JPH0881264A - 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム焼結体の製造方法

Info

Publication number
JPH0881264A
JPH0881264A JP6220719A JP22071994A JPH0881264A JP H0881264 A JPH0881264 A JP H0881264A JP 6220719 A JP6220719 A JP 6220719A JP 22071994 A JP22071994 A JP 22071994A JP H0881264 A JPH0881264 A JP H0881264A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum nitride
weight
sintered body
powder
aln
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6220719A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuo Kasori
光男 加曽利
Akihiro Horiguchi
昭宏 堀口
Katsuyoshi Oishi
克嘉 大石
Hiroyasu Sumino
裕康 角野
Fumio Ueno
文雄 上野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP6220719A priority Critical patent/JPH0881264A/ja
Publication of JPH0881264A publication Critical patent/JPH0881264A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 120W/m・K以上の高い熱伝導率を有
し、焼きむら、色むらおよび反りやうねりのない良好な
外観性を有し、さらに表面の平滑性に優れたAlN焼結
体の製造方法を提供しようとするものである。 【構成】 (a)窒化アルミニウム粉末と、(b)前記
窒化アルミニウム粉末に対してアルカリ土類金属もしく
は希土類元素換算で0.1〜10.0重量%配合される
アルカリ土類金属化合物および/または希土類化合物
と、(c)前記窒化アルミニウム粉末に対して無水物換
算で0.01〜5.0重量%配合される酸化燐、燐酸塩
および燐酸水素塩から選ばれる少なくとも1種の燐酸化
合物とを含む組成の原料を成形する工程と、前記成形体
を非酸化性雰囲気中、1400〜1700℃で焼結する
工程とを具備したことことを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化アルミニウム焼結
体(AlN焼結体)の製造方法に関し、特に絶縁基板、
ヒートシンク、半導体パッケージの材料として好適なA
lN焼結体の製造方法に係わる。
【0002】
【従来の技術】電子回路は、主にICなどの素子、基
板、配線などで構成されている。近年、電子回路の高速
化、小型化、さらに大出力化が進み、素子の発熱量が無
視できない大きな値になっている。これに対応して、従
来のセラミック基材に代わって高熱伝導性のAlN焼結
体からなる基材を備えた回路基板が開発されている。し
かしながら、AlN焼結体が回路基板の基材として優れ
た特性を有するにも拘らず、現在もなお回路基板の基材
として主にアルミナが使用されている。これは、いくつ
かの要因があるが、最大の要因は前記AlN焼結体がア
ルミナに比べて高コストであることである。コスト高の
要因は、例えば原料粉末のコスト、アルミナより高い温
度での焼結および後加工が割高になることが挙げられ
る。
【0003】このようなことから、主にAlN焼結体の
高熱伝導率化や焼結性について多くの改良が試みられて
いる。例えば、特開昭61−117160号公報および
特開昭61−209959号公報にはAlN粉末に希土
類化合物および/またはアルカリ土類化合物を添加した
原料を用いてAlN焼結体を製造することが開示され、
特開昭62−153173号公報にはAlN粉末に希土
類化合物および/またはアルカリ土類化合物と遷移金属
化合物を添加した原料を用いてAlN焼結体を製造する
ことが開示されている。また、1991年5月の日本セ
ラミックス協会年会では実験室レベルで1400℃、9
6時間の熱処理でも焼結が良好なAlN焼結体が得られ
るとが発表されている。さらに、特開平3−28173
号公報、特開平2−107569号公報および特開平2
−275765号公報には焼結性および焼結特性を向上
するために燐を含む原料を用いてAlN焼結体を製造す
ることが開示されている。これらの成果として、AlN
焼結体の焼結温度を当初の1800℃から1600℃前
後まで低温化できるようになってきている。一方、Al
N粉末の価格もその生産量の増大に伴って次第に低下し
つつある。しかしながら、これらの成果をもってしても
未だに高コストになるために応用が遅れているのが実状
である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、16
00℃前後の低温焼結であるにも拘らず120W/m・
K以上の高い熱伝導率を有し、焼結上がりの状態におい
て焼きむら、色むらおよび反りやうねりのない良好な外
観性を有し、さらに焼結上がりの状態において表面の平
滑性に優れ、後加工を著しく簡便にすることが可能なA
lN焼結体の製造方法をを提供しようとするものであ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる窒化アル
ミニウム焼結体の製造方法は(a)窒化アルミニウム粉
末と、(b)前記窒化アルミニウム粉末に対してアルカ
リ土類金属もしくは希土類元素換算で0.1〜10.0
重量%配合されるアルカリ土類金属化合物および/また
は希土類化合物と、(c)前記窒化アルミニウム粉末に
対して無水物換算で0.01〜5.0重量%配合される
酸化燐、燐酸塩および燐酸水素塩から選ばれる少なくと
も1種の燐酸化合物とを含む組成の原料を成形する工程
と、前記成形体を非酸化性雰囲気中、1400〜170
0℃で焼結する工程とを具備したことを特徴とするもの
である。
【0006】前記(a)成分であるAlN粉末は、実質
的にあらゆる入手可能な粉末を用いることができるが、
焼結性の観点から不純物酸素量が0.2〜3.5重量
%、平均一次粒子径が0.03〜3.5μm、より好ま
しくは0.02〜2.5μmであることが望ましい。こ
のようなAlN粉末は単独もしくは混合して用いること
ができる。ここで、AlN粉末中の不純物酸素量を規定
したのは次のような理由によるものである。AlN粉末
中の不純物酸素量を0.2重量%未満にすると、焼結前
の混合や成形の取扱い段階でAlN粉末が変質するか、
または十分に焼結が進行しない恐れがある。一方、Al
N粉末中の不純物酸素量が3.5重量%を越えると最終
的なAlN焼結体の熱伝導率が低下する恐れがある。ま
た、AlN粉末の一次粒子径を規定したのは次のような
理由によるものである。AlN粉末の一次粒子径を0.
03μm未満にすると前記原料の成形が困難になる恐れ
がある。一方、AlN粉末の一次粒子径が3.5μmを
越えると焼結性が低下する恐れがある。
【0007】前記(b)成分であるアルカリ土類化合
物、希土類化合物は、粉体または液体の形態で添加され
る。前記アルカリ土類化合物としては、例えばCa、B
a、Srなどの酸化物、炭化物、フッ化物、炭酸塩、シ
ュウ酸塩、硝酸塩、アルコキシド等が挙げられ、前記希
土類化合物としては例えばY、La、Ceなどの酸化
物、炭化物、フッ化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、
アルコキシド等が挙げられ、る。また、希土類化合物、
アルカリ土類化合物を添加した後、希土類の硝酸塩をア
ルコールに溶解して添加する等の種々の組み合わせが可
能である。
【0008】前記(b)成分の配合量を窒化アルミニウ
ム粉末に対してアルカリ土類金属もしくは希土類元素換
算で0.1〜10.0重量%としたのは、次のよう理由
によるものである。前記(b)成分の配合量を0.1重
量%未満にすると、焼結が不十分で、また十分に焼結し
ても熱伝導率が低下する。一方、前記(b)成分の配合
量が10.0重量%を越えると焼結体表面に多くの析出
物が現れたり、焼結時間が短い場合には熱伝導率が低下
する。
【0009】前記(c)成分である酸化燐、燐酸塩およ
び燐酸水素塩は、AlN焼結体の焼きむら、色むらの発
生を防止する作用をなす。前記燐酸塩としては、例えば
Ca3 (PO42 、Ba3 (PO42 、Sr3 (P
42 などのアルカリ土類燐酸塩、YPO4 、LaP
4 、CePO4 、GdPO4 、YbPO4 などの希土
類燐酸塩、Li3 PO4 、Na3 PO4 、K3 PO4
どのアルカリ金属燐酸塩等を挙げることができる。前記
燐酸水素塩としては、例えばCa(H2 PO42 、B
a(H2 PO42 、Sr(H2 PO42 、CaHP
4 、BaHPO4 、SrHPO4 などのアルカリ土類
燐酸水素塩、Y(H2 PO43 、La(H2 PO4
3 、Ce(H2 PO43 、Gd(H2 PO43 、Y
b(H2PO43 、Y2 (HPO43 、La2 (H
PO43 、Ce2 (HPO43 、Gd2 (HPO
43 、Yb2 (HPO43 などの希土類燐酸水素
塩、LiH2 PO4 、NaH2 PO4 、KH2 PO4
Li2 HPO4 、Na2 HPO4 、K2 HPO4 などの
アルカリ金属燐酸水素塩等を挙げることができる。その
他の燐酸塩としては、燐酸アルミニウム(AlPO4
たはAl(PO33 )、燐酸水素アルミニウムAl2
(HPO43 等が挙げられる。
【0010】前記(c)成分の配合量を前記窒化アルミ
ニウム粉末に対して無水物換算で0.01〜5.0重量
%の範囲に限定したのは次のような理由によるものであ
る。前記(c)成分の配合量を0.01重量%未満にす
ると焼結体表面に大小の斑点状析出物が現れたり、反り
やうねりを大きくなる。一方、前記(c)成分の配合量
が5.0重量%を越えると焼きむらや色むらが生じ易く
なる。より好ましい(c)成分の配合量は、0.05〜
4.0重量%である。
【0011】前記原料中には、(d)成分としてAlN
焼結体の黒色化に寄与する遷移金属化合物が前記窒化ア
ルミニウム粉末に対して遷移金属換算で1.5重量%以
下配合されることを許容する。前記遷移金属化合物とし
ては、例えばTi、Nb、Ta、W、Mo、Cr、F
e、Co、Ni、Zrの酸化物、窒化物、炭化物、酸炭
化物、酸窒化物等を挙げることができる。これらの遷移
金属化合物の中で、焼結体の中で導電性を示すものが好
ましい。このような導電性を示す遷移金属化合物として
は、例えばW、Moのような金属、Zr、Ti、Nb、
Taから選ばれる元素の窒化物または炭化物を挙げるこ
とができる。前記(d)成分の配合量が前記窒化アルミ
ニウム粉末に対して遷移金属換算で1.5重量%を越え
ると、AlN焼結体の電気特性を劣化させる。
【0012】前記原料中には、(e)成分としてAlN
焼結体の焼きむら、色むらの発生を防止する作用をなす
アルカリ金属化合物および/またはホウ素化合物が前記
窒化アルミニウム粉末に対してアルカリ金属もしくはホ
ウ素換算で0.01〜3.0重量%配合されることを許
容する。前記アルカリ金属化合物としては、例えばNa
2 CO3 、NaF、NaCl、Na2 O等を挙げること
ができる。前記ホウ素化合物としては、例えばB2
3 、焼結過程でB23 に変換される化合物またはNa
247 などのアルカリ金属のホウ酸塩を挙げること
ができる。
【0013】前記(e)成分の配合量を規定したのは、
次のような理由によるものである。前記(e)成分の配
合量を0.01重量%未満にすると焼結体表面に大小の
斑点状析出物が現れたり、反りやうねりを大きくなる。
一方、前記(e)成分の配合量が3.0重量%を越える
と焼きむらや色むらが生じ易くなる。より好ましい前記
(e)成分の配合量は、0.05〜2.5重量%であ
る。
【0014】前記原料中には前記(d)および(e)の
成分を同時に配合してもよい。前記原料中には、前記
(a)〜(e)の成分の他に必要に応じてSiO2 、S
34 、SiC、GeOなどのIVb族元素の酸化物、
窒化物、炭化物または、Al23 、AlF3 、GaF
3 などのIII b族元素の酸化物、ハロゲン化物をそれぞ
れ1重量%以下配合してもよい。
【0015】前記成形体は、前記原料を有機バインダお
よび溶剤と共に混合し、これを成形することにより作製
される。前記バインダとしては、例えば、アクリル系、
メタクリル系、PVD系などが用いられる。このような
バインダの添加量は、使用するAlN粉末の粒度等によ
って異なるが、2〜12重量%、より好ましくは4〜1
0重量%の範囲にすることが望ましい。前記溶剤として
は、例えばn−ブタノールなどのアルコール系、メチル
イソブチルケトン、トルエン、キシレンなどを用いるこ
とができる。
【0016】前記成形体は、通常、焼結に先立って非酸
化性雰囲気中、1000℃以下の温度で脱バインダ処理
がなされる。ここで、非酸化性雰囲気とは窒素および/
またはアルゴンなどの不活性ガス、またはこれらのガス
に水素、炭酸ガスなどを少量添加した混合ガスを意味す
る。また、前記原料中にタングステンやモリブデンなど
の導体金属が含まれない場合には前記雰囲気中に酸素を
微量含むことを許容する。この場合、脱バインダ処理の
最高温度を500℃にすることが好ましい。
【0017】前記焼成工程は、窒素および/またはアル
ゴンなどの不活性ガス、またはこれらのガスに水素、炭
酸ガスなどを少量添加した混合ガスの非酸化性雰囲気
中、AlN、BN、カーボンからなる焼成容器内で、カ
ーボン、タングステン、モリブデンなどのヒータを備え
た焼結炉で焼結することが好ましい。この焼結は、0.
01〜10.0気圧の圧力で行われることが好ましい。
また、前記焼結工程は単調に最高温度まで昇温すること
ができるが、必要に応じて最高温度まで段階的に昇温す
ることもできる。
【0018】本発明に係わる別の窒化アルミニウム焼結
体の製造方法は、(A)窒化アルミニウム粉末と、
(B)前記窒化アルミニウム粉末に対してアルカリ土類
金属もしくは希土類元素換算で0.1〜10.0重量%
配合されるアルカリ土類金属化合物および/または希土
類化合物と、(C)前記窒化アルミニウム粉末に対して
アルカリ金属換算で0.01〜3.5重量%配合される
アルカリ金属化合物とを含む組成の原料を成形する工程
と、前記成形体を非酸化性雰囲気中、1400〜170
0℃で焼結する工程とを具備したことを特徴とするもの
である。
【0019】前記(A)成分であるAlN粉末は、実質
的にあらゆる入手可能な粉末を用いることができるが、
焼結性の観点から不純物酸素量が0.2〜3.5重量
%、平均一次粒子径が0.03〜3.5μm、より好ま
しくは0.02〜2.5μmであることが望ましい。こ
のようなAlN粉末は単独もしくは混合して用いること
ができる。ここで、AlN粉末中の不純物酸素量を規定
したのは前述した本発明のAlN焼結体の製造方法で説
明したのと同様な理由によるものである。
【0020】前記(B)成分であるアルカリ土類化合
物、希土類化合物は、粉体または液体の形態で添加され
る。前記アルカリ土類化合物としては、例えばCa、B
a、Srなどの酸化物、炭化物、フッ化物、炭酸塩、シ
ュウ酸塩、硝酸塩、アルコキシド等が挙げられ、前記希
土類化合物としては例えばY、La、Ceなどの酸化
物、炭化物、フッ化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、
アルコキシド等が挙げられ、る。また、希土類化合物、
アルカリ土類化合物を添加した後、希土類の硝酸塩をア
ルコールに溶解して添加する等の種々の組み合わせが可
能である。
【0021】前記(B)成分の配合量を窒化アルミニウ
ム粉末に対してアルカリ土類金属もしくは希土類元素換
算で0.1〜10.0重量%としたのは、前述した本発
明のAlN焼結体の製造方法で説明したのと同様な理由
によるものである。
【0022】前記(C)成分であるアルカリ金属化合物
としては、例えばNa2 CO3 、NaF、NaCl、N
2 O、Na247 などのナトリウム化合物、K2
CO3 、KF、KCl、K2 O、K247 などのカ
リウム化合物等を挙げることができる。
【0023】前記(C)成分の配合量を規定したのは、
次のような理由によるものである。前記(C)成分の配
合量を0.01重量%未満にすると焼結体表面に大小の
斑点状析出物が現れたり、反りやうねりを大きくなる。
一方、前記(C)成分の配合量が3.5%重量%を越え
ると焼きむらや色むらが生じ易くなる。より好ましい前
記(C)成分の配合量は、0.05〜2.5重量%であ
る。
【0024】前記原料中には、(D)成分としてAlN
焼結体の焼きむら、色むらの発生を防止する作用をなす
シリコン化合物、フッ化アルミニウムおよびホウ素化合
物から選ばれる少なくとも一種が前記窒化アルミニウム
粉末に対してシリコン、アルミニウムもしくはホウ素換
算で0.01〜3.0重量%配合されることを許容す
る。前記シリコン化合物としては、例えばSiO2 、S
23 、SiC等を挙げることができる。前記ホウ素
化合物としては、例えばB23 、焼結過程でB23
に変換される化合物(H3 BO3 )を挙げることができ
る。
【0025】前記(D)成分の配合量を規定したのは、
次のような理由によるものである。前記(D)成分の配
合量を0.01重量%未満にすると焼結体表面に大小の
斑点状析出物が現れたり、反りやうねりを大きくなる。
一方、前記(D)成分の配合量が3.0重量%を越える
と焼きむらや色むらが生じ易くなる。より好ましい前記
(D)成分の配合量は、0.05〜2.5重量%であ
る。
【0026】前記原料中には、前記(A)〜(D)の成
分の他に必要に応じてGeOなどのIVb族元素の酸化
物、窒化物、炭化物または、Al23 、GaF3 など
のIIIb族元素の酸化物、ハロゲン化物をそれぞれ1重
量%以下配合してもよい。
【0027】前記成形体は、前記原料を有機バインダお
よび溶剤と共に混合し、これを成形することにより作製
される。前記バインダとしては、例えば、アクリル系、
メタクリル系、PVD系などが用いられる。このような
バインダの添加量は、使用するAlN粉末の粒度等によ
って異なるが、2〜12重量%、より好ましくは4〜1
0重量%の範囲にすることが望ましい。前記溶剤として
は、例えばn−ブタノールなどのアルコール系、メチル
イソブチルケトン、トルエン、キシレンなどを用いるこ
とができる。
【0028】前記成形体は、通常、焼結に先立って非酸
化性雰囲気中、1000℃以下の温度で脱バインダ処理
がなされる。ここで、非酸化性雰囲気とは窒素および/
またはアルゴンなどの不活性ガス、またはこれらのガス
に水素、炭酸ガスなどを少量添加した混合ガスを意味す
る。また、前記原料中にタングステンやモリブデンなど
の導体金属が含まれない場合には前記雰囲気中に酸素を
微量含むことを許容する。この場合、脱バインダ処理の
最高温度を500℃にすることが好ましい。
【0029】前記焼成工程は、窒素および/またはアル
ゴンなどの不活性ガス、またはこれらのガスに水素、炭
酸ガスなどを少量添加した混合ガスの非酸化性雰囲気
中、AlN、BN、カーボンからなる焼成容器内で、カ
ーボン、タングステン、モリブデンなどのヒータを備え
た焼結炉で焼結することが好ましい。この焼結は、0.
01〜10.0気圧の圧力で行われることが好ましい。
また、前記焼結工程は単調に最高温度まで昇温すること
ができるが、必要に応じて最高温度まで段階的に昇温す
ることもできる。
【0030】
【作用】本発明に係わる窒化アルミニウム焼結体の製造
方法は、(a)窒化アルミニウム粉末と、(b)前記窒
化アルミニウム粉末に対してアルカリ土類金属もしくは
希土類元素換算で0.1〜10.0重量%配合されるア
ルカリ土類金属化合物および/または希土類化合物と、
(c)前記窒化アルミニウム粉末に対して無水物換算で
0.01〜5.0重量%配合される酸化燐、燐酸塩およ
び燐酸水素塩から選ばれる少なくとも1種の燐酸化合物
とを含む組成の原料を成形する工程と、前記成形体を非
酸化性雰囲気中、1400〜1700℃で焼結する工程
とを具備する。このような本発明によれば、1600℃
前後の低温焼結であるにも拘らず120W/m・K以上
の高い熱伝導率を有し、焼結上がり状態において焼きむ
ら、色むらおよび反りやうねりのない良好な外観性を有
し、さらに焼結上がり状態において表面の平滑性に優
れ、後加工が著しく簡便にすることが可能なAlN焼結
体の製造方法を提供できる。
【0031】特に、焼結上がりの状態において焼きむ
ら、色むらおよび反りやうねりのない良好な外観性を有
し、さらに焼結上がりの状態において優れた表面平滑性
が得られるメカニズムは現在のところ不明であるが、前
述した(c)成分である燐化合物は焼結途中での気散量
が多く、その気散過程で何等かの清浄効果が働いている
ものと考えられる。
【0032】また、これまでの研究によれば特にフッ化
物を多く含む原料では焼結温度を下げることができると
いう利点を有する反面、焼きむら、色むらおよび反りや
うねりが多く存在し、表面状態を悪化する傾向が見られ
た。このようなフッ化物を含む場合において、前述した
燐化合物は有効に作用する。これは、焼結途中での共融
液相温度の低下や、添加物とフッ素との反応により、一
層蒸気圧の高いフッ化物の生成とその気散などが関係し
ているものと考えられる。
【0033】さらに、原料中に(e)成分であるアルカ
リ金属化合物および/またはホウ素化合物を配合するこ
とにより、前記(c)成分である燐化合物と相互に作用
して焼きむら、色むらおよび反りやうねりのないより良
好な外観性と優れた表面平滑性を有するAlN焼結体を
得ることができる。
【0034】さらに、原料中には、(d)成分として遷
移金属化合物を配合することによって黒色化されたAl
N焼結体を得ることができる。また、本発明に係わる別
の窒化アルミニウム焼結体の製造方法は、(A)窒化ア
ルミニウム粉末と、(B)前記窒化アルミニウム粉末に
対してアルカリ土類金属もしくは希土類元素換算で0.
1〜10.0重量%配合されるアルカリ土類金属化合物
および/または希土類化合物と、(C)前記窒化アルミ
ニウム粉末に対してアルカリ金属換算で0.01〜3.
5重量%配合されるアルカリ金属化合物とを含む組成の
原料を成形する工程と、前記成形体を非酸化性雰囲気
中、1400〜1700℃で焼結する工程とを具備す
る。このような本発明によれば、1600℃前後の低温
焼結であるにも拘らず120W/m・K以上の高い熱伝
導率を有し、焼結上がり状態において焼きむら、色むら
および反りやうねりのない良好な外観性を有し、さらに
焼結上がり状態において表面の平滑性に優れ、後加工が
著しく簡便にすることが可能なAlN焼結体の製造方法
を提供できる。
【0035】特に、焼結上がりの状態において焼きむ
ら、色むらおよび反りやうねりのない良好な外観性を有
し、さらに焼結上がりの状態において優れた表面平滑性
が得られるメカニズムは現在のところ不明であるが、前
述した(C)成分であるアルカリ金属化合物は焼結途中
での気散量が多く、その気散過程で何等かの清浄効果が
働いているものと考えられる。
【0036】また、これまでの研究によれば特にフッ化
物を多く含む原料では焼結温度を下げることができると
いう利点を有する反面、焼きむら、色むらおよび反りや
うねりが多く存在し、表面状態を悪化する傾向が見られ
た。このようなフッ化物を含む場合において、前述した
アルカリ金属化合物は有効に作用する。これは、焼結途
中での共融液相温度の低下や、添加物とフッ素との反応
により、一層蒸気圧の高いフッ化物の生成とその気散な
どが関係しているものと考えられる。
【0037】さらに、原料中に(D)成分であるシリコ
ン化合物、フッ化アルミニウムおよびホウ素化合物から
選ばれる少なくとも一種を配合することにより、前記
(C)成分であるアルカリ金属化合物と相互に作用して
焼きむら、色むらおよび反りやうねりのないより良好な
外観性と優れた表面平滑性を有するAlN焼結体を得る
ことができる。
【0038】以上のような本発明の方法により製造され
たAlN焼結体は、高温高強度構造材やヒートシンクと
して使用することが可能であるが、メメタライズ処理を
施すことにより回路基板として使用することができる。
前記AlN焼結体を絶縁部分として用いることにより優
れた放熱性と機械的強度、さらに導体層の剥離、断線な
どの欠陥のない良好な回路性能を得ることができる。例
えば、DBC、QFP、PGA、BGA、DIPや薄
膜、厚膜などの電気回路、電子回路に利用することがで
きる。
【0039】前記回路基板は、次のような方法により製
造される。第1工程としてAlN粉末と添加物からなる
原料、バインダおよび溶剤とを十分に混練して所定の粘
度を有するスラリーを調製する。つづいて、このスラリ
ーをドクターブレード法によりシート化した後、加熱乾
燥してグリーンシートを作製する。
【0040】第2工程として前記グリーンシートの少な
くとも表面に導電材を含む導電ペーストを例えばスクリ
ーン印刷で所定の回路パターンを形成する。ここで、前
記導電材料としては例えばW、Mo、Pt、Pd、Ni
などが挙げられる。この時、多層構造の回路基板を製造
する場合には予めグリーンシートに穴を開け、この穴に
例えば圧入法により前記導電ペーストを充填し、層間の
電気的接続を図る。つづいて、前記回路パターンが形成
されたグリーンシートを非酸化性雰囲気中で加熱して導
電ペースト中のバインダを除去する。必要に応じてさら
に表面に回路パターンを形成し、熱間加圧してグリーン
シートを積層する。
【0041】第3工程として、前記グリーンシート中の
バインダを非酸化性雰囲気中で加熱除去した後、焼結す
る。焼結後必要に応じてトリミングや薄膜、厚膜の回路
形成や外部電極を形成して回路基板を製造する。
【0042】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。 (実施例1)まず、不純物酸素量0.98重量%、平均
一次粒子径0.6μmのAlN粉末95.2重量%、平
均粒径0.1μm、純度99.9%のY23 粉末2.
5重量%、平均粒径0.5μm、純度99.9%のCa
CO3 粉末をCaO換算で1.0重量%、平均粒径0.
2μm、純度99.9%のYF3 粉末0.5重量%、平
均粒径0.1μm、純度99.9%のWO3 をW換算で
0.3重量%および純度99.9%のNaH2 PO4
0.5重量%からなる混合粉体にn−ブタノールを加
え、湿式ボールミルを用いて解砕、混合した後、n−ブ
タノールを除去して原料粉末を調製した。つづいて、こ
の原料粉末にアクリル系バインダ5重量%を添加して造
粒した後、この造粒粉を50MPaの一軸加圧下で成形
して圧粉体とした。この圧粉体を窒素ガス雰囲気中、7
00℃まで加熱してアクリル系バインダを除去した。次
いで、前記脱バインダ圧粉体をAlN製の容器中にセッ
トし、この容器をグラファイト製ヒータを有する焼結炉
内に入れ、1気圧の窒素雰囲気中、1600℃、6時間
焼結することによりAlN焼結体を製造した。
【0043】得られたAlN焼結体は黒色を呈し、色む
ら、焼きむらがなく、その上高い表面平滑性を有するも
のであった。また、AlN焼結体の密度をアルキメデス
法により測定した。その結果、3.30g/cm3 と十
分に緻密化していた。
【0044】前記焼結体から直径10mm、厚さ3mm
の円板を切り出し、21±2℃の室温下でJIS−R1
611に従ってレーザフラッシュ法により熱伝導率を測
定した。その結果、150W/m・Kと高い熱伝導性を
有していた。
【0045】(比較例1)実施例1と同様なAlN粉末
および添加物を用いてAlN95.7重量%、CaO
1.0重量%、YF3 粉末3重量%およびWO3 0.3
重量%からなる混合粉体を調合し、これにn−ブタノー
ルを加え、湿式ボールミルを用いて解砕、混合して調製
した原料粉末を用いた以外、実施例1と同様な方法によ
りAlN焼結体を製造した。
【0046】得られたAlN焼結体について実施例1と
同様な方法により密度および熱伝導率を測定した。その
結果、3.30g/cm3 と十分に緻密化され、かつ1
45W/m・Kと高い熱伝導性を有していた。しかしな
がら、AlN焼結体の表面はイットリウムの酸フッ化物
やイットリウムアルミネートからなる大小の斑点で覆わ
れており、表面粗度の平均値(Ra)は1.7μmと大
きく、表面研削等の後加工を行わずに実用に供されるも
のであった。
【0047】(実施例2)まず、不純物酸素量1.10
重量%、平均一次粒子径0.7μmのAlN粉末95.
7重量%、平均粒径0.1μm、純度99.9%のY2
3 粉末3.0重量%、平均粒径0.5μm、純度9
9.9%のCaF2 0.5重量%、平均粒径0.2μ
m、純度99.9%のTiO2 粉末をTi換算で0.3
重量%および純度99.9%のP25 0.5重量%か
らなる粉体を用いて実施例1と同様な方法により成形、
脱バインダを行い、AlN焼結体からなる焼結容器内に
セットし、この容器をグラファイト製ヒータを有する焼
結炉内に入れ、1気圧の窒素雰囲気中、1650℃、3
時間焼結することによりAlN焼結体を製造した。
【0048】得られたAlN焼結体は黒色を呈し、色む
ら、焼きむらがなく、その上高い表面平滑性を有するも
のであった。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率
を実施例1同様な方法により測定した。その結果、密度
は3.29g/cm3 と十分に緻密化しており、熱伝導
率は155W/m・Kと高い熱伝導性を有していた。
【0049】さらに、前記焼結体をJIS−R1601
に準じて4点曲げ強度を測定した。その結果、焼結温度
が1650℃と低いにかかわらず、平均強度が280M
Paと高い強度を有していた。
【0050】(実施例3〜18)AlN粉末および添加
物を下記表1、表3、表5に示すように種々の割合で配
合して調製した混合粉体を用いた以外、実施例1と同様
な方法により16種のAlN焼結体を製造した。なお、
実施例4ではY23 をY(NO33 ・6H2Oの形
態で配合した。実施例7では、AlPO4 はその2水塩
の形態で配合し、かつ無水物に換算した。実施例23は
Na2 OをNa2 CO3 の形態で配合した。Wは、WO
3 もしくはW金属の形態で配合した。TiはTiO2
形態で配合した。
【0051】得られた実施例3〜18のAlN焼結体に
ついて、実施例1と同様な方法により密度、熱伝導率、
および表面粗度の平均値(Ra)を測定し、さらに表面
状態を観察した。その結果を下記表2、表4、および表
6に示す。なお、表1および表2には前述した実施例
1、2のAlN焼結体の混合粉体の組成および得られた
AlN焼結体の特性を併記する。
【0052】
【表1】
【0053】
【表2】
【0054】
【表3】
【0055】
【表4】
【0056】
【表5】
【0057】
【表6】
【0058】(実施例26)まず、不純物酸素量1.2
1重量%、平均一次粒子径0.55μmのAlN粉末9
5.2重量%、平均粒径0.1μm、純度99.9%の
23 粉末2.5重量%、平均粒径0.5μm、純度
99.9%のCaCO3 粉末をCaO換算で1.0重量
%、平均粒径0.2μm、純度99.9%のCaF2
末0.5重量%、平均粒径0.1μm、純度99.9%
のWO3 をW換算で0.3重量%および純度99.9%
のNaH2 PO4 0.5重量%からなる混合粉体にn−
ブタノールを加え、湿式ボールミルを用いて解砕、混合
した後、n−ブタノールを除去して原料粉末を調製し
た。つづいて、この原料粉末にアクリル系バインダ5重
量%を添加して造粒した後、この造粒粉を50MPaの
一軸加圧下で成形して圧粉体とした。この圧粉体を窒素
ガス雰囲気中、700℃まで加熱してアクリル系バイン
ダを除去した。次いで、前記脱バインダ圧粉体をAlN
製の容器中にセットし、この容器をグラファイト製ヒー
タを有する焼結炉内に入れ、1気圧の窒素雰囲気中、1
550℃、6時間焼結することによりAlN焼結体を製
造した。
【0059】得られたAlN焼結体は黒色を呈し、色む
ら、焼きむらがなく、その上高い表面平滑性を有するも
のであった。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率
を実施例1と同様な方法により測定した。その結果、密
度は3.29g/cm3 と十分に緻密化しており、かつ
熱伝導率は135W/m・Kと高い熱伝導性を有してい
た。
【0060】(実施例27)実施例26と同様な脱バイ
ンダ圧粉体をAlN製の容器中にセットし、この容器を
グラファイト製ヒータを有する焼結炉内に入れ、1気圧
の窒素雰囲気中、1500℃、16時間の焼結を行うこ
とによりAlN焼結体を製造した。
【0061】得られたAlN焼結体は黒色を呈し、色む
ら、焼きむらがなく、その上高い表面平滑性を有するも
のであった。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率
を実施例1と同様な方法により測定した。その結果、密
度は3.30g/cm3 と十分に緻密化しており、かつ
熱伝導率は144W/m・Kと高い熱伝導性を有してい
た。
【0062】(実施例28)実施例26と同様な脱バイ
ンダ圧粉体をAlN製の容器中にセットし、この容器を
グラファイト製ヒータを有する焼結炉内に入れ、1気圧
の窒素雰囲気中、1700℃、1時間の焼結を行うこと
によりAlN焼結体を製造した。
【0063】得られたAlN焼結体は黒色を呈し、色む
ら、焼きむらがなく、その上高い表面平滑性を有するも
のであった。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率
を実施例1と同様な方法により測定した。その結果、密
度は3.30g/cm3 と十分に緻密化しており、かつ
熱伝導率は140W/m・Kと高い熱伝導性を有してい
た。
【0064】(実施例29)実施例26と同様な脱バイ
ンダ圧粉体をAlN製の容器中にセットし、この容器を
グラファイト製ヒータを有する焼結炉内に入れ、1気圧
の窒素雰囲気中、1600℃、54時間の焼結を行うこ
とによりAlN焼結体を製造した。
【0065】得られたAlN焼結体は黒色を呈し、色む
ら、焼きむらがなく、その上高い表面平滑性を有するも
のであった。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率
を実施例1と同様な方法により測定した。その結果、密
度は3.30g/cm3 と十分に緻密化しており、かつ
熱伝導率は205W/m・Kと高い熱伝導性を有してい
た。
【0066】(実施例30)前記表5に示す実施例20
と同組成の混合粉体にn−ブタノールを加え、湿式ボー
ルミルを用いて解砕、混合した後、n−ブタノールを除
去して原料粉末を調製した。つづいて、この原料粉末に
アクリル系バインダ5重量%を添加して造粒した後、こ
の造粒粉を50MPaの一軸加圧下で成形して圧粉体と
した。この圧粉体を窒素ガス雰囲気中、700℃まで加
熱してアクリル系バインダを除去した。次いで、前記脱
バインダ圧粉体をAlN製の容器中にセットし、この容
器をグラファイト製ヒータを有する焼結炉内に入れ、1
気圧の窒素雰囲気中、1400℃、54時間焼結するこ
とによりAlN焼結体を製造した。
【0067】得られたAlN焼結体は黒色を呈し、色む
ら、焼きむらがなく、その上高い表面平滑性を有するも
のであった。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率
を実施例1と同様な方法により測定した。その結果、密
度は3.30g/cm3 と十分に緻密化しており、かつ
熱伝導率は142W/m・Kと高い熱伝導性を有してい
た。
【0068】(実施例31)まず、不純物酸素量0.9
8重量%、平均一次粒子径0.6μmのAlN粉末9
5.7重量%、平均粒径0.1μm、純度99.9%の
23 2.5重量%、平均粒径0.5μm、純度9
9.9%のCaCO3 をCaO換算で0.50重量%、
純度99.9%のCaF2 粉末0.5重量%、平均粒径
0.1μm、純度99.9%のWO3 がW換算で0.3
重量%および純度99.9%のNaH2 PO4 0.5重
量%からなる混合粉体にアクリル系バインダを添加し、
これらをアルコール系溶媒中に分散し、粘度が約500
0CPSのスリップを調製した。つづいて、前記スリッ
プをドクターブレードにより成形することにより約0.
3mmの均一な厚さを有するグリーンシートを作製し
た。ひきつづき、前記グリーンシートを所望の寸法に裁
断し、各グリーンシートに層間の電気的接続を取るため
の複数のビアホールを開孔した。その後、各グリーシー
トのビアホールに平均粒径0.8μmのタングステン微
粒子を含むタングステンペーストを圧入して充填し、さ
らにそれらグリーンシートの表面に前記タングステンペ
ーストをスクリーン印刷することにより導体回路となる
所望のパターンを形成した。
【0069】次いで、前記ビアホールおよびパターンを
有するグリーンシートを所望数積層し、熱間プレスによ
り一体化した。つづいて、この積層物を外形加工した
後、窒素雰囲気中、700℃で加熱してバインダを除去
した。脱バインダ後の積層物をAlN焼結体からなる容
器中にセットし、この容器をカーボン製ヒータを有する
焼結炉内に入れ、窒素雰囲気中、1600℃、3時間焼
結することによりパッケージを製造した。
【0070】得られたパッケージは、反り、うねり、ク
ラックや膨れがなく表面が平滑な構造を有するものであ
った。また、前記パッケージをSEMで観察した。その
結果、絶縁層であるAlN層と導体回路であるW層が共
に十分に緻密化されていることが確認された。
【0071】(実施例32)前記表5に示す実施例20
と同組成の混合粉体にアクリル系バインダを添加し、こ
れらをアルコール系溶媒中に分散し、粘度が約5000
CPSのスリップを調製した。つづいて、前記スリップ
をドクターブレードにより成形することにより約0.3
mmの均一な厚さを有するグリーンシートを作製した。
ひきつづき、前記グリーンシート3枚を熱間プレスによ
り積層した後、窒素雰囲気中、700℃で加熱してバイ
ンダを除去した。脱バインダ後の積層物をAlN焼結体
からなる容器中にセットし、この容器をカーボン製ヒー
タを有する焼結炉内に入れ、窒素雰囲気中、1600
℃、3時間の焼結を行うことによりAlN焼結体を作製
した。
【0072】次いで、得られたAlN焼結体を加工して
35mm×35mm×0.7mmの寸法の板状の基材と
した。つづいて、このAlN焼結体からなる基材を空気
中、1130℃、3時間の加熱処理を施すことにより表
面に約1μmのα−Al23 層を形成した。この後、
前記基材の主面に酸素を400ppm含む銅板を接触さ
せ、酸素を7ppm含む窒素雰囲気中、最高温度107
0℃で3分間保持してAlN焼結体からなる基材と前記
銅板とを接合した回路基板を製造した。
【0073】得られた回路基板の接合表面を観察したと
ころ、強固に接合されていた。また、前記基材と銅板と
のピール強度を測定したところ、11kgf/cmと高
い接合強度を有していた。
【0074】(実施例33)まず、不純物酸素量0.9
8重量%、平均一次粒子径0.6μmのAlN粉末9
5.8重量%、平均粒径0.1μm、純度99.9%の
23 粉末2.5重量%、平均粒径0.5μm、純度
99.9%のCaCO3 粉末をCaO換算で1.0重量
%、平均粒径0.2μm、純度99.9%のYF3 粉末
0.5重量%および平均粒径1.2μm、純度99.9
%のNa2 CO3 をNa2 O換算で0.2重量%からな
る混合粉体にn−ブタノールを加え、湿式ボールミルを
用いて解砕、混合した後、n−ブタノールを除去して原
料粉末を調製した。つづいて、この原料粉末にアクリル
系バインダ5重量%を添加して造粒した後、この造粒粉
を50MPaの一軸加圧下で成形して圧粉体とした。こ
の圧粉体を窒素ガス雰囲気中、700℃まで加熱してア
クリル系バインダを除去した。次いで、前記脱バインダ
圧粉体をAlN製の容器中にセットし、この容器をグラ
ファイト製ヒータを有する焼結炉内に入れ、1気圧の窒
素雰囲気中、1600℃、5時間焼結することによりA
lN焼結体を製造した。
【0075】得られたAlN焼結体は、色むら、焼きむ
らがなく、その上高い表面平滑性を有するものであっ
た。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率を実施例
1と同様な方法により測定した。その結果、密度は3.
30g/cm3 と十分に緻密化しており、かつ熱伝導率
は148W/m・Kと高い熱伝導性を有していた。
【0076】(実施例34)まず、不純物酸素量1.1
0重量%、平均一次粒子径0.7μmのAlN粉末9
5.2重量%、平均粒径0.1μm、純度99.9%の
23 粉末3.0重量%、平均粒径0.5μm、純度
99.9%のCaF2 0.5重量%および平均粒径1.
2μm、純度99.9%のNa2 CO3 をNa2 O換算
で0.3重量%からなる粉体を用いて実施例33と同様
な方法により成形、脱バインダを行い、AlN焼結体か
らなる焼結容器内にセットし、この容器をグラファイト
製ヒータを有する焼結炉内に入れ、1気圧の窒素雰囲気
中、1650℃、3時間焼結することによりAlN焼結
体を製造した。
【0077】得られたAlN焼結体は、色むら、焼きむ
らがなく、その上高い表面平滑性を有するものであっ
た。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率を実施例
1同様な方法により測定した。その結果、密度は3.2
9g/cm3 と十分に緻密化しており、熱伝導率は15
5W/m・Kと高い熱伝導性を有していた。
【0078】さらに、前記AlN焼結体をJIS−R1
601に準じて4点曲げ強度を測定した。その結果、焼
結温度が1650℃と低いにかかわらず、平均強度が2
80MPaと高い強度を有していた。
【0079】(実施例35〜53)AlN粉末および添
加物を下記表7、表9、表11に示すように種々の割合
で配合して調製した混合粉体を用いた以外、実施例33
と同様な方法により19種のAlN焼結体を製造した。
なお、実施例38ではY23 をY(NO33 ・6H
2 Oの形態で配合した。実施例39では、B23 をH
3 BO3 の形態で配合した。実施例42、52ではCa
OをCaC24 の形態で配合し、その他の実施例では
CaCO3 の形態で配合した。BaO、SrOは、いず
れも炭酸塩の形態で配合した。実施例51ではNa2
をNa224 の形態で、実施例53ではNa2 Oを
NaNO3 の形態で、その他の実施例ではNa2 CO3
の形態でそれぞれ配合した。さらに、K2 Oはいずれも
2 CO3 の形態で配合した。
【0080】得られた実施例35〜53のAlN焼結体
について、実施例1と同様な方法により密度、熱伝導率
を測定し、さらに表面粗度の平均値(Ra)を測定する
と共に表面状態を観察した。その結果を下記表8、表1
0、および表12に示す。なお、表7および表8には前
述した実施例33、34のAlN焼結体の混合粉体の組
成および得られたAlN焼結体の特性を併記する。
【0081】
【表7】
【0082】
【表8】
【0083】
【表9】
【0084】
【表10】
【0085】
【表11】
【0086】
【表12】
【0087】(実施例54)まず、不純物酸素量1.2
1重量%、平均一次粒子径0.55μmのAlN粉末9
6.3重量%、平均粒径0.1μm、純度99.9%の
23 粉末2.5重量%、平均粒径0.5μm、純度
99.9%のCaCO3 粉末をCaO換算で0.5重量
%、平均粒径0.2μm、純度99.9%のCaF2
末0.5重量%および純度99.9%のNa2 CO3
Na2 O換算で0.2重量%からなる混合粉体にn−ブ
タノールを加え、湿式ボールミルを用いて解砕、混合し
た後、n−ブタノールを除去して原料粉末を調製した。
つづいて、この原料粉末にアクリル系バインダ5重量%
を添加して造粒した後、この造粒粉を50MPaの一軸
加圧下で成形して圧粉体とした。この圧粉体を窒素ガス
雰囲気中、700℃まで加熱してアクリル系バインダを
除去した。次いで、前記脱バインダ圧粉体をAlN製の
容器中にセットし、この容器をグラファイト製ヒータを
有する焼結炉内に入れ、1気圧の窒素雰囲気中、155
0℃、6時間焼結することによりAlN焼結体を製造し
た。
【0088】得られたAlN焼結体は、色むら、焼きむ
らがなく、その上高い表面平滑性を有するものであっ
た。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率を実施例
1と同様な方法により測定した。その結果、密度は3.
29g/cm3 と十分に緻密化しており、かつ熱伝導率
は139W/m・Kと高い熱伝導性を有していた。
【0089】(実施例55)実施例54と同様な脱バイ
ンダ圧粉体をAlN製の容器中にセットし、この容器を
グラファイト製ヒータを有する焼結炉内に入れ、1気圧
の窒素雰囲気中、1500℃、16時間の焼結を行うこ
とによりAlN焼結体を製造した。
【0090】得られたAlN焼結体は、色むら、焼きむ
らがなく、その上高い表面平滑性を有するものであっ
た。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率を実施例
1と同様な方法により測定した。その結果、密度は3.
30g/cm3 と十分に緻密化しており、かつ熱伝導率
は151W/m・Kと高い熱伝導性を有していた。
【0091】(実施例56)実施例54と同様な脱バイ
ンダ圧粉体をAlN製の容器中にセットし、この容器を
グラファイト製ヒータを有する焼結炉内に入れ、1気圧
の窒素雰囲気中、1700℃、1時間の焼結を行うこと
によりAlN焼結体を製造した。
【0092】得られたAlN焼結体は、色むら、焼きむ
らがなく、その上高い表面平滑性を有するものであっ
た。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率を実施例
1と同様な方法により測定した。その結果、密度は3.
30g/cm3 と十分に緻密化しており、かつ熱伝導率
は141W/m・Kと高い熱伝導性を有していた。
【0093】(実施例57)実施例54と同様な脱バイ
ンダ圧粉体をAlN製の容器中にセットし、この容器を
グラファイト製ヒータを有する焼結炉内に入れ、1気圧
の窒素雰囲気中、1600℃、54時間の焼結を行うこ
とによりAlN焼結体を製造した。
【0094】得られたAlN焼結体は、色むら、焼きむ
らがなく、その上高い表面平滑性を有するものであっ
た。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率を実施例
1と同様な方法により測定した。その結果、密度は3.
30g/cm3 と十分に緻密化しており、かつ熱伝導率
は185W/m・Kと高い熱伝導性を有していた。
【0095】(実施例58)前記表11に示す実施例5
2と同組成の混合粉体にn−ブタノールを加え、湿式ボ
ールミルを用いて解砕、混合した後、n−ブタノールを
除去して原料粉末を調製した。つづいて、この原料粉末
にアクリル系バインダ5重量%を添加して造粒した後、
この造粒粉を50MPaの一軸加圧下で成形して圧粉体
とした。この圧粉体を窒素ガス雰囲気中、700℃まで
加熱してアクリル系バインダを除去した。次いで、前記
脱バインダ圧粉体をAlN製の容器中にセットし、この
容器をグラファイト製ヒータを有する焼結炉内に入れ、
1気圧の窒素雰囲気中、1400℃、54時間焼結する
ことによりAlN焼結体を製造した。
【0096】得られたAlN焼結体は、色むら、焼きむ
らがなく、その上高い表面平滑性を有するものであっ
た。また、AlN焼結体の密度および熱伝導率を実施例
1と同様な方法により測定した。その結果、密度は3.
30g/cm3 と十分に緻密化しており、かつ熱伝導率
は132W/m・Kと高い熱伝導性を有していた。
【0097】(実施例59)まず、不純物酸素量0.9
8重量%、平均一次粒子径0.6μmのAlN粉末9
6.1重量%、平均粒径0.1μm、純度99.9%の
23 2.5重量%、平均粒径0.5μm、純度9
9.9%のCaCO3 をCaO換算で0.7重量%、純
度99.9%のCaF2 粉末0.5重量%および純度9
9.9%のK2 CO3 をK2 O換算で0.2重量%から
なる混合粉体にアクリル系バインダを添加し、これらを
アルコール系溶媒中に分散し、粘度が約5000CPS
のスリップを調製した。つづいて、前記スリップをドク
ターブレードにより成形することにより約0.3mmの
均一な厚さを有するグリーンシートを作製した。ひきつ
づき、前記グリーンシートを所望の寸法に裁断し、各グ
リーンシートに層間の電気的接続を取るための複数のビ
アホールを開孔した。その後、各グリーシートのビアホ
ールに平均粒径0.8μmのタングステン微粒子を含む
タングステンペーストを圧入して充填し、さらにそれら
グリーンシートの表面に前記タングステンペーストをス
クリーン印刷することにより導体回路となる所望のパタ
ーンを形成した。
【0098】次いで、前記ビアホールおよびパターンを
有するグリーンシートを所望数積層し、熱間プレスによ
り一体化した。つづいて、この積層物を外形加工した
後、窒素雰囲気中、700℃で加熱してバインダを除去
した。脱バインダ後の積層物をAlN焼結体からなる容
器中にセットし、この容器をカーボン製ヒータを有する
焼結炉内に入れ、窒素雰囲気中、1600℃、3時間焼
結することによりパッケージを製造した。
【0099】得られたパッケージは、反り、うねり、ク
ラックや膨れがなく表面が平滑な構造を有するものであ
った。また、前記パッケージをSEMで観察した。その
結果、絶縁層であるAlN層と導体回路であるW層が共
に十分に緻密化されていることが確認された。
【0100】(実施例60)前記表11に示す実施例5
2と同組成の混合粉体にアクリル系バインダを添加し、
これらをアルコール系溶媒中に分散し、粘度が約500
0CPSのスリップを調製した。つづいて、前記スリッ
プをドクターブレードにより成形することにより約0.
3mmの均一な厚さを有するグリーンシートを作製し
た。ひきつづき、前記グリーンシート3枚を熱間プレス
により積層した後、窒素雰囲気中、700℃で加熱して
バインダを除去した。脱バインダ後の積層物をAlN焼
結体からなる容器中にセットし、この容器をカーボン製
ヒータを有する焼結炉内に入れ、窒素雰囲気中、160
0℃、3時間の焼結を行うことによりAlN焼結体を作
製した。
【0101】次いで、得られたAlN焼結体を加工して
35mm×35mm×0.7mmの寸法の板状の基材と
した。つづいて、このAlN焼結体からなる基材を空気
中、1130℃、3時間の加熱処理を施すことにより表
面に約1μmのα−Al23 層を形成した。この後、
前記基材の主面に酸素を400ppm含む銅板を接触さ
せ、酸素を7ppm含む窒素雰囲気中、最高温度107
0℃で3分間保持してAlN焼結体からなる基材と前記
銅板とを接合した回路基板を製造した。
【0102】得られた回路基板の接合表面を観察したと
ころ、強固に接合されていた。また、前記基材と銅板と
のピール強度を測定したところ、13kgf/cmと高
い接合強度を有していた。
【0103】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば1
600℃前後の低温焼結であるにも拘らず120W/m
・K以上の高い熱伝導率を有し、焼結上がりの状態にお
いて焼きむら、色むらおよび反りやうねりのない良好な
外観性を有し、さらに焼結上がりの状態において表面の
平滑性に優れ、後加工を著しく簡便にすることが可能な
AlN焼結体の製造方法をを提供できる。また、本発明
方法により製造されたAlN焼結体は高強度でかつ高熱
伝導性を有することから回路基板の基材等に有効に利用
することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角野 裕康 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 上野 文雄 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (a)窒化アルミニウム粉末と、(b)
    前記窒化アルミニウム粉末に対してアルカリ土類金属も
    しくは希土類元素換算で0.1〜10.0重量%配合さ
    れるアルカリ土類金属化合物および/または希土類化合
    物と、(c)前記窒化アルミニウム粉末に対して無水物
    換算で0.01〜5.0重量%配合される酸化燐、燐酸
    塩および燐酸水素塩から選ばれる少なくとも1種の燐酸
    化合物とを含む組成の原料を成形する工程と、 前記成形体を非酸化性雰囲気中、1400〜1700℃
    で焼結する工程とを具備したことを特徴とする窒化アル
    ミニウム焼結体の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記原料は、前記(a)〜(c)の成分
    の他に(d)成分として遷移金属化合物が前記窒化アル
    ミニウム粉末に対して遷移金属換算で1.5重量%以下
    配合されることを特徴とする請求項1記載の窒化アルミ
    ニウム焼結体の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記原料は、前記(a)〜(c)の成分
    の他に(e)成分としてアルカリ金属化合物および/ま
    たはホウ素化合物が前記窒化アルミニウム粉末に対して
    アルカリ金属もしくはホウ素換算で0.01〜3.0重
    量%配合されることを特徴とする請求項1記載の窒化ア
    ルミニウム焼結体の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記原料は、前記(a)〜(c)の成分
    の他に(d)成分として遷移金属化合物が前記窒化アル
    ミニウム粉末に対して遷移金属換算で1.5重量%以
    下、(e)成分としてアルカリ金属化合物および/また
    はホウ素化合物が前記窒化アルミニウム粉末に対してア
    ルカリ金属もしくはホウ素換算で0.01〜3.0重量
    %それぞれ配合されることを特徴とする請求項1記載の
    窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
  5. 【請求項5】 (A)窒化アルミニウム粉末と、(B)
    前記窒化アルミニウム粉末に対してアルカリ土類金属も
    しくは希土類元素換算で0.1〜10.0重量%配合さ
    れるアルカリ土類金属化合物および/または希土類化合
    物と、(C)前記窒化アルミニウム粉末に対してアルカ
    リ金属換算で0.01〜3.5重量%配合されるアルカ
    リ金属化合物とを含む組成の原料を成形する工程と、 前記成形体を非酸化性雰囲気中、1400〜1700℃
    で焼結する工程とを具備したことを特徴とする窒化アル
    ミニウム焼結体の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記原料は、前記(A)〜(C)の成分
    の他に(D)成分としてシリコン化合物、フッ化アルミ
    ニウムおよびホウ素化合物から選ばれる少なくとも一種
    が前記窒化アルミニウム粉末に対してシリコン、アルミ
    ニウムもしくはホウ素換算で0.01〜3.0重量%配
    合されることを特徴とする請求項5記載の窒化アルミニ
    ウム焼結体の製造方法。
JP6220719A 1994-09-16 1994-09-16 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 Pending JPH0881264A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6220719A JPH0881264A (ja) 1994-09-16 1994-09-16 窒化アルミニウム焼結体の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6220719A JPH0881264A (ja) 1994-09-16 1994-09-16 窒化アルミニウム焼結体の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0881264A true JPH0881264A (ja) 1996-03-26

Family

ID=16755450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6220719A Pending JPH0881264A (ja) 1994-09-16 1994-09-16 窒化アルミニウム焼結体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0881264A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100350365B1 (ko) * 1998-07-10 2002-08-28 스미토모덴키고교가부시키가이샤 세라믹 기재

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100350365B1 (ko) * 1998-07-10 2002-08-28 스미토모덴키고교가부시키가이샤 세라믹 기재

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0974565B1 (en) Aluminum nitride sintered body and method of preparing the same
JP2002201075A (ja) 窒化けい素セラミックス基板およびそれを用いた窒化けい素セラミックス回路基板並びにその製造方法
JPH08507038A (ja) 窒化アルミニウム・セラミックスの低温焼成ルート
JP3662955B2 (ja) 回路基板および回路基板の製造方法
JP3593707B2 (ja) 窒化アルミニウムセラミックスとその製造方法
JP2937850B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH0969672A (ja) 窒化けい素回路基板
JPH06206772A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびセラミック回路基板
JPH0881267A (ja) 窒化アルミニウム焼結体、その製造方法と窒化アルミニウム回路基板、その製造方法
JP2899893B2 (ja) 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法
JP2807430B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPH0881264A (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP4434384B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体とそれを用いた半導体装置
JP3231822B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2807429B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP3973407B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH0881266A (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP2742600B2 (ja) 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法
JP2777344B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH10251069A (ja) 窒化珪素回路基板及び半導体装置
JP2001122666A (ja) 窒化アルミニウム焼結体と、それを用いた半導体装置および加熱用装置
JPH0888453A (ja) セラミック回路基板およびセラミック回路基板の製造方法
JP4535575B2 (ja) 窒化珪素質多層配線基板
JP3038320B2 (ja) 回路基板用窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH0881269A (ja) 高熱伝導性焼結体および回路基板