JPS5816603B2 - 電圧非直線抵抗素子の製造方法 - Google Patents

電圧非直線抵抗素子の製造方法

Info

Publication number
JPS5816603B2
JPS5816603B2 JP54061300A JP6130079A JPS5816603B2 JP S5816603 B2 JPS5816603 B2 JP S5816603B2 JP 54061300 A JP54061300 A JP 54061300A JP 6130079 A JP6130079 A JP 6130079A JP S5816603 B2 JPS5816603 B2 JP S5816603B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
resistance element
voltage nonlinear
voltage
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54061300A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS55153301A (en
Inventor
横溝雄二
南清
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Marcon Electronics Co Ltd
Original Assignee
Marcon Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Marcon Electronics Co Ltd filed Critical Marcon Electronics Co Ltd
Priority to JP54061300A priority Critical patent/JPS5816603B2/ja
Priority to US06/147,525 priority patent/US4265844A/en
Publication of JPS55153301A publication Critical patent/JPS55153301A/ja
Publication of JPS5816603B2 publication Critical patent/JPS5816603B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は酸化亜鉛を主成分とする焼結体において出発原
料として金属亜鉛およびスピネル型結晶のアンチモン化
合物を含有する電圧非直線抵抗素子の製造方法に関する
近年IC・トランジスタ・サイリスクなどの半導体素子
および半導体回路とその応用の急速な発展にともない計
測・制御・通信機器および電力機器における半導体素子
および半導体回路の使用が・普及し、これら機器の小型
化・高性能化が急速に進展している。
しかし他方ではこのような進歩にともないこれらの機器
やその部品の耐電圧・耐サージおよび耐ノイズ性能は十
分とはいえない。
このためこれらの機器や部品を異常なサージやノイズか
ら保護すること、あるいは回路電圧を安定化することが
きわめて重要な課題になってきている。
これらの課題のために電圧非直線性がきわめて大きく放
電耐量の大きい寿命特性のすぐれたしかも安価な電圧非
直線抵抗素子の開発が要求されてき1でいる。
従来これらの目的のためにSiCバリスタやSiバリス
タなどの電圧非直線抵抗素子やツェナーダイオードなど
が用いられてきた。
また最近では酸化亜鉛を主成分としこれに添加物を加え
たバリスタが開発されている。
バリスタの電流電圧特性は一般につぎの関係 I :(V/C) a で表示される。
ここで■はバリスタに印加されている電圧であり、■は
バリスタを流れる電流である。
またCは与えられた電流を流したときの電圧iに対応す
る定数である。
α=1はオームの法則にしたがう普通の抵抗体であり、
αが大きいほど非直線性がすぐれているといえる。
ここではバリスタ特性をCとαで表わすかわりに1mA
における立上り電圧V 1 mAとαで表わすこととす
る。
従1来用いられているSiCバリスタはSiC粒子を磁
器結合剤で焼き固めたものでその非直線性はSiC粒子
相互の接触抵抗の電圧依存性に起因している。
したがってバリスタを流れる電流方向の厚みを変えるこ
とによってα値を制御することができる。
しかし非直線係数αは3から7と比較的小さい。
しかも非酸化性雰囲気中で焼成する盛装がある。
他方Siバリスタはその非直線性がSiのP −n接合
に起因したものであるため広範囲にわたってα値を制御
することが不可能である。
ツェナーダイオードも同様にSiのP −n接合を第1
用しているために電圧非直線性は極めて大きいが高電圧
用の素子を作ることが難しく、また放電耐量が小さくサ
ージに弱いという欠点がある。
また酸化亜鉛を主成分とするセラミックバリスタとして
酸化ビスマス・酸化コバルト・酸化マンガン・酸化アン
チモンむどを含むものが最近開発されている。
これらはその非直線性が焼結体自体に起因しているため
対称形の電圧電流特性を示しその非直線性が非常に大き
いという長所をもっている。
しかしながら衝撃大電流を印加したときのVlmAの正
方向の変化率と負方向への変化率の差が大きく、特に負
方向への変化が大きい。
このことは対称形の電圧電流特性が維持できない、すな
わち極性が発生するという大きい欠点となり安定性のな
い素子として信頼性を保証することができない。
この他酸化ビスマスを含まないで酸化ニッケルおよび酸
化バリウム等を含むものや希土類元素および酸化コバル
トを含むものなどが開発されておりこれらのものは上記
の衝撃大電流を印加したときのVlmAの変化率の差は
小さくなっているが電圧非直線性は酸化ビスマスを含む
ものと比較して小さくバリスタとしてのサージ抑制特性
が悪いため使用範囲が限られてしまう欠点があった。
* しかるに本発明の目的は従来の電圧非直線抵抗素子
における上記の欠点を解決せんとするものである。
すなわち本質的に対称形の電圧電流特性を有し、そのサ
ージ抑制特性が良好である高い電圧非直線係数αをもち
実用上衝撃大電流印加時に高い信頼性をユーザに与える
電圧電流特性の維持をなし、さらに課電寿命特性を高め
るv1μAの電圧の高安定性を満足させるために電圧非
直線性が焼結体自体に依存しα値が60以上と高い値を
も・ち、かつ衝撃大電流を印加した場合のVlmAの正
方向の変化率と負方向の変化率の差が1%以下ときわめ
て小さい極性特性をもち、さらに■1バ時の電圧変化率
が3%以下と小さい非常にすぐれた電圧非直線抵抗素子
の製造方法を提供することにある。
以下本発明の詳細を一実施例にもとづき説明する。
実施例 酸化亜鉛に酸化ビスマス・酸化コバルト・酸化マンガン
・金属亜鉛およびスピネル型結晶のアン1チモン化合物
をそれぞれ0.001〜10モル%の範囲で添カロしこ
れを十分に混合して20mvtφ×1w1tの寸法の円
板型に成型し1000’C以上の空気中高温で焼結した
ここで用いるスピネル型結晶のアンチモン化合物はつぎ
のようにしてあらかじめ調整しておく。
すなわち酸化亜鉛・酸化マグネシウムおよび酸化アンチ
モンをスピネル型結晶を形成する組成に調合し1300
℃で6時間高温処理し湿式粉砕して製造する。
焼結した試料の両面に電極をつけ特性を測定したところ
第1表に示・すような結果が得られた。
すなわち第1表は焼結体の厚みを固定して電極の種類を
変えた場合の特性を調べたものであるが、この第1表か
られかるように電極の種類と無関係に素体の厚みによっ
て特性が変わる焼結体自体が非直線性をもつ素子である
ことがわかる。
つぎに第1図に焼結温度と添加量を変えたときのV 1
mAに対応するα値の変化を示す。
試料の焼結温度と組成・添加量は第2表に示すとおりで
ある。
曲線1は本発明の実施例でもつとも大きなα値を示す。
曲線2は比較例で前記試料において金属亜鉛を出発原料
として使用しないですべて酸*・化亜鉛を用いた場合の
特性を示す。
曲線3は参考例として酸化ビスマスを含まないで酸化亜
鉛に酸化ニッケルおよび酸化バリウム等を添加したもの
である。
これかられかるように酸化ビスマスを含み金属亜鉛を出
発原料として含有するバリスタは大きいα値がV 1
mAの広い範囲にわたり得られるという特徴をもってい
る。
つぎに第3表に極性特性の比較を示す。
すなわち第3表は衝撃大電流特性・直流負荷特性・温湿
度サイクル特性をV 1 mAの正方向の変化率と負方
向の変化率で表わしたもので、従来のこの種の電圧非直
線抵抗素子のそれと比較した。
第3表において使用した素子はいずれも同一の形状寸法
にあわせた。
V1mA=200Vの素子の場合に関して示した例であ
る。
従来のZ n Oのバリスタのデータは本発明の実施例
の組成から金属亜鉛を出発原料として含有しないもので
ある。
第3表の値から本発明の製造方法により得られたバリス
タの値は従来のバリスタの値に比して一段とすぐれてい
ることがわかる。
衝撃電流特性は500Aのサージ電流を10000回印
加した場合のV l mA値の正方向・負方向の変化率
をみたもので、バリスタの主要な用途であるサージ吸収
素子としての安定性を調べたものである。
直流負荷特性は85℃中で2Wの負荷を連続500時間
印加後のVlmAの変化率を調べたものである。
従来のバリスタは高温度の場合の劣化が大きいことがわ
かる。
温湿度サイクル特性は一40℃から85°C95%RH
の雰囲気中で2Wの負荷を100サイクル行った後の変
化率を調べたものである。
また第1図に参考例(曲線3)として示した酸化亜鉛に
酸化ニッケルおよび酸化バリウム等を添tJ[したもの
の極性特性はαの正方向の変化率と負方向の変化率の差
の絶対値が4〜5%である。
本発明の製造方法により得られた電圧非直線抵抗素子は
非直線性がすぐれているうえ、さらに極性特性がきわめ
て小さい。
このことは対称形の電圧電流特性を維持する意味で非常
に重要であるとともにこれらの寿命特性・安定性は素子
として高い信頼性を保証するものである。
このことは実用上からみて特に重要である。
なお添加物の酸化ビスマス・酸化コバルト・酸化マンガ
ン等は前記実施例では酸化物を用いたが空気中高温で酸
化物になるものであればよく必ずしも酸化物に限らない
ことはいうまでもない。
焼結温度の最適点は添加物の添加量に応じて若干具なる
が、1000℃以下の温度では焼結が不十分となり第2
表に示した安定性の特徴を発揮することは難しい。
焼結温度の上限は焼結過度、すなわち焼結体が変形した
り膨張したりする現象がみられない温度によってきめら
れる。
本発明者の実験結果から金属亜鉛のもつとも有効な添加
量は第2図に示す衝撃電流特性から明らかなように0.
001〜10モル%の範囲であり、酸化亜鉛・酸化マグ
ネシウム・酸化アンチモンからなるスピネル型結晶のア
ンチモン化合物のもつとも有効な添加量は第3図に示す
温湿度サイクル特性から明らかなように0.001〜1
0モル%の範囲である。
両者とも0.001モル%未満または10モル%を越え
る範囲では負方向のV 1 mA変化率がマイナスとな
り従来と同程度の安定性しかもたない。
なお、本発明において上記添加物以外にさらに他の添加
物をあらかじめ酸化亜鉛に添加しておくかあるいは焼結
体中に拡散させるか、またはこれらの方法を適宜組み合
わせて実施してもよい。
以上詳述したように本発明によれば酸化亜鉛を主成分と
し焼結体自体が電圧非直線特性を有する電圧非直線抵抗
素子の製造方法において出発原料として金属亜鉛および
酸化亜鉛・酸化マグネシウム・酸化アンチモンからなる
スピネル型結晶のアンチモン化合物を含有することによ
ってきわめて大きい非直線性を有ししかも極性特性が非
常に良好で、かつ製造方法がきわめて簡便であり安定し
た特性を有する電圧非直線抵抗素子の製造方法を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例と従来の参考例とのV 1 m
Aに対応するα値の変化の比較を示す曲線図、第2図は
衝撃電流特性を示す曲線図、第3図は温湿度サイクル特
性を示す曲線図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 酸化亜鉛を主成分とし焼結体自体が電圧非直線特性
    を有する電圧非直線抵抗素子の製造方法において金属亜
    鉛および酸化亜鉛・酸化マグネシウム・酸化アンチモン
    からなるスピネル型結晶のアンチモン化合物を出発原料
    として含有することを特徴とする電圧非直線抵抗素子の
    製造方法。 2 金属亜鉛およびスピネル型結晶のアンチモン化合物
    の含有率がそれぞれo、ooi〜10モル%であること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電圧非直線抵
    抗素子の製造方法。 3 焼結体が酸化亜鉛・金属亜鉛およびスピネル型結晶
    のアンチモン化合物に少なくとも酸化ビスマスを加えた
    ものからなることを特徴とする特許請求の範囲第1項ま
    たは第2項記載の電圧非直線抵抗素子の製造方法。 4 焼結体が酸化亜鉛・金属亜鉛およびスピネル型結晶
    のアンチモン化合物に酸化コバルト・酸化マンガンなど
    の金属酸化物の一種または二種以上を少量添加したもの
    からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
    第3項のいずれかに記載の電圧非直線抵抗素子の製造方
    法。
JP54061300A 1979-05-16 1979-05-17 電圧非直線抵抗素子の製造方法 Expired JPS5816603B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54061300A JPS5816603B2 (ja) 1979-05-17 1979-05-17 電圧非直線抵抗素子の製造方法
US06/147,525 US4265844A (en) 1979-05-16 1980-05-07 Method of manufacturing a voltage-nonlinear resistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54061300A JPS5816603B2 (ja) 1979-05-17 1979-05-17 電圧非直線抵抗素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55153301A JPS55153301A (en) 1980-11-29
JPS5816603B2 true JPS5816603B2 (ja) 1983-04-01

Family

ID=13167190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP54061300A Expired JPS5816603B2 (ja) 1979-05-16 1979-05-17 電圧非直線抵抗素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5816603B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55153301A (en) 1980-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4338223A (en) Method of manufacturing a voltage-nonlinear resistor
JPS5932043B2 (ja) 電圧非直線抵抗素子の製造方法
JPS643325B2 (ja)
JPS5816603B2 (ja) 電圧非直線抵抗素子の製造方法
JPS5821807B2 (ja) 電圧非直線抵抗素子の製造方法
JPS643326B2 (ja)
JPS586288B2 (ja) 電圧非直線抵抗素子の製造方法
JPS5932044B2 (ja) 電圧非直線抵抗素子の製造方法
JPS643324B2 (ja)
JPS5919449B2 (ja) 電圧非直線抵抗素子の製造方法
JP2985559B2 (ja) バリスタ
JP2625178B2 (ja) バリスタの製造方法
JPS623962B2 (ja)
JPH0574606A (ja) 低電圧用酸化亜鉛バリスタ
JPS643041B2 (ja)
JPS623963B2 (ja)
JPS623965B2 (ja)
JPS623964B2 (ja)
JPH03195003A (ja) 電圧非直線抵抗体
JP2001052907A (ja) セラミック素子とその製造方法
JPS589563B2 (ja) 電圧非直線抵抗体の製造方法
JPS5934603A (ja) 非直線抵抗体
JPH03178101A (ja) 電圧非直線抵抗体
JPS63132401A (ja) 電圧非直線抵抗体の製造方法
JPS589565B2 (ja) 電圧非直線抵抗体の製造方法