JP2001196564A5 - - Google Patents
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Claims (17)
- 半導体基板上に形成した第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上に形成した第2の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を上下に貫通し、前記第2の絶縁膜の上方に延在する導電体で形成されたコンタクトプラグと、
少なくとも前記コンタクトプラグの上面及び前記第2の絶縁膜の一部に接して形成された導電体膜とを有することを特徴とする半導体装置。 - メモリセル領域と周辺領域とを有する半導体基板と、
前記周辺領域に形成した導電材からなる位置合わせ用のアライメントマークと、
前記アライメントマークを覆い、前記メモリセル領域に延在する第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成した第2の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を上下に貫通し、前記第2の絶縁膜の上方に延在する導電体で形成されたコンタクトプラグと、
少なくとも前記コンタクトプラグの上面及び前記第2の絶縁膜の一部に接して形成されたストレージノードと、前記ストレージノードを覆うとともに前記第2の絶縁膜と接した誘電体膜とを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜は、可視光に対して透明であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第1の絶縁膜がシリコン酸化膜であり、前記第2の絶縁膜が減圧化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上に前記第1の絶縁膜の第1のエッチャントに対してエッチレートの小さな第3の絶縁膜を成長する工程と、
前記第3の絶縁膜及び第2の絶縁膜を貫通し前記第1の絶縁膜に達する開口部を形成する工程と、
前記開口部の側壁に前記第1の絶縁膜の前記第1のエッチャントに対してエッチレートの小さなスペーサを形成する工程と、
前記第3の絶縁膜及び前記スペーサをマスクとして前記第1の絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、
前記開口部及び前記コンタクトホールを第1の導電体で埋め込んでコンタクトプラグを形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に対するエッチングレートが小さな第2のエッチャントを用いて前記第3の絶縁膜を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜、及び前記第3の絶縁膜は、可視光に対して透明であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜がシリコン酸化膜であり、前記第2の絶縁膜が減圧化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜であり、前記の第3の絶縁膜がプラズマ化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プラズマ化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜を除去するために沸酸水溶液を用い、前記減圧化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜をエッチングストッパーとすることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プラズマ化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜の膜厚は、前記減圧化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜の膜厚の8倍以下であることを特徴とする請求項7又は8に記載の半導体装置の製造方法。
- メモリセル領域と周辺領域とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記周辺領域に、導電材からなる位置合わせ用のアライメントマークを形成する工程と、
前記アライメントマークを覆い、前記メモリセル領域に延在する第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上に前記第1の絶縁膜の第1のエッチャントに対してエッチレートの小さな第3の絶縁膜を成長する工程と、
前記第3の絶縁膜及び第2の絶縁膜を貫通し前記第1の絶縁膜に達する開口部を形成する工程と、
前記開口部の側壁に前記第1の絶縁膜の前記第1のエッチャントに対してエッチレートの小さなスペーサを形成する工程と、
前記第3の絶縁膜及び前記スペーサをマスクとして前記第1の絶縁膜を貫通する第1のコンタクトホールを形成する工程と、
前記開口部及び前記第1のコンタクトホールを第1の導電体で埋め込んでコンタクトプラグを形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に対するエッチングレートが小さな第2のエッチャントを用いて前記第3の絶縁膜を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第3の絶縁膜を選択的に除去する工程の後、更に、
前記コンタクトプラグ及び前記スペーサの露出面を覆う第4の絶縁膜を形成する工程と、
前記第4の絶縁膜に前記コンタクトプラグの表面の一部及び前記スペーサの側面の少なくとも一部を露出させる第2のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第2のコンタクトホールの側壁と底面に第2の導電体を形成する工程と、
前記第2の導電体及び前記第2の絶縁膜に対するエッチングレートが小さなエッチャントを用いて前記第4の絶縁膜を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする請求項5又は10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記スペーサは導電体からなり、前記コンタクトプラグと一体となって前記第2の導電体と導通することを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上に前記第1の絶縁膜の第1のエッチャントに対してエッチレートの小さな第3の絶縁膜を成長する工程と、
前記第3の絶縁膜及び第2の絶縁膜を貫通し前記第1の絶縁膜に達する開口部を形成する工程と、
前記開口部の側壁に前記第1の絶縁膜の前記第1のエッチャントに対してエッチレートの小さなスペーサを形成する工程と、
前記第3の絶縁膜及び前記スペーサをマスクとして前記第1の絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、
前記開口部及び前記コンタクトホールを第1の導電体で埋め込んでコンタクトプラグを形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に対するエッチングレートが小さな第2のエッチャントを用いて前記第3の絶縁膜を選択的に除去する工程と、
前記コンタクトプラグ及び前記スペーサの露出面を覆う第4の絶縁膜を形成する工程と、
前記第4の絶縁膜に前記コンタクトプラグの表面の一部及び前記スペーサの側面の少なくとも一部を露出させる第2のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第2のコンタクトホールの側壁と底面に第2の導電体を形成する工程と、
前記第2の導電体及び前記第2の絶縁膜に対するエッチングレートが小さなエッチャントを用いて前記第4の絶縁膜を選択的に除去し、前記第2の導電体をストレージノードとする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜、及び前記第3の絶縁膜は、可視光に対して透明であることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜がシリコン酸化膜であり、前記第2の絶縁膜が減圧化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜であり、前記の第3の絶縁膜がプラズマ化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プラズマ化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜を除去するために沸酸水溶液を用い、前記減圧化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜をエッチングストッパーとすることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プラズマ化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜の膜厚は、前記減圧化学気相成長法によって成長させたシリコン窒化膜の膜厚の8倍以下であることを特徴とする請求項15又は16に記載の半導体装置の製造方法。
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US20040108573A1 (en) * | 2002-03-13 | 2004-06-10 | Matrix Semiconductor, Inc. | Use in semiconductor devices of dielectric antifuses grown on silicide |
DE10249216B3 (de) * | 2002-10-22 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Herstellungsverfahren für ein Kontaktloch in einer Halbleiterstruktur |
JP2004214512A (ja) * | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100476690B1 (ko) * | 2003-01-17 | 2005-03-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
KR100607647B1 (ko) * | 2003-03-14 | 2006-08-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조 방법 |
JP2005093714A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7380338B2 (en) * | 2005-06-22 | 2008-06-03 | Gigno Technology Co., Ltd. | Circuit board and manufacturing method thereof |
DE102004019597A1 (de) * | 2004-04-22 | 2005-11-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines selbstjustierten Kontaktes und selbstjustierter Kontakt |
KR100721548B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 스토리지 노드 형성방법 |
TWI281231B (en) | 2004-12-20 | 2007-05-11 | Hynix Semiconductor Inc | Method for forming storage node of capacitor in semiconductor device |
KR100674970B1 (ko) * | 2005-04-21 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | 이중 스페이서들을 이용한 미세 피치의 패턴 형성 방법 |
US20070004116A1 (en) * | 2005-06-06 | 2007-01-04 | M-Mos Semiconductor Sdn. Bhd. | Trenched MOSFET termination with tungsten plug structures |
KR100648205B1 (ko) * | 2005-06-13 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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KR100696761B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2007-03-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 마크 형성 방법 |
US7393779B2 (en) * | 2005-10-31 | 2008-07-01 | International Business Machines Corporation | Shrinking contact apertures through LPD oxide |
JP4972918B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-07-11 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US7649239B2 (en) * | 2006-05-04 | 2010-01-19 | Intel Corporation | Dielectric spacers for metal interconnects and method to form the same |
US7772702B2 (en) * | 2006-09-21 | 2010-08-10 | Intel Corporation | Dielectric spacers for metal interconnects and method to form the same |
KR101099958B1 (ko) * | 2007-11-20 | 2011-12-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
JP2011044488A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Elpida Memory Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102009047891B4 (de) * | 2009-09-30 | 2012-02-23 | GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One Ltd. Liability Company & Co. KG | Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit verbesserten Füllbedingungen in einem Austauschgateverfahren durch Eckenverrundung vor dem vollständigen Entfernen eines Platzhaltermaterials |
US8294130B2 (en) | 2010-06-11 | 2012-10-23 | Corning Incorporated | Methods and systems for optimizing the alignment of optical packages |
KR101600217B1 (ko) | 2011-12-30 | 2016-03-04 | 인텔 코포레이션 | 자기-폐쇄 비대칭 상호연결 구조 |
US8772938B2 (en) | 2012-12-04 | 2014-07-08 | Intel Corporation | Semiconductor interconnect structures |
US9748281B1 (en) * | 2016-09-15 | 2017-08-29 | International Business Machines Corporation | Integrated gate driver |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4977105A (en) * | 1988-03-15 | 1990-12-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing interconnection structure in semiconductor device |
US4832789A (en) * | 1988-04-08 | 1989-05-23 | American Telephone And Telegrph Company, At&T Bell Laboratories | Semiconductor devices having multi-level metal interconnects |
US5200808A (en) * | 1989-11-29 | 1993-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having smooth contact holes formed through multi-layer insulators of different etching speeds |
KR940016805A (ko) * | 1992-12-31 | 1994-07-25 | 김주용 | 반도체 소자의 적층 캐패시터 제조 방법 |
KR950010078A (ko) * | 1993-09-09 | 1995-04-26 | 김주용 | 반도체 기억장치의 제조방법 |
US5879966A (en) * | 1994-09-06 | 1999-03-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of making an integrated circuit having an opening for a fuse |
US5578517A (en) * | 1994-10-24 | 1996-11-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of forming a highly transparent silicon rich nitride protective layer for a fuse window |
US5633781A (en) * | 1995-12-22 | 1997-05-27 | International Business Machines Corporation | Isolated sidewall capacitor having a compound plate electrode |
JP2812288B2 (ja) * | 1996-02-28 | 1998-10-22 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
GB9611582D0 (en) * | 1996-06-04 | 1996-08-07 | Thin Film Technology Consultan | 3D printing and forming of structures |
US5738961A (en) * | 1997-03-03 | 1998-04-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Two-step photolithography method for aligning and patterning non-transparent layers |
US5780338A (en) * | 1997-04-11 | 1998-07-14 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for manufacturing crown-shaped capacitors for dynamic random access memory integrated circuits |
JP3519579B2 (ja) * | 1997-09-09 | 2004-04-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3053602B2 (ja) * | 1997-11-10 | 2000-06-19 | 大平製紙株式会社 | 容器口部密封用インナーシール材 |
KR100258364B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2000-06-01 | 김영환 | 반도체 소자의 콘택 제조방법 |
JPH11233737A (ja) * | 1998-02-10 | 1999-08-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100292940B1 (ko) * | 1998-03-30 | 2001-07-12 | 윤종용 | 디램 셀 캐패시터의 제조 방법 |
US6015734A (en) * | 1998-09-04 | 2000-01-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for improving the yield on dynamic random access memory (DRAM) with cylindrical capacitor structures |
US6063548A (en) * | 1998-09-04 | 2000-05-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for making DRAM using a single photoresist masking step for making capacitors with node contacts |
KR100284905B1 (ko) * | 1998-10-16 | 2001-04-02 | 윤종용 | 반도체 장치의 콘택 형성 방법 |
US6087216A (en) * | 1998-11-18 | 2000-07-11 | United Microelectronics Corp. | Method of manufacturing DRAM capacitor |
US6054394A (en) * | 1998-11-25 | 2000-04-25 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating a dynamic random access memory capacitor |
US6107132A (en) * | 1998-12-09 | 2000-08-22 | United Microelectronics Corp. | Method of manufacturing a DRAM capacitor |
KR100307558B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2001-11-02 | 박종섭 | 반도체소자의 제조방법 |
TW407373B (en) * | 1999-02-12 | 2000-10-01 | United Microelectronics Corp | The manufacture method of double cylindrical capacitor |
TW408446B (en) * | 1999-06-22 | 2000-10-11 | United Microelectronics Corp | The manufacture method of the node contact |
KR100322536B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2002-03-18 | 윤종용 | 에치 백을 이용한 다결정 실리콘 컨택 플러그 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US6339022B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Method of annealing copper metallurgy |
US6544855B1 (en) * | 2001-10-19 | 2003-04-08 | Infineon Technologies Ag | Process flow for sacrificial collar with polysilicon void |
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