JPS6019643B2 - 電圧非直線抵抗器の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗器の製造方法Info
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- JPS6019643B2 JPS6019643B2 JP55004900A JP490080A JPS6019643B2 JP S6019643 B2 JPS6019643 B2 JP S6019643B2 JP 55004900 A JP55004900 A JP 55004900A JP 490080 A JP490080 A JP 490080A JP S6019643 B2 JPS6019643 B2 JP S6019643B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電圧非直線抵抗器の製造方法に関するものであ
り、とくに高電圧用に適し、しかも低温燐結を可能にし
たものである。
り、とくに高電圧用に適し、しかも低温燐結を可能にし
たものである。
近年、酸化亜鉛と徴量の金属酸化物からなるいわゆる酸
化亜鉛(Zn○)バリスタが広く用いられるようになっ
ている。
化亜鉛(Zn○)バリスタが広く用いられるようになっ
ている。
ZnOバリスタは、素子の厚みを変えることによってあ
る程度任意に立上り電圧を制御することができ、また電
圧非直線性やサージ特性、安定性などに優れているため
、過電圧保護素子や電圧安定化素子として用いられてい
る。Zn○バリスタの性能は次第に改善されてきている
が、用途が広がるにつれて、新たな性能が要求されるよ
うになっている。その一つは小型高性能化である。小型
とするためには、単位厚みあたりの立上り電圧(lmA
の電流を流した時の端子電圧でV,m^と記述し、バリ
スタ電圧と呼ぶ)を上げることが必要である。Zn○バ
リスタの単位厚みあたりのバリスタ電圧は、暁給体中の
Zn○粒子の粒界に形成された障壁の数で決定される。
したがって言い換えれば、ZnO粒子の粒径で決まると
考えてよい。これまでにも単位厚みあたりのバリスタ電
圧を上げる方法としていくつかの手段が知られている。
その第1は粒成長を抑制する添加物、具体的には酸化ア
ンチモン(Sb203)や酸化珪素(Si02)を加え
る方法である。しかし他の添加物、たとえば酸化ビスマ
ス(Bi203)なども含めた時の添加物総量が12モ
ル%以下の材料では、単位厚みあたりのバリスタ電圧が
400V以上で、電圧非直線指数や制限電圧特性に優れ
たものが得られてし、ない。とくにSj02添加の場合
には競結体にボィドやピンホールができやすく、サージ
耐量が大幅に低下するだけでなく、製造の歩留りも低下
する。Z血に対し添加物総量を増していけば、単位厚み
あたりのバリスタ電圧の高いものも得られるが、これら
の素子では、電圧非直線指数や制限電圧特性が低下する
。これらは添加物による高抵抗の析出物が増大し、粒界
の特性を悪化させたり、実効的に電流が流れる面積を減
少させたりすることに起因すると考えられる。たとえば
SQ03を加えた場合には、Sb203の多くはZn0
と反応してZn7Sb20,2なるスピルネ結晶となっ
て、またSi02を加えた場合には、Si02の多くは
やはりZn0と反応してZnぶi04なる微結晶となっ
て粒界に析出する。これらの析出物は、いずれもZの粒
子に比べはるかに高い抵抗を示し、電流が流れる上での
邪魔物となっている。第2の方法として焼成温度を低く
する方法がある。
る程度任意に立上り電圧を制御することができ、また電
圧非直線性やサージ特性、安定性などに優れているため
、過電圧保護素子や電圧安定化素子として用いられてい
る。Zn○バリスタの性能は次第に改善されてきている
が、用途が広がるにつれて、新たな性能が要求されるよ
うになっている。その一つは小型高性能化である。小型
とするためには、単位厚みあたりの立上り電圧(lmA
の電流を流した時の端子電圧でV,m^と記述し、バリ
スタ電圧と呼ぶ)を上げることが必要である。Zn○バ
リスタの単位厚みあたりのバリスタ電圧は、暁給体中の
Zn○粒子の粒界に形成された障壁の数で決定される。
したがって言い換えれば、ZnO粒子の粒径で決まると
考えてよい。これまでにも単位厚みあたりのバリスタ電
圧を上げる方法としていくつかの手段が知られている。
その第1は粒成長を抑制する添加物、具体的には酸化ア
ンチモン(Sb203)や酸化珪素(Si02)を加え
る方法である。しかし他の添加物、たとえば酸化ビスマ
ス(Bi203)なども含めた時の添加物総量が12モ
ル%以下の材料では、単位厚みあたりのバリスタ電圧が
400V以上で、電圧非直線指数や制限電圧特性に優れ
たものが得られてし、ない。とくにSj02添加の場合
には競結体にボィドやピンホールができやすく、サージ
耐量が大幅に低下するだけでなく、製造の歩留りも低下
する。Z血に対し添加物総量を増していけば、単位厚み
あたりのバリスタ電圧の高いものも得られるが、これら
の素子では、電圧非直線指数や制限電圧特性が低下する
。これらは添加物による高抵抗の析出物が増大し、粒界
の特性を悪化させたり、実効的に電流が流れる面積を減
少させたりすることに起因すると考えられる。たとえば
SQ03を加えた場合には、Sb203の多くはZn0
と反応してZn7Sb20,2なるスピルネ結晶となっ
て、またSi02を加えた場合には、Si02の多くは
やはりZn0と反応してZnぶi04なる微結晶となっ
て粒界に析出する。これらの析出物は、いずれもZの粒
子に比べはるかに高い抵抗を示し、電流が流れる上での
邪魔物となっている。第2の方法として焼成温度を低く
する方法がある。
Zn○バリスタにおけるZn0粒子は、添加物の一部が
液相となった状態で、この液相を介して原子のやりとり
をして粒成長していく。したがって低温で焼成するほど
Zn○の粒成長は少ない。しかし普通得られる市販の原
料を用いて、低温で焼成した場合には、特性の良好な焼
結体が得られない。これらは普通得られる市販の原料の
平均粒径が1山mからそれ以上あることに起因している
。すなわち添加物、なかでも最もよく用いられる添加物
で、液相形成の中心となるBら03の添加量は、0.5
モル%程度であり、この粒径が1山mもあれば、Bi2
03は混合粉体、および成型体全体の中にごくまばらに
しか存在しないことになる。この状態で温度を上げてい
った場合、Bj203が溶融してその部分の競緒が進む
わけであるが、その温度が低いと、溶融したBi203
の拡散は、もともとそれが存在したごとく周辺部分にの
みとどまり、きわめて不均一な焼絹しか行なわれない。
したがって溶融したBi203が十分拡散して全体にい
きわたる温度まで上げてやらないと、バリスタとして特
性の優れた暁結体は得られない。通常市販の材料を用い
た場合には、十分な拡散のおこる温度は1200〜14
0ぴ0である。したがって通常の市販原材料を用いて焼
成した場合には、低温で暁結させるとバリスタとしての
性能のよいものは得られず、したがってこの方法ではZ
n○の粒子の粒径が小さ〈、特性の磯れたバリスタは得
られない。本発明はかかる状況にあって、低温焼成によ
っても特性のよいバリスタを得るようにしたものであり
、とくに単位厚みあたりのバリスタ電圧が高くて、電圧
非直線指数が大きく、制限電圧特性に優れたバリスタを
提供するものであり、以下に実施例と共にその詳細を述
べる。
液相となった状態で、この液相を介して原子のやりとり
をして粒成長していく。したがって低温で焼成するほど
Zn○の粒成長は少ない。しかし普通得られる市販の原
料を用いて、低温で焼成した場合には、特性の良好な焼
結体が得られない。これらは普通得られる市販の原料の
平均粒径が1山mからそれ以上あることに起因している
。すなわち添加物、なかでも最もよく用いられる添加物
で、液相形成の中心となるBら03の添加量は、0.5
モル%程度であり、この粒径が1山mもあれば、Bi2
03は混合粉体、および成型体全体の中にごくまばらに
しか存在しないことになる。この状態で温度を上げてい
った場合、Bj203が溶融してその部分の競緒が進む
わけであるが、その温度が低いと、溶融したBi203
の拡散は、もともとそれが存在したごとく周辺部分にの
みとどまり、きわめて不均一な焼絹しか行なわれない。
したがって溶融したBi203が十分拡散して全体にい
きわたる温度まで上げてやらないと、バリスタとして特
性の優れた暁結体は得られない。通常市販の材料を用い
た場合には、十分な拡散のおこる温度は1200〜14
0ぴ0である。したがって通常の市販原材料を用いて焼
成した場合には、低温で暁結させるとバリスタとしての
性能のよいものは得られず、したがってこの方法ではZ
n○の粒子の粒径が小さ〈、特性の磯れたバリスタは得
られない。本発明はかかる状況にあって、低温焼成によ
っても特性のよいバリスタを得るようにしたものであり
、とくに単位厚みあたりのバリスタ電圧が高くて、電圧
非直線指数が大きく、制限電圧特性に優れたバリスタを
提供するものであり、以下に実施例と共にその詳細を述
べる。
実施例 1
Zn0バリスタに用いられる代表的添加物であるビスマ
ス(Bi),コバルト(Co),マンガン(Mn),ア
ンチモン(Sb),クロム(Cr)各イオンを含有する
溶液を形成し、これをZn○粒体に加え泥しようとした
。
ス(Bi),コバルト(Co),マンガン(Mn),ア
ンチモン(Sb),クロム(Cr)各イオンを含有する
溶液を形成し、これをZn○粒体に加え泥しようとした
。
加えた添加物イオンの量は、それぞれBi203の形に
換算して0.5モル%、Co203に換算して0.5モ
ル%、Mn02に換算して0.5モル%、Sb203に
換算して1.0モル%、Cで203に換算して0.5モ
ル%である。残量をZn0とし、全体で100モル%と
なっている。またこれらの溶液は、Biについてはあら
かじめ、Bi203を硝酸(HN03)に溶解し、Sb
についてはSbF3を水に溶解し、また、Co,Mn,
Crについてはそれぞれの硝酸化物を水に溶解し、これ
らを最終的に混合することによって得た。ついでこのよ
うにして得た泥しようを77Kの液体窒素の中へ、直径
1脚程度の細管より、圧縮空気によって噴露し、微粒子
の氷結粉を得た。
換算して0.5モル%、Co203に換算して0.5モ
ル%、Mn02に換算して0.5モル%、Sb203に
換算して1.0モル%、Cで203に換算して0.5モ
ル%である。残量をZn0とし、全体で100モル%と
なっている。またこれらの溶液は、Biについてはあら
かじめ、Bi203を硝酸(HN03)に溶解し、Sb
についてはSbF3を水に溶解し、また、Co,Mn,
Crについてはそれぞれの硝酸化物を水に溶解し、これ
らを最終的に混合することによって得た。ついでこのよ
うにして得た泥しようを77Kの液体窒素の中へ、直径
1脚程度の細管より、圧縮空気によって噴露し、微粒子
の氷結粉を得た。
つぎにこの粉体を容器に入れ、さらにその容器を液体窒
素で冷却した真空容器の中へ封入した。真空容器を真空
ポンプで真空に引きながら、氷結粉の昇華がすみやかに
進み、液化することないこ水分が氷結状態から昇華して
飛散し、固体粉末が得られるような条件で、ゆっくりと
昇温を行なった。このようにして得られた粉末を、80
0qoの空気中で2時間焼成した後、粉砕,造粒,成型
し、それを100ぴ0で2時間焼成した。なお比較のた
めに、従釆の通常の酸化物原料を用いて、同じように仮
嬢,粉砕,造粒,成型をし、同一条件で焼成をした。得
られた擬結体を厚み1側に研磨し、両面にアルミニウム
の溶射電極を設けた。暁結体の直径は17〜14肋、電
極の直径は12肋である。このようにして得られた素子
のlmAにおける電圧V,M、0.1mAとlmAの間
における電圧非直線指数a(aは1=(V/C)aで定
義される。ただし1は電流、Vは電圧、Cは定数)およ
び8×20ムSの衝撃電流波形で100A流した時の電
圧V,。ひとV,m^の比(制限電圧比)を測定した。
結果を第1表に示す。第1表 第1表よりわかるように、同一組成であっても、本発明
の方法により得られた試料の方がV,mAが高く、aが
大きく、制限電圧比が小さい。
素で冷却した真空容器の中へ封入した。真空容器を真空
ポンプで真空に引きながら、氷結粉の昇華がすみやかに
進み、液化することないこ水分が氷結状態から昇華して
飛散し、固体粉末が得られるような条件で、ゆっくりと
昇温を行なった。このようにして得られた粉末を、80
0qoの空気中で2時間焼成した後、粉砕,造粒,成型
し、それを100ぴ0で2時間焼成した。なお比較のた
めに、従釆の通常の酸化物原料を用いて、同じように仮
嬢,粉砕,造粒,成型をし、同一条件で焼成をした。得
られた擬結体を厚み1側に研磨し、両面にアルミニウム
の溶射電極を設けた。暁結体の直径は17〜14肋、電
極の直径は12肋である。このようにして得られた素子
のlmAにおける電圧V,M、0.1mAとlmAの間
における電圧非直線指数a(aは1=(V/C)aで定
義される。ただし1は電流、Vは電圧、Cは定数)およ
び8×20ムSの衝撃電流波形で100A流した時の電
圧V,。ひとV,m^の比(制限電圧比)を測定した。
結果を第1表に示す。第1表 第1表よりわかるように、同一組成であっても、本発明
の方法により得られた試料の方がV,mAが高く、aが
大きく、制限電圧比が小さい。
実施例 2実施例1では主成分のZn○として通常の酸
化物粉末を用いて添加物溶液との混合を行なったが、つ
ぎにZnについても硝酸亜鉛(Zn(N03)2)を用
いることによって水に溶解させ、これに実施例1の方法
で得た添加物溶液を加え、混合することによってすべて
の原料を溶解した溶液を得た。
化物粉末を用いて添加物溶液との混合を行なったが、つ
ぎにZnについても硝酸亜鉛(Zn(N03)2)を用
いることによって水に溶解させ、これに実施例1の方法
で得た添加物溶液を加え、混合することによってすべて
の原料を溶解した溶液を得た。
この溶液を実施例1と全く同一の方法で、液体窒素中へ
頃霧し、同一の真空昇華乾燥処理により粉末原料を得、
これを用いて、やはり実施例1と同じ方法で焼結体を得
、電極を設けて特性を測定した。結果を第2表に示す。
第2表 第2表によりわかるように、同一組成であっても、本発
明の方法により得られた試料の方が、実施例1の場合よ
りもV,m^/側が高く、aが大きく、制限電圧が小さ
い。
頃霧し、同一の真空昇華乾燥処理により粉末原料を得、
これを用いて、やはり実施例1と同じ方法で焼結体を得
、電極を設けて特性を測定した。結果を第2表に示す。
第2表 第2表によりわかるように、同一組成であっても、本発
明の方法により得られた試料の方が、実施例1の場合よ
りもV,m^/側が高く、aが大きく、制限電圧が小さ
い。
すなわち実施例1の方法で得た試料は、V,m^が40
0V以上、aは50以上、制限電圧比は1.40以下の
特性を示す。
0V以上、aは50以上、制限電圧比は1.40以下の
特性を示す。
また実施例2の方法で得た試料は、V,m^が500V
以上、aが60以上制限電圧比が1.35以下の特性を
示している。しかもこの場合、焼成温度が低くてよいと
いう利点がある。図は、実施例2と比較例の成型体の焼
成温度とaの変化の関係を示したものである。実施例2
の場合には、実線で示すように900℃でも充分大きな
aが得られ、高温までaの良好な範囲が広がっている。
しかし従来例では、破線で示すように、900〜115
0qoではあまり大きなaが得られず、1200〜13
00qoではじめて大きなaが得られる。したがって本
発明の方法によれば、従来の焼成最適温度が1200〜
1300qoであったのに対して、900〜1150q
○の低温焼成で十分大きなaの得られることがわかる。
低温焼結が可能な点については実施例1も同様であった
。近年のエネルギー不足の状況においては、このように
低温焼成が可能になるということは、量産していく上で
きわめて有利であると言える。本発明では各添加物ある
いは各添加物と亜鉛を溶液状態で混合しており、そのた
め混合の程度はきわめてよい。
以上、aが60以上制限電圧比が1.35以下の特性を
示している。しかもこの場合、焼成温度が低くてよいと
いう利点がある。図は、実施例2と比較例の成型体の焼
成温度とaの変化の関係を示したものである。実施例2
の場合には、実線で示すように900℃でも充分大きな
aが得られ、高温までaの良好な範囲が広がっている。
しかし従来例では、破線で示すように、900〜115
0qoではあまり大きなaが得られず、1200〜13
00qoではじめて大きなaが得られる。したがって本
発明の方法によれば、従来の焼成最適温度が1200〜
1300qoであったのに対して、900〜1150q
○の低温焼成で十分大きなaの得られることがわかる。
低温焼結が可能な点については実施例1も同様であった
。近年のエネルギー不足の状況においては、このように
低温焼成が可能になるということは、量産していく上で
きわめて有利であると言える。本発明では各添加物ある
いは各添加物と亜鉛を溶液状態で混合しており、そのた
め混合の程度はきわめてよい。
またそれを小さな水滴とし、液体窒素中へ階霧すること
によって、瞬間的にその微小水滴を氷結させ、その状態
で液相状態を経ずに固相状態のままで昇華乾燥させるた
め、得られた乾燥粉末の中の各添加物の分布は、ほぼ溶
液状態の時に得られたと同じような分布となっている。
したがって混合状態はきわめてよい。しかも得られた乾
燥粉末は、各添加物やZn○の微粒子が凝集したもので
あり、それぞれ個々の一次粒子はきわめて細かいものと
なっている。本発明の方法が、低温での焼結を可能にす
る理由は、このようにして得られた添加物が微粒子でし
かもZn0と均一に混合されているため、添加物が成型
体中に均一に分散しており、そのため暁結温度をそれほ
ど高くしなくても、成型体体で均一に反応が起こり、そ
のため容易に暁結が進むものと思われる。
によって、瞬間的にその微小水滴を氷結させ、その状態
で液相状態を経ずに固相状態のままで昇華乾燥させるた
め、得られた乾燥粉末の中の各添加物の分布は、ほぼ溶
液状態の時に得られたと同じような分布となっている。
したがって混合状態はきわめてよい。しかも得られた乾
燥粉末は、各添加物やZn○の微粒子が凝集したもので
あり、それぞれ個々の一次粒子はきわめて細かいものと
なっている。本発明の方法が、低温での焼結を可能にす
る理由は、このようにして得られた添加物が微粒子でし
かもZn0と均一に混合されているため、添加物が成型
体中に均一に分散しており、そのため暁結温度をそれほ
ど高くしなくても、成型体体で均一に反応が起こり、そ
のため容易に暁結が進むものと思われる。
またV,m^/側が高いのは、低温焼結のためZn○の
粒成長があまり進まないことに起因するものと考えられ
る。電圧非直線指数aがよい理由もやはり同じである。
aはZn○粒子の粒界が十分添加物によっておおわれる
ことによって大きくなると考えられる。すなわち本発明
のように原材料が微粒子でしかも均一に混合されていれ
ば低温焼成でもそれが可能となることによると考えられ
る。制限電圧比がよくなる理由は、反応が均一に進むた
め、Zno粒子の粒成長が均一に行われることによると
考えられる。本発明の効果は、溶液における優れた混合
状態をそのまま微粒子として実現できることによるもの
であり、したがって溶液を単に乾燥器に入れて乾燥させ
るような方法では得られない。
粒成長があまり進まないことに起因するものと考えられ
る。電圧非直線指数aがよい理由もやはり同じである。
aはZn○粒子の粒界が十分添加物によっておおわれる
ことによって大きくなると考えられる。すなわち本発明
のように原材料が微粒子でしかも均一に混合されていれ
ば低温焼成でもそれが可能となることによると考えられ
る。制限電圧比がよくなる理由は、反応が均一に進むた
め、Zno粒子の粒成長が均一に行われることによると
考えられる。本発明の効果は、溶液における優れた混合
状態をそのまま微粒子として実現できることによるもの
であり、したがって溶液を単に乾燥器に入れて乾燥させ
るような方法では得られない。
すなわち、そのような単純な乾燥方法では、乾燥の過程
で、不均一に分離してしまうためである。以上述べたよ
うに、本発明は、原材料を溶液状態で混合し、その分布
をそのままの状態で固化させることによって低温での焼
綾が可能で、しかも小型高性能化に通したバリスタ電圧
の高い、aの大きな制限電圧比に優れた電圧非直線抵抗
器を供給するものである。
で、不均一に分離してしまうためである。以上述べたよ
うに、本発明は、原材料を溶液状態で混合し、その分布
をそのままの状態で固化させることによって低温での焼
綾が可能で、しかも小型高性能化に通したバリスタ電圧
の高い、aの大きな制限電圧比に優れた電圧非直線抵抗
器を供給するものである。
図はZn○のバリスタの焼成温度と電圧非直線指数aの
関係の一例を示したものである。
関係の一例を示したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 添加物イオンを含有する溶液を作り、この溶液に、
酸化亜鉛粉末を混入し、次にこの溶液を、ガス圧によつ
て液体窒素中に噴霧し、得られた微粒子の氷結粉を液体
窒素で冷却した容器に入れ、容器内部を真空にし、排気
しながら容器温度を上げていくことによつて、前記氷結
粉が再び液体状態に戻ることなく昇華によつて溶媒成分
を蒸発させることによつて得られる粉体を、成型,焼成
することを特徴とする電圧非直線抵抗器の製造方法。 2 焼結温度を900〜1150℃とすることを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載の電圧非直線抵抗器の
製造方法。 3 添加物イオンと亜鉛イオンを含有する溶液を作り、
この溶液をガス圧によつて液体窒素中へ噴霧し、得られ
た微粒子の氷結粉を液体窒素で冷却した容器に入れ、容
器内部を真空にし、排気しながら容器温度を上げていく
ことによつて、前記氷結粉が再び液体状態に戻ることな
く昇華によつて溶媒成分を蒸発させることによつて得ら
れる粉体を成型,焼成することを特徴とする電圧非直線
抵抗器の製造方法。 4 900〜1150℃で焼成することを特徴とする特
許請求の範囲第3項に記載の電圧非直線抵抗器の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55004900A JPS6019643B2 (ja) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55004900A JPS6019643B2 (ja) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56101713A JPS56101713A (en) | 1981-08-14 |
JPS6019643B2 true JPS6019643B2 (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=11596533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55004900A Expired JPS6019643B2 (ja) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6019643B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5968906A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-19 | 三菱電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
-
1980
- 1980-01-18 JP JP55004900A patent/JPS6019643B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56101713A (en) | 1981-08-14 |
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