JPH08507038A - 窒化アルミニウム・セラミックスの低温焼成ルート - Google Patents

窒化アルミニウム・セラミックスの低温焼成ルート

Info

Publication number
JPH08507038A
JPH08507038A JP7517589A JP51758995A JPH08507038A JP H08507038 A JPH08507038 A JP H08507038A JP 7517589 A JP7517589 A JP 7517589A JP 51758995 A JP51758995 A JP 51758995A JP H08507038 A JPH08507038 A JP H08507038A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
firing
mixture
aluminum nitride
metal
alumina
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7517589A
Other languages
English (en)
Inventor
ジョナサン エイチ ハーリス
スブハシュ ラックスマン シンデ
タケシ タカモリ
ロバート エイ ヤングマン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Unifrax 1 LLC
Original Assignee
Carborundum Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carborundum Co filed Critical Carborundum Co
Publication of JPH08507038A publication Critical patent/JPH08507038A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/581Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901Printed circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】 エレクトロニック・パッケージ応用に好適な所望の特性を有する窒化アルミニウム・セラミックを、新規な窒化アルミニウム粉末/焼成助剤混合物から調製することができる。焼成助剤は、アルミナ、カルシア、及びボリアから形成されるガラス成分、及びIIa族、IIIa族、又はランタノイドの金属の元素又は化合物を含有する非ガラス質成分、特に結晶質酸化物で、結晶化ガラス成分及びAlN粒子からのアルミナと反応可能な非ガラス質成分を含有する。また、焼成助剤は、溶融で上記成分を形成することができ、その後反応で結晶化することができる多成分ガラス組成物を含有する。

Description

【発明の詳細な説明】 窒化アルミニウム・セラミックスの低温焼成ルート発明の分野 本発明は、エレクトロニック・パッケージに応用するための基板(substrate )として用いるのに適した電気特性を有するセラミック体に関する。特に、本発 明は、高密度かつ高い熱伝導率を示し、金属セラミックス積層処理温度様式と両 立できる低温無圧力焼成法によって調製される焼成窒化アルミニウム基板に関す る。これらの焼成窒化アルミニウム基板は、多層金属−セラミックスをベースと したマイクロエレクトロニック・パッケージに特に有用である。背景 アルミナと比較して、商業上優勢なエレクトロニックセラミックである、窒化 アルミニウム・セラミックスは、電子絶縁、高熱伝導率(120W/m-K以上)、シリ コン・デバイスとの熱膨張適合性(thermal expansion match)、及び低誘電率 に関してエレクトロニック・パッケージに応用するのに潜在的に優れた性質を有 する。窒化アルミニウム基板は、マイクロエレクトロニック・パッケージに高い 熱消散が必要とされるところ、例えば高電力デバイスのための多層金属−セラミ ックス・パッケージなどに潜在的に有用である。マイクロエレクトロニックに応 用するための窒化アルミニウム・セラミックスは、ゆえに、金属化成分、重合層 、及び熱を発生し、高電力のエレクトロニック・デバイスと適合できなければな らない。 好適な特性を達成するために、窒化アルミニウム粉末から調製した、セラミッ クスは、ある密度、理論値の少なくとも約90%、好ましくは約95%以上を達 成しなければならない。焼成添加剤を含まない窒化アルミニウムは、最大密度に 焼成するのに必要な温度以下で分解する。しかし、焼成助剤を用いることにより 、より低温で緻密化(densification)を達成できる。 焼成助剤は、セラミックスの分解温度及び純粋な化合物の焼成温度以下の温度 で融解し、i)湿潤液状物と固体粒子間の毛細管力により媒介した粒子再配列工 程、 及びその後のii)溶解及び沈澱工程によって、セラミックス粒子の緻密化を促進 する。この工程において、固体は、高曲率(小さい粒子)の領域で優先的に溶解 し、低曲率(大きい粒子)の領域で再析出する。さらに、固体は優先的に固体− 固体接触の領域で溶解し、接触域から離れたところで再析出する。液状物焼成サ イクルの後半の段階で、微細構造が粒子成長及び凝集工程を経て精製される。 焼成助剤の異なる組合せにより、異なる温度で融解する、さまざまな化合物が その場でもたらされる。焼成が生じる温度により、異なるタイプの焼成工程の進 行、さらには焼成セラミック体の微細構造及び最終特性に影響を与える。また、 焼成助剤は、窒化アルミニウム粉末からの酸素を除去することにより、焼成窒化 アルミニウムの熱伝導率を高める機能をする。このように、有効な焼成添加剤は 、窒化アルミニウムを酸化させずに、窒化アルミニウムを融解及び再析出するこ とができる低温で液状物を形成するのに違いない。焼成温度での液状物がすべて 酸素を除去し、セラミックを緻密化するわけではないであろう。 市販入手可能な窒化アルミニウム粉末はすべて、不純物として酸素を含む。こ の酸素は、粉末において主に2つの形態、即ち、粉末粒子の各々のアルミナコー ティングとしての形態、及び窒化アルミニウム粒子の結晶格子内に溶解した酸素 不純物としての形態を採る。少量が結合して、存在するであろう金属不純物の酸 化物となるであろう。ある焼成温度で、第1に表面アルミナからの、及び第2に 他の供給源からの、ある量の酸素しか、反応には利用できないであろう(『利用 可能な酸素』と後述する)。 緻密化において、未処理体の体積、及び多層構造での未処理体に含まれた金属 単層の体積は、その物体の線寸法とともに、経験した温度及び含まれる特定の材 料の双方の関数として減少する。金属とセラミックが異なる時間及び速度で収縮 するのであれば、この収縮不適合性(mismatch)により、焼成体に異なる構成材 料間の残留応力をもたらし、焼成体の最終形状を変形させる。多層セラミックを ベースとしたパッケージのためのエレクトロニック・パッケージ工業に必要とさ れる、精密さが要求される幾何的公差を維持するために、セラミック及び金属が ほぼ同じ速度で焼成することが必要である。 このように、特に低温での窒化アルミニウムの有効な焼成を容易にし、多層エ レクトロニック・パッケージのセラミック及び金属部分間の異なる焼成速度及び 熱膨張不適合性に伴う問題を媒介することが望まれる。 しかし、当業界で低焼成温度を用いることは、一般に、所望の理論的レベルか ら低下する特性を生じた。これは、焼成助剤がセラミックを緻密化するのに必要 な有効な焼成液状物を形成できないか、又はAlN格子から、及び/又は、焼成 助剤、アルミニウム、及び酸素の反応生成物を含有するAlN構造内の1つの添 加相又は複数の添加相の形成から溶解した酸素を除去できないことから生じるよ うである。 先行技術で開示されるAlNの焼成助剤には、その他の中からカルシア(calc ia、酸化カルシウム)及びイットリア(yttria、酸化イットリウム)を含むIIa 族、IIIa族、及び/又は希土類化合物を含む。得られたAlN焼成体は、アルカ リ土類−アルミン酸塩(aluminate)、IIIa族−アルミン酸塩、希土類−アルミ ン酸塩、及びAlONを含むと開示される。 米国特許第4,618,592号には、アルカリ土類金属、ランタン系の金属、及びイ ットリウム又はその化合物から選ばれる、少なくとも1種の金属元素である、窒 化アルミニウムの焼成助剤を使用することが開示される。 米国特許第4,746,637号には、希土類化合物及びアルカリ土類金属化合物の混 合物中で窒化アルミニウム粉末を焼成することが開示される。米国特許第5,077, 245号には、焼成助剤として、CaのようなIIa族金属の金属又は化合物を少なく とも1つと、YのようなIIIa族金属の金属又は化合物を少なくとも1つと、希土 類化合物とを用いて、窒化アルミニウムを焼成することが開示される。IIa族/I IIa族金属の混合酸化物とアルミナを、これらの焼成助剤と焼成した窒化アルミ ニウム中で同定した。サインツ・デ・バランダ(Sainz De Baranda)、ペドロ( Pedro)、『窒化アルミニウム・セラミックスの熱伝導率におけるカルシア及び シリカの効果(The Effect of Calcia and Silica on the Tharmal Conductivit y of Aluminum Nitride Ceramics)』、博士論文、ラトガーズ大学(論文要約国 際版(Dissertation Abstracts International)52/07-B巻、3846頁)では、2 つの3成分酸化物第2相化合物を、イットリア及びカルシア(硝酸カルシウム) 焼成助剤、即ちCaYAlO5及びCaYAl37を用いて焼成 した窒化アルミニウム体中で同定した。 米国特許第5,165,983号には、基板(base)とプレートとの間、及びプレート 間に挟んだセラミック粉末を有するセラミック支持基板上に重ねた、アルミニウ ム、希土類、及びIIIa族金属元素の酸化物を含む、複数のAlNプレートの焼成 方法が開示される。 特開平02-275,769号公報には、窒化アルミニウム粉末にアルミナ、カルシア、 及びボリア(boria、酸化ホウ素)を添加し、次に1400-2000℃で焼成することが 開示される。しかし、熱伝導率192W/m-Kを有する、完全に密な物体を得るために 、組成物を1800℃で4時間焼成した。 特開昭62-176,961号公報には、窒化アルミニウムにアルミナ、カルシア、及び ボリア(並びにその他)を添加することにより、改良した密度及び熱伝導率を有 する焼成体を得たことが開示される。しかし、ボリアは約450℃で融解し、エ レクトロニック・パッケージに応用するのに困難性をもたらす。例えば、エレク トロニックの応用に使用される基板から、実質上すべての残留炭素を取り除くこ とを必要とする。低温融解ボリアは、このいわゆる結合剤焼失(binder burnoff )工程の邪魔をする。 特開平03-218,977号公報には、焼成前に窒化アルミニウムにガラス粉末焼成助 剤を0.l-10重量%添加することが開示される。ガラス粉末は、アルミナ0-38モル %、ボリア30-80モル%、及びカルシア20-56モル%からなる。重量%では、アル ミナ0-28重量%、ボリア27-77重量%、及びカルシア23-64重量%である。窒化ア ルミニウム体は、1650℃を越える温度(望まない高い温度)で焼成される。 得られた窒化アルミニウムサンプルは、純粋な窒化アルミニウムよりかなり低い (但し、アルミナより良い)最大熱伝導率110W/m-Kを有する。さらに、サンプル の大部分は、100W/m-K以下の熱伝導率を有した。 本発明の目的は、これまで適した温度より低い焼成温度で焼成することにより 、完全に密で、高い熱伝導率である窒化アルミニウム体を製造し、低コストで窒 化アルミニウムを製造できるようにすることにある。 本発明の他の目的は、金属−セラミック積層方法と両立できる温度で焼成する ことにより、完全に密で、高い熱伝導率である窒化アルミニウム体を製造するこ とにある。 本発明のこれら及び他の目的は、以下に示す本発明についての詳細な説明を参 照すれば、より明らかになるであろう。発明の概要 エレクロニック・パッケージに応用するのに好適な所望の特性を有する窒化ア ルミニウム・セラミックは、新規な窒化アルミニウム粉末/焼成助剤焼成用(pr esintering)混合物から調製できる。焼成助剤は、アルミナ、カルシア、及びボ リアから形成したガラス成分と、IIa族、IIIa族、又はランタノイド系から選択 された金属の元素、化合物、又は好ましくは結晶質金属酸化物を含有し、結晶質 ガラス成分及び窒化アルミニウム粒子からのアルミニウムと反応性の追加の非ガ ラス質成分を含有する。 また、焼成助剤は、融解に際し上記成分を形成することができ、その後反応に 際し結晶化することができる多成分ガラス組成物を含有する。この態様において 、任意に上述の追加非ガラス質成分を焼成用混合物に加えてもよい。 ゆえに、焼成用窒化アルミニウム粉末/焼成助剤混合物が提供され、前記窒化 アルミニウムにはアルミナを含み、前記焼成助剤は、a)IIa族、IIIa族、及びラ ンタノイド系金属及びこれらの混合物からなる群から選ばれる金属の元素又は化 合物、及びb)アルミナ、カルシア、及びボリアから形成されるガラス成分を含 有し、前記金属元素又は化合物が、前記ガラス成分及び前記窒化アルミニウムか らのアルミナと反応性である。 焼成雰囲気にある焼成用混合物の温度に勾配をつけ、約1550℃〜約170 0℃間の焼成温度にする工程、及び窒化アルミニウムの密度が理論値の約95% を越え、熱伝導率が約120W/m−Kを越えるものとなるのに十分な時間、前 記焼成温度で保持する工程を有する焼成窒化アルミニウム体を製造する低温方法 が提供される。 焼成窒化アルミニウム体は、反りが小さく、高い寸法安定性、理論値の少なく とも95%の密度、及び少なくとも120W/m−Kの熱伝導率を有し、窒化ア ルミニウム、並びにYAlO3(YAP)及びCaYAl37を含む第2相を含 有し、前記第2相3成分金属酸化物内に含まれる置換ホウ素を有する。これら の特性は、金属とセラミックとが交互となる多層を有する、共焼成(co-fired) 多層AlN焼成体にも観察される。 窒化アルミニウム体の焼成系は、高密度及び高熱伝導率を達成するように提供 され、1200℃以上の温度でボリア蒸気及び1500℃以上の温度で液状物ガ ラス成分の分圧を含む、制御焼成雰囲気を有する。制御雰囲気内で焼成中に窒化 アルミニウム体に荷重をかけることにより、小さな反りを上記の系で達成できる 。 1550℃−1700℃のように最大焼成温度が低くても、向上した特性を有 する窒化アルミニウム焼成体を、焼成系内に新規な焼成助剤パッケージを用いて 得ることができる。1600℃〜1625℃で焼成したAlN体に観察された熱 伝導率は、レーザフラッシュ法によって測定したとき、最大値の範囲が126− 190W/m−Kであった。図面の簡単な説明 図1は、焼成助剤として、ガラス成分にさまざまな比率の金属酸化物を加えて 焼成した焼成窒化アルミニウム体の熱伝導率をグラフ化したものである。 図2は、窒化アルミニウム体の焼成の際の密度の変化をグラフ化したものであ る。詳細な説明 エレクトロニック・パッケージの応用に必要な密度、反り及び寸法制御、電気 抵抗、熱伝導率、シリコンとの熱膨張適合性、並びに誘電特性を有する多結晶性 窒化アルミニウム焼成体を形成することが、低焼成温度、即ち1550−170 0℃で、混合物を含む窒化アルミニウム粉末を無圧力焼成することにより達成さ れた。この温度様式は、共焼成多層エレクトロニック・パッケージとして、当業 界で既知の多層金属−セラミック層の同時焼成には好適である。 焼成し、多結晶質体を形成する混合物の成分は、窒化アルミニウム粉末、好ま しくは低酸素含量である窒化アルミニウム粉末(トクヤマソーダ(Tokuyama sod a)のHグレード、及びダウケミカル(Dow Chemical)グレード44及び48も好適 であるが、トクヤマソーダ製のFグレードのようなもの)、従来の結合剤、例え ばポリビニルブチラール(PVB)、エチルセルロース、又はポリメチルメタク リレートのようなもの、及び新規の焼成助剤パッケージを含む。 ある態様として、焼成助剤は、少なくとも2つの成分を含有する。即ち、ガラ ス成分、及びIIa族、IIIa族、又は希土類金属(ランタノイド)の金属元素又は 化合物を少なくとも1つ、好ましくは結晶質金属酸化物又は結晶質金属酸化物に 転化できる化合物を含有する。 ガラス成分は、構成成分の融解物を鉄板の間でスプラット急冷するか、又は冷 却したドラム間でローラー急冷するような、急速急冷によって形成される。これ らの成分には、アルミナ、カルシア、及びボリアが含まれる。従来の急速急冷法 を用いてガラスを形成するであろう組成範囲内のカルシア−アルミナ−ボリアか らなるガラス成分が好ましい。一例として、CaO/Al23/B23から誘導 された融解物からスプラット急冷することにより形成したガラスが挙げられる( 以下、このガラスを『CABガラス』という)。このガラス成分を、微粉砕形態 又は粉末形態でのAlN粉末を含む混合物に加える。 好適なCABガラス組成物は、カルシア、アルミナ、及びボリアの混合物から 形成したガラス質組成物を含有し、カルシア40〜80重量%、アルミナ10〜50重量 %、ボリア3〜25重量%の割合で含有する。成分が、カルシア45〜65重量%、ア ルミナ20〜45重量%、ボリア5〜20重量%の割合で存在する態様が好ましい。成 分が、カルシア45〜55重量%、アルミナ30〜40重量%、ボリア5〜15重量%の割 合で存在する態様が最も好ましい。 ガラス成分は、成分金属酸化物の混合物を形成し、該混合物を融解して冷却し ながらガラス質固体を形成することによって調製される。CABガラス成分の場 合、均一な液状物を形成するのに好適な溶融温度は約1450℃である。均一な 液状物を急冷してガラス質リボンを形成する。急冷したリボンを粉砕するか、又 は微粉砕して、焼成前に窒化アルミニウム粉末に添加するのに好適な所望の粒径 を得て、これにより新規の焼成用混合物を形成する。窒化アルミニウム焼成助剤 として用いるのに好適な粒径は、約3〜約5ミクロンである。 IIa族、IIIa族、又はランタノイド(希土類)金属化合物は、好ましくは結晶 質金属酸化物である。また、焼成環境で金属酸化物に転化する化合物であり、焼 成AlN体に望まれる特性に有害となるであろう成分が存在しない。結晶質金属 酸化物は、焼成様式内の温度で結晶化ガラス成分及びAlN粒子からのアルミナ と反応して、少なくとも1つの結晶相を形成できなければならない。IIa族の好 適な金属酸化物の一例としてはカルシアであり、IIIa族ではイットリアである( IUPAC命名法)。 本発明で有効な焼成助剤として用いることができるIIa族金属又はその化合物 には、Ca、Sr、Ba、及びその混合物が挙げられる。本発明に有効な焼成助 剤として用いることができるIIIa族又は希土類金属及びこれらの化合物には、Y 、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 、Lu、及びこれらの化合物が挙げられる。本発明による窒化アルミニウムの焼 成助剤として機能する上記の金属の化合物は、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩 、フッ化物、及びそれらの混合物が含まれるが、それらに限定されない。 また、焼成助剤パッケージは、上述のアルミナ、カルシア、及びボリアに加え て、上記の結晶質金属酸化物から選ばれた金属酸化物を含む融解物から誘導され る多成分ガラス組成物を含有する。一例として、構成元素Ca−Al−B−Y− Oを有するガラスが挙げられる。成分CaO−Al23−Y23−B23から誘 導した組成物の範囲は、急冷によるガラス形態として得ることができる。結晶化 材料の融点は、約1200−1350℃の範囲内であり、ゆえに、1600℃以 下の窒化アルミニウムの焼成助剤として非常に好適である。他の態様として、金 属酸化物の形態のアルミナを、焼成用混合物を含む焼成助剤/ガラス成分に加え るのがよい。 焼成助剤パッケージのさらなる例を、構成元素Ca−Al−B−Oを有するガ ラス成分(CABガラス)及び結晶質金属酸化物イットリアを含有する、ある態 様により以下に示す。結晶質金属酸化物:ガラス成分の好ましい比率は約1:1 〜約3.5:1であり、最も好ましくは約2:1〜約3:1の範囲内である。上記 の範囲以上の比率では、図1の熱伝導率で示されるように、得られる焼成AlN 生成物の密度及び熱伝導率が双方ともに急激に下降する。図1に示すデータは、 耐火性金属炉で約1600℃、10時間焼成したAlNサンプルから採った。 AlN粉末、結合剤、及び焼成助剤パッケージ粉末を混合し、乾燥プレス成形 又はシートキャスト成形(sheet casting)のような従来の方法により未処理体 に形成するか、又は形状化する。多層セラミック体を形成するために、モリブデ ン及びタングステンのような耐火性金属から誘導された金属ペーストであり、A lNのようなセラミック添加剤を任意に有する金属ペーストで、AlN未処理体 のシートを印刷した。印刷した未処理シートを焼成前に熱及び圧力の下で積層し 、金属とセラミックとを交互の層にした多層を有する構造を形成する。 焼成を高温炉、例えば、グラファイト又は耐火性金属炉内で行う。焼成系は、 窒素ガスのような窒化アルミニウムに好適な焼成ガスを含み、適当な温度で、焼 成助剤パッケージのさまざまな成分の蒸気を含む雰囲気をもたらすように構成さ れなければならない。耐火性金属炉を使用するとき、焼成雰囲気には、さらに、 水素のような炉の元素を保護するガスを含むべきである。 焼成工程は、常温から所望の焼成温度まで勾配をつけて始まり、所望の焼成温 度は、緻密化及び酸素除去が完遂するのに十分な時間AlNが保持される。上記 の焼成助剤パッケージを用いるとき、分離した結合剤完全燃焼(binder burnout )工程を用いる必要はない。結合剤完全燃焼は、焼成炉内でその場で達成するこ とができる。 約800−900℃の温度で、ガラス成分は高粘度流動性固体となり、セラミ ックの粘性焼成(viscous sintering)が始まる。図2の膨張計のトレースで示 される負の『膨張』又は収縮で示されるように、緻密化が少し生じる。温度が約 900−1200℃間まで上昇すると、ガラスは結晶化し始める。 約1200℃の温度以上で、結晶化ガラスが溶融する。この液相援助焼成様式 で、さらに緻密化が生じ、低温焼成相、AlN粒子、及び結晶質酸化物からの酸 素との反応が生じ始め、酸素がAlN格子に侵入するのを妨げて、最終生成物で 高い熱伝導率をもたらし、かつ結晶相を形成する。温度様式のこのエリアでは、 有効かつ均一な焼成を行うために、その焼成体内に存在するすべてのボリア又は その一部が消散しないように、酸化ホウ素蒸気成分がAlN部分の付近の炉雰囲 気内で維持されることが必要である。 約1500℃の温度で、結晶相から形成した液状物は成分Ca−Al−Y−B −Oを含む。温度を少なくとも約1550℃−1700℃、好ましくは約155 0℃−1650℃、より好ましくは約1550℃−1600℃まで上昇させ、有 効な時間保持する。図2でさらに明確にされるように、この温度様式で、 実質的な緻密化が生じる。しかし、理論的な緻密化を高いパーセンテージで達成 するために、高温液状物成分の有効量が生じる最終的な緻密化に十分な時間を一 部残存するように、AlN部分の付近の炉雰囲気の液状物成分の分圧を提供しな ければならない。 所望の蒸気を焼成炉に導入するか、又は焼成炉中でその成分を揮発させること によりその場で発生させる他に、炉内の容器内で、容器体積内の部分とキャリア (carrier)との『自由体積』のある特定の比率で、焼成作業を行うことにより 、適当な炉雰囲気を維持することができる。容器は、焼成作業で行われる温度及 び反応体に耐えることができなければならず、焼成AlN又は共焼成金属/Al N生成物又はそれらの特性に有害であろう、セラミック又は発生ガスとの反応生 成物を形成してはならない。以下に示す実施例で、サンプルが窒化アルミニウム 粉末100重量部当り、焼成助剤を4重量部を含有する自由体積の許容範囲は、 好ましくは約75%以上であり、焼成助剤の量が変化すると変化するであろう。 AlN部分のキャリアは、焼成工程の間、又はその後、その部分を突き通して はならず、その部分の緻密化を妨害してはならない(例えば、発生ガスが脱出し なければならない。)。焼成工程間AlN部分に荷重を掛けることにより、焼成 部分の反りを最小限にする、向上した制御をもたらす。 実施例実施例1: AlN粉末(トクヤマ・ソーダ グレードF)を、イットリア3wt%(AlN 重量をベースとした)、溶融急冷することによって形成したCaO−アルミナ− B23ガラス1wt%(重量で50/40/10)、及びPVB結合剤8wt%と混 合した。この混合物を乾燥し、1124.8kg/cm2(16,000psi)でプレス し、直径6.35mm(0.25”)のペレットにし、耐火性金属炉中で1600℃ 、10時間焼成した。得られたAlNセラミックは、理論値の98%を越えた密 度を有し、レーザフラッシュで測定した熱伝導率158W/m−Kを有した。実施例2: 実施例1と同じ混合物を、PVB結合剤及びテープキャストで結合して、0. 254mm(0.010インチ)厚のセラミック未処理シートを製造した。このシ ートをタングステンペーストで押出印刷し(結合剤としてエチルセルロースを用 いる)、金属層を形成した。いくつかのシートを、その後85℃で6分間281 .2kg/cm2(4000psi)で一緒に積層し、多層のセラミック及び金属体を製造 し、その後1600℃で5時間、耐火性金属炉で焼成した。得られた多層のセラ ミック及び金属体は、セラミックが理論値の98%を越える密度であり、金属が 理論値の85%を越える密度であり、レーザフラッシュによって測定した熱伝導 率が126W/m−Kを有した。 上記の方法により調製した窒化アルミニウム焼成体は、エレクトロニック・パ ッケージの応用に所望の性質及び特性を有する。AlN焼成体は、97%を越え る密度を有し、99%が典型的に達成できる。熱伝導率は、一般に135−14 3W/m−Kであり、190W/m−Kの値を1600℃の焼成温度で64時間 保持した部分で観察された。抵抗及び誘電特性は許容範囲内にある。 焼成AlN部は、反りが小さく、X、Y、及びZ方向において焼成アルミナで 達成されたのと同じ程度によい寸法制御がある。寸法制御におけるの荷重の効果 は、『自由』焼成条件を達成するための焼成助剤パッケージ及び焼成雰囲気制御 よりも圧倒しているので、寸法(収縮)制御は、焼成部分に荷重をかけることに よってでも達成できる。 焼成AlN体に存在する第2相は、金属酸化物:ガラス成分の比率、好ましい 態様では、Y:CABガラスの比率、並びに焼成温度及び時間(雰囲気制御を仮 定した)に依存する。好ましい第2相は、置換ホウ素及びYAPと、CaYAl37との組合せである。連続の焼成により、1600℃であっても、イットリア ・アルミネート(aluminate)のために、3成分金属酸化物相を置換したホウ素 を消耗させ、それを越えてさらに焼成を続けると、イットリアだけが第2相とし て存在することとなるであろう。より穏和な焼成条件下(時間又は温度)で、カ ルシア−ボレート(borate、ホウ酸塩)、カルシア−アルミネート、及びイット リア−カルシア−アルミネートが焼成体に存在するかもしれない。 窒化アルミニウム粉末、並びにイットリア及びCABガラスの焼成助剤から、 上記のように低焼成温度で調製した焼成窒化アルミニウム体の分析により、透過 型電子顕微鏡(TEM)で、AlNマトリクス中の均一分散湿潤第2相であるこ とがわかった。X線回折(XRD)及びエネルギー分散X線分光(EDS)から 、CaYAl37を含有する、粒界に沿って拡張した第2相の薄層を同定した。 いくつかの湿潤しない(de-wetted)YAP粒子も存在する。EDSにより、著 しい量のカルシウム(Ca)が固体溶液に含まれるものとしてYAPを同定した 。2次イオン質量分光(SIMS)により、ホウ素(B)がCaYAl37内に 存在すると同定した。実施例3−22 窒化アルミニウム粉末を、焼成助剤合計で約3.85重量%含み、粉末化金属 酸化物及びガラス焼成添加剤を表に示した重量比で、並びに結合剤としてPVB を8重量%含む未処理体シートに調製した。CAB成分の重量比は、カルシア5 0%、アルミナ40%、及びボリア10%であった。未処理シートを、耐火性金 属炉内で1600℃、10時間焼成した(その温度まで毎分4℃の勾配で)。実 施例3−18で、タングステン製とち(setter)を焼成炉で使用し、実施例19 −22で、モリブデン製とちを使用した。 異なる添加剤パッケージで焼成したAlN体の密度及び熱伝導率から得た結果 を比較した。ガラス混合物(ガラス相)にボリア成分を好ましく存在させること 、及び焼成助剤にガラス成分を使用することにより、金属酸化物(ガラス質では ない)の同重量比をガラス成分に置換した、比較例(counter example)と比較 すると、最終焼成体の熱伝導率に増加が見られ、一般に、密度に驚くべき増加が 見られる。 本発明の上記の実施例で、結晶質相にガラス成分からとは別に酸化イットリウ ムを加えた。ゆえに、高温焼成でのその機能と同じ固体状態反応が起こっている と仮定される。 さらに、酸化イットリウムのようなIIIa族/希土類金属化合物を、ガラス質相 の成分として加えることができ、好ましい態様において酸化イットリウムを含む この相の溶融中に、それはより低温で焼成助剤として働きはじめる。窒化アルミ ニウム体の酸素を除去するのに必要な量を補足して、得られる熱伝導率を向上さ せるために、さらに酸化イットリウムを結晶相内に加えることもできるが、有効 な低温焼成を達成できるように、焼成反応の初期段階での液状物形態で存在する (ガラス成分からの)酸化イットリウム添加剤の少なくとも一部を有するこの態 様が好ましい。 この態様において、CaO−Al23−Y23系内で酸化イットリウムを約1 0から20重量%を越える比率で含む溶融物を急冷することにより、ガラス材料 を形成することができる。このとき、残りのCaO/Al23が40/60重量 %〜60/40重量%、好ましくは50/50重量%比の比率で存在する。B2 3を5−10重量%の量で加えると、焼成温度付近での液相の粘度が非常に低 くなり、よって、窒化アルミニウムの液相焼成の初期段階で有利である。焼成条 件に依存して、B23は、焼成の完了になるにつれて系から離れ、焼成体の第2 相の量を減少するであろう。実施例23−24 酸化物成分を融解し、鉄板間で急冷することにより焼成助剤を調製し、重量% の比率40/40/10/10及び40/30/20/10のCaO/Al23 /Y23/B23の組成物のガラス材料を得た。これらのケースで、示差熱重量 分析(DTA)により融点が1228゜−1300℃であることがわかった。す べての融解物は非常に流動的で、上記本発明に用いるのに好適であった。 窒化アルミニウム前焼成体(未処理シート)をスラリーキャストする場合、セ ラミック材料(窒化アルミニウム粉末及び粉砕ガラス混合物)、結合剤、溶媒、 及び可塑剤及び酸化防止剤のような少量の従来の成分からなる混合物を作る。結 合剤は約5〜15重量%がよく、溶媒の量を約20〜45重量%とし、残りがセ ラミック材料である。スラリーをキャリアシートにキャストする(従来、マイラ ー(Mylar)がよい)。乾燥中、キャリアシートを除去し、生成物のテープを製 造した。テープを所望の最終形状(endshape)に圧断する。ある所望の最終形状 は、多層セラミック・パッケージを製造するための未処理シートである。 多層セラミック・パッケージを次の方法で作製することができる。一連の未処 理のシートを穿孔して『経路(via)』を形成し、その後金属ペーストを未処理 シート上に覆い、導線を形成し、この経路に未処理シートの異なる層間に導路( pathway)を形成する。窒化アルミニウムでは、好ましい金属ペーストは、モリ ブデン又はタングステンを含む。未処理シートをその後積み重ね、積層し、焼成 して、多層セラミック・パッケージを得る。使用の際、少なくとも1つの半導 体デバイスを多層セラミック・パッケージ上に載せる。多層セラミック・パッケ ージは本発明の好ましい使用である。 保護雰囲気である限り、窒化アルミニウム体を従来の炉で焼成することができ る。好ましい雰囲気は、窒素と水素ガスの混合物である成形ガスである。典型的 な焼成スケジュールは、次のようにすることができる。未焼成窒化アルミニウム 体を焼成炉に入れる。乾燥成形ガス(N2+10-20%H2)のような保護雰囲気を 焼成工程を通して用いる。約5時間にわたって、温度を室温から約600℃まで 、勾配をつけて上昇させ、結合剤を熱分解する。その後、約8時間にわたって、 温度を約1550−1700℃、好ましくは約1550−1650℃の焼成温度 まで勾配をつけて上昇させ、その焼成温度で約5時間保持した。その後、約5時 間にわたって、温度を室温まで勾配をつけて下降させた。 スラリーキャストする場合、ガラス混合物の成分の比率は、重量%で、ボリア 5−20%、アルミナ20−45%、カルシア45−65%であるのが好ましい 。最大の密度及び熱伝導率のために、ガラス混合物の成分の比率は、重量%で、 ボリア5−15%、アルミナ30−40%、カルシア45−55%であるのが最 も好ましい。金属酸化物成分はイットリアが好ましい。 得られた金属−セラミック積層(多層エレクトロニック・パッケージのため) は高密度、高い熱伝導率、並びに優れた反り及び寸法制御を示す。 このように、本発明の目的は、本発明によって達成できるが、上記の実施例に 限定されるわけではなく、次に記載する請求の範囲によって明確となる変形、修 飾、及び均等な態様を含む。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シンデ スブハシュ ラックスマン アメリカ合衆国 ニューヨーク州 10520 クロートン オン ハドソン ハーフ ムーン ベイ ドライヴ 519 (72)発明者 タカモリ タケシ アメリカ合衆国 ワシントン州 99019 リバティー レイク ブーン アベニュー 23114 (72)発明者 ヤングマン ロバート エイ アメリカ合衆国 アリゾナ州 86018 パ ラダイス ヴァリー エコー キャニオン レーン 5804

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.焼成用窒化アルミニウム粉末/焼成助剤混合物であって、前記窒化アルミニ ウムが不純物アルミナを含み、前記焼成助剤がa)IIa族、IIIa族、ランタノイド 金属、及びこれらの混合物からなる群から選ばれる金属の元素又は化合物、並び にb)アルミナ、カルシア、及びボリアから形成されるガラス成分を含有し、前 記金属元素又は化合物が、前記ガラス成分及びAlNからのアルミナと反応可能 である焼成用窒化アルミニウム粉末/焼成助剤混合物。 2.前記金属又は化合物がイットリウム又はイットリウム化合物である請求項1 記載の焼成用混合物。 3.前記イットリウム化合物がイットリアである請求項2記載の焼成用混合物。 4.前記ガラス成分がカルシア、アルミナ、及びボリアから形成されるガラス組 成物を含有し、その比率がカルシア約40〜80重量%、アルミナ約10〜50 重量%、ボリア約3〜25重量%である請求項1記載の焼成用混合物。 5.前記ガラス成分が、カルシア約50重量%、アルミナ約40重量%、ボリア 約10重量%の混合物から形成されるガラス組成物を含有する請求項1記載の焼 成用混合物。 6.前記a):b)の重量比が約1:1〜約3.5:1である請求項1記載の焼成用 混合物。 7.焼成用窒化アルミニウム粉末/焼成助剤混合物であって、前記窒化アルミニ ウムが不純物アルミナを含み、前記焼成助剤が、a)IIIa族、ランタノイド金属 、及びその混合物からなる群から選ばれる、少なくとも1種の金属の酸化物、及 びb)アルミナ、カルシア、及びボリアから形成されるガラス成分を含有する焼 成用窒化アルミニウム粉末/焼成助剤混合物。 8.前記ガラス成分が構成元素Ca−Al−B−Y−Oを有するガラスである請 求項7記載の焼成用混合物。 9.前記ガラス成分が、約10〜20重量%を越えるイットリア、ボリア約5〜 約10重量%、残りのカルシアとアルミナは、その重量比率がカルシア約40〜 60対アルミナ約60〜40である混合物から形成されるガラス組成物を含有す る請求項7記載の焼成用混合物。 10.前記焼成助剤が、IIa族、IIIa族、ランタノイド金属、及びこれらの混合物 からなる群から選ばれた金属の元素又は化合物を少なくとも1つ含有する、追加 の非ガラス成分を含む請求項7記載の焼成用混合物。 11.前記IIa族金属が、Ca、Sr、Ba、及びこれらの混合物からなる群から 選ばれ、前記IIIa族及びランタノイド金属が、Y、La、Ce、Nd、Sm、E u、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、及びこれらの混合物か らなる群から選ばれる請求項1又は請求項10記載の焼成用混合物。 12.前記化合物が、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、フッ化物、及びこれらの 混合物からなる群から選ばれる請求項10記載の焼成用混合物。 13.前記追加成分:前記ガラス成分の重量比が、約1:1〜約3.5:1である請 求項10記載の焼成用混合物。 14. 前記焼成助剤が、前記焼成用混合物中に、約3〜約5ミクロンの粒径で存在 する請求項1、請求項7又は請求項10記載の焼成用混合物。 15.前記焼成用混合物が、金属酸化物としてさらに加えたアルミナを含有する請 求項1、請求項7又は請求項10記載の焼成用混合物。 16.請求項1、請求項7又は請求項10記載の焼成用混合物を含有する成形窒化 アルミニウム未処理体。 17.少なくとも1つのセラミック層と少なくとも1つの金属層の積層を有し、前 記金属がタングステン及びモリブデンのうち少なくとも1つを含有する請求項1 6記載の成形未処理体。 18.前記IIIa族及びランタノイド金属が、Y、La、Ce、Nd、Sm、Eu、 Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、及びこれらの混合物からな る群から選ばれる請求項7記載の焼成用混合物。 19.請求項1、請求項7、又は請求項10記載の焼成用混合物の温度を焼成雰囲 気中で約1550℃〜約1700℃の焼成温度まで勾配をつけて上昇させる工程 、 約1200℃を越える温度で前記焼成雰囲気中のボリア蒸気を維持する工程 、 約1500℃の温度で前記金属元素又は化合物及び前記ガラス成分を含む液 状物を形成する工程、 約1500℃を越える温度で前記焼成雰囲気中の液状物の分圧を提供する工 程、及び 密度が理論値の約95%を越え、熱伝導率が約120W/m−Kを越える窒 化アルミニウムを達成するのに有効な時間、前記焼成温度を保持する工程、 を有する焼成窒化アルミニウム体の低温製造方法。 20.前記焼成雰囲気が、窒素を含む請求項19記載の方法。 21.前記焼成雰囲気が、窒素及び水素を含む請求項20記載の方法。 22.密度が理論値の約95%を越え、熱伝導率が約120W/m−Kを越える請 求項19記載の方法によって調製された焼成窒化アルミニウム体。 23.反りが小さく、高い寸法安定性、理論値の少なくとも95%の密度、及び少 なくとも120W/m−Kの熱伝導率を有するとともに、窒化アルミニウムと3 成分金属酸化物とを含有し、前記第2相が3成分金属酸化物CaYAl37を含 み、該3成分金属酸化物CaYAl37がその中に置換したホウ素を有する焼成 窒化アルミニウム体。 24.前記第2相がYAlO3を含む請求項23記載の焼成窒化アルミニウム体。 25.前記第2相が少なくとも1つのカルシアボレートを含む請求項23記載の焼 成窒化アルミニウム体。 26.請求項22又は請求項23記載の焼成窒化アルミニウム体を含む多層金属− セラミック・エレクトロニックパッケージ。
JP7517589A 1993-12-22 1994-12-21 窒化アルミニウム・セラミックスの低温焼成ルート Pending JPH08507038A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/172,032 US5424261A (en) 1993-12-22 1993-12-22 Low temperature sintering route for aluminum nitride ceramics
US08/172,032 1993-12-22
PCT/US1994/014761 WO1995017355A1 (en) 1993-12-22 1994-12-21 A low temperature sintering route for aluminum nitride ceramics

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08507038A true JPH08507038A (ja) 1996-07-30

Family

ID=22626086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7517589A Pending JPH08507038A (ja) 1993-12-22 1994-12-21 窒化アルミニウム・セラミックスの低温焼成ルート

Country Status (10)

Country Link
US (1) US5424261A (ja)
EP (1) EP0684937A1 (ja)
JP (1) JPH08507038A (ja)
CN (1) CN1142813A (ja)
AU (1) AU1442595A (ja)
CA (1) CA2178824A1 (ja)
MY (1) MY111576A (ja)
SG (1) SG43215A1 (ja)
TW (1) TW260656B (ja)
WO (1) WO1995017355A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015514661A (ja) * 2012-02-29 2015-05-21 ハリス,ジョナサン・エイチ 過渡液相、窒化アルミニウム製部品の常圧接合
KR20200113846A (ko) * 2019-03-26 2020-10-07 주식회사 엘지화학 붕소 치환된 질화알루미늄 분말 및 이를 제조하기 위한 방법

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5744411A (en) * 1993-07-12 1998-04-28 The Dow Chemical Company Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and its preparation
US5482903A (en) * 1993-12-22 1996-01-09 International Business Machines Corporation Aluminum nitride body utilizing a vitreous sintering additive
JPH0881267A (ja) * 1994-09-16 1996-03-26 Toshiba Corp 窒化アルミニウム焼結体、その製造方法と窒化アルミニウム回路基板、その製造方法
DE69522674T2 (de) * 1994-12-01 2002-06-20 Toshiba Kawasaki Kk Aluminiumnitrid sinterprodukt und verfahren zur herstellung desselben
US5552232A (en) * 1994-12-21 1996-09-03 International Business Machines Corporation Aluminum nitride body having graded metallurgy
JP3100871B2 (ja) * 1995-07-11 2000-10-23 株式会社東芝 窒化アルミニウム焼結体
US5932043A (en) * 1997-03-18 1999-08-03 International Business Machines Corporation Method for flat firing aluminum nitride/tungsten electronic modules
US6004624A (en) 1997-07-02 1999-12-21 International Business Machines Corporation Method for the controlling of certain second phases in aluminum nitride
DE19746010A1 (de) * 1997-10-17 1999-04-22 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung von drucklos gesinterten Aluminiumnitrid-Keramiken mit hoher Wärmeleitfähigkeit
US5888446A (en) * 1998-01-15 1999-03-30 International Business Machines Corporation Method of forming an aluminum nitride article utilizing a platinum catalyst
JP4013386B2 (ja) * 1998-03-02 2007-11-28 住友電気工業株式会社 半導体製造用保持体およびその製造方法
CN1081178C (zh) * 1998-07-08 2002-03-20 中国科学院上海硅酸盐研究所 高热导氮化铝陶瓷的制备方法
CN1092165C (zh) * 1998-07-08 2002-10-09 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低温烧结制备氮化铝陶瓷的方法
EP0970932A1 (en) * 1998-07-10 2000-01-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Ceramic base material
CN100473373C (zh) * 2002-10-18 2009-04-01 中国科学院上海硅酸盐研究所 低成本可切削的氧化锆陶瓷牙科修复体及其制备方法
US7547408B1 (en) * 2006-07-28 2009-06-16 General Electric Company Process for reducing non-uniformities in the density of sintered materials
US8858745B2 (en) * 2008-11-12 2014-10-14 Applied Materials, Inc. Corrosion-resistant bonding agents for bonding ceramic components which are exposed to plasmas
CN101570437B (zh) * 2009-04-30 2013-01-09 潮州三环(集团)股份有限公司 一种连续式低温烧结高导热率AlN陶瓷的方法及其产品
CN103387393B (zh) * 2013-07-25 2014-11-05 中国计量学院 一种氮化铝陶瓷及其制备方法
CN103539457A (zh) * 2013-09-29 2014-01-29 合肥工业大学 一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法
CN104715994B (zh) * 2013-12-13 2017-08-25 中微半导体设备(上海)有限公司 电感耦合型等离子体处理腔室及其抗腐蚀绝缘窗口及制造方法
CN106631036A (zh) * 2016-12-07 2017-05-10 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种高温共烧氮化铝陶瓷的烧结方法
EP3699652B1 (en) * 2017-10-19 2022-08-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wavelength converter
CN113563085B (zh) * 2021-08-04 2022-07-05 湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司 一种高介电性能的AlN电子陶瓷材料
CN115745623B (zh) * 2022-11-23 2024-02-06 郑州大学 氮化铝复合材料、制备方法及其应用
CN116854481A (zh) * 2023-06-29 2023-10-10 北京科技大学 一种低温快速制备高导热复杂形状氮化铝陶瓷的方法

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57181356A (en) * 1981-04-30 1982-11-08 Hitachi Ltd Sintered aluminum nitride body with high heat conductivity
US4520116A (en) * 1981-08-31 1985-05-28 Raytheon Company Transparent aluminum oxynitride and method of manufacture
US4720362A (en) * 1981-08-31 1988-01-19 Raytheon Company Transparent aluminum oxynitride and method of manufacture
DE3347862C2 (ja) * 1982-09-17 1988-05-11 Tokuyama Soda K.K., Tokuyama, Yamaguchi, Jp
JPS59107975A (ja) * 1982-12-08 1984-06-22 旭硝子株式会社 SiC質焼結体およびその製法
DE3247985C2 (de) * 1982-12-24 1992-04-16 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Keramischer Träger
US4533645A (en) * 1983-08-01 1985-08-06 General Electric Company High thermal conductivity aluminum nitride ceramic body
US4478785A (en) * 1983-08-01 1984-10-23 General Electric Company Process of pressureless sintering to produce dense, high thermal conductivity aluminum nitride ceramic body
DE3337630A1 (de) * 1983-10-15 1985-04-25 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Temperaturausgleichskoerper
US4547471A (en) * 1983-11-18 1985-10-15 General Electric Company High thermal conductivity aluminum nitride ceramic body
JPS60127267A (ja) * 1983-12-12 1985-07-06 株式会社東芝 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法
US4659611A (en) * 1984-02-27 1987-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit substrate having high thermal conductivity
JPS60195059A (ja) * 1984-03-15 1985-10-03 株式会社トクヤマ 複合焼結体
EP0176737B1 (en) * 1984-09-28 1989-08-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Process for production of readily sinterable aluminum nitride powder
US5165983A (en) * 1984-09-30 1992-11-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for production of aluminum nitride ceramic plate
US4578234A (en) * 1984-10-01 1986-03-25 General Electric Company Process of pressureless sintering to produce dense high thermal conductivity ceramic body of deoxidized aluminum nitride
US4672046A (en) * 1984-10-15 1987-06-09 Tdk Corporation Sintered aluminum nitride body
US4578233A (en) * 1984-11-01 1986-03-25 General Electric Company Pressureless sintering process to produce high thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride
US4746637A (en) * 1984-11-08 1988-05-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Aluminum nitride sintered body and process for producing the same
US4578365A (en) * 1984-11-26 1986-03-25 General Electric Company High thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride
US4578364A (en) * 1984-12-07 1986-03-25 General Electric Company High thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride
US4578232A (en) * 1984-12-17 1986-03-25 General Electric Company Pressureless sintering process to produce high thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride
US4877760A (en) * 1985-05-22 1989-10-31 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same
DE3684821D1 (de) * 1985-06-28 1992-05-21 Toshiba Kawasaki Kk Aluminiumnitridsinterkoerper und verfahren zu seiner herstellung.
DE3627317A1 (de) * 1985-08-13 1987-02-19 Tokuyama Soda Kk Sinterbare aluminiumnitridzusammensetzung, sinterkoerper aus dieser zusammensetzung und verfahren zu seiner herstellung
EP0212659B1 (en) * 1985-08-29 1990-11-07 Toshiba Tungaloy Co. Ltd. Plastic processing method of pressure or pressureless sintered ceramic body and ceramics-made molded material formed by the method
JPS63190761A (ja) * 1987-01-30 1988-08-08 京セラ株式会社 窒化アルミニウム質焼結体
US5154863A (en) * 1985-10-31 1992-10-13 Kyocera Corporation Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof
US4678683A (en) * 1985-12-13 1987-07-07 General Electric Company Process for cofiring structure comprised of ceramic substrate and refractory metal metallization
US4897372A (en) * 1985-12-18 1990-01-30 General Electric Company High thermal conductivity ceramic body
JPH0757709B2 (ja) * 1986-01-31 1995-06-21 ティーディーケイ株式会社 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
US4764321A (en) * 1986-03-28 1988-08-16 General Electric Company High thermal conductivity ceramic body
US4818455A (en) * 1986-05-30 1989-04-04 General Electric Company High thermal conductivity ceramic body
US4843042A (en) * 1986-06-30 1989-06-27 General Electric Company Alkaline earth fluoride additive for sintering aluminum nitride
JPH0717455B2 (ja) * 1986-07-18 1995-03-01 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
US4810679A (en) * 1986-07-21 1989-03-07 General Electric Company Rare earth fluoride additive for sintering aluminum nitride
EP0308873B1 (en) * 1987-09-22 1993-08-04 Nippon Steel Corporation Ceramic composite and process for preparation thereof
US5073526A (en) * 1988-01-27 1991-12-17 W. R. Grace & Co.-Conn. Electronic package comprising aluminum nitride and aluminum nitride-borosilicate glass composite
US5250478A (en) * 1988-07-28 1993-10-05 Kyocera Corporation Aluminum nitride sintered body and process for preparation thereof
JPH02275769A (ja) * 1989-04-17 1990-11-09 Kawasaki Steel Corp 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH03218977A (ja) * 1990-01-22 1991-09-26 Mitsubishi Electric Corp 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP2943275B2 (ja) * 1990-08-07 1999-08-30 住友電気工業株式会社 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPH04254477A (ja) * 1991-02-04 1992-09-09 Sumitomo Electric Ind Ltd ガラス−窒化アルミニウム複合材料
US5320990A (en) * 1993-03-30 1994-06-14 The Dow Chemical Company Process for sintering aluminum nitride to a high thermal conductivity and resultant sintered bodies

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015514661A (ja) * 2012-02-29 2015-05-21 ハリス,ジョナサン・エイチ 過渡液相、窒化アルミニウム製部品の常圧接合
KR20200113846A (ko) * 2019-03-26 2020-10-07 주식회사 엘지화학 붕소 치환된 질화알루미늄 분말 및 이를 제조하기 위한 방법

Also Published As

Publication number Publication date
MY111576A (en) 2000-08-30
TW260656B (ja) 1995-10-21
US5424261A (en) 1995-06-13
SG43215A1 (en) 1997-10-17
WO1995017355A1 (en) 1995-06-29
EP0684937A1 (en) 1995-12-06
AU1442595A (en) 1995-07-10
CA2178824A1 (en) 1995-06-29
CN1142813A (zh) 1997-02-12
EP0684937A4 (en) 1995-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08507038A (ja) 窒化アルミニウム・セラミックスの低温焼成ルート
US5541145A (en) Low temperature sintering route for aluminum nitride ceramics
EP0974565B1 (en) Aluminum nitride sintered body and method of preparing the same
US4711861A (en) Sintered aluminum nitride body and method for making
US5540884A (en) Method of making co-fired, multilayer substrates
KR101751531B1 (ko) 질화 규소 기판 제조방법
US5744411A (en) Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and its preparation
JPH0881265A (ja) 窒化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウム焼結体の製造方法、回路基板および回路基板の製造方法
US5773377A (en) Low temperature sintered, resistive aluminum nitride ceramics
JPS6256109B2 (ja)
US5482903A (en) Aluminum nitride body utilizing a vitreous sintering additive
WO1995002563A1 (en) Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and its preparation
JP2962466B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP2807430B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JP2807429B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP2899893B2 (ja) 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法
JP2742600B2 (ja) 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法
JP2578114B2 (ja) 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法
EP0172382A1 (en) Mullite-Beta Spodumene Composite Ceramic
JP2710311B2 (ja) セラミツク絶縁材料
JP2001122666A (ja) 窒化アルミニウム焼結体と、それを用いた半導体装置および加熱用装置
JP2698014B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH0881266A (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP2772580B2 (ja) 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法
JPH0566339B2 (ja)