DE4344285A1 - Verfahren zur Herstellung eines Transistors - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Tran
sistors und insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung eines Tran
sistors mit asymmetrischem leicht dotiertem Drain.
Bei der Herstellung eines MOSFET′s im Submicronbereich kann, wie be
kannt, ein Kanalkurzschlußeffekt auftreten. Zur Eliminierung eines der
artigen Kanalkurzschlußeffekts durch Leckströme wurden bereits mehre
re Verfahren vorgeschlagen. Nach einem dieser Verfahren werden Source
/Drainbereiche mit flachen Übergängen gebildet. Ein anderes Verfahren
schlägt vor, Gateelektroden mit geringer Dicke herzustellen. Gemäß einem
noch weiteren Verfahren werden in einem Substrat Ionen zur Bildung ei
nes tiefliegenden Kanals implantiert.
Diese Verfahren eignen sich dazu, zwar den Kanalkurzschlußeffekt bei
MOSFET′s im tiefen Submicronbereich zu beseitigen, jedoch tritt das Pro
blem auf, daß jetzt Effekte infolge heißer Ladungsträger entstehen.
Werden also die oben beschriebenen konventionellen Verfahren zur Besei
tigung der Kanalkurzschlußeffekte herangezogen, entstehen starke elek
trische Felder in Kantenbereichen von Gateelektroden, wodurch heiße La
dungsträger erzeugt werden. Diese heißen Ladungsträger verschlechtern
die Betriebscharakteristik des MOSFET′s und reduzieren dessen Betriebs
lebensdauer.
Darüber hinaus wurde zur Reduzierung des Kanalkurzschlußeffekts vor
geschlagen, einen Festkörper bzw. ein Substrat mit hoher Konzentration
zu dotieren. In diesem Fall steigt jedoch die Übergangskapazität in den
Source- /Drainbereichen infolge der hohen Verunreinigungskonzentra
tion an. Dies liegt daran, daß die Übergangskapazität in den Source/Drainbereichen
eines MOSFET′s proportional zur Verunreinigungs- bzw.
Dotierungskonzentration ist.
Bei der Herstellung von MOSFET′s im Submicronbereich ist es also wich
tig, sowohl den Kanalkurzschlußeffekt als auch das Entstehen heißer La
dungsträger zu vermeiden.
Um beide Einflüsse zu verringern, wurden bereits MOSFET′s mit verschie
denen Strukturen angegeben.
So wurde ein MOSFET mit leicht dotiertem Drain vorgeschlagen (LDD
MOSFET), dessen Drainbereich eine Doppelstruktur aufweist, und zwar
einen hochdotierten Verunreinigungsbereich und einen leicht dotierten
Verunreinigungsbereich benachbart zum hochdotierten Verunreini
gungsbereich um auf diese Weise heiße Ladungsträger zu reduzieren, die
in einem MOSFET mit einer Kanallänge von 1 µm auftreten.
Zur Verbesserung eines solchen LDD MOSFET′s wurde auch vorgeschla
gen, einen doppelt implantierten LDD (DI-LDD) vorzusehen, um den
Durchgriff aufrechtzuerhalten und die Schwelle zu verbessern, und zwar
in einem MOSFET mit einer Kanallänge von etwa 0,6 µm.
Die Fig. 1 zeigt eine Querschnittstruktur durch einen derartigen konven
tionellen DI-LDD MOSFET.
Gemäß Fig. 1 enthält der DI-LDD MOSFET Source-/Drainbereiche, ge
bildet durch n⁺ Typ Bereiche 14 und 15 und n Typ Bereiche 16 und 17 in
nerhalb eines Substrats 11, einen Gateisolationsfilm 12 und einen Gate
oxidfilm 13 oberhalb eines Kanalbereichs, wie dies auch bei der allgemein
bekannten LDD MOSFET Struktur der Fall ist. Der DI-LDD MOSFET weist
darüber hinaus p Typ Bereiche 18 und 19 auf, die die Source-/Drainberei
che umgeben.
Beim DI-LDD MOSFET ist also ein p Typ Halobereich 18 vorhanden, der
den n⁺ Typ Bereich 14 und den n Typ Bereich 16 des Sourcebereichs um
gibt, während der p Typ Halobereich 19 den n⁺ Typ Bereich 15 und den n
Typ Bereich 17 des Drainbereichs umgibt. Demzufolge weist der DI-LDD
MOSFET eine symmetrische Struktur auf. Darüber hinaus besitzt der DI-
LDD MOSFET eine elektrisch symmetrische Betriebscharakteristik.
Bei diesem DI-LDD MOSFET besitzen allerdings die p Typ Halobereiche 18
und 19, die als sogenannte Durchgriffsstopper dienen, eine hohe Verun
reinigungskonzentration bei geringer Kanallänge, um den Durchgriff
(punch-through) aufrechtzuerhalten.
Dies führt zu einer Erhöhung des elektrischen Felds im Drainbereich und
somit zu einer Verschlechterung der Durchbruchcharakteristik sowie zu
heißen Ladungsträgern. Die DI-LDD Struktur läßt sich daher nicht mehr
in einem MOSFET verwenden, der eine Kanallänge aufweist, die nicht grö
ßer ist als 0,25 µm (die also weniger als ein Viertel µm beträgt).
Die erhöhte Verunreinigungskonzentration in den p Typ Halobereichen 18
und 19, die jeweils die Source- und Drainbereiche umgeben, führt darüber
hinaus auch zu einer Erhöhung der Übergangskapazität in den Source
/Drainbereichen und somit zu einer Verschlechterung der Betriebscha
rakteristik der Einrichtung.
Kürzlich wurde vorgeschlagen, einen MOSFET mit asymmetrischem Halo-
Source-Gate-Überlappungs LDD vorzusehen (HS-GOLD MOSFET), der ei
nen gateüberlappenden LDD in einem Drainbereich und ferner einen Halo
bereich in einem Sourcebereich aufweist, der die entgegengesetzte Leitfä
higkeit wie der Sourcebereich hat. Ein derartiger asymmetrischer HS-
GOLD MOSFET wurde durch Buti et al. in "IEEE Trans. on Electron Device,
Vol. 38, No. 8, Seiten 1757 bis 1764, 1991" veröffentlicht.
Die Fig. 2a und 2b zeigen Querschnittsansichten von Strukturen zur
Erläuterung der Herstellung eines konventionellen asymmetrischen HS-
GOLD MOSFET′s. Danach werden zunächst Ionen in ein p Typ Substrat 21
implantiert, um eine Schwellenspannung VT einzustellen. Anschließend
wird ein Gateoxidfilm 22 auf die so erhaltene Struktur 21 aufgebracht. Auf
dem Gateoxidfilm 22 wird ein Polysiliziumfilm gebildet, der anschließend
strukturiert wird, um ein Gate 23 zu erhalten. Ein CVD Oxidfilm 24 wird
sodann mit geringer Dicke auf die gesamte freiliegende Oberfläche der so
erhaltenen Struktur aufgebracht.
In einem nachfolgenden Schritt werden n Typ Verunreinigungsionen unter
großem Neigungswinkel ⌀ in das Substrat 21 implantiert, und zwar durch
Anwendung eines Hochneigungswinkel- Implantationsverfahrens um ei
nen n Typ Drainbereich 25 durch Schrägimplantation zu erhalten. In ähn
licher Weise wird ein p Typ Verunreinigungsbereich durch p Typ Ionen im
Substrat 21 hergestellt, und zwar durch Implantation dieser p Typ Ionen
bei hohem Neigungswinkel α unter Verwendung eines Hochneigungswin
kel-Implantationsprozesses um einen p Typ Halobereich 26 (Fig. 2A) zu
erhalten.
Auf die gesamte freiliegende Oberfläche der so erhaltenen Struktur wird
dann ein Oxidfilm aufgebracht. Der Oxidfilm wird anschließend anisotrop
geätzt, um Abstandsstücke 27 an den jeweiligen Seitenwänden des Gates
23 zu erhalten.
Sodann werden n Typ Verunreinigungsionen mit hoher Konzentration in
das Substrat 21 implantiert, und zwar durch ein allgemein bekanntes Io
nenimplantationsverfahren, um auf diese Weise einen n⁺ Bereich 28 als
Drainbereich sowie einen n⁺ Bereich 29 als Sourcebereich zu erhalten.
Schließlich wird eine Wolframsilizidschicht 30 (TISI₂) gebildet (Fig. 2B).
Bei diesem asymmetrischen HS-GOLD MOSFET weist der Sourcebereich
einen p Typ Halobereich 26 als Durchgriffsstopper auf, während der
Drainbereich die herkömmliche LDD Struktur besitzt. Die elektrisch
asymmetrische Struktur des Dotierungsprofils von Source- und Drainbe
reich kann optimiert werden, um zu einem gewünschten Durchgriffswi
derstand zu kommen und um die Betriebssicherheit bezüglich der heißen
Ladungsträger zu verbessern.
Da keine unnötigen LDD Strukturen im Sourcebereich vorhanden sind, ist
es außerdem möglich, sowohl den Serienwiderstand als auch die Überlap
pungskapazität des Sourcebereichs zu verringern. Andererseits ist es
nicht erforderlich, den Drainbereich mit einem p Typ Halobereich zu um
geben, was auch zu einer Verringerung der Übergangskapazität des Drain
bereichs führt und somit zu einer Verbesserung der Schaltungsbetriebs
kapazität.
Die Fig. 3 bis 5 zeigen verschiedene Eigenschaften des konventionellen
asymmetrischen HS-GOLD MOSFET′s. In Fig. 3 ist dabei eine verbesser
te Sättigungsschwellencharakteristik (VTsat) dargestellt. Hier ist die Sät
tigungsspannung über die Gatelänge aufgetragen. Dagegen lassen die Fi
guren 4 und 5 erkennen, daß VDSmax (Isub = 1V/µm) größer ist als dieje
nige anderer konventioneller Strukturen, und zwar um etwa 0,7 V.
Der Hochneigungswinkel-Implantationsprozeß zur Herstellung des kon
ventionellen asymmetrischen HS-GOLD MOSFET′s kann allerdings nur
dann zur Anwendung kommen, wenn Transistoren hergestellt werden sol
len, die auf einem Wafer nur in einer Richtung angeordnet sind. Dieser
Prozeß läßt sich nicht anwenden, wenn es um die Erstellung beliebig ange
ordneter Transistoren geht.
Beim Hochneigungswinkel-Implantationsprozeß gibt es darüber hinaus
eine Grenze hinsichtlich der Anzahl der Transistoren, da sich diese Tran
sistoren in nur einer Richtung auf dem Wafer befinden. Dies jedoch führt
zu einer beträchtlichen Verminderung der Packungsdichte bei der Her
stellung von VLSI Schaltungen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung
eines asymmetrischen HS-GOLD MOSFET′s unter Verwendung eines Pho
toätzprozesses anstelle eine Hochneigungswinkel-Implantationsprozes
ses zu schaffen, um zu einer verbesserten Packungsdichte sowie zu einer
verringerten Übergangskapazität des Sourcebereichs zu kommen, wo
durch sich eine verbesserte Betriebscharakteristik der Einrichtung erhal
ten läßt.
Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patent
anspruchs 1 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind
den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Tran
sistors, mit folgenden Schritten:
- - Bildung eines Gateisolationsfilms und eines Gates auf einem eine niedrige Konzentration aufweisenden Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähigkeitstyps;
- - Implantation von Verunreinigungsionen eines zweiten Leitfähig keitstyps in das Halbleitersubstrat unter der Bedingung, daß das Gate als Maske verwendet wird, um im Halbleitersubstrat symmetrisch Source- und Drainbereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps bei niedriger Konzentra tion zu erhalten;
- - Bildung eines Isolationsfilms auf der gesamten freigelegten Oberflä che der so erhaltenen Struktur und anisotropes Ätzen des Isolationsfilms zwecks Bildung von Abstandsstücken an den jeweiligen Seitenwänden des Gates;
- - Implantation von Verunreinigungsionen des zweiten Leitfähigkeits typs in das Halbleitersubstrat unter Verwendung der Abstandsstücke und des Gates als Maske, um eine hohe Konzentration aufweisende Source- und Drainbereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps benachbart zu den Source- und Drainbereichen zu erhalten, welche die niedrige Konzentra tion aufweisen;
- - Abdecken der gesamten freigelegten Oberfläche der so erhaltenen Struktur mit einem Photoresistfilm und Strukturierung des Photoresist films zwecks Freilegung desjenigen Abstandsstücks, das dem Sourcebe reich mit niedriger Konzentration zugewandt ist;
- - Entfernen des freigelegten Abstandsstücks; und
- - Implantieren von Verunreinigungsionen des ersten Leitfähigkeits typs in das Halbleitersubstrat durch den Bereich hindurch, der durch die Entfernung des Abstandsstücks definiert worden ist, um einen p Typ Halo bereich in einem Bereich zu erhalten, der durch den eine niedrige Konzen tration aufweisenden Sourcebereich eingenommen wird.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung nä
her beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch einen konventionellen DI-LDD MOSFET;
Fig. 2A und 2B Strukturquerschnitte zur Erläuterung eines Verfah
rens zur Herstellung eines konventionellen asymmetrischen HS-GOLD
MOSFET′s;
Fig. 3 eine graphische Darstellung zur Erläuterung der Funktion VT in
Abhängigkeit der physikalischen Gatelänge des asymmetrischen HS-
GOLD MOSFET′s nach den Fig. 2A und 2B;
Fig. 4 eine graphische Darstellung zur Erläuterung einer Funktion von
VDSmax in Abhängigkeit der physikalischen Gatelänge des asymmetri
schen HS-GOLD MOSFET′s nach den Fig. 2A und 2B;
Fig. 5 eine graphische Darstellung zur Erläuterung einer Funktion des
elektrischen Spitzenfelds des Drains in Abhängigkeit der metallurgischen
Gatelänge beim asymmetrischen HS-GOLD MOSFET nach den Fig. 2A
und 2B; und
Fig. 6A bis 6J Querschnittsansichten zur Erläuterung eines erfin
dungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines MOSFET′s mit asymme
trischer HS-GOLD Struktur.
Die Fig. 6A bis 6J zeigen Querschnittsansichten eines MOSFET′s mit
asymmetrischer HS-GOLD Struktur in verschiedenen Herstellungsschrit
ten zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Das Verfahren nach der Erfindung enthält Hauptschritte zur Bildung von
Source- und Drainbereichen, die jeweils einen Verunreinigungsbereich
mit niedriger Konzentration und einen Verunreinigungsbereich mit hoher
Konzentration aufweisen, hergestellt durch einen bekannten LDD Prozeß,
sowie Schritte zur Bildung eines p Typ Halobereichs im Sourcebereich be
nachbart zu dem zum Sourcebereich gehörenden Verunreinigungsbereich
mit hoher Konzentration.
In den Schritten 6A bis 6D wird die Herstellung des Sourcebereichs und
des Drainbereichs unter Verwendung des bekannten LDD Prozesses näher
beschrieben.
Zunächst wird im ersten Schritt gemäß Fig. 6A ein Gateisolationsfilm 62
auf einem p Typ Halbleitersubstrat 61 gebildet. Anschließend wird eine Po
lysiliziumschicht auf den Gateisolationsfilm 62 aufgebracht und struktu
riert, um ein Gate 63 zu erhalten.
Unter Verwendung des Gates 63 als Maske werden n Typ Verunreinigungsionen
in das Substrat implantiert, und zwar mit niedriger Konzentration.
Auf diese Weise werden n Bereiche 64 und 65 gebildet, wie in Fig. 6B zu
erkennen ist, und zwar für die jeweiligen Source- und Drainbereiche.
Entsprechend Fig. 6C wird dann ein Isolationsfilm auf die gesamte frei
liegende Oberfläche der so erhaltenen Struktur aufgebracht. Dieser Isolationsfilm
wird anisotrop geätzt, um Abstandsstücke 66-1 und 66-2 an den
jeweiligen Seitenwänden des Gates 63 zu erhalten.
Unter Verwendung des Gates 63 und der Abstandsstücke 66-1 und 66-2
als Maske werden n Typ Verunreinigungsionen in das Substrat 61 implan
tiert, und zwar jetzt mit hoher Konzentration, um n⁺ Bereiche 67 und 68 zu
erhalten. Somit liegt eine LDD Struktur vor, wie in Fig. 6D zu erkennen
ist.
Die Fig. 6E bis 6J illustrieren Schritte zur Bildung des p Typ Halobe
reichs im Sourcebereich unter Verwendung eines herkömmlichen Photo
ätzprozesses, insbesondere unter Anwendung eines Dreipegelresist(TLR)-
Prozesses.
Beim Schritt nach Fig. 6E wird ein Dreipegel-Photoresistfilm 68 (Dreischichtsystem)
auf die gesamte freiliegende Oberfläche der resultierenden
Struktur aufgebracht, und zwar mit Hilfe des TLR-Prozesses (tri-level-re
sist-process).
Der Dreipegelphotoresistfilm 68 weist eine Dreischichtstruktur auf, be
stehend aus einem unteren Photoresistfilm 68-1, einem mittleren SOG
Film 68-2 und einem oberen Photoresistfilm 68-3. Der Film 68-2 ist ein
Spin-on-Glass-Film bzw. aufgeschleuderter Film.
Wie die Fig. 6F erkennen läßt, wird der obere Photoresistfilm 68-3 des
Dreischichtphotoresistfilms 68 unter Verwendung eines photolithogra
phischen Prozesses strukturiert. Durch diese Strukturierung wird ein Mu
ster erzeugt, das dazu dient, das Seitenwand-Abstandsstück 66-1 freizu
legen, das zum Sourcebereich gerichtet ist.
Unter Verwendung des oberen Photoresistfilms 68-3 als Maske wird dann
der SOG Film 68-2 geätzt wie in Fig. 6G gezeigt ist. Anschließend wird
der verbleibende obere Photoresistfilm 68-3 entfernt.
Sodann wird der untere Photoresistfilm 68-1 einem Trockenätzprozeß un
terzogen, wobei der SOG Film 68-2 als Maske dient. Dies ist in Fig. 6H ge
zeigt. Beim Trockenätzprozeß wird der Ätzendpunkt so bestimmt, daß der
Ätzvorgang am Ätzendpunkt beendet ist, nachdem eine vorbestimmte Zeit
periode verstrichen ist. Nach Beendigung des Ätzens ist das Abstands
stück 66-1, das zum Sourcebereich weist, freigelegt.
Gemäß Fig. 6I wird dann das freigelegte Abstandsstück 66-1 entfernt,
um danach p Typ Verunreinigungsionen in einen Bereich des Substrats 61
implantieren zu können, der durch die Entfernung des Abstandsstücks
66-1 freigelegt worden ist. Durch diese Ionenimplantation wird ein p⁻ Typ
Halobereich 69 erhalten.
Die p Typ Verunreinigungsionen-Implantation zur Bildung des p⁻ Typ Halobereichs
69 wird so ausgeführt, daß die Dosis und die Injektionsenergie
der implantierten Verunreinigungen im Hinblick auf die herzustellende
Struktur optimiert sind.
Insgesamt wird also in einem p Typ MOSFET ein n Typ Halobereich er
zeugt. Sodann werden der verbleibende untere Photoresistfilm 68-1 und
der SOG Film 68-2 entfernt, wie die Fig. 6J erkennen läßt. Somit liegt ein
asymmetrischer HS-GOLD MOSFET vor, dessen Drainbereich eine LDD
Struktur aufweist, und zwar mit einem n Bereich 65 mit niedriger Konzen
tration und einem n⁺ Bereich 68 mit hoher Konzentration. Der Source
bereich enthält einen Bereich 67 vom n⁻ Typ, und zwar als einzigen Be
reich, und einen p⁻ Typ Halobereich 69 in der Nachbarschaft des hochkon
zentrierten n⁺ Typ Bereichs 67, wobei der Bereich 69 als Durchgriffsstop
per dient.
Der konventionelle asymmetrische HS-GOLD MOSFET weist eine Struktur
auf, bei der der p Typ Halobereich 26 den Sourcebereich umgibt, wie die Fi
gur 2B erkennen läßt. Dagegen besitzt der asymmetrische HS-GOLD MOS-
FET nach der vorliegenden Erfindung eine Struktur, bei der sich der p⁻
Halobereich 69 benachbart zum n⁺ Bereich 67 befindet, der als Sourcebe
reich dient, wie die Fig. 6J erkennen läßt.
Wie oben erläutert, gibt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines
asymmetrischen HS-GOLD MOSFET′s an, bei dem ein p⁻ Halobereich als
Durchgriffsstopper unter Verwendung eines Photoätzprozesses und eines
Ionenimplantationsprozesses gebildet wird, und zwar unter Anwendung
eines Dreischichtphotoresistfilms. Es ist somit möglich, den HS-GOLD
MOSFET nach der Erfindung in einfacher Weise herzustellen, ohne daß
zusätzliche Prozeßschritte erforderlich sind, wie dies beim Stand der
Technik der Fall ist.
Der asymmetrische HS-GOLD MOSFET nach der Erfindung weist verbes
serte Kanalkurzschlußeigenschaften auf, ist betriebssicherer hinsicht
lich der Entstehung heißer Ladungsträger und besitzt darüber hinaus eine
verbesserte elektrische Betriebscharakteristik. Zur Bildung des Halobe
reichs ist es erfindungsgemäß nicht erforderlich, einen Hochneigungswin
kel-Implantationsprozeß anzuwenden. Das Verfahren nach der Erfindung
braucht daher nicht auf eine Packungsdichte von Transistoren Rücksicht
zu nehmen und gestattet es, die Transistoren wahlweise auf dem Wafer an
zuordnen. Dies erlaubt eine weitere Erhöhung der Packungsdichte bei der
Herstellung von VLSI Schaltungen.
In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung wird ein Halobereich
benachbart zu einem Hochkonzentrations-Sourcebereich gebildet, ohne
daß der Halobereich diesen vollständig umgibt. Dies führt zu einer verrin
gerten Übergangskapazität des Sourcebereichs im Vergleich zum Stand
der Technik. Es ist somit möglich, MOSFET′s mit Kanallängen herzustel
len, die unterhalb eines Viertel µm liegen ( 0,25 µm), und die sich mit ei
ner Sourcespannung von 3,5 V betreiben lassen.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung eines Transistors, gekennzeichnet
durch folgende Schritte:
- - Bildung eines Gateisolationsfilms (62) und eines Gates (63) auf ei nem eine niedrige Konzentration aufweisenden Halbleitersubstrat (61) eines ersten Leitfähigkeitstyps;
- - Implantation von Verunreinigungsionen eines zweiten Leitfähig keltstyps in das Halbleitersubstrat (61) unter Verwendung des Gates (63) als Maske, um symmetrisch eine niedrige Konzentration aufweisende Source- und Drainbereiche (64, 65) des zweiten Leitfähigkeitstyps im Halbleitersubstrat (61) zu erhalten;
- - Aufbringen eines Isolationsfilms auf die gesamte freiliegende Ober fläche der so erhaltenen Struktur und anschließendes anisotropes Ätzen des Isolationsfilms zwecks Bildung von Abstandsstücken (66-1, 66-2) an entsprechenden Seitenwänden des Gates (63);
- - Implantation von Verunreinigungsionen des zweiten Leitfähigkeits typs in das Halbleitersubstrat unter Verwendung der Abstandsstücke (66- 1, 66-2) sowie des Gates (63) als Maske, zwecks Bildung von eine hohe Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereichen (67, 68) des zweiten Leitfähigkeitstyps benachbart zu den eine niedrige Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereichen (64, 65);
- - Aufbringen eines Photoresistfilms (68) auf die gesamte freiliegende Oberfläche der so erhaltenen Struktur und Strukturierung des Photore sistfilms (68) so, daß dasjenige Abstandsstück (66-1) freigelegt wird, wel ches zu dem eine niedrige Konzentration aufweisenden Sourcebereich weist;
- - Entfernen des freigelegten Abstandsstücks (66-1); und
- - Implantation von Ionen des ersten Leitfähigkeitstyps in das Halblei tersubstrat durch einen Bereich hindurch, in welchem das zuvor entfernte Abstandsstücks (66-1) lag, um einen p Typ Halobereich (69) In einem Be reich zu erhalten, der durch den eine niedrige Konzentration aufweisen den Sourcebereich eingenommen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dasjenige
Abstandsstück (66-1), das an der Seite des Sourcebereichs mit niedriger
Konzentration liegt, durch einen Dreistufen-Resist-Prozeß freigelegt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
Freilegen durch folgende Schritte erfolgt
- - Nach Bildung der eine hohe Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereiche (67, 68) wird auf die gesamte freigelegte Oberfläche der so erhaltenen Struktur ein Dreischichtphotoresistfilm (68) aufgebracht, der einen unteren Photoresistfilm (68-1), einen SOG Film (68-2) und einen oberen Photoresistfilm (68-3) aufweist;
- - der obere Photoresistfilm (68-3) wird durch einen photolithographi schen Prozeß strukturiert;
- - sodann wird der in der Mitte liegende SOG Film (68-2) unter Verwen dung des strukturierten oberen Photoresistfilms (68-3) als Maske struktu riert;
- - der verbleibende obere Photoresistfilm (68-3) wird entfernt;
- - der untere Photoresistfilm (68-1) wird unter Verwendung des struk turierten SOG Films (68-2) als Maske geätzt, und zwar soweit nach unten, bis das Abstandsstück (66-1) freiliegt, das dem eine niedrige Konzentra tion zuweisenden Sourcebereich zugewandt ist; und
- - es werden der verbleibende SOG Film (68-2) und der untere Photoresistfilm (68-1) entfernt.
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