CN111439996A - 一种压敏电阻器陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种压敏电阻器陶瓷材料，由以下各组分按照摩尔百分比组成：Bi2O30.2～8.0mol％、Sb2O30.1～8.0mol％、Co3O40.2～8.0mol％、MnCO30.1～5.0mol％、B2O30.1～2.0mol％、Ni2O30.1～4.0mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.001～0.003mol％、ZnO补足至100mol％。本发明还提供上述压敏电阻器陶瓷材料的制备方法。本发明提出的压敏电阻陶瓷材料，能有效地提高压敏电阻器自身的暂态过电压耐受能力，减少在单独使用压敏电阻器的场合时因暂态过电压引起的失效问题。本发明制作工艺简单，克服了压敏电阻使用过程中的障碍，具有广泛的应用前景。

Description

一种压敏电阻器陶瓷材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及压敏电阻器技术领域，尤其涉及一种压敏电阻器陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
氧化锌压敏电阻器是一种半导体敏感电子陶瓷元件，伏安特性类似于两个背靠背连接的齐纳二极管，随着两端施加电压的上升，流过的电流急剧变大，电阻值急剧变小，呈明显的非线性特性，具有优异的限制电压特性。
氧化锌压敏电阻器的导电路径是整个电阻体，其导通脉冲电流的能力很强。
氧化锌压敏电阻器优异的限制电压特性加上高脉冲峰值电流能力，使其具有很好的过电压保护能力，目前已是主流的过电压保护元器件。
氧化锌压敏电阻作过压保护时，与被保护单元并联连接，当两端施加正常的工作电压时，流过的电流很小，近似断路状态；当过电压来临时，流过压敏电阻器的电流急剧增长，主回路的电流大幅增长，过电压主要被分配到回路的其它阻抗上，部分过电压能量被压敏电阻器吸收，压敏电阻和被保护单元两端的电压增长很小，从而使被保护单元在过电压下受到保护。
氧化锌压敏电阻器主体材料是氧化锌，添加氧化铋、氧化锑、氧化钴、氧化锰等其它氧化物，经典型的电子陶瓷工艺制造，这些材料经过混料、造粒、成型、烧结、制备银电极、焊接和包封，制成压敏电阻器。
1967年日本松下电器公司的松岗道雄带领他的团队，在氧化锌的Zn-Bi-Sb三元体系的研究中发现了其电压敏特性并进行了商品化研究，于1968年在日本应用物理杂志上报道了氧化锌压敏陶瓷的电压敏特性和制造工艺。鉴于氧化锌压敏电阻的优越特性，继日本以后美国、欧洲等国家投入了大量人力物力进行研究逐渐完善了其性能指标和生产工艺。我国的压敏电阻技术研究开始于70年代中期，到1984年引进日本日立公司的氧化锌避雷器技术后进入批量生产阶段。经过50年的发展，压敏电阻器的应用越来越广泛，成了过电压保护的主流产品。压敏电阻器过压保护也不是万能的，只能用于保护瞬态过电压(持续时间几毫秒或者更短)，而对于线路中频繁出现的暂态过电压(持续时间较长，一般介于0.1s和1s之间)是无能为力的，在应用中往往由于线路中的暂态过电压而导致压敏电阻器的失效和起火燃烧，甚至发生进一步的事故和损失。压敏电阻器在应用中的失效有半数以上都是由暂态过电压引起的。
为了解决压敏电阻器在暂态过电压下的失效与起火问题，脱扣是目前普遍采用的办法，如公开号为108461239A的专利所述的“带有熔断保护装置的压敏电阻器”，是采用熔断器与压敏电阻器串联连接，当压敏电阻器出现暂态过电压失效后通过流过的短路失效电流将熔断器熔断，从而将失效的压敏电阻器从线路中脱离；如公开号为108399991A的专利所述的“一种热保护型压敏电阻”，设置了与压敏电阻串联的温度保险丝，当暂态过电压来时在压敏电阻失效前或失效后的发热效应将温度保险熔断，从而使压敏电阻器从线路中脱离。然而，熔断器和温度保险丝的保护不是完全可靠的：(1)熔断器的动作电流不能选得太小，否则会造成在压敏电阻器能承受的瞬态过电压时断开，为了保证瞬态过电压时压敏电阻器能正常工作，熔断器的动作电流选得较大，这样暂态过电压时流过压敏电阻器的电流达不到熔断器的动作电流，不能在压敏电阻器失效前断开，只有在压敏电阻器失效后才熔断，有可能在断开前引发进一步的燃烧，保护裕度不足；(2)温度保险的设置，虽然和熔断器相比能够在压暂态过电压作用时断开压敏电阻器，但却不是完全可靠，在很多情况下压敏电阻器仍然是先失效，再脱离；(3)暂态过电压时，熔断器和温度保险能够提供更可靠的保护，但其价格高，实际使用中大部分情况不会选用这个方案；(4)脱扣方案不能解决压敏电阻器本身在暂态过电压下的失效问题，在不采用脱扣的场合不能提供任何帮助，压敏电阻器在暂态过电压下的失效问题仍然存在。
本发明的目的，提出一种压敏电阻陶瓷材料配方和制作方法，能有效的提高压敏电阻器自身的暂态过电压耐受能力，减少在单独使用压敏电阻器的场合时因暂态过电压引起的失效问题。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提出一种压敏电阻陶瓷材料配方和制作方法，提高压敏电阻器自身的暂态过电压耐受能力，减少在单独使用压敏电阻器的场合时因暂态过电压引起的失效问题。
为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：
一种压敏电阻器陶瓷材料，所述的压敏电阻器陶瓷材料，由以下各组分按照摩尔百分比组成：Bi2O3 0.2～8.0mol％、Sb2O3 0.1～8.0mol％、Co3O4 0.2～8.0mol％、MnCO30.1～5.0mol％、B2O3 0.1～2.0mol％、Ni2O3 0.1～4.0mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.001～0.003mol％、ZnO补足至100mol％。
作为本发明再进一步的方案：所述的压敏电阻陶瓷材料的配方中按照摩尔百分比加入ZrO 0.1～1.0mol％、SnO2 0.2～2.0mol％、Nb2O5 0.2～1.5mol％中的一种或多种。
作为本发明再进一步的方案：所述的压敏电阻陶瓷材料的各组分按照摩尔百分比组成为：ZnO 94mol％、Bi2O3 1.5mol％、Sb2O3 1.0mol％、Co3O4 1.0mol％、MnCO30.398mol％、B2O3 0.2mol％、Ni2O3 0.2mol％、ZrO 0.1mol％、SnO2 1.0mol％、Nb2O50.6mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
作为本发明再进一步的方案：所述的压敏电阻陶瓷材料的各组分按照摩尔百分比组成为：ZnO 93mol％、Bi2O3 1.0mol％、Sb2O3 1.0mol％、Co3O4 1.0mol％、MnCO30.498mol％、B2O3 0.5mol％、Ni2O3 1.0mol％、ZrO 0.2mol％、SnO2 1.3mol％、Nb2O50.5mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
作为本发明再进一步的方案：一种压敏电阻器陶瓷材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)预磨1，根据所要制备的压敏电阻器陶瓷材料的组成成分按照摩尔百分比Bi2O30.2～8.0mol％、Sb2O3 0.1～8.0mol％、Co3O4 0.2～8.0mol％、MnCO3 0.1～5.0mol％、B2O30.1～2.0mol％、Ni2O3 0.1～4.0mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.001～0.003mol％称量，混合得到第一组预料，所述第一组预料加入去离子水，在磨介为氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨，得到预磨料A；
(2)预磨2，根据所要制备的压敏电阻器陶瓷材料的组成成分按照摩尔百分比ZrO0.1～1.0mol％、SnO2 0.2～2.0mol％、Nb2O5 0.2～1.5mol％中的一种或者多种成分，称量混合得到第二组预料，所述第二组预料加入去离子水，在磨介为氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨，得到预磨料B；
(3)混料，将步骤(1)中的预磨料A和步骤(2)中的预磨料B混合，加入ZnO补足至100mol％，得到固液混合物，然后将所述固液混合物加入到去离子水中，得到混料溶液，并加入PVA溶液和分散剂A15；
(4)细磨，磨介为氧化锆球，在砂磨机中细磨；
(5)喷雾造粒，用压力式喷雾造粒塔造粒；
(6)成型，将造粒粉料压制成密度为3.25～3.35g/cm3的坯片；
(7)排胶，采用隧道炉或箱式炉排胶；
(8)烧结，采用隧道炉或箱式炉烧结；
(9)制备银电极，采用丝网印刷，瓷片上制作电极；
(10)烧结银电极，采用隧道炉或箱式炉烧结银电极；
(11)组装，银面上焊接引线后用环氧树脂粉末包封固化，制得压敏电阻。
作为本发明再进一步的方案：步骤(1)和步骤(2)中的所述第一组预料和第二组预料中加入去离子水的质量为含固量的45％；步骤(3)中的所述混料溶液中固料和去离子水的质量比为2:1，所述PVA溶液的质量分数为10％，且PVA溶液的加入量为ZnO质量的10％；所述分散剂A15的加入量为ZnO质量的1％。
作为本发明再进一步的方案：步骤(7)中所述排胶的最高温度保持在380～480℃，步骤(8)中所述烧结温度为1100℃～1150℃，步骤(10)中所述烧结银电极温度为560～620℃。
作为本发明再进一步的方案：步骤(9)中所述制备银电极的银浆含量为70～80％。
作为本发明再进一步的方案：步骤(7)中所述排胶的保温时间为4小时；步骤(8)中所述烧结的保温时间为3.5小时；步骤(10)中所述烧结银电极的保温时间为18～25分钟。
作为本发明再进一步的方案：步骤(1)和步骤(2)中所述细磨的磨介为∮5氧化锆球，所述细磨时间为1个小时；步骤(4)中所述细磨的磨介为∮5氧化锆球，所述砂磨机的转速为300rpm的中，所述细磨时间为2个小时。
本发明与现有技术相比，具有如下优点：能够提高压敏电阻器自身的暂态过电压耐受能力，并且减少在单独使用压敏电阻器的场合时因暂态过电压引起的失效问题。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
本发明的配方组份及含量包括Bi2O3 0.2～8.0mol％、Sb2O3 0.1～8.0mol％、Co3O40.2～8.0mol％、MnCO3 0.1～5.0mol％、B2O3 0.1～2.0mol％、Ni2O3 0.1～4.0mol％、ZrO0.1～1.0mol％、SnO2 0.2～2.0mol％、Nb2O5 0.2～1.5mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.001～0.003mol％、ZnO补足至100mol％。
本发明配方中引入了ZrO、SnO2、Nb2O5等有利于压敏电阻体热传导的添加剂组合，提高了压敏电阻器的耐过电压能力。按照“添加物预磨、与主料混料、细磨、喷雾造粒”得到造粒粉体材料。造粒粉体材料再经过“成型、排胶、烧结、制备银电极、烧结银电极、组装”制成压敏电阻器。详述如下：
(1)添加剂预磨：预磨料分两组单独进行，分别是：Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O为第一组，ZrO、SnO2、Nb2O5为第二组。具体是指根据本发明配方组份和比例先将氧化锌以外的材料进行称量混料，按照含固量的45％质量加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时。
(2)与主料混料和细磨：将预磨的两组添加剂与相应比例的ZnO在砂磨机中混合，按含固量的50％质量加入去离子水，再加入重量为ZnO质量10％的质量分数为10％的PVA溶液(聚氧乙烯醇溶液)，加入ZnO质量的1％的分散剂A15(泰兴市东进化工有限公司生产的陶瓷分散剂)，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时；
(3)喷雾造粒：采用压力式喷雾造粒塔，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得粉料的松密度为1.20～1.40g/cm3。
(4)干压成型：将造粒粉料压制成密度为3.25～3.35g/cm3的坯片。
(5)排胶：在隧道炉或箱式炉中，380～480℃保温4小时，将坯片中的PVA等有机物分解排出。
(6)烧结：将坯片在隧道炉或箱式炉中，在1100～1150℃保温3.5小时烧结成瓷。
(7)制备银电极、烧结银电极、组装：用含银量70～80％的银浆给压敏电阻瓷片丝网印制银电极，在隧道炉或箱式炉中560～620℃保温18～25分钟烧结银电极；给有银电极的压敏电阻器瓷片焊接引线，然后用环氧树脂粉末包封固化，形成压敏电阻完成品。
实施例1：
本实施例中，压敏电阻器陶瓷材料的配方组成为ZnO 94mol％、Bi2O3 1.5mol％、Sb2O3 1.0mol％、Co3O4 1.0mol％、MnCO3 0.398mol％、B2O3 0.2mol％、Ni2O3 0.2mol％、ZrO0.1mol％、SnO2 1.0mol％、Nb2O5 0.6mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
实际生产时，可根据上述配方组成中的摩尔百分比，换算成重量份数，以便操作；
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.30g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在380～420℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1100℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量75％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在560～620℃保温18～25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例2：
本实施例与实施例1配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.25g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在480℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1150℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量80％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在590℃保温22分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例3：
本实施例与实施例1配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.35g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在400℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1125℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量70％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在620℃保温25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例4：
本实施例中，压敏电阻器陶瓷材料的配方组成为ZnO 93mol％、Bi2O3 1.0mol％、Sb2O3 1.0mol％、Co3O4 1.0mol％、MnCO3 0.498mol％、B2O3 0.5mol％、Ni2O3 1.0mol％、ZrO0.2mol％、SnO2 1.3mol％、Nb2O5 0.5mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.30g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在380～420℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1100℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量75％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在560～620℃保温18～25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例5：
本实施例与实施例4配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.25g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在480℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1150℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量80％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在590℃保温22分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例6：
本实施例与实施例4配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.35g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在400℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1125℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量70％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在620℃保温25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例7：
本实施例中，压敏电阻器陶瓷材料的配方组成为ZnO 95mol％、Bi2O3 1.0mol％、Sb2O3 1.0mol％、Co3O4 1.0mol％、MnCO3 0.498mol％、B2O3 0.5mol％、Ni2O3 1.0mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％，未添加第二组分。
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料。
按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量的1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松装密度1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.30g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在380～420℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1100℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量75％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在560～620℃保温18～25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例8：
本实施例与实施例7配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料。
按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量的1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.25g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在480℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1150℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量80％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在590℃保温22分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例9：
本实施例与实施例7配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料。
按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量的1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.35g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在400℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1125℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量70％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在620℃保温25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例10：
本实施例中，压敏电阻器陶瓷材料的配方组成为ZnO 98.699mol％、Bi2O30.2mol％、Sb2O3 0.1mol％、Co3O4 0.2mol％、MnCO3 0.1mol％、B2O3 0.1mol％、Ni2O30.1mol％、ZrO 0.1mol％、SnO2 0.2mol％、Nb2O5 0.2mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.001mol％。
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.30g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在380～420℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1100℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量75％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在560～620℃保温18～25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例11：
本实施例与实施例10配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.25g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在480℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1150℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量80％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在590℃保温22分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例12：
本实施例与实施例10配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.35g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在400℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1125℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量70％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在620℃保温25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例13：
本实施例中，压敏电阻器陶瓷材料的配方组成为ZnO 60.497mol％、Bi2O38.0mol％、Sb2O3 8.0mol％、Co3O4 8.0mol％、MnCO3 5.0mol％、B2O3 2.0mol％、Ni2O34.0mol％、ZrO 1.0mol％、SnO2 2.0mol％、Nb2O5 1.5mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.003mol％。
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.30g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在380～420℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1100℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量75％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在560～620℃保温18～25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例14：
本实施例与实施例13配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.25g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在480℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1150℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量80％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在590℃保温22分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例15：
本实施例与实施例13配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.35g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在400℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1125℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量70％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在620℃保温25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例16：
本实施例中，压敏电阻器陶瓷材料的配方组成为ZnO 79.798mol％、Bi2O34.1mol％、Sb2O3 4.0mol％、Co3O4 4.1mol％、MnCO3 2.5mol％、B2O3 1.1mol％、Ni2O32.0mol％、ZrO 0.5mol％、SnO2 1.1mol％、Nb2O5 0.8mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.30g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在380～420℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1100℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量75％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在560～620℃保温18～25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例17：
本实施例与实施例16配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.25g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在480℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1150℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量80％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在590℃保温22分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例18：
本实施例与实施例16配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.35g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在400℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1125℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量70％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在620℃保温25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例19：
本实施例中，压敏电阻器陶瓷材料的配方组成为ZnO 81.498mol％、Bi2O34.1mol％、Sb2O3 4.1mol％、Co3O4 4.1mol％、MnCO3 2.6mol％、B2O3 1.0mol％、Ni2O32.1mol％、ZrO 0.5mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO按配方比例称量，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.30g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在380～420℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1100℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量75％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在560～620℃保温18～25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例20：
本实施例与实施例19配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO按配方比例称量，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.25g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在480℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1150℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量80％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在590℃保温22分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例21：
本实施例与实施例19配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO按配方比例称量，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.35g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在400℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1125℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量70％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在620℃保温25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例22：
本实施例中，压敏电阻器陶瓷材料的配方组成为ZnO 80.898mol％、Bi2O34.1mol％、Sb2O3 4.1mol％、Co3O4 4.1mol％、MnCO3 2.6mol％、B2O3 1.0mol％、Ni2O32.1mol％、SnO2 1.1mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售SnO2按配方比例称量，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.30g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在380～420℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1100℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量75％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在560～620℃保温18～25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例23：
本实施例与实施例22配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售SnO2按配方比例称量，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.25g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在480℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1150℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量80％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在590℃保温22分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例24：
本实施例与实施例22配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售SnO2按配方比例称量，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.35g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在400℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1125℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量70％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在620℃保温25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例25：
本实施例中，压敏电阻器陶瓷材料的配方组成为ZnO 81.098mol％、Bi2O34.1mol％、Sb2O3 4.1mol％、Co3O4 4.1mol％、MnCO3 2.6mol％、B2O3 1.0mol％、Ni2O32.1mol％、Nb2O5 0.9mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售Nb2O5按配方比例称量，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.30g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在380～420℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1100℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量75％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在560～620℃保温18～25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例26：
本实施例与实施例25配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售Nb2O5按配方比例称量，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.25g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在480℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1150℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量80％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在590℃保温22分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例27：
本实施例与实施例25配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售Nb2O5按配方比例称量，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.35g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在400℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1125℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量70％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在620℃保温25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例28：
本实施例中，压敏电阻器陶瓷材料的配方组成为ZnO 80.398mol％、Bi2O34.1mol％、Sb2O3 4.1mol％、Co3O4 4.1mol％、MnCO3 2.6mol％、B2O3 1.0mol％、Ni2O32.1mol％、ZrO 0.5mol％、SnO2 1.1mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.30g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在380～420℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1100℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量75％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在560～620℃保温18～25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例29：
本实施例与实施例28配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.25g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在480℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1150℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量80％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在590℃保温22分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例30：
本实施例与实施例28配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、SnO2按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.35g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在400℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1125℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量70％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在620℃保温25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例31：
本实施例中，压敏电阻器陶瓷材料的配方组成为ZnO 80.598mol％、Bi2O34.1mol％、Sb2O3 4.1mol％、Co3O4 4.1mol％、MnCO3 2.6mol％、B2O3 1.0mol％、Ni2O32.1mol％、ZrO 0.5mol％、Nb2O5 0.9mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.30g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在380～420℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1100℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量75％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在560～620℃保温18～25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例32：
本实施例与实施例31配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.25g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在480℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1150℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量80％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在590℃保温22分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例33：
本实施例与实施例31配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售ZrO、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.35g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在400℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1125℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量70％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在620℃保温25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例34：
本实施例中，压敏电阻器陶瓷材料的配方组成为ZnO 79.998mol％、Bi2O34.1mol％、Sb2O3 4.1mol％、Co3O4 4.1mol％、MnCO3 2.6mol％、B2O3 1.0mol％、Ni2O32.1mol％、SnO2 1.1mol％、Nb2O5 0.9mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.30g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在380～420℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1100℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量75％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在560～620℃保温18～25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例35：
本实施例与实施例34配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.25g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在480℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1150℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量80％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在590℃保温22分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
实施例36：
本实施例与实施例31配方相同，制备方法中温度、时间和银浆浓度不同，制备方法：
将市售Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、MnCO3、B2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料A。
将市售SnO2、Nb2O5按配方比例称量混合，按照含固量45％计算加入去离子水，在磨介为∮5氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨1小时，形成预磨料B。
将上述预磨料A和预磨料B在砂磨机中混合，按配方比例给砂磨机中加入ZnO，按含固量50％计算加入去离子水，按ZnO质量的10％加入质量分数为10％的PVA溶液，加入ZnO质量1％的分散剂A15，在磨介为∮5氧化锆球，转速300rpm的砂磨机中细磨2小时。
用压力式喷雾造粒塔进行喷雾造粒，入口温度200～300℃，出口温度80～120℃，负压15～25Pa，制得松密度为1.25g/cm3的粉体材料料；将粉料干压成密度为3.35g/cm3尺寸为Φ16.9×3.35的坯片。将坯片通过隧道炉或箱式炉在400℃保温4小时进行排胶。通过隧道炉或箱式炉在1125℃保温3.5小时将坯片烧结成Φ14×2.8的瓷片。用含银量70％的银浆通过丝网印刷给瓷片制作电极，用隧道炉或箱式炉在620℃保温25分钟烧结银电极。将有银瓷片经过焊接和用环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻。
表1列出了压敏电阻耐受暂态过电压的能力(平均耐受时间)比较，36组样品分别在暂态过电压下，80mA、110mA、150mA电流下的耐受时间。
表1
Figure BDA0001949013160000441
Figure BDA0001949013160000451
相比之下，实施例4-6所得产品在暂态电压下，80mA、110mA电流下的耐受时间均最长，为最佳方案。而实施例7-9所得产品在暂态电压下，80mA、110mA、150mA电流下的耐受时间虽最短，但均大于1s，也能很好的满足市场应用的要求。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种压敏电阻器陶瓷材料，其特征在于：所述的压敏电阻器陶瓷材料，由以下各组分按照摩尔百分比组成：Bi2O3 0.2～8.0mol％、Sb2O3 0.1～8.0mol％、Co3O4 0.2～8.0mol％、MnCO3 0.1～5.0mol％、B2O3 0.1～2.0mol％、Ni2O3 0.1～4.0mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.001～0.003mol％、ZnO补足至100mol％。
2.根据权利要求1所述的压敏电阻器陶瓷材料，其特征在于：所述的压敏电阻陶瓷材料的配方中按照摩尔百分比加入ZrO 0.1～1.0mol％、SnO2 0.2～2.0mol％、Nb2O5 0.2～1.5mol％中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的压敏电阻器陶瓷材料，其特征在于：所述的压敏电阻陶瓷材料的各组分按照摩尔百分比组成为：ZnO 94mol％、Bi2O3 1.5mol％、Sb2O3 1.0mol％、Co3O41.0mol％、MnCO3 0.398mol％、B2O3 0.2mol％、Ni2O3 0.2mol％、ZrO 0.1mol％、SnO21.0mol％、Nb2O5 0.6mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
4.根据权利要求2所述的压敏电阻器陶瓷材料，其特征在于：所述的压敏电阻陶瓷材料的各组分按照摩尔百分比组成为：ZnO 93mol％、Bi2O3 1.0mol％、Sb2O3 1.0mol％、Co3O41.0mol％、MnCO3 0.498mol％、B2O3 0.5mol％、Ni2O3 1.0mol％、ZrO 0.2mol％、SnO21.3mol％、Nb2O5 0.5mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.002mol％。
5.一种压敏电阻器陶瓷材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)预磨1，根据所要制备的压敏电阻器陶瓷材料的组成成分按照摩尔百分比Bi2O3 0.2～8.0mol％、Sb2O3 0.1～8.0mol％、Co3O4 0.2～8.0mol％、MnCO3 0.1～5.0mol％、B2O3 0.1～2.0mol％、Ni2O3 0.1～4.0mol％、Al(NO3)3·9H2O 0.001～0.003mol％称量，混合得到第一组预料，所述第一组预料加入去离子水，在磨介为氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨，得到预磨料A；
(2)预磨2，根据所要制备的压敏电阻器陶瓷材料的组成成分按照摩尔百分比ZrO 0.1～1.0mol％、SnO2 0.2～2.0mol％、Nb2O5 0.2～1.5mol％中的一种或者多种成分，称量混合得到第二组预料，所述第二组预料加入去离子水，在磨介为氧化锆球的砂磨机中300rpm湿法球磨，得到预磨料B；
(3)混料，将步骤(1)中的预磨料A和步骤(2)中的预磨料B混合，加入ZnO补足至100mol％，得到固液混合物，然后将所述固液混合物加入到去离子水中，得到混料溶液，并加入PVA溶液和分散剂A15；
(4)细磨，磨介为氧化锆球，在砂磨机中细磨；
(5)喷雾造粒，用压力式喷雾造粒塔造粒；
(6)成型，将造粒粉料压制成密度为3.25～3.35g/cm3的坯片；
(7)排胶，采用隧道炉或箱式炉排胶；
(8)烧结，采用隧道炉或箱式炉烧结；
(9)制备银电极，采用丝网印刷，瓷片上制作电极；
(10)烧结银电极，采用隧道炉或箱式炉烧结银电极；
(11)组装，银面上焊接引线后用环氧树脂粉末包封固化，制得压敏电阻。
6.根据权利要求5所述的压敏电阻器陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)和步骤(2)中的所述第一组预料和第二组预料中加入去离子水的质量为含固量的45％；步骤(3)中的所述混料溶液中固料和去离子水的质量比为2:1，所述PVA溶液的质量分数为10％，且PVA溶液的加入量为ZnO质量的10％；所述分散剂A15的加入量为ZnO质量的1％。
7.根据权利要求5所述的压敏电阻器陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(7)中所述排胶的最高温度保持在380～480℃，步骤(8)中所述烧结温度为1100℃～1150℃，步骤(10)中所述烧结银电极温度为560～620℃。
8.根据权利要求5所述的压敏电阻器陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(9)中所述制备银电极的银浆含量为70～80％。
9.根据权利要求5所述的压敏电阻器陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(7)中所述排胶的保温时间为4小时；步骤(8)中所述烧结的保温时间为3.5小时；步骤(10)中所述烧结银电极的保温时间为18～25分钟。
10.根据权利要求5所述的压敏电阻器陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)和步骤(2)中所述细磨的磨介为∮5氧化锆球，所述细磨时间为1个小时；步骤(4)中所述细磨的磨介为∮5氧化锆球，所述砂磨机的转速为300rpm，所述细磨时间为2个小时。
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