DE69919442T2 - Laserarray zur Emission von mehreren Wellenlängen - Google Patents

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Description

  • Diese Erfindung bezieht sich auf eine Mehrwellenlängen-Laserstruktur und insbesondere auf eine Mehrwellenlängen-Laserarraystruktur, die durch Laserstrukturen auf zwei unterschiedlichen Substraten hergestellt ist.
  • Adressierbare, monolithische Mehrwellenlängen-Lichtquellen, speziell Arrays, die gleichzeitig Lichtstrahlen unterschiedlicher Wellenlängen von unterschiedlichen Laserelementen in der monolithischen Struktur abgeben können, sind in einer Vielzahl Anwendungen nützlich, beispielsweise bei Farbdruckern, digitaler Vollfarben-Filmaufzeichnung, Farbdisplays und anderen optischen Aufzeichnungs- und Speichersystemanwendungen.
  • Die Leistung vieler Vorrichtungen, beispielsweise Laserdruckern und optischer Speicher, kann durch die Einbeziehung von mehreren Laserstrahlen verbessert werden. Beispielsweise können Laserdrucker, die mehrere Strahlen verwenden, größere Druckgeschwindigkeiten und/oder eine bessere Punktschärfe haben, als Drucker, die nur einen einzigen Strahl verwenden.
  • In diesen und vielen Anwendungen sind eng benachbarte Laserstrahlen unterschiedlicher Wellenlängen erwünscht.
  • Ein Weg, eng beabstandete Laserstrahlen zu erhalten, besteht darin, mehrere Laseremissionsorte oder Laserstreifen auf einem gemeinsamen Substrat auszubilden. Während dieses sehr eng beabstandete Strahlen ermöglicht, geben bekannte monolithische Laserarrays typischerweise Laserstrahlen mit nur einer Wellenlänge ab.
  • Im Stand der Technik sind zahlreiche Lösungen bekannt, Laserstrahlen unterschiedlicher Wellenlängen mit einem monolithischen Laserarray zu erzeugen. Beispielsweise ist es gut bekannt, dass eine kleine Wellenlängendifferenz erzielt werden kann, indem man die Treiberzustände in jedem Anregungsbereich variiert. Dieses ist zwar leicht erreichbar, jedoch ist für die meisten Anwendungsfälle der kleine Wellenlängenunterschied unzureichend.
  • Für die meisten gewünschten Anwendungsfälle sollten idealerweise die Laserelemente Licht unterschiedlicher, weit beabstandeter Wellenlängen abgeben. In einem bevorzugten monolithischen Aufbau würden die Laserelemente Licht über ein breit verteiltes Spektrum von infrarot über rot bis blau abgeben. Ein Problem besteht darin, dass Laserquellen unterschiedlicher Wellenlängen unterschiedliche aktive Lichtemissionsschichten benötigen, nämlich Nitridhalb leiterschichten, wie InGaAlN für blaue Laser, Arsenidhalbleiterschichten, wie AlInGaAs für infrarote und Phosphidhalbleiterschichten, wie GaInP für rote Laser.
  • Ein Verfahren zum Erzielen dieser größeren Wellenlängendifferenzen ist es, einen ersten Satz aktiver Schichten auf einem Substrat wachsen zu lassen, um ein erstes laserndes Element zu bilden, das Licht bei einer Wellenlänge abgibt, und dann zu ätzen und einen zweiten Satz aktiver Schichten nahe der ersten wieder wachsen zu lassen, um ein zweites laserndes Element einer zweiten Wellenlänge zu bilden. Dieses Verfahren erfordert jedoch gesonderte Kristallwachstumsvorgänge für jedes lasernde Element, was nicht einfach ausgeführt werden kann. Weiterhin verwenden die Arsenid- und Phosphid-Halbleiterstrukturen von Infrarot- und Rot-Lasern ein Substrat, das sich von dem der Nitridhalbleiterstrukturen blauer Laser unterscheidet und damit nicht kompatibel ist. Eine Gitterfehlanpassung zwischen Halbleiterschichten führt zu einer schwachen oder nicht vorhandenen Leistung einer oder mehrerer der Laserstrukturen.
  • Eine weitere Technik zur Erzielung von Laserstrahlen unterschiedlicher Wellenlängen mit einem monolithischen Laserarray besteht darin, gestapelte aktive Bereiche zu verwenden. Ein monolithisches Array mit gestapeltem aktivem Bereich ist ein solches, bei dem mehrere aktive Bereiche sandwichartig zwischen gemeinsamen Deckschichten angeordnet sind. Jeder aktive Bereich besteht aus einem dünnen Volumen, das innerhalb eines Laserstreifens enthalten ist. Die Laserstreifenenthalten unterschiedliche Anzahlen aktiver Bereiche, die Laserstahlen unterschiedlicher Wellenlängen abgeben.
  • In einem monolithischen Laserarray mit gestapelten aktiven Bereichen fließt Strom nacheinander durch die gestapelten aktiven Bereiche. Der aktive Bereich mit der niedrigsten Energielücke lasert, wodurch er die Wellenlängen des Laserstrahls bestimmt, der von diesem Teil des Arrays abgegeben wird. Um die Abgabe einer weiteren Wellenlänge zu erzielen, wird der aktive Bereich der zuvor niedrigsten Energielücke vom Teil des Array entfernt, und Strom wird durch die verbliebenen gestapelten Bereiche gesandt.
  • Ein Hauptproblem monolithischer Laserarrays mit gestapelten aktiven Bereichen besteht darin, dass sie schwierig herzustellen sind, selbst sogar mit Arsenid- und Phosphidhalbleiterschichten. Die Hinzufügung von Nitridhalbleiterschichten macht eine optische Leistung nahezu unmöglich und in wirklichen Anwendungsfällen unpraktikabel.
  • Seite an Seite befindliche Laserarrays können nicht nur eng beabstandete Laserstrahlen unterschiedlicher Wellenlängen abgeben, die abgegebenen Laserstrahlen sind vorteilhafterweise auch ausgerichtet.
  • Die Erfindung ist den Ansprüchen 1 und 6 angegeben. Zahlreiche Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Gemäß einer besonderen Ausführungsform dieser Erfindung ist eine Seite an Seite ausgebildete Rot/Infrarot-Laserstruktur auf einer Blau-Laserstruktur befestigt, um eine hybride, integrierte Rot/Blau/Infrarot-Laserstruktur zu bilden. Laserarraystrukturen mit Elementen unterschiedlicher Wellenlängen können durch das Verfahren von Anspruch 6 in Halbleitermaterialsystemen hergestellt werden, die für Ätz- und Wiederwachstumsherstellungstechniken inkompatibel sind. Spezielle Ausführungsformen von Laserstrukturen gemäß dieser Erfindung werden nun unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
  • 1 ist eine Querschnittsseitenansicht der Halbleiterschichten der Rot/Infrarot-Nebeneinander-Laserstruktur der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ist eine geschnittene Seitenansicht der Halbleiterschichten der Rot/Infrarot-Nebeneinander-Rippenwillenleiter-Laserstruktur der vorliegenden Erfindung;
  • 3 ist eine geschnittene Seitenansicht der Halbleiterschichten der Blau-Laserstruktur der vorliegenden Erfindung;
  • 4 ist eine geschnittene Seitenansicht der Halbleiterschichten der Blau-Rippenwellenleiter-Laserstruktur der vorliegenden Erfindung;
  • 5 ist eine geschnittene Seitenansicht der Lötperlen auf den Kontaktflecken der Rot/Infrarot-Laserstruktur und der Blau-Laserstruktur für das Flip-Chip-Bonden der vorliegenden Erfindung;
  • 6 ist eine geschnittene Seitenansicht der Halbleiterschichten der Rot/Infrarot-Nebeneinander-Laserstruktur und der Blau-Laserstruktur vor dem Flip-Chip-Bonden der vorliegenden Erfindung, und
  • 7 ist eine geschnittene Seitenansicht der Halbleiterschichten der gestapelten Rot/Blau/Infrarot-Laserstruktur, die durch Flip-Chip-Bonden der vorliegenden Erfindung hergestellt ist.
  • Die vorliegende Erfindung umfasst die Herstellung einer Rot/Infrarot-Nebeneinander-Laserstruktur, die Herstellung einer Blau-Laserstruktur, das Umklappen der gestapelten Rot/Infrarot- Laserstruktur zum Flip-Chip-Bonden der Rot/Infrarot-Nebeneinander-Laserstruktur auf die Blau-Laserstruktur und das Bilden der resultierenden, integrierten Rot/Blau/Infrarot-Laserstruktur.
  • Es wird nun auf 1 Bezug genommen, die eine Rot/Infrarot-Nebeneinander-Laserstruktur 100 gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Wie in 1 gezeigt, wird eine untere Deckschicht 104 Al0,5In0,5P vom n-Typ auf einem GaAs-Substrat 102 vom n-Typ aufwachsen gelassen unter Verwendung eines allgemein bekannten, epitaxialen Abscheideprozesses, der üblicherweise als metallorganische chemische Dampfabscheidung ("MOCVD") bezeichnet wird. Andere Abscheideprozesse, wie Flüssigphaseepitaxie ("LPE"), Molekularstrahlepitaxie ("MBE") oder andere bekannte Kristallwachsprozesse können ebenfalls verwendet werden. Die Aluminiummolfraktion und der Dotierpegel der unteren Deckschicht 104 liegen im Bereich von 50% bzw. 1 bis 5 × 1018 cmcm –3. Die Dicke der AlInP-Deckschicht 104 beträgt etwa 1 μm. Der Dotierpegel des GaAs-Substrats 102 vom n-Typ ist etwa 5 × 1018 cm-3 oder höher.
  • Eine untere Sperrschicht 106 aus undotiertem Al0,4Ga0,6As wird auf der Deckschicht 104 abgeschieden. Die untere Sperrschicht 106 hat einen Aluminiumgehalt von etwa 40% und eine Dicke von etwa 120 nm. Nachdem diese untere Sperrschicht 106 abgeschieden worden ist, wird eine aktive Schicht 108 aus In0,15Al0,15Ga0,7As abgeschieden. Die aktive Schicht 108 sollte Licht bei etwa 835 nm abgeben. Die aktive Schicht 108 kann eine Einzelquantenquelle, eine Vielfachquantenquelle oder eine Schicht mit einer Dicke sein, die größer als die einer Quantenquelle ist. Die Dicke einer Quantenquelle liegt typischerweise im Bereich zwischen 5 und 20 nm und ist in diesem Beispiel 8 nm. Auf die aktive Schicht 108 wird eine obere Sperrschicht 110 aus undotiertem Al0,4Ga0,6As abgeschieden. Der Aluminiumgehalt dieser Sperrschicht 110 ist typischerweise 40%, ihre Dicke beträgt etwa 120 nm. Die unteren und oberen Sperrschichten 106 und 110 bilden zusammen mit der aktiven Schicht 108 den aktiven Bereich 112 für eine Laserstruktur mit einem niedrigeren Schwellenstrom und einer kleineren optischen Streuung.
  • Auf die obere Sperrschicht 110 der InfraRot-Laserstruktur 120 wird eine obere Deckschicht 114 aus Al0,5In0,5P von etwa 1 μm Dicke abgeschieden. Typischerweise hat diese obere Deckschicht 114 einen Aluminiumgehalt von 50% und einen Magnesium-Dotierpegel von 5 × 1018 cm–3.
  • Auf die obere Deckschicht 114 aus Al0,5In0,5P vom p-Typ wird eine Sperrreduktionsschicht 116 aus Ga0,5In0,5P abgeschieden, die typischerweise eine Dicke von 50 nm und einen Magnesium-Dotierpegel von etwa 5 × 1018 cm–3 hat. Auf diese Sperrreduktionsschicht 116 aus GaInP wird eine p+-GaAs-Abdeckschicht 118 abgeschieden, die typischerweise 100 nm dick ist und eine Magnesiumdotierung von 1 × 1019 cm–3 hat.
  • Diese Halbleiterschichten 102 bis 118 bilden die Infrarot-Laserstruktur 120.
  • Die Laserstruktur 100 von 1 mit der epitaxial abgeschiedenen Infrarot-Laserstruktur 120 wird dann mit einer Schicht (nicht gezeigt) aus einem Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) bedeckt. Streifenfenster werden dann in der Siliziumnitrid- oder -oxidschicht durch Photolithographie und Plasmaätzung geöffnet. Die Streifenfenster (nicht gezeigt) sind 300 μm breit mit einem Abstand von 500 μm. Chemische Nassätzung mit Zitronensäure (C6H8O7:H2O):Wasserstoffperoxid (H2O2) und Bromsäure (HBr) wird dann eingesetzt, um die Schichten der Infrarot-Laserstruktur 120 von der Abdeckschicht 118, der Sperrreduktionsschicht 116, der oberen Deckschicht 114, der oberen Sperrschicht 110, der aktiven Schicht 108, der unteren Sperrschicht 106 und der unteren Deckschicht 104 im Fensterbereich bis hinab zum n-GaAs-Substrat 102 wegzuätzen. Die Rot-Laserstruktur wird dann im Fensterbereich auf dem Substrat aufgewachsen. Sobald die Rot-Laserstruktur abgeschieden worden ist, werden die Siliziumnitrid- oder -oxidschicht auf der verbliebenen Infrarot-Laserstruktur 120 durch Plasmaätzung entfernt.
  • Auf dem GaAs-Substrat 102 vom n-Typ wird eine untere Deckschicht 124 aus Al0,5In0,5P vom n-Typ abgeschieden. Die Aluminiummolfraktion und der Dotierpegel der unteren Deckschicht 124 liegen im Bereich von 50% bzw. 1 bis 5 × 1018 cm–3. Die Dicke der AlInP-Deckschicht 124 beträgt etwa 1 μm.
  • Eine untere Sperrschicht 126 aus undotiertem In0,5(Al0,6Ga0,4)0,5P wird auf die untere Deckschicht 124 abgeschieden. Die untere Sperrschicht 126 hat einen Aluminiumgehalt von etwa 30% und eine Dicke von etwa 120 nm. Nachdem diese untere Sperrschicht 126 abgeschieden worden ist, wird eine aktive Schicht 128 aus In0,6Ga0,4P abgeschieden. Die aktive Schicht 128 gibt Licht mit etwa 670 nm ab. Die aktive Schicht 128 kann eine Einzelquantenquelle, eine Mehrfachquantenquelle oder eine Schicht mit einer Dicke sein, die größer als die einer Quantenquelle ist. Die Dicke einer Quantenquelle liegt typischerweise im Bereich von 5 und 20 nm und beträgt in diesem Falle 8 nm. Auf die aktive Schicht 128 wird eine obere Sperrschicht 130 aus undotiertem In0,5(Al0,6Ga0,4)0,5P abgeschieden. Der Aluminiumgehalt dieser Sperrschicht 130 ist typischerweise 30% und ihre Dicke beträgt etwa 120 nm. Die unteren und oberen Sperrschichten 126 und 130 bilden zusammen mit der aktiven Schicht 128 einen aktiven Bereich 132 für eine Laserstruktur mit einem niedrigeren Schwellenstrom und einer kleineren optischen Divergenz.
  • Auf der oberen Sperrschichtschicht 130 in der roten Laserstruktur 140 ist eine obere Al0,5In0,5P-Deckschicht 134 von etwa 1 μm Dicke abgeschieden. Typischerweise hat diese obere Deckschicht 134 einen Aluminiumgehalt von 50% und einen Magnesiumdotierpegel von 5 × 1018 cm –3.
  • Auf der oberen Al0,5In0,5P-Deckschicht 134 vom p-Typ ist eine Sperrreduktionsschicht 136 aus Ga0,5In0,5P abgeschieden, die typischerweise eine Dicke von 15 nm und einen Magnesiumdotierpegel von etwa 5 × 1018 cm–3 hat. Auf diese GaInP-Sperrreduktionsschicht 136 ist eine p+-GaAs-Abdeckschicht 138 abgeschieden, die typischerweise nm dick ist und eine Magnesiumdotierung von 1 × 1019 cm–3 hat.
  • Diese Halbleiterschichten 102 und 124 bis 138 bilden die rote Laserstruktur 140.
  • Die Infrarot-Laserstruktur 120 und die Rot-Laserstruktur 140 haben das gleiche Substrat 102. Die oberen und unteren Deckschichten und die Sperrreduktions- und Abdeckschichten für die Infrarot-Laserstruktur 120 und die Rot-Laserstruktur 140 sind die gleichen Halbleitermaterialien mit gleichen Dicken und gleicher Dotierung oder Nicht-Dotierung. Da die oberen und unteren Sperrschichten die aktiven Schichten der Infrarot-Laserstruktur 120 und der Rot-Laserstruktur 140 gleiche Dicke haben (obgleich aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien), haben die aktiven Bereiche für die Lichtabgabe der zwei Laserstrukturen 120 und 140 innerhalb der Laserstruktur 100 die gleiche Höhe und liegen sie parallel. In gleicher Weise sind die Elektrodenkontakte für die Infrarot-Laserstruktur 120 und der Rot-Laserstruktur 140 auf den Deckschichten 118 und 138 gleich hoch und parallel.
  • Die Infrarot-Laserstruktur 120 und die Rot-Laserstruktur 140 der Nebeneinander-Laserstruktur 100 können genaue seitliche Abstände von 50 μm oder weniger haben, mit einem vertikalen Null- oder Minimalabstand zwischen den Nebeneinander-Laserstrukturen.
  • Rippenwellenleiter können für die Infrarot/Rot-Nebeneinander-Laserstruktur 100 in 2 hergestellt werden.
  • Nachdem alle Halbleiterschichten der in 1 gezeigten Halbleiterstruktur 100 abgeschieden worden sind, wird eine Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiO2) auf der Oberfläche der Abdeckschicht 118 der Infrarot-Laserstruktur 120 und auf der Oberseite der Abdeckschicht 138 der Rot-Laserstruktur 140 von 2 abgeschieden. Doppelstreifen von 50 μm Abstand werden auf die Abdeckschichten 118 und 138 aufgebracht, wobei offene Fenster zwischen den Streifen verbleiben.
  • Eine gemischte Brom-Methanol-Lösung (Br:CH3OH) ätzt durch die unmaskierten Abschnitte der Deckschicht 118 und der Sperrreduktionsschicht 116 der Infrarot-Laserstruktur 120 und hinterlässt eine kleine Hochebene 150 der maskierten und daher ungeätzten Deckschicht 118 und Sperrreduktionsschicht 116 zwischen den offenen Fensterrillen.
  • Die gemischte Brom-Methanol-Lösung (Br:CH3OH) ätzt auch durch die unmaskierten Abschnitte der Deckschicht 138 und der Sperrreduktionsschicht 136 der Rot-Laserstruktur 140 und hinterlässt eine kleine Hochebene 152 der maskierten und daher ungeätzten Deckschicht 138 und Sperrreduktionsschicht 136 zwischen den offenen Fensterrillen.
  • Phosphorsäure (H3PO4) ätzt dann die unmaskierten Abschnitte der oberen, 1 μm dicken Al0,5In0,5P-Deckschicht 114 vom p-Typ zu beiden Seiten der Hochebene 150 hinab zu einer 0,35 μm dicken oberen Deckschicht 114 aus Al0,5In0,5P vom p-Typ über dem aktiven Bereich 112 der Schichten 110, 108 und 106 unter Verwendung einer zeit-abgestimmten Ätztechnik.
  • Die Phosphorsäure (H3PO4) ätzt auch die unmaskierten Abschnitte der oberen, 1 μm dicken Al0,5In0,5P-Deckschicht 134 vom p-Typ zu beiden Seiten der Hochebene 152 hinab zu einer 0,35 μm dicken, oberen Al0,5In0,5P-Deckschicht 134 vom P-Typ über dem aktiven Bereich 132 der Schichten 130, 128 und 126 unter Verwendung einer zeit-abgestimmten Ätztechnik.
  • Reaktives Ionenätzen kann anstelle einer chemischen Nassätzung verwendet werden.
  • Nach Abschluss des Ätzvorgangs, wie in 2 gezeigt, werden die Siliziumnitridstreifen entfernt.
  • Die verbleibende obere Al0,5In0,5P-Deckschicht 154 unter der Hochebene 150 bildet den Rippenwellenleiter 156 für den optischen Einschluss des vom aktiven Bereich der Infrarot-Laserstruktur 120 abgegebenen Lichts.
  • Die verbliebene obere Al0,5In0,5P-Deckschicht 158 unter der Hochebene 152 bildet den Rippenwellenleiter 160 für den optischen Einschluss des vom aktiven Bereich der Rot-Laserstruktur 140 abgegebenen Lichts.
  • Eine Isolationsrille 162 wird zwischen die Infrarot-Laserstruktur 120 und die Rot-Laserstruktur 140 hinab zum Substrat 102 geätzt, um eine elektrische und thermische Isolierung zwischen den zwei Laserstrukturen zu schaffen, um ein Übersprechen zwischen den zwei Laserstrukturen zu vermindern.
  • Nach der Entfernung der Siliziumnitridstreifen kann ein p-Kontakt 164 aus Ti-Au auf der Oberseite der Abdeckschicht 118, der Kontaktschicht 116 und der oberen Deckschicht 114 für die Infraot-Laserstruktur 120 abgeschieden werden. Der Rippenwellenleiter 156 wird durch den metallischen p-Kontakt 164 begrenzt. Ein p-Kontakt 166 aus Ti-Au kann auf der Oberseite der Abdeckschicht 138, der Kontaktschicht 136 und der oberen Deckschicht 134 für die Rot-Laserstruktur 140 abgeschieden werden. Der Rippenwellenleiter 160 ist durch den metallischen p-Kontakt 166 begrenzt. Ein n-Kontakt 168 aus Au:Ge kann auf der Unterseite des Substrats 120 abgeschieden werden, das der Infrarot-Laserstruktur 120 und der Rot-Laserstruktur 140 gemeinsam ist.
  • Die Infrarot-Laserstruktur 120 mit ihrem metallbegrenzten Rippenwellenleiter 156 und die Rot-Laserstruktur 140 mit ihrem metallbegrenzten Rippenwellenleiter 160 geben jeweils eine einzelne Transversalmodus-Lichtemission ab.
  • Die Infrarot- und Rot-Laserstrukturen sind, obgleich eng nebeneinander liegend, mit einer schnellen Umschaltung von weniger als 3 ns unabhängig voneinander adressierbar.
  • Die Infrarot-Rot-Nebeneinander-Laserstruktur 100 von 2 ist ein Randemissionsarray. Konventionelle Facetten (nicht dargestellt) sind am Rand der Laserstruktur 100 vorgesehen. Die Infrarot-Laserstruktur 120 gibt Licht bei infraroter Wellenlänge aus dem aktiven Bereich 112 mit der aktiven Laserschicht 108 durch den Rand der Laserstruktur ab. Die Rot-Laserstruktur 140 gibt Licht mit roter Wellenlänge aus dem aktiven Bereich 132 mit der aktiven Schicht 128 durch den Rand der Laserstruktur ab.
  • Es wird nun auf 3 Bezug genommen, die eine Blau-Laserstruktur 200 gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Die Blau-Laserstruktur 200 hat ein Saphir-Substrat (Al2O3) 202. Auf dem Substrat 102 ist eine undotierte GaN-Pufferschicht 204 abgeschieden, die eine Dicke von 30 nm hat. Auf der undotierten Pufferschicht 204 ist eine n-Gan-Pufferschicht 206 abgeschieden. Die n-Pufferschicht ist mit 1 × 1018 cm–3 silizium-dotiert und hat eine Dicke von 4 μm. Eine n-In0,5GA0,95N-Belastungsreduktionsschicht 208 ist auf der n-GaAs-Pufferschicht abgeschieden. Die InGaN-Belastungsreduktionsschicht 208 hat eine Dicke von 0,1 μm und einen Siliziumdotierungspegel von 1 × 1018 cm–3. Auf der InGaN-Belastungsreduktionsschicht 208 ist eine untere n-Al0,08Ga0,92N-Deckschicht 210 abgeschieden. Die n-Abdeckschicht 210 ist mit 1 × 1018 cm–3 silizium-dotiert und hat eine Dicke von 0,5 μm.
  • Eine n-GaN-Wellenleiterschicht 212 ist auf der unteren n-AlGaN-Abdeckschicht 210 abgeschieden. Die GaN-Wellenleiterschicht 212 ist 0,1 μm dick und ist mit 1 × 1018 cm–3 silizium-dotiert. Eine aktive Mehrfachquantenquellenschicht 214 aus In0,15Ga0,85N/In0,02Ga0,98N ist auf der Wellenleiterschicht 212 abgeschieden. Die aktive Mehrfachquantenquellenschicht 214 aus In0,15Ga0,85N/In0,02Ga0,98N hat 3 bis 20 Quantenquellen und ist etwa 50 nm dick und gibt Licht bei 410 bis 430 nm ab. Eine p-Al0,2Ga0,8N-Trägersperrschicht 216 ist auf der aktiven Schicht 214 abgeschieden. Die p-AlGaN-Trägersperrschicht 216 ist mit 5 × 1019 cm–3 magnesium-dotiert und hat eine Dicke von 0,02 μm. Eine p-AlGaN-Wellenleiterschicht 218 ist auf der p-Al-GaN-Trägersperrschicht 216 abgeschieden. Die GaN-Wellenleiterschicht 218 ist 0,1 μm dick und ist mit 5 × 1019 cm–3 magnesium-dotiert. Die Wellenleiterschichten 212 und 218 bilden zusammen mit der Sperrschicht 216 und der aktiven Schicht 214 den aktiven Bereich 219 der Laserstruktur.
  • Eine obere p-Al0,08Ga0,92N-Deckschicht 220 ist auf der Wellenleiterschicht 218 abgeschieden. Die p-Deckschicht 220 ist bis 5 × 1019 cm–3 magnesium-dotiert und hat eine Dicke von 0,5 μm. Eine p-GaN-Kontaktschicht 222 ist auf der p-Sperrschicht 220 abgeschieden. Die Kontaktschicht 222 ist bis 5 × 1019 cm–3 magnesium-dotiert und hat eine Dicke von 0,5 μm.
  • Rippenwellenleiter können für die Blau-Laserstruktur 200 von 4 hergestellt werden.
  • Nachdem alle Halbleiterschichten der in 3 gezeigten Halbleiterstruktur 200 abgeschieden worden sind, wird eine Photoresistmaske auf der Oberseite der Kontaktschicht 222 der Blau-Laserstruktur 200 abgeschieden. Auf das Photoresist wird ein Streifenmuster aufgebracht, das einen offenen Abschnitt 250 der Kontaktschicht 222 belässt. Chemisch unterstütztes Ionenstrahlätzen ("CAIBE") ätzt dann den unmaskierten Abschnitt 250 der Kontaktschicht 222 durch die Kontaktschicht 222, die obere p-Abdeckschicht 222, die p-Wellenleiterschicht 218, p-Trägersperrschicht 216, die aktive Mehrfachquantenquellenschicht 214, die n-Wellenleiterschicht 212, die untere n-Deckschicht 210, die n-Belastungsreduktionsschicht 208 bis zur Oberfläche 252 der n-GaAs-Pufferschicht 206. Die Photoresistmaske wird dann entfernt.
  • Dann wird eine weitere Photoresistmaske auf der Oberseite der Kontaktschicht 222 und der Oberseite 252 der freiliegenden n-Pufferschicht 206 der Blau-Laserstruktur 200 abgeschieden. Doppelstreifen mit 50 μm Abstand werden dann auf die Kontaktschicht 222 aufgebracht, wobei offene Fenster zwischen den Streifen verbleiben.
  • Chemisch unterstütztes Ionenstrahlätzen ätzt dann durch die unmaskierten Abschnitte der Kontaktschicht 222 und hinterlässt eine kleine Hochebene 254 der maskierten und daher ungeätzten Kontaktschicht 222 zwischen den offenen Fensterrillen.
  • Chemisch unterstütztes Ionenstrahlätzen ätzt dann weiter die unmaskierten Abschnitte der 0,5 μm dicken oberen Al0,08Ga0,92N-Sperrschicht 220 vom p-Typ zu beiden Seiten der Hochebene 254 hinab zu einer 0,35 μm dicken oberen Al0,08G0,92N-Deckschicht 220 vom p-Typ über dem aktiven Bereich 219 der Schichten 212, 214, 216 und 218 unter Verwendung einer zeitabgestimmten Ätztechnik.
  • Nach Abschluss des Ätzvorgangs wird die Photoresistmaske entfernt.
  • Die verbliebene obere Al0,08Ga0,92N-Deckschicht 220 vom p-Typ unter der Hochebene 254 bildet den Rippenwellenleiter 256 für die optische Begrenzung des Lichts, das von dem aktiven Bereich der Blau-Laserstruktur 200 abgegeben wird.
  • Nach der Entfernung der Siliziumnitridstreifen kann ein Ti-Au-p-Kontakt 258 auf der Oberseite der oberen Sperrschicht 220, dem Rippenwellenleiter 256 und der Hochebene 254 der Kontaktschicht 222 für die Blau-Laserstruktur 200 abgeschieden werden. Der Rippenwellenleiter 256 wird durch den metallischen p-Kontakt 258 begrenzt. Ein Ti-Au-n-Kontakt 260 kann auf der Oberseite 252 der n-GaAs-Pufferschicht 206 abgeschieden werden.
  • Die Blau-Laserstruktur 200 mit ihrem metallbegrenzten Rippenwellenleiter 256 gibt Licht in einem einzelnen Transversalmodus ab.
  • Die Blau-Laserstruktur 200 von 4 ist ein am Rand emittierendes Array. Konventionelle Facetten (nicht gezeigt) sind am Rand der Laserstruktur 200 vorgesehen. Die Blau-Laserstruktur 200 gibt Licht mit blauer Wellenlänge aus dem aktiven Bereich 219 mit der aktiven Schicht 214 durch den Rand der Laserstruktur ab.
  • Die Infrarot/Rot-Nebeneinander-Rippenwellenleiterlaserstruktur 100 vom 2 wird in Flip-chip-Technik auf die Blau-Rippenwellenleiterlaserstruktur 200 von 4 gebondet, um eine integrierte IR/Rot/Blau-Laserstruktur zu bilden.
  • Das Flip-Chip-Bonden umfasst das Zusammenlöten zweier Halbleiterstrukturen Seite auf Seite zur Bildung einer einzigen Halbleiterstruktur. Typischerweise werden Lötanschlüsse auf Kontaktflächen auf den Oberflächen jeder Halbleiterstruktur ausgebildet. Eine Struktur oder "chip" wird "umgeklappt", um der anderen Struktur oder "chip" gegenüber zu liegen. Die Lötanschlüsse an beiden Halbleiterstrukturen werden ausgerichtet und dann zusammengedrückt, während die Strukturen erwärmt werden. Die zwei Lötanschlüsse schmelzen zu einem Lötanschluss zusammen und verbinden die beiden Haltleiterstrukturen zu einer integrierten Halbleiterstruktur. Die Oberflächenspannung des flüssigen Lötmetalls zieht die zwei Laserstrukturen in eine sehr genaue Ausrichtung zusammen.
  • Wie in dem illustrativen Beispiel der 5 gezeigt, sind zwei Kontaktflecken 300 und 302 für die Lötanschlüsse auf der Oberfläche der Al0,5In0,5P-Deckschichten 114 bzw. 134 vom p-Typ der Rot/Infrarot-Laserstruktur 100 ausgebildet. Der Kontaktfleck 300 überlappt den Rippenwellenleiter 156 und die obere Deckschicht 114 der Infrarot-Laserstruktur 120. Der Kontaktfleck 302 überlappt den Rippenwellenleiter 160 und die obere Deckeschicht 134 der Rot-Laserstruktur 140.
  • Die Kontaktflecken werden durch Metallverdampfung aufeinanderfolgender Metallschichten ausgebildet: eine 30 nm dicke Schicht aus Ti, eine 50 nm dicke Schicht aus Au, eine 30 nm dicke Schicht aus Ti und eine 20 nm dicke Schicht aus Ni. Der Kontaktfleck 300 ist physikalisch und elektrisch sowohl vom Rippenwellenleiter 150 als auch vom p-Kontakt 164 der Infrarot-Laserstruktur 120 getrennt und isoliert, die auch auf der Oberfläche der oberen Al0,5In0,5P-Deckschicht 114 vom p-Typ sind. Der Kontaktfleck 302 ist physikalisch und elektrisch sowohl vom Rippenwellenleiter 160 als auch vom p-Kontakt 166 der Rot-Laserstruktur 140 getrennt und isoliert, die auch auf der Oberfläche der oberen Al0,5In0,5P-Deckschicht 134 vom p-Typ sind.
  • Eine dielektrische SiON-Schicht 304 wird durch plasma-unterstützte chemische Dampfabscheidung ("PECVD") oder durch Elektronenstrahlverdampfung bei 275°C über den Großteil beider Kontaktflecken 300 und 302 abgeschieden. Die dielektrische SiON-Schicht 304 soll als Lötstopp dienen und außerdem Kontaktflecken 300 und 302 von den p-Kontakten 164 und 166 elektrisch isolieren. Die Ti/Au-Schichten der Kontaktflecken nächst der oberen Deckschicht sind die ohm'schen Standard-Laserkontaktmetalle. Die überlagernden Ti/Nl-Schichten der Kontaktflecken erfüllen die etwa widerstreitenden Forderungen, als geringe Kontaktwiderstandsgrenzfläche zwischen der oberen Dünnfilmmetallisierungsdeckschicht und 10 bis 20 μm Pb/Sn-Lösanschlüssen zu wirken und als eine Schicht gegen das Weglaufen von Lot zu dienen. Weiterhin bildet Ni ein Oberflächenoxid, das stabil genug ist, um eine gute SiON-Haftung sicherzustellen.
  • Der dielektrische Film 304 wird dann unter Verwendung gewöhnlicher photolithographischer Prozeduren mit einem Muster versehen. Eine Photoresistmaske (nicht gezeigt) wird auf die Rippenwellenleiter 156 und 160 und die darunter liegenden Laserstreifen ausgerichtet und auf der Oberfläche der dielektrischen SiON-Schicht 304 ausgebildet. Die unmaskierten Abschnitte der dielektrischen SiON-Schicht 304 werden plasma-geätzt, um Kontaktlöcher 306 und 308 von 50 bis 90 μm Durchmesser zu bilden. Das Kontaktloch 306 wird durch den dielektrischen Film 304 bis zum Kontaktfleck 300 hinab geätzt. Das Kontaktloch 308 wird durch den dielektrischen Film 304 hindurch bis zum Kontaktfleck 302 hinab geätzt. Dieser Ätzschritt bestimmt die endgültige Ausrichtung zwischen den zwei Laserhalbleiterstrukturen und bestimmt auch die benetzbare Kontaktfleckfläche.
  • Eine 20 nm dicke Sn-Schicht 310 wird durch das Kontaktloch 306 hindurch auf dem Kontaktfleck 300 abgeschieden. Eine 20 nm dicke Sn-Schicht 302 wird durch das Kontaktloch 308 auf dem Kontaktfleck 302 abgeschieden.
  • Eine 10 μm dicke Photoresistschicht 314 wird dann auf der Oberfläche in einem dreilagigen Muster abgeschieden, mit einem rückläufigen Profilloch 316, das mit dem Kontaktloch 306 entwickelt und ausgerichtet wird, und einem rückläufigen Profilloch 318, das mit dem Kontaktloch 308 entwickelt und ausgerichtet wird.
  • Ein PbSn-Lot wird in einem Elektronenstrahlverdampfer verdampft, und das anschließende Abheben führt zu einer PbSn-Scheibe 320, die auf der Sn-Schicht 310 auf dem Kontaktfleck 300 abgeschieden ist, und zu einer PbSn-Scheibe 322, die auf der Sn-Schicht 312 auf dem Kontaktfleck 302 abgeschiedne ist. Die 10 μm dicken PbSn-Scheiben sind im Durchmesser leicht größer als die benetzbaren Kontaktflecken 300 und 302. Das Photoresist 314 wird dann entfernt.
  • Die Lotscheiben 320 und 322 werden unter Verwendung von Flussmittel und Erwärmung auf eine Temperatur auf 220°C wieder verflüssigt, um sie auf die benetzbaren Kontaktfleckenbereiche 300 bzw. 302 zurückzuziehen und Lötanschlüsse 322 und 326 halbkugeliger Gestalt zu bilden. Der Lötanschluss 322 ist auf der Sn-Schicht 310 auf dem Kontaktfleck 300, und der Lötfleck 326 ist auf der Sn-Schicht 312 auf dem Kontaktfleck 302. Die Sn-Schicht wird mit dem PbSn-Lot legiert, um eine gute elektrische und mechanische Verbindung herzustellen.
  • Die Kontaktflecken und die Lötanschlüsse auf der Blau-Laserstruktur 200 werden mit demselben Prozess hergestellt. Eine dielektrische SiON-Schicht 354 bedeckt den Großteil beider Ti/Au/Ti/Ni-Kontaktflecken 350 und 352 auf der Oberseite der oberen Sperrschicht 220 für die Blaustruktur 200. Der Lötanschluss 358 ist auf der Sn-Schicht 356 auf dem Kontaktfleck 350, und der Lötanschluss 362 ist auf der Sn-Schicht 360 auf dem Kontaktfleck 352.
  • Die Figuren und der Text zeigen eine Reihe Lötanschlüsse. Über die gesamte Fläche der Laserstrukturen sind Reihen und Reihen aus Lötanschlüssen zur Bildung einer guten mechanischen und elektrischen Verbindung zwischen den zwei Laserstrukturen.
  • Die Rot/Infrarot-Laserstruktur 100 mit ihren Lötanschlüssen 324 und 326 auf Kontaktflecken 300 und 302 und die Blau-Laserstruktur 200 mit ihrem Lötanschlüssen 358 und 362 auf Kontaktflecken 350 und 352 werden mit Standardeinrichtungen getrennt angerissen und gereinigt. Ein klebriges Flussmittel wird auf die Oberfläche der Lötanschlüsse auf beiden Laserstrukturen aufgebracht.
  • Wie in 6 gezeigt, wird die GaAs-Rot/Infrarot-Struktur 100 auf die Oberseite der InGaN/Saphir/Blau-Laserstruktur 200 mit einer Positionierungsgenauigkeit von +/– 10 μm unter Verwendung eines Flip-Chip-Ausrichtungsbonders umgeklappt. Die Lötanschlüsse 326 und 324 der Rot/Infrarot-Laserstruktur 100 werden an den Lötanschlüssen 358 und 352 der Blau-Laserstruktur 200 angebracht und vom Flussmittel am Platz gehalten.
  • Die integrierte, hybride Rot/Blau/Infrarot-Laserstruktur 400 wird wieder auf eine Temperatur von 220°C erwärmt. Während einer zweiten Wiederverflüssigung werden die zwei Lötanschlüsse 326 und 358 zu einem Lötanschluss 402, und die zwei Lötanschlüsse 324 und 352 werden zu einem Lötanschluss 404, die die zwei getrennten Laserstrukturen 100 und 200 zu einer integrierten Laserstruktur 400 in Flip-Chip-Technik miteinander verbinden, wie in 7 gezeigt.
  • Während dieses Verbindungsprozesses werden die Rot/Infrarot-Laserstruktur und die Blau-Laserstruktur in eine sehr genaue Ausrichtung durch die selbstausrichtende Oberflächenspannung zwischen den Pb/Sn-Lötanschlüssen zusammengezogen.
  • Die Blau-Laserrippe 256 wird in der Mitte zwischen der Rot-Laserrippe 160 und der Infrarot-Laserrippe 156 angeordnet, um einen engen Abstand in Querrichtung zu erzielen. Dieser Abstand in der vertikalen Richtung hängt von der Anschlussgröße ab; für Lotanschlusshalbkügelchen mit exakt 50, 70 und 90 μm Durchmesser sind die Chipabstände 30, 40 bzw. 50 μm. Dadurch, dass hybride Verbindungsschema nur geringes thermisches Übersprechen zwischen den blauen und den Rot/Infrarot-Lasern vorhanden ist, ist der Querabstand im Wesentlichen durch den Abstand zwischen dem Rot-Laser und dem Infrarot-Laser begrenzt. Wenn der Abstand zwischen dem Rot-Laser und dem Infrarot-Laser 20 μm ist, dann ist der Abstand zwischen dem Blau-Laser und dem Rot-Laser (oder dem Infrarot-Laser) nur 10 μm. Der Abstand in der vertikalen Richtung hängt von dem Anschlussdurchmesser ab. In manchen Anwendungen, wie beispielsweise ei nem Druckkopf, kann der Vertikalabstand praktisch null sein wegen einer elektronisch einstellbaren Verzögerung in den Rot/Infrarot-Lasern. Der enge Abstand ist für Hochgeschwindigkeits- und hoch auflösende Drucker vorteilhaft.
  • Das Flip-Chip-Bonden bildet eine angepasst, gitterfreie Heterostruktur, die hybride, integrierte Laserstruktur 400 in dieser Ausführungform. Diese Integration der Rot/Blau/Infrarot-Laserstruktur 400 bildet eine eng beabstandete, präzis beabstandete Struktur der drei unterschiedlichen Laserquellen weit beabstandeter Wellenlängen, die für optische Präzisionssysteme notwendig ist.
  • Zusammenfassend pflastert die Verwendung der Flip-Chip-Bondtechniken den Weg für Mehrfachwellenlängen-Halbleiterlaser, die in Materialsystemen hergestellt werden, die für Ätz- und Wiederaufwachstechniken unverträglich sind. Solche Mehrfachwellenlängenvorrichtungen haben interessante Anwendungsmöglichkeiten beim hochschnellen und hochauflösenden Abdrucken oder Abtasten.

Claims (7)

  1. Integrierte, am Rand emittierende Halbleiterlaserstruktur, enthaltend: eine erste Laserstruktur (200) mit einem ersten Substrat (202); einer ersten Vielzahl Halbleiterschichten (204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222), die auf dem ersten Substrat ausgebildet sind; wobei eine oder mehrere der genannten ersten Vielzahl Halbleiterschichten (212, 214, 216) einen ersten aktiven Bereich (219) bilden; eine erste Verbindungseinrichtung (358, 362) auf einer der genannten Vielzahl Halbleiterschichten; eine zweite Laserstruktur (129, 149) mit einem zweiten Substrat (102); einer zweiten Vielzahl Halbleiterschichten (104, 106, 108,110, 114, 116, 118), die auf dem zweiten Substrat ausgebildet sind; wobei eine oder mehrere der genannten zweiten Vielzahl Halbleiterschichten (106, 108, 110) einen zweiten aktiven Bereich (118) bilden; zweite Verbindungseinrichtungen (324) auf einer der genannten zweiten Vielzahl Halbleiterschichten, wobei die zweiten Verbindungseinrichtungen auf wenigstens eine der ersten Verbindungseinrichtungen flip-chip-gebondet sind; eine dritte Vielzahl Halbleiterschichten (124, 126, 128,130, 134, 136, 138), die auf dem zweiten Substrat ausgebildet sind; wobei eine oder mehrere der genannten dritten Vielzahl Halbleiterschichten (126, 128, 130) einen dritten aktiven Bereich (138) bilden; dritte Verbindungseinrichtungen (326) auf einer der genannten Vielzahl Halbleiterschichten, wobei die dritten Verbindungseinrichtungen auf wenigstens eine der ersten Verbindungseinrichtungen flip-chip-gebondet sind; einen ersten Kontakt (298) und einen zweiten Kontakt (260), die es erlauben, den ersten aktiven Bereich für die Abgabe von Licht der genannten ersten Wellenlänge vorzuspannen, einen dritten Kontakt (164) und einen vierten Kontakt (168), die es erlauben, den zweiten aktiven Bereich für die Abgabe von Licht der genannten zweiten Wellenlänge vorzuspannen, und einen fünften Kontakt 166 und einen sechsten Kontakt 168, die es erlauben, den dritten aktiven Bereich für die Abgabe von Licht der genannten dritten Wellenlänge vorzuspannen.
  2. Integrierte, am Rand emittierende Halbleiterlaserstruktur nach Anspruch 1, bei der die erste Wellenlänge, die zweite Wellenlänge und die dritte Wellenlänge unterschiedlich sind.
  3. Integrierte, am Rand emittierende Halbleiterlaserstruktur nach Anspruch 1 oder 2, bei der die erste Wellenlänge im blauen Bereich liegt, die zweite Wellenlänge im infraroten Bereich liegt und die dritte Wellenlänge im roten Bereich liegt.
  4. Integrierte, am Rand emittierende Halbleiterlaserstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Verbindungseinrichtungen Flip-Chip-Bondeinrichtungen sind.
  5. Integrierte, am Rand emittierende Halbleiterlaserstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der beide Substrate zwei Vielzahlen Halbleiterschichten haben, die jeweils einen auf ihnen ausgebildeten aktiven Bereich enthalten, so dass der Laser vier Lichtquellen hat und Licht mit zwei unterschiedlichen Wellenlängen, drei unterschiedlichen Wellenlängen und vier unterschiedlichen Wellenlängen abgibt.
  6. Verfahren zum Herstellen einer integrierten, am Rand emittierenden Halbleiterlaserstruktur, umfassend die Schritte: Herstellen einer ersten Laserstruktur zum Abgeben von Licht einer ersten Wellenlänge, wobei die erste Laserstruktur eine erste Verbindungseinrichtung aufweist, Herstellen einer Nebeneinander-Laserstruktur, die eine zweite Laserstruktur zur Abgabe von Licht einer zweiten Wellenlänge und eine dritte Laserstruktur zur Abgabe von Licht einer dritten Wellenlänge aufweist, wobei die zweite und die dritte Laserstruktur eine zweite und eine dritte Verbindungseinrichtung aufweisen, Flip-Chip-Bonden der zweiten und dritten Verbindungseinrichtungen auf der Nebeneinander-Laserstruktur mit der ersten Verbindungseinrichtung der ersten Laserstruktur, und Bilden von Kontakten, die eine unabhängig adressierbare Vorspannung der ersten Laserstruktur zur Abgabe von Licht der ersten Wellenlänge, der zweiten Laserstruktur zur Abgabe von Licht der zweiten Wellenlänge und der dritten Laserstruktur zur Abgabe von Licht der dritten Wellenlänge zulassen.
  7. Verfahren zum Herstellen einer integrierten, am Rand abstrahlenden Halbleiterlaserstruktur nach Anspruch 6, bei der die erste Wellenlänge im blauen Bereich, die zweite Wellenlänge im infraroten Bereich und die dritte Wellenlänge im roten Bereich liegen.
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Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6136623A (en) * 1998-05-06 2000-10-24 Xerox Corporation Multiple wavelength laser arrays by flip-chip bonding
US6744800B1 (en) * 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
US20010042866A1 (en) * 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
JP3685306B2 (ja) * 1999-03-03 2005-08-17 パイオニア株式会社 ２波長半導体レーザ素子及びその製造方法
US6348739B1 (en) * 1999-04-28 2002-02-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6423560B1 (en) * 1999-10-22 2002-07-23 Teraconnect, Incoporated Method of making an optoelectronic device using multiple etch stop layers
US6430058B1 (en) * 1999-12-02 2002-08-06 Intel Corporation Integrated circuit package
JP3809464B2 (ja) * 1999-12-14 2006-08-16 独立行政法人理化学研究所 半導体層の形成方法
JP3486900B2 (ja) * 2000-02-15 2004-01-13 ソニー株式会社 発光装置およびそれを用いた光装置
JP2001244569A (ja) * 2000-03-01 2001-09-07 Sony Corp 半導体レーザ発光装置の製造方法
US6724794B2 (en) * 2001-06-29 2004-04-20 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
US6731665B2 (en) 2001-06-29 2004-05-04 Xanoptix Inc. Laser arrays for high power fiber amplifier pumps
US6633421B2 (en) 2001-06-29 2003-10-14 Xanoptrix, Inc. Integrated arrays of modulators and lasers on electronics
US6620642B2 (en) 2001-06-29 2003-09-16 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
US6790691B2 (en) 2001-06-29 2004-09-14 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
US7831151B2 (en) * 2001-06-29 2010-11-09 John Trezza Redundant optical device array
US6753197B2 (en) 2001-06-29 2004-06-22 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
US6775308B2 (en) * 2001-06-29 2004-08-10 Xanoptix, Inc. Multi-wavelength semiconductor laser arrays and applications thereof
JP3736462B2 (ja) * 2002-01-17 2006-01-18 ソニー株式会社 半導体レーザ装置
AU2003256382A1 (en) * 2002-07-06 2004-01-23 Optical Communication Products, Inc. Method of self-aligning an oxide aperture with an annular intra-cavity contact in a long wavelength vcsel
JP2004207480A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2004207479A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
US7079559B2 (en) * 2003-02-25 2006-07-18 Tyco Electronics Corporation Flip-chip automatically aligned optical device
JP2004304111A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Sharp Corp 多波長レーザ装置
US7083993B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Methods of making multi-layer light emitting devices
JP4535698B2 (ja) * 2003-07-17 2010-09-01 三洋電機株式会社 ２波長半導体レーザ装置
JP4671617B2 (ja) * 2004-03-30 2011-04-20 三洋電機株式会社 集積型半導体レーザ素子
JP2011023754A (ja) * 2004-03-30 2011-02-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP4660224B2 (ja) * 2004-03-30 2011-03-30 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置
JP2006128602A (ja) * 2004-03-30 2006-05-18 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP4583128B2 (ja) * 2004-03-30 2010-11-17 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置
JP2005327826A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Sony Corp 集積型半導体レーザ装置、集積型半導体レーザ装置の製造方法、集積型半導体発光装置、集積型半導体発光装置の製造方法、光学ピックアップ装置および光ディスク装置
JP4844791B2 (ja) * 2004-05-14 2011-12-28 ソニー株式会社 半導体発光装置およびそれを用いた光装置
JP4614715B2 (ja) * 2004-08-31 2011-01-19 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2006278578A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Sanyo Electric Co Ltd 集積型半導体レーザ素子およびその製造方法
US7512167B2 (en) * 2004-09-24 2009-03-31 Sanyo Electric Co., Ltd. Integrated semiconductor laser device and method of fabricating the same
JP2006128558A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Sony Corp 半導体レーザ、半導体レーザの実装方法、半導体レーザ実装構造体および光ディスク装置
US7310358B2 (en) * 2004-12-17 2007-12-18 Palo Alto Research Center Incorporated Semiconductor lasers
JP4671728B2 (ja) * 2005-03-25 2011-04-20 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
JP2006278576A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法および光ピックアップ装置
JP2006278577A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2006303052A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Nec Electronics Corp 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法
KR101100425B1 (ko) * 2005-05-07 2011-12-30 삼성전자주식회사 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
JP4466503B2 (ja) * 2005-08-08 2010-05-26 ソニー株式会社 半導体レーザ
CN101223679A (zh) * 2005-09-15 2008-07-16 日本电气株式会社 半导体发光元件
JP4952000B2 (ja) * 2006-02-27 2012-06-13 ソニー株式会社 光装置およびその製造方法、並びに光機器
KR100738110B1 (ko) * 2006-04-11 2007-07-12 삼성전자주식회사 반도체 레이저 다이오드 어레이
DE102006051745B4 (de) * 2006-09-28 2024-02-08 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
JP4288620B2 (ja) 2006-11-10 2009-07-01 ソニー株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US8045595B2 (en) * 2006-11-15 2011-10-25 Cree, Inc. Self aligned diode fabrication method and self aligned laser diode
JP4595929B2 (ja) * 2006-11-28 2010-12-08 ソニー株式会社 発光装置の製造方法
DE102007034958A1 (de) * 2007-04-30 2008-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlenkombinator für ein mehrfarbiges Laserdisplay
US7994524B1 (en) * 2007-09-12 2011-08-09 David Yaunien Chung Vertically structured LED array light source
US20130223846A1 (en) 2009-02-17 2013-08-29 Trilumina Corporation High speed free-space optical communications
US8995493B2 (en) 2009-02-17 2015-03-31 Trilumina Corp. Microlenses for multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation
US8995485B2 (en) 2009-02-17 2015-03-31 Trilumina Corp. High brightness pulsed VCSEL sources
US7949024B2 (en) * 2009-02-17 2011-05-24 Trilumina Corporation Multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation
US10244181B2 (en) 2009-02-17 2019-03-26 Trilumina Corp. Compact multi-zone infrared laser illuminator
US10038304B2 (en) 2009-02-17 2018-07-31 Trilumina Corp. Laser arrays for variable optical properties
JP2010226078A (ja) * 2009-02-24 2010-10-07 Sony Corp 発光装置およびその製造方法
JP2010199204A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Sony Corp 発光装置およびその製造方法
JP5488881B2 (ja) * 2009-09-30 2014-05-14 ソニー株式会社 発光装置およびその製造方法
DE102009047791B4 (de) * 2009-09-30 2019-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh RGB-Laserlichtquelle
EP2517321B1 (de) * 2009-12-19 2021-04-14 Lumentum Operations LLC System zur kombination von laserarrays für digitalausgaben
US8979338B2 (en) 2009-12-19 2015-03-17 Trilumina Corp. System for combining laser array outputs into a single beam carrying digital data
JP5633670B2 (ja) * 2010-03-01 2014-12-03 ソニー株式会社 発光装置およびそれを用いた光装置
DE102010002966B4 (de) * 2010-03-17 2020-07-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung
US11095365B2 (en) 2011-08-26 2021-08-17 Lumentum Operations Llc Wide-angle illuminator module
DE102013216527A1 (de) 2013-08-21 2015-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Laserbauelements
DE102016103358A1 (de) 2016-02-25 2017-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbarren mit gräben
JP6933794B2 (ja) * 2016-12-01 2021-09-08 富士通株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法
DE102021120778A1 (de) * 2021-08-10 2023-02-16 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Laserkomponente und Laserbauteil

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54107689A (en) * 1978-02-10 1979-08-23 Nec Corp Semiconductor laser element
NL8200414A (nl) * 1982-02-04 1983-09-01 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van ten minste twee stralingsbundels, en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
JP2533871B2 (ja) * 1987-03-26 1996-09-11 株式会社日立製作所 半導体レ−ザ装置
JPH084181B2 (ja) * 1987-09-08 1996-01-17 三洋電機株式会社 半導体レーザの製造方法
JPH04105568U (ja) * 1991-02-20 1992-09-10 三洋電機株式会社 マルチビーム半導体レーザ装置
US5150372A (en) * 1991-09-13 1992-09-22 Hughes Aircraft Company Frequency sweeping phase-locked-loop synthesizer power supply for CO2 waveguide laser
US5384797A (en) * 1992-09-21 1995-01-24 Sdl, Inc. Monolithic multi-wavelength laser diode array
US5640188A (en) * 1992-12-18 1997-06-17 Xerox Corporation Multiple diode laser employing mating substrates
JP2950106B2 (ja) * 1993-07-14 1999-09-20 松下電器産業株式会社 光素子実装体の製造方法
US5402436A (en) * 1993-12-29 1995-03-28 Xerox Corporation Nonmonolithic array structure of multiple beam diode lasers
JP3269251B2 (ja) * 1994-03-31 2002-03-25 株式会社デンソー 積層型半導体装置の製造方法
JPH0888431A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP3419930B2 (ja) * 1994-12-21 2003-06-23 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置
JP2822916B2 (ja) * 1995-03-10 1998-11-11 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3093646B2 (ja) * 1996-08-09 2000-10-03 日本電気株式会社 半導体レーザ装置
US5812576A (en) * 1996-08-26 1998-09-22 Xerox Corporation Loss-guided semiconductor lasers
US5999553A (en) * 1997-11-25 1999-12-07 Xerox Corporation Monolithic red/ir side by side laser fabricated from a stacked dual laser structure by ion implantation channel
JPH11186651A (ja) * 1997-12-19 1999-07-09 Sony Corp 集積型半導体発光装置
US5920766A (en) * 1998-01-07 1999-07-06 Xerox Corporation Red and blue stacked laser diode array by wafer fusion
US6136623A (en) * 1998-05-06 2000-10-24 Xerox Corporation Multiple wavelength laser arrays by flip-chip bonding

Also Published As

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JP2010183120A (ja) 2010-08-19
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