CN104183342A - 一种钛酸铜钙（CaCu3Ti4O12）的新用途及其制备方法 - Google Patents
一种钛酸铜钙（CaCu3Ti4O12）的新用途及其制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12，CCTO)的新用途及其制备方法，用于制备具有高介电常数、低介电损耗、介电常数频率稳定性好、电流-电压非线性系数高的电容-压敏电阻器。技术方案是采用常规固相烧结及烧银工艺制备简单的电容－压敏电阻器件。从变阻器所用材料的XRD和SEM图可发现，变阻器材料为纯相CCTO，晶粒尺寸呈现显著的两端分化特征且小颗粒紧密簇拥在大颗粒周围。电阻器的介电常数在102～106Hz范围内形成一个数值在105量级的稳定平台，介电损耗在103～105Hz范围内保持较低数值，最低值约0.078，两个圆弧组成阻抗图可等效为两个RC串联电阻电路，电阻器的电流-电压非线性系数为4.5，压敏电压为50V/mm，漏电流为0.267mA。从器件的性能指标可以看出，该电阻器具有非常好的综合电学性能，适于实际应用推广。
Description
技术领域
本发明涉及电子元器件技术领域，特别是涉及一种钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12)电容－压敏电阻器及其制备方法。
技术背景
近年来，电子陶瓷材料的研究和发展取得了飞速的进展，高性能电子陶瓷材料在当代高科技领域和国民经济中占有着举足轻重的地位。电子陶瓷材料是微电子和光电子等电子行业中制备基础元件的关键，其市场需求量大，产业化前景广阔，是一类重要的、国际竞争激烈的高技术新材料。在先进陶瓷市场中，电子陶瓷占其份额的80％，每年的销售额高达二百亿美元以上，其消费者主要为IT企业和半导体行业。其中，研发权主要掌握在美国和日本的手里，而在生产方面，日本则占据了全球市场份额的60％。据专家预测，世界电子陶瓷行业每年将以10％的速度不断增长，未来前景十分广阔。近年来，为了满足新型应用设备的发展需求，电子陶瓷材料在电子通信设备、医疗器材、环境监控器及交通工具等应用领域的研发都取得了卓越的成果，并在许多方面获得了新的突破。压敏、压电、热敏、介电、铁电等陶瓷都属于不断蓬勃发展的电子陶瓷。其中，压敏陶瓷以其特有的性能，在防雷、过压保护、稳压、消磁灭弧、消除电噪声、电路补偿等领域得到了广泛的应用。
压敏电阻陶瓷材料是指在一定温度下和某一特定电压范围内具有非线性欧姆(I–V)特性的半导体陶瓷材料。它能对瞬间电压波动做出灵敏的反应，且能反复使用而不会损坏。根据这种非线性伏安特性，可以将其制成非线性电阻器，即压敏电阻器。由于压敏电阻器在保护设备安全、保障设备正常稳定工作方面有重要的作用，可以用做灭火花、避雷针、过电压保护器等，因此在航空、航天、邮电、铁路、汽车和家用电器等领域具有潜在和广阔的应用前景。
存在显著电容效应的压敏电阻通常称为电容—压敏双功能元件，在使用时此类电阻器相当一只压敏电阻器和一只电容器相并联，能起到过电压保护和滤除噪声的双重作用，被誉为电子线路中的“保护神”。随着市场的需求，压敏电阻器必将沿着小型化和多功能化的方向发展，而由单一压敏性能的压敏陶瓷发展到具有电容性和压敏性的双功能电子元器件则成为一种必然。
CaCu3Ti4O12(CCTO)具有类钙钛矿(ABO3)体心立方结构，属于Im3(No.204)空间群。单个CCTO原胞中，有20个原子。其中，Ca原子处于立方体的顶点及中心位置，Ti原子处于TiO6八面体的中心，Cu原子通过4个键与O原子相连，Ca原子与O原子形成杂化平面而没有形成化学键，因此TiO6八面体是倾斜的。其晶格结构如上图1所示。
CCTO是一种具有优异介电性能的电介质材料，其介电常数可以达到104及以上，且在10-106Hz频率范围内几乎保持不变，而在100～400K温度范围内同样具有很高的温度稳定性，不存在结构相变。这种优异的性能为CCTO在电子行业的应用提供了良好的前提条件。目前，CCTO的应用主要集中在高密度信息存储和高介电电容器方面，而很少有人将其应用在压敏电阻上，这大大限制了CCTO在电子器件方面的应用。基于CCTO优异的介电性能和良好的非线性特征，本专利首次提出将其用作电容－压敏电阻器，并从性能上验证了其作为压敏电阻器的合理性。
发明内容
本发明是针对CCTO电子材料的优异性能，首次提出将其用作电容－压敏电阻器，从而提出了一种CCTO新颖的应用功能。
本发明还提供了一种如上所述的CCTO电容－压敏变阻器的制备方法。
一种CCTO电容－压敏变阻器的制备方法,工艺流程如图2。
工艺流程是通过如下步骤来实现的：
步骤A、分别在精密电子天平上准确称取高纯碳酸钙、氧化铜和二氧化钛等反应原料进行混合得到混料。所述混料中，反应原料纯度均＞99.5％，按照CCTO化学式摩尔比计算，所称量原料摩尔比为nCa:nCu:nTi＝1:3:4。
步骤B、将步骤A中混料置于内衬为聚四氟乙烯的球磨罐中球磨，以去离子水作为球磨介质，粉料、磨球、介质三者体积不超过罐体容积的三分之二，转速为250～300rpm，球磨时间为4～6h。之后将球磨过的浆料置于烘箱中，在70～80℃温度条件下，干燥4～6h，得到干粉。
步骤C、将步骤B中烘干的粉料置于固相反应炉中在950℃保温4～8h进行煅烧。之后对煅烧粉体进行二次球磨，干燥，同步骤B，得到干燥磨细的煅烧粉体。
步骤D、向二次球磨得到的干燥磨细粉体中加入浓度为4～6wt％的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘结剂，然后压制成Φ12.7×6mm的生坯进行陈腐，陈腐时间为18～24h。
步骤E、将步骤D中陈腐后的生坯在研钵中进行造粒，然后将物料过40目筛，最后压制成Φ12.7×2mm的圆片。压杆压力为11～14MPa。
步骤F、将步骤E中的圆片放置于排胶炉中，以1～3℃/min升温，在600℃下排胶2h，随炉冷却至室温。
步骤G、将步骤F中排胶后的片子置于高温烧结炉中，在1050℃下保温8h烧结得到陶瓷片。
步骤H、将步骤G中烧结得到的陶瓷片正反两面进行抛光处理后被上银浆，干燥后置于高温炉中在850℃保温15min，随炉冷却至室温，完成被电极。
步骤I、对步骤G中陶瓷材料进行XRD、SEM表征，对步骤H中的简易CCTO电容－压敏变阻器进行介电性能、I-V性能进行测试，得出介电常数ε，介电损耗tanδ，非线性系数α，压敏电压V0.1mA，漏电流IL等数据。
附图说明
图1CCTO结构图，黑色球代表Cu原子，白色球代表O原子，Ca原子位于立方体的顶点及中心位置。
图2CCTO电容－压敏变阻器的工艺流程。
图3是制备CCTO电容－压敏变阻器材料的X射线衍射分析图(XRD)。
图4是制备CCTO电容－压敏变阻器材料的扫描电镜图(SEM)。
图5是制备的CCTO电容－压敏变阻器的介频谱。
图6是制备的CCTO电容－压敏变阻器的损耗-频率谱。
图7是制备的CCTO电容－压敏变阻器的阻抗图。
图8是制备的CCTO电容－压敏变阻器I-V曲线图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
实施例1
(1)分别在精密电子天平上准确称取纯度均大于99.5％的碳酸钙、氧化铜和二氧化钛3.04g，7.25g，9.71g，并将称取的原料进行混合得到混料。
(2)将(1)中的混料置于内衬为聚四氟乙烯的球磨罐中，以去离子水作为球磨介质进行球磨，转速为250rpm，球磨时间为4h。之后将球磨过的浆料置于烘箱中，在80℃下干燥4h，得到干粉。
(3)将(2)中烘干所得干粉置于固相反应炉中，在950℃下保温4h进行煅烧，得到煅烧粉体。之后对粉体进行二次球磨，干燥，步骤同(2)，最后得到干燥磨细的粉体。
(4)向二次球磨得到的干燥磨细粉体中加入浓度为4wt％的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘结剂，然后压制成Φ12.7×6mm的生坯，陈腐24h。
(5)将(4)中陈腐得到的生坯碾碎造粒，过40目筛后，将物料压制成Φ12.7×2mm的圆片。压杆压力为11MPa。
(6)将(5)中的圆片放置于排胶炉中，以1～3℃/min升温，在600℃下排胶2h，随炉冷却至室温。
(7)将(6)中得到的片子置于高温烧结炉中，在1050℃下保温8h烧结得到陶瓷片。
(8)将(7)中烧结得到的陶瓷片正反两面抛光后被上银浆，干燥后置于高温炉中在850℃保温15min，然后随炉冷却至室温，完成被电极。
(9)对(7)中的陶瓷材料进行XRD、SEM表征，对(8)中的简易CCTO电容－压敏变阻器进行介电性能、I-V性能进行测试，得到介电常数ε，介电损耗tanδ，非线性系数α，压敏电压V0.1mA，漏电流IL等数据。
图1是制备CCTO电容－压敏变阻器所用材料的X射线衍射分析图(XRD)。从图中可以看出，各衍射峰与标准PDF卡片075-2188相吻合，并没有其他杂质的衍射峰，为纯相的CCTO。
图2是制备CCTO电容－压敏变阻器所用陶瓷材料的扫描电镜图(SEM)。图中，晶粒尺寸呈现出显著的两端分化特征，分别由粒径约20微米以上的大颗粒和2微米左右的小颗粒组成的，且小颗粒簇拥围绕在大颗粒周围。
图3是制备的CCTO电容－压敏变阻器的介电常数图。在106Hz之前，介电常数存在一个平台，数值基本稳定在105以上，而106Hz之后，介电常数随频率增加迅速减小，在108Hz处，介电常数降低到103量级，降低了100倍。
图4是制备的CCTO电容－压敏变阻器介电损耗图。从图中可以看出在40-105Hz之间，介电损耗呈现减小的趋势，其中最小损耗值达到了0.078。在105Hz之后，介电损耗迅速增大，并且出现了两个弛豫峰。
图5是制备的CCTO电容－压敏变阻器阻抗图。图中显示，阻抗图谱由两个圆弧所组成，可以等效为两个RC串联电阻电路，反映了晶粒、晶界的电学阻抗性能。
图6是制备的CCTO电容－压敏变阻器I-V曲线。从图中可以看出，制备的CCTO具有良好的电流－电压非线性。通过计算得出，非线性系数为4.5，压敏电压为50V/mm，漏电流为0.267mA。从CCTO的介电性能和非线性来看，其可以作为一种潜在的电容－压敏电阻器。
实施例2
(1)分别在精密电子天平上准确称取纯度均大于99.5％的碳酸钙、氧化铜和二氧化钛3.04g，7.25g，9.71g，并将称取的原料进行混合得到混料。
(2)将(1)中混料置于内衬为聚四氟乙烯的球磨罐中球磨，以去离子水作为球磨介质进行球磨，转速为300rpm，球磨时间为4h。之后将球磨过的浆料置于烘箱中，在80℃下干燥4h，得到干粉。
(3)将(2)中烘干所得干粉置于固相反应炉中，在950℃下保温4h进行煅烧，得到煅烧粉体。之后对粉体进行二次球磨，干燥，步骤同(2)，最后得到干燥磨细的粉体。
(4)向二次球磨得到的干燥磨细粉体中加入浓度为4wt％的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘结剂，然后压制成Φ12.7×6mm的生坯，陈腐24h。
(5)将(4)中陈腐得到的生坯碾碎造粒，过40目筛后，将物料压制成Φ12.7×2mm的圆片。压杆压力为11MPa。
(6)将(5)中的圆片放置于排胶炉中，以1～3℃/min升温，在600℃下排胶2h，随炉冷却至室温。
(7)将(6)中得到的片子置于高温烧结炉中，在1050℃下保温8h烧结得到陶瓷片。
(8)将(7)中烧结得到的陶瓷片正反两面抛光后被上银浆，干燥后置于高温炉中在850℃保温15min，然后随炉冷却至室温，完成被电极。
(9)对(7)中的陶瓷材料进行XRD、SEM表征，对(8)中的简易CCTO电容－压敏变阻器进行介电性能、I-V性能进行测试。
本实施案例与实施例1不同之处在于球磨转速为300rpm。
实施例3
(1)分别在精密电子天平上准确称取纯度均大于99.5％的碳酸钙、氧化铜和二氧化钛3.04g，7.25g，9.71g，并将称取的原料进行混合得到混料。
(2)将(1)中混料置于内衬为聚四氟乙烯的球磨罐中球磨，以去离子水作为球磨介质进行球磨，转速为300rpm，球磨时间为4h。之后将球磨过的浆料置于烘箱中，在80℃温度下干燥6h，得到干粉。
(3)将(2)中烘干所得干粉置于固相反应炉中，在950℃下保温4h进行煅烧，得到煅烧粉体。之后对粉体进行二次球磨，干燥，步骤同(2)，最后得到干燥磨细的粉体。
(4)向二次球磨得到的干燥磨细粉体中加入浓度为4wt％的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘结剂，然后压制成Φ12.7×6mm的生坯，陈腐24h。
(5)将(4)中陈腐得到的生坯碾碎造粒，过40目筛后，将物料压制成Φ12.7×2mm的圆片。压杆压力为11MPa。
(6)将(5)中的圆片放置于排胶炉中，以1～3℃/min升温，在600℃下排胶2h，随炉冷却至室温。
(7)将(6)中得到的片子置于高温烧结炉中，在1050℃下保温8h烧结得到陶瓷片。
(8)将(7)中烧结得到的陶瓷片正反两面抛光后被上银浆，干燥后置于高温炉中在850℃保温15min，然后随炉冷却至室温，完成被电极。
(9)对(7)中的陶瓷材料进行XRD、SEM表征，对(8)中的简易CCTO电容－压敏变阻器进行介电性能、I-V性能进行测试。
本实施案例与实施例2不同之处在于烘干时间为6h。
实施例4
(1)分别在精密电子天平上准确称取纯度均大于99.5％的碳酸钙、氧化铜和二氧化钛3.04g，7.25g，9.71g，并将称取的原料进行混合得到混料。
(2)将(1)中混料置于内衬为聚四氟乙烯的球磨罐中球磨，以去离子水作为球磨介质进行球磨，转速为300rpm，球磨时间为4h。之后将球磨过的浆料置于烘箱中，在80℃温度下干燥6h，得到干粉。
(3)将(2)中烘干所得干粉置于固相反应炉中，在950℃下保温4h进行煅烧，得到煅烧粉体。之后对粉体进行二次球磨，干燥，步骤同(2)，最后得到干燥磨细的粉体。
(4)向二次球磨得到的干燥磨细粉体中加入浓度为5wt％的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘结剂，然后压制成Φ12.7×6mm的生坯，陈腐24h。
(5)将(4)中陈腐得到的生坯碾碎造粒，过40目筛后，将物料压制成Φ12.7×2mm的圆片。压杆压力为11MPa。
(6)将(5)中的圆片放置于排胶炉中，以1～3℃/min升温，在600℃下排胶2h，随炉冷却至室温。
(7)将(6)中得到的片子置于高温烧结炉中，在1050℃下保温8h烧结得到陶瓷片。
(8)将(7)中烧结得到的陶瓷片正反两面抛光后被上银浆，干燥后置于高温炉中在850℃保温15min，然后随炉冷却至室温，完成被电极。
(9)对(7)中的陶瓷材料进行XRD、SEM表征，对(8)中的简易CCTO电容－压敏变阻器进行介电性能、I-V性能进行测试。
本实施案例与实施例3不同之处在于粘结剂浓度为5wt％。
实施例5
(1)分别在精密电子天平上准确称取纯度均大于>99.5％的碳酸钙、氧化铜和二氧化钛3.04g，7.25g，9.71g，并将称取的原料进行混合得到混料。
(2)将(1)中混料置于内衬为聚四氟乙烯的球磨罐中球磨，以去离子水作为球磨介质进行球磨，转速为300rpm，球磨时间为4h。之后将球磨过的浆料置于烘箱中，在80℃温度下干燥6h，得到干粉。
(3)将(2)中烘干所得干粉置于固相反应炉中，在950℃下保温6h进行煅烧，得到煅烧粉体。之后对粉体进行二次球磨，干燥，步骤同(2)，最后得到干燥磨细的粉体。
(4)向二次球磨得到的干燥磨细粉体中加入浓度为5wt％的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘结剂，然后压制成Φ12.7×6mm的生坯，陈腐24h。
(5)将(4)中陈腐得到的生坯碾碎造粒，过40目筛后，将物料压制成Φ12.7×2mm的圆片。压杆压力为11MPa。
(6)将(5)中的圆片放置于排胶炉中，以1～3℃/min升温，在600℃下排胶2h，随炉冷却至室温。
(7)将(6)中得到的片子置于高温烧结炉中，在1050℃下保温8h烧结得到陶瓷片。
(8)将(7)中烧结得到的陶瓷片正反两面抛光后被上银浆，干燥后置于高温炉中在850℃保温15min，然后随炉冷却至室温，完成被电极。
(9)对(7)中的陶瓷材料进行XRD、SEM表征，对(8)中的简易CCTO电容－压敏变阻器进行介电性能、I-V性能进行测试。
本实施案例与实施例4不同之处在于煅烧时间为6h。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (4)
1.钛酸铜钙即CaCu3Ti4O12在电容－压敏电阻器上的应用。
2.一种钛酸铜钙即CaCu3Ti4O12的制备方法，其特征在于含有以下工艺步骤：
步骤A、分别在精密电子天平上准确称取高纯碳酸钙、氧化铜和二氧化钛等反应原料进行混合得到混料；反应原料纯度均＞99.5％，按照CCTO化学式摩尔比计算，以高纯CaCO3(>99.5％)、CuO(>99.5％)和TiO2(>99.5％)粉末为原料，称取原料时，nCa:nCu:nTi＝1:3:4；
步骤B、将步骤A中混料置于内衬为聚四氟乙烯的球磨罐中球磨，以去离子水作为球磨介质，粉料、磨球、介质三者体积不超过罐体容积的三分之二，转速为250～300rpm，球磨时间为4～6h，之后将球磨过的浆料置于烘箱中，在70～80℃温度条件下，干燥4～6h，得到干粉；
步骤C、将步骤B中烘干的粉料置于固相反应炉中在950℃保温4～8h进行煅烧，之后对煅烧粉体进行二次球磨，干燥，同步骤B，得到干燥磨细的煅烧粉体；
步骤D、向二次球磨得到的干燥磨细粉体中加入浓度为4～6wt％的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘结剂，然后压制成Φ12.7×6mm的生坯进行陈腐，陈腐时间为18～24h；
步骤E、将步骤D中陈腐后的生坯在研钵中进行造粒，然后将物料过40目筛，最后压制成Φ12.7×2mm的圆片。压杆压力为11～14MPa；
步骤F、将步骤E中的圆片放置于排胶炉中，以1～3℃/min升温，在600℃下排胶2h，随炉冷却至室温；
步骤G、将步骤F中排胶后的片子置于高温烧结炉中，在1050℃下保温8h烧结得到陶瓷片；
步骤H、将步骤G中烧结得到的陶瓷片正反两面进行抛光处理后被上银浆，干燥后置于高温炉中在850℃保温15min，随炉冷却至室温，完成被电极；
步骤I、对步骤G中陶瓷材料进行XRD、SEM表征，对步骤H中的简易CCTO电容－压敏变阻器进行介电性能、I-V性能进行测试，得出介电常数ε，介电损耗tanδ，非线性系数α，压敏电压V0.1mA，漏电流IL等数据。
3.如权利要求2所述的一种钛酸铜钙即CaCu3Ti4O12的制备方法，其特征在于：烧结条件为：1050℃下保温烧结8h。
4.如权利要求2所述的一种钛酸铜钙即CaCu3Ti4O12的制备方法，其特征在于：其特征在于，经过各种性能测试之后，得到的介电常数在40-106Hz之间稳定在105以上，而最低介电损耗为0.078，非线性系数为4.5，漏电流为0.267mA，压敏电压为50V/mm。
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|---|---|
| CN (1) | CN104183342A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105198405A (zh) * | 2015-10-13 | 2015-12-30 | 福州大学 | 一种电容-压敏双功能陶瓷及其制备方法 |
| CN105837204A (zh) * | 2016-03-21 | 2016-08-10 | 西安电子科技大学 | 氧化铈掺杂的钛锡酸镧钙微波介质陶瓷制备方法 |
| CN107324799A (zh) * | 2017-08-07 | 2017-11-07 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种类钙钛矿型高温热敏电阻材料及其制备方法 |
| CN107445589A (zh) * | 2017-08-01 | 2017-12-08 | 赣州艺佳兴陶瓷有限公司 | 一种超级亲水易洁功能陶瓷材料及其制备工艺 |
| CN107555960A (zh) * | 2017-08-01 | 2018-01-09 | 赣州艺佳兴陶瓷有限公司 | 一种功能陶瓷粉体材料及制备方法和应用 |
| CN107954712A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-04-24 | 电子科技大学 | 一种低损耗、巨介电ccto陶瓷材料及其制备方法 |
| CN111620689A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-04 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种不同a位元素的类钙钛矿型高温热敏电阻材料及其制备方法 |
| CN116063067A (zh) * | 2023-01-16 | 2023-05-05 | 南昌航空大学 | 一种多主元素巨介电陶瓷材料及其制备方法和应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102167582A (zh) * | 2011-01-31 | 2011-08-31 | 广西新未来信息产业股份有限公司 | 一种压敏材料及制备方法 |
| JP2011184251A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| CN102432062A (zh) * | 2011-09-26 | 2012-05-02 | 常州大学 | 一种高介电常数类钙钛矿型压敏陶瓷材料CaCu3Ti4O12的制备方法 |
| CN102584212A (zh) * | 2012-01-31 | 2012-07-18 | 厦门大学 | 一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法 |
-
2014
- 2014-08-11 CN CN201410392493.8A patent/CN104183342A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011184251A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| CN102167582A (zh) * | 2011-01-31 | 2011-08-31 | 广西新未来信息产业股份有限公司 | 一种压敏材料及制备方法 |
| CN102432062A (zh) * | 2011-09-26 | 2012-05-02 | 常州大学 | 一种高介电常数类钙钛矿型压敏陶瓷材料CaCu3Ti4O12的制备方法 |
| CN102584212A (zh) * | 2012-01-31 | 2012-07-18 | 厦门大学 | 一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105198405A (zh) * | 2015-10-13 | 2015-12-30 | 福州大学 | 一种电容-压敏双功能陶瓷及其制备方法 |
| CN105837204A (zh) * | 2016-03-21 | 2016-08-10 | 西安电子科技大学 | 氧化铈掺杂的钛锡酸镧钙微波介质陶瓷制备方法 |
| CN105837204B (zh) * | 2016-03-21 | 2019-03-26 | 西安电子科技大学 | 氧化铈掺杂的钛锡酸镧钙微波介质陶瓷制备方法 |
| CN107445589A (zh) * | 2017-08-01 | 2017-12-08 | 赣州艺佳兴陶瓷有限公司 | 一种超级亲水易洁功能陶瓷材料及其制备工艺 |
| CN107555960A (zh) * | 2017-08-01 | 2018-01-09 | 赣州艺佳兴陶瓷有限公司 | 一种功能陶瓷粉体材料及制备方法和应用 |
| CN107445589B (zh) * | 2017-08-01 | 2020-07-21 | 赣州艺佳兴陶瓷有限公司 | 一种超级亲水易洁功能陶瓷材料及其制备工艺 |
| CN107555960B (zh) * | 2017-08-01 | 2020-08-18 | 赣州艺佳兴陶瓷有限公司 | 一种功能陶瓷粉体材料及制备方法和应用 |
| CN107324799A (zh) * | 2017-08-07 | 2017-11-07 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种类钙钛矿型高温热敏电阻材料及其制备方法 |
| CN107324799B (zh) * | 2017-08-07 | 2020-11-06 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种类钙钛矿型高温热敏电阻材料及其制备方法 |
| CN107954712A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-04-24 | 电子科技大学 | 一种低损耗、巨介电ccto陶瓷材料及其制备方法 |
| CN107954712B (zh) * | 2017-12-01 | 2020-12-29 | 电子科技大学 | 一种低损耗、巨介电ccto陶瓷材料及其制备方法 |
| CN111620689A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-04 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种不同a位元素的类钙钛矿型高温热敏电阻材料及其制备方法 |
| CN116063067A (zh) * | 2023-01-16 | 2023-05-05 | 南昌航空大学 | 一种多主元素巨介电陶瓷材料及其制备方法和应用 |
| CN116063067B (zh) * | 2023-01-16 | 2023-10-27 | 南昌航空大学 | 一种多主元素巨介电陶瓷材料及其制备方法和应用 |
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