ES2703911T3 - Pintura de color cobre - Google Patents

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Abstract

Una composición que comprende los siguientes componentes a. Al menos 30% en peso de vehículo orgánico; b. 0,5 a 35% en peso de Au como tal presente en la composición en la forma de un compuesto orgánico de Au; c. 0,1 a 10% en peso de un metal tetravalente como tal presente en la composición en forma de un compuesto orgánico de metal tetravalente; d. 0 a 6% en peso de Bi como tal presente en la composición en la forma de un compuesto orgánico de Bi; donde el % en peso está basado en el peso total de la composición.

Description

DESCRIPCIÓN
Pintura de color cobre
Campo de la invención
La invención se refiere de forma general a una composición que comprende Au, en particular para uso como pintura, preferiblemente una pintura de color cobre. En particular, la invención se refiere a una composición, un proceso para proporcionar una superficie coloreada, un proceso para su aplicación a un sustrato, preferiblemente cerámico, y superficies coloreadas de esa manera.
Antecedentes de la invención
El uso de pinturas para producir una coloración metálica de superficies es conocido y su aplicación es muy amplia, incluyendo la decoración de menaje de cocina y loza, ornamentos, muebles y productos de diseño de interior. Ha habido una serie de intentos para mejorar tales pinturas, tanto en términos de los colores disponibles como de la aplicabilidad a diferentes superficies.
Se han realizado una serie de intentos en la técnica anterior para proporcionar pinturas de color oro, entre las cuales se encuentran el documento DE3809541C1 que investiga el uso de compuestos de silicio en la preparación de pinturas a base de oro y el documento EP1272574A1 que investiga el uso de un conjunto de tintas para proporcionar un color metálico sobre una superficie.
Todavía existe la necesidad en el estado de la técnica de pinturas mejoradas, en particular pinturas de color cobre.
Compendio de la invención
La invención está basada de forma general en el objeto de superar al menos uno de los problemas encontrados en el estado de la técnica en relación con pinturas coloreadas.
De forma más específica, la invención está basada además en el objeto de proporcionar una composición que puede emplearse para proporcionar una coloración de cobre a una superficie, en particular un color cobre intenso. Otro objeto de la invención es proporcionar una composición que puede emplearse para proporcionar una coloración de cobre a una superficie que presenta buena adhesión física y resistencia química.
Una contribución para conseguir al menos uno de los objetos antes descritos se realiza por la materia objeto de las reivindicaciones que constituyen la categoría de la invención. Una contribución adicional se realiza por la materia objeto de las reivindicaciones dependientes de la invención que representan formas de realización específicas de la invención.
Descripción detallada
Una contribución para conseguir al menos uno de los objetos antes descritos se realiza por las siguientes formas de realización de la invención.
|1| Una composición que comprende los siguientes componentes
a. Al menos aproximadamente 30% en peso de vehículo orgánico;
b. Aproximadamente 0,5 a aproximadamente 35% en peso, preferiblemente aproximadamente 1 a aproximadamente 20% en peso, más preferiblemente aproximadamente 1,5 a aproximadamente 10% en peso, lo más preferiblemente aproximadamente 2 a aproximadamente 7% en peso, de Au como tal presente en la composición en la forma de un compuesto orgánico de Au;
c. Aproximadamente 0,1 a aproximadamente 10% en peso, preferiblemente aproximadamente 0,01 a aproximadamente 10, más preferiblemente aproximadamente 0,05 a aproximadamente 8% en peso, lo más preferiblemente aproximadamente 0,1 a aproximadamente 4% en peso, de un metal tetravalente como tal presente en la composición en forma de un compuesto orgánico de metal tetravalente;
d. Aproximadamente 0 a aproximadamente 6% en peso, preferiblemente aproximadamente 0,1 a aproximadamente 5% en peso, más preferiblemente aproximadamente 0,5 a aproximadamente 4% en peso, lo más preferiblemente aproximadamente 1 a aproximadamente 3% en peso, de Bi como tal presente en la composición en la forma de un compuesto orgánico de Bi;
donde el % en peso está basado en el peso total de la composición.
|2| La composición según la forma de realización |1|, donde la relación molar de Au a metal tetravalente está en el intervalo de aproximadamente 1:5 a aproximadamente 20:1 preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 1:4 a aproximadamente 15:1, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 1:1a aproximadamente 10:1.
|3| La composición según cualquiera de las formas de realización precedentes, donde el metal tetravalente es uno o más seleccionados del grupo que consiste en: Ti, Zr, Hf, Ce, Ni, Mn, Co, Cu, Sn o Si.
|4| La composición según cualquiera de las formas de realización precedentes, donde el metal tetravalente es Ti, Zr o ambos.
|5| La composición según cualquiera de las formas de realización precedentes, donde se satisface uno o más de los siguientes:
a. El compuesto orgánico de Au es un resinato;
b. El compuesto orgánico de metal tetravalente comprende uno o más grupos alcoxi;
c. El compuesto orgánico de Bi es un resinato.
|6| La composición según cualquiera de las formas de realización precedentes, donde se satisface uno o más de los siguientes:
a. El Au en el compuesto orgánico de Au está unido a uno o más átomos de O o uno o más átomos de S o uno o más átomos de O y uno o más átomos de S;
b. El metal tetravalente en el compuesto orgánico de metal tetravalente está unido a uno o más átomos de O; c. El Bi en el compuesto orgánico de Bi está unido a uno o más átomos de O o uno o más átomos de S o uno o más átomos de O y uno o más átomos de S.
|7| Una composición según cualquiera de las formas de realización precedentes, que adicionalmente comprende de aproximadamente 0,001 a aproximadamente 0,2% en peso, preferiblemente de aproximadamente 0,005 a aproximadamente 0,1% en peso, más preferiblemente de aproximadamente 0,01 a aproximadamente 0,05% en peso, lo más preferiblemente de aproximadamente 0,02 a aproximadamente 0,04% en peso, de rodio como tal presente en la composición en la forma de un compuesto orgánico de rodio.
|8| Una composición según cualquiera de las formas de realización precedentes, que comprende además de aproximadamente 0,005 a aproximadamente 0,1% en peso, preferiblemente de aproximadamente 0,008 a aproximadamente 0,05% en peso, más preferiblemente de aproximadamente 0,015 a aproximadamente 0,04% en peso, de cromo como tal presente en la composición en la forma de un compuesto orgánico de cromo.
|9| Una composición según cualquiera de las formas de realización precedentes que, cuando de acuerdo con el método de prueba proporcionado en el presente documento, se superpone sobre un sustrato y se cuece, da una superficie con L* menor de aproximadamente 65 y b*/a* menor de aproximadamente 2,6, preferiblemente menor de aproximadamente 2, más preferiblemente menor de aproximadamente 1,6, aún más preferiblemente menor de aproximadamente 0,5, lo más preferiblemente menor de aproximadamente 0,2.
|10| Un proceso para la preparación de una superficie coloreada que comprende las siguientes etapas:
a. Proporcionar una composición según cualquiera de las formas de realización precedentes;
b. Proporcionar un sustrato;
c. Superponer la composición sobre el sustrato para obtener un precursor;
d. Cocer el precursor para obtener la superficie coloreada.
|11| El proceso de acuerdo con la forma de realización |10|, donde el sustrato está seleccionado del grupo que consiste en:
a. Un primer sustrato que comprende al menos aproximadamente 50% en peso, basado en el peso total del sustrato, de SiO2;
b. Un segundo sustrato que comprende al menos aproximadamente 50% en peso, basado en el peso total del sustrato, de A^O3.
|12| Una superficie coloreada obtenible por un proceso de acuerdo con la forma de realización |10| o |11|.
|13| La superficie coloreada de acuerdo con la forma de realización |12|, donde la superficie coloreada tiene L* menor de aproximadamente 65 y b*/a* menor de aproximadamente 2,6, preferiblemente menor de aproximadamente 2, más preferiblemente menor de aproximadamente 1,6, aún más preferiblemente menor de aproximadamente 0,5, lo más preferiblemente menor de aproximadamente 0,2.
Un aspecto adicional de la presente descripción se refiere a un material compuesto estratificado de acuerdo con las siguientes formas de realización |14| a |16|:
|14| Un material compuesto estratificado que comprende:
a) Un sustrato con una superficie de sustrato;
b) Una capa al menos parcialmente superpuesta sobre la superficie de sustrato;
donde la capa tiene un valor L* menor de aproximadamente 65 y b*/a* menor de aproximadamente 2,6, preferiblemente menor de aproximadamente 2, más preferiblemente menor de aproximadamente 1,6, aún más preferiblemente menor de aproximadamente 0,5, lo más preferiblemente menor de aproximadamente 0,2.
|15| El material compuesto estratificado de acuerdo con la forma de realización |14|, donde la capa comprende los siguientes componentes de capa
a. Aproximadamente 3 a aproximadamente 80% en peso, preferiblemente aproximadamente 30 a aproximadamente 80% en peso, más preferiblemente aproximadamente 40 a aproximadamente 75, lo más preferiblemente aproximadamente 50 a aproximadamente 70% en peso, de Au
b. Aproximadamente 0,1 a aproximadamente 25% en peso, preferiblemente aproximadamente 1 a aproximadamente 20% en peso, más preferiblemente aproximadamente 5 a aproximadamente 15% en peso, lo más preferiblemente aproximadamente 8 a aproximadamente 12% en peso, de un metal tetravalente
c. Aproximadamente 0 a aproximadamente 40% en peso, preferiblemente aproximadamente 5 a aproximadamente 35% en peso, más preferiblemente aproximadamente 10 a aproximadamente 30% en peso, lo más preferiblemente aproximadamente 15 a aproximadamente 28% en peso, de Bi.
|16| El material compuesto estratificado de acuerdo con la forma de realización |14| o |15|, donde la relación molar de Au a metal tetravalente en la capa está en el intervalo de aproximadamente 1:5 a aproximadamente 20:1, preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 1:4 a aproximadamente 15:1, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 1:1a aproximadamente 10:1.
Composición
Composiciones preferidas de acuerdo con la invención son adecuadas para su uso como pinturas para proporcionar una coloración a una superficie, preferiblemente una coloración de cobre, más preferiblemente una coloración de cobre intenso. Composiciones preferidas comprenden como constituyentes de la composición:
a. Al menos aproximadamente 30% en peso de vehículo orgánico;
b. Aproximadamente 0,5 a aproximadamente 35% en peso, preferiblemente aproximadamente 1 a aproximadamente 20% en peso, más preferiblemente aproximadamente 1,5 a aproximadamente 10% en peso, lo más preferiblemente aproximadamente 2 a aproximadamente 7% en peso, de Au como tal presente en la composición en la forma de un compuesto orgánico de Au;
c. Aproximadamente 0,1 a aproximadamente 10% en peso, preferiblemente aproximadamente 0,01 a aproximadamente 10, más preferiblemente aproximadamente 0,05 a aproximadamente 8% en peso, lo más preferiblemente aproximadamente 0,1 a aproximadamente 4% en peso, de un metal tetravalente como tal presente en la composición en forma de un compuesto orgánico de metal tetravalente;
d. Aproximadamente 0 a aproximadamente 6% en peso, preferiblemente aproximadamente 0,1 a aproximadamente 5% en peso, más preferiblemente aproximadamente 0,5 a aproximadamente 4% en peso, lo más preferiblemente aproximadamente 1 a aproximadamente 3% en peso, de Bi como tal presente en la composición en la forma de un compuesto orgánico de Bi;
donde el % en peso está basado en el peso total de la composición.
En una forma de realización de la invención, el contenido de bismuto en la composición es mayor de 0% en peso. En una forma de realización, la composición tiene una viscosidad en el intervalo de aproximadamente 5 a aproximadamente 50 Pas, preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 10 a aproximadamente 40 Pas, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 15 a aproximadamente 30 Pa s.
Compuesto orgánico de Au
Compuestos orgánicos de Au preferidos en el contexto de la invención comprenden oro y al menos un resto orgánico. El contenido e identidad del compuesto orgánico de Au en la composición se elige preferiblemente de modo que contribuya a cumplir al menos uno de los objetos de la invención, preferiblemente permitir que la composición se aplique a una superficie para dar un color de cobre.
Compuestos orgánicos de Au preferidos pueden ser de cadena recta o cíclica, saturados o insaturados, lineales o cíclicos, aromáticos o no aromáticos.
En una forma de realización, el compuesto orgánico de Au comprende un anillo, preferiblemente 2 a 6 anillos, más preferiblemente 3 anillos. En un aspecto de esta forma de realización, el compuesto orgánico no contiene grupos aromáticos. En un aspecto de esta forma de realización, el compuesto orgánico de Au tiene una fórmula general Au-S-R, donde R es un resto orgánico, preferiblemente un compuesto hidrocarbonado, que comprende un anillo, preferiblemente 2 a 6 anillos, más preferiblemente 3 anillos.
En una forma de realización, el compuesto orgánico de Au comprende de 1 a 5 átomos de carbono por molécula. En otra forma de realización, el compuesto orgánico de Au comprende de 6 a 10 átomos de carbono por molécula. En otra forma de realización, el compuesto orgánico de Au comprende de 11 a 20 átomos de carbono por molécula. En otra forma de realización, el compuesto orgánico de Au comprende de 21 a 40 átomos de carbono por molécula.
En una forma de realización de la invención, el compuesto orgánico de Au comprende una o más uniones Au-O-C. En una forma de realización de la invención, el compuesto orgánico de Au comprende una o más uniones Au-S-C.
En una forma de realización, el compuesto orgánico de Au comprende uno o más átomos de oxígeno o uno o más átomos de azufre o uno o más átomos de oxígeno y uno o más átomos de azufre. En un aspecto de esta forma de realización, el Au del compuesto orgánico de Au está unido a uno o más átomos de oxígeno o uno o más átomos de azufre o uno o más átomos de oxígeno y uno o más átomos de azufre.
En una forma de realización de la invención, el compuesto orgánico de Au es un resinato de oro, preferiblemente un resinato de oro azufrado. Tales resinatos están basados en uno o más de los materiales seleccionados del grupo que consiste en: terpenos, derivados de terpeno, bálsamos, derivados balsámicos, copaiba y derivados de copaiba.
En una forma de realización, el compuesto orgánico de Au comprende uno o más restos derivados de un terpeno, donde el terpeno está constituido preferiblemente por unidades de isopreno. El resto derivado de terpeno comprende preferiblemente un radical con la fórmula general:
H(C5H8)n
Donde n es un número entero que no es cero, preferiblemente en el intervalo de 1 a aproximadamente 20, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 2 a aproximadamente 15, lo más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 3 a aproximadamente 10. Se prefiere que el resinato comprenda uno o más átomos de O o uno o más átomos de S o uno o más átomos de O y uno o más átomos de S. En una forma de realización, el resinato de Au comprende uno o más restos con una fórmula química seleccionada del grupo que consiste en: C5H9S, C10H17S, C15H25S, C20H33S, C25H41S, C30H49S, C35H57S, C40H65S, C45H73S, C50H81S. En una forma de realización, el resinato de Au comprende uno o más restos con una fórmula química seleccionada del grupo que consiste en: C5H9O, C10H17O, C15H25O, C20H33O, C25H41O, C30H49O, C35H57O, C40H65O, C45H73O, C50H81O.
En una forma de realización de la invención, el compuesto orgánico de Au comprende uno o más grupos carboxilato, preferiblemente uno o más aniones de ácido graso.
Grupos carboxilato preferidos tienen la fórmula general:
CH3(CH2)nCOO-
Donde n es un número entero en el intervalo de 0 a aproximadamente 50, preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 2 a aproximadamente 40, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 4 a aproximadamente 30, lo más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 6 a aproximadamente 24. Se prefiere que n sea par.
Compuesto orgánico de metal tetravalente
Compuestos orgánicos de metal tetravalente preferidos en el contexto de la invención comprenden uno o más metales tetravalentes y al menos un resto orgánico. El contenido e identidad del compuesto orgánico de metal tetravalente en la composición se elige preferiblemente de modo que contribuya a cumplir al menos uno de los objetos de la invención, preferiblemente permitir que la composición se aplique a una superficie para dar un color de cobre.
Metales tetravalentes preferidos en el este contexto son uno o más seleccionados del grupo que consiste en: Ti, Zr, Hf, Ce, Ni, Mn, Co, Cu, Sn o Si, preferiblemente Zr o Ti, o ambos. En una forma de realización, el metal tetravalente es Ti. En una forma de realización de la invención, la composición comprende un compuesto orgánico de metal tetravalente, en otra forma de realización, comprende dos compuestos orgánicos de metal tetravalente diferentes, en otra forma de realización, comprende tres compuestos orgánicos de metal tetravalente diferentes, en otra forma de realización comprende cuatro compuestos orgánicos de metal tetravalente diferentes.
Compuestos orgánicos de metal tetravalente preferidos pueden ser de cadena recta o cíclica, saturados o insaturados, lineales o cíclicos, aromáticos o no aromáticos.
En una forma de realización, el compuesto orgánico de metal tetravalente comprende de 1 a 5 átomos de carbono por molécula. En otra forma de realización, el compuesto orgánico de metal tetravalente comprende de 6 a 10 átomos de carbono por molécula. En otra forma de realización, el compuesto orgánico de metal tetravalente comprende de 11 a 20 átomos de carbono por molécula. En otra forma de realización, el compuesto orgánico de metal tetravalente comprende de 21 a 40 átomos de carbono por molécula.
En una forma de realización de la invención, el compuesto orgánico de metal tetravalente comprende una o más uniones M-O-C. En una forma de realización de la invención, el compuesto orgánico de Au comprende una o más uniones M-S-C.
En una forma de realización, el compuesto orgánico de metal tetravalente comprende uno o más átomos de oxígeno o uno o más átomos de azufre o uno o más átomos de oxígeno y uno o más átomos de azufre. En un aspecto de esta forma de realización, el metal tetravalente del compuesto orgánico de metal tetravalente está unido a uno o más átomos de oxígeno o uno o más átomos de azufre o uno o más átomos de oxígeno y uno o más átomos de azufre.
En una forma de realización de la invención, el compuesto orgánico de metal tetravalente es un resinato de metal tetravalente.
En una forma de realización, el compuesto orgánico de metal tetravalente comprende uno o más restos derivados de un terpeno, donde el terpeno está constituido preferiblemente por unidades de isopreno. El resto derivado deterpeno comprende preferiblemente un radical con la fórmula general:
H(C5H8)n
Donde n es un número entero que no es cero, preferiblemente en el intervalo de 1 a aproximadamente 20, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 2 a aproximadamente 15, lo más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 3 a aproximadamente 10. Se prefiere que el resinato comprenda uno o más átomos de O o uno o más átomos de S o uno o más átomos de O y uno o más átomos de S. En una forma de realización, el resinato de metal tetravalente comprende uno o más restos con una fórmula química seleccionada del grupo que consiste en: C5H9S, C10H17S, C15H25S, C20H33S, C25H41S, C30H49S, C35H57S, C40H65S, C45H73S, C50H81S. En una forma de realización, el resinato de Au comprende uno o más restos con una fórmula química seleccionada del grupo que consiste en: C5H9O, C10H17O, C15H25O, C20H33O, C25H41O, C30H49O, C35H57O, C40H65O, C45H73O, C50H81O.
En una forma de realización de la invención, el compuesto orgánico de metal tetravalente comprende uno o más grupos carboxilato, preferiblemente uno o más aniones de ácido graso.
Grupos carboxilato preferidos tienen la fórmula general:
CH3(CH2)nCOO-
Donde n es un número entero en el intervalo de 0 a aproximadamente 50, preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 2 a aproximadamente 40, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 4 a aproximadamente 30, lo más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 6 a aproximadamente 24. Se prefiere que n sea par.
En una forma de realización, el compuesto orgánico de metal tetravalente comprende uno o más restos alcoxi, preferiblemente con la fórmula general:
CH3(CH2)nO-
Donde n es un número entero en el intervalo de 0 a aproximadamente 20, preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 1 a aproximadamente 15, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 2 a aproximadamente 10.
En una forma de realización de la invención, la composición comprende un titanato, preferiblemente titanato de alquilo, más preferiblemente titanato de butilo.
Compuesto orgánico de Bi
Compuestos orgánicos de Bi preferidos en el contexto de la invención comprenden bismuto y al menos un resto orgánico. El contenido e identidad del compuesto orgánico de Bi en la composición se elige preferiblemente de modo que contribuya a cumplir al menos uno de los objetos de la invención, preferiblemente permitir que la composición se aplique a una superficie para dar un color de cobre.
Compuestos orgánicos de Bi preferidos pueden ser de cadena recta o cíclica, saturados o insaturados, lineales o cíclicos, aromáticos o no aromáticos.
En una forma de realización, el compuesto orgánico de Bi comprende de 1 a 5 átomos de carbono por molécula. En otra forma de realización, el compuesto orgánico de Bi comprende de 6 a 10 átomos de carbono por molécula. En otra forma de realización, el compuesto orgánico de Bi comprende de 11 a 20 átomos de carbono por molécula. En otra forma de realización, el compuesto orgánico de Bi comprende de 21 a 40 átomos de carbono por molécula.
En una forma de realización de la invención, el compuesto orgánico de Bi comprende una o más uniones Bi-O-C. En una forma de realización de la invención, el compuesto orgánico de Bi comprende un o más uniones Bi-S-C.
En una forma de realización, el compuesto orgánico de Bi comprende uno o más átomos de oxígeno o uno o más átomos de azufre o uno o más átomos de oxígeno y uno o más átomos de azufre. En un aspecto de esta forma de realización, el Bi del compuesto orgánico de Bi está unido a uno o más átomos de oxígeno o uno o más átomos de azufre o uno o más átomos de oxígeno y uno o más átomos de azufre.
En una forma de realización de la invención, el compuesto orgánico de Bi es un resinato de bismuto.
En una forma de realización, el compuesto orgánico de Bi comprende uno o más restos derivados de un terpeno, donde el terpeno está constituido preferiblemente por unidades de isopreno. El resto derivado de terpeno comprende preferiblemente un radical con la fórmula general:
H(C5H8)n
Donde n es un número entero que no es cero, preferiblemente en el intervalo de 1 a aproximadamente 20, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 2 a aproximadamente 15, lo más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 3 a aproximadamente 10. Se prefiere que el resinato comprenda uno o más átomos de O o uno o más átomos de S o uno o más átomos de O y uno o más átomos de S. En una forma de realización, el resinato de Bi comprende uno o más restos con una fórmula química seleccionada del grupo que consiste en: C5H9S, C10H17S, C15H25S, C20H33S, C25H41S, C30H49S, C35H57S, C40H65S, C45H73S, C50H81S. En una forma de realización, el resinato de Bi comprende uno o más restos con una fórmula química seleccionada del grupo que consiste en: C5H9O, C10H17O, C15H25O, C20H33O, C25H41O, C30H49O, C35H57O, C40H65O, C45H73O, C50H81O.
En una forma de realización de la invención, el compuesto orgánico de Bi comprende uno o más grupos carboxilato, preferiblemente uno o más aniones de ácido graso.
Grupos carboxilato preferidos tienen la fórmula general:
CH3(CH2)nCOO-
Donde n es un número entero en el intervalo de 0 a aproximadamente 50, preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 2 a aproximadamente 40, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 4 a aproximadamente 30, lo más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 6 a aproximadamente 24. Se prefiere que n sea par.
En una forma de realización, el compuesto orgánico de bismuto es octoato de bismuto.
Vehículo orgánico
Vehículos orgánicos preferidos comprenden uno o más compuestos orgánicos, siendo uno o más de los compuestos orgánicos líquidos en condiciones atmosféricas (25°C, 100 kPa). El vehículo orgánico contribuye preferiblemente a uno o más de los objetos anteriores. Se prefieren vehículos orgánicos que favorecen la facilidad de impresión de la composición.
Constituyentes preferidos del vehículo orgánico son uno o más seleccionados del grupo que consiste en: un alcohol, un alcano, un alqueno, un éster, un éter, un terpeno, un derivado de terpeno.
Terpenos preferidos están constituidos preferiblemente por unidades de isopreno. El terpeno tiene preferiblemente la fórmula general:
(C5H8)n
Donde n es un número entero que no es cero, preferiblemente en el intervalo de 1 a aproximadamente 20, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 2 a aproximadamente 15, lo más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 3 a aproximadamente 10.
Terpenos preferidos tienen una fórmula química seleccionada del grupo que consiste en: C5H8, C10H16, C15H24, C20H32, C25H40, C30H48, C35H56, C40H64, C45H72, C50H80. En una forma de realización, el terpeno está sulfurado.
Ésteres preferidos están basados preferiblemente en un diol o un triol, más preferiblemente un triol. El diol preferido en este contexto es glicol. El triol preferido en este contexto es glicerol.
Ésteres preferidos, basados preferiblemente en dioles o trioles, comprenden uno o más radicales carboxilato, preferiblemente con la fórmula general:
CHa(CH2)nCOO-Donde n es un número entero en el intervalo de 0 a aproximadamente 50, preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 2 a aproximadamente 40, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 4 a aproximadamente 30, lo más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 6 a aproximadamente 24. Se prefiere que n sea par.
Alcoholes preferidos en este contexto comprenden 1 a aproximadamente 5 átomos de carbono, o aproximadamente 6 a aproximadamente 10 átomos de carbono, o aproximadamente 11 a aproximadamente 20 átomos de carbono. Alcoholes preferidos están basados en terpinas, siendo el alcohol preferido terpineol.
Alcanos preferidos comprenden 1 a aproximadamente 5 átomos de carbono, o aproximadamente 6 a aproximadamente 10 átomos de carbono, o aproximadamente 11 a aproximadamente 20 átomos de carbono.
Color
Una contribución para conseguir al menos uno de los objetos citados antes se realiza por una composición que, cuando se aplica a una superficie y se cuece, proporciona una superficie coloreada, preferiblemente con un color cobre, más preferiblemente con un color cobre intenso. Se prefiere que el color cobre sea un color cobre rojo. Un modo de expresar el color, en particular el color preferido es en términos de los valores L*, a*, b*.
Aplicación a una superficie
La composición de acuerdo con la invención puede aplicarse a una superficie en cualquier modo en el que el experto en la técnica lo considere oportuno con el fin de alcanzar los objetos de la invención. Métodos preferidos de aplicación son uno o más seleccionados del grupo que consiste en: impresión, pulverización, por goteo, vertido, salpicado, pintado con brocha y rasqueteado, preferiblemente impresión.
Métodos preferidos de impresión son uno o más seleccionados del grupo que consiste en: impresión por serigrafiado, impresión por chorro de tinta, impresión por transferencia, ófset.
Cocción
La cocción reduce preferiblemente el contenido de material volátil en la composición en al menos aproximadamente 90% en peso, preferiblemente al menos aproximadamente 95% en peso, más preferiblemente al menos aproximadamente 99% en peso, para obtener una superficie coloreada sólida.
En una forma de realización, las temperaturas de cocción están en el intervalo de aproximadamente 200 a aproximadamente 1000°C, preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 300 a aproximadamente 800°C, más preferiblemente en el intervalo de aproximadamente 400 a aproximadamente 600°C.
Sustratos
Los sustratos preferidos son aislantes térmicos.
En una forma de realización de la invención, el sustrato contiene al menos 50% en peso, preferiblemente al menos 60% en peso, más preferiblemente al menos 70% en peso de óxido inorgánico, preferiblemente uno o más seleccionados del grupo que consiste en: óxido de silicio, óxido de aluminio.
Sustratos preferidos son porcelana o vidrio, preferiblemente uno o más seleccionados del grupo que consiste en: una tetera, un tazón, un vaso, una taza de té, un cuenco, un plato, una olla de cocina, una fuente de horno, una sartén, una cacerola, un wok, una plancha y una jarra. Cada uno de estos se considera una forma de realización preferida de la invención.
Descripción de los dibujos
La invención se explica ahora por medio de figuras que únicamente pretenden ilustrar y no se considerarán limitantes del ámbito de la invención.
La Figura 1 muestra un proceso 100 preferido para proporcionar una superficie coloreada. De arriba abajo: Primero se proporciona un sustrato 101, preferiblemente SiO2 o AO2. A continuación, se superpone una composición 102 de acuerdo con la invención sobre una superficie 101 del sustrato. A continuación, se cuece el sustrato 101, preferiblemente a una temperatura de aproximadamente 500°C tal que la composición 102 se convierta en una superficie coloreada 103, preferiblemente una superficie de color cobre.
Métodos de prueba
Medida del color L*,a*,b*
El color de la composición de acuerdo con cualquier forma de realización de la invención se proporciona por valores de color en el espacio de color CIE L*a*b* definido en la norma internacional EN ISO 11664-4. Las medidas del color se llevaron a cabo usando un Espectrofotómetro Konica Minolta CM-700d (de Konica Minolta Sensing China, Shanghai) en el sistema de espacio de color CIE L*a*b* Después de calibrar con dos dispositivos que representan el fondo de negro ideal y de blanco ideal tal como se suministra por Minolta-Konica, se realizaron las medidas colocando el instrumento en la capa de oro cocida en modo SCE. En el caso de sustratos transparentes, las muestras se colocaron en el fondo blanco ideal de Minolta. Se registraron y se promediaron cinco medidas. Para estas medidas la pasta se aplicó sobre placas de cuarzo HSQ 100 (Heraeus Quarzglas GmbH & Co KG) con 2 mm de grosor y se cocieron con el siguiente perfil: calentamiento desde temperatura ambiente hasta 700°C en 30 minutos, mantenimiento a 700°C durante 10 minutos seguido de enfriamiento balístico.
Composición elemental de la composición
Para determinar el contenido de los metales Ag, Au, B, Bi, Ca, Cr, Cu, Ni, Ir, Pd, Pt, Rh, V, Zn, Zr, Si, Sn, Os y Ti en las composiciones se usó espectroscopía de emisión atómica de acoplamiento inductivo (ICP). El instrumento usado fue un Varian Vista-MPX (de Varian Inc.) y el software ICP expert (de Varian Inc.).
La calibración se realiza preparando dos muestras de calibración para los siguientes metales mezclando soluciones patrón de los metales con contenido conocido de metal con agua regia (mezcla de HCl y HNO3 concentrados con la relación 3:1). En la tabla siguiente se dan las concentraciones de las soluciones de calibración mg/l.
Figure imgf000009_0001
Medida de muestras: Se mezclan 0,10 /- 0,02 g de la muestra con 3 ml de HNO3 y 9 ml de HCl concentrado, y se trata en un horno de microondas Multiwave 3000 (de Anton Paar) a 800-1200 W durante 60 min. La solución resultante se añade a 9 ml de solución de HCl al 50% en volumen y se mide.
Se hace funcionar el instrumento ICP en las siguientes condiciones:
Figure imgf000009_0002
Se usaron las siguientes longitudes de onda [nm] para evaluar el contenido en metal: Ag 338,29; In 303,94; Sn 181,06520,91 325,61 189,93546,55; Ir254,40; Ti 334,19; Au 197,74263,97336,12242,79; Pd 229,65; V 292,40267,59340,46309,31; B 208,96360,96; Zn 206,20; 249,77; Pt 203,65334,50; Bi 223,06214,42; Zr 343,82 306,77 217,47 349,62; Ca 396,85; Rh 249,08 422,67 343,49; Cr 205,56 369,24 283,56; Ru 240,27; Cu 224,70245,66324,75; Si 251,61; Ni 216,55288,16231,60; Os 225,59 y 236,74.
Abrasión
Para la prueba de abrasión se usó un equipo de pruebas de abrasión modelo “Payne Pin Abrasion Tester PPAT2” (de Anderen Ltd., Reino Unido). Se envolvió un perno de 5 mm de diámetro con algodón y se usó una carga de 100 g para presionar el perno sobre la superficie. Se registró el número de golpes después del cual aparecieran los primeros arañazos visibles. Se registraron y promediaron tres medidas.
Adhesión
La adhesión se probó usando una cinta adhesiva TESA 4124 (de tesa Beiersdorf) que se aplicó cuidadosamente a una superficie plana de la capa de oro sobre el sustrato. Esta se frotó firmemente y se presionó sobre la misma y a continuación se despegó con la mano con un ángulo de 90° con respecto a la superficie. La cinta adhesiva retirada se colocó sobre un trozo blanco de papel y la prueba se pasa cuando no hay partículas visibles de la capa probada que se adhieren a la cinta adhesiva.
Prueba del lavavajillas
Se realizó una prueba del lavavajillas de acuerdo con las normas DIN EN 12875-1 y DIN EN 12875-2. Se usó un lavavajillas profesional Miele G7835 CD (Miele, Guetersloh) y se aplicó el detergente “finish classic” (Rickett-Benckieser, Ladenburg). En la tabla 2 “pasa” indica que pasa la prueba después de al menos 500 ciclos, mientras que “falla” denota que no pasa la prueba después de 500 ciclos.
Ejemplos
Preparación de la composición
Los constituyentes de acuerdo con la Tabla 1 se mezclaron durante 10 minutos a 25°C, 100 kPa, usando agitación magnética.
Tabla 1
Figure imgf000010_0001
Aplicación a un sustrato
Las pastas se aplicaron por serigrafiado usando una malla de poliéster 140T disponible comercialmente de Sefar AG, Suiza, a un sustrato de dióxido de silicio disponible comercialmente de Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG, Alemania. A continuación, se calentó la pasta sobre el sustrato hasta 700°C durante 30 minutos y se mantuvo a 700°C durante 10 minutos y se enfrió hasta temperatura ambiente balísticamente y midieron los valores de color L*, a* & b* de acuerdo con el método de prueba. Los resultados se dan en la Tabla 2.
Tabla 2
Figure imgf000011_0001
El color del Ejemplo comparativo 2 fue oro, no cobre como se requería. Referencias de la figura
100 Proceso de aplicación
101 Sustrato
102 Composición
103 Superficie coloreada

Claims (13)

REIVINDICACIONES
1. Una composición que comprende los siguientes componentes
a. Al menos 30% en peso de vehículo orgánico;
b. 0,5 a 35% en peso de Au como tal presente en la composición en la forma de un compuesto orgánico de Au; c. 0,1 a 10% en peso de un metal tetravalente como tal presente en la composición en forma de un compuesto orgánico de metal tetravalente;
d. 0 a 6% en peso de Bi como tal presente en la composición en la forma de un compuesto orgánico de Bi; donde el % en peso está basado en el peso total de la composición.
2. La composición según la reivindicación 1, donde la relación molar de Au a metal tetravalente está en el intervalo de aproximadamente 1:5 a aproximadamente 20:1.
3. La composición según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, donde el metal tetravalente es uno o más seleccionados del grupo que consiste en: Ti, Zr, Hf, Ce, Ni, Mn, Co, Cu, Sn o Si.
4. La composición según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, donde el metal tetravalente es Ti, Zr o ambos.
5. La composición según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, donde se satisface uno o más de los siguientes: a. El compuesto orgánico de Au es un resinato;
b. El compuesto orgánico de metal tetravalente comprende uno o más grupos alcoxi;
c. El compuesto orgánico de Bi es un resinato.
6. La composición según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, donde se satisface uno o más de los siguientes: a. El Au en el compuesto orgánico de Au está unido a uno o más átomos de O o uno o más átomos de S o uno o más átomos de O y uno o más átomos de S;
b. El metal tetravalente en el compuesto orgánico de metal tetravalente está unido a uno o más átomos de O; c. El Bi en el compuesto orgánico de Bi está unido a uno o más átomos de O o uno o más átomos de S o uno o más átomos de O y uno o más átomos de S.
7. Una composición según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, que comprende además de aproximadamente 0,001 a aproximadamente 0,2% en peso de rodio como tal presente en la composición en la forma de un compuesto orgánico de rodio.
8. Una composición según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, que comprende además de aproximadamente 0,005 a aproximadamente 0,1% en peso de cromo como tal presente en la composición en la forma de un compuesto orgánico de cromo.
9. Una composición según cualquiera de las reivindicaciones anteriores que cuando de acuerdo con el método de prueba proporcionado en el presente documento se superpone sobre un sustrato y se cuece, da una superficie con L* menor de aproximadamente 65 y b*/a* menor de aproximadamente 2,6.
10. Un proceso para la preparación de una superficie coloreada que comprende las siguientes etapas:
a. Proporcionar una composición según cualquiera de las reivindicaciones anteriores;
b. Proporcionar un sustrato;
c. Superponer la composición sobre el sustrato para obtener un precursor;
d. Cocer el precursor para obtener la superficie coloreada.
11. El proceso según la reivindicación 10, donde el sustrato está seleccionado del grupo que consiste en:
a. Un primer sustrato que comprende al menos aproximadamente 50% en peso, basado en el peso total del sustrato, de SiO2;
b. Un segundo sustrato que comprende al menos aproximadamente 50% en peso, basado en el peso total del sustrato, de AhO3.
12. Una superficie coloreada obtenible por un proceso según la reivindicación 10 u 11.
13. La superficie coloreada según la reivindicación 12, donde la superficie coloreada tiene L* menor de aproximadamente 65 y b*/a* menor de aproximadamente 2,6.
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Families Citing this family (286)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) * 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3660137A (en) * 1968-06-25 1972-05-02 Shigemasa Furuuchi Heat-reflecting glass and method for manufacturing the same
US4418099A (en) * 1982-02-05 1983-11-29 Engelhard Corporation Non-burnished precious metal composition
DE3544339C1 (de) * 1985-12-14 1987-01-29 Degussa Poliergoldpraeparat
US4808274A (en) * 1986-09-10 1989-02-28 Engelhard Corporation Metallized substrates and process for producing
JPH0765011B2 (ja) * 1987-06-22 1995-07-12 田中貴金属工業株式会社 有機貴金属インク
US4775608A (en) * 1987-10-05 1988-10-04 International Business Machines Corporation Generation of capacitive servo patterns on magnetic storage disks
DE3809541C1 (es) 1988-03-22 1989-08-10 Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De
JPH02140278A (ja) * 1988-11-21 1990-05-29 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 金属および金属酸化物薄膜形成材料
JPH03100077A (ja) * 1989-09-13 1991-04-25 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk メタロオーガニック用希釈液
DE4040446A1 (de) * 1990-12-18 1992-06-25 Degussa Gold(i)mercaptocarbonsaeureester, verfahren zu ihrer herstellung und verwendung
RU2067599C1 (ru) * 1992-06-10 1996-10-10 Дулевский красочный завод Препарат жидкого золота
JPH06330327A (ja) * 1993-05-14 1994-11-29 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 金属薄膜複合材料の製造方法
JP2651129B2 (ja) * 1995-05-31 1997-09-10 浪速金液株式会社 抗菌性を有するラスター
JP3705666B2 (ja) * 1997-01-28 2005-10-12 石福金属興業株式会社 有機白金インク
DE19704479A1 (de) * 1997-02-06 1998-08-13 Cerdec Ag Dekorpräparat zur Herstellung goldhaltiger Dekore und deren Verwendung
JP2000103646A (ja) * 1998-09-30 2000-04-11 Ne Chemcat Corp ガラス等の無機材料の透明着色用組成物
JP3784973B2 (ja) * 1998-10-22 2006-06-14 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 耐久性及び耐薬品性に優れたセラミック上絵付用水金
DE19941020B4 (de) * 1999-08-28 2007-07-19 Ferro Gmbh Glanzedelmetallpräparat für den Hochtemperaturbrand und Verfahren zur Herstellung von Glanzedelmetalldekoren
JP2001130985A (ja) * 1999-10-29 2001-05-15 Narumi China Corp ペーストプラチナおよびプラチナ装飾品
US6402823B1 (en) * 2000-01-07 2002-06-11 Ferro Corporation Individual inks and an ink set for use in the color ink jet printing of glazed ceramic tiles and surfaces
JP2004182764A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Fuji Xerox Co Ltd インクジェット用記録液、及びそれを用いた画像記録方法
CN100519012C (zh) * 2003-09-12 2009-07-29 独立行政法人产业技术综合研究所 能够以微细的液滴的形状喷射、层叠涂布的金属纳米粒子分散液
DE102004017335B4 (de) * 2003-12-17 2013-09-26 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Edelmetallpräparate und Lüsterpräparate für den direkten und indirekten Siebdruck, ihre Verwendung und keramisches Abziehbild
US8197901B2 (en) * 2007-07-16 2012-06-12 University Of Kentucky In-situ nanoparticle formation in polymer clearcoats
ATE524513T1 (de) * 2008-07-17 2011-09-15 Gore W L & Ass Gmbh Antimikrobielle beschichtungen mit einem komplex aus einem ionischen fluorpolymer und einem antimikrobiellen gegenion
CN101781093B (zh) * 2010-01-19 2013-06-05 深圳市永丰源实业有限公司 一种具有稳定抗微波功能的贵金属制剂及其制作工艺和用途
EP2607432A1 (de) * 2011-12-21 2013-06-26 Merck Patent GmbH Effektpigmente basierend auf Substraten die einen Kreisformfaktor von 1,2-2 aufweisen
EP2733759A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-21 Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG Multi-layer composite with metal-organic layer

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