JPH01155686A - 窒化アルミニウム多層基板およびその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム多層基板およびその製造方法Info
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- JPH01155686A JPH01155686A JP31364787A JP31364787A JPH01155686A JP H01155686 A JPH01155686 A JP H01155686A JP 31364787 A JP31364787 A JP 31364787A JP 31364787 A JP31364787 A JP 31364787A JP H01155686 A JPH01155686 A JP H01155686A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 13
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 13
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910014813 CaC2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 229910003440 dysprosium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(iii) oxide Chemical compound O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、半導体用基板、IC用基板等に使用される熱
伝導性が良好な窒化アルミニウム基板に関するものであ
り、特に高密度実装用基板として有用な窒化アルミニウ
ム多層配線基板の改良に関するものである。
伝導性が良好な窒化アルミニウム基板に関するものであ
り、特に高密度実装用基板として有用な窒化アルミニウ
ム多層配線基板の改良に関するものである。
「従来の技術」
従来、電子機器等における半導体素子の搭載用基板とし
ては、化学的に安定で信頼性が高いことからアルミナ基
板が広(使用されている。
ては、化学的に安定で信頼性が高いことからアルミナ基
板が広(使用されている。
しかし、近年、電子機器の小型化・半導体部品の高密度
化及び高出力化が進むにともない、半導体を実装する基
板の単位面積あたりの発熱量が増大し、その放熱が大き
な問題となっている。
化及び高出力化が進むにともない、半導体を実装する基
板の単位面積あたりの発熱量が増大し、その放熱が大き
な問題となっている。
このため、従来使用さ九ているアルミナの熱伝導率(約
20W/mK)に比べて極めて高い熱伝導率(約70〜
260W/mK)を有するとともに、Siとほぼ同じ熱
膨張率(約4 、 e X 10−”/”C)をもつ窒
化アルミニウムが半導体部品の基板材料として注目され
使用されはじめている。
20W/mK)に比べて極めて高い熱伝導率(約70〜
260W/mK)を有するとともに、Siとほぼ同じ熱
膨張率(約4 、 e X 10−”/”C)をもつ窒
化アルミニウムが半導体部品の基板材料として注目され
使用されはじめている。
しかしながら、窒化アルミニウムは焼成温度が1800
℃以上と高く、これに耐えられる適当な配線材料がない
こと等の理由により多層配線は困難視され、高集積LS
Iの実装用基板等としては実用化されていなかった。
℃以上と高く、これに耐えられる適当な配線材料がない
こと等の理由により多層配線は困難視され、高集積LS
Iの実装用基板等としては実用化されていなかった。
「発明が解決しようとする問題点」
しかるに、最近、直接窒化による窒化アルミニウム粉末
を原料としたグリーンシートにタングステン系導電材料
を印刷し、四枚重ねて5層配線とし、1700℃で1時
間、N、#囲気中で同時焼成した多層基板が報告され(
日経ニューマテリアル、 1987年6月1日号、10
〜11頁参照)、更に、高純度の窒化アルミニウム粉末
に焼結助剤としてCaC2粉末を混合し、有機バインダ
ーを加え、ドクターブレード法によって有機フィルム上
にグリーンシートを作製し、これにVIAホールを形成
し、タングステン導体を印刷した後、所望のシートを積
層し、その後、脱バインダーを行ってから焼成した窒化
アルミニウム多層配線基板も提案されるなど(第2回マ
イクロエレクトロニクスシンポジウム要旨集、1987
年7月、185〜188頁参照)、窒化アルミニウム多
層配線基板の実用化が急速に進展している。
を原料としたグリーンシートにタングステン系導電材料
を印刷し、四枚重ねて5層配線とし、1700℃で1時
間、N、#囲気中で同時焼成した多層基板が報告され(
日経ニューマテリアル、 1987年6月1日号、10
〜11頁参照)、更に、高純度の窒化アルミニウム粉末
に焼結助剤としてCaC2粉末を混合し、有機バインダ
ーを加え、ドクターブレード法によって有機フィルム上
にグリーンシートを作製し、これにVIAホールを形成
し、タングステン導体を印刷した後、所望のシートを積
層し、その後、脱バインダーを行ってから焼成した窒化
アルミニウム多層配線基板も提案されるなど(第2回マ
イクロエレクトロニクスシンポジウム要旨集、1987
年7月、185〜188頁参照)、窒化アルミニウム多
層配線基板の実用化が急速に進展している。
ところで、上述したように、これまで知られている窒化
アルミニウム多層配線基板の製造方法は。
アルミニウム多層配線基板の製造方法は。
アルミナ多層配線基板等の製造方法と同様に、グリーン
シートにタングステンペーストやモリブデンペーストで
配線パターンを印刷したものを積層し、脱バインダーを
行った後、焼結するという工程が採られている。
シートにタングステンペーストやモリブデンペーストで
配線パターンを印刷したものを積層し、脱バインダーを
行った後、焼結するという工程が採られている。
窒化アルミニウムの焼結体は、アルカリや高温の水蒸気
により腐食され易い性質がある。このため、焼結の後工
程であるめっき工程では、めっき液によって、焼結体表
面が腐食され、また、めっき液にも悪影響を及ぼすとい
う問題がある。この対策として、熱処理により、焼結体
表面に薄い酸化被膜を形成する方法があるが、この場合
、配線金属の表面も酸化され、めっきを施すことが困難
となる。すなわち、現状では、配線金属の表面を酸化さ
せることなく、焼結体表面に保護膜を形成することは極
めて難しい。
により腐食され易い性質がある。このため、焼結の後工
程であるめっき工程では、めっき液によって、焼結体表
面が腐食され、また、めっき液にも悪影響を及ぼすとい
う問題がある。この対策として、熱処理により、焼結体
表面に薄い酸化被膜を形成する方法があるが、この場合
、配線金属の表面も酸化され、めっきを施すことが困難
となる。すなわち、現状では、配線金属の表面を酸化さ
せることなく、焼結体表面に保護膜を形成することは極
めて難しい。
本発明の目的は、上述した問題点を解決し、配線金属の
表面を酸化させることなく、焼結体表面に酸化保護膜を
形成された窒化アルミニウム多層配線基板を提供するこ
とにある。
表面を酸化させることなく、焼結体表面に酸化保護膜を
形成された窒化アルミニウム多層配線基板を提供するこ
とにある。
「問題点を解決するための手段」
上記問題点を解決するために、本発明は、内部および/
または表面に所望のパターンに形成された金属配線を有
する窒化アルミニウム多層基板であって、金属配線パタ
ーン表面は酸化膜を有せず露出しているセラミック表面
部分には酸化保護膜が形成されていることを特徴とする
ものである。
または表面に所望のパターンに形成された金属配線を有
する窒化アルミニウム多層基板であって、金属配線パタ
ーン表面は酸化膜を有せず露出しているセラミック表面
部分には酸化保護膜が形成されていることを特徴とする
ものである。
また、上記本発明の窒化アルミニウム多層配線基板を製
造する方法としては、窒化アルミニウムを主体とするグ
リーンシートに所望の金属配線パターンを施し、積層後
焼結し、得られた焼結体を窒素、水素、および水蒸気か
らなる混合雰囲気中で熱処理することにより、配線金属
表面には酸化膜を形成せず、露出しているセラミック表
面のみに選択的に酸化保護膜を形成することができるも
のである。
造する方法としては、窒化アルミニウムを主体とするグ
リーンシートに所望の金属配線パターンを施し、積層後
焼結し、得られた焼結体を窒素、水素、および水蒸気か
らなる混合雰囲気中で熱処理することにより、配線金属
表面には酸化膜を形成せず、露出しているセラミック表
面のみに選択的に酸化保護膜を形成することができるも
のである。
すなわち、本発明は、焼結体を窒素、水素、および水蒸
気からなる混合雰囲気中で熱処理をすることにより、配
線金属表面を酸化させることなく、セラミック表面に酸
化保護膜を形成することが可能としたものである。この
ため、アルカリや高温の水蒸気により腐食され難くなり
、めっき工程での焼結体表面への腐食や、めっき液へ及
ぼす悪影響もなく、めっきを施すことが可能となった。
気からなる混合雰囲気中で熱処理をすることにより、配
線金属表面を酸化させることなく、セラミック表面に酸
化保護膜を形成することが可能としたものである。この
ため、アルカリや高温の水蒸気により腐食され難くなり
、めっき工程での焼結体表面への腐食や、めっき液へ及
ぼす悪影響もなく、めっきを施すことが可能となった。
本発明において、上記熱処理雰囲気における水蒸気の分
圧pH□0と水素の分圧PH2との比(PI(20/P
11□)が、0.1未満の場合には水蒸気の存在による
効果が期待されず、1を越える場合には配線金属をも酸
化させる恐れがあるため、0.1〜lの範囲に制御する
ことが好ましい。
圧pH□0と水素の分圧PH2との比(PI(20/P
11□)が、0.1未満の場合には水蒸気の存在による
効果が期待されず、1を越える場合には配線金属をも酸
化させる恐れがあるため、0.1〜lの範囲に制御する
ことが好ましい。
また、上記熱処理時の処理温度は500〜15oO℃が
好ましく、500℃未満では酸化保護膜が形成し難く、
1500℃を越えると配線金属を酸化させる恐れがある
。
好ましく、500℃未満では酸化保護膜が形成し難く、
1500℃を越えると配線金属を酸化させる恐れがある
。
なお、本発明における上記焼結工程の雰囲気としては、
例えば、カーボン蒸気を含む窒素ガス。
例えば、カーボン蒸気を含む窒素ガス。
真空、またはCH4ガス等の還元性雰囲気が好ましい、
また、焼結温度は、通常、約1700〜1900℃の範
囲の温度が選択される。
また、焼結温度は、通常、約1700〜1900℃の範
囲の温度が選択される。
[実施例コ
以下、本発明を実施例および比較例に基づいてより詳細
に説明する。
に説明する。
(実施例)
粒径が約0.5μsの窒化アルミニウム粉末97tyt
%に焼結助剤として3νt%の酸化ディスプロシウムを
加えた微粉末セラミック粉末に、該セラミック粉末10
0gに対し有機バインダーとしてブチラール樹脂7.5
gおよび可塑剤3.3gをそれぞれ添加し、さらに溶剤
としてトリクロルエチレン、テトラクロルエチレン、ブ
タノールからなるアゼオドロープをセラミック粉末10
0g当り96m1加え合わせ、ボールミルにて十分混合
し、セラミック粉末が均一に分散したスラリーを作製し
た。ついで、攪拌しながら低圧で脱気し、スラリー内の
気泡を除去したのち、ドクターブレード型キャスティン
グ装置を用いて薄板化し、厚さ0゜25am+のグリー
ンシートを作製した。次に、このグリーンシートを切断
して1100n角のシートを作成し、これに上下配線パ
ターン間の導通をとるためのスルーホールを形成した。
%に焼結助剤として3νt%の酸化ディスプロシウムを
加えた微粉末セラミック粉末に、該セラミック粉末10
0gに対し有機バインダーとしてブチラール樹脂7.5
gおよび可塑剤3.3gをそれぞれ添加し、さらに溶剤
としてトリクロルエチレン、テトラクロルエチレン、ブ
タノールからなるアゼオドロープをセラミック粉末10
0g当り96m1加え合わせ、ボールミルにて十分混合
し、セラミック粉末が均一に分散したスラリーを作製し
た。ついで、攪拌しながら低圧で脱気し、スラリー内の
気泡を除去したのち、ドクターブレード型キャスティン
グ装置を用いて薄板化し、厚さ0゜25am+のグリー
ンシートを作製した。次に、このグリーンシートを切断
して1100n角のシートを作成し、これに上下配線パ
ターン間の導通をとるためのスルーホールを形成した。
なお、スルーホールの形成は、超硬合金性ビンを有する
打ち抜き金型で行った6 次に、タングステンペーストを用い、スクリーン印刷法
により、前記グリーンシートに形成したスルーホールに
ペーストを充填すると共に、グリーンシート上に配線パ
ターンを印刷形成した。配線材料となるタングステンペ
ーストは、平均粒径1.5μsのタングステン粉末80
gに対し、有機バインダーとしてエチルセルロース3g
、有機溶剤としてジエチレングリコール17gをそれぞ
れ加え合わせ、らいかい機および3本ロールで混練した
後、ブチルカルピトールアセテートを加え粘度調整をし
て作製したものを使用した。
打ち抜き金型で行った6 次に、タングステンペーストを用い、スクリーン印刷法
により、前記グリーンシートに形成したスルーホールに
ペーストを充填すると共に、グリーンシート上に配線パ
ターンを印刷形成した。配線材料となるタングステンペ
ーストは、平均粒径1.5μsのタングステン粉末80
gに対し、有機バインダーとしてエチルセルロース3g
、有機溶剤としてジエチレングリコール17gをそれぞ
れ加え合わせ、らいかい機および3本ロールで混練した
後、ブチルカルピトールアセテートを加え粘度調整をし
て作製したものを使用した。
続いて、上記所定の配線パターンを印刷形成したグリー
ンシートを所定枚数積み重ね、120℃、60kg/a
dの条件でホットプレスし、積層した。
ンシートを所定枚数積み重ね、120℃、60kg/a
dの条件でホットプレスし、積層した。
次に、積層工程を終えたグリーンシート積層体の脱バイ
ンダーをした。脱バインダーは、モリブデンを発熱体と
する箱型電気炉を用い、窒素、水素の混合雰囲気中で1
000℃まで昇温することにより行った。
ンダーをした。脱バインダーは、モリブデンを発熱体と
する箱型電気炉を用い、窒素、水素の混合雰囲気中で1
000℃まで昇温することにより行った。
脱バインダーの後、モリブデンを発熱体とする箱型電気
炉を用い、窒素と水素の混合雰囲気中で1800℃まで
昇温し、1時間保持して焼結した。
炉を用い、窒素と水素の混合雰囲気中で1800℃まで
昇温し、1時間保持して焼結した。
その後、900℃まで降温し、窒素、水素、水蒸気の混
合雰囲気中で2時間保持し、表面処理をした。第1図に
温度900℃での処理時間および水蒸気と水素の分圧比
(PH,O/PH,)と生成される酸化保護膜の厚さと
の関係を示す。この図かられかるように、適当な膜厚の
酸化保護膜を得るためには、処理温度に対応して処理時
間および水蒸気と水素の分圧比を適宜選択すれば良い。
合雰囲気中で2時間保持し、表面処理をした。第1図に
温度900℃での処理時間および水蒸気と水素の分圧比
(PH,O/PH,)と生成される酸化保護膜の厚さと
の関係を示す。この図かられかるように、適当な膜厚の
酸化保護膜を得るためには、処理温度に対応して処理時
間および水蒸気と水素の分圧比を適宜選択すれば良い。
上記のように本発明による表面処理を施した試料の表面
配線パターン部に、膜厚5μsの無電解ニッケルめっき
膜をつけた。表面粗さを測定したところ、0.5〜1.
Otmであった。また、めっき部分の断面を電子顕微鏡
で観察してみると、めっき膜はタングステン表面に均一
についていることが確認された。
配線パターン部に、膜厚5μsの無電解ニッケルめっき
膜をつけた。表面粗さを測定したところ、0.5〜1.
Otmであった。また、めっき部分の断面を電子顕微鏡
で観察してみると、めっき膜はタングステン表面に均一
についていることが確認された。
(比較例)
比較のため、焼結までを上記実施例と同様に行った試料
を、表面処理を施すことなく、膜厚5umの無電解ニッ
ケルめっき膜をつけた。めっき膜はタングステン表面に
均一についていたが、表面粗さを測ると、5.0〜15
.OtImであった。
を、表面処理を施すことなく、膜厚5umの無電解ニッ
ケルめっき膜をつけた。めっき膜はタングステン表面に
均一についていたが、表面粗さを測ると、5.0〜15
.OtImであった。
また、焼結までを上記実施例と同様に行った試料を、大
気中で1000℃まで昇温し、30分保持して表面処理
した後、膜厚5−の無電解ニッケルめっき膜をつけた。
気中で1000℃まで昇温し、30分保持して表面処理
した後、膜厚5−の無電解ニッケルめっき膜をつけた。
しかし、めっき膜はタングステン表面に不均一に、まば
らにしか付いておらず、実用には供し得ないものであっ
た。尚、表面粗さを測定したところ、粗さは0.5〜1
.04aaであり、良好であった。
らにしか付いておらず、実用には供し得ないものであっ
た。尚、表面粗さを測定したところ、粗さは0.5〜1
.04aaであり、良好であった。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、配線金属表面を
酸化させることなく、セラミック表面に酸化保護膜を形
成することができ、アルカリや高温の水蒸気により腐食
され難く、特に、めっき工程での焼結体表面への腐食や
、めっき液へ及ぼす悪影響もない窒化アルミニウム多層
配線基板が実現できるため、工業的に非常に有効である
。
酸化させることなく、セラミック表面に酸化保護膜を形
成することができ、アルカリや高温の水蒸気により腐食
され難く、特に、めっき工程での焼結体表面への腐食や
、めっき液へ及ぼす悪影響もない窒化アルミニウム多層
配線基板が実現できるため、工業的に非常に有効である
。
第1図は本発明における温度900’Cでの熱処理時間
および水蒸気と水素の分圧比(PH,O/PH2)と得
られる酸化保護膜の厚さとの関係を示す図である。
および水蒸気と水素の分圧比(PH,O/PH2)と得
られる酸化保護膜の厚さとの関係を示す図である。
Claims (2)
- (1)内部および/または表面に所望のパターンに形成
された金属配線を有する窒化アルミニウム多層基板にお
いて、金属配線パターン以外のセラミック表面部分に酸
化保護膜が形成されていることを特徴とする窒化アルミ
ニウム多層基板。 - (2)窒化アルミニウムを主体とするグリーンシートに
所望の金属配線パターンを施し積層後焼結してなる窒化
アルミニウム多層基板の製造方法において、焼結体を窒
素,水素,および水蒸気からなる混合雰囲気中で熱処理
することにより、配線金属表面を除くセラミック表面の
みに選択的に酸化保護膜を形成することを特徴とする窒
化アルミニウム多層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31364787A JPH01155686A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 窒化アルミニウム多層基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31364787A JPH01155686A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 窒化アルミニウム多層基板およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01155686A true JPH01155686A (ja) | 1989-06-19 |
Family
ID=18043825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31364787A Pending JPH01155686A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 窒化アルミニウム多層基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01155686A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2799990A1 (fr) * | 1999-10-26 | 2001-04-27 | Mitel Semiconductor Ab | Procede et appareil pour l'oxydation controlee de materiaux |
US6555407B1 (en) | 1999-10-26 | 2003-04-29 | Zarlink Semiconductor Ab | Method for the controlled oxidiation of materials |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP31364787A patent/JPH01155686A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2799990A1 (fr) * | 1999-10-26 | 2001-04-27 | Mitel Semiconductor Ab | Procede et appareil pour l'oxydation controlee de materiaux |
US6555407B1 (en) | 1999-10-26 | 2003-04-29 | Zarlink Semiconductor Ab | Method for the controlled oxidiation of materials |
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