JPH02279577A - セラミック基板の製造方法 - Google Patents
セラミック基板の製造方法Info
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- JPH02279577A JPH02279577A JP10100889A JP10100889A JPH02279577A JP H02279577 A JPH02279577 A JP H02279577A JP 10100889 A JP10100889 A JP 10100889A JP 10100889 A JP10100889 A JP 10100889A JP H02279577 A JPH02279577 A JP H02279577A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5133—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal with a composition mainly composed of one or more of the refractory metals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
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- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、熱伝導性に優れた窒化アルミニウムセラミッ
クで構成されるセラミック多層基板の製造方法に関する
。
クで構成されるセラミック多層基板の製造方法に関する
。
(従来の技術)
窒化アルミニウム(A I N)セラミックは、熱伝導
性が良好で放熱性に優れ、かつ電気絶縁性等の電気的特
性も優れているので半導体用の基板材料として注目を集
めている。
性が良好で放熱性に優れ、かつ電気絶縁性等の電気的特
性も優れているので半導体用の基板材料として注目を集
めている。
一方、ハイブリッドICは、基板表面を2次元的に利用
する形で発展してきている。 しかし、ICの高密度化
は益々進み、より高い711位面積当たりの回路密度を
実現する実装形態として基板の多層化による3次元的回
路構成が取り入れられている。このような多層化の方法
として、薄膜多層、厚膜多層あるいはグリーンシート多
層などが挙げられるが、層数、すなわち回路密度の点に
おいてグリーンシート多層が有利である。
する形で発展してきている。 しかし、ICの高密度化
は益々進み、より高い711位面積当たりの回路密度を
実現する実装形態として基板の多層化による3次元的回
路構成が取り入れられている。このような多層化の方法
として、薄膜多層、厚膜多層あるいはグリーンシート多
層などが挙げられるが、層数、すなわち回路密度の点に
おいてグリーンシート多層が有利である。
これは、薄膜多層は層形成に複雑な工程と高価な設備を
要するとされ、厚膜多層は層を重ねるごとに焼成を行う
為下部に形成した層が繰返し熱履歴を受けることとなり
、層数に制限が生じるとされているためである。
要するとされ、厚膜多層は層を重ねるごとに焼成を行う
為下部に形成した層が繰返し熱履歴を受けることとなり
、層数に制限が生じるとされているためである。
これに対しグリーンシート多層によるセラミックス多層
基板は、セラミックス層と導電層とが交互に積層されて
おり、上下の導電層はセラミックス層に設けられている
スルーホールによって導通している。このような多層基
板は、例えばあらかじめ導通用のスルーホールを設けた
グリーンシートに導電ペーストを印刷し、また上下の配
線が接続するようにスルーホールにも同種のペーストを
印刷した後、必要な層の数だけグリーンシートを重ねて
圧着した後、同時焼成することなどにより作製される。
基板は、セラミックス層と導電層とが交互に積層されて
おり、上下の導電層はセラミックス層に設けられている
スルーホールによって導通している。このような多層基
板は、例えばあらかじめ導通用のスルーホールを設けた
グリーンシートに導電ペーストを印刷し、また上下の配
線が接続するようにスルーホールにも同種のペーストを
印刷した後、必要な層の数だけグリーンシートを重ねて
圧着した後、同時焼成することなどにより作製される。
このような多層基板に用いるセラミックスとして、熱伝
導率、放熱性に優れかつシリコンチップに近似した低熱
膨張率を有しているAINの使用が試みられている。
導率、放熱性に優れかつシリコンチップに近似した低熱
膨張率を有しているAINの使用が試みられている。
このような多層基板として、AINを主成分とするセラ
ミック層と、タングステン金属(W)を主成分とする導
体とを備えたことを特徴とするセラミック多層基板が開
示されている(特開昭G2−73799号公報)。この
基板は、AINを主成分とする゛セラミック粉末を有機
ビヒクルとともに混合してスラリーとし、このスラリー
をグリーンシートとしたのち、このグリーンシートを所
定の大きさのものとし、各層間の導通をえるためのスル
ーホールを形成したのち、厚膜印刷法によりWを主体と
する所定の導体パターンを形成し、これらの各導体パタ
ーンを形成したグリーンシートを積層プレスして脱バイ
ンダー工程を経て同時焼成することにより得られる。
ミック層と、タングステン金属(W)を主成分とする導
体とを備えたことを特徴とするセラミック多層基板が開
示されている(特開昭G2−73799号公報)。この
基板は、AINを主成分とする゛セラミック粉末を有機
ビヒクルとともに混合してスラリーとし、このスラリー
をグリーンシートとしたのち、このグリーンシートを所
定の大きさのものとし、各層間の導通をえるためのスル
ーホールを形成したのち、厚膜印刷法によりWを主体と
する所定の導体パターンを形成し、これらの各導体パタ
ーンを形成したグリーンシートを積層プレスして脱バイ
ンダー工程を経て同時焼成することにより得られる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上述したようなセラミック多層基板の製
造方法には次のような解決すべき問題点が残されていた
。すなわち、Wを導体とするAIN多層配線基板を製造
する場合、AINグリーンシート及びWペースト中の有
機物の脱脂及びそれに続く焼成はW及びAINの酸化を
防ぐため非酸化性雰囲気下で行うことが必要とされるが
、脱脂工程後に有機物中の炭素の一部が残留し導体W及
びAINの焼結を困難にすることである。これを防ぐた
め、脱脂雰囲気に酸素を導入することが考えられるが、
酸素を導入した場合にはAINおよびWペーストが酸化
するため熱伝導度および導体抵抗が劣化するなどの難点
が考えられ実用されていなかった。
造方法には次のような解決すべき問題点が残されていた
。すなわち、Wを導体とするAIN多層配線基板を製造
する場合、AINグリーンシート及びWペースト中の有
機物の脱脂及びそれに続く焼成はW及びAINの酸化を
防ぐため非酸化性雰囲気下で行うことが必要とされるが
、脱脂工程後に有機物中の炭素の一部が残留し導体W及
びAINの焼結を困難にすることである。これを防ぐた
め、脱脂雰囲気に酸素を導入することが考えられるが、
酸素を導入した場合にはAINおよびWペーストが酸化
するため熱伝導度および導体抵抗が劣化するなどの難点
が考えられ実用されていなかった。
特に大型、厚肉の基板では上記の難点が顕著であった。
本発明は、このような課題に対処するためになされたも
ので、W導体を酸化させることなくかつAINグリーン
シートのバインダーを効率よく除去し信頼性の高いAI
N多層基板を提供することを目的とする。
ので、W導体を酸化させることなくかつAINグリーン
シートのバインダーを効率よく除去し信頼性の高いAI
N多層基板を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段および作用)本発明は、窒
化アルミニウムを主成分とするグリーンシートの表面に
タングステンを主成分とする導電ペースト層を設け、水
蒸気圧0. lOatm以下の酸素を含有する雰囲気に
て脱脂し、これらを同時に焼成することを特徴とするセ
ラミック基板の製造方法ある。また、導電ペースト層は
AINをtheするものが望ましい。
化アルミニウムを主成分とするグリーンシートの表面に
タングステンを主成分とする導電ペースト層を設け、水
蒸気圧0. lOatm以下の酸素を含有する雰囲気に
て脱脂し、これらを同時に焼成することを特徴とするセ
ラミック基板の製造方法ある。また、導電ペースト層は
AINをtheするものが望ましい。
発明者は、脱脂工程におけるAlN5W導体およびバイ
ンダーの酸化状況を調べ、ある酸素分圧以下の酸素を含
む雰囲気であればバインダーを効率よく除去することが
でき、しかもAIN、W導体が酸化しにくいことを見出
した。すなわち、脱脂雰囲気を水蒸気圧0.1Oal以
下の酸素を含aする雰囲気にすることにより、AINお
よびWベーストを実質的に酸化させることなく効率よく
脱脂を行うことができるのである。脱脂雰囲気としては
窒素(N2)あるいは水素(N2)を主成分とするもの
が適用できこれらの混合ガスも適用できる。
ンダーの酸化状況を調べ、ある酸素分圧以下の酸素を含
む雰囲気であればバインダーを効率よく除去することが
でき、しかもAIN、W導体が酸化しにくいことを見出
した。すなわち、脱脂雰囲気を水蒸気圧0.1Oal以
下の酸素を含aする雰囲気にすることにより、AINお
よびWベーストを実質的に酸化させることなく効率よく
脱脂を行うことができるのである。脱脂雰囲気としては
窒素(N2)あるいは水素(N2)を主成分とするもの
が適用できこれらの混合ガスも適用できる。
また本発明において基板を形成するAINは、AIN粉
末に焼結助剤とし、で、希土類元素、アルカリ土類金属
元素等の酸化物、弗化物等の化合物を添加したものが用
いられる。なお、焼結助剤成分は焼結体を充分緻密化す
るのに必要な量を添加すればよく焼結助剤成分は全混合
物中の15重量96以下、好ましくは10重量%以下が
よい。焼結助剤として希土類元素の酸化物のなかで酸化
イツトリウム(Y2O2)の含有が好ましい。
末に焼結助剤とし、で、希土類元素、アルカリ土類金属
元素等の酸化物、弗化物等の化合物を添加したものが用
いられる。なお、焼結助剤成分は焼結体を充分緻密化す
るのに必要な量を添加すればよく焼結助剤成分は全混合
物中の15重量96以下、好ましくは10重量%以下が
よい。焼結助剤として希土類元素の酸化物のなかで酸化
イツトリウム(Y2O2)の含有が好ましい。
(実施例)
次に本発明の実施例について説明する。
AIN原料粉末に焼結助剤としてY2O,を3重量%添
加し、得られた原料粉末100重量%に対し、バインダ
ーとしてポリビニルブチラール(P V B)5〜20
重量%を添加しスラリーとした。このスラリーを用いド
クターブレード法で厚さ0.1〜 [、O■のグリーン
シートを得た。グリーンシートから位置合わせ用のピン
穴を有する所定の形状のシートを打ち抜き、ついで所定
の位置にスルーホールを形成した。スルーホールには、
AINを所定量配合し均一に分散させたWペーストをス
クリーン印刷法により充填し、乾燥後配線パターンを同
様にして印刷した。
加し、得られた原料粉末100重量%に対し、バインダ
ーとしてポリビニルブチラール(P V B)5〜20
重量%を添加しスラリーとした。このスラリーを用いド
クターブレード法で厚さ0.1〜 [、O■のグリーン
シートを得た。グリーンシートから位置合わせ用のピン
穴を有する所定の形状のシートを打ち抜き、ついで所定
の位置にスルーホールを形成した。スルーホールには、
AINを所定量配合し均一に分散させたWペーストをス
クリーン印刷法により充填し、乾燥後配線パターンを同
様にして印刷した。
このようにして配線層を有するグリーンシートを4枚用
意した。この場合、Wペーストの収縮度が基板のAIN
とほぼ一致するようにWペーストへのAIN添加量を定
めた。
意した。この場合、Wペーストの収縮度が基板のAIN
とほぼ一致するようにWペーストへのAIN添加量を定
めた。
なお各層のシートの厚さは、いずれも0.5gmで最下
層のシートはスルーホールが無いものである。
層のシートはスルーホールが無いものである。
このようにして各層の基板にWペーストを印刷した後、
位置合わせビンをHする治具に基板を順に積み宙ね熱圧
着して積層した。ついで、積層したシートを次の条件で
脱脂した。すなわち、脱脂雰囲気として、恒温槽(約3
5℃)中の水の中をバブリングさせたH2ガスとし、6
(10℃〜1050℃で4時間脱脂した。得られた脱脂
体中の残留カーボン(C)は、Q、Q3f重量%であっ
た。この脱脂体を窒素気流中で1700〜1800℃で
焼成してAIN多層配線基板を得た。
位置合わせビンをHする治具に基板を順に積み宙ね熱圧
着して積層した。ついで、積層したシートを次の条件で
脱脂した。すなわち、脱脂雰囲気として、恒温槽(約3
5℃)中の水の中をバブリングさせたH2ガスとし、6
(10℃〜1050℃で4時間脱脂した。得られた脱脂
体中の残留カーボン(C)は、Q、Q3f重量%であっ
た。この脱脂体を窒素気流中で1700〜1800℃で
焼成してAIN多層配線基板を得た。
得られたAIN多層配線基板のAINは密度3.33と
緻密なものであった。またW導体は酸化することなく多
層配線基板の導体としては好適なものであった。
緻密なものであった。またW導体は酸化することなく多
層配線基板の導体としては好適なものであった。
本実施例のように、脱脂雰囲気に水蒸気の形態で酸素を
導入すれば酸化雰囲気をコントロールすることが容易に
なる。
導入すれば酸化雰囲気をコントロールすることが容易に
なる。
なお、脱脂雰囲気を従来の窒素雰囲気(N2100%)
とした場合と、脱脂雰囲気を本実施例と同様に形成し水
蒸気圧を(1,loati以上とした場合とを比較して
第1表に示す。
とした場合と、脱脂雰囲気を本実施例と同様に形成し水
蒸気圧を(1,loati以上とした場合とを比較して
第1表に示す。
第 1 表
の実施においてWペースト中にAINを添加することに
よりAIN基板とWペーストとの収縮状態をほぼ一致さ
せることができる。
よりAIN基板とWペーストとの収縮状態をほぼ一致さ
せることができる。
さらに、本発明によりバインダーの選択の幅が増え、A
IN多層配線基板の製造プロセスの改良に寄与すること
ができる。
IN多層配線基板の製造プロセスの改良に寄与すること
ができる。
Claims (2)
- (1)窒化アルミニウムを主成分とするグリーンシート
の表面にタングステンを主成分とする導電ペースト層を
設け、水蒸気圧0.10atm以下の酸素を含有する雰
囲気にて脱脂し、これらを同時に焼成することを特徴と
するセラミック基板の製造方法。 - (2)導電ペースト層は窒化アルミニウムを含有するも
のである請求項1に記載のセラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10100889A JPH02279577A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | セラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10100889A JPH02279577A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | セラミック基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02279577A true JPH02279577A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14289215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10100889A Pending JPH02279577A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | セラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02279577A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03199182A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-08-30 | Tokuyama Soda Co Ltd | メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP10100889A patent/JPH02279577A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03199182A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-08-30 | Tokuyama Soda Co Ltd | メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPH075414B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1995-01-25 | 株式会社トクヤマ | メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
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