JP2000044342A - 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000044342A JP2000044342A JP10206353A JP20635398A JP2000044342A JP 2000044342 A JP2000044342 A JP 2000044342A JP 10206353 A JP10206353 A JP 10206353A JP 20635398 A JP20635398 A JP 20635398A JP 2000044342 A JP2000044342 A JP 2000044342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- sintered body
- weight
- earth element
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 126
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 72
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 46
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229930091371 Fructose Natural products 0.000 claims description 2
- 239000005715 Fructose Substances 0.000 claims description 2
- RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N Fructose Chemical compound OC[C@H]1O[C@](O)(CO)[C@@H](O)[C@@H]1O RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N 0.000 claims description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 2
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 claims description 2
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 claims description 2
- 235000013681 dietary sucrose Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 2
- 229960004793 sucrose Drugs 0.000 claims description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 8
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N Butylbenzyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008322 ZrN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229940043430 calcium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000001674 calcium compounds Chemical class 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229960002380 dibutyl phthalate Drugs 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
ル用の放熱基板や半導体製造装置用の治具などの厳しい
ヒートサイクル下において使用される用途への適用が可
能な窒化アルミニウム焼結体を提供する。 【解決手段】 希土類元素−アルカリ土類元素化合物系
を焼結助剤とする窒化アルミニウム焼結体で、アルカリ
土類元素化合物を酸化物に換算して0.01〜5重量
%、希土類元素化合物を酸化物に換算して0.01〜1
0重量%含み、焼結体中に残留する炭素量を0.005
〜0.1重量%に制御することにより、粒成長が抑制さ
れ、焼結体の耐熱衝撃性及び強度が改善される。
Description
焼結体に関し、更に詳しくは低温焼結が可能であって、
高強度であり且つ高熱伝導率である窒化アルミニウム焼
結体、及びその製造方法に関するものである。
て、従来から用いられてきたアルミナに代わり、高熱伝
導率で且つ低熱膨張率の窒化アルミニウム(AlN)が
使用されるようになりつつある。
般的に1800℃以上と比較的高いため、これに十分対
応できる焼結炉や治具部品などがなく、頻繁な焼結炉の
補修や治具部品の廃棄交換を余儀なくされている。ま
た、窒化アルミニウムは高温で焼結されるため、より多
くの焼結エネルギーも必要である。このため、窒化アル
ミニウム焼結体はアルミナ焼結体に比べて高価格とな
り、これが窒化アルミニウムの普及を妨げる一因となっ
ている。
ルミナに比べて困難であるため、その焼結には主として
アルカリ土類元素化合物や希土類元素化合物の焼結助剤
が使用されている。特に、焼結温度を低下させるため、
具体的には1700℃以下での焼結を可能とするため、
アルカリ土類元素化合物と希土類元素化合物の併用が検
討され、代表的にはカルシウム化合物とイットリウム化
合物を組み合わせた助剤系について多くの研究が行われ
てきた。
には、焼結助剤としてCaCO3などのアルカリ土類元
素化合物と、La2O3などの希土類元素化合物とを併用
し、1700℃以下で常圧焼結して得られる窒化アルミ
ニウム焼結体が記載されている。また、特開昭63−1
90761号公報には、窒化アルミニウムの焼結助剤と
して、CaOとY2O3を併用することが記載されてい
る。
土類元素化合物を併用する新たな焼結助剤系の開発によ
り、1700℃以下の低温での窒化アルミニウムの焼結
が可能となってきた。これにより、窒化アルミニウム焼
結体の熱伝導率の向上が図られ、パワー素子などの高発
熱性半導体素子の基板としても、窒化アルミニウム焼結
体の使用が次第に広がりつつある。
た希土類元素−アルカリ土類元素系の焼結助剤を用いる
従来の方法では、窒化アルミニウム焼結体中に存在する
酸化物と焼結助剤との間で希土類アルミニウム酸化物、
アルカリ土類アルミニウム酸化物、希土類アルカリ土類
アルミニウム酸化物などを生成し、これらの生成は前述
した1700℃以下の低温焼結のために必要であるが、
反面これらが原因となって焼結体の粒径の増大が引き起
こされる。
ュール用の放熱基板や半導体製造装置用の治具など、従
来以上に厳しいヒートサイクル下において使用される用
途への適用が多くなってきており、そのためには耐熱衝
撃性、ひいてはセラミックスとしての強度を向上させる
必要がある。このためには、窒化アルミニウム焼結体の
平均粒径を3μm以下、好ましくは2μm以下とするこ
とが必要とされるが、従来の方法では上記各種酸化物の
生成量が多く、粒径が増大するために、焼結体強度の更
なる向上が望めなかった。
焼結助剤が希土類元素−アルカリ土類元素系での粒成長
を抑えて、耐熱衝撃性及び強度に優れ、パワーモジュー
ル用の放熱基板や半導体製造装置用の治具など、従来以
上に厳しいヒートサイクル下において使用される用途へ
の適用が可能な窒化アルミニウム焼結体、及びその製造
方法を提供することを目的とする。
め、本発明者らは、鋭意研究を進めた結果、希土類元素
−アルカリ土類元素化合物系の焼結助剤であっても、そ
の配合量を適切に選択し、且つ焼結体中に残留する炭素
量を制御することによって、粒成長を抑制することがで
き、窒化アルミニウム焼結体の耐熱衝撃性及び強度に著
しい改善が得られることを見出し、本発明に至ったもの
である。
焼結体は、窒化アルミニウムを主成分とし、炭素を0.
005〜0.1重量%、アルカリ土類元素化合物を酸化
物に換算して0.01〜5重量%、希土類元素化合物を
酸化物に換算して0.01〜10重量%含むことを特徴
とする。
ちの少なくとも1種であることが望ましく、希土類元素
はY、La、Ce、Sc、Yb、Nd、Er、Smのう
ちの少なくとも1種であることが望ましい。また、窒化
アルミニウム焼結体の平均粒径は3μm以下であること
が望ましい。
第1の製造方法は、窒化アルミニウム粉末に、炭素粉末
を0.01〜2重量%、アルカリ土類元素化合物を酸化
物に換算して0.01〜5重量%、希土類元素化合物を
酸化物に換算して0.01〜10重量%添加して合計1
00重量%とした後、その成形体を焼結することを特徴
とする。
製造方法は、窒化アルミニウム粉末に、炭素を遊離する
化合物を0.01〜20重量%、アルカリ土類元素化合
物を酸化物に換算して0.01〜5重量%、希土類元素
化合物を酸化物に換算して0.01〜10重量%添加し
て合計100重量%とした後、その成形体を非酸化性の
雰囲気中で150〜1500℃の温度で加熱して炭素を
遊離させ、その後焼結することを特徴とする。
製造方法は、窒化アルミニウム粉末に、アルカリ土類元
素化合物を酸化物に換算して0.01〜5重量%、希土
類元素化合物を酸化物に換算して0.01〜10重量%
添加して合計100重量%とした後、その成形体を一酸
化炭素及び炭化水素から選ばれた少なくとも一種類のガ
スを10〜100体積%含む非酸化性の雰囲気中におい
て焼結することを特徴とする。
アルカリ土類元素系の焼結助剤を用いた低温焼結でも、
焼結助剤の量を厳密に制御し、且つ焼結体中に残留する
炭素量を制御することにより、高熱伝導率などの優れた
基本的性質を維持したまま、粒成長を抑制して、安定し
た強度の窒化アルミニウム焼結体を得ることができる。
向上させるために、炭素や炭素を遊離する物質を利用し
て、焼結体中のアルミニウム酸化物を還元する技術は従
来から知られている。例えば、特公平7−5372〜6
号の各公報には、イットリウム酸化物を焼結助剤とし、
遊離炭素を利用して窒化アルミニウム中の酸化物を窒化
して、高熱伝導率を得る方法が開示されている。また、
特開昭58−55377号公報には、アルカリ金属化合
物を焼結助剤とし、炭素粉末などを添加することにより
酸素を還元除去する方法が記述されている。
結助剤として配合する希土類元素やアルカリ土類元素と
反応して、希土類アルミニウム酸化物やアルカリ土類ア
ルミニウム酸化物などを生成し、結晶粒界に液相を生じ
て焼結を促進させる。ところが、本発明者らの研究によ
れば、適量の炭素が存在しない場合には、液相が過剰に
生じ、それを介した物質移動も活発となるため、結果的
に焼結体の粒径が不必要に増大することが分かった。
体中に残存する炭素量と焼結体の粒径及び強度との間に
密接な関係があるとの新たな知見に基づいてなされたも
のであり、焼結体中に所定量の炭素が残存するように炭
素を添加することによって、液相による低温焼結が可能
であると同時に、焼結体の粒径を所望の範囲に抑えるこ
とが可能となったものである。
ム焼結体中に残存する炭素が0.005〜0.1重量%と
なるように制御し、焼結助剤に由来するアルカリ土類元
素を酸化物換算で0.01〜5重量%、及び希土類元素
化合物を酸化物換算で0.01〜10重量%とすること
により、粒成長を抑えて粒径の増大をなくし、焼結体の
強度を向上させることができる。
量が0.005重量%未満では、焼結時に存在する炭素
量が少な過ぎるため十分に酸化物を還元することができ
ず、従って窒化アルミニウム焼結体の粒成長が必要以上
に発生して大きな粒子が増えるので、焼結体の強度が低
下する。また、0.1重量%を越える炭素が残存した場
合、過剰な炭素によって焼結体中の酸化物が不足するよ
うになり、1700℃以下の低温では焼結が十分に進行
しない。
上記範囲とするのは、それぞれの含有量未満であれば、
焼結助剤の不足によって、1700℃以下の低温焼結に
おいては焼結体密度が低下するなど良質な焼結体が得ら
れないからである。また、逆に上記各範囲を越えると、
窒化アルミニウム焼結体の結晶粒界に過剰なアルカリ土
類アルミニウム酸化物、希土類アルミニウム酸化物、ア
ルカリ土類希土類アルミニウム酸化物となって析出し、
熱伝導率を阻害するからである。
Baのうちの少なくとも1種が好ましい。また、希土類
元素としては、Y、La、Ce、Sc、Yb、Nd、E
r、Smのうちの少なくとも1種が好ましい。これらの
アルカリ土類元素及び希土類元素を用いることにより、
熱伝導率その他諸特性に特に優れた窒化アルミニウム焼
結体を得ることができる。
く炭素による酸化物の還元によって粒成長が抑えられる
ので、焼結体の平均粒径が小さくなる。特に焼結体の平
均粒径は3μm以下であることが好ましく、2μm以下
が更に好ましい。平均粒径が3μmを越えると窒化アル
ミニウム焼結体の強度及び耐熱衝撃性が低下するおそれ
があり、特に厳しいヒートサイクル下で使用されるパワ
ーモジュール用の放熱基板や半導体製造装置用治具など
の用途に適さなくなるからである。
体の製造方法について説明する。本発明方法では、ま
ず、窒化アルミニウム粉末に、焼結助剤としてアルカリ
土類元素化合物を酸化物換算で0.01〜5重量%、希
土類元素化合物を酸化物換算で0.01〜10重量%添
加し、更に炭素又は炭素を遊離する化合物を添加して焼
結するか、若しくは一酸化炭素ガス又は炭化水素ガスを
含む雰囲気中で焼結することにより、炭素が残存する窒
化アルミニウム焼結体を得る。
を残存させる手段により3種類の方法があり、第1の方
法では、焼結前の窒化アルミニウム粉末と焼結助剤の原
料粉末に、炭素粉末をカーボンブラックやコークス粉
末、グラファイト粉末、ダイヤモンド粉末などの形で添
加して焼結する。添加する炭素粉末の量は0.01〜2
重量%が必要である。炭素粉末の添加量がこの範囲以外
では、焼結体中に残存する炭素を0.005〜0.1重量
%に制御することが難しく、結果的に粒径の増大を抑え
て、焼結体の強度を向上させることが困難になるからで
ある。
わりに、窒化アルミニウムの焼結時に炭素を遊離する化
合物を用いる方法である。具体的には、ポリアクリルニ
トリル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラー
ル、ポリエチレンテレフタレート、グルコース、フルク
トース、サッカロース、フェノール樹脂、及びステアリ
ン酸からなる群から1種以上の化合物を選択することが
好ましい。これらの化合物は、有機溶剤又は水中に溶解
した後、窒化アルミニウム粉末に添加して混合すること
ができるので、前述の炭素粉末を添加する方法よりも焼
結体中に炭素を均一に分散させることができる。また、
ステアリン酸は希土類塩の形で、焼結助剤としての希土
類元素化合物として加えることもできる。
の方法では、成形体を非酸化性雰囲気中にて150〜1
500℃で加熱することにより、これらの化合物から炭
素が遊離され、酸化物の還元に寄与する。また、炭素を
遊離する化合物の添加量としては、0.01〜20重量
%の範囲であれば、前記のように炭素粉末を直接加えた
場合と同等の効果を得ることができる。
粉末と焼結助剤の混合粉末の成形体を、一酸化炭素ガス
及び炭化水素ガスから選択された少なくとも一種類のガ
スを10体積%以上含む非酸化性の雰囲気中において焼
結する方法である。この場合には、これらのガスの反応
性が高いので、前記第1の方法及び第2の方法よりも短
時間で焼結体中の酸化物を還元することができるうえ、
ガスの組成を上記範囲内で制御することによって、最適
な量の炭素を簡単に焼結体中に残存させることができ
る。
に観察し検討した結果、焼結過程の1500℃における
成形体又は焼結体中の炭素量が0.01〜0.1重量%で
あると、特に強度などに優れた窒化アルミニウム焼結体
が得られることが分かった。焼結が始まる1500℃の
段階で炭素量が0.01重量%未満になると、この後の
酸化物の還元工程で炭素が更に消費されるので、最終的
に焼結体中に残存する炭素が0.005重量%未満とな
ってしまう。また、この段階での炭素量が0.1重量%
より多いと、焼結後に焼結体の粒界中に炭素が残存し、
透光性の不均一による色むらが発生したり、焼結が完全
には進行せず、焼結密度不良を起こす。このため、13
00〜1500℃間での温度域で、昇温速度を1℃/分
にしたり、1〜10時間保持するなどして、Al2O3+
3C+N2→2AlN+3COの反応を十分進行させ、
1500℃における残留炭素量をコントロール制御する
必要がある。
ウムの焼結温度は1700℃以下であることが望まし
い。焼結温度が1700℃を越えると、窒化アルミニウ
ム焼結体に残存する炭素量が0.005〜0.1重量%と
なるように炭素などの添加を制御したとしても、窒化ア
ルミニウム焼結体中で必要以上の粒成長が起こり、その
結果焼結体の平均粒径が3μmを越え、焼結体の強度が
低下するからである。
粒径(d50)は、0.5〜2.0μmの範囲であるのが望
ましい。その平均粒径が2.0μmを越えると、当初の
粒径が大き過ぎるため、特に平均粒径3μm以下の微細
な粒子を有する焼結体を得ることが難しくなるからであ
る。逆に窒化アルミニウム粉末の平均粒径が0.5μm
に満たないと、粉末成形時の嵩密度が大きくなり、成形
密度を上げることが難しくなるため、成形体の強度が低
下する。
は、0.8〜1.5重量%の範囲が望ましい。この酸素量
が0.8重量%未満では、焼結時に焼結助剤との間で形
成される酸化物の液相量が不足し易くなるため、焼結性
が低下する。また、この酸素量が1.5重量%を越える
と、同液相量即ち粒界相の量が多くなり、焼結中に粒成
長が過度に生じ易くなるからである。
結体においては、厚膜ペースト法により形成される導電
層又は絶縁層の密着強度が向上することが分かった。そ
の理由は、第1に焼結体の平均粒径が小さくなるため、
特に3μm以下となるためであり、第2には炭素の残存
により、窒化アルミニウム粒子の濡れ性が向上するため
であると考えられる。
土類元素やアルカリ土類元素を含有させることにより、
高強度の厚膜メタライズを形成できることは知られてい
る。例えば、特公平5−76795号公報には、希土類
元素及びアルカリ土類元素から選ばれた少なくとも一種
を含有した窒化アルミニウム焼結体に、Ag系ペースト
又はAu系ペーストなどの少なくとも一種から形成され
た導体部若しくは誘電体部を形成した回路基板の開示が
ある。また、特公平7−38491号公報には、希土類
元素及びアルカリ土類元素から選ばれた少なくとも一種
を含有した窒化アルミニウム焼結体に、タングステン、
モリブデンなどの高融点金属の導電層を形成する方法が
記載されている。
素は導電層や絶縁層との密着性を向上させる効果がある
が、アルカリ土類元素や希土類元素の化合物は一般には
焼結体中の窒化アルミニウム粒子の粒界相付近に存在す
るので、導電層や絶縁層との密着強度を微細な観点でみ
た場合、この粒界付近では密着性が高いが、窒化アルミ
ニウム結晶粒子の部分では、密着性は低いと考えること
ができる。特に平均粒径が3μmより大きい場合には、
大粒径の窒化アルミニウムが焼結体中に存在するので、
密着性の高い粒界相の分布がまばらになってくる。この
ため、密着強度の不十分な部分が生じやすくなり、剥離
強度測定時のように窒化アルミニウム焼結体と導電層又
は絶縁層との間に引っ張り応力が加わったときに、この
部分から剥離が発生しやすく、結果として密着強度の低
下をもたらす。
として、窒化アルミニウム焼結体の平均粒径を小さく、
好ましくは3μm以下に制御することができるので、こ
の小さい粒子の周囲の結晶粒界に広範囲に平均してアル
カリ土類元素や希土類元素の化合物が分布し、一部に偏
析することがなくなり、導電層又は絶縁層との密着強度
が一層向上する。
に、前記第2の理由のごとく、窒化アルミニウム焼結体
に炭素が残存することによって、窒化アルミニウム粒子
の表面が改質され、導電層や絶縁層との濡れ性が改善さ
れ、特に金属成分との濡れ性が向上するため、密着強度
の更なる向上が達成される。しかしながら、炭素が過剰
になると焼結性が低下するので、焼結体中に残存する炭
素量としては前記のごとく0.005〜0.1重量%の範
囲であることが好ましい。
は、導電層や絶縁層の形成に通常用いられているもので
よく、例えば、Ag、Ag−Pt、Ag−Pdペースト
などのAg系ペースト、Cu系ペースト、Au系ペース
トのような導電ペースト、RuO2、Ru、Bi2Ru2
O7などの抵抗ペースト、ホウケイ酸鉛ガラスなどを主
成分とする誘電体ペースト、W、Mo、TiN、ZrN
などの高融点ペーストを用いることができる。
のごとく窒化アルミニウム焼結体の表面にペーストをス
クリーン印刷し、所定の温度で加熱することにより厚膜
層を形成すれば良い。あるいは、W、Mo、TiN、Z
rNなどの高融点ペーストについては、焼結前の成形体
の表面に高融点ペーストを塗布し、成形体の焼結と同時
に焼成して導電層又は絶縁層とすることもできる。
(BET値500m2/g)と、酸化カルシウム1重量
%と、酸化イットリウム6重量%に、直接窒化法による
窒化アルミニウム粉末(平均粒径1.8μm、酸素量1.
4重量%)を加えて全体を100重量%とした。これら
の粉末に、結合剤としてポリメチルメタクリレート、可
塑剤としてジブチルフタレートとベンジルブチルフタレ
ートとの混合物、溶剤としてメチルエチルケトンとトル
エンの混合物を添加し、ボールミルにより混合してスラ
リーとした。
ード法により窒化アルミニウムのグリーンシートを作成
した。このグリーンシートの表面に、平均粒径1μmの
タングステン粉末を主成分とし且つ5重量%のSiO2
系フリットを含むペーストを塗布し、脱ガスした後、窒
素雰囲気中にて1700℃で5時間焼成することによ
り、ペーストの焼き付けと同時に窒化アルミニウムの焼
結を行った。また、各試料の一部は、焼結過程の150
0℃の段階で取り出し、その時点での炭素量を測定し
た。
635mmの窒化アルミニウム焼結体の片面全面に、厚
さ10μmのタングステン金属化層を形成した。これら
各試料について、そのタングステン金属化層上にNi−
Pメッキを行った後、窒素雰囲気中において600℃で
30分間保持して同メッキ層を焼結した。得られた金属
化層とメッキ層にはフクレ、剥がれなどの異常は見られ
なかった。また、いずれのメッキ厚も6±0.3μmの
範囲に入っていた。
アルミニウム焼結体と同じで且つ厚みが1mmのJIS
C 1020の電気銅素材を載せ、炉中のセッターに並
べ、窒素気流中において970℃×30分間の無負荷で
の炉中接合を行った。以上のようにして作成された試験
片(各試料10個)について、0℃×15分→100℃
×15分の繰り返しを100サイクル繰り返した後、窒
化アルミニウム焼結体の亀裂の発生割合(亀裂発生試料
数/試料10個)により、焼結体強度を相対比較した。
また、上記導電層を形成しない窒化アルミニウム焼結体
も同様に製造し、各試料ごとに焼結体の平均粒径、相対
密度、熱伝導率を評価した。これらの結果を下記表1に
示した。
ラックの添加量が0.01重量%を下回る場合には、焼
結時の酸化物の還元が不十分なため焼結体中の結晶粒の
成長が起こり、焼結体強度が低下して、サーマルショッ
クにより亀裂が発生する。また、カーボンブラックの添
加量が2重量%を越える場合は、焼結が阻害されて焼結
体の密度が低下し、やはり亀裂の発生が多くなる傾向に
ある。また、焼結過程の1500℃における炭素量は
0.01〜0.1重量%の範囲とすることが好ましいこと
が分かる。
ウム焼結体にタングステン金属化層及びNi−Pメッキ
層を設けた試料1〜8を形成した。このNi−Pメッキ
層の上に厚み0.2mm×幅5.0mmの金属層を接合長
さ3mmとなるように接合し、接合部の一端から上方に
直角に突出させた金属層の把持部を20mm/分の速度
で上方に引っ張ることにより、メタライズによる導体層
のピール強度を測定した。その結果を表2に示した。
ックの添加量が0.01〜2重量%の試料2〜7は、焼
結体中の粒成長が抑制され、アルカリ土類元素−希土類
元素化合物の分布が均一になるため、また炭素の存在に
より窒化アルミニウム粒子と金属の間の濡れ性が向上す
るため、導体層の密着強度が向上する。
01重量%未満の試料1では、粒成長のためアルカリ土
類元素−希土類元素化合物の偏析が起こり、微細な観点
で見てメタライズ強度が不足する部分が生じると共に、
焼結体中の炭素量も低下するため金属と窒化アルミニウ
ム粒子との間の濡れ性も低下するので、これらの二種類
の効果により、ピール強度が低下する。また、カーボン
ブラックの添加量が2重量%を越える試料8では、焼結
性が阻害されて焼結体の強度が低下するため、ピール強
度評価を行うと窒化アルミニウム焼結体内部で亀裂が起
き、やはり測定値は低下してくる。
リビニルブチラール(PVB)と、炭酸カルシウム2重
量%と、酸化ネオジウム3重量%に、還元窒化法による
窒化アルミニウム粉末(平均粒径0.8μm、酸素量1.
0重量%)を加えて、合計で100重量%とした。この
原料粉末を実施例1と同様の方法によりグリーンシート
を作成した後、実施例1と同様にタングステンペースト
を印刷した。これを窒素雰囲気中にて1000℃で10
時間熱処理することにより炭素を遊離させた後、165
0℃で5時間焼成し、25mm□で厚み0.635mm
の表面に厚さ10μmのタングステン金属化層を有する
窒化アルミニウム焼結体を形成した。
グステン金属化層上に実施例1と同様のNi−Pメッキ
層を形成した後、実施例1と同様の評価を行った。ま
た、これらの金属化層及びメッキ層を形成しない以外は
上記と同様にして窒化アルミニウム焼結体を形成し、実
施例1と同様に評価した。これらの結果を表3に併せて
示した。
チラールを用い、アルカリ土類元素化合物として炭酸カ
ルシウムを、希土類元素化合物として酸化ネオジウムを
用いた場合でも、実施例1と同様に窒化アルミニウム焼
結体中に炭素が0.005〜0.10重量%の範囲で残存
するように制御すれば、強度の優れた窒化アルミニウム
焼結体が得られることが分かる。
還元窒化法による窒化アルミニウム粉末(平均粒径1.
5μm、酸素量1.2重量%)を加え、合計で100重
量%とした。この原料粉末を用いて、実施例1と同様に
ドクターブレード法によりグリーンシートを作成した。
各グリーンシートに、平均粒径1μmのタングステン粉
末を主成分とし且つ5重量%のSiO2系フリットを含
むペーストを塗布し、脱ガスした後、下記表4に示す雰
囲気中にて1600℃で6時間焼成し、ペーストの焼き
付けと同時に窒化アルミニウムの焼結を行った。
mの各窒化アルミニウム焼結体の片面全面に厚さ10μ
mのタングステン金属化層を形成した後、タングステン
金属化層上に実施例1と同様のNi−Pメッキ層を形成
し、実施例1と同様の評価を行った。また、これらの金
属化層及びメッキ層を形成しない以外は上記と同様にし
て窒化アルミニウム焼結体を形成し、実施例1と同様に
評価した。これらの結果を表4に併せて示した。
素量により焼結体中に残存する炭素量を制御できるこ
と、また炭化水素ガスが10体積%以上の雰囲気中で焼
結することにより、焼結体中の炭素量は0.005〜0.
10重量%に制御でき、良好な強度を持った窒化アルミ
ニウム焼結体が得られることが分かる。
ルミニウム粉末の平均粒径のみを下記表5のごとく変化
させて窒化アルミニウム焼結体を製造し、実施例3と同
様の評価を行った結果を表5に併せて示した。
は実施例3の試料15と同じである。
末の平均粒径が0.8μm未満であると、バインダーが
窒化アルミニウム粉末間の細かい隙間に入り込み、結果
として成形体の強度が低下して割れが発生したり、又は
脱脂が困難になって焼結体中に過剰の炭素が残留し、焼
結性が低下することが分かる。また、窒化アルミニウム
粉末の平均粒径が2μmを越えると、焼結体の平均粒径
が3μmを越え、結果として焼結体の強度が低下する。
ウム粉末の酸素量のみを下記表6に示すように変化させ
て窒化アルミニウム焼結体を製造し、実施例4と同様の
評価を行った結果を表6に併せて示した。
素量が0.8重量%未満では、焼結性が低下するため焼
結体強度も劣化する場合があり、また1.5重量%を越
える場合には、本発明方法によっても酸素量を制御しき
れず、焼結体の平均粒径が大きくなるため、やはり焼結
体強度が低下する場合があることが分かる。
下記表7に示すように変化させて窒化アルミニウム焼結
体を製造し、実施例1と同様の評価を行った結果を表7
に併せて示した。
えた場合には、焼結体の平均粒径が3μmより大きくな
るため、焼結体の強度が低下し、結果として実施例1で
述べたヒートサイクル評価における亀裂の割合が増大す
ることが分かる。
土類元素系の焼結助剤を用いる窒化アルミニウムの焼結
時に、炭素量を制御することにより粒成長を抑えて、耐
熱衝撃性及び強度に優れ、厚膜ペースト法による導電層
又は絶縁層との密着強度が向上する窒化アルミニウム焼
結体を提供することができる。従って、本発明の窒化ア
ルミニウム焼結体は、パワーモジュール用の放熱基板や
半導体製造装置用の治具など、従来以上に厳しいヒート
サイクル下において使用される用途への適用が可能であ
る。
Claims (13)
- 【請求項1】 窒化アルミニウムを主成分とし、炭素を
0.005〜0.1重量%、アルカリ土類元素化合物を酸
化物に換算して0.01〜5重量%、希土類元素化合物
を酸化物に換算して0.01〜10重量%含むことを特
徴とする窒化アルミニウム焼結体。 - 【請求項2】 アルカリ土類元素がCa、Sr、Baの
うちの少なくとも1種であることを特徴とする、請求項
1に記載の窒化アルミニウム焼結体。 - 【請求項3】 希土類元素がY、La、Ce、Sc、Y
b、Nd、Er、Smのうちの少なくとも1種であるこ
とを特徴とする、請求項1又は2に記載の窒化アルミニ
ウム焼結体。 - 【請求項4】 焼結体の平均粒径が3μm以下であるこ
とを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の窒化
アルミニウム焼結体。 - 【請求項5】 表面に厚膜ペースト法により形成された
導電層又は絶縁層を有することを特徴とする、請求項1
〜4のいずれかに記載の窒化アルミニウム焼結体。 - 【請求項6】 窒化アルミニウム粉末に、炭素粉末を
0.01〜2重量%、アルカリ土類元素化合物を酸化物
に換算して0.01〜5重量%、希土類元素化合物を酸
化物に換算して0.01〜10重量%添加して合計10
0重量%とした後、その成形体を焼結することを特徴と
する窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 - 【請求項7】 窒化アルミニウム粉末に、炭素を遊離す
る化合物を0.01〜20重量%、アルカリ土類元素化
合物を酸化物に換算して0.01〜5重量%、希土類元
素化合物を酸化物に換算して0.01〜10重量%添加
して合計100重量%とした後、その成形体を非酸化性
の雰囲気中で150〜1500℃の温度で加熱して炭素
を遊離させ、その後焼結することを特徴とする窒化アル
ミニウム焼結体の製造方法。 - 【請求項8】 炭素を遊離する化合物が、ポリアクリル
ニトリル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラー
ル、ポリエチレンテレフタレート、グルコース、フルク
トース、サッカロース、フェノール樹脂、ステアリン酸
からなる群より選ばれた少なくとも1種であることを特
徴とする、請求項7に記載の窒化アルミニウムの製造方
法 - 【請求項9】 窒化アルミニウム粉末に、アルカリ土類
元素化合物を酸化物に換算して0.01〜5重量%、希
土類元素化合物を酸化物に換算して0.01〜10重量
%添加して合計100重量%とした後、その成形体を一
酸化炭素及び炭化水素から選ばれた少なくとも一種類の
ガスを10〜100体積%含む非酸化性の雰囲気中にお
いて焼結することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体
の製造方法。 - 【請求項10】 焼結過程の1500℃における成形体
中の炭素量が0.01〜0.1重量%であることを特徴と
する、請求項6〜9のいずれかに記載の窒化アルミニウ
ム焼結体の製造方法。 - 【請求項11】 焼結温度が1700℃以下であること
を特徴とする、請求項6〜10のいずれかに記載の窒化
アルミニウム焼結体の製造方法。 - 【請求項12】 窒化アルミニウム粉末の平均粒径が
0.5〜2.0μmであることを特徴とする、請求項6か
ら11のいずれかに記載の窒化アルミニウム焼結体の製
造方法。 - 【請求項13】 窒化アルミニウム粉末中の酸素量が
0.8〜1.5重量%であることを特徴とする、請求項6
〜12のいずれかに記載の窒化アルミニウム焼結体の製
造方法。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20635398A JP4812144B2 (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
CA002277346A CA2277346C (en) | 1998-07-22 | 1999-07-14 | Aluminum nitride sintered body and method of preparing the same |
US09/357,600 US6271163B1 (en) | 1998-07-22 | 1999-07-20 | Aluminum nitride sintered body and method of preparing the same |
KR1019990029427A KR100353387B1 (ko) | 1998-07-22 | 1999-07-21 | 질화알루미늄 소결체 및 그 제조방법 |
CNB991106342A CN1305807C (zh) | 1998-07-22 | 1999-07-22 | 包含通过烧结原料形成的烧结体的制品及其制备方法 |
CN2005100727784A CN1689732B (zh) | 1998-07-22 | 1999-07-22 | 氮化铝烧结体的制备方法 |
DE69921909T DE69921909T2 (de) | 1998-07-22 | 1999-07-22 | Sinterkörper aus Aluminiumnitrid und Verfahren zur Herstellung desselben |
EP99305814A EP0974565B1 (en) | 1998-07-22 | 1999-07-22 | Aluminum nitride sintered body and method of preparing the same |
US09/783,259 US6428741B2 (en) | 1998-07-22 | 2001-02-13 | Aluminum nitride sintered body and method of preparing the same |
KR1020020018180A KR100353386B1 (ko) | 1998-07-22 | 2002-04-03 | 질화알루미늄 소결체 및 그 제조방법 |
KR1020020018176A KR100353385B1 (ko) | 1998-07-22 | 2002-04-03 | 질화알루미늄 소결체 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20635398A JP4812144B2 (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000044342A true JP2000044342A (ja) | 2000-02-15 |
JP4812144B2 JP4812144B2 (ja) | 2011-11-09 |
Family
ID=16521919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20635398A Expired - Lifetime JP4812144B2 (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6271163B1 (ja) |
EP (1) | EP0974565B1 (ja) |
JP (1) | JP4812144B2 (ja) |
KR (3) | KR100353387B1 (ja) |
CN (2) | CN1689732B (ja) |
CA (1) | CA2277346C (ja) |
DE (1) | DE69921909T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6589021B1 (ja) * | 2018-08-06 | 2019-10-09 | 株式会社Maruwa | 球状窒化アルミニウム粉末、及び、球状窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
Families Citing this family (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4812144B2 (ja) * | 1998-07-22 | 2011-11-09 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
CN1550477A (zh) * | 1999-09-06 | 2004-12-01 | Ibiden股份有限公司 | 含碳的氮化铝烧结体,用于半导体制造/检测设备的基材 |
US20030098299A1 (en) * | 2000-03-06 | 2003-05-29 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
FR2845078B1 (fr) * | 2002-09-26 | 2004-10-29 | Alstom | PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT EN NITRURE D'ALUMINIUM AlN |
KR101160109B1 (ko) * | 2004-03-29 | 2012-06-26 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 질화알루미늄 분말 및 질화알루미늄 소결체 |
JP2005281046A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム基板及びその製造方法 |
US8052918B2 (en) * | 2004-07-21 | 2011-11-08 | Nissin Kogyo Co., Ltd. | Carbon-based material and method of producing the same, and composite material and method of producing the same |
JP4279220B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2009-06-17 | 日信工業株式会社 | 複合材料及びその製造方法、複合金属材料及びその製造方法 |
JP4740002B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-08-03 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体、半導体製造装置用部材、及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
CN101638319B (zh) * | 2008-07-29 | 2012-12-12 | 比亚迪股份有限公司 | 一种氮化铝复合材料的制备方法 |
WO2011139619A1 (en) | 2010-04-26 | 2011-11-10 | Hsio Technologies, Llc | Semiconductor device package adapter |
US9536815B2 (en) | 2009-05-28 | 2017-01-03 | Hsio Technologies, Llc | Semiconductor socket with direct selective metalization |
US8955215B2 (en) | 2009-05-28 | 2015-02-17 | Hsio Technologies, Llc | High performance surface mount electrical interconnect |
US9276336B2 (en) | 2009-05-28 | 2016-03-01 | Hsio Technologies, Llc | Metalized pad to electrical contact interface |
US9232654B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-01-05 | Hsio Technologies, Llc | High performance electrical circuit structure |
US9930775B2 (en) | 2009-06-02 | 2018-03-27 | Hsio Technologies, Llc | Copper pillar full metal via electrical circuit structure |
WO2010141297A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit wafer level semiconductor package |
WO2010141266A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit peripheral lead semiconductor package |
WO2010141295A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed flexible circuit |
US9613841B2 (en) | 2009-06-02 | 2017-04-04 | Hsio Technologies, Llc | Area array semiconductor device package interconnect structure with optional package-to-package or flexible circuit to package connection |
US8988093B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-03-24 | Hsio Technologies, Llc | Bumped semiconductor wafer or die level electrical interconnect |
US8928344B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-01-06 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit socket diagnostic tool |
US9093767B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-07-28 | Hsio Technologies, Llc | High performance surface mount electrical interconnect |
US8525346B2 (en) | 2009-06-02 | 2013-09-03 | Hsio Technologies, Llc | Compliant conductive nano-particle electrical interconnect |
US9276339B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-03-01 | Hsio Technologies, Llc | Electrical interconnect IC device socket |
WO2010141311A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit area array semiconductor device package |
US9277654B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-03-01 | Hsio Technologies, Llc | Composite polymer-metal electrical contacts |
WO2013036565A1 (en) | 2011-09-08 | 2013-03-14 | Hsio Technologies, Llc | Direct metalization of electrical circuit structures |
WO2010141316A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit wafer probe diagnostic tool |
US8987886B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-03-24 | Hsio Technologies, Llc | Copper pillar full metal via electrical circuit structure |
US8970031B2 (en) | 2009-06-16 | 2015-03-03 | Hsio Technologies, Llc | Semiconductor die terminal |
US8618649B2 (en) | 2009-06-02 | 2013-12-31 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit semiconductor package |
US9699906B2 (en) | 2009-06-02 | 2017-07-04 | Hsio Technologies, Llc | Hybrid printed circuit assembly with low density main core and embedded high density circuit regions |
US9320133B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-04-19 | Hsio Technologies, Llc | Electrical interconnect IC device socket |
WO2010141318A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit peripheral lead semiconductor test socket |
US8610265B2 (en) | 2009-06-02 | 2013-12-17 | Hsio Technologies, Llc | Compliant core peripheral lead semiconductor test socket |
WO2010141303A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Resilient conductive electrical interconnect |
US9196980B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-11-24 | Hsio Technologies, Llc | High performance surface mount electrical interconnect with external biased normal force loading |
US9318862B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-04-19 | Hsio Technologies, Llc | Method of making an electronic interconnect |
US9184527B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-11-10 | Hsio Technologies, Llc | Electrical connector insulator housing |
US8803539B2 (en) | 2009-06-03 | 2014-08-12 | Hsio Technologies, Llc | Compliant wafer level probe assembly |
WO2010147782A1 (en) | 2009-06-16 | 2010-12-23 | Hsio Technologies, Llc | Simulated wirebond semiconductor package |
US9320144B2 (en) | 2009-06-17 | 2016-04-19 | Hsio Technologies, Llc | Method of forming a semiconductor socket |
US8981809B2 (en) | 2009-06-29 | 2015-03-17 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit semiconductor tester interface |
US8984748B2 (en) | 2009-06-29 | 2015-03-24 | Hsio Technologies, Llc | Singulated semiconductor device separable electrical interconnect |
US9136819B2 (en) * | 2012-10-27 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator having piezoelectric layer with multiple dopants |
US8512872B2 (en) | 2010-05-19 | 2013-08-20 | Dupalectpa-CHN, LLC | Sealed anodic coatings |
US8609254B2 (en) | 2010-05-19 | 2013-12-17 | Sanford Process Corporation | Microcrystalline anodic coatings and related methods therefor |
US9350093B2 (en) | 2010-06-03 | 2016-05-24 | Hsio Technologies, Llc | Selective metalization of electrical connector or socket housing |
US8758067B2 (en) | 2010-06-03 | 2014-06-24 | Hsio Technologies, Llc | Selective metalization of electrical connector or socket housing |
US10159154B2 (en) | 2010-06-03 | 2018-12-18 | Hsio Technologies, Llc | Fusion bonded liquid crystal polymer circuit structure |
US9689897B2 (en) | 2010-06-03 | 2017-06-27 | Hsio Technologies, Llc | Performance enhanced semiconductor socket |
TWI447067B (zh) * | 2011-08-04 | 2014-08-01 | 氮化鋁製造方法 | |
US9761520B2 (en) | 2012-07-10 | 2017-09-12 | Hsio Technologies, Llc | Method of making an electrical connector having electrodeposited terminals |
US20140066287A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | CMC Laboratories, Inc. | Low Cost Manufacture of High Reflectivity Aluminum Nitride Substrates |
US9399577B2 (en) * | 2012-09-07 | 2016-07-26 | Tokuyama Corporation | Method for producing water-resistant aluminum nitride powder |
EP2803756A1 (en) | 2013-05-13 | 2014-11-19 | Atotech Deutschland GmbH | Method for depositing thick copper layers onto sintered materials |
JP5966199B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2016-08-10 | 株式会社デンソー | 圧電体薄膜及びその製造方法 |
US10667410B2 (en) | 2013-07-11 | 2020-05-26 | Hsio Technologies, Llc | Method of making a fusion bonded circuit structure |
US10506722B2 (en) | 2013-07-11 | 2019-12-10 | Hsio Technologies, Llc | Fusion bonded liquid crystal polymer electrical circuit structure |
US10340885B2 (en) | 2014-05-08 | 2019-07-02 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave devices with temperature-compensating niobium alloy electrodes |
KR102339563B1 (ko) * | 2014-06-02 | 2021-12-16 | 주식회사 미코세라믹스 | 플라즈마 화학기상증착 장치용 배플 구조물 및 이의 제조 방법 |
US9755335B2 (en) | 2015-03-18 | 2017-09-05 | Hsio Technologies, Llc | Low profile electrical interconnect with fusion bonded contact retention and solder wick reduction |
CN106220186A (zh) * | 2016-08-05 | 2016-12-14 | 郭迎庆 | 一种陶瓷基电子基板材料的制备方法 |
CN110691755B (zh) * | 2017-05-22 | 2023-04-07 | 东洋铝株式会社 | 氮化铝系粉末及其制造方法 |
KR102141812B1 (ko) * | 2017-07-24 | 2020-08-07 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 질화알루미늄 소결체 및 그 제조 방법 |
CN108706980A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-10-26 | 深圳市商德先进陶瓷股份有限公司 | 氮化铝陶瓷及其制备方法、静电卡盘和应用 |
KR20210036141A (ko) * | 2019-09-25 | 2021-04-02 | 주식회사 케이씨씨 | 질화알루미늄 소결체 및 질화알루미늄 소결체의 제조방법 |
CN115304383A (zh) * | 2022-08-19 | 2022-11-08 | 广东省先进陶瓷材料科技有限公司 | 一种氮化铝基板及其制备方法与应用 |
CN115403043B (zh) * | 2022-08-19 | 2023-07-11 | 四川大学 | 一种稀土元素碳化物、氮化物或碳氮化物粉末的制备方法 |
CN116425552B (zh) * | 2023-04-24 | 2024-04-26 | 广东省先进陶瓷材料科技有限公司 | 一种氮化铝基板及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5855377A (ja) | 1981-09-28 | 1983-04-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
US4578234A (en) | 1984-10-01 | 1986-03-25 | General Electric Company | Process of pressureless sintering to produce dense high thermal conductivity ceramic body of deoxidized aluminum nitride |
US4578233A (en) | 1984-11-01 | 1986-03-25 | General Electric Company | Pressureless sintering process to produce high thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride |
US4746637A (en) * | 1984-11-08 | 1988-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminum nitride sintered body and process for producing the same |
JPH0649613B2 (ja) | 1984-11-08 | 1994-06-29 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
US4578365A (en) | 1984-11-26 | 1986-03-25 | General Electric Company | High thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride |
US4578364A (en) | 1984-12-07 | 1986-03-25 | General Electric Company | High thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride |
US4578232A (en) | 1984-12-17 | 1986-03-25 | General Electric Company | Pressureless sintering process to produce high thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride |
DE3684821D1 (de) | 1985-06-28 | 1992-05-21 | Toshiba Kawasaki Kk | Aluminiumnitridsinterkoerper und verfahren zu seiner herstellung. |
US5001089A (en) | 1985-06-28 | 1991-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminum nitride sintered body |
JPH0717454B2 (ja) * | 1985-06-28 | 1995-03-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JPS63190761A (ja) | 1987-01-30 | 1988-08-08 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体 |
US5154863A (en) | 1985-10-31 | 1992-10-13 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof |
US5314850A (en) * | 1985-10-31 | 1994-05-24 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride sintered body and production thereof |
US4770953A (en) * | 1986-02-20 | 1988-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminum nitride sintered body having conductive metallized layer |
JP2578114B2 (ja) | 1987-05-08 | 1997-02-05 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPH01203270A (ja) | 1988-02-08 | 1989-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造法 |
US5273700A (en) * | 1990-10-29 | 1993-12-28 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Aluminum nitride sintered body and process for producing the same |
JPH0647085B2 (ja) | 1991-09-24 | 1994-06-22 | 三菱化工機株式会社 | スクリュー型遠心分離機 |
JP3141505B2 (ja) * | 1992-03-03 | 2001-03-05 | 日立金属株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
US6004705A (en) * | 1992-07-07 | 1999-12-21 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive ceramics green sheet |
JP3650140B2 (ja) | 1993-06-14 | 2005-05-18 | オリンパス株式会社 | 手術用顕微鏡 |
JPH075375A (ja) | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Nikon Corp | X線観察用の生体試料槽 |
JPH075374A (ja) | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Nikon Corp | X線光学素子保持器 |
JP2949653B2 (ja) | 1993-06-17 | 1999-09-20 | 株式会社モリテックス | 硬性イメ−ジスコ−プ |
JPH0738491A (ja) | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Fujitsu General Ltd | 無線呼出システム |
US5482903A (en) * | 1993-12-22 | 1996-01-09 | International Business Machines Corporation | Aluminum nitride body utilizing a vitreous sintering additive |
JPH075372A (ja) | 1994-01-31 | 1995-01-10 | Topcon Corp | 双眼実体顕微鏡 |
JP2598236B2 (ja) * | 1994-09-07 | 1997-04-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP3100871B2 (ja) * | 1995-07-11 | 2000-10-23 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体 |
CN1130607A (zh) * | 1995-11-17 | 1996-09-11 | 清华大学 | 高热导率氮化铝陶瓷的制造方法 |
DE29721502U1 (de) * | 1996-12-21 | 1998-04-23 | Klein Schanzlin & Becker Ag | Strangregulierarmatur |
CN1081178C (zh) * | 1998-07-08 | 2002-03-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 高热导氮化铝陶瓷的制备方法 |
JP4812144B2 (ja) * | 1998-07-22 | 2011-11-09 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-07-22 JP JP20635398A patent/JP4812144B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-07-14 CA CA002277346A patent/CA2277346C/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-20 US US09/357,600 patent/US6271163B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-21 KR KR1019990029427A patent/KR100353387B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-07-22 EP EP99305814A patent/EP0974565B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-22 CN CN2005100727784A patent/CN1689732B/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-22 CN CNB991106342A patent/CN1305807C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-22 DE DE69921909T patent/DE69921909T2/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-13 US US09/783,259 patent/US6428741B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-03 KR KR1020020018176A patent/KR100353385B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-04-03 KR KR1020020018180A patent/KR100353386B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6589021B1 (ja) * | 2018-08-06 | 2019-10-09 | 株式会社Maruwa | 球状窒化アルミニウム粉末、及び、球状窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
US11358865B2 (en) | 2018-08-06 | 2022-06-14 | Maruwa Co., Ltd. | Spherical aluminum nitride powder and method for producing spherical aluminum nitride powder |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100353387B1 (ko) | 2002-09-18 |
KR100353385B1 (ko) | 2002-09-19 |
CN1689732B (zh) | 2010-06-23 |
CN1689732A (zh) | 2005-11-02 |
CN1242349A (zh) | 2000-01-26 |
EP0974565A1 (en) | 2000-01-26 |
CA2277346A1 (en) | 2000-01-22 |
DE69921909D1 (de) | 2004-12-23 |
DE69921909T2 (de) | 2005-04-21 |
KR20020036986A (ko) | 2002-05-17 |
JP4812144B2 (ja) | 2011-11-09 |
US6271163B1 (en) | 2001-08-07 |
KR100353386B1 (ko) | 2002-09-19 |
KR20020036985A (ko) | 2002-05-17 |
CN1305807C (zh) | 2007-03-21 |
EP0974565B1 (en) | 2004-11-17 |
KR20000011846A (ko) | 2000-02-25 |
US6428741B2 (en) | 2002-08-06 |
CA2277346C (en) | 2004-11-23 |
US20010016551A1 (en) | 2001-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000044342A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 | |
EP1914213B1 (en) | Silicon nitride circuit board | |
JP3629783B2 (ja) | 回路基板 | |
KR100244823B1 (ko) | 질화규소 세라믹회로기판 및 이것을 이용한 반도체장치 | |
JP3408298B2 (ja) | 高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板,その製造方法および窒化けい素モジュール | |
JP2000128654A (ja) | 窒化ケイ素複合基板 | |
JP2899893B2 (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 | |
JP3618422B2 (ja) | 高強度回路基板およびその製造方法 | |
JPH05226515A (ja) | メタライズ層を有する窒化アルミニウム基板とそのメタライズ方法 | |
JP2677748B2 (ja) | セラミックス銅回路基板 | |
JP3683067B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 | |
JP2000244121A (ja) | 窒化珪素質配線基板およびその製造方法 | |
JP4142556B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法、用途 | |
JP3230861B2 (ja) | 窒化けい素メタライズ基板 | |
JPH0964235A (ja) | 窒化けい素回路基板 | |
JPH07257973A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体、その製造方法及び用途 | |
JP4653272B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
JP2003068938A (ja) | 複合セラミック部品及びその製造方法 | |
JPH01155686A (ja) | 窒化アルミニウム多層基板およびその製造方法 | |
JPH0881264A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
JPH073377A (ja) | メタライズ組成物 | |
JPH0517236A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体及びそれを用いた接合体 | |
JPH0629426A (ja) | 回路用絶縁基板及びその製造方法 | |
JP2006345004A (ja) | 高強度回路基板およびその製造方法 | |
JPH01201091A (ja) | 非酸化物系セラミック用メタライズ組成物および非酸化物系セラミックへのメタライズ方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071113 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080111 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080722 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110630 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110823 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |