフト領域にかけて結晶欠陥の少ない状態を得ることができる。コレクタ領域から介在領域とバッファ領域を介してドリフト領域に向けて十分な量のキャリアを供給することができる。オン電圧が低減された半導体装置を得ることができる。

実施例の主要な特徴を列記する。
（第１形態） コレクタ領域と介在領域とバッファ領域とドリフト領域は、この順に積層した積層構造で形成されている。
（第２形態） バッファ領域は不純物としてリンを含有しており、その不純物濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３〜１×１０^１８ｃｍ^−３の範囲であることが好ましい。この濃度範囲よりも低いとスイッチング速度が遅くなってしまう。また、この濃度範囲よりも高いと正孔の注入効率が低下しオン電圧が高くなってしまう。

図１に、半導体装置１０の要部断面図を概略して示す。半導体装置１０の基本的な構成はパンチスルー型のＩＧＢＴである。半導体装置１０はパンチスルー型のＩＧＢＴの構成に加えて、コレクタ領域２２とバッファ領域２４の間に介在領域２３を備えている。半導体装置１０は、半導体材料としてシリコンを用いているが、他の半導体材料、あるいは異種の半導体材料を組み合わせて用いてもよい。

半導体装置１０は、アルミニウムからなるコレクタ電極２１を備えている。そのコレクタ電極２１上にボロンを高濃度に含むｐ^＋型のコレクタ領域２２が形成されている。コレクタ領域２２の不純物濃度は極めて高く、ほぼ導体と評価することができる。コレクタ電極２１とコレクタ領域２２は電気的に接続している。コレクタ領域２２上にボロンを含むｐ⁻型の介在領域２３が形成されている。介在領域２３上にリンを高濃度に含むｎ^＋型のバッファ領域２４が形成されている。バッファ領域２４は、介在領域２３によってコレクタ領域２２から隔てられている。バッファ領域２４上にリンを含むｎ⁻型のドリフト領域２５が形成されている。ドリフト領域２５はバッファ領域２４によって介在領域２３から隔てられている。ドリフト領域２５上にボロンを含むｐ型のボディ領域２６が形成されている。ボディ領域２６は、ドリフト領域２５によってバッファ領域２４から隔てられている。ボディ領域２６の表面部に、リンを高濃度に含むｎ^＋型のエミッタ領域３４と、ボロンを高濃度に含むｐ^＋型のボディコンタクト領域３２が選択的に形成されている。エミッタ領域３４とボディコンタクト領域３２は、ボディ領域２６によってドリフト領域２５から隔てられている。エミッタ領域３４とボディコンタクト領域３２は、エミッタ電極５２に接続している。エミッタ電極５２はアルミニウムによって形成されている。エミッタ領域３４とドリフト領域２５を隔てているボディ領域２６に、ゲート絶縁膜４２を介してトレンチゲート電極４４が対向している。ゲート絶縁膜４２は酸化シリコンによって形成されており、トレンチゲート電極４４はポリシリコンによって形成されている。トレンチゲート電極４４とエミッタ電極５２は、層間絶縁膜４６によって絶縁されている。

ここで、半導体装置１０の製造方法を簡単に説明する。まず、コレクタ領域２２となる半導体基板を用意し、その半導体基板上から介在領域２３、バッファ領域２４、ドリフト領域２５を順にエピタキシャル成長して形成する。次に、ボディ領域２６をイオン注入技術及び熱拡散を利用して形成する。次に、イオン注入技術を利用してボディ領域２６の表面部にエミッタ領域３４とボディコンタクト領域３２を選択的に形成する。次に、所定の位置関係にトレンチを形成した後に、そのトレンチの側壁を熱酸化し、次いでトレンチ内にポリシリコンを充填することによってトレンチゲート電極４４を形成する。ボディ領域２６の表面にアルミニウムを形成することによってエミッタ電極５２を形成し、半導体基板（コレクタ領域２２）の裏面にアルミニウムを蒸着することによってコレクタ電極２１を形成する。これらの手順を経て、半導体装置１０を得ることができる。

図２（ａ）に半導体装置１０の各領域の不純物濃度の分布を示す。図２（ｂ）に半導体装置１０の各領域の格子歪量の分布を示す。ここでいう格子歪量とは、例えばＸ線回折によって測定される値である。図２の縦軸は半導体装置１０の深さに対応しており、縦軸に付されている番号は各領域の図番号と一致する。
図２（ａ）中の実線で示される図中１１はエピタキシャル成長直後のボロンの不純物濃度を示し、破線で示される図中１２は熱処理後のボロンの不純物濃度を示す。図２（ａ）中の実線で示される図中１３はエピタキシャル成長直後のリンの不純物濃度を示し、破線で示される図中１４は熱処理後のリンの不純物濃度を示す。
図２（ｂ）中の実線で示される図中１５はエピタキシャル成長直後の格子歪量を示し、破線で示される図中１６は熱処理後の格子歪量を示す。
図２（ａ）に示すように、エピタキシャル成長直後の不純物濃度（実線で示される）で評価すると、介在領域２３の不純物濃度は、コレクタ領域２２の不純物濃度よりも低く形成されている。バッファ領域２４の不純物濃度は、介在領域２３よりも低く形成されているとともに、ドリフト領域２５よりも高く形成されている。介在領域２３の不純物濃度が、コレクタ領域２２よりも低く、バッファ領域２４よりも高いということもできる。また、熱処置後の不純物濃度（破線で示される）で評価してもやはり、上記の関係は維持されている。なお、介在領域２３とバッファ領域２４の接合界面近傍では、熱処理後の不純物の再分布によって、バッファ領域２４の不純物濃度が介在領域２３の不純物濃度よりも高いという関係の部分も存在している。しかし、介在領域２３のほとんどの部分では、熱処理後であってもバッファ領域２４の不純物濃度よりも不純物濃度が高い状態が維持されていることから、介在領域２３の不純物濃度はバッファ領域２４よりも高いと評価することができる。

ここで比較のために、図３に、介在領域２３が形成されていない半導体装置の不純物濃度の分布と格子歪量の分布を示す。
図３（ａ）中の実線で示される図中１１１はエピタキシャル成長直後のボロンの不純物濃度を示し、破線で示される図中１１２は熱処理後のボロンの不純物濃度を示す。図３（ａ）中の実線で示される図中１１３はエピタキシャル成長直後のリンの不純物濃度を示し、破線で示される図中１１４は熱処理後のリンの不純物濃度を示す。
図３（ｂ）中の実線で示される図中１１５はエピタキシャル成長直後の格子歪量を示し、破線で示される図中１１６は熱処理後の格子歪量を示す。

まず、図３の比較例を説明する。比較例の半導体装置は、ボロンが高濃度に導入されたｐ^＋型のコレクタ領域２２と、そのコレクタ領域２２に接するｎ^＋型のバッファ領域２４を備えている。ボロン原子とリン原子は大きさが異なることから、エピタキシャル成長直後の段階において、ボロンが導入されたコレクタ領域２２とリンが導入されたバッファ領域２４のｐｎ接合面では、そのｐｎ接合面で最大となる格子歪が周囲に発生している（図３（ｂ）の図中１１５）。一般的に、ボロンが高濃度に導入されるほど、格子歪が大きくなり易い。パンチスルー型のＩＧＢＴのコレクタ領域２２は、機械的強度を保つためだけに必要とされている領域であり、不純物濃度に関してはほぼ導体と見なせるほど高く調整されている。例えば、コレクタ領域２２の不純物濃度は５×１０^１８ｃｍ^−３以上に調整されている。このようなコレクタ領域２２を備えている場合、コレクタ領域２２とバッファ領域２４のｐｎ接合面には、大きな格子歪が発生してしまう。

導入されたボロン（図３（ａ）の図中１１１）とリン（図３（ａ）の図中１１３）を熱処理等によって活性化すると、不純物の再分布が起きる（図３（ａ）の図中１１２、１１４）。このとき、図３（ｂ）に示すように、ｐｎ接合面の格子歪も緩和される。この格子歪が緩和されるときに、格子歪の緩和量（△σ_１００）が大きいと、ｐｎ接合面近傍に結晶欠陥が発生する。比較例では、ｐｎ接合面の格子歪（図３（ｂ）の図中１１５）が大きいために、この緩和量（△σ_１００）が大きくなってしまう。このため、ｐｎ接合面近傍には多量の結晶欠陥が発生している。結晶欠陥が多量に存在していると、コレクタ領域２２からバッファ領域２４を介してドリフト領域２５に注入される正孔の注入効率が低下する。正孔の注入効率が小さいと、半導体装置がオンの場合に、ドリフト領域２５のキャリア濃度が低くなり、オン電圧が高くなってしまう。

一方、本実施例の半導体装置１０では、図２（ｂ）に示すように、格子歪の緩和量（△σ_１０）が比較例の緩和量（△σ_１００）と比較して減少している。半導体装置１０では、コレクタ領域２２とバッファ領域２４の間に、ボロンの含有量が少ない介在領域２３を形成することによって、格子歪の緩和量を減少させることに成功しているのである。即ち、コレクタ領域２２の不純物濃度よりも不純物濃度が低く調整された介在領域２３を形成することによって、介在領域２３とバッファ領域２４の接合面の格子歪が減少し、結晶欠陥の発生が抑制される。コレクタ領域２２からドリフト領域２５にかけて結晶欠陥の少ない状態を得ることができる。この結果、コレクタ領域２２から介在領域２３及びバッファ領域２４を介してドリフト領域２５に向けて十分な量の正孔が供給される。半導体装置１０がオンの場合に、ドリフト領域２５の正孔濃度が高くなり、半導体装置１０のオン電圧は低減されるのである。また、介在領域２３の不純物濃度は、バッファ領域２４の不純物濃度よりも高く調整されている、即ち、介在領域２３の不純物濃度が極端に低く調整されていないので、介在領域２３自身の抵抗はそれほど高くならない。介在領域２３の抵抗をほとんど増大させずに、正孔の注入効率を向上させることによって、半導体装置１０のオン電圧が低減されるのである。

半導体装置１０は他に次の特徴を有している。
介在領域２３の厚みＬ２３は、その厚み方向の抵抗が実質的に増大しない程度に薄いということもできる。介在領域２３の厚みＬ２３が厚すぎると、それ自身の抵抗が高くなりオン電圧が増大してしまう。本実施例の介在領域２３の厚みＬ２３は、抵抗が高くならない程度に薄く調整されている。例えば、介在領域２３の不純物濃度を３×１０^１７ｃｍ^−３とした場合、介在領域２３の厚みＬ２３を約５０μm以下に調整すると、介在領域２３の電圧降下は約０．０５Ｖ以下になる。介在領域２３の電圧降下が約０．０５Ｖ以下であれば、オン電圧の増大に及ぼす影響をほとんど無視することができる。これにより、介在領域２３自身の抵抗は高くなることなく、コレクタ領域２２から供給される正孔の注入効率を向上させることによって、半導体装置１０のオン電圧を低減することができる。

図４に、変形例の半導体装置１００の要部断面図を概略して示す。半導体装置１００は、実施例の半導体装置１０のトレンチゲート電極４４をプレーナゲート電極１４４に変更した例である。先に説明したように、本実施例の技術は、コレクタ領域１２２とバッファ領域１２４の間に介在領域１２３を形成することによって、結晶欠陥の発生を抑制し、オン電圧を低減するものである。したがって、表面側の構造等によって、本技術の作用効果は特に左右されない。トレンチゲート電極４４をプレーナゲート電極１４４に変更したとしても、先に説明したのと同様の作用効果を得ることができる。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

実施例の半導体装置の要部断面図を示す。 実施例の半導体装置の不純物濃度の分布と格子歪量の分布を示す。 比較例の半導体装置の不純物濃度の分布と格子歪量の分布を示す。 変形例の半導体装置の要部断面図を示す。

符号の説明

２１：コレクタ電極
２２：コレクタ領域
２３：介在領域
２４：バッファ領域
２５：ドリフト領域
２６：ボディ領域
３２：ボディコンタクト領域
３４：エミッタ領域
４２：ゲート絶縁膜
４４：トレンチゲート電極
４６：層間絶縁膜
５２：エミッタ電極

Claims (5)

1. 少なくとも一つの断面において、コレクタ電極と、第１導電型不純物を含むコレクタ領域と、第１導電型不純物を含む介在領域と、第２導電型不純物を含むバッファ領域と、第２導電型不純物を含むドリフト領域と、第１導電型不純物を含むボディ領域の積層構造を備えており、
   ボディ領域によってドリフト領域から隔てられている第２導電型不純物を含むエミッタ領域と、エミッタ領域に接続しているエミッタ電極と、エミッタ領域とドリフト領域を隔てているボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極を備えており、
   コレクタ領域、介在領域、バッファ領域、ドリフト領域の各々の不純物濃度が、前記の順序で低下していることを特徴とする半導体装置。
2. コレクタ領域の不純物濃度が５×１０^１８ｃｍ^−３以上であることを特徴とする請求項１の半導体装置。
3. コレクタ領域と介在領域に含まれている第１導電型不純物がボロンであることを特徴とする請求項１又は２の半導体装置。
4. コレクタ領域とバッファ領域の間に存在する介在領域の厚みが、５０μm以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの半導体装置。
5. 介在領域とバッファ領域が、コレクタ領域からエピタキシャル成長した層によって形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの半導体装置。

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