JPH0758322A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0758322A JPH0758322A JP5220519A JP22051993A JPH0758322A JP H0758322 A JPH0758322 A JP H0758322A JP 5220519 A JP5220519 A JP 5220519A JP 22051993 A JP22051993 A JP 22051993A JP H0758322 A JPH0758322 A JP H0758322A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 オン電圧とターンオフ時間のトレードオフを
改善でき安定した素子特性が得られる新規なアノード構
造を有する高耐圧半導体装置を提供する。 【構成】 低不純物濃度の第１導電型ドレイン領域１２
に隣接して第２導電型アノード領域１１を備えたＩＧＢ
Ｔの前記アノード領域とこのアノード領域と接する部分
を含む前記ドレイン領域の一部に重金属拡散領域２４を
形成する。この重金属拡散領域の形成方法として、前記
アノード領域のアノード電極１９が形成される表面に重
金属のシリサイド層２１を形成し、これを熱処理してシ
リサイド層の重金属を拡散して得る。ドレイン領域内の
一部に形成され、アノード領域に隣接している重金属拡
散領域は、ドレイン領域のキャリアライフタイムを短く
してホールの注入量を適正化すると共にスイッチングオ
フ時にドレイン領域に存在する電子がアノード領域を通
過するときに発生する新たなホールの注入を抑制でき
る。アノード電極とアノード領域との間に形成される重
金属のシリサイド層は、また、アノード電極のアノード
領域へのオーミックコンタクトを確実にする。
改善でき安定した素子特性が得られる新規なアノード構
造を有する高耐圧半導体装置を提供する。 【構成】 低不純物濃度の第１導電型ドレイン領域１２
に隣接して第２導電型アノード領域１１を備えたＩＧＢ
Ｔの前記アノード領域とこのアノード領域と接する部分
を含む前記ドレイン領域の一部に重金属拡散領域２４を
形成する。この重金属拡散領域の形成方法として、前記
アノード領域のアノード電極１９が形成される表面に重
金属のシリサイド層２１を形成し、これを熱処理してシ
リサイド層の重金属を拡散して得る。ドレイン領域内の
一部に形成され、アノード領域に隣接している重金属拡
散領域は、ドレイン領域のキャリアライフタイムを短く
してホールの注入量を適正化すると共にスイッチングオ
フ時にドレイン領域に存在する電子がアノード領域を通
過するときに発生する新たなホールの注入を抑制でき
る。アノード電極とアノード領域との間に形成される重
金属のシリサイド層は、また、アノード電極のアノード
領域へのオーミックコンタクトを確実にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、とくに高
耐圧系のＩＧＢＴ（Insulated Gate BipolarTransisto
r)のアノード構造に関するものである。
耐圧系のＩＧＢＴ（Insulated Gate BipolarTransisto
r)のアノード構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＧＢＴは、図１１に代表されるユニッ
トセル断面構造を有するトランジスタであり、上部にＭ
ＯＳＦＥＴ構造、下部にバイポーラトランジスタ構造部
を有する複合構造ととらえることができる。この構造及
びその基本動作は、特開昭５７−１２０３６９号公報に
詳述されている。この図を参照し、シリコンウェーハに
形成されたＮチャネルＩＧＢＴを例にしてその構造及び
動作を説明する。このウェーハを構成するシリコン半導
体基板１は、厚さ約１５０μｍ、不純物濃度約１０20ｃ
ｍ-3のＰ＋アノード領域１１からなり、その第１の主面
上にＮ−ドレイン領域１２が形成されたシリコン半導体
層２がエピタキシャル成長により積層されている。この
Ｎ−ドレイン領域１２中には、１対のＰ型ベース領域１
３が、さらに、このＰ型ベース領域１３中には、Ｎ＋ソ
ース領域１４が通常の不純物拡散法により形成されてい
る。このドレイン領域１２が形成されている半導体層２
の表面には、薄いゲート酸化膜１５を介してポリシリコ
ンゲート１６が設けられている。ソース領域１４とベー
ス領域１３とをこの半導体層２の表面で短絡するような
形で金属ソース電極１７が設けられ、ポリシリコンゲー
ト１６に接続して金属ゲート電極１８が形成され、Ｐ＋
アノード領域１１に接続して、半導体基板１の第２の主
面上に金属アノード電極１９が設けられている。
トセル断面構造を有するトランジスタであり、上部にＭ
ＯＳＦＥＴ構造、下部にバイポーラトランジスタ構造部
を有する複合構造ととらえることができる。この構造及
びその基本動作は、特開昭５７−１２０３６９号公報に
詳述されている。この図を参照し、シリコンウェーハに
形成されたＮチャネルＩＧＢＴを例にしてその構造及び
動作を説明する。このウェーハを構成するシリコン半導
体基板１は、厚さ約１５０μｍ、不純物濃度約１０20ｃ
ｍ-3のＰ＋アノード領域１１からなり、その第１の主面
上にＮ−ドレイン領域１２が形成されたシリコン半導体
層２がエピタキシャル成長により積層されている。この
Ｎ−ドレイン領域１２中には、１対のＰ型ベース領域１
３が、さらに、このＰ型ベース領域１３中には、Ｎ＋ソ
ース領域１４が通常の不純物拡散法により形成されてい
る。このドレイン領域１２が形成されている半導体層２
の表面には、薄いゲート酸化膜１５を介してポリシリコ
ンゲート１６が設けられている。ソース領域１４とベー
ス領域１３とをこの半導体層２の表面で短絡するような
形で金属ソース電極１７が設けられ、ポリシリコンゲー
ト１６に接続して金属ゲート電極１８が形成され、Ｐ＋
アノード領域１１に接続して、半導体基板１の第２の主
面上に金属アノード電極１９が設けられている。
【０００３】また、Ｐ＋アノード領域１１とＮ−ドレイ
ン領域１２の間にＮ＋バッファ層を設けた構造も一般に
使われている。これは、アノード領域からの正孔の流入
を抑えると共に半導体層２の表面から拡がる空乏層を抑
える事もでき、このバッファ層によってＮ−ドレイン領
域１２は薄くすることができる。この構造のＩＧＢＴ
は、ＰＮ接合に逆バイアスを加えた場合に前記空乏層が
バッファ層まで広がるので、パンチスルー型といい、前
述の図１１のＩＧＢＴは、空乏層がアノード領域まで達
しないのでノンパンチスルー型という。次に、Ｎチャネ
ルＩＧＢＴの一般的な製造方法について説明すると、Ｐ
＋半導体基板１にＮ−ドレイン領域１２、または、前記
パンチスルー型では、Ｎ＋バッファ層に続いてＮ−ドレ
イン領域１２を気相成長させて、Ｐ＋−Ｎ−、または、
Ｐ＋−Ｎ＋−Ｎ−ウェーハを形成する。その後前述した
ように、Ｎ−ドレイン領域１２中にＰ型ベース領域１３
を選択的に形成し、このＰ型ベース領域中に２つのＮ型
ソース領域１４を形成していわゆる２重拡散型にする。
前記Ｐ型ベース領域１３及びＮ型ソース領域１４は、そ
の端部をＮ−ドレイン領域１２の表面に露出するが、各
端部は、絶縁膜２２で被覆され、この絶縁膜２２内の各
ベース領域１３間の領域上にゲート酸化膜１５を介して
ポリシリコンゲート１６を形成する。
ン領域１２の間にＮ＋バッファ層を設けた構造も一般に
使われている。これは、アノード領域からの正孔の流入
を抑えると共に半導体層２の表面から拡がる空乏層を抑
える事もでき、このバッファ層によってＮ−ドレイン領
域１２は薄くすることができる。この構造のＩＧＢＴ
は、ＰＮ接合に逆バイアスを加えた場合に前記空乏層が
バッファ層まで広がるので、パンチスルー型といい、前
述の図１１のＩＧＢＴは、空乏層がアノード領域まで達
しないのでノンパンチスルー型という。次に、Ｎチャネ
ルＩＧＢＴの一般的な製造方法について説明すると、Ｐ
＋半導体基板１にＮ−ドレイン領域１２、または、前記
パンチスルー型では、Ｎ＋バッファ層に続いてＮ−ドレ
イン領域１２を気相成長させて、Ｐ＋−Ｎ−、または、
Ｐ＋−Ｎ＋−Ｎ−ウェーハを形成する。その後前述した
ように、Ｎ−ドレイン領域１２中にＰ型ベース領域１３
を選択的に形成し、このＰ型ベース領域中に２つのＮ型
ソース領域１４を形成していわゆる２重拡散型にする。
前記Ｐ型ベース領域１３及びＮ型ソース領域１４は、そ
の端部をＮ−ドレイン領域１２の表面に露出するが、各
端部は、絶縁膜２２で被覆され、この絶縁膜２２内の各
ベース領域１３間の領域上にゲート酸化膜１５を介して
ポリシリコンゲート１６を形成する。
【０００４】このポリシリコンゲート１６上の絶縁膜２
２を部分的に除去してできる前記ポリシリコンゲート１
６の露出部にアルミニウムなどを堆積して金属ゲート電
極１８を形成する。また、選択的に被覆した前記絶縁膜
２２間に露出した前記Ｐ型ベース領域１３及びＮ型ソー
ス領域１４には、金属ソース電極１７が形成される。ア
ノード領域１１となるＰ＋半導体基板１の第２の主面に
は、金属アノード電極１９が形成される。このように形
成した半導体装置はソース電極１７を接地し、アノード
電極１９に正電圧が印加された状態でゲート１６を負電
位に保てば、半導体装置は、阻止状態になる。ゲート１
６に正電圧を印加すれば、一般のＭＯＳＦＥＴと同様に
Ｐベース領域１３の表面に反転チャネル領域が形成さ
れ、ソース領域１４からチャネルを通してドレイン領域
１２の表面部分に電子が流入し、電子の蓄積層が形成さ
れる。電子はさらにソース−アノード間に印加されてい
る電圧によってドレイン領域１２中をアノード電極１９
側へ走行していき、Ｐ＋アノード領域１１とＮ−ドレイ
ン領域１２もしくはＮ＋バッファ層の間を順バイアス状
態に至らしめる。これによりＰ＋アノード領域１１から
Ｎ−ドレイン領域１２へ正孔の注入が生じ、Ｎ−ドレイ
ン領域１２中の伝導度が変調されると共に素子は通電状
態となる。この状態でゲート電極１８を零もしくは負電
位に戻せばチャネルが閉じ、該素子は再び阻止状態に戻
る。
２を部分的に除去してできる前記ポリシリコンゲート１
６の露出部にアルミニウムなどを堆積して金属ゲート電
極１８を形成する。また、選択的に被覆した前記絶縁膜
２２間に露出した前記Ｐ型ベース領域１３及びＮ型ソー
ス領域１４には、金属ソース電極１７が形成される。ア
ノード領域１１となるＰ＋半導体基板１の第２の主面に
は、金属アノード電極１９が形成される。このように形
成した半導体装置はソース電極１７を接地し、アノード
電極１９に正電圧が印加された状態でゲート１６を負電
位に保てば、半導体装置は、阻止状態になる。ゲート１
６に正電圧を印加すれば、一般のＭＯＳＦＥＴと同様に
Ｐベース領域１３の表面に反転チャネル領域が形成さ
れ、ソース領域１４からチャネルを通してドレイン領域
１２の表面部分に電子が流入し、電子の蓄積層が形成さ
れる。電子はさらにソース−アノード間に印加されてい
る電圧によってドレイン領域１２中をアノード電極１９
側へ走行していき、Ｐ＋アノード領域１１とＮ−ドレイ
ン領域１２もしくはＮ＋バッファ層の間を順バイアス状
態に至らしめる。これによりＰ＋アノード領域１１から
Ｎ−ドレイン領域１２へ正孔の注入が生じ、Ｎ−ドレイ
ン領域１２中の伝導度が変調されると共に素子は通電状
態となる。この状態でゲート電極１８を零もしくは負電
位に戻せばチャネルが閉じ、該素子は再び阻止状態に戻
る。
【０００５】一般のＭＯＳＦＥＴではドレイン領域に電
子しか注入されないため、このドレイン領域の濃度が低
い場合や、ドレイン領域が厚い場合には、ドレイン領域
が電子の流れにとって、極めて大きい抵抗となり、これ
がＭＯＳＦＥＴのオン抵抗の最大成分であった。一方、
ＩＧＢＴでは、前記ドレイン領域が伝導度変調を受ける
のでその抵抗成分は極めて小さくなり、このドレイン領
域の濃度が低くかつこの領域が厚い場合でもオン抵抗の
小さい半導体装置となる。
子しか注入されないため、このドレイン領域の濃度が低
い場合や、ドレイン領域が厚い場合には、ドレイン領域
が電子の流れにとって、極めて大きい抵抗となり、これ
がＭＯＳＦＥＴのオン抵抗の最大成分であった。一方、
ＩＧＢＴでは、前記ドレイン領域が伝導度変調を受ける
のでその抵抗成分は極めて小さくなり、このドレイン領
域の濃度が低くかつこの領域が厚い場合でもオン抵抗の
小さい半導体装置となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなＩＧＢＴ
は、アノード領域からドレイン領域中に注入した少数キ
ャリア（正孔）の一部が過剰少数キャリアとしてドレイ
ン領域中に蓄積されてしまう。従って、このＩＧＢＴを
オフするためにゲート電圧を零にしてチャネルを閉じて
電子の流れを止めても蓄積された少数キャリア（正孔）
が排出されるまで、このＩＧＢＴはオフ状態にならな
い。さらに、このＩＧＢＴでは、オフ時にドレイン領域
に存在する電子がアノード領域を通過する際にアノード
領域から新たな正孔の注入を誘起し、結果的にはターン
オフ時間が極めて長くなる。そのためにＩＧＢＴでは一
般的なＭＯＳＦＥＴと比べて約１０倍の電流を流すこと
ができるが、ターンオフ時間は逆に１０倍以上長くなる
欠点を持っている。このようなＩＧＢＴをインバータ等
のスイッチング用途へ応用する場合、長いターンオフ時
間は、スイッチング周波数を高められないためその応用
範囲が限られてくる。
は、アノード領域からドレイン領域中に注入した少数キ
ャリア（正孔）の一部が過剰少数キャリアとしてドレイ
ン領域中に蓄積されてしまう。従って、このＩＧＢＴを
オフするためにゲート電圧を零にしてチャネルを閉じて
電子の流れを止めても蓄積された少数キャリア（正孔）
が排出されるまで、このＩＧＢＴはオフ状態にならな
い。さらに、このＩＧＢＴでは、オフ時にドレイン領域
に存在する電子がアノード領域を通過する際にアノード
領域から新たな正孔の注入を誘起し、結果的にはターン
オフ時間が極めて長くなる。そのためにＩＧＢＴでは一
般的なＭＯＳＦＥＴと比べて約１０倍の電流を流すこと
ができるが、ターンオフ時間は逆に１０倍以上長くなる
欠点を持っている。このようなＩＧＢＴをインバータ等
のスイッチング用途へ応用する場合、長いターンオフ時
間は、スイッチング周波数を高められないためその応用
範囲が限られてくる。
【０００７】前記ＩＧＢＴのターンオフ時間を改善する
方法としてキャリアライフタイムを短くする手法が提案
されている。例えば、Ａｕ、Ｐｔ等の重金属拡散法、も
しくは、中性子線、ガンマ線、電子線などの放射線を照
射する方法を使用してキャリアライフタイムを小さくす
ることができる。しかし、ターンオフ時間は改善される
が、同時に伝導度変調度合いをも低下させる結果とな
り、このＩＧＢＴの最大の利点である低オン抵抗特性が
悪化する。また、別の方法としてアノードからの正孔注
入を抑えるため、Ｐ＋アノード領域の不純物濃度を下げ
たり、Ｎ＋バッファ層の不純物濃度を上げるなどの手法
も考えられる。しかし、Ｐ＋アノード領域の不純物濃度
を下げると金属電極との接続抵抗が大きくなり、ばらつ
きも大きくなるため、この抵抗が素子のオン抵抗を悪化
させてしまう。また、Ｎ＋バッファ層については、現状
の気相成長法では不純物濃度を上げると制御性が下が
り、安定したバッファ層が形成されない。すなわち、Ｉ
ＧＢＴ製造工程での熱履歴でＮ−ドレイン層に拡散し、
最終的には不純物濃度が下がり、バッファ層が厚くなっ
て期待される効果は得られなくなる。
方法としてキャリアライフタイムを短くする手法が提案
されている。例えば、Ａｕ、Ｐｔ等の重金属拡散法、も
しくは、中性子線、ガンマ線、電子線などの放射線を照
射する方法を使用してキャリアライフタイムを小さくす
ることができる。しかし、ターンオフ時間は改善される
が、同時に伝導度変調度合いをも低下させる結果とな
り、このＩＧＢＴの最大の利点である低オン抵抗特性が
悪化する。また、別の方法としてアノードからの正孔注
入を抑えるため、Ｐ＋アノード領域の不純物濃度を下げ
たり、Ｎ＋バッファ層の不純物濃度を上げるなどの手法
も考えられる。しかし、Ｐ＋アノード領域の不純物濃度
を下げると金属電極との接続抵抗が大きくなり、ばらつ
きも大きくなるため、この抵抗が素子のオン抵抗を悪化
させてしまう。また、Ｎ＋バッファ層については、現状
の気相成長法では不純物濃度を上げると制御性が下が
り、安定したバッファ層が形成されない。すなわち、Ｉ
ＧＢＴ製造工程での熱履歴でＮ−ドレイン層に拡散し、
最終的には不純物濃度が下がり、バッファ層が厚くなっ
て期待される効果は得られなくなる。
【０００８】さらに、１２００Ｖ以上の高耐圧になると
非常に低不純物濃度（約５×１０13／ｃｍ-3）で厚い
（１００μｍ以上）Ｎ−ドレイン領域が必要となり、現
状の気相成長法では安定的に製造することは難しい。こ
の様にＮ−ドレイン領域が低濃度のＮ−半導体基板の一
方の主面に二重拡散型ＤＭＯＳ構造を形成し、もう一方
の主面に、Ｐ＋アノード領域をイオン注入で形成する構
造が、特開平２−７５６９号公報に開示されているが、
このような構造ではＰ＋アノード領域が１μｍ程度の非
常に浅い接合になるため、表面状態の影響を受け易くな
り、安定した素子特性を得ることができない。本発明
は、このような事情によりなされたものであり、オン電
圧とタ−ンオフ時間のトレ−ドオフを改善でき安定した
素子特性が得られる新規なアノード構造を有する高耐圧
半導体装置を提供する事を目的としている。
非常に低不純物濃度（約５×１０13／ｃｍ-3）で厚い
（１００μｍ以上）Ｎ−ドレイン領域が必要となり、現
状の気相成長法では安定的に製造することは難しい。こ
の様にＮ−ドレイン領域が低濃度のＮ−半導体基板の一
方の主面に二重拡散型ＤＭＯＳ構造を形成し、もう一方
の主面に、Ｐ＋アノード領域をイオン注入で形成する構
造が、特開平２−７５６９号公報に開示されているが、
このような構造ではＰ＋アノード領域が１μｍ程度の非
常に浅い接合になるため、表面状態の影響を受け易くな
り、安定した素子特性を得ることができない。本発明
は、このような事情によりなされたものであり、オン電
圧とタ−ンオフ時間のトレ−ドオフを改善でき安定した
素子特性が得られる新規なアノード構造を有する高耐圧
半導体装置を提供する事を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、低不純物濃度
の第１導電型ドレイン領域に隣接して第２導電型アノー
ド領域を備えたＩＧＢＴの前記アノード領域とこのアノ
ード領域と接する部分を含む前記ドレイン領域の一部に
重金属拡散領域を形成することを特徴とし、さらに、こ
の重金属拡散領域の形成方法として、前記アノード領域
のアノード電極が形成される表面に重金属のシリサイド
層を形成して形成することを特徴としている。すなわ
ち、本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体
基板に形成された第１導電型のドレイン領域と、前記ド
レイン領域内に形成され、前記半導体基板の第１の主面
に露出している第２導電型のベース領域と、前記ベース
領域内に形成され、前記半導体基板の前記第１の主面に
露出している第１導電型のソース領域と、前記半導体基
板の前記第１の主面上に前記ソース領域と前記ドレイン
領域に跨がり、かつ、前記ベース領域上に形成されたゲ
ート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲー
トと、前記ソース領域及び前記ベース領域上に跨がって
形成され、このソース領域とベース領域とを短絡するソ
ース電極と、前記半導体基板の第２の主面上に形成され
た半導体層に形成され、前記ドレイン領域と接している
第２導電型のアノード領域と、前記アノード領域及びこ
のアノード領域と接している部分を含んでいる前記ドレ
イン領域の一部に形成された重金属拡散領域と、前記ア
ノード領域の表面に形成された重金属のシリサイド層
と、前記重金属のシリサイド層上に形成されたアノード
電極とを備えていることを第１の特徴としている。
の第１導電型ドレイン領域に隣接して第２導電型アノー
ド領域を備えたＩＧＢＴの前記アノード領域とこのアノ
ード領域と接する部分を含む前記ドレイン領域の一部に
重金属拡散領域を形成することを特徴とし、さらに、こ
の重金属拡散領域の形成方法として、前記アノード領域
のアノード電極が形成される表面に重金属のシリサイド
層を形成して形成することを特徴としている。すなわ
ち、本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体
基板に形成された第１導電型のドレイン領域と、前記ド
レイン領域内に形成され、前記半導体基板の第１の主面
に露出している第２導電型のベース領域と、前記ベース
領域内に形成され、前記半導体基板の前記第１の主面に
露出している第１導電型のソース領域と、前記半導体基
板の前記第１の主面上に前記ソース領域と前記ドレイン
領域に跨がり、かつ、前記ベース領域上に形成されたゲ
ート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲー
トと、前記ソース領域及び前記ベース領域上に跨がって
形成され、このソース領域とベース領域とを短絡するソ
ース電極と、前記半導体基板の第２の主面上に形成され
た半導体層に形成され、前記ドレイン領域と接している
第２導電型のアノード領域と、前記アノード領域及びこ
のアノード領域と接している部分を含んでいる前記ドレ
イン領域の一部に形成された重金属拡散領域と、前記ア
ノード領域の表面に形成された重金属のシリサイド層
と、前記重金属のシリサイド層上に形成されたアノード
電極とを備えていることを第１の特徴としている。
【００１０】また、半導体基板と、前記半導体基板に形
成された第１導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領
域内に形成され、前記半導体基板の第１の主面に露出し
ている第２導電型のベース領域と、前記ベース領域内に
形成され、前記半導体基板の前記第１の主面に露出して
いる第１導電型のソース領域と、前記半導体基板の前記
第１の主面上に前記ソース領域と前記ドレイン領域に跨
がり、かつ、前記ベース領域上に形成されたゲート絶縁
膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲートと、前
記ソース領域及び前記ベース領域上に跨がって形成さ
れ、このソース領域とベース領域とを短絡するソース電
極と、前記半導体基板の第２の主面側に形成され、前記
ドレイン領域と隣接している第２導電型のアノード領域
と、前記アノード領域及びこのアノード領域と接してい
る部分を含む前記ドレイン領域の一部に形成された重金
属拡散領域と、前記アノード領域の表面に形成された重
金属のシリサイド層と、前記重金属のシリサイド層上に
形成されたアノード電極とを備えていることを第２の特
徴としている。
成された第１導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領
域内に形成され、前記半導体基板の第１の主面に露出し
ている第２導電型のベース領域と、前記ベース領域内に
形成され、前記半導体基板の前記第１の主面に露出して
いる第１導電型のソース領域と、前記半導体基板の前記
第１の主面上に前記ソース領域と前記ドレイン領域に跨
がり、かつ、前記ベース領域上に形成されたゲート絶縁
膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲートと、前
記ソース領域及び前記ベース領域上に跨がって形成さ
れ、このソース領域とベース領域とを短絡するソース電
極と、前記半導体基板の第２の主面側に形成され、前記
ドレイン領域と隣接している第２導電型のアノード領域
と、前記アノード領域及びこのアノード領域と接してい
る部分を含む前記ドレイン領域の一部に形成された重金
属拡散領域と、前記アノード領域の表面に形成された重
金属のシリサイド層と、前記重金属のシリサイド層上に
形成されたアノード電極とを備えていることを第２の特
徴としている。
【００１１】さらに、本発明の半導体装置の製造方法
は、第１導電型のドレイン領域となる半導体基板内に、
この半導体基板の第１の主面に露出している第２導電型
のベース領域を形成する工程と、前記ベース領域内に、
前記半導体基板の第１の主面に露出している第１導電型
のソース領域を形成する工程と、前記半導体基板の第１
の主面上において、前記ソース領域と前記ドレイン領域
に跨がり、かつ、前記ベース領域の上にゲート絶縁膜を
形成する工程と、前記ソース領域と前記ドレイン領域に
跨がり、かつ、前記ベース領域上に、前記ゲート絶縁膜
を介してゲートを形成する工程と、前記半導体基板の第
２の主面に第２導電型のアノード領域を気相成長により
形成する工程と、前記アノード領域上に重金属のシリサ
イド層を形成する工程と、前記シリサイド層を加熱処理
することにより、重金属を拡散させて前記アノード領域
及びこのアノード領域と接している部分を含む前記ドレ
イン領域の一部に重金属拡散領域を形成する工程と、前
記シリサイド層の上にアノード電極を形成する工程とを
備えていることを第１の特徴としている。また、第１導
電型のドレイン領域となる半導体基板内に、この半導体
基板の第１の主面に露出している第２導電型のベース領
域を形成する工程と、前記ベース領域内に前記半導体基
板の第１の主面に露出している第１導電型のソース領域
を形成する工程と、前記半導体基板の第１の主面上にお
いて、前記ソース領域と前記ドレイン領域に跨がり、前
記ベース領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記
ソース領域と前記ドレイン領域に跨がり、前記ベース領
域上に、前記ゲート絶縁膜を介してゲートを形成する工
程と、前記半導体基板の第２の主面に不純物を拡散し
て、前記ドレイン領域上に第２導電型の低不純物濃度ア
ノード領域を形成する工程と、前記低不純物濃度アノー
ド領域の上に多結晶シリコンからなる高不純物濃度アノ
ード領域を形成する工程とを備えていることを第２の特
徴としている。
は、第１導電型のドレイン領域となる半導体基板内に、
この半導体基板の第１の主面に露出している第２導電型
のベース領域を形成する工程と、前記ベース領域内に、
前記半導体基板の第１の主面に露出している第１導電型
のソース領域を形成する工程と、前記半導体基板の第１
の主面上において、前記ソース領域と前記ドレイン領域
に跨がり、かつ、前記ベース領域の上にゲート絶縁膜を
形成する工程と、前記ソース領域と前記ドレイン領域に
跨がり、かつ、前記ベース領域上に、前記ゲート絶縁膜
を介してゲートを形成する工程と、前記半導体基板の第
２の主面に第２導電型のアノード領域を気相成長により
形成する工程と、前記アノード領域上に重金属のシリサ
イド層を形成する工程と、前記シリサイド層を加熱処理
することにより、重金属を拡散させて前記アノード領域
及びこのアノード領域と接している部分を含む前記ドレ
イン領域の一部に重金属拡散領域を形成する工程と、前
記シリサイド層の上にアノード電極を形成する工程とを
備えていることを第１の特徴としている。また、第１導
電型のドレイン領域となる半導体基板内に、この半導体
基板の第１の主面に露出している第２導電型のベース領
域を形成する工程と、前記ベース領域内に前記半導体基
板の第１の主面に露出している第１導電型のソース領域
を形成する工程と、前記半導体基板の第１の主面上にお
いて、前記ソース領域と前記ドレイン領域に跨がり、前
記ベース領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記
ソース領域と前記ドレイン領域に跨がり、前記ベース領
域上に、前記ゲート絶縁膜を介してゲートを形成する工
程と、前記半導体基板の第２の主面に不純物を拡散し
て、前記ドレイン領域上に第２導電型の低不純物濃度ア
ノード領域を形成する工程と、前記低不純物濃度アノー
ド領域の上に多結晶シリコンからなる高不純物濃度アノ
ード領域を形成する工程とを備えていることを第２の特
徴としている。
【００１２】
【作用】ドレイン領域内の一部に形成され、アノード領
域に隣接している重金属拡散領域は、ドレイン領域のキ
ャリアライフタイムを短くしてホールの注入量を適正化
すると共にスイッチングオフ時にドレイン領域に存在す
る電子がアノード領域を通過するときに発生するときに
発生する新たなホールの注入を抑制できる。アノード電
極とアノード領域との間に形成される重金属のシリサイ
ド層は、重金属拡散領域を形成するときの重金属の供給
源になると共にアノード電極のアノード領域へのオーミ
ックコンタクトを確実にする。
域に隣接している重金属拡散領域は、ドレイン領域のキ
ャリアライフタイムを短くしてホールの注入量を適正化
すると共にスイッチングオフ時にドレイン領域に存在す
る電子がアノード領域を通過するときに発生するときに
発生する新たなホールの注入を抑制できる。アノード電
極とアノード領域との間に形成される重金属のシリサイ
ド層は、重金属拡散領域を形成するときの重金属の供給
源になると共にアノード電極のアノード領域へのオーミ
ックコンタクトを確実にする。
【００１３】
【実施例】図１乃至図４を参照して本発明の第１の実施
例のＮチャネル型ＩＧＢＴを説明する。図１は、ＩＧＢ
Ｔの１素子を示す断面図であり、図２及び図３は、その
製造工程断面図、図４は、ＩＧＢＴの平面図である。ウ
ェーハは、Ｎ−シリコン半導体基板１からなるＮ−ドレ
イン領域１２と気相成長法により形成した半導体層２か
らなるＰ型アノード領域１１とから構成されている。ウ
ェーハの厚さは２５０〜３００μｍ程度であり、そのう
ち、Ｐ型アノード領域１１は約１０μｍの厚さがある。
Ｎ−ドレイン領域１２中には、ウェ−ハの第１の主面で
もある前記半導体基板１の第１の主面に隣接して１対の
Ｐ型ベース領域１３が形成され、更にこのＰ型ベース領
域１３中には、やはり前記第１の主面に隣接してＮ＋ソ
ース領域１４が、周知の不純物拡散方法により形成され
ている。第１の主面上には、薄いゲート酸化膜１５を介
して多結晶シリコンゲート１６が配設されている。この
多結晶シリコンゲート１６は、向い合うベース領域１３
及びその中のソース領域１４との間を跨ぐように配置さ
れている。多結晶シリコンゲート１６に接続して金属ゲ
ート電極１８が形成され、ソース領域１４とベース領域
１３とを短絡するように金属ソース電極１７が前記第１
の主面上に設けられている。
例のＮチャネル型ＩＧＢＴを説明する。図１は、ＩＧＢ
Ｔの１素子を示す断面図であり、図２及び図３は、その
製造工程断面図、図４は、ＩＧＢＴの平面図である。ウ
ェーハは、Ｎ−シリコン半導体基板１からなるＮ−ドレ
イン領域１２と気相成長法により形成した半導体層２か
らなるＰ型アノード領域１１とから構成されている。ウ
ェーハの厚さは２５０〜３００μｍ程度であり、そのう
ち、Ｐ型アノード領域１１は約１０μｍの厚さがある。
Ｎ−ドレイン領域１２中には、ウェ−ハの第１の主面で
もある前記半導体基板１の第１の主面に隣接して１対の
Ｐ型ベース領域１３が形成され、更にこのＰ型ベース領
域１３中には、やはり前記第１の主面に隣接してＮ＋ソ
ース領域１４が、周知の不純物拡散方法により形成され
ている。第１の主面上には、薄いゲート酸化膜１５を介
して多結晶シリコンゲート１６が配設されている。この
多結晶シリコンゲート１６は、向い合うベース領域１３
及びその中のソース領域１４との間を跨ぐように配置さ
れている。多結晶シリコンゲート１６に接続して金属ゲ
ート電極１８が形成され、ソース領域１４とベース領域
１３とを短絡するように金属ソース電極１７が前記第１
の主面上に設けられている。
【００１４】前記第１の主面上のゲート酸化膜１５は、
ＳｉＯ2 などの絶縁膜２２によって被覆されている。一
方、半導体基板１の第２の主面上には、不純物濃度が１
×１０18〜１×１０20ｃｍ-3程度のＰ型アノード領域１
１のエピタキシャル気相成長層が形成されている。そし
て、この気相成長層の表面に本発明の特徴であるＡｕや
Ｐｔなどの重金属のシリサイド層、例えば、Ａｕのシリ
サイド層２１が形成されている。このシリサイド層２１
の厚さは、１μｍ程度以下であり、０．０１〜０．１μ
ｍ程度が最も適当である。Ｎ−ドレイン領域１２の不純
物濃度は、１×１０13〜１×１０14ｃｍ-3程度である。
シリサイド層の上にニッケル層などを含む金属アノード
電極１９が形成される。このように、前記シリサイド層
２１を形成することにより、金属アノード電極１９との
コンタクトを良好にすることができる。また、Ｐ型アノ
ード領域１１の全域及びこのＰ型アノード領域に隣接し
た部分を含むドレイン領域１２の一部に重金属拡散領域
２４を形成する。重金属拡散領域２４のドレイン領域１
２内の厚さはアノード領域の厚さと同程度で良く、この
実施例のようにアノード領域１１が約１０μｍである場
合は、重金属拡散領域２４の厚さもやはり約１０μｍに
してある。
ＳｉＯ2 などの絶縁膜２２によって被覆されている。一
方、半導体基板１の第２の主面上には、不純物濃度が１
×１０18〜１×１０20ｃｍ-3程度のＰ型アノード領域１
１のエピタキシャル気相成長層が形成されている。そし
て、この気相成長層の表面に本発明の特徴であるＡｕや
Ｐｔなどの重金属のシリサイド層、例えば、Ａｕのシリ
サイド層２１が形成されている。このシリサイド層２１
の厚さは、１μｍ程度以下であり、０．０１〜０．１μ
ｍ程度が最も適当である。Ｎ−ドレイン領域１２の不純
物濃度は、１×１０13〜１×１０14ｃｍ-3程度である。
シリサイド層の上にニッケル層などを含む金属アノード
電極１９が形成される。このように、前記シリサイド層
２１を形成することにより、金属アノード電極１９との
コンタクトを良好にすることができる。また、Ｐ型アノ
ード領域１１の全域及びこのＰ型アノード領域に隣接し
た部分を含むドレイン領域１２の一部に重金属拡散領域
２４を形成する。重金属拡散領域２４のドレイン領域１
２内の厚さはアノード領域の厚さと同程度で良く、この
実施例のようにアノード領域１１が約１０μｍである場
合は、重金属拡散領域２４の厚さもやはり約１０μｍに
してある。
【００１５】この様に、本発明では、Ｐ型アノード領域
１１と、ドレイン領域１２の前記Ｐ型アノード領域１１
に隣接した部分にＡｕなどの重金属拡散領域２４を設け
ているので、この領域のライフタイムが短く、Ｐ型アノ
ード領域１１の不純物濃度が高い場合でもこのアノード
領域からのホールの注入は殆ど起こらず、ホールの注入
量は最小に抑えられ、オフ時の再注入も起こりにくい。
Ｎ−ドレイン領域１２のキャリアライフタイムが長いま
までも、正孔の注入量を少なく抑えられるために良好な
高速スイッチング特性が得られる。Ｎ−ドレイン領域１
２でのキャリアライフタイムが長く、再結合中心が少な
いためにＰ型アノード領域１１から注入された正孔は効
率良く伝導度変調に寄与するためにオン電圧も低くな
り、低オン電圧特性と高速スイッチング特性を兼ね備え
たＩＧＢＴを提供できる。図４は、図１の電極部分を省
略した平面図（この図のＡ−Ａ′部の断面図が図１であ
る）であるが、ここには、前記ＩＧＢＴを構成する複数
の素子が形成されたウェーハの一部が示されている。ウ
ェーハは、このＩＧＢＴが形成されたチップ毎に分離切
断されて製品化される。このチップを適宜組合わせて、
例えば、インバ−タを形成する。図の点線で示される範
囲Ｄはこれら素子の１素子分を表わしている。すなわ
ち、１つのゲート１６に２つの素子が形成されている。
１１と、ドレイン領域１２の前記Ｐ型アノード領域１１
に隣接した部分にＡｕなどの重金属拡散領域２４を設け
ているので、この領域のライフタイムが短く、Ｐ型アノ
ード領域１１の不純物濃度が高い場合でもこのアノード
領域からのホールの注入は殆ど起こらず、ホールの注入
量は最小に抑えられ、オフ時の再注入も起こりにくい。
Ｎ−ドレイン領域１２のキャリアライフタイムが長いま
までも、正孔の注入量を少なく抑えられるために良好な
高速スイッチング特性が得られる。Ｎ−ドレイン領域１
２でのキャリアライフタイムが長く、再結合中心が少な
いためにＰ型アノード領域１１から注入された正孔は効
率良く伝導度変調に寄与するためにオン電圧も低くな
り、低オン電圧特性と高速スイッチング特性を兼ね備え
たＩＧＢＴを提供できる。図４は、図１の電極部分を省
略した平面図（この図のＡ−Ａ′部の断面図が図１であ
る）であるが、ここには、前記ＩＧＢＴを構成する複数
の素子が形成されたウェーハの一部が示されている。ウ
ェーハは、このＩＧＢＴが形成されたチップ毎に分離切
断されて製品化される。このチップを適宜組合わせて、
例えば、インバ−タを形成する。図の点線で示される範
囲Ｄはこれら素子の１素子分を表わしている。すなわ
ち、１つのゲート１６に２つの素子が形成されている。
【００１６】複数のゲート１６は、１つに接続され、こ
れらを接続する接続配線は、絶縁膜を介して半導体基板
１の上に形成され、ベース領域１３とソース領域１４と
を短絡して形成された金属ソース電極１７も、図示はし
ないが、各素子に共通に絶縁膜を介して半導体基板１の
上に形成されている。この金属ソース電極１７は、これ
ら素子の上に絶縁膜を介して形成されている。金属ソー
ス電極１７は、素子部の大半を占め、前記接続配線は、
全ゲートの内の幾つかのゲートをまとめ、これを１つの
配線とし、これらを幾つか形成してなるので、この接続
配線が素子部上に占める割合は、前記金属ソース電極１
７よりかなり小さい。
れらを接続する接続配線は、絶縁膜を介して半導体基板
１の上に形成され、ベース領域１３とソース領域１４と
を短絡して形成された金属ソース電極１７も、図示はし
ないが、各素子に共通に絶縁膜を介して半導体基板１の
上に形成されている。この金属ソース電極１７は、これ
ら素子の上に絶縁膜を介して形成されている。金属ソー
ス電極１７は、素子部の大半を占め、前記接続配線は、
全ゲートの内の幾つかのゲートをまとめ、これを１つの
配線とし、これらを幾つか形成してなるので、この接続
配線が素子部上に占める割合は、前記金属ソース電極１
７よりかなり小さい。
【００１７】ついで、図２及び図３を参照して第１の実
施例の製造方法を説明する。まず、リン等のＮ型不純物
をドープしたＮ−シリコン半導体基板１の第２の主面４
に１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3程度のボロンをドーピ
ングしたＰ型アノード領域１１となるシリコン半導体層
２をエピタキシャル気相成長法により約１０μｍ堆積す
る。次に、Ｎ−ドレイン領域１２となる半導体基板１の
厚さを調整するために、半導体基板１の第１の主面３を
鏡面研磨して半導体基板１と半導体層２とから構成され
るウェ−ハを形成する。その後、前記第１の主面３のＮ
−ドレイン領域１２上全面にシリコン酸化膜１５を形成
し、この酸化膜１５上に多結晶シリコン膜１６を形成す
る。これらの酸化膜１５、多結晶シリコン膜１６をパタ
ーニングして、ゲート酸化膜１５、ゲート１６を形成
し、このゲート１６をマスクにして、ボロン等のＰ型不
純物を、例えは、イオン注入法によりドープし、拡散す
ることによって前記第１の主面に露出するＰ型ベース領
域１３を選択的に形成する。ベース領域１３は、ゲート
１６の両端に向い合うように１対形成され、その間の領
域の上にゲート１６が配置されることになる。
施例の製造方法を説明する。まず、リン等のＮ型不純物
をドープしたＮ−シリコン半導体基板１の第２の主面４
に１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3程度のボロンをドーピ
ングしたＰ型アノード領域１１となるシリコン半導体層
２をエピタキシャル気相成長法により約１０μｍ堆積す
る。次に、Ｎ−ドレイン領域１２となる半導体基板１の
厚さを調整するために、半導体基板１の第１の主面３を
鏡面研磨して半導体基板１と半導体層２とから構成され
るウェ−ハを形成する。その後、前記第１の主面３のＮ
−ドレイン領域１２上全面にシリコン酸化膜１５を形成
し、この酸化膜１５上に多結晶シリコン膜１６を形成す
る。これらの酸化膜１５、多結晶シリコン膜１６をパタ
ーニングして、ゲート酸化膜１５、ゲート１６を形成
し、このゲート１６をマスクにして、ボロン等のＰ型不
純物を、例えは、イオン注入法によりドープし、拡散す
ることによって前記第１の主面に露出するＰ型ベース領
域１３を選択的に形成する。ベース領域１３は、ゲート
１６の両端に向い合うように１対形成され、その間の領
域の上にゲート１６が配置されることになる。
【００１８】さらに、Ｐ型ベース領域１３内にゲート１
６や選択的に形成した、例えば、レジストや熱酸化膜な
どの絶縁膜をマスクにして砒素、リン等のＮ型不純物
を、例えば、イオン注入によってドープし、拡散して前
記第１の主面に露出するＮ型ソース領域１４を形成す
る。このＮ型ソース領域１４は、ゲート１６の両端に向
い合うように前記ベース領域内に１対形成され、その間
の領域の上にゲート１６が配置されることになる。次
に、半導体基板１の第１の主面３の全面及び第２の主面
４上に形成された半導体層２の露出面の全面に、例え
ば、シリコン酸化膜などからなる絶縁膜２２、２３を形
成する。その後、半導体層２のＰ型アノード領域１１側
の絶縁膜２３を除去し、Ａｕなどの重金属層を真空蒸着
やスパッタリング法などにより形成した後、約４００〜
６００℃の温度で熱処理を行い、Ａｕなどのシリサイド
層２１を形成する。その後約５００〜８００℃の温度で
シリサイド層２１を熱処理してシリサイド層２１内の重
金属をアノード領域１１に拡散し、アノード領域１１表
面からこの領域を含んで、この領域に隣接するドレイン
領域の一部にまで延在する重金属拡散領域２４を形成す
る。次に、反対側の前記第１の主面の絶縁膜２２を選択
的に除去して、Ｐ型ベース領域１３、Ｎ型ソース領域１
４、ゲート１６を部分的に露出する。
６や選択的に形成した、例えば、レジストや熱酸化膜な
どの絶縁膜をマスクにして砒素、リン等のＮ型不純物
を、例えば、イオン注入によってドープし、拡散して前
記第１の主面に露出するＮ型ソース領域１４を形成す
る。このＮ型ソース領域１４は、ゲート１６の両端に向
い合うように前記ベース領域内に１対形成され、その間
の領域の上にゲート１６が配置されることになる。次
に、半導体基板１の第１の主面３の全面及び第２の主面
４上に形成された半導体層２の露出面の全面に、例え
ば、シリコン酸化膜などからなる絶縁膜２２、２３を形
成する。その後、半導体層２のＰ型アノード領域１１側
の絶縁膜２３を除去し、Ａｕなどの重金属層を真空蒸着
やスパッタリング法などにより形成した後、約４００〜
６００℃の温度で熱処理を行い、Ａｕなどのシリサイド
層２１を形成する。その後約５００〜８００℃の温度で
シリサイド層２１を熱処理してシリサイド層２１内の重
金属をアノード領域１１に拡散し、アノード領域１１表
面からこの領域を含んで、この領域に隣接するドレイン
領域の一部にまで延在する重金属拡散領域２４を形成す
る。次に、反対側の前記第１の主面の絶縁膜２２を選択
的に除去して、Ｐ型ベース領域１３、Ｎ型ソース領域１
４、ゲート１６を部分的に露出する。
【００１９】そして、Ａｌ等の金属を全面に形成した後
パターニングし、金属ゲート電極１８及び金属ソース電
極１７を形成する。また、アノード領域側にはＮｉ層な
どを含む金属膜を積層し、これをアノード電極１９とす
る。この後、所定の大きさに分離切断されてチップが完
成する。このチップには、前述した素子が複数形成され
ているものであり、同じ形状の素子が繰り返し形成され
ている。図１には、４素子が形成されている。多数の素
子を同時に形成するには、図４に示すように、Ｎ−ドレ
イン領域１１に、複数のＰ型ベース領域１３を形成す
る。ついで、各Ｐ型ベース領域１３には、それぞれ１対
のＮ＋ソース領域１４が形成される。そして、隣接する
２つのベース領域１３間の領域上にゲート１６を形成す
る。ゲート１６は、この領域は勿論、前記隣接する２つ
のベース領域１３の互いに向い合う端部やこの２つのベ
ース領域のそれぞれに形成されたソース領域１４の互い
に向い合う端部を被覆している。ゲート１６は、全ての
隣接するベース領域１３間の上に形成しているが、各ゲ
ート１６は、他の領域へ延在しており、そこで１つに結
合している。
パターニングし、金属ゲート電極１８及び金属ソース電
極１７を形成する。また、アノード領域側にはＮｉ層な
どを含む金属膜を積層し、これをアノード電極１９とす
る。この後、所定の大きさに分離切断されてチップが完
成する。このチップには、前述した素子が複数形成され
ているものであり、同じ形状の素子が繰り返し形成され
ている。図１には、４素子が形成されている。多数の素
子を同時に形成するには、図４に示すように、Ｎ−ドレ
イン領域１１に、複数のＰ型ベース領域１３を形成す
る。ついで、各Ｐ型ベース領域１３には、それぞれ１対
のＮ＋ソース領域１４が形成される。そして、隣接する
２つのベース領域１３間の領域上にゲート１６を形成す
る。ゲート１６は、この領域は勿論、前記隣接する２つ
のベース領域１３の互いに向い合う端部やこの２つのベ
ース領域のそれぞれに形成されたソース領域１４の互い
に向い合う端部を被覆している。ゲート１６は、全ての
隣接するベース領域１３間の上に形成しているが、各ゲ
ート１６は、他の領域へ延在しており、そこで１つに結
合している。
【００２０】以上のように、従来は、ドレイン領域を気
相成長で形成していたので、現在の気相成長法では量産
が不可能なほど低い不純物濃度であり、また、厚くもあ
るドレイン領域を有する高耐圧ＩＧＢＴを形成すること
は不可能であった。本発明では、この実施例で説明した
ように、ドレイン領域をシリコン単結晶より切り出した
半導体基板で形成するので、不純物濃度や各領域の厚さ
を自由に設計でき、１７００Ｖに達する高耐圧のものが
得られる。さらに、ウェ−ハコストも気相成長法では成
長させる厚さに比例して上昇するが、本発明では、あま
り厚くする必要のないアノード領域に気相成長法を適用
するために、例えば、ドレイン領域に１００μｍ程度の
厚さが必要な１２００Ｖ系では、従来に比べて２分の１
以下のコストで実現できる。
相成長で形成していたので、現在の気相成長法では量産
が不可能なほど低い不純物濃度であり、また、厚くもあ
るドレイン領域を有する高耐圧ＩＧＢＴを形成すること
は不可能であった。本発明では、この実施例で説明した
ように、ドレイン領域をシリコン単結晶より切り出した
半導体基板で形成するので、不純物濃度や各領域の厚さ
を自由に設計でき、１７００Ｖに達する高耐圧のものが
得られる。さらに、ウェ−ハコストも気相成長法では成
長させる厚さに比例して上昇するが、本発明では、あま
り厚くする必要のないアノード領域に気相成長法を適用
するために、例えば、ドレイン領域に１００μｍ程度の
厚さが必要な１２００Ｖ系では、従来に比べて２分の１
以下のコストで実現できる。
【００２１】次に、図５を参照して第２の実施例を説明
する。この実施例は、エピタキシャル気相成長法により
形成するシリコン半導体層は利用しない。まず、Ｎ−シ
リコン半導体基板１の第２の主面からその内部に、例え
ば、ボロンをイオン注入し、約１１００℃で１０時間程
度熱拡散処理して、前記第２の主面からの深さが約１０
μｍで不純物濃度が１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3程度
のＰ型アノード領域１１を形成する。他の領域は、Ｎ−
ドレイン領域１２として用いられる。この第２の主面の
上に、さらに、約０．１μｍ程度のＡｕ層をスパッタリ
ングなどにより形成し、これを熱処理してシリサイド層
２１を形成する。Ｎ−ドレイン領域１２には、半導体基
板１の第１の主面に隣接して、Ｐ型ベース領域１３及び
Ｎ＋ソース領域１４が形成されており、その第１の主面
上には、ゲート酸化膜１５を介して多結晶シリコンゲー
ト１６が形成されている。この実施例では、気相成長を
利用しないので、１２００Ｖ以上の高耐圧ＩＧＢＴを容
易にしかも安定的に製造することができる。前記シリサ
イド層２１の上には、例えば、Ｎｉ層などを含む金属ア
ノード電極１９を形成する。
する。この実施例は、エピタキシャル気相成長法により
形成するシリコン半導体層は利用しない。まず、Ｎ−シ
リコン半導体基板１の第２の主面からその内部に、例え
ば、ボロンをイオン注入し、約１１００℃で１０時間程
度熱拡散処理して、前記第２の主面からの深さが約１０
μｍで不純物濃度が１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3程度
のＰ型アノード領域１１を形成する。他の領域は、Ｎ−
ドレイン領域１２として用いられる。この第２の主面の
上に、さらに、約０．１μｍ程度のＡｕ層をスパッタリ
ングなどにより形成し、これを熱処理してシリサイド層
２１を形成する。Ｎ−ドレイン領域１２には、半導体基
板１の第１の主面に隣接して、Ｐ型ベース領域１３及び
Ｎ＋ソース領域１４が形成されており、その第１の主面
上には、ゲート酸化膜１５を介して多結晶シリコンゲー
ト１６が形成されている。この実施例では、気相成長を
利用しないので、１２００Ｖ以上の高耐圧ＩＧＢＴを容
易にしかも安定的に製造することができる。前記シリサ
イド層２１の上には、例えば、Ｎｉ層などを含む金属ア
ノード電極１９を形成する。
【００２２】次ぎに、図６を参照して第３の実施例を説
明する。図は、半導体基板の断面図を示している。この
実施例では、Ｎ−シリコン半導体基板２５とＰ型シリコ
ン半導体基板２６とを張合わせることによって、ウェー
ハを形成することに特徴がある。Ｎ−シリコン半導体基
板２５とＰ型シリコン半導体基板２６の向い合ういずれ
か１つの面もしくは両方の面を鏡面研磨して鏡面を形成
する。両半導体基板の鏡面同志を重ね合わせ、約１１０
０℃で約１時間熱処理して両者を接合する。この接合に
より両者の結晶格子は、ほぼ一致する。Ｎ−半導体基板
２５を約２００〜２５０μｍになるまで鏡面研磨してＮ
−ドレイン領域１２を形成し、続いて、Ｐ型半導体基板
２６を鏡面研磨して厚さ１０μｍ程度のＰ型アノード領
域１１を形成する。その後、Ｐ型アノード領域１１の上
にＡｕ層を堆積してからこれを熱処理し、Ａｕのシリサ
イド層２１を形成する。さらに、シリサイド層２１を約
５００〜８００℃程度で熱処理して、シリサイド層２１
のＡｕを半導体基板１に拡散し、アノード領域１１表面
からこの領域を含んで、この領域に隣接するドレイン領
域の一部にまで延在する重金属拡散領域２４を形成す
る。ゲート、ソース領域、これらの金属電極、ドレイン
領域、ベース領域などのＩＧＢＴとしての他の構成要素
は、前述した第１の実施例と同じ構成を有している。こ
の実施例では、気相成長法を用いないので、製造工程が
簡単になる上、各領域の不純物濃度の調整が容易にな
る。
明する。図は、半導体基板の断面図を示している。この
実施例では、Ｎ−シリコン半導体基板２５とＰ型シリコ
ン半導体基板２６とを張合わせることによって、ウェー
ハを形成することに特徴がある。Ｎ−シリコン半導体基
板２５とＰ型シリコン半導体基板２６の向い合ういずれ
か１つの面もしくは両方の面を鏡面研磨して鏡面を形成
する。両半導体基板の鏡面同志を重ね合わせ、約１１０
０℃で約１時間熱処理して両者を接合する。この接合に
より両者の結晶格子は、ほぼ一致する。Ｎ−半導体基板
２５を約２００〜２５０μｍになるまで鏡面研磨してＮ
−ドレイン領域１２を形成し、続いて、Ｐ型半導体基板
２６を鏡面研磨して厚さ１０μｍ程度のＰ型アノード領
域１１を形成する。その後、Ｐ型アノード領域１１の上
にＡｕ層を堆積してからこれを熱処理し、Ａｕのシリサ
イド層２１を形成する。さらに、シリサイド層２１を約
５００〜８００℃程度で熱処理して、シリサイド層２１
のＡｕを半導体基板１に拡散し、アノード領域１１表面
からこの領域を含んで、この領域に隣接するドレイン領
域の一部にまで延在する重金属拡散領域２４を形成す
る。ゲート、ソース領域、これらの金属電極、ドレイン
領域、ベース領域などのＩＧＢＴとしての他の構成要素
は、前述した第１の実施例と同じ構成を有している。こ
の実施例では、気相成長法を用いないので、製造工程が
簡単になる上、各領域の不純物濃度の調整が容易にな
る。
【００２３】次ぎに、図７を参照して第４の実施例を説
明する。図は、Ｎ−ドレイン領域１２と、Ｐ型アノード
領域１１との間にＮ＋バッファ層２０が形成されている
ＩＧＢＴを部分的に示す断面図である。Ｎ−ドレイン領
域１２は、Ｎ−シリコン半導体基板１に形成されてい
る。そして、Ｎ＋バッファ層２０およびＰ型アノード領
域１１は、気相成長法により、順次Ｎ−ドレイン領域１
２上に形成される。Ｎ＋バッファ層２０は、アノード領
域からの正孔の流入を抑えると共にＮ−ドレイン領域１
２の表面から拡がる空乏層を抑えるので、Ｎ−ドレイン
領域１２を薄くする事ができ、タ−ンオフ時間が改善さ
れる。また、Ｐ型アノード領域１１の不純物濃度を多少
上げても素子の特性には格別の変化は認められないの
で、製造上でも有利になる。このＮ＋バッファ層２０
は、この実施例では、気相成長法を用いたが、他の方法
でも形成することができる。例えば、Ｎ−シリコン半導
体基板１のＰ型ベース領域１３やＮ＋ソース領域１４が
形成されていない方の主面に不純物をイオン注入し、そ
の後、熱処理を行ってＮ＋バッファ層２０を形成し、続
いてＰ型アノード領域１１を形成する。次に、Ｐ型アノ
ード領域１１の上にＡｕ層を堆積してからこれを熱処理
し、Ａｕのシリサイド層２１を形成する。さらに、シリ
サイド層２１を約５００〜８００℃程度で熱処理して、
シリサイド層２１のＡｕを半導体基板１に拡散しアノー
ド領域１１表面からこの領域を含んで、Ｎ＋バッファ層
２０及びこのバッファ層に隣接するドレイン領域の一部
にまで延在する重金属拡散領域２４を形成する。
明する。図は、Ｎ−ドレイン領域１２と、Ｐ型アノード
領域１１との間にＮ＋バッファ層２０が形成されている
ＩＧＢＴを部分的に示す断面図である。Ｎ−ドレイン領
域１２は、Ｎ−シリコン半導体基板１に形成されてい
る。そして、Ｎ＋バッファ層２０およびＰ型アノード領
域１１は、気相成長法により、順次Ｎ−ドレイン領域１
２上に形成される。Ｎ＋バッファ層２０は、アノード領
域からの正孔の流入を抑えると共にＮ−ドレイン領域１
２の表面から拡がる空乏層を抑えるので、Ｎ−ドレイン
領域１２を薄くする事ができ、タ−ンオフ時間が改善さ
れる。また、Ｐ型アノード領域１１の不純物濃度を多少
上げても素子の特性には格別の変化は認められないの
で、製造上でも有利になる。このＮ＋バッファ層２０
は、この実施例では、気相成長法を用いたが、他の方法
でも形成することができる。例えば、Ｎ−シリコン半導
体基板１のＰ型ベース領域１３やＮ＋ソース領域１４が
形成されていない方の主面に不純物をイオン注入し、そ
の後、熱処理を行ってＮ＋バッファ層２０を形成し、続
いてＰ型アノード領域１１を形成する。次に、Ｐ型アノ
ード領域１１の上にＡｕ層を堆積してからこれを熱処理
し、Ａｕのシリサイド層２１を形成する。さらに、シリ
サイド層２１を約５００〜８００℃程度で熱処理して、
シリサイド層２１のＡｕを半導体基板１に拡散しアノー
ド領域１１表面からこの領域を含んで、Ｎ＋バッファ層
２０及びこのバッファ層に隣接するドレイン領域の一部
にまで延在する重金属拡散領域２４を形成する。
【００２４】次に、図８及至図１０を参照して本発明の
半導体装置の特性を説明する。図８は、６００Ｖの電圧
を印加して半導体装置をターンオフしたときの本発明と
従来例の電圧、電流及びターンオフロスの時間依存性を
示す特性図である。横軸に、時間（ｎｓ）、縦軸に電流
（Ａ）、電圧（Ｖ）及びターンオフロス（電流電圧の積
分値）を示す。本発明の電圧、電流、ターンオフ特性
は、それぞれ、曲線Ａ、Ｂ、Ｃで表わし、従来例の電
圧、電流、ターンオフ特性は、曲線Ａ′、Ｂ′、Ｃ′で
表わされる。図９は、本発明及び従来例のターンオン特
性を示す特性図であり、横軸にオン電圧（Ｖ）、縦軸に
アノード電流（Ａ）を示す。本発明は、曲線Ｄ、従来例
は、曲線Ｄ′に示す。本発明では、部分的に形成された
重金属拡散領域の存在によりアノード領域１１とこのア
ノード領域近傍のドレイン領域のキャリアライフタイム
が短いため、アノード領域の不純物濃度が高い場合でも
アノード領域からのホールの注入は殆ど起こらない。そ
の結果、ホールの注入量は、少なく抑えられ、オフ時の
再注入も起こりにくいため、図８に示すように、フォー
ルタイムが短く、テール電流も小さくなり、低ターンオ
フロス特性が得られる。また、ドレイン領域のキャリア
ライフタイムが長く、再結合中心が少ないのでアノード
領域から注入されたホールは効率良く伝導度変調に寄与
する。
半導体装置の特性を説明する。図８は、６００Ｖの電圧
を印加して半導体装置をターンオフしたときの本発明と
従来例の電圧、電流及びターンオフロスの時間依存性を
示す特性図である。横軸に、時間（ｎｓ）、縦軸に電流
（Ａ）、電圧（Ｖ）及びターンオフロス（電流電圧の積
分値）を示す。本発明の電圧、電流、ターンオフ特性
は、それぞれ、曲線Ａ、Ｂ、Ｃで表わし、従来例の電
圧、電流、ターンオフ特性は、曲線Ａ′、Ｂ′、Ｃ′で
表わされる。図９は、本発明及び従来例のターンオン特
性を示す特性図であり、横軸にオン電圧（Ｖ）、縦軸に
アノード電流（Ａ）を示す。本発明は、曲線Ｄ、従来例
は、曲線Ｄ′に示す。本発明では、部分的に形成された
重金属拡散領域の存在によりアノード領域１１とこのア
ノード領域近傍のドレイン領域のキャリアライフタイム
が短いため、アノード領域の不純物濃度が高い場合でも
アノード領域からのホールの注入は殆ど起こらない。そ
の結果、ホールの注入量は、少なく抑えられ、オフ時の
再注入も起こりにくいため、図８に示すように、フォー
ルタイムが短く、テール電流も小さくなり、低ターンオ
フロス特性が得られる。また、ドレイン領域のキャリア
ライフタイムが長く、再結合中心が少ないのでアノード
領域から注入されたホールは効率良く伝導度変調に寄与
する。
【００２５】その結果、図９に示すような低オン電圧特
性がえられる。図１０は、図１などに示すシリサイド層
２１の重金属を拡散させて重金属拡散領域２４を形成す
る際の拡散温度（約５００〜８００℃）の変化に伴う特
性の変化を示す温度曲線を記載した特性図であり、縦軸
にオン電圧（Ｖ）、横軸にターンオフ時間（μｓ）を示
す。拡散時間は、各拡散温度とも約６０分である。拡散
温度を高くするとオン電圧が上がるが、ターンオフ時間
が短くなる。逆に低くすると、オン電圧は下がるが、タ
ーンオフ時間が長くなってしまう。したがって、この拡
散温度を調整するとターンオフ時間及びオン電圧をこの
拡散温度に沿って所望の値を設定することができる。以
上、前述の実施例では、ＮチャネルＩＧＢＴについて説
明したが、本発明では、ＰチャネルＩＧＢＴを用いるこ
ともできる。ウェーハのコストは、気相成長法で成長さ
せる厚さに比例して上昇するが、本発明では、あまり気
相成長法による半導体層を厚くする必要がないために、
１００μｍの厚さが必要な１２００Ｖ系では２分の１以
下のコストで実現する。本発明に用いるアノード電極１
９の材料は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏなどを
用いる。また、ゲート材料は、多結晶シリコンに限ら
ず、シリサイドでも良いし、ポリサイドでも良い。
性がえられる。図１０は、図１などに示すシリサイド層
２１の重金属を拡散させて重金属拡散領域２４を形成す
る際の拡散温度（約５００〜８００℃）の変化に伴う特
性の変化を示す温度曲線を記載した特性図であり、縦軸
にオン電圧（Ｖ）、横軸にターンオフ時間（μｓ）を示
す。拡散時間は、各拡散温度とも約６０分である。拡散
温度を高くするとオン電圧が上がるが、ターンオフ時間
が短くなる。逆に低くすると、オン電圧は下がるが、タ
ーンオフ時間が長くなってしまう。したがって、この拡
散温度を調整するとターンオフ時間及びオン電圧をこの
拡散温度に沿って所望の値を設定することができる。以
上、前述の実施例では、ＮチャネルＩＧＢＴについて説
明したが、本発明では、ＰチャネルＩＧＢＴを用いるこ
ともできる。ウェーハのコストは、気相成長法で成長さ
せる厚さに比例して上昇するが、本発明では、あまり気
相成長法による半導体層を厚くする必要がないために、
１００μｍの厚さが必要な１２００Ｖ系では２分の１以
下のコストで実現する。本発明に用いるアノード電極１
９の材料は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏなどを
用いる。また、ゲート材料は、多結晶シリコンに限ら
ず、シリサイドでも良いし、ポリサイドでも良い。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、重金属シリサイド層を形成す
ることで、金属アノード電極との良好な接合を得ること
ができる。また、重金属拡散領域が存在する事で、ドレ
イン領域のキャリアライフタイムが長いままでも、アノ
ード領域からの正孔の注入は殆ど起こらないため、正孔
の注入量は少なく抑えられ、良好な高速スイッチング特
性を得られる。さらに、ドレイン領域のキャリアライフ
タイムが長く、再結合中心が少ないため、アノード領域
から注入された正孔は効率よく、伝導度変調に寄与する
ために、オン電圧も低くなり、低オン電圧特性と高速ス
イッチング特性を兼ね備えたＩＧＢＴを提供することが
できる。
ることで、金属アノード電極との良好な接合を得ること
ができる。また、重金属拡散領域が存在する事で、ドレ
イン領域のキャリアライフタイムが長いままでも、アノ
ード領域からの正孔の注入は殆ど起こらないため、正孔
の注入量は少なく抑えられ、良好な高速スイッチング特
性を得られる。さらに、ドレイン領域のキャリアライフ
タイムが長く、再結合中心が少ないため、アノード領域
から注入された正孔は効率よく、伝導度変調に寄与する
ために、オン電圧も低くなり、低オン電圧特性と高速ス
イッチング特性を兼ね備えたＩＧＢＴを提供することが
できる。
【図１】本発明の第１の実施例のＩＧＢＴの断面図。
【図２】第１の実施例のＩＧＢＴの製造工程断面図。
【図３】第１の実施例のＩＧＢＴの製造工程断面図。
【図４】第１の実施例のＩＧＢＴの平面図。
【図５】第２の実施例のＩＧＢＴの断面図。
【図６】第３の実施例のＩＧＢＴの製造工程断面図。
【図７】第４の実施例のＩＧＢＴの断面図。
【図８】本発明のＩＧＢＴのターンオフ電流、電圧及び
ターンオフロスの時間依存性を示す特性図。
ターンオフロスの時間依存性を示す特性図。
【図９】本発明のＩＧＢＴのアノード電流−オン電圧特
性図。
性図。
【図１０】本発明の拡散温度のオン電圧とターンオフ時
間依存性を示す特性図。
間依存性を示す特性図。
【図１１】従来例のＩＧＢＴの断面図。
１ 半導体基板 ２ 半導体層 ３ 半導体基板の第１の主面 ４ 半導体基板の第２の主面 １１ Ｐ型アノード領域 １２ Ｎ−ドレイン領域 １３ Ｐ型ベース領域 １４ Ｎ＋ソース領域 １５ ゲート酸化膜 １６ 多結晶シリコンゲート １７ 金属ソース電極 １８ 金属ゲート電極 １９ 金属アノード電極 ２０ Ｎ＋バッファ層 ２１ 重金属シリサイド層 ２２、２３ 絶縁膜 ２４ 重金属拡散領域 ２５ Ｎ−半導体基板 ２６ Ｐ型半導体基板
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板と、前記半導体基板に形成さ
れた第１導電型のドレイン領域と、 前記ドレイン領域内に形成され、前記半導体基板の第１
の主面に露出している第２導電型のベース領域と、 前記ベース領域内に形成され、前記半導体基板の前記第
１の主面に露出している第１導電型のソース領域と、 前記半導体基板の前記第１の主面上に前記ソース領域と
前記ドレイン領域に跨がり、かつ、前記ベース領域上に
形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲートと、 前記ソース領域及び前記ベース領域上に跨がって形成さ
れ、このソース領域とベース領域とを短絡するソース電
極と、 前記半導体基板の第２の主面上に形成された半導体層に
形成され、前記ドレイン領域と接している第２導電型の
アノード領域と、 前記アノード領域及びこのアノード領域と接している部
分を含んでいる前記ドレイン領域の一部に形成された重
金属拡散領域と、 前記アノード領域の表面に形成された重金属のシリサイ
ド層と、 前記重金属のシリサイド層上に形成されたアノード電極
とを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板と、 前記半導体基板に形成された第１導電型のドレイン領域
と、 前記ドレイン領域内に形成され、前記半導体基板の第１
の主面に露出している第２導電型のベース領域と、 前記ベース領域内に形成され、前記半導体基板の前記第
１の主面に露出している第１導電型のソース領域と、 前記半導体基板の前記第１の主面上に前記ソース領域と
前記ドレイン領域に跨がり、かつ、前記ベース領域上に
形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲートと、 前記ソース領域及び前記ベース領域上に跨がって形成さ
れ、このソース領域とベース領域とを短絡するソース電
極と、 前記半導体基板の第２の主面側に形成され、前記ドレイ
ン領域と隣接している第２導電型のアノード領域と、 前記アノード領域及びこのアノード領域と接している部
分を含む前記ドレイン領域の一部に形成された重金属拡
散領域と、 前記アノード領域の表面に形成された重金属のシリサイ
ド層と、 前記重金属のシリサイド層上に形成されたアノード電極
とを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 第１導電型のドレイン領域となる半導体
基板内に、この半導体基板の第１の主面に露出している
第２導電型のベース領域を形成する工程と、 前記ベース領域内に、前記半導体基板の第１の主面に露
出している第１導電型のソース領域を形成する工程と、 前記半導体基板の第１の主面上において、前記ソース領
域と前記ドレイン領域に跨がり、かつ、前記ベース領域
の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記ソース領域と前記ドレイン領域に跨がり、かつ、前
記ベース領域上に、前記ゲート絶縁膜を介してゲートを
形成する工程と、 前記半導体基板の第２の主面に第２導電型のアノード領
域を気相成長により形成する工程と、 前記アノード領域上に重金属のシリサイド層を形成する
工程と、 前記シリサイド層を加熱処理することにより、重金属を
拡散させて前記アノード領域及びこのアノード領域と接
している部分を含む前記ドレイン領域の一部に重金属拡
散領域を形成する工程と、 前記シリサイド層の上にアノード電極を形成する工程と
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 第１導電型のドレイン領域となる半導体
基板内に、この半導体基板の第１の主面に露出している
第２導電型のベース領域を形成する工程と、 前記ベース領域内に、前記半導体基板の第１の主面に露
出している第１導電型のソース領域を形成する工程と、 前記半導体基板の第１の主面上において、前記ソース領
域と前記ドレイン領域に跨がり、前記ベース領域上にゲ
ート絶縁膜を形成する工程と、 前記ソース領域と前記ドレイン領域に跨がり、前記ベー
ス領域上に、前記ゲート絶縁膜を介してゲートを形成す
る工程と、 前記半導体基板の第２の主面に不純物を拡散して、前記
ドレイン領域上に第２導電型の低不純物濃度アノード領
域を形成する工程と、 前記低不純物濃度アノード領域の上に多結晶シリコンか
らなる高不純物濃度アノード領域を形成する工程とを備
えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5220519A JPH0758322A (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5220519A JPH0758322A (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758322A true JPH0758322A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16752292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5220519A Pending JPH0758322A (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758322A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004158868A (ja) * | 2004-01-05 | 2004-06-03 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US7271040B2 (en) | 2000-05-15 | 2007-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrode contact section of semiconductor device |
| US20100237385A1 (en) * | 2008-06-26 | 2010-09-23 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US11081355B2 (en) | 2019-08-07 | 2021-08-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing same |
-
1993
- 1993-08-13 JP JP5220519A patent/JPH0758322A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7271040B2 (en) | 2000-05-15 | 2007-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrode contact section of semiconductor device |
| JP2004158868A (ja) * | 2004-01-05 | 2004-06-03 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US20100237385A1 (en) * | 2008-06-26 | 2010-09-23 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US11081355B2 (en) | 2019-08-07 | 2021-08-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US11705334B2 (en) | 2019-08-07 | 2023-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing same |
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