JP2001028443A5 - - Google Patents
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【発明の名称】半導体装置
Claims (9)
- 金属材料よりなる第１の導電領域、第１のトンネル絶縁膜、第１の半導体領域、および第２の導電領域とを有する半導体領域と、前記第１の半導体領域に設けた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の膜面に設けられた第３の導電領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
- 金属材料よりなる第１の導電領域、第１のトンネル絶縁膜、第１の半導体領域、および第２の導電領域とが積層された半導体積層領域と、少なくとも前記第１の半導体領域の前記半導体積層領域の積層方向とは交差する側面に設けた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の膜面に設けられた第３の導電領域と、を有する半導体装置。
- ソースとドレインとゲート電極およびチャネル領域を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタであって、ソースまたはドレイン電極となる金属材料よりなる第１の導電領域上に第１のトンネル絶縁物層を有し、前記第１のトンネル絶縁膜の上部にチャネル領域となる半導体材料層を有し、前記半導体材料層上にドレインまたはソース電極となる第２の導電領域を有し、前記チャネル領域側面に第２の絶縁膜層を有し、前記第２の絶縁膜層を介して電界効果を前記チャネル領域におよぼすゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
- 前記第１の導電領域と第１のトンネル絶縁膜は耐熱金属とその金属酸化物あるいは耐熱金属とその窒化物のいずれかから形成されていることを特徴とする請求項１より請求項３に記載の半導体装置。
- 前記第１の導電領域はチタン、チタンシリサイド、タングステン、タングステンシリサイド、コバルト、コバルトシリサイド、白金、白金シリサイド、ニッケル、ニッケルシリサイドのいずれかからなり、第１のトンネル絶縁膜はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜のいずれかからなることを特徴とする請求項１より請求項３に記載の半導体装置。
- ソースとドレインとゲート電極およびチャネル領域を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタであって、ソースまたはドレイン電極となる高濃度に不純物をドーピングすることで金属化された第１の導電領域上に第１のトンネル絶縁物層を有し、前記第１のトンネル絶縁膜の上部にチャネル領域となる半導体材料層を有し、前記半導体材料層上にドレインまたはソース電極となる第２の導電領域を有し、前記チャネル領域側面に第２の絶縁膜層を有し、前記第２の絶縁膜層を介して電界効果を前記チャネル領域におよぼすゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
- ソースとドレインとゲート電極およびチャネル領域を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタであって、ソースまたはドレイン電極となる金属材料あるいは高濃度に不純物をドーピングすることで金属化された第１の導電領域上に第１のトンネル絶縁物層を有し、前記第１のトンネル絶縁膜の上部にチャネル領域となる半導体材料層を有し、前記半導体材料層上にドレインまたはソース電極となる高濃度に不純物をドーピングすることで金属化された第２の導電領域を有し、前記チャネル領域側面に第２の絶縁膜層を有し、前記第２の絶縁膜層を介して電界効果を前記チャネル領域におよぼすゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
- チタンよりなる第１の導電領域、チタンオキサイドよりなる第１のトンネル絶縁膜、シリコンよりなる第１の半導体領域、チタンオキサイドよりなる第２のトンネル絶縁膜およびチタンよりなる第２の導電領域とを積層した積層領域と、前記第１の半導体領域の前記積層領域の積層方向とは交差する側面に設けた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜の膜面に設けられた第３の導電領域と、を有し、前記第１の導電領域に電荷を蓄積することにより情報を保持する書き込みトランジスタと、前記第１の導電領域の下に設けられた第２にゲート絶縁膜の両側に形成されたソース、ドレインからなる読み出しトランジスタからなることを特徴とする半導体記憶装置。
- 半導体基板と、当該半導体基板に相対して設けられた第１不純物領域及び第２の不純物領域と、少なくとも前記第１不純物領域及び第２の不純物領域に挟まれた第１のチャネルとなる第１の半導体領域を覆う第１のゲート絶縁膜とからなる読み出し トランジスタと、当該第１のゲート絶縁膜の上部に設けられた金属材料よりなる第１の導電領域、金属酸化膜よりなる第１のトンネル絶縁膜、第１のチャネル領域と交差する方向に設けられた第２のチャネルとなる第２の半導体領域、第２の導電領域と、前記第２の半導体領域の側面に設けられた第２のゲート絶縁膜、および前記第２のゲート絶縁膜の膜面に設けられた第３の導電領域とからなる書き込みトランジスタ、とを有することを特徴とする半導体記憶装置。
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