CN111153693A - 一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉及其制备方法，由以下摩尔份的组分制成：ZnO 88～98份、Bi2O3 0.2～6.0份、Sb2O3 0.1～3.0份、Co3O4 0.2～2.0份、MnCO3 0.1～1.0份、B2O3 0.01～0.1份；将Bi2O3、Sb2O3和Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3和Co3O4的微米粉末混合后再MnCO3、B2O3混合后研磨得混合物，再将混合物与ZnO混合后研磨，喷雾干燥后制得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉。本发明解决了防雷芯片承受较大雷击浪涌电流的问题，在等同几何尺寸下能承受的标称冲击电流是普通产品的2倍以上，能够实现防雷产品的小型化设计。

Description

一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉及其制备方法
技术领域
本发明属于电子陶瓷技术领域，具体涉及一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉及其制备方法。
背景技术
防雷芯片的氧化锌压敏电阻专用瓷粉主要作为主材应用于氧化锌压敏电阻器的生产，其主要应用于电力、电子线路中的防雷和防浪涌保护。目前国内防雷器制造厂家研制的防雷芯片不能完全满足防雷专用压敏芯片承受较大雷击浪涌电流技术能力，现有的防雷芯片在大电流冲击能力、工频过载耐受能力方面存在各种问题。因此，急需研发一种用于防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉，制得的防雷芯片能够满足承受较大雷击浪涌电流。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉及其制备方法，解决了防雷专用压敏芯片承受较大雷击浪涌电流的问题，在等同几何尺寸下能承受的标称冲击电流能达到普通产品的2倍以上。
本发明是通过以下技术方案来实现：
本发明提供了一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉，由以下摩尔份的组分制成：
ZnO 88～98份、Bi2O30.2～6.0份、Sb2O30.1～3.0份、Co3O40.2～2.0份、MnCO30.1～1.0份、B2O30.01～0.1份；
将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合，再与MnCO3、B2O3混合研磨得混合物，将混合物与ZnO混合后研磨，喷雾干燥后制得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉；其中，
Bi2O3的纳米粉末的添加量是Bi2O3的微米粉末的10～20at％；Sb2O3的纳米粉末的添加量是Sb2O3的微米粉末的10～20at％；Co3O4的纳米粉末的添加量是Co3O4的微米粉末的的30～50at％。
进一步，包括如下步骤：
将0.2～6.0摩尔份的Bi2O3、0.1～3.0摩尔份的Sb2O3和0.2～2.0摩尔份的Co3O4采用化学共沉淀法制得纳米粉末，然后将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合后再与0.1～1.0摩尔份的MnCO3、0.01～0.1摩尔份的B2O3混合进行预研磨制得混合物，将混合物与88～98摩尔份的ZnO混合后进行研磨，喷雾干燥后得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉。
进一步，所述的混合物的制备方法为：将Bi2O3、Sb2O3和Co3O4制成纳米粉末后，然后将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合，再与MnCO3、B2O3混合后加入至以∮5氧化锆球为介质球的砂磨机中，加入去离子水，湿法球磨1小时得混合物。
进一步，所述的去离子水的用量为所述的纳米粉末、微米粉末、MnCO3和B2O3的总量的45％。
进一步，将混合物与ZnO混合，依次加入去离子水、PVA和分散剂，细研磨2小时，喷雾干燥后得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉。
进一步，所述的去离子水的用量为混合物与ZnO的总量的55％。
进一步，所述的喷雾干燥在压力式造粒塔中进行；其中，入口温度为200～400℃，出口温度80～100℃，负压20Pa，制得的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的松装密度1.30～1.45g/cm3。
本发明还提供了一种所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉在制备压敏电阻中的应用。
进一步，所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉通过干压成型、排塑、烧结、被银、焊接、包封后制成压敏电阻器件；所述的压敏电阻器件的熟坯电位梯度范围为150～250V/mm。
进一步，所述的压敏电阻器件34×34mm的最大通流容量IMax≥60KA。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明公开了一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉及其制备方法，由以下摩尔份的组分制成：ZnO 88～98份、Bi2O30.2～6.0份、Sb2O30.1～3.0份、Co3O40.2～2.0份、MnCO30.1～1.0份、B2O30.01～0.1份；将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合，再与MnCO3、B2O3混合研磨得混合物，将混合物与ZnO混合后研磨，喷雾干燥后制得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉；其中，Bi2O3的纳米粉末的添加量是Bi2O3的微米粉末的10～20at％；Sb2O3的纳米粉末的添加量是Sb2O3的微米粉末的10～20at％；Co3O4的纳米粉末的添加量是Co3O4的微米粉末的的30～50at％。
本发明通过在防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的组分中部分替代Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米材料，不同于现有技术的单一纳米材料的一元掺杂，本发明是通过采用与压敏电阻晶粒生长密切相关的Bi-Sb-Co三元纳米材料掺杂技术，制备防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉；同时，通过部分替代Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米材料，既利用了纳米材料的高活性有效降低了固态化学反应的温度，又有效避免了现有技术中纳米材料不易有效分散的问题。通过本发明的氧化锌压敏电阻用瓷粉制成的压敏电阻期间，耐受8/20μS冲击的能力，比现有技术高出50％以上，有效地解决了防雷芯片承受较大雷击浪涌电流的问题；同时，采用本发明的氧化锌压敏电阻用瓷粉制得的压敏电阻器件34×34mm的最大通流容量IMax≥60KA，在等同几何尺寸下能承受的标称冲击电流是普通产品的2倍以上，能够实现防雷产品的小型化设计。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步详细描述，所述是对本发明的解释而不是限定。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。本领域的技术人员根据本发明技术方案的技术特征所做出的任何非本质的添加、替换，均属于本发明的保护范围。
实施例1
一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉，由以下摩尔份的组分制成：
ZnO 88份、Bi2O30.2份、Sb2O30.1份、Co3O40.2份、MnCO30.1份、B2O30.01份；将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合，再与MnCO3、B2O3混合研磨得混合物，将混合物与ZnO混合后研磨，喷雾干燥后制得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉；
其中，Bi2O3的纳米粉末的添加量是Bi2O3的微米粉末的10at％；Sb2O3的纳米粉末的添加量是Sb2O3的微米粉末的10at％；Co3O4的纳米粉末的添加量是Co3O4的微米粉末的的30at％。其中，at％为原子数百分含量。
一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的制备方法，包括如下步骤：
将0.2摩尔份的Bi2O3、0.1摩尔份的Sb2O3和0.2摩尔份的Co3O4采用化学共沉淀法制得纳米粉末，然后将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合后再与0.1摩尔份的MnCO3、0.01摩尔份的B2O3混合进行预研磨制得混合物，将混合物与88摩尔份的ZnO混合后进行研磨，喷雾干燥后得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉。
需要说明的是，Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末可以采用现有技术中的商供级纳米粉末，也可采用现有技术中化学共沉淀法来制备的Bi2O3、Sb2O3、Co3O4纳米粉末。
进一步，将Bi2O3、Sb2O3和Co3O4制成纳米粉末后，然后将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合，再与MnCO3、B2O3混合后加入至以∮5氧化锆球为介质球的砂磨机中，加入去离子水，湿法球磨1小时得混合物。
进一步，所述的去离子水的用量为所述的纳米粉末、微米粉末、MnCO3和B2O3的总量的45％。
进一步，将混合物与ZnO混合，依次加入去离子水、PVA和分散剂，细研磨2小时，喷雾干燥后得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉。
其中，PVA(聚乙烯醇)和分散剂的添加量为主料ZnO的1at％，分散剂包括LPR-323、A-15的一种或几种。
进一步，所述的去离子水的用量为混合物与ZnO的总量的55％。
进一步，所述的喷雾干燥在压力式造粒塔中进行；其中，入口温度为200～400℃，出口温度80～100℃，负压20Pa，制得的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的松装密度1.30～1.45g/cm3。
本发明结合防雷器的IEC标准，通过对于防雷专用芯片的技术参数的研究，提供了一种用于制作1000V以下供电系统防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉，对于主要添加剂(Bi2O3、Sb2O3、Co3O4)采用了纳米替代技术，在压敏电阻的瓷粉的组分中同时添加部分替代的Bi2O3、Sb2O3、Co3O4纳米材料，采用与压敏电阻晶粒生长密切相关的Bi-Sb-Co三元纳米材料掺杂技术，相对于单一微米级材料掺杂，表现出了较好的优越性；利用纳米材料的高活性有效降低了固态化学反应的温度，同时有效避免了现有技术中纳米材料不易有效分散的问题。其中，Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米材料采用Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的商供微米材料，Bi2O3、Sb2O3、Co3O4按照以下比例采用其纳米材料替换商供微米级材料，比例如下：Bi2O3的10～20at％、Sb2O3的10～20at％、Co3O4的30～50at％。
本发明还提供了一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的制备方法，通过“将添加物预磨、与主料混料、细磨、喷雾干燥”得到氧化锌压敏电阻用瓷粉。氧化锌压敏电阻用瓷粉的喷雾干燥过程在压力式造粒塔中进行，不需要进行烧结，是一种免热处理的压敏防雷芯片制造工艺。
实施例2
一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉，由以下摩尔份的组分制成：
ZnO 93份、Bi2O33.0份、Sb2O31.5份、Co3O41.0份、MnCO30.5份、B2O30.05份；将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合，再与MnCO3、B2O3混合研磨得混合物，将混合物与ZnO混合后研磨，喷雾干燥后制得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉；其中，
Bi2O3的纳米粉末的添加量是Bi2O3的微米粉末的15at％；Sb2O3的纳米粉末的添加量是Sb2O3的微米粉末的15at％；Co3O4的纳米粉末的添加量是Co3O4的微米粉末的的40at％。
需要说明的是，采用化学共沉淀法制备Bi2O3、Sb2O3和Co3O4的纳米粉末，也可以采用Bi2O3、Sb2O3和Co3O4的商供级纳米粉末，Bi2O3、Sb2O3和Co3O4的微米粉末采用的是Bi2O3、Sb2O3和Co3O4的商供级微米粉末。
一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的制备方法，包括如下步骤：
采用3.0摩尔份的Bi2O3、1.5摩尔份的Sb2O3和1.0摩尔份的Co3O4的商供纳米粉末，将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的商供纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的商供微米粉末混合后再与0.5摩尔份的MnCO3、3.0摩尔份的B2O3混合后预研磨制得混合物，将混合物与93摩尔份的ZnO混合后进行研磨，喷雾干燥后得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉。
进一步，所述的混合物的制备方法为：将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的商供纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的商供微米粉末混合后再与MnCO3、B2O3混合后加入至以∮5氧化锆球为介质球的砂磨机中，加入去离子水，湿法球磨1小时得混合物。
进一步，所述的去离子水的用量为所述的纳米粉末、微米粉末、MnCO3和B2O3的总量的45％。
进一步，将混合物与ZnO混合，依次加入去离子水、PVA和分散剂，细研磨2小时，喷雾干燥后得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉；其中，PVA(聚乙烯醇)和分散剂的添加量为主料ZnO的1at％。
进一步，所述的去离子水的用量为混合物与ZnO的总量的55％。
进一步，所述的喷雾干燥在压力式造粒塔中进行；其中，入口温度为200～400℃，出口温度80～100℃，负压20Pa，制得的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的松装密度1.30～1.45g/cm3。
所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉制备压敏电阻器件的制备方法与实施例1的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉制备压敏电阻器件的制备方法相同，在此不再赘述。
实施例3
一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉，由以下摩尔份的组分制成：
ZnO 98份、Bi2O36.0份、Sb2O33.0份、Co3O42.0份、MnCO31.0份、B2O30.1份；将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合，再与MnCO3、B2O3混合研磨得混合物，将混合物与ZnO混合后研磨，喷雾干燥后制得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉；其中，
Bi2O3的纳米粉末的添加量是Bi2O3的微米粉末的20at％；Sb2O3的纳米粉末的添加量是Sb2O3的微米粉末的20at％；Co3O4的纳米粉末的添加量是Co3O4的微米粉末的的50at％。
一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的制备方法，包括如下步骤：
采用6.0摩尔份的Bi2O3、3.0摩尔份的Sb2O3和2.0摩尔份的Co3O4的商供纳米粉末，将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的商供纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的商供微米粉末混合后与1.0摩尔份的MnCO3、0.1摩尔份的B2O3混合后预研磨制得混合物，将混合物与98摩尔份的ZnO混合后进行研磨，喷雾干燥后得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉。
进一步，所述的混合物的制备方法为：将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合，再与MnCO3、B2O3混合后加入至以∮5氧化锆球为介质球的砂磨机中，加入去离子水，湿法球磨1小时得混合物。
进一步，所述的去离子水的用量为所述的纳米粉末、微米粉末、MnCO3和B2O3的总量的45％。
进一步，将混合物与ZnO混合，依次加入去离子水、PVA和分散剂，细研磨2小时，喷雾干燥后得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉；其中，PVA(聚乙烯醇)和分散剂的添加量为主料ZnO的1at％。
进一步，所述的去离子水的用量为混合物与ZnO的总量的55％。
进一步，所述的喷雾干燥在压力式造粒塔中进行；其中，入口温度为200～400℃，出口温度80～100℃，负压20Pa，制得的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的松装密度1.30～1.45g/cm3。
所述的氧化锌压敏电阻用瓷粉制备压敏电阻器件的制备方法与实施例1的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉制备压敏电阻器件的制备方法相同，在此不再赘述。
本发明还提供了一种所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉在制备压敏电阻中的应用。
进一步，所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉通过干压成型、排塑、烧结、被银、焊接、包封后制成压敏电阻器件；所述的压敏电阻器件的熟坯电位梯度范围为150～250V/mm。
进一步，所述的压敏电阻器件34×34mm的最大通流容量IMax≥60KA。
所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉再经过“干压成型、排塑、烧结、被银、焊接、包封”后制成压敏电阻器件。其中，“干压成型”是指将粉料压制成密度为3.20～3.40g/cm3的坯片。“排塑”是将坯片通过隧道炉或箱式炉在350～420℃保温2小时，使得坯片中的有机成分分解排出。“烧结”是指将坯片通过隧道炉或箱式炉在1020～1240℃保温2.5小时，使坯片成瓷。“被银、焊接、包封”是指将瓷片通过丝网印刷制作电极，其中银浆的含银量75～80％；印银后的瓷片通过隧道炉或箱式炉在580～620℃保温10～20分钟，使银浆还原，经过焊接后，通过环氧树脂粉末包封固化后制的压敏电阻器件。
以34S621为例，表1给出了采用本发明的不同梯度下压敏电阻主要性能指标及其与EPCOS样本指标的对比：
表1不同梯度下压敏电阻主要性能指标
Figure BDA0002355223330000091
通过实施例1、实施例2和实施例3制备的氧化锌压敏电阻用瓷粉，制作得到的压敏电阻的熟坯电位梯度E(电流密度为1mA/cm2时单位毫米的电压值)为150～250V/mm；非线性系数α(α＝1/log(U1mA/U0.1mA)为40～100；漏电流(施加最大直流使用电压下流过元件的电流值)≤5μA/cm2；在150～250V/mm的梯度范围内均能得到综合性能优良的产品。因此，通过本发明制得的氧化锌压敏电阻用瓷粉能够制作大尺寸、小轴径比的防雷芯片，主要指标均达到国外同类产品的性能要求。
由以上技术方案，本发明提供了一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉及其制备方法，由以下摩尔份的组分制成：ZnO 88～98份、Bi2O30.2～6.0份、Sb2O30.1～3.0份、Co3O40.2～2.0份、MnCO30.1～1.0份、B2O30.01～0.1份；将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合，再与MnCO3、B2O3混合研磨得混合物，将混合物与ZnO混合后研磨，喷雾干燥后制得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉；其中，Bi2O3的纳米粉末的添加量是Bi2O3的微米粉末的10～20at％；Sb2O3的纳米粉末的添加量是Sb2O3的微米粉末的10～20at％；Co3O4的纳米粉末的添加量是Co3O4的微米粉末的的30～50at％。
本发明通过在防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的组分中部分替代Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米材料，不同于现有技术的单一纳米材料的一元掺杂，本发明是通过采用与压敏电阻晶粒生长密切相关的Bi-Sb-Co三元纳米材料掺杂技术，制备防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉；同时，通过部分替代Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米材料，既利用了纳米材料的高活性有效降低了固态化学反应的温度，又有效避免了现有技术中纳米材料不易有效分散的问题。通过本发明的氧化锌压敏电阻用瓷粉制成的压敏电阻期间，耐受8/20μS冲击的能力，比现有技术高出50％以上，有效地解决了防雷芯片承受较大雷击浪涌电流的问题；同时，采用本发明的氧化锌压敏电阻用瓷粉制得的压敏电阻器件34×34mm的最大通流容量IMax≥60KA，在等同几何尺寸下能承受的标称冲击电流是普通产品的2倍以上，能够实现防雷产品的小型化设计。

Claims (10)

1.一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉，其特征在于，由以下摩尔份的组分制成：
ZnO 88～98份、Bi2O30.2～6.0份、Sb2O30.1～3.0份、Co3O40.2～2.0份、MnCO30.1～1.0份、B2O30.01～0.1份；
将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合，再与MnCO3、B2O3混合研磨得混合物，将混合物与ZnO混合后研磨，喷雾干燥后制得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉；其中，
Bi2O3的纳米粉末的添加量是Bi2O3的微米粉末的10～20at％；Sb2O3的纳米粉末的添加量是Sb2O3的微米粉末的10～20at％；Co3O4的纳米粉末的添加量是Co3O4的微米粉末的的30～50at％。
2.一种防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将0.2～6.0摩尔份的Bi2O3、0.1～3.0摩尔份的Sb2O3和0.2～2.0摩尔份的Co3O4采用化学共沉淀法制得纳米粉末，然后将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合后再与0.1～1.0摩尔份的MnCO3、0.01～0.1摩尔份的B2O3混合进行预研磨制得混合物，将混合物与88～98摩尔份的ZnO混合后进行研磨，喷雾干燥后得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉。
3.根据权利要求2所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的制备方法，其特征在于，所述的混合物的制备方法为：将Bi2O3、Sb2O3和Co3O4制成纳米粉末后，然后将Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的纳米粉末与Bi2O3、Sb2O3、Co3O4的微米粉末混合，再与MnCO3、B2O3混合后加入至以∮5氧化锆球为介质球的砂磨机中，加入去离子水，湿法球磨1小时得混合物。
4.根据权利要求3所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的制备方法，其特征在于，所述的去离子水的用量为所述的纳米粉末、微米粉末、MnCO3和B2O3的总量的45％。
5.根据权利要求2所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的制备方法，其特征在于，将混合物与ZnO混合，依次加入去离子水、PVA和分散剂，细研磨2小时，喷雾干燥后得防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉。
6.根据权利要求5所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的制备方法，其特征在于，所述的去离子水的用量为混合物与ZnO的总量的55％。
7.根据权利要求2所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的制备方法，其特征在于，所述的喷雾干燥在压力式造粒塔中进行；其中，入口温度为200～400℃，出口温度80～100℃，负压20Pa，制得的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉的松装密度1.30～1.45g/cm3。
8.权利要求1所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉在制备压敏电阻中的应用。
9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述的防雷芯片的氧化锌压敏电阻用瓷粉通过干压成型、排塑、烧结、被银、焊接、包封后制成压敏电阻器件；所述的压敏电阻器件的熟坯电位梯度范围为150～250V/mm。
10.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述的压敏电阻器件34×34mm的最大通流容量IMax≥60KA。
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