JP2001307909A - 電流−電圧非直線抵抗体 - Google Patents

電流−電圧非直線抵抗体

Info

Publication number
JP2001307909A
JP2001307909A JP2000124762A JP2000124762A JP2001307909A JP 2001307909 A JP2001307909 A JP 2001307909A JP 2000124762 A JP2000124762 A JP 2000124762A JP 2000124762 A JP2000124762 A JP 2000124762A JP 2001307909 A JP2001307909 A JP 2001307909A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
voltage
resistor
sintered body
mol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000124762A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyasu Ando
秀泰 安藤
Takeshi Udagawa
剛 宇田川
Yoshiyasu Ito
義康 伊藤
Hironori Suzuki
洋典 鈴木
Hiroyoshi Narita
広好 成田
Koji Tohata
孝二 東畑
Toshiya Imai
俊哉 今井
Kiyokazu Umehara
清和 梅原
Zenichi Tanno
善一 丹野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Substation Equipment Technology Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Substation Equipment Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18634848&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2001307909(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Substation Equipment Technology Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000124762A priority Critical patent/JP2001307909A/ja
Priority to TW090108616A priority patent/TW535173B/zh
Priority to CNB2005100755290A priority patent/CN100463079C/zh
Priority to US09/841,040 priority patent/US6627100B2/en
Priority to CN01110499.6A priority patent/CN1218328C/zh
Priority to EP01110265.4A priority patent/EP1150306B2/en
Priority to CA002345168A priority patent/CA2345168C/en
Publication of JP2001307909A publication Critical patent/JP2001307909A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/105Varistor cores
    • H01C7/108Metal oxide
    • H01C7/112ZnO type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06533Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
    • H01C17/06546Oxides of zinc or cadmium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/13Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material current responsive

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】優れた抵抗特性とともに、寿命特性およびエネ
ルギー耐量特性に優れた電流−電圧非直線抵抗体を得
る。 【解決手段】ZnOを主成分とした焼結体2からなる電
流−電圧非直線抵抗体1において、この主成分にBi、
Co、Mn、Sb、NiおよびAlの副成分を含み、副
成分は、それぞれBi、Co、MnO、S
、NiOおよびAl3+に換算して、Bi
を0.3〜2mol%、Coを0.3〜1.5
mol%、MnOを0.4〜6mol%、Sb
0.8〜7mol%、NiOを0.5〜5mol%およ
びAl3+を0.001〜0.02mol%含み、焼結
体2中のBi結晶相には、α−Bi相が全
Bi 相の80%以上を占めることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、避雷器、サージア
ブソーバ等の過電圧保護装置に適用される酸化亜鉛(Z
nO)を主成分とした電流−電圧非直線抵抗体に関する
ものであり、特に、主成分に含有される副成分の成分組
成および電流−電圧非直線抵抗体内の抵抗分布に改良を
加えた電流−電圧非直線抵抗体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、電力系統や電子機器回路には、
避雷器やサージアブソーバなどの過電圧保護装置が用い
られ、正常な電圧に重畳される過電圧を除去して、電力
系統や電子機器を保護している。過電圧保護装置には、
電流−電圧非直線抵抗体が多用されており、この電流−
電圧非直線抵抗体は、正常な電圧ではほぼ絶縁特性を示
し、過電圧が印加されると低抵抗値となる特性を有す
る。
【0003】例えば、電流−電圧非直線抵抗体は、特公
平4−25681号公報に掲載される手順により作製さ
れる。まず、酸化亜鉛(ZnO)を主成分として、この
主成分に副成分としてBi、Co、Mn
O、SbおよびNiOを添加したものを原料とし
ている。そして、この原料を水およびバインダーととも
に十分混合した後、スプレードライヤーなどで造粒し、
成形および焼結により、焼結体を得る。その後、焼結体
の側面に沿面閃絡を防止する絶縁物質を塗布し、熱処理
により焼結体の側面に絶縁層を形成する。絶縁層形成
後、焼結体の両端面を研磨して電極を取り付け、電流−
電圧非直線抵抗体を製造する。
【0004】ところで、近年、電力需要が増大し、変電
所の大容量化や地下変電所の設置に伴い、変電機器の小
型縮小化が求められている。
【0005】酸化亜鉛を主成分とする電流−電圧非直線
抵抗体は、その優れた非直線抵抗特性により避雷器に用
いられているが、その非直線抵抗特性は避雷器の保護レ
ベルとなり、その特性を更に向上することが要求されて
いる。
【0006】例えば、特公平4―25681号公報に
は、ZnOを主成分とし、この主成分に添加するBi
、Co、MnO、SbおよびNiOな
どの副成分の含有量を限定することで、非直線抵抗特性
および寿命特性の向上を図ることが記載されている。
【0007】また、特公平2―23008号公報には、
Bi、Co0、MnO、Sbおよび
NiOなどの副成分の含有量を限定し、かつ、主成分で
あるZnOの焼結体に含まれるBiの結晶相を限
定することで、寿命特性の向上を図ることが掲載されて
いる。
【0008】一方、特開平8―264305号公報に
は、焼結体中において、周辺部の抵抗値を中心部の抵抗
値よりも低くすることで、エネルギー耐量の向上を図れ
ることが開示されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現在、
電流−電圧非直線抵抗体に要求される特性は益々厳しく
なっており、前述した従来の技術では要求特性を満足す
ることができなかった。
【0010】具体的には、電流−電圧非直線抵抗体に通
常印加される電圧により電流−電圧非直線抵抗体が劣化
してしまうことがあり、十分な寿命特性を得られず、機
器の信頼性および電力供給の安定化を十分に図ることが
できなかった。
【0011】また、電流−電圧非直線抵抗体の一枚あた
りの抵抗値が十分ではないために、避雷器に積層する電
流−電圧非直線抵抗体の枚数を低減することができず、
避雷器の小型化を達成するのは難しいという問題を有し
ていた。
【0012】なお、電流−電圧非直線抵抗体の枚数を低
減すると電流−電圧非直線抵抗体におけるサージを吸収
して破壊しないサージエネルギー耐量の向上が必要とな
るが、このサージエネルギー耐量が十分に得られないこ
とから、変圧器や開閉装置の小型縮小化を達成するのが
難しかった。
【0013】本発明は、これらの問題を解決するために
なされたものであり、電流−電圧非直線抵抗体の優れた
抵抗特性を得るとともに、寿命特性およびエネルギー耐
量特性に優れた電流−電圧非直線抵抗体を提供すること
を目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成すべく、電流−電圧非直線抵抗体の成分組成お
よび電流−電圧非直線抵抗体内の抵抗分布について種々
研究を重ねた結果、本発明を完成させたものである。
【0015】請求項1記載の発明は、ZnOを主成分と
した焼結体からなる電流−電圧非直線抵抗体において、
この主成分にBi、Co、Mn、Sb、NiおよびAl
の副成分を含み、前記副成分は、それぞれBi
Co、MnO、Sb、NiOおよびAl
3+に換算して、Biを0.3〜2mol%、C
を0.3〜1.5mol%、MnOを0.4〜
6mol%、Sbを0.8〜7mol%、NiO
を0.5〜5mol%およびAl3+を0.001〜
0.02mol%含み、前記焼結体中のBi結晶
相には、α−Bi相が全Bi相の80%以
上を占めることを特徴とする。
【0016】本発明において、このように成分組成範囲
および結晶相を規定したが、本範囲を外れると非直線抵
抗特性が劣化してしまうからである。
【0017】副成分として添加されるBiは、焼
結体の主成分であるZnOの粒界に存在して非直線抵抗
特性を発現させる成分である。CoおよびNiO
は、ZnO粒子中に固溶して非直線抵抗特性を大きく向
上させるために有効な成分である。Sbは、スピ
ネル粒子を形成して焼結中のZnO粒子の粒成長を制
御、均一化する働きを有し、非直線抵抗特性を向上させ
る効果を有する成分である。MnOは、ZnO粒子およ
びスピネル粒子中に固溶して非直線抵抗特性を向上させ
るために有効な成分である。Al3+はZnO粒子中に
固溶し、ZnO粒子の電気抵抗を低下させて、大きく非
直線抵抗特性を向上させるために有効な成分である。
【0018】また、斜方晶系のα−Bi相が、全
ビスマス相の80%以上と規定することにより、焼結体
中のBi結晶相の絶縁抵抗が高くなり、非直線抵
抗特性を向上させることができる。
【0019】請求項2記載の発明は、ZnOを主成分と
した焼結体からなる電流−電圧非直線抵抗体において、
この主成分にBi、Co、Mn、Sb、Ni、Alおよ
びTeの副成分を含み、前記副成分は、それぞれBi
、Co、MnO、Sb、NiO、Al
3+およびTeOに換算して、Biを0.3〜
2mol%、Coを0.3〜1.5mol%、M
nOを0.4〜6mol%、Sbを0.8〜7m
ol%、NiOを0.5〜5mol%、Al を0.
001〜0.02mol%およびTeOを0.01〜
1mol%含み、前記焼結体中のBi結晶相に
は、α−Bi相が全Bi相の10%以下を
占めることを特徴とする。
【0020】本発明において、TeをTeOに換算し
て0.01〜1mol%含み、焼結体中のBi
晶相において、α−Bi相の占める割合を全Bi
相の10%以下とすることにより、焼結体中のB
結晶相の絶縁抵抗をより高くすることが可能と
なり、非直線抵抗特性を向上させることができる。ここ
で、Te含有量をTeOに換算して0.01mol%
未満とするとBi 結晶相の絶縁抵抗を向上させる
効果が低く、一方、1mol%より多くすると、逆に絶
縁抵抗を低下させてしまうためである。また、焼結体中
のBi結晶相において、α−Bi相の占め
る割合が全Bi相の10%より多くなると、焼結
体中のBi結晶相の絶縁抵抗を高くすることがで
きないためである。
【0021】請求項3記載の発明は、請求項1または2
記載の電流−電圧非直線抵抗体において、焼結体は、A
gをAgOに換算して0.005〜0.05wt%含
むことを特徴とする。
【0022】請求項4記載の発明は、請求項1乃至3の
いずれかに記載の電流−電圧非直線抵抗体において、焼
結体は、BをBに換算して0.005〜0.05
wt%含むことを特徴とする。
【0023】AgおよびBは、それぞれ単独で、または
同時に0.005〜0.05wt%添加することにより
電流−電圧非直線抵抗体の寿命特性を大幅に向上させる
ことができる。請求項1または2に記載したZnOを主
成分とし、この主成分にBi、Co、Mn、Sb、Ni
およびAlを含む基本組成、またはこの基本組成にTe
を含む基本組成のみでは、課電率(常時、電流−電圧非
直線抵抗体に印加される電圧)を高く設定した場合には
寿命特性が不十分な場合がある。そこで、これらの基本
組成にAgおよびBを添加することで、漏れ電流の経時
変化が少なくなり寿命特性が向上する。AgおよびBの
添加量をそれぞれAgOまたはB に換算して、
0.005〜0.05wt%と規定したが、添加量が
0.005wt%未満の場合には寿命特性を向上させる
効果が得られず、また、0.05wt%より多くなる
と、逆に寿命特性を劣化させてしまうためである。
【0024】請求項5記載の発明は、請求項1乃至4の
いずれかに記載の電流−電圧非直線抵抗体において、焼
結体は、SiをSiOに換算して0.01〜1mol
%含むことを特徴とする。
【0025】本発明において、ケイ素をSiOに換算
して0.01〜1mol%と規定することにより焼結体
中の気孔を低減することができ、焼結体の強度が増加し
て電流−電圧非直線抵抗体のエネルギー耐量を向上させ
ることができる。ケイ素の含有量がSiOに換算して
0.01mol%未満の場合には、焼結体の強度を増加
させ、エネルギー耐量を向上する効果が得られない。ま
た、ケイ素の含有量がSiOに換算して1mol%よ
り多くなると、非直線抵抗特性が悪化してしまう。
【0026】請求項6記載の発明は、請求項1ないし5
のいずれかに記載の電流−電圧非直線抵抗体において、
焼結体は、Sbに対するBiの含有量の比
を0.4以下としたことを特徴とする。
【0027】Sbは焼結中にスピネル粒子を形成
し、ZnOの粒成長を抑制する効果がある。また、Bi
は焼結中に液相となりZnO粒成長を促進する効
果がある。ZnOを主成分とした電流−電圧非直線抵抗
体の抵抗値は、焼結体中に含まれる非直線抵抗特性の発
現するZnO粒子の粒界の数に依存するため、ZnO粒
子が小さいほど抵抗値は高くなる。このため、本発明に
おいて、Sbに対するBiの含有量の比を
0.3以下にして、焼結体中のZnOの粒成長を抑制す
ることにより電流−電圧非直線抵抗体の抵抗値を向上で
きる。電流−電圧非直線抵抗体の抵抗値の向上を達成す
ると、避雷器に積層する電流−電圧非直線抵抗体枚数を
低減できるため、避雷器の小型縮小化が可能となる。
【0028】請求項7記載の発明は、請求項1ないし6
のいずれかに記載の電流−電圧非直線抵抗体において、
焼結体は、ZrをZrOに換算して0.1〜1000
ppm含有することを特徴とする。
【0029】請求項8記載の発明は、請求項1ないし7
のいずれかに記載の電流−電圧非直線抵抗体において、
焼結体は、YをYに換算して0.1〜1000p
pm含有することを特徴とする。
【0030】請求項9記載の発明は、請求項1ないし8
のいずれかに記載の電流−電圧非直線抵抗体において、
焼結体は、FeをFeに換算して0.1〜100
0ppm含有することを特徴とする。
【0031】請求項7ないし9記載の発明において、ジ
ルコニウム、イットリウムまたは鉄を、ZrO、Y
またはFeに換算して0.1〜1000pp
m含有させることで、ZnO粒子の粒度分布を均一化す
ることができる。従って、ZnO粒子の界面が均一に形
成されることになり、ZnO粒子の界面にて発現する非
直線抵抗特性を改善することができる。さらに、微量添
加したZrO、YまたはFeがZnO結
晶粒子中に分散するため、電流−電圧非直線抵抗体の強
度、およびエネルギー耐量特性をも高めることができ
る。このため、単位体積当たりのエネルギー処理量が増
えても電流−電圧非直線抵抗体はそのエネルギーに十分
耐えることができ、電流−電圧非直線抵抗体の小型化を
進めることができる。ここで、ジルコニウム、イットリ
ウムまたは鉄の含有量がZrO、YまたはFe
に換算して0.1ppm未満の場合には、非直線
抵抗特性およびエネルギー耐量特性を向上させるに至ら
ない。また、ジルコニウム、イットリウムまたは鉄の含
有量が、ZrO、YまたはFeに換算し
て1000ppmより多くなると逆に非直線抵抗特性を
劣化させてしまう。
【0032】請求項10記載の電流−電圧非直線抵抗体
は、円盤状またはリング状の形状を有するZnOを主成
分とした焼結体であり、この焼結体の径方向での焼結体
端部から内部にかけて、抵抗値が次第に増加する焼結体
からなることを特徴とする。
【0033】請求項11記載の発明は、請求項10記載
の電流−電圧非直線抵抗体において、1mAの電流が流
れたときの電圧の1.1倍から1.4倍の電圧を印加し
て、この電圧印加時における電流−電圧非直線抵抗体の
各領域の電流密度をJ(A/mm)としたとき、焼
結体の径方向での焼結体端部から内部にかけての電流密
度Jの単位径方向長さ当たりの傾きが、−0.003
以上0未満であることを特徴とする。
【0034】請求項12記載の発明は、請求項10また
は11に記載の電流−電圧非直線抵抗体において、1m
Aの電流が流れたときの電圧の1.1倍から1.4倍の
電圧を印加したとき、この電圧印加時における電流−電
圧非直線抵抗体の各領域での電流密度J(A/m
)の分布が、±80%以内であることを特徴とす
る。
【0035】電流−電圧非直線抵抗体がサージエネルギ
ーを吸収した場合の破壊形態の一つとして、熱応力破壊
がある。熱応力破壊は、電流−電圧非直線抵抗体がサー
ジエネルギーを吸収するとジュール発熱が起こる際に電
流−電圧非直線抵抗体内の電気抵抗分布が必ずしも均一
でないため、不均一に発熱する。この発熱により電流−
電圧非直線抵抗体に熱応力が発生して、電流−電圧非直
線抵抗体の破壊に至るものである。熱応力による亀裂は
電流−電圧非直線抵抗体の端部から発生するため、電流
−電圧非直線抵抗体端部の熱応力を緩和することによ
り、熱応力破壊を抑制し、サージエネルギー耐量を向上
させることができる。また、電流−電圧非直線抵抗体が
サージエネルギーを吸収したときの発熱温度分布は、円
盤状またはリング形状の電流−電圧非直線抵抗体におけ
る両端面の電極に一定電圧が印加されたときの電流分布
である。このため、電流−電圧非直線抵抗体の厚さ方向
の抵抗分布は発熱温度分布に影響を及ぼさず、また、製
造プロセス上、電流−電圧非直線抵抗体の円周方向に抵
抗分布が生じにくいため、熱応力破壊つまり発熱温度分
布に影響を及ぼす抵抗分布は電流−電圧非直線抵抗体の
半径方向の抵抗分布である。電流−電圧非直線抵抗体の
端部の熱応力に及ぼす半径方向の抵抗分布の影響は大き
く、周辺端部から内部に向けて次第に抵抗値が増加して
いる抵抗分布とすることで、発熱温度が端部に近づくほ
ど高くなるため、端部において圧縮の熱応力が働き、大
きなサージエネルギーを電流−電圧非直線抵抗体が吸収
しても、熱応力による亀裂が発生しにくくなるため、エ
ネルギー耐量特性に優れた電流−電圧非直線抵抗体を得
ることができる。
【0036】さらに、1mAの電流が流れたときの電圧
の1.1倍から1.4倍の電圧が印加したとき、電流−
電圧非直線抵抗体の各領域の電流密度をJ(A/mm
)として、焼結体の径方向の焼結体端部から内部にか
けたJの単位径方向長さ当たりの傾きを−0.003
(A/mm)以上0(A/mm)未満とすると、電
流−電圧非直線抵抗体の周辺端部における熱応力が圧縮
に作用し、また、電流集中による破壊が起こりにくくな
り、エネルギー耐量特性を向上させることができる。こ
こで、本来であれば、焼結体の径方向の焼結体端部から
内部にかけたJ の単位径方向長さ当たりの傾きを0
(A/mm)とすると、電流−電圧非直線抵抗体の周
辺部における温度分布が均一となるが、実際には素子の
抵抗分布を完全に均一にすることは製造プロセス上難し
い。
【0037】さらに、1mAの電流が流れたときの電圧
の1.1倍から1.4倍の電圧を印加したとき、電流−
電圧非直線抵抗体各領域の電流密度Jの分布を±80
%以内とすることで、素子内部において発熱温度の最高
温度部または最低温度部近傍で発生する熱応力を低減で
きるとともに、低抵抗部における電流集中も抑制でき、
優れたエネルギー耐量を得ることができる。
【0038】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図1〜図7および表1〜表5を参照して、具体的に
説明する。
【0039】第1実施形態(図1、表1) 本実施形態においては、図1および表1を参照して説明
する。
【0040】まず、主成分としてZnOを用いた。この
主成分ZnOに対して最終的に得られる電流−電圧非直
線抵抗体の副成分含有量が、表1に示す試料番号1ない
し試料番号53の値となるように、副成分として、Bi
、Co、MnO、Sb、NiOおよ
びAl(NO・9HOを所定量秤量し、原料を
調整した。
【0041】この原料に水および有機バインダー類を加
えて混合装置に投入した後、混合して均一なスラリーを
得た。得られた各スラリーをスプレードライヤーで噴霧
造粒した後、粒径100μm程度の造粒粉を作製した。
【0042】得られた造粒粉を金型に入れて加圧し、直
径125mm、厚さ30mmの円板を成形した。その
後、この成形体を500℃の温度で加熱し、バインダー
等を除去した。バインダー等を除去した後、1200℃
の温度で2時間焼成を行ない焼結体を得た。
【0043】得られた試料番号1ないし試料番号53の
各焼結体について、粉末X線回折評価を行った。なお、
粉末X線回折評価は、Bi結晶中に含まれるα−
Bi 結晶相の割合をX線強度ピーク比より算出し
たものである。この結果を、Bi相中のα相の割
合(%)として、表1に示す。
【0044】表1に示す、*印を付けた試料番号は、本
発明の範囲外の組成を有するものであり、比較を行うた
めに作製した試料である。表1に示す試料番号48ない
し試料番号53は、試料番号5と同様の副成分およびそ
の量を含有させたものである。試料番号48ないし試料
番号53は、熱処理条件を変えることで、Bi
晶中に含まれるα−Bi結晶相の割合を、31〜
91%の範囲で変化させたものである。
【0045】さらに、得られた試料番号1ないし試料番
号53の焼結体の側面に無機絶縁物を塗布し、熱処理を
施して焼結体の側面に絶縁層を形成した。その後、焼結
体の上下両端面を研磨し、焼結体の研磨面に溶射により
電極を作製して、電流−電圧非直線抵抗体を得た。これ
を図1に示す。
【0046】図1に示すように、電流−電圧非直線抵抗
体1は、焼結体2の上下面に電極3が形成され、一方、
焼結体2の両側面には絶縁層4が被覆される。
【0047】得られた試料番号1ないし試料番号53の
各電流−電圧非直線抵抗体1について、非直線抵抗特性
を評価した。非直線抵抗特性は、1mAの交流電流を流
した時の電圧(V1mA)と、10kAの8×20μs
インパルス電流を流した時の電圧(V10kA)とを測
定し、これらの比(V10kA/V1mA)を非直線性
係数として評価したものである。なお、添加成分組成の
異なる素子はそれぞれの組成で10ピースづつ測定し、
その平均値をその組成の非直線性係数としたものであ
る。測定結果を表1に示す。
【0048】
【表1】
【0049】表1に示すように、比較例として挙げた*
印を付けた試料番号は、いずれも、非直線性係数が1.
59を超える値を示していた。反対に、本発明の範囲内
の組成範囲および全Bi相に占めるα−Bi
相(斜方晶系)の割合を規定することにより、非直線
性係数がいずれも1.59以下の値を示した。非直線性
係数は、値が小さいほど非直線抵抗特性が優れているこ
とを示す。このため、本発明の範囲とした試料を用いて
作製した各電流−電圧非直線抵抗体は、1.59以下と
低い値であることから、優れた非直線抵抗特性を有する
ことが判明した。
【0050】従って、本実施形態によれば、ZnOを主
成分として、この主成分ZnOに対して、Bi
0.3〜2mol%、Coを0.3〜1.5mo
l%、MnOを0.4〜6mol%、Sbを0.
8〜7mol%、NiOを0.5〜5mol%、Al
3+を0.001〜0.02mol%含む焼結体とし、
かつ焼結体中のBi結晶相において、斜方晶系で
あるα−Bi相が全Bi相の80%以上を
占めている焼結体を適用することで、優れた非直線抵抗
特性を有する電流−電圧非直線抵抗体が得られる。
【0051】第2実施形態(表2;図2) 本実施形態においては、ZnOを主成分とし、この主成
分ZnOに対して、最終的に得られる電流−電圧非直線
抵抗体の副成分含有量が、Bi、Coおよ
びMnOがそれぞれ1.0mol%、Sbおよび
NiOが各々2mol%、Al(NO・9H
がAl3+に換算して、0.003mol%となるよう
に各成分を秤量し、副成分をそれぞれ添加した。これを
基本組成とした。
【0052】この基本組成に、以下に示す実施例1ない
し実施例4、実施例6に示す成分を添加して、第1実施
形態に示す手順により電流−電圧非直線抵抗体を作製し
た。なお、実施例5は、基本組成として含有されるBi
を0.3〜2mol%、Sbを0.8〜7
mol%としたものである。
【0053】実施例1(図2) 本実施例では、上述した基本組成に対して、AgOを
0.001〜0.1wt%含有するように添加して、第
1実施形態に示す手順により電流−電圧非直線抵抗体を
作製した。
【0054】得られた電流−電圧非直線抵抗体につい
て、寿命特性を評価した。寿命特性評価は、1mAの電
流を流れたときの電圧(V1mA)を大気中、120℃
の雰囲気で3000h印加し続け、その前後のV1mA
を印加したとき漏れ電流(I)の変化率を測定したも
のである。ここで変化率は、
【数1】 の式で表される。この変化率の値が負の値であれば、電
流−電圧非直線抵抗体の寿命特性が優れていることを示
す。
【0055】図2は、AgOの含有量と漏れ電流の変
化率との関係を示す図である。
【0056】図2に示すように、漏れ電流の変化率I
が負の値となるのは、AgOの含有量を0.005〜
0.05wt%の範囲とした場合である。
【0057】従って、本実施例では、AgOの含有量
を0.005〜0.05wt%の範囲とすることで、優
れた寿命特性を有する電流−電圧非直線抵抗体が得られ
ることが分かった。なお、本実施例では、基本組成にA
gを添加した場合における寿命特性への添加効果を示し
たが、第1実施形態に示した副成分の組成範囲であれば
同様の効果が得られる。
【0058】実施例2(図3) 本実施例では、上述した基本組成に対して、B
0.001〜0.1wt%含有するように添加して、第
1実施形態に示した手順により電流−電圧非直線抵抗体
を作製した。
【0059】得られた電流−電圧非直線抵抗体につい
て、寿命特性を評価した。なお、寿命特性の評価は、実
施例1と同じ条件とした。寿命特性を評価した後、図3
に、B の含有量と漏れ電流の変化率Iとの関係
を示した。
【0060】図3に示すように、漏れ電流の変化率I
が負の値となるのは、Bの含有量を0.005〜
0.05wt%の範囲とした場合である。従って、本実
施例によれば、Bの含有量を0.005〜0.0
5wt%の範囲とすることで、優れた寿命特性を有する
電流−電圧非直線抵抗体が得られることが判明した。な
お、本実施例では、基本組成にBを添加して、寿
命特性への添加含有効果を示したが、第1実施形態に示
した基本組成範囲であれば同様の効果が得られる。ま
た、基本組成に対し、Agを実施例1の範囲で含有した
組成についても、本実施例のように優れた寿命特性を得
られる。
【0061】実施例3(表2) 本実施例では、上述した基本組成に対して、最終的に、
TeOを0.005〜3mol%含有するように添加
して、第1実施形態に示す手順により電流−電圧非直線
抵抗体を作製した。
【0062】得られた電流−電圧非直線抵抗体ついて、
非直線抵抗特性を評価した。また、焼結体について粉末
X線回折評価を行った。なお、非直線抵抗特性評価およ
び粉末X線回折評価は、第1実施形態に示す条件と同様
とした。この評価結果を表2に示す。
【0063】
【表2】
【0064】表2に示すように、*印を付した試料番号
は、本発明の範囲外である比較例を示すものである。こ
こで、表2における試料番号58〜試料番号61につい
ては試料番号57と同様のTeO含有量としたもので
あり、熱処理条件を変えてBi結晶中に含まれる
α−Bi結晶相の割合を変化させたものである。
【0065】表2に示すように、TeOの含有量を
0.01〜1mol%の範囲として、Bi結晶中
に含まれるα相の割合を10%にすることで非直線抵抗
特性を向上させることができる。なお、本実施例におい
ては、基本組成についてのみTeの含有効果を示した
が、第1実施形態における基本組成範囲であれば同様の
効果を得られる。また、第1実施形態に示した組成範囲
の試料に、AgまたはBを含有した場合にも同様の効果
を得ることができる。
【0066】実施例4(表3) 本実施例では、上述した基本組成に対して、最終的に、
SiOを0.005〜3mol%含有するように添加
して、第1実施形態に示す手順により電流−電圧非直線
抵抗体を作製した。
【0067】得られた電流−電圧非直線抵抗体ついて、
エネルギー耐量試験を実施し、また、非直線抵抗特性を
評価した。
【0068】エネルギー耐量試験では、電流−電圧非直
線抵抗体に1mAの交流電流を流した時の電圧(V
1mA)に対して1.3倍の商用周波(50Hz)の電
圧を印加し続けて、AE検出器により電流−電圧非直線
抵抗体に発生する亀裂が検出されるまでに吸収したエネ
ルギー値(J/cc)を測定した。エネルギー耐量試験
では、各組成の電流−電圧非直線抵抗体10ピースにつ
いて試験を行い、その平均値をその組成のエネルギー耐
量値とした。また、非直線抵抗特性は、第1実施形態に
示す条件と同様の条件下で非直線係数を測定したもので
ある。
【0069】エネルギー耐量値および非直線性係数の測
定結果を表3に示す。表3において、*印は本発明の範
囲外である試料を示す比較例である。
【0070】
【表3】
【0071】表3に示すように、SiOの含有量を
0.005mol%とした試料番号65は、エネルギー
耐量が598(J/cc)と低く、また、SiOの含
有量を3mol%とした試料番号71は、非直線係数が
1.69と高く、非直線抵抗特性が低下してしまった。
従って、SiOの含有量を0.01〜1mol%の範
囲とすることで、優れた非直線抵抗特性を維持したま
ま、エネルギー耐量を向上することができる。
【0072】本実施例においては、基本組成についての
みSiの含有効果を示したが、第1実施形態の基本組成
範囲であれば同様な効果を得られる。また、第1実施形
態の範囲の組成にAg、B、Teを含有した組成につい
ても本実施例のように優れた非直線抵抗特性を維持した
ままエネルギー耐量を向上することができる。
【0073】実施例5(表4) 本実施例では、ZnOを主成分とし、この主成分ZnO
に対して、最終的に、CoおよびMnOをそれぞ
れ1.0mol%、NiOを2mol%、Al(N
・9HOをAl3+に換算して0.003m
ol%、Biを0.3〜2mol%、Sb
を0.8〜7mol%となるように各成分を秤量し、副
成分をそれぞれ添加して、第1実施形態に示した方法で
電流−電圧非直線抵抗体を作製した。
【0074】得られた電流−電圧非直線抵抗体ついて、
1mAの交流電流を流した時の電圧(V1mA)を測定
した。各電流−電圧非直線抵抗体のV1mA(V/m
m)を表4に示す。なお、表4に示す*印は、本発明の
範囲外である比較例の試料を示したものである。
【0075】
【表4】
【0076】表4に示すように、Bi含有量のS
含有量に対する比(Bi/Sb
が0.4を超える値とした試料番号80、81、84な
いし86の比較例はいずれもV1mAの値が低かった
が、この比(Bi/Sb )を0.4以下と
することで、V1mAの値が400V/mm以上となる
ことが分かった。
【0077】従って、本実施例によれば、エネルギー耐
量を向上できることから、避雷器に積層する電流−電圧
非直線抵抗体の枚数を低減することができ、避雷器の小
型化を達成できることが可能である。なお、本実施例に
おいては、組成範囲の一部についてBi含有量の
Sb含有量に対する比の効果を示したが、その他
の組成範囲においても同様の効果が得られる。また、基
本組成にAg、B、TeおよびSiを本発明の範囲内で
含有した組成についても同様の効果が得られる。
【0078】実施例6(表5) 本実施例では、基本組成に対し、最終的にZrO、Y
またはFe が0.05〜2000ppmの
範囲で含有するように添加して、第1実施形態に示した
方法で電流−電圧非直線抵抗体を作製した。
【0079】得られた電流−電圧非直線抵抗体につい
て、エネルギー耐量を測定するとともに、非直線抵抗特
性を評価した。なお、エネルギー耐量の測定は、実施例
2に示す測定条件と同様した。非直線抵抗特性の評価
は、第1実施形態の非直線係数の測定と同様の条件とし
た。この測定結果を表5に示す。なお、表5における*
印は、本発明の範囲外の比較例の試料を示している。
【0080】
【表5】
【0081】表5に示すように、ZrO、Y
たはFeの含有量が0.1〜1000ppmの範
囲外である試料番号88、94、95、101、102
および108は、エネルギー耐量が低く、また、非直線
係数が高い値であった。このため、ZrO、Y
またはFeの含有量を0.1〜1000ppmの
範囲とすることで、優れた非直線抵抗特性を維持したま
ま、エネルギー耐量を向上できる。
【0082】本実施例においては、基本組成についての
みZr、YまたはFeの含有効果を示したが、基本組成
範囲であれば同様な効果が得られることは確認済みであ
る。また、基本組成にAg、BおよびTeを本発明の範
囲内で含有した組成についても同様なSiの効果が得ら
れる。さらに、本実施例ではZr、YおよびFeをそれ
ぞれ単独で含有させたときの効果を示したが、これらの
うち2種または3種を同時に添加しても、優れた非直線
抵抗特性を維持したまま、エネルギー耐量を向上でき
る。
【0083】第3実施形態(図4〜図7) 本実施形態では、ZnOを主成分とし、この主成分Zn
Oに対して、最終的にBi、CoおよびM
nOがそれぞれ1.0mol%、SbおよびNi
Oがそれぞれ2mol%、Al(NO・9H
がAl3+に換算して0.003mol%となるように
各成分を秤量し、副成分をそれぞれ添加した。
【0084】そして、焼成時の雰囲気、温度条件を変化
させて、第1実施形態に示した方法で電流−電圧非直線
抵抗体を作製した。
【0085】本実施形態では、焼成時の雰囲気、温度条
件を変化させることで、電流−電圧非直線抵抗体の焼結
体内部の抵抗分布が図4に示すA,B,C,Dの4パタ
ーンの電流−電圧非直線抵抗体を作製した。ここで、抵
抗分布はV1mAの1.3倍の電圧が印加されたとき、
この時における電流−電圧非直線抵抗体の各領域の電流
密度J(A/mm)を半径方向位置の分布として示
している。ここで、抵抗分布は電流−電圧非直線抵抗体
が電圧印加により発熱したときの温度分布により算出し
た。つまり、発熱温度分布は素子の電極に一定電圧が印
加されたときの電流分布そのものであるため、発熱温度
から電流密度を計算することができる。よって、図4に
示した抵抗分布は電流分布であるため、Jが高いほど
抵抗値が低いことを示している。
【0086】得られた4種類の電流−電圧非直線抵抗体
について、エネルギー耐量を測定した。なお、エネルギ
ー耐量の測定は、実施例2と同様の条件とした。この結
果を図5に示す。
【0087】図5に示すように、抵抗分布形態がAおよ
びBの電流−電圧非直線抵抗体では、800(J/c
c)という値を示しており、CおよびDの電流−電圧非
直線抵抗体に比べて、優れたエネルギー耐量値を示して
いる。従って、焼結体の径方向の端部から内部にかけ
て、次第に、抵抗値を増加させることにより、優れたエ
ネルギー耐量特性の電流−電圧非直線抵抗体が得られる
ことが分かった。
【0088】次に、V1mAの1.3倍の電圧が印加さ
れたときの電流−電圧非直線抵抗体における、各領域の
電流密度をJ(A/mm)として、焼結体の径方向
の焼結体端部から内部にかけたJの単位径方向長さ当
たりの傾きを焼結時の雰囲気、温度条件を変えることに
より変化させた電流−電圧非直線抵抗体を作製した。
【0089】得られた電流−電圧非直線抵抗体について
エネルギー耐量試験を実施した。なお、エネルギー耐量
試験は、実施例4と同様の条件下とした。この試験結果
を図6に示す。
【0090】図6に示すように、Jの単位径方向長さ
当たりの傾きを−0.003以上、0未満とすることに
より、エネルギー耐量は750(J/cc)以上の高い
値を示しており、優れたエネルギー耐量の電流−電圧非
直線抵抗体が得られることが分かった。また、焼結体の
径方向の焼結体端部から内部にかけるJの単位径方向
長さ当たりの傾きが負であることは、焼結体の径方向の
端部から内部にかけて抵抗値が増加していることを示し
ている。この結果、抵抗値が増加しており、かつ、その
増加度合いがさほど大きくないことが優れたエネルギー
耐量特性には必要であることを示している。
【0091】次に、焼結体の径方向の端部から内部にか
けて、次第に、抵抗値が増加している電流−電圧非直線
抵抗体において、V1mAの1.3倍の電圧が印加され
たとき、電流−電圧非直線抵抗体の各領域での電流密度
(A/mm)の分布幅を焼結時の雰囲気、温度条
件を変えることにより変化させた電流−電圧非直線抵抗
体を作製した。そして、実施例4に示した方法でエネル
ギー耐量試験を実施した。この試験結果を図7に示す。
【0092】図7に示すように、Jの分布幅を±80
%以下とすることにより、優れたエネルギー耐量を持つ
電流−電圧非直線抵抗体を得られることが分かった。
【0093】本実施形態においては、一種類の組成の電
流−電圧非直線抵抗体に限定したが、抵抗分布を制御す
ることにより、エネルギー耐量の向上効果はどのような
組成の電流−電圧非直線抵抗体においても上述したよう
な効果を得られる。また、本実施形態では、円盤形状の
電流−電圧非直線抵抗体についてのみ述べたが、抵抗分
布制御によるエネルギー耐量向上の効果は、リング形状
の電流−電圧非直線抵抗体における内径端部でも同様で
ある。
【0094】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高い抵抗特性を有し、寿命特性およびエネルギー耐量特
性に優れた電流−電圧非直線抵抗体を得ることで、機器
の信頼性を向上させるとともに、電力供給の安定化を図
り、避雷器およびサージアブソーバ等の過電圧保護装置
の小型化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態における、電流−電圧非直線
抵抗体の構造を示す断面図。
【図2】本発明の実施形態における、AgO含有量と
漏れ電流変化率との関係を示す図。
【図3】本発明の実施形態における、B含有量と
漏れ電流変化率との関係を示す図。
【図4】本発明の実施形態における、作製した非直線抵
抗体の抵抗分布の形態を示す図。
【図5】本発明の実施形態における、抵抗分布形態とエ
ネルギー耐量との関係を示す図。
【図6】本発明の実施形態における、Jの単位径方向
長さ当たりの傾きとエネルギー耐量との関係を示す図。
【図7】本発明の実施形態における、Jの分布幅とエ
ネルギー耐量との関係を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇田川 剛 神奈川県川崎市川崎区浮島町2番1号 株 式会社東芝浜川崎工場内 (72)発明者 伊藤 義康 神奈川県横浜市鶴見区末広町二丁目4番地 株式会社東芝京浜事業所内 (72)発明者 鈴木 洋典 神奈川県川崎市川崎区浮島町2番1号 株 式会社東芝浜川崎工場内 (72)発明者 成田 広好 神奈川県川崎市川崎区浮島町2番1号 株 式会社東芝浜川崎工場内 (72)発明者 東畑 孝二 神奈川県川崎市川崎区浮島町2番1号 株 式会社東芝浜川崎工場内 (72)発明者 今井 俊哉 神奈川県川崎市川崎区浮島町2番1号 株 式会社東芝浜川崎工場内 (72)発明者 梅原 清和 神奈川県川崎市川崎区浮島町2番1号 株 式会社東芝浜川崎工場内 (72)発明者 丹野 善一 神奈川県川崎市川崎区浮島町2番1号 東 芝変電機器テクノロジー株式会社内 Fターム(参考) 5E034 CC05 EA07 EA08

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ZnOを主成分とした焼結体からなる電
    流−電圧非直線抵抗体において、この主成分にBi、C
    o、Mn、Sb、NiおよびAlの副成分を含み、前記
    副成分は、それぞれBi、Co、MnO、
    Sb、NiOおよびAl3+に換算して、Bi
    を0.3〜2mol%、Co を0.3〜1.
    5mol%、MnOを0.4〜6mol%、Sb
    を0.8〜7mol%、NiOを0.5〜5mol%お
    よびAl3+を0.001〜0.02mol%含み、前
    記焼結体中のBi結晶相には、α−Bi
    が全Bi相の80%以上を占めることを特徴とす
    る電流−電圧非直線抵抗体。
  2. 【請求項2】 ZnOを主成分とした焼結体からなる電
    流−電圧非直線抵抗体において、この主成分にBi、C
    o、Mn、Sb、Ni、AlおよびTeの副成分を含
    み、前記副成分は、それぞれBi、Co
    MnO、Sb、NiO、Al3+およびTeO
    に換算して、Biを0.3〜2mol%、Co
    を0.3〜1.5mol%、MnOを0.4〜6m
    ol%、Sbを0.8〜7mol%、NiOを
    0.5〜5mol%、Al3+を0.001〜0.02
    mol%およびTeOを0.01〜1mol%含み、
    前記焼結体中のBi結晶相には、α−Bi
    相が全Bi相の10%以下を占めることを特徴と
    する電流−電圧非直線抵抗体。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載の電流−電圧非直
    線抵抗体において、焼結体は、AgをAgOに換算し
    て0.005〜0.05wt%含むことを特徴とする電
    流−電圧非直線抵抗体。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載の電流
    −電圧非直線抵抗体において、焼結体は、BをB
    に換算して0.005〜0.05wt%含むことを特徴
    とする電流−電圧非直線抵抗体。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至4のいずれかに記載の電流
    −電圧非直線抵抗体において、焼結体は、SiをSiO
    に換算して0.01〜1mol%含むことを特徴とす
    る電流−電圧非直線抵抗体。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至5のいずれかに記載の電流
    −電圧非直線抵抗体において、焼結体は、Sb
    対するBiの含有量の比を0.4以下としたこと
    を特徴とする電流−電圧非直線抵抗体。
  7. 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれかに記載の電流
    −電圧非直線抵抗体において、焼結体は、ZrをZrO
    に換算して0.1〜1000ppm含有することを特
    徴とする電流−電圧非直線抵抗体。
  8. 【請求項8】 請求項1乃至7のいずれかに記載の電流
    −電圧非直線抵抗体において、焼結体は、YをY
    に換算して0.1〜1000ppm含有することを特徴
    とする電流−電圧非直線抵抗体。
  9. 【請求項9】 請求項1乃至8のいずれかに記載の電流
    −電圧非直線抵抗体において、焼結体は、FeをFe
    に換算して0.1〜1000ppm含有することを
    特徴とする電流−電圧非直線抵抗体。
  10. 【請求項10】 円盤状またはリング状の形状を有する
    ZnOを主成分とした焼結体であり、この焼結体の径方
    向での焼結体端部から内部にかけて、抵抗値が次第に増
    加する焼結体からなることを特徴とする電流−電圧非直
    線抵抗体。
  11. 【請求項11】 請求項10記載の電流−電圧非直線抵
    抗体において、1mAの電流が流れたときの電圧の1.
    1倍から1.4倍の電圧を印加して、この電圧印加時に
    おける電流−電圧非直線抵抗体の各領域の電流密度をJ
    (A/mm )としたとき、焼結体の径方向での焼結
    体端部から内部にかけての電流密度J の単位径方向長
    さ当たりの傾きが、−0.003以上0未満であること
    を特徴とする電流−電圧非直線抵抗体。
  12. 【請求項12】 請求項10または11記載の電流−電
    圧非直線抵抗体において、1mAの電流が流れたときの
    電圧の1.1倍から1.4倍の電圧を印加したとき、こ
    の電圧印加時における電流−電圧非直線抵抗体の各領域
    での電流密度J(A/mm)の分布が、±80%以
    内であることを特徴とする電流−電圧非直線抵抗体。
JP2000124762A 2000-04-25 2000-04-25 電流−電圧非直線抵抗体 Pending JP2001307909A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000124762A JP2001307909A (ja) 2000-04-25 2000-04-25 電流−電圧非直線抵抗体
TW090108616A TW535173B (en) 2000-04-25 2001-04-11 Current-voltage nonlinear resistor
CNB2005100755290A CN100463079C (zh) 2000-04-25 2001-04-25 电流-电压非线性电阻体
US09/841,040 US6627100B2 (en) 2000-04-25 2001-04-25 Current/voltage non-linear resistor and sintered body therefor
CN01110499.6A CN1218328C (zh) 2000-04-25 2001-04-25 电流-电压非线性电阻体
EP01110265.4A EP1150306B2 (en) 2000-04-25 2001-04-25 Current/voltage non-linear resistor and sintered body therefor
CA002345168A CA2345168C (en) 2000-04-25 2001-04-25 Current/voltage non-linear resistor and sintered body therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000124762A JP2001307909A (ja) 2000-04-25 2000-04-25 電流−電圧非直線抵抗体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001307909A true JP2001307909A (ja) 2001-11-02

Family

ID=18634848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000124762A Pending JP2001307909A (ja) 2000-04-25 2000-04-25 電流−電圧非直線抵抗体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6627100B2 (ja)
EP (1) EP1150306B2 (ja)
JP (1) JP2001307909A (ja)
CN (2) CN1218328C (ja)
CA (1) CA2345168C (ja)
TW (1) TW535173B (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004176792A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Nippon Steel Corp 反力吸収用錘
JP2007329174A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Toshiba Corp 電流−電圧非直線抵抗体および避雷器
JP2007329178A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Toshiba Corp 電流−電圧非直線抵抗体および避雷器
JP2007329175A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Toshiba Corp 電流−電圧非直線抵抗体および避雷器
KR100812425B1 (ko) 2005-12-19 2008-03-10 가부시끼가이샤 도시바 전류-전압 비직선 저항체
JP2008162820A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Mitsubishi Electric Corp 電圧非直線抵抗体とその製造方法
JP2008172034A (ja) * 2007-01-11 2008-07-24 Toshiba Corp 電流−電圧非直線抵抗体
JP2008218749A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Toshiba Corp ZnOバリスター粉末
EP2144256A1 (en) 2008-07-09 2010-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Current/voltage nonlinear resistor
EP2194541A2 (en) 2008-12-04 2010-06-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Current-voltage non-linear resistor and method of manufacture thereof
JP2012160555A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Toshiba Corp 電流−電圧非直線抵抗体およびその製造方法
JP2017130544A (ja) * 2016-01-20 2017-07-27 株式会社日立製作所 電圧非直線抵抗体
KR20180123107A (ko) * 2016-03-17 2018-11-14 에프코스 아게 세라믹 재료, 배리스터, 세라믹 재료 및 배리스터의 제조방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100682895B1 (ko) * 2004-11-06 2007-02-15 삼성전자주식회사 다양한 저항 상태를 지닌 저항체를 이용한 비휘발성메모리 소자 및 그 작동 방법
KR100657911B1 (ko) * 2004-11-10 2006-12-14 삼성전자주식회사 한 개의 저항체와 한 개의 다이오드를 지닌 비휘발성메모리 소자
CN100361238C (zh) * 2004-11-22 2008-01-09 山东大学 防雷用多元掺杂改性氧化锌压敏材料
JP5062422B2 (ja) 2005-11-24 2012-10-31 株式会社村田製作所 紫外線センサ
JP3952076B1 (ja) * 2006-04-25 2007-08-01 株式会社村田製作所 紫外線センサ
US8275724B2 (en) * 2008-10-15 2012-09-25 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of improving system performance and survivability through changing function
US20090143216A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 General Electric Company Composition and method
US20090142590A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 General Electric Company Composition and method
US8693012B2 (en) * 2008-09-04 2014-04-08 Xerox Corporation Run cost optimization for multi-engine printing system
US20100157492A1 (en) * 2008-12-23 2010-06-24 General Electric Company Electronic device and associated method
EP2305622B1 (en) * 2009-10-01 2015-08-12 ABB Technology AG High field strength varistor material
US20110081548A1 (en) * 2009-10-07 2011-04-07 Sakai Chemical Industry Co., Ltd. Zinc oxide particle, method for producing it, exoergic filler, exoergic resin composition, exoergic grease and exoergic coating composition
US8399092B2 (en) * 2009-10-07 2013-03-19 Sakai Chemical Industry Co., Ltd. Zinc oxide particle having high bulk density, method for producing it, exoergic filler, exoergic resin composition, exoergic grease and exoergic coating composition
JP5887819B2 (ja) * 2010-12-06 2016-03-16 東ソー株式会社 酸化亜鉛焼結体、それから成るスパッタリングターゲットおよび酸化亜鉛薄膜
CN102394162A (zh) * 2011-07-13 2012-03-28 温州益坤电气有限公司 高梯度氧化锌电阻片配方
CN102627444B (zh) * 2012-04-26 2013-09-25 恒新基电子(青岛)有限公司 制备ntc热敏电阻的方法及其制成的ntc热敏电阻
JP6575381B2 (ja) * 2016-02-03 2019-09-18 富士通株式会社 温度計算プログラム、温度計算方法、および情報処理装置
CN106747406A (zh) * 2017-02-14 2017-05-31 爱普科斯电子元器件(珠海保税区)有限公司 无铅高绝缘陶瓷涂层氧化锌避雷器阀片及其制备方法
DE102018116222A1 (de) * 2018-07-04 2020-01-09 Tdk Electronics Ag Keramikmaterial, Varistor und Verfahren zur Herstellung des Keramikmaterials und des Varistors
CN111439996A (zh) * 2019-01-17 2020-07-24 陕西华星电子集团有限公司 一种压敏电阻器陶瓷材料及其制备方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54108295A (en) 1978-02-14 1979-08-24 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Voltage non-linear resistor
JPS6015127B2 (ja) * 1980-04-07 1985-04-17 株式会社日立製作所 電圧非直線抵抗体およびその製法
JPS59117203A (ja) * 1982-12-24 1984-07-06 株式会社東芝 電圧電流非直線抵抗体
CA1206742A (en) * 1982-12-24 1986-07-02 Hideyuki Kanai Varistor
JPS6113603A (ja) * 1984-06-28 1986-01-21 株式会社東芝 電圧非直線抵抗体
JPS63136603A (ja) * 1986-11-28 1988-06-08 日本碍子株式会社 電圧非直線抵抗体の製造方法
JPH07105285B2 (ja) * 1988-03-10 1995-11-13 日本碍子株式会社 電圧非直線抵抗体
JPH0274003A (ja) 1988-09-09 1990-03-14 Meidensha Corp 電圧非直線抵抗体の製造方法
JP2883387B2 (ja) * 1990-02-05 1999-04-19 三菱電機株式会社 酸化亜鉛形避雷器素子
JPH0425681A (ja) 1990-05-21 1992-01-29 K Bui C:Kk ボールバルブ
JP2572881B2 (ja) 1990-08-20 1997-01-16 日本碍子株式会社 ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体とその製造方法
DE4029107A1 (de) 1990-09-13 1992-03-19 Siemens Ag Verfahren zum herstellen eines zno-hochleistungsvaristors mit einem radialen widerstandsprofil
US5264819A (en) 1990-12-12 1993-11-23 Electric Power Research Institute, Inc. High energy zinc oxide varistor
JPH0734404B2 (ja) 1991-02-08 1995-04-12 日本碍子株式会社 電圧非直線抵抗体
JPH0734403B2 (ja) 1991-01-31 1995-04-12 日本碍子株式会社 電圧非直線抵抗体
US5455554A (en) 1993-09-27 1995-10-03 Cooper Industries, Inc. Insulating coating
JPH08264305A (ja) 1995-03-22 1996-10-11 Toshiba Corp 非直線抵抗体
JP3205483B2 (ja) 1995-05-11 2001-09-04 株式会社日立製作所 電力用酸化亜鉛素子の耐量推定方法、そのスクリーニング方法、及びこれらの方法を実施する装置
JPH1032104A (ja) * 1996-07-12 1998-02-03 Ooizumi Seisakusho:Kk 電圧非直線抵抗体
CA2211813A1 (fr) 1997-08-13 1999-02-13 Sabin Boily Varistances a base de poudres nanocristallines produites par broyage mecanique intense
JPH11340009A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Toshiba Corp 非直線抵抗体
JP2000044333A (ja) 1998-07-22 2000-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd ZnOバリスタの製造方法

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004176792A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Nippon Steel Corp 反力吸収用錘
KR100812425B1 (ko) 2005-12-19 2008-03-10 가부시끼가이샤 도시바 전류-전압 비직선 저항체
JP2007329174A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Toshiba Corp 電流−電圧非直線抵抗体および避雷器
JP2007329178A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Toshiba Corp 電流−電圧非直線抵抗体および避雷器
JP2007329175A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Toshiba Corp 電流−電圧非直線抵抗体および避雷器
JP2008162820A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Mitsubishi Electric Corp 電圧非直線抵抗体とその製造方法
JP2008172034A (ja) * 2007-01-11 2008-07-24 Toshiba Corp 電流−電圧非直線抵抗体
WO2008120444A1 (ja) * 2007-03-05 2008-10-09 Kabushiki Kaisha Toshiba ZnOバリスター粉末
JP2008218749A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Toshiba Corp ZnOバリスター粉末
US8216544B2 (en) 2007-03-05 2012-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba ZnO varistor powder
EP2144256A1 (en) 2008-07-09 2010-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Current/voltage nonlinear resistor
EP2194541A2 (en) 2008-12-04 2010-06-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Current-voltage non-linear resistor and method of manufacture thereof
JP2012160555A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Toshiba Corp 電流−電圧非直線抵抗体およびその製造方法
JP2017130544A (ja) * 2016-01-20 2017-07-27 株式会社日立製作所 電圧非直線抵抗体
US10546671B2 (en) 2016-01-20 2020-01-28 Hitachi, Ltd. Voltage nonlinear resistor
KR20180123107A (ko) * 2016-03-17 2018-11-14 에프코스 아게 세라믹 재료, 배리스터, 세라믹 재료 및 배리스터의 제조방법
JP2019516235A (ja) * 2016-03-17 2019-06-13 ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag セラミック材料、バリスタ、並びにセラミック材料及びバリスタの製造方法
KR102120577B1 (ko) 2016-03-17 2020-06-10 티디케이 일렉트로닉스 아게 세라믹 재료, 배리스터, 세라믹 재료 및 배리스터의 제조방법
US11031159B2 (en) 2016-03-17 2021-06-08 Tdk Electronics Ag Ceramic material, varistor and methods of preparing the ceramic material and the varistor

Also Published As

Publication number Publication date
US20020121960A1 (en) 2002-09-05
CN100463079C (zh) 2009-02-18
EP1150306B2 (en) 2015-07-01
US6627100B2 (en) 2003-09-30
TW535173B (en) 2003-06-01
CN1320933A (zh) 2001-11-07
EP1150306A3 (en) 2003-04-02
CN1218328C (zh) 2005-09-07
EP1150306A2 (en) 2001-10-31
CA2345168C (en) 2005-03-22
EP1150306B1 (en) 2012-03-14
CN1700365A (zh) 2005-11-23
CA2345168A1 (en) 2001-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001307909A (ja) 電流−電圧非直線抵抗体
JPH11340009A (ja) 非直線抵抗体
CN103080237A (zh) 具有非线性电流-电压特性的组合物
JP5065688B2 (ja) 電流−電圧非直線抵抗体
JP4282243B2 (ja) 非直線抵抗体
JPH01149401A (ja) 電圧非直線抵抗体
Lee et al. Electrical properties and microstructure of ZnO varistor with high surge protective characteristics
JP2007329178A (ja) 電流−電圧非直線抵抗体および避雷器
JP2007329148A (ja) 電流−電圧非直線抵抗体
US11315709B2 (en) Metal oxide varistor formulation
JPH10241910A (ja) 非直線抵抗体
JPH10241911A (ja) 非直線抵抗体
JP2007329174A (ja) 電流−電圧非直線抵抗体および避雷器
JPH03178101A (ja) 電圧非直線抵抗体
JPS5912002B2 (ja) 電圧非直線抵抗器とその製造方法
JP2004119762A (ja) 電流−電圧非直線抵抗体
JP2001052907A (ja) セラミック素子とその製造方法
JP2020047685A (ja) 酸化亜鉛素子
JPS6236611B2 (ja)
JP2580916B2 (ja) 磁器組成物及びその製造方法
JP2020047686A (ja) 酸化亜鉛素子
JP3210041B2 (ja) 非直線抵抗体
JPH0740522B2 (ja) 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物
JPH03195003A (ja) 電圧非直線抵抗体
JPS6015129B2 (ja) 電圧非直線抵抗器とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050727

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050727

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050727

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060203

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080729

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090303