JPS60927B2 - 電圧非直線抵抗器の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗器の製造方法Info
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- JPS60927B2 JPS60927B2 JP55004865A JP486580A JPS60927B2 JP S60927 B2 JPS60927 B2 JP S60927B2 JP 55004865 A JP55004865 A JP 55004865A JP 486580 A JP486580 A JP 486580A JP S60927 B2 JPS60927 B2 JP S60927B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電圧非直線抵抗器の製造方法に関するものであ
り「とくに高電圧用に適し、しかも低温糠結を可能にし
たものである。
り「とくに高電圧用に適し、しかも低温糠結を可能にし
たものである。
近年、酸化亜鉛と徴量の金属酸化物からなるいわゆる酸
化亜鉛(Zn○)バリスタが広く用いられるようになっ
ている。
化亜鉛(Zn○)バリスタが広く用いられるようになっ
ている。
ZnOバリスタは、素子の厚みを変えることによってあ
る程度任意に立上り電圧を制御することができ、また電
圧非直線性やサージ特性、安定性などに優れているため
、過電圧保護素子や電圧安定化素子として用いられてい
る。Zn○バリスタの性能は次第に改善されてきている
が、用途が広がるにつれて、新たな性能が要求されるよ
うになっている。その一つは小型高性能化である。小型
とするためには、単位厚みあたりの立上り電圧(lmA
の電流を流した時の端子電圧でV,mAと記述し、バリ
スタ電圧と呼ぶ)を上げることが必要である。Zn○バ
liスタの単位厚みあたりのバリスタ電圧は、競綾体中
のZn○の粒界に形成された障壁の数で決定される。し
たがって言い変えれば、Zn桃泣子の粒径で決まると考
えてよい。これまでにも単位厚みあたりのバリスタ電圧
を上げる方法としてはいくつかの手段が知られている。
その第1は粒成長を抑制する添加物、具体的には酸化ア
ンチモン(Sb203)や酸化珪素(S02)を加える
方法である。しかし他の添加物、たとえば酸化ビスマス
なども含めた時の添加物総量が12モル%以下の材料で
は、単位厚みあたりのバリスタ電圧が400V以上で、
電圧非直線指数や制限電圧特性に優れたものは得られて
いない。とくにSi02添加の場合には焼結体にボイド
やピンホールができやすく、サージ耐量が大幅に低下す
るだけでなく、製造の歩留りも低下する。Zn0に対し
添加物総量を増していけば、単位厚みあたりのバリスタ
電圧の高いものも得られるが、これらの素子では、電圧
非直線指数や制限電圧特性が低下する。これは添加物に
よる高抵抗の析出物が増大し、粒界の特性を悪化させた
り、実効的に電流が流れる面積を減少させたりすること
に起因すると考えられる。たとえばSb203を加えた
場合には、Sb203の多くはZn○を反応してZn7
Sb20,2なるスピネル結晶となって、またSi02
を加えた場合には、S02の多くはやはりZn○と反応
してZらSi04なる微結晶となって粒界に析出する。
これらの析出物は、いずれもZn0の粒子に比べはるか
に大きな抵抗を有しており、電流が流れる上での邪魔物
となっている。第2の方法として焼成温度を低くする方
法がある。
る程度任意に立上り電圧を制御することができ、また電
圧非直線性やサージ特性、安定性などに優れているため
、過電圧保護素子や電圧安定化素子として用いられてい
る。Zn○バリスタの性能は次第に改善されてきている
が、用途が広がるにつれて、新たな性能が要求されるよ
うになっている。その一つは小型高性能化である。小型
とするためには、単位厚みあたりの立上り電圧(lmA
の電流を流した時の端子電圧でV,mAと記述し、バリ
スタ電圧と呼ぶ)を上げることが必要である。Zn○バ
liスタの単位厚みあたりのバリスタ電圧は、競綾体中
のZn○の粒界に形成された障壁の数で決定される。し
たがって言い変えれば、Zn桃泣子の粒径で決まると考
えてよい。これまでにも単位厚みあたりのバリスタ電圧
を上げる方法としてはいくつかの手段が知られている。
その第1は粒成長を抑制する添加物、具体的には酸化ア
ンチモン(Sb203)や酸化珪素(S02)を加える
方法である。しかし他の添加物、たとえば酸化ビスマス
なども含めた時の添加物総量が12モル%以下の材料で
は、単位厚みあたりのバリスタ電圧が400V以上で、
電圧非直線指数や制限電圧特性に優れたものは得られて
いない。とくにSi02添加の場合には焼結体にボイド
やピンホールができやすく、サージ耐量が大幅に低下す
るだけでなく、製造の歩留りも低下する。Zn0に対し
添加物総量を増していけば、単位厚みあたりのバリスタ
電圧の高いものも得られるが、これらの素子では、電圧
非直線指数や制限電圧特性が低下する。これは添加物に
よる高抵抗の析出物が増大し、粒界の特性を悪化させた
り、実効的に電流が流れる面積を減少させたりすること
に起因すると考えられる。たとえばSb203を加えた
場合には、Sb203の多くはZn○を反応してZn7
Sb20,2なるスピネル結晶となって、またSi02
を加えた場合には、S02の多くはやはりZn○と反応
してZらSi04なる微結晶となって粒界に析出する。
これらの析出物は、いずれもZn0の粒子に比べはるか
に大きな抵抗を有しており、電流が流れる上での邪魔物
となっている。第2の方法として焼成温度を低くする方
法がある。
Zn○バリスタにおけるZn○粒子は、添加物の一部が
液相となった状態で、この液相を介して原子のやりとり
をして粒成長していく。したがって低温で焼成するほど
Zn○の粒成長は少ない。しかし普通得られる市販の原
料を用いて、低温で焼成した場合には、特性の良好な焼
結体が得られない。これは普通得られる市販の原料の平
均粒径が1山mからそれ以上あることに起因している。
すなわち添加物、なかでも最もよく用いられる添加物で
、液相形成の中心となるBi203の添加量は0.5モ
ル%程度であり、この粒径がlAmもあれば、Bi20
3は混合粉体、および成型体全体の中にごくまばらにし
か存在しないことになる。この状態で温度を上げていっ
た場合、Bi203が溶融してその部分の焼結が進むわ
けであるが、その温度が低いと「溶融したBi203の
拡散は、もともとそれが存在したごとく周辺部分にのみ
とどまり、きわめて不均一な焼結しか行なわれない。し
たがって溶融したBi203が十分拡散して全体にいき
わたる温度まで上げてやらし、ないと、バリスタとして
特性の優れた競結体が得られない。通常市販の材料を用
いた場合には「十分な拡散のおこる温度は1200〜1
40000である。したがって通常の市販原材料を用い
て焼成した場合には、低温で焼結させるバリス夕として
性能のよいものが得られず、したがってこの方法ではZ
n0粒子の粒径が小さくてかつ特性の優れたバリス外ま
得られない。本発明はかかる状況にあって、低温焼成に
よっても特性のよいバリスタを得るようにしたものであ
り「とくに単位厚みあたりのバリスタ電圧が高くて、電
圧非直線指数が大きく、制限電圧特性に優れたバリスタ
を提供するものであり、以下に実施例と共にその詳細を
述べる。
液相となった状態で、この液相を介して原子のやりとり
をして粒成長していく。したがって低温で焼成するほど
Zn○の粒成長は少ない。しかし普通得られる市販の原
料を用いて、低温で焼成した場合には、特性の良好な焼
結体が得られない。これは普通得られる市販の原料の平
均粒径が1山mからそれ以上あることに起因している。
すなわち添加物、なかでも最もよく用いられる添加物で
、液相形成の中心となるBi203の添加量は0.5モ
ル%程度であり、この粒径がlAmもあれば、Bi20
3は混合粉体、および成型体全体の中にごくまばらにし
か存在しないことになる。この状態で温度を上げていっ
た場合、Bi203が溶融してその部分の焼結が進むわ
けであるが、その温度が低いと「溶融したBi203の
拡散は、もともとそれが存在したごとく周辺部分にのみ
とどまり、きわめて不均一な焼結しか行なわれない。し
たがって溶融したBi203が十分拡散して全体にいき
わたる温度まで上げてやらし、ないと、バリスタとして
特性の優れた競結体が得られない。通常市販の材料を用
いた場合には「十分な拡散のおこる温度は1200〜1
40000である。したがって通常の市販原材料を用い
て焼成した場合には、低温で焼結させるバリス夕として
性能のよいものが得られず、したがってこの方法ではZ
n0粒子の粒径が小さくてかつ特性の優れたバリス外ま
得られない。本発明はかかる状況にあって、低温焼成に
よっても特性のよいバリスタを得るようにしたものであ
り「とくに単位厚みあたりのバリスタ電圧が高くて、電
圧非直線指数が大きく、制限電圧特性に優れたバリスタ
を提供するものであり、以下に実施例と共にその詳細を
述べる。
Zn0バリスタに用いられる代表的添加物であるBj2
03,Co203,Mn02,SQ03,Cr203,
Si02,NOなどについて「おのおのの粒度分布が第
1表に示すような試薬を用意し、第2表に示すような粒
度分布を有するZn○試薬に、第3表に示す組成の割合
で加えて、合計で100モル%になるようにした粉体を
混合、造粒、成型の後、1000午○で焼成した。
03,Co203,Mn02,SQ03,Cr203,
Si02,NOなどについて「おのおのの粒度分布が第
1表に示すような試薬を用意し、第2表に示すような粒
度分布を有するZn○試薬に、第3表に示す組成の割合
で加えて、合計で100モル%になるようにした粉体を
混合、造粒、成型の後、1000午○で焼成した。
得られた焼結体を厚み1肌に研磨し、両面にアルミニウ
ムの溶射電極を設けた。暁絹体の直径は17〜14脚L
電極の直径は12肋である。このようにして得られた素
子のlmAにおける電圧V,mA,0.1mAとlmA
の間における電圧非直線指数Q(Qは1=(V/C)c
で定義される。ただし1は電流「Vは電圧、Cは定数)
および8×20仏Sの衝撃電流波形で10Mを流した時
の電圧VlooAとV,mAの比(制限電圧比)を測定
した。結果を第4表に示す。第1表 第2表 第 3 表 第 4 表 第4表よりわかるように同一組成であっても、その5の
重量%以上が0.1〃m以下の粒径を有するような添加
物を用いた方が、V,mAが高く、QZが大きく、制限
電圧比が小さい。
ムの溶射電極を設けた。暁絹体の直径は17〜14脚L
電極の直径は12肋である。このようにして得られた素
子のlmAにおける電圧V,mA,0.1mAとlmA
の間における電圧非直線指数Q(Qは1=(V/C)c
で定義される。ただし1は電流「Vは電圧、Cは定数)
および8×20仏Sの衝撃電流波形で10Mを流した時
の電圧VlooAとV,mAの比(制限電圧比)を測定
した。結果を第4表に示す。第1表 第2表 第 3 表 第 4 表 第4表よりわかるように同一組成であっても、その5の
重量%以上が0.1〃m以下の粒径を有するような添加
物を用いた方が、V,mAが高く、QZが大きく、制限
電圧比が小さい。
さらに主成分のZn○の粒径もその5の重量%以上が0
.1rm以下の場合には、さらに特性が向上している。
.1rm以下の場合には、さらに特性が向上している。
しかし添加物の粒径が大きい場合には、Zn桃泣子の粒
径が小さくてもほとんど特性は向上2してし、ない。な
おこの場合、5広重量%以上の粒径が0.1ムm以下の
原材料は、いずれもその9溝重量%以上の粒径が0.5
仏m以下であった。上記の粒径の効果は、添加物の組成
を変えても全く同じであることがわかる。
径が小さくてもほとんど特性は向上2してし、ない。な
おこの場合、5広重量%以上の粒径が0.1ムm以下の
原材料は、いずれもその9溝重量%以上の粒径が0.5
仏m以下であった。上記の粒径の効果は、添加物の組成
を変えても全く同じであることがわかる。
すなわち添加物の250重量%以上の粒径が0.1山m
以下の場合には、Zn○の5の重量%以上の粒径がlA
m以上であっても、そのV,mAは400以上、Q‘ま
50以上、制限電圧比は1.40以下のものが得られる
。この場合Zn○の9虫重量%以上は5〃m以下の粒径
であった。さ3らに添加物に加えて、Zn○の5の重量
%以上の粒径が0.1山m以下の場合には、VimAが
500V以上、Qが60以上「制限電圧比が1.35以
下のものが得られる。しかもこの場合焼成温度が低くて
よいという利点がある。
以下の場合には、Zn○の5の重量%以上の粒径がlA
m以上であっても、そのV,mAは400以上、Q‘ま
50以上、制限電圧比は1.40以下のものが得られる
。この場合Zn○の9虫重量%以上は5〃m以下の粒径
であった。さ3らに添加物に加えて、Zn○の5の重量
%以上の粒径が0.1山m以下の場合には、VimAが
500V以上、Qが60以上「制限電圧比が1.35以
下のものが得られる。しかもこの場合焼成温度が低くて
よいという利点がある。
図は、第4表に示した組成■について、焼成温度を変え
た場合のQの変化について示したものである。添加物の
5の重量%以上の粒径が0。1一m以下の場合には90
0o0の焼成でも充分大きなQが得られ、高温までQの
良好な範囲が広がっている。
た場合のQの変化について示したものである。添加物の
5の重量%以上の粒径が0。1一m以下の場合には90
0o0の焼成でも充分大きなQが得られ、高温までQの
良好な範囲が広がっている。
しかし粒径の大きな添加物を用いた場合にはト900〜
1150ooではあまり大きなQが得られず「 120
0〜1300午Cではじめて大きなQが得られる。した
がって本発明の方法によれば、従来の糠成最適温度が1
200〜1300qoであったのに対して、900〜1
150こ0の低温焼成で十分大きなQの得られることが
わかる。近年のエネルギー不足の状況においては、この
ように低温擬結が可能になるということは、量産してい
く上できわめて有理であると言える。また粒径の大きな
添加物を用いた場合にはある程度高温で焼かねば、特性
のよいものは得られず、必然的にZnO粒子が粒成長し
「 VimAが低下する。本発明の方法が、低温での嫁
結を可能にする理由は、添加物が微粒子であるため、添
加物が成型体中に均一に分散しており、そのため擬鯖温
度をそれほど高くしなくても、成型体全体で均一に反応
が起こる、そのため容易に焼結が進むものと考えられる
。
1150ooではあまり大きなQが得られず「 120
0〜1300午Cではじめて大きなQが得られる。した
がって本発明の方法によれば、従来の糠成最適温度が1
200〜1300qoであったのに対して、900〜1
150こ0の低温焼成で十分大きなQの得られることが
わかる。近年のエネルギー不足の状況においては、この
ように低温擬結が可能になるということは、量産してい
く上できわめて有理であると言える。また粒径の大きな
添加物を用いた場合にはある程度高温で焼かねば、特性
のよいものは得られず、必然的にZnO粒子が粒成長し
「 VimAが低下する。本発明の方法が、低温での嫁
結を可能にする理由は、添加物が微粒子であるため、添
加物が成型体中に均一に分散しており、そのため擬鯖温
度をそれほど高くしなくても、成型体全体で均一に反応
が起こる、そのため容易に焼結が進むものと考えられる
。
またV,mA/帆が高いのは、低温焼精のためZn○の
粒成長があまり進まないことに起因すると考えられる。
電圧非直線指数Qが良い理由もやはり同じである。Q‘
まZn0粒子の粒界が十分添加物によっておおわれるこ
とによって大きくなると考えられる。すなわち微粒子原
料であれば低温焼成でもそれが可能となることによると
考えられる。制限電圧比がよくなる理由は、反応が均一
に進むため、Zn舵位子の粒成長が均一に行われること
によると考えられる。微粒子の原料は種々の方法によっ
て得ることができる。
粒成長があまり進まないことに起因すると考えられる。
電圧非直線指数Qが良い理由もやはり同じである。Q‘
まZn0粒子の粒界が十分添加物によっておおわれるこ
とによって大きくなると考えられる。すなわち微粒子原
料であれば低温焼成でもそれが可能となることによると
考えられる。制限電圧比がよくなる理由は、反応が均一
に進むため、Zn舵位子の粒成長が均一に行われること
によると考えられる。微粒子の原料は種々の方法によっ
て得ることができる。
たとえば、添加物または添加物と亜鉛とを水に溶ける形
の加合物を出発原料として、水に溶かし、これにアンモ
ニアあるいは水酸化物を加えることによって、添加物ま
たは添加物と亜鉛を不溶性沈澱物に変え、これを乾燥し
て、500〜900℃の空気中で焼成してやれば、微粒
子の酸化物原料を得ることができる。このようにして得
られた原料の粒径は、電子顕微鏡観察によればへその5
0重量%以上が0.1仏m以下となっている。また上記
溶液をいきなり高温の空気中へ噴霧することによっても
微粒子乾燥粉末を得ることできる。なお上記いずれの場
合も「溶液を容器に入れて乾燥器などの中で乾燥する場
合には、溶解度の低いものから分離沈澱がおこるため、
よい特性のものが得られない。
の加合物を出発原料として、水に溶かし、これにアンモ
ニアあるいは水酸化物を加えることによって、添加物ま
たは添加物と亜鉛を不溶性沈澱物に変え、これを乾燥し
て、500〜900℃の空気中で焼成してやれば、微粒
子の酸化物原料を得ることができる。このようにして得
られた原料の粒径は、電子顕微鏡観察によればへその5
0重量%以上が0.1仏m以下となっている。また上記
溶液をいきなり高温の空気中へ噴霧することによっても
微粒子乾燥粉末を得ることできる。なお上記いずれの場
合も「溶液を容器に入れて乾燥器などの中で乾燥する場
合には、溶解度の低いものから分離沈澱がおこるため、
よい特性のものが得られない。
以上述べたように、本発明はも出発原料の粒度分布を制
御することによって「 1150qC以下での低温凝結
が可能でもしかも小型高性能化に適したバリスタ電圧の
高い〜 Qの大きな、制限電圧比に優れた電圧非直線抵
抗器を供給するものである。
御することによって「 1150qC以下での低温凝結
が可能でもしかも小型高性能化に適したバリスタ電圧の
高い〜 Qの大きな、制限電圧比に優れた電圧非直線抵
抗器を供給するものである。
図はZn○バリスタの焼成温度と電圧非直線指数Qの関
係を示したものである。
係を示したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 添加物おのおのの50重量%以上の粒子の粒径が0
.1μm以下である粉体を酸化亜鉛粒子と混合し、成型
、焼成することを特徴とする電圧非直線抵抗器の製造方
法。 2 主成分である酸化亜鉛の50重量%以上の粒子の粒
径が0.1μm以下であることを特徴とする特許請求の
範囲第1項に記載の電圧非直線抵抗器の製造方法。 3 添加物おのおのの99重量%以上の粒子の粒径が0
.5μm以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
1項に記載の電圧非直線抵抗器の製造方法。 4 主成分である酸化亜鉛の99重量%以上の粒子の粒
径が0.5μm以下であることを特徴とする特許請求の
範囲第1項に記載の電圧非直線抵抗器の製造方法。 5 焼成温度を900〜1150℃としたことを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載の電圧非直線抵抗器の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55004865A JPS60927B2 (ja) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55004865A JPS60927B2 (ja) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56101712A JPS56101712A (en) | 1981-08-14 |
JPS60927B2 true JPS60927B2 (ja) | 1985-01-11 |
Family
ID=11595560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55004865A Expired JPS60927B2 (ja) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60927B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05258915A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Ngk Insulators Ltd | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57148308A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | Voltage nonlinear resistor |
JPS6197801A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体 |
JPH0834136B2 (ja) * | 1987-12-07 | 1996-03-29 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線抵抗体 |
JPH077613B2 (ja) * | 1990-02-02 | 1995-01-30 | 東京電力株式会社 | 懸垂型避雷碍子 |
US5225111A (en) * | 1990-08-29 | 1993-07-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Voltage non-linear resistor and method of producing the same |
-
1980
- 1980-01-18 JP JP55004865A patent/JPS60927B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05258915A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Ngk Insulators Ltd | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56101712A (en) | 1981-08-14 |
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