DE4400842C2 - MOS Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

MOS Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Metalloxid-Halbleitertransistor (MOS Transistor) mit sehr kleinen Abmessungen sowie auf ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen MOS Transistors. Dieser MOS Transistor weist insbesondere verbesserte Eigenschaften hinsichtlich der heißen La­ dungsträger und des Durchgriffs auf.
Gegenwärtig ist man bestrebt, die Abmessungen von Halbleitereinrich­ tungen noch weiter zu reduzieren, um zu immer höheren Integrationsgra­ den zu kommen.
Mit steigendem Integrationsgrad weist daher die Gatelänge des MOS Tran­ sistors einen Wert auf, der von mehreren µm bis herab in den Submicron­ bereich reicht.
Wird die Gatelänge verkürzt, so verkürzt sich auch die Kanallänge des MOS Transistors. In einem solchen Fall besteht jedoch die Gefahr des Auf­ tretens heißer Ladungsträger.
Die heißen Ladungsträger werden üblicherweise in einem Gateisolations­ film gefangen bzw. gesammelt, der zur Isolierung des Gates dient, wodurch sich die Betriebszuverlässigkeit des MOS Transistors verschlechtert. Die heißen Ladungsträger stellen somit ein ernsthaftes Problem bei der Her­ stellung sehr kleiner Transistorstrukturen dar.
Um die im Zusammenhang mit den heißen Ladungsträgern auftretenden Probleme zu überwinden, wurden bereits MOS Transistoren mit leicht do­ tiertem Drain (Lightly Doped Drain), also sogenannte LDD MOS Transisto­ ren, vorgeschlagen, die zwei Arten von Sourcebereichen und Drainberei­ chen aufweisen. Hierzu gehören zum einen ein Sourcebereich und ein Drainbereich mit niedriger Konzentration, und zum anderen ein Source­ bereich und ein Drainbereich mit hoher Konzentration.
Die Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht eines konventionellen LDD MOS Transistors.
Gemäß Fig. 1 liegt ein Gateisolationsfilm 12 auf einem Kanalbereich 15 eines p-Typ Siliziumsubstrats 11, wobei sich ein Gate 13 aus einem Polysi­ liziumfilm auf dem Gateisolationsfilm 12 befindet.
Seitenwandstücke 14 aus einem Isolationsfilm liegen an beiden Seiten­ wänden des Gates, während ein Sourcebereich 16 und ein Drainbereich 17 vom n-Typ mit niedriger Konzentration im Substrat 11 vorhanden sind, derart, daß sie sich jeweils mit den Seitenwandstücken 14 überlappen.
Darüber hinaus befinden sich ein Sourcebereich 18 und ein Drainbereich 19 vom n-Typ mit hoher Konzentration innerhalb des Substrats 11, und zwar jeweils benachbart zu dem Sourcebereich 16 und dem Drainbereich 17 vom n-Typ, die die niedrige Konzentration aufweisen.
Dieser LDD MOS Transistor kann das Auftreten heißer Ladungsträger dämpfen, und zwar infolge der Bildung der n-Typ Source- und Drainberei­ che 16 und 17 mit niedriger Konzentration. Ferner verringert sich der EIN Widerstand des MOS Transistors infolge des parasitären Widerstands der n-Typ Source- und Drainbereiche 16 und 17.
Da die heißen Ladungsträger jedoch an der Oberfläche des Drainbereichs 17 mit hoher Konzentration eine Energie aufweisen, die größer ist als der thermische Gleichgewichtszustand, fangen die an beiden Seitenwänden des Gates 13 liegenden Seitenwandstücke 14 die heißen Ladungsträger ein.
Aus diesem Grunde verschlechtert sich die Draincharakteristik des MOS Transistors.
Um das oben beschriebene und bei den LDD MOS Transistoren auftretende Problem zu überwinden, wurden bereits solche mit inverser T-förmiger LDD Struktur vorgeschlagen.
Die Fig. 2a bis 2f zeigen Schritte zur Herstellung eines konventionellen MOS Transistors mit inverser T-förmiger LDD Struktur.
Entsprechend der Fig. 2a wird ein konventioneller Feldoxidationsprozeß ausgeführt, und zwar auf einem p-Typ Siliziumsubstrat 21, um zwei Feldoxidfilme 22 auszubilden, die jeweils dazu dienen, aktive Bereiche 23 voneinander zu trennen.
Sodann werden in das Siliziumsubstrat 21 n-Typ Verunreinigungsionen mit niedriger Konzentration implantiert, um einen n-Typ Verunreini­ gungsdiffusionsbereich 24 für einen Sourcebereich und einen Drainbe­ reich mit niedriger Konzentration zu erhalten.
Anschließend wächst ein Gateoxidfilm 25 auf einem aktiven Bereich 23 des Siliziumsubstrats 21 auf.
Sodann wird gemäß Fig. 2b auf den Gateoxidfilm 25 ein erster Polysilizi­ umfilm 26 aufgebracht, der mit Verunreinigungsionen dotiert wird. Dieser Film 26 kommt auch auf den Feldoxidfilmen 22 zu liegen.
Die Verunreinigungsionen können in den Polysiliziumfilm 26 eingebracht werden, während dieser niedergeschlagen wird oder nach Bildung des Po­ lysiliziumfilms 26.
In einem nächsten Schritt wird durch chemische Dampfabscheidung im Vakuum bzw. durch ein CVD Verfahren auf die gesamte Oberfläche der so erhaltenen Struktur ein Phosphorsilicatglasfilm 27 (PSG Film) aufge­ bracht und geätzt, um eine Öffnung 28 in ihm zu bilden, die oberhalb des Zentralteils des aktiven Bereichs 23 liegt.
Sodann wird gemäß Fig. 2c ein Isolationsfilm auf die so erhaltene Struk­ tur niedergeschlagen, beispielsweise ebenfalls ein PSG Film, der danach zurückgeätzt wird, um Seitenwandstücke 29 an den Seitenwänden der Öff­ nung 28 zu erhalten, die sich im PSG Film 27 befindet.
Anschließend werden p-Typ Verunreinigungsionen in das Siliziumsub­ strat 21 implantiert, und zwar durch die Öffnung 28 hindurch, wobei der PSG Film 27 und die Seitenwandstücke 29 als Ionenimplantationsmaske dienen. Auf diese Weise wird ein p-Typ Kanalbereich 30 erhalten. Die n-Typ Diffusionsbereiche 24 zu beiden Seiten des Kanalbereichs 30 bilden dann jeweils einen Sourcebereich und einen Drainbereich mit niedriger Konzentration.
Entsprechend Fig. 2d wird ein zweiter Polysiliziumfilm 31 zum Auffüllen der Öffnung 28 aufgebracht.
Auf dem Polysiliziumfilm 31 wird dann ein Oxidfilm 32 gebildet, und zwar durch thermische Oxidation des Polysiliziumfilms 31.
Wie die Fig. 2e erkennen läßt, werden danach der PSG Film 27 und die Seitenwandstücke 29 entfernt, um anschließend an den Seitenwänden des zweiten Polysiliziumfilms 31 Seitenwandstücke 33 aus einem Isolations­ film zu bilden, beispielsweise aus einem Oxidfilm.
Infolge der Beseitigung des PSG Films 27 liegt somit ein Teil des ersten Po­ lysiliziumfilms 26 frei.
Entsprechend der Fig. 2f wird dann der freiliegende Teil des ersten Poly­ siliziumfilms 26 entfernt, wobei als Ätzmaske der Isolationsfilm 32 und die Seitenwandstücke 33 dienen.
Somit liegt also ein Gate 34 mit inverser T-förmiger Struktur vor.
Das Gate 34 mit inverser T-förmiger Struktur gemäß Fig. 2f enthält einen unteren Teil, bestehend aus dem ersten Polysiliziumfilm 26, und einen Säulenbereich, bestehend aus dem zweiten Polysiliziumfilm 31.
Sodann werden Verunreinigungsionen vom n⁺-Typ implantiert, wobei das Gate 34 und die Seitenwandstücke 33 als Ionenimplantationsmaske ver­ wendet werden. Auf diese Weise werden Source- und Drainbereiche 35 mit hoher Konzentration erhalten.
Danach liegt ein MOS Transistor mit LDD Struktur vor.
Wie oben beschrieben, enthält dieser MOS Transistor ein Gate 34 mit in­ verser T-förmiger Struktur, das einen unteren Bereich aus dem ersten Po­ lysiliziumfilm 26 und einen Säulenbereich aus dem zweiten Polysilizium­ film 31 aufweist. Darüber hinaus gehören zum MOS Transistor die n-Typ Source- und Drainbereiche 24 unterhalb des unteren Bereichs 26 des Gates 34, sowie die n⁺-Typ Source und Drainbereiche 35.
Das oben erwähnte Symbol (-) bedeutet niedrige Konzentration, während das Symbol (+) hohe Konzentration bedeutet.
Da bei der Herstellung des oben beschriebenen LDD MOS Transistors mit inverser T-förmiger Gatestruktur der Ionenimplantationsprozeß zur Bil­ dung des Sourcebereichs und des Drainbereichs mit niedriger Konzentra­ tion im gesamten aktiven Bereich durchgeführt werden muß, ist es aller­ dings schwierig, die Konzentration des Kanalbereichs zu steuern.
Andererseits liegt der p-Typ Kanalbereich unterhalb des Gates, um den Durchgriff zu verhindern. Somit ergibt sich der Nachteil, daß sich die Schwellenspannung erhöht, und zwar infolge der Rückwärtsgatevorspan­ nung.
Da ferner die Dicke des Gateoxidfilms konstant ist, kann infolge des Gates ein Drainleckstrom auftreten.
Um die Eigenschaften hinsichtlich des Durchgriffs zu verbessern, wurde ein sogenannter doppelt implantierter LDD MOS Transistor vorgeschla­ gen. Dieser doppelt implantierte LDD MOS Transistor (DI-LDD MOS Tran­ sistor) weist eine Struktur auf, bei der sich kein speziell ausgebildeter Ka­ nalbereich unterhalb des Gates befindet. Vielmehr umgeben p-Typ Berei­ che als Durchgriffsstopper die je eine niedrige Konzentration aufweisen­ den Source- und Drainbereiche.
Die Fig. 3a bis 3c zeigen Schritte zur Herstellung eines konventionel­ len DI-LDD MOS Transistors.
Entsprechend der Fig. 3a erfolgt die Durchführung eines konventionel­ len Feldoxidationsprozesses auf einem p-Typ Siliziumsubstrat 41, um Fel­ doxidfilme 42 zu erhalten, durch die jeweils aktive Bereiche 43 voneinan­ der getrennt werden.
Danach wird ein Gateisolationsfilm 44 auf dem aktiven Bereich 43 des Substrats 41 gebildet. Sodann wird ein Polysiliziumfilm auf die gesamte Oberfläche des Substrats 41 niedergeschlagen und anschließend struktu­ riert, um ein Gate 45 zu erhalten.
Anschließend werden n-Typ Verunreinigungsionen mit niedriger Konzen­ tration, z. B. Phosphor, und p-Typ Verunreinigungsionen, z. B. Bor, in das Substrat 41 unter Verwendung des Gates 45 als Ionenimplantations­ maske implantiert, wonach eine Temperung erfolgt, um einen Sourcebe­ reich 46 und einen Drainbereich 47 mit niedriger Konzentration zu erhal­ ten, als auch p-Typ Verunreinigungsbereiche 48 als Durchgriffsstopper, von denen jeweils einer den Sourcebereich 46 und ein anderer den Drain­ bereich 47 umgibt.
Die p-Typ Verunreinigungsbereiche 48 bilden somit Taschen, in denen sich die Source- bzw. Drainbereiche 46, 47 befinden.
Entsprechend der Fig. 3b wird sodann mit Hilfe eines CVD Verfahrens ein Oxidfilm 49 auf der gesamten Oberfläche des Substrats 41 gebildet.
Die Fig. 3c läßt erkennen, daß der CVD Oxidfilm 49 anschließend aniso­ trop geätzt wird, um Seitenwandstücke 50 an den Seitenwänden des Gates 45 zu erhalten.
Sodann werden n⁺-Typ Verunreinigungsionen, beispielsweise Phosphor, mit hoher Konzentration implantiert, und zwar unter Verwendung des Ga­ tes 45 und der Seitenwandstücke 50 als Ionenimplantationsmasken, wo­ nach eine Temperung erfolgt, um den Sourcebereich 51 und den Drainbe­ reich 52 zu erhalten, die jeweils eine hohe Konzentration aufweisen.
Die p-Typ Verunreinigungsbereiche 48 liegen so, daß sie in der Nähe des Kanalbereichs jeweils denn-Typ Sourcebereich 46 und den n-Typ Drain­ bereich 47 abdecken bzw. einschließen.
Da beim DI-LDD MOS Transistor mit dem oben beschriebenen Aufbau der Sourcebereich 46 und der Drainbereich 47 vom n⁻-Typ eingeschlossen sind, läßt sich der Kanalkurzschlußeffekt zurückdrängen. Ebenso wird das Auftreten heißer Ladungsträger verringert.
Allerdings überlappt das Gate 45 nicht vollständig Source- und Drainbe­ reich 46, 47 vom n⁻-Typ, so daß es unmöglich ist, die heißen Ladungsträ­ ger komplett zu beseitigen.
Ferner werden die Verunreinigungsbereiche 48 durch einen Temperungs­ prozeß gebildet, so daß es eine Beschränkung hinsichtlich ihrer Tiefe gibt.
Die Fig. 3c zeigt die Situation, in der der Gateisolationsfilm 44 oberhalb von Sourcebereich und Drainbereich 52 entfernt ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen LDD MOS Transistor zu schaffen, der hinsichtlich des Durchgriffs verbesserte Eigenschaften auf­ weist, und bei dem das Auftreten heißer Ladungsträger weiter zurückge­ drängt wird. Ferner ist es Ziel der Erfindung, ein geeignetes Verfahren zur Herstellung eines derartigen Transistors anzugeben.
Vorrichtungsseitige Lösungen sind in den kennzeichnenden Teilen der ne­ bengeordneten Patentansprüche 1 und 9 angegeben. Dagegen finden sich verfahrensseitige Lösungen in den kennzeichnenden Teilen der nebenge­ ordneten Patentansprüche 3 und 10.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung nä­ her beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen konventionellen LDD MOS Transistor,
Fig. 2a bis 2f Schritte zur Herstellung eines konventionellen LDD MOS Transistors mit inverser T-förmiger Gatestruktur,
Fig. 3a bis 3c Schritte zur Herstellung eines konventionellen DI-LDD MOS Transistors,
Fig. 4a bis 4l Schritte zur Herstellung eines MOS Transistors nach ei­ nem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung, und
Fig. 5a bis 5l Schritte zur Herstellung eines MOS Transistors nach ei­ nem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Fig. 4a bis 4l ein Verfah­ ren zur Herstellung eines LDD MOS Transistors in Übereinstimmung mit einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung näher be­ schrieben.
Entsprechend der Fig. 4a wird zunächst ein Oxidfilm 52 auf einem p-Typ Halbleitersubstrat 51 gebildet. Sodann wird auf den Oxidfilm 52 ein Ni­ tridfilm 53 aufgebracht.
Der Nitridfilm 53 und der Oxidfilm 52 werden einem photolithographi­ schen Prozeß unterzogen, um ein Öffnung 54 in beiden Filmen zu erhalten, und zwar in einem Bereich, in welchem später ein Gate gebildet wird.
Auf die gesamte so erhaltene Oberfläche des Siliziumsubstrats 51 wird dann ein dünner Polysiliziumfilm 55 aufgebracht. Dieser kommt also auf dem Substrat 51 im Bereich der Öffnung 54 zu liegen, an den Seitenwän­ den der Filme 52 und 53 sowie auf dem Film 53.
Der Polysiliziumfilm 55 wird als Spannungspuffer verwendet, und zwar nach Durchführung des Feldoxidationsprozesses.
Entsprechend der Fig. 4c wird ein Nitridfilm 56 dick auf den Polysilizium­ film 55 aufgetragen und dann durch ein isotropes Ätzverfahren geätzt, bei­ spielsweise durch reaktives Ionenätzen (RIE Verfahren). Hierdurch wer­ den Seitenwandstücke 56 an den Seitenwänden der Öffnung 54 erhalten, die mit dem Film 55 ausgekleidet ist.
Im Ergebnis liegt nur noch ein Teil des Polysiliziums 55-2 auf dem Nitrid­ film 53 und ein Teil des Polysiliziums 55-1 auf dem Boden der Öffnung 54 frei.
Gemäß Fig. 4d erfolgt ein thermischer Oxidationsprozeß zwecks Oxida­ tion des freiliegenden Teils des Polysiliziumfilms 55-1, um auf diese Weise einen dicken Feldoxidfilm 57 zu erhalten.
Zu dieser Zeit wird auch der Teil des Polysiliziumfilms 55-2, der auf dem Nitridfilm 53 liegt, oxidiert und somit in einen Oxidfilm 58 umgewandelt.
Bei den zuletzt genannten Prozessen dienen die Seitenwandstücke 56, hergestellt durch den Nitridfilm, als Oxidationsmaske.
Der Feldoxidfilm 57 wird dann bei dem nachfolgenden Ionenimplanta­ tionsprozeß als Maske bzw. Blockiereinrichtung benutzt.
Es sei darauf hingewiesen, daß sich die Teile 55-3 des Polysiliziumfilms 55, die sich an den Seiten der Seitenwandstücke 56 und unter den Seiten­ wandstücken 56 befinden, infolge der Abschirmung durch die Seiten­ wandstücke 56 nicht oxidiert werden.
Sodann werden gemäß Fig. 4e die Seitenwandstücke 56, die als Oxida­ tionsmaske dienten, entfernt. Dadurch liegt jetzt der Polysiliziumfilm 55-3, der sich hinter der Seitenwand der Seitenwandstücke 56 und unter den Seitenwandstücken 56 befand, frei.
In Übereinstimmung mit Fig. 4f wird jetzt der freigelegte Polysiliziumfilm 55-3 oxidiert, um ihn in einen Oxidfilm 59 umzuwandeln. Dadurch läßt er sich in dem nachfolgenden Prozeß leichter entfernen.
Entsprechend Fig. 4g werden n-Typ Verunreinigungsionen und p-Typ Verunreinigungsionen jeweils implantiert, und zwar unter Verwendung des dicken Feldoxidfilms 57 als Maske. Dadurch werden Source- und Drainbereiche 60 mit niedriger Konzentration erhalten. Gleichzeitig wer­ den p-Typ Verunreinigungsbereiche 61 erhalten, was zu einer Struktur führt, in der die p-Typ Verunreinigungsbereiche 61 die Source- bzw. Drainbereiche 60 umgeben bzw. einschließen.
Aufgrund der Bildung der Source- bzw. Drainbereiche 60 mit niedriger Konzentration wird ein Kanalbereich 50 im Siliziumsubstrat 51 definiert.
Da Verunreinigungsionen implantiert werden unter Verwendung des Fel­ doxidfilms als Ionenimplantationsmaske zwecks Bildung der eine niedrige Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereiche 60, bildet sich ei­ ne graduierte Grenzschicht aus.
Sodann werden in Übereinstimmung mit Fig. 4h die Oxidfilme 57, 58 und 59 vollständig entfernt.
Infolge der Entfernung des Feldoxidfilms 57 weist das Substrat 51 eine Struktur auf, nach der die freiliegende Oberfläche des Substrats im Be­ reich der Öffnung 54, also im Zentralbereich des Bodens der Öffnung 54, konkav ausgebildet ist. Mit anderen Worten ist hier eine Ausnehmung vor­ handen.
Wie die Fig. 4i erkennen läßt, wird sodann ein dünner Gateoxidfilm 62 auf dem freigelegten Substrat 51 gebildet. Danach wird ein Polysilizium­ film 63 relativ dick auf den Oxidfilm 62 aufgebracht, um dann zurückge­ ätzt zu werden, bis der Polysiliziumfilm 63 zwecks Bildung des Gates teil­ weise die Öffnung 54 ausfüllt.
Da das Gate durch den Polysiliziumfilm 63 erhalten wird, der auf der kon­ kaven Oberfläche des Films 62 liegt, welcher sich seinerseits auf dem Sili­ ziumsubstrat 51 befindet, ist die Bodenfläche des Gates konvex ausgebil­ det bzw. wölbt sich vor in Richtung des Substrats 51.
Sodann wird gemäß Fig. 4j ein Oxidfilm 64 dick auf die freiliegende Ober­ fläche der so erhaltenen Struktur aufgebracht und anschließend zurück­ geätzt, um die Strukturoberfläche bzw. Oberfläche des Siliziumsubstrats 51 zu glätten.
Der Oxidfilm 64 kommt also nur auf dem Polysiliziumfilm 63 zu liegen, so daß durch den Oxidfilm 64 letztlich die Öffnung 54 bis zu ihrem oberen Rand vollständig ausgefüllt wird.
Der Oxidfilm 64 dient hier als Kappenoxidfilm des Gates.
Anschließend wird gemäß Fig. 4k der verbleibende Nitridfilm 53 zu bei­ den Seiten des Gates 63, 64 entfernt, z. B. durch einen Ätzprozeß, um den Oxidfilm 52 freizulegen.
Sodann werden gemäß Fig. 4l n-Typ Verunreinigungsionen implantiert, wobei der Polysiliziumfilm 63, der das Gate bildet, als Ionenimplantations­ maske benutzt wird. Durch diesen Ionenimplantationsprozeß werden die eine hohe Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereiche 65 er­ halten.
Beim vollständigen LDD MOS Transistor nach der Erfindung weist das Ga­ te also eine Struktur auf, gemäß der die obere Fläche des Gates eben bzw. abgeflacht ist, während die Bodenfläche des Gates konvex ausgebildet ist, sich also auswölbt in Richtung des Substrats 51.
Die Fig. 5a bis 5l zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines LDD MOS Transistors in Übereinstimmung mit einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Gemäß Fig. 5a wird zunächst ein Oxidfilm 72 durch einen Aufwachsvor­ gang auf einem p-Typ Siliziumsubstrat 71 erzeugt. Sodann wird auf den Oxidfilm 72 ein Nitridfilm 73 dick aufgebracht.
Der Nitridfilm 73 und der unter ihm liegende Oxidfilm 72 werden anschlie­ ßend strukturiert, und zwar in einem Bereich, wo später ein Gate entste­ hen soll. Die Strukturierung erfolgt unter Anwendung eines photolitho­ graphischen Prozesses zwecks Bildung einer Öffnung 74, die die Filme 72 und 73 durchragt. Durch die Öffnung 74 wird somit das Siliziumsubstrat 71 freigelegt.
In Übereinstimmung mit Fig. 5b wird sodann ein dünner Polysiliziumfilm 75 auf die gesamte Oberfläche der so erhaltenen Struktur aufgebracht, der auf dem Siliziumsubstrat 71 zu liegen kommt, an den Seitenwänden der Filme 72 und 73 sowie auf dem Film 73.
Sodann wird gemäß Fig. 5c ein Nitridfilm dick auf den Polysiliziumfilm 75 niedergeschlagen, wobei anschließend der Nitridfilm unter Anwendung ei­ nes anisotropen Ätzverfahrens geätzt wird, um Seitenwandstücke 76 zu erhalten, die in den Eckbereichen der Öffnung 74 liegen.
Nach Bildung der Seitenwandstücke 76 bleiben vom Polysiliziumfilm 75 nur derjenige Bereich 75-1 frei, der in der Öffnung 74 zwischen den Seiten­ wandstücken 76 liegt, und derjenige Bereich 75-2, der oben auf dem Ni­ tridfilm 73 liegt. Diejenigen Bereiche 75-3 des Polysiliziumfilms 75, die sich unterhalb der Seitenwandstücke 76 und zwischen den Seitenwand­ stücken 76 und dem Nitridfilm 73 befinden, bleiben abgedeckt, und zwar durch die Seitenwandstücke 76.
Sodann werden p-Typ Verunreinigungsionen in das Siliziumsubstrat 71 durch die Öffnung 74 hindurch implantiert, und zwar unter Verwendung der Seitenwandstücke 76 als Ionenimplantationsmaske. Auf diese Weise wird ein p-Typ Verunreinigungsbereich 77 im Festkörper-Siliziumsub­ strat 71 gebildet, der als Durchgriffsstopper dient.
Wie die Fig. 5d erkennen läßt, erfolgt anschließend ein thermischer Oxi­ dationsprozeß unter Verwendung der Seitenwandstücke 76 als Oxida­ tionsmaske, um den Teil 75-1 des Polysiliziumfilms 75 zu oxidieren, der in der Öffnung 74 liegt. Hierdurch wächst ein dicker Feldoxidfilm 78 auf.
Der Feldoxidfilm 78 dient als Maske bzw. Blockiereinrichtung bei einer nachfolgenden Ionenimplantation.
Während der oben beschriebenen Oxidation wird auch derjenige Teil 75-2 des Polysiliziumfilms 75 oxidiert, der oben auf dem Nitridfilm 73 liegt. Die­ ser Teil 75-2 wird somit in einen Oxidfilm 79 umgewandelt.
Der Teil 75-3 des Polysiliziumfilms 75 an den Seiten und unterhalb der Sei­ tenwandstücke 76 wird nicht oxidiert infolge des Vorhandenseins der Sei­ tenwandstücke 76.
Gemäß Fig. 5e werden nachfolgend die Seitenwandstücke 76, die zur Bil­ dung der Oxidationsmaske dienten, entfernt. Somit kommt der Teil 75-3 des Polysiliziumfilms 75, welcher an der Seite und unter den Seitenwand­ stücken 76 lag, frei.
Gemäß Fig. 5f wird nun auch der freigelegte Teil des Polysiliziumfilms 75-3 oxidiert, so daß er sich in einem späteren Prozeß leichter entfernen kann. Mit anderen Worten wird jetzt der Polysiliziumfilm 75-3 in einen Oxidfilm 80 umgewandelt.
Gemäß Fig. 5g werden sodann n-Typ Verunreinigungsionen in das Silizi­ umsubstrat 71 implantiert, und zwar durch die Öffnung 74 hindurch und unter Verwendung des Feldoxidfilms 78 als Ionenimplantationsmaske. Auf diese Weise werden eine niedrige Konzentration aufweisende n -Typ Source- und Drainbereiche 81 erhalten.
Ein Kanalbereich 70 wird innerhalb des Siliziumsubstrats 71 erhalten, und zwar in Übereinstimmung mit der Bildung der die niedrige Konzentra­ tion aufweisenden Source- und Drainbereiche 81.
Da Ionen implantiert werden unter Verwendung des Feldoxidfilms 78 als Ionenimplantationsmaske zwecks Bildung der die niedrige Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereiche 81, wird ein graduierter Grenz­ schichtbereich (graded junction) erhalten.
Entsprechend der Fig. 5h werden sodann die Oxidfilme 78, 79 und 80 entfernt, um den jenigen Teil des Siliziumsubstrats 71 freizulegen, der sich im Bereich der Öffnung 74 befindet. Das freigelegte Siliziumsubstrat 71 weist somit in diesem Bereich eine Oberfläche auf, die konkav ausgebildet ist. Die Substratoberfläche im Bereich der Öffnung 74 ist also ins Substrat zurückgezogen.
Sodann wird gemäß Fig. 5i ein Oxidfilm 82 durch einen Aufwachsvorgang auf dem freigelegten Siliziumsubstrat 71 innerhalb der Öffnung 74 gebil­ det, dessen Dicke geringer ist als die Dicke des Oxidfilms 72. Danach wird ein Polysiliziumfilm 83 mit größerer Dicke als die Dicke des Oxidfilms 72 auf die gesamte Oberfläche des Substrats aufgebracht und so zurückge­ ätzt, daß die Öffnung 74 bis zu einer bestimmten Höhe ausgefüllt wird. Der Polysiliziumfilm 83 dient zur Bildung eines Gates, liegt auf dem Oxidfilm 82 und befindet sich lediglich in der Öffnung 74.
Schließlich wird gemäß Fig. 5j ein dicker Oxidfilm durch einen Auf­ wachsvorgang auf der gesamten Oberfläche der so erhaltenen Struktur ge­ bildet und zurückgeätzt, um einen Kappenoxidfilm 84 zu erhalten. Die Öff­ nung 74 ist somit komplett ausgefüllt, und zwar im unteren Bereich durch den Polysiliziumfilm 83 und im oberen Bereich durch den Kappenoxidfilm 84. Der Kappenoxidfilm 84 wird so weit zurückgesetzt, daß er mit der Ober­ fläche des Films 73 fluchtet und eben ist.
Anschließend wird gemäß Fig. 5k der Nitridfilm 73 entfernt, um den Oxidfilm 72 freizulegen, und zwar außerhalb des Bereichs des Films 83.
Sodann werden gemäß Fig. 5l n-Typ Verunreinigungsionen in das Sub­ strat implantiert, und zwar durch den freigelegten Oxidfilm 72 hindurch und unter Verwendung des Polysiliziumfilms 83, der zur Bildung des Ga­ tes dient, sowie unter Verwendung des Kappenoxidfilms 84 als Ionenim­ plantationsmaske. Auf diese Weise werden die eine hohe Konzentration aufweisenden n⁺-Typ Source- und Drainbereiche 85 erhalten.
Bei dem LDD MOS Transistor nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung liegt das Gate 83 in einer Ausnehmung des Siliziumsubstrats 71, also in einem konkaven Substratbereich. Eine niedrige Konzentration aufweisende Source- und Drainbereiche 81 sind so angeordnet, daß sie vollständig vom Gate 83 überdeckt werden, sich mit diesem also überlap­ pen. Der p-Typ Verunreinigungsbereich 77 liegt ferner innerhalb des Kör­ perverbands des Siliziumsubstrats 71.
Wie oben erwähnt, lassen sich mit dem MOS Transistor nach der Erfin­ dung folgende Vorteile erzielen:
Da der p-Typ Verunreinigungsbereich zur Durchgriffsverhinderung so an­ geordnet ist, daß er nur die die niedrige Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereiche einschließt oder im Festkörperverband des Substrats liegt, ist es möglich, die Übergangskapazität der Source- bzw. Drainbereiche zu reduzieren und darüber hinaus die Betriebsgeschwin­ digkeit des Transistors zu erhöhen.
Zweitens befindet sich das Gate auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats, die konkav ausgebildet bzw. nach innen zurückgenommen ist. Somit ist es möglich, die Durchgriffscharakteristik des Transistors zu verbessern.
Das Gate ist darüber hinaus so geformt, daß es die die niedrige Konzentra­ tion aufweisenden Source- und Drainbereiche vollständig überlappt, so daß sich diese die niedrige Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereiche durch das Gate einwandfrei steuern lassen, was zu einer Verbesserung der Stromsteuercharakteristik des Transistors führt.
Drittens werden die Verunreinigungsionen unter Verwendung des dicken Feldoxidfilms als Ionenimplantationsmaske implantiert, wodurch sich die die niedrige Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereiche mit einem graduiert ausgebildeten bzw. abgestuften Übergang (graded-shaped junction) ausbilden lassen. Hohe elektrische Felder in der Nähe des Drainbereichs werden somit unterdrückt, was zu einer Verringerung der Anzahl heißer Ladungsträger führt.
Da viertens die Dicke des Isolationsfilms auf den die niedrige Konzentra­ tion aufweisenden Source- und Drainbereichen dicker ist als diejenige des Gateisolationsfilms, ist es möglich, den infolge des Gates induzierten Drainleckstrom zu reduzieren.
Wie bereits erwähnt, dient der Öffnungsbereich zur Aufnahme des Gates, das aus einem Polysiliziumfilm besteht. Somit ist es fünftens möglich, Schranken der gegenwärtigen Photolithographietechnik hinsichtlich der tatsächlichen Kanallänge zu überwinden und Halbleitereinrichtungen der beschriebenen Art noch weiter zu miniaturisieren.

Claims (10)

1. MOS Transistor, enthaltend:
  • - ein Siliziumsubstrat (51) vom ersten Leitungstyp, dessen Zentralteil, in welchem sich ein Kanalbereich (50) befindet, eine Oberflächenvertie­ fung aufweist, und dessen anderer Teil außerhalb der Oberflächenvertie­ fung eine ebene Oberfläche besitzt
  • - einen dünnen Gateoxidfilm (62) auf der Oberflächenvertiefung des Siliziumsubstrats (51);
  • - einen Oxidfilm (52) auf der ebenen Oberfläche des Siliziumsubstrats (51), der eine Dicke aufweist, die ein wenig größer ist als diejenige des Gateoxidfilms (62);
  • - ein auf dem Oxidfilm (62) liegendes Gate (63), dessen obere Fläche eben und dessen untere Fläche konvex ist;
  • - einen dicken Kappenoxidfilm (64) auf dem Gate (63);
  • - jeweils einen eine niedrige Konzentration aufweisenden Sourcebe­ reich (60) und Drainbereich (60) vom zweiten Leitungstyp, die vollständig vom Gate (63) überlappt werden und in einem Teil des Siliziumsubstrats (51) liegen, der benachbart zum Kanalbereich sowie zur Oberflächenver­ tiefung ist;
  • - jeweils einen eine hohe Konzentration aufweisenden Sourcebereich (65) und Drainbereich (65) vom zweiten Leitungstyp im ebenen Oberflä­ chenbereich des Siliziumsubstrats (51) und benachbart zu den die niedri­ ge Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereichen; und
  • - Verunreinigungsbereiche (61), die so im Siliziumsubstrat (51) liegen, daß sie die die niedrige Konzentration aufweisenden Source- und Drainbe­ reiche einschließen.
2. MOS Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliziumsubstrat (51) eine Struktur aufweist, nach der die Oberfläche des Kanalbereichs tiefer liegt als die Substratoberfläche, auf der die die niedrige Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereiche (65) ge­ bildet sind.
3. Verfahren zur Herstellung eines MOS Transistors, mit folgenden Schritten:
  • - auf einem Siliziumsubstrat (51) vom ersten Leitungstyp wird durch einen Aufwachsvorgang ein erster Oxidfilm (52 gebildet;
  • - auf den ersten Oxidfilm (52) wird ein Nitridfilm (53) relativ dick aufge­ bracht;
  • - der Nitridfilm (53) und der erste Oxidfilm (52) werden gemeinsam ge­ ätzt, um eine Öffnung (54) zu erhalten;
  • - auf die gesamte freiliegende Oberfläche des Siliziumsubstrats wird dann ein erster Polysiliziumfilm (55) dünn aufgebracht;
  • - sodann werden Seitenwandstücke (56) innerhalb der Öffnung (54) gebildet, derart, daß der erste Polysiliziumfilm (55-1) im Zentralbereich der Öffnung (54) frei bleibt und auch der erste Polysiliziumfilm (55-2) auf der Oberfläche des Nitridfilms (53), so daß die Seitenwandstücke (56) den ersten Polysiliziumfilm (55-3) nur im Randbereich der Öffnung (54) und an deren Seitenwand bedecken;
  • - der auf dem Siliziumsubstrat (51) freiliegende erste Polysiliziumfilm (55-1) und der auf dem Nitridfilm (53) freiliegende erste Polysiliziumfilm (55-2) werden einem thermischen Oxidationsprozeß unterzogen, und zwar unter Verwendung der Seitenwandstücke (56) als Oxidationsmaske, um einen dicken Feldoxidfilm (57) und einen zweiten Oxidfilm (58) zu erhal­ ten;
  • - die Seitenwandstücke (56) werden entfernt, um den verbleibenden ersten Polysiliziumfilm (55-3) freizulegen, der sich unterhalb des Bodens und hinter den Seiten der Seitenwandstücke (56) befindet;
  • - dieser freigelegte, verbliebene Polysiliziumfilm (55-3) wird oxidiert, um einen dritten Oxidfilm (59) zu erhalten;
  • - Verunreinigungsionen vom zweiten Leitungstyp sowie Verunreini­ gungsionen vom ersten Leitungstyp werden in dieser Reihenfolge in das Si­ liziumsubstrat (51) implantiert, und zwar unter Verwendung des dicken
  • - Feldoxidfilms (57) als Ionenimplantationsmaske, um Source- und Drain­ bereiche (60) vom zweiten Leitungstyp mit niedriger Konzentration sowie Verunreinigungsbereiche vom ersten Leitungstyp zu bilden, welche die die niedrige Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereiche um­ schließen;
  • - Entfernen des dritten Oxidfilms (59) und des Feldoxidfilms (57), der­ art, daß das Siliziumsubstrat (51) eine Oberflächenvertiefung im Zentral­ bereich der Öffnung (54) aufweist, dort also konkav ausgebildet ist, sowie Entfernen des zweiten Oxidfilms (58) auf dem Nitridfilm (53);
  • - Bildung eines vierten Oxidfilms als Gateoxidfilm (62) am Boden der Öffnung (54) bzw. auf der Oberflächenvertiefung des Siliziumsubstrats (51);
  • - Bildung eines Polysiliziumfilms für ein Gate (63) auf dem vierten Oxidfilm (62), um einen Teil der Öffnung (54) mit dem Polysiliziumfilm auf­ zufüllen;
  • - Bildung eines dicken Oxidfilms (64) auf dem zweiten Polysiliziumfilm (63) und Rückätzen des dicken Oxidfilms (64), um die Öffnung (54) voll­ ständig aufzufüllen;
  • - Entfernen des freiliegenden Nitridfilms (53) zwecks Freilegung des ersten Oxidfilms (52); und
  • - es werden Verunreinigungsionen vom zweiten Leitungstyp in das Si­ liziumsubstrat (51) implantiert, und zwar durch den freiliegenden ersten Oxidfilm (52) hindurch und unter Verwendung des zweiten Polysilizium­ films (63) als Maske, um Source- und Drainbereiche (65) mit hoher Kon­ zentration zu erhalten.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß beim Implantieren der Verunreinigungsionen zur Bildung der die niedrige Kon­ zentration aufweisenden Source- und Drainbereiche der Feldoxidfilm und der Nitridfilm als Ionenimplantationsmaske verwendet werden.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß beider Durchführung des Feldoxidationsprozesses die Seitenwandstücke (56) als Oxidationsmaske dienen.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Sei­ tenwandstücke (56) aus einem Nitridfilm hergestellt werden.
7. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Durchführung des Feldoxidationsprozesses der am Boden und an den Sei­ ten der Seitenwandstücke (56) verbleibende Polysiliziumfilm (55-3) als Spannungspufferschicht dient.
8. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der er­ ste Oxidfilm (52) dicker hergestellt wird als der vierte Oxidfilm (62).
9. MOS Transistor, enthaltend:
  • - ein Siliziumsubstrat (71) vom ersten Leitungstyp, dessen Zentralteil, in welchem sich ein Kanalbereich (70) befindet, eine Oberflächenvertie­ fung aufweist, und dessen anderer Teil außerhalb der Oberflächenvertie­ fung eine ebene Oberfläche besitzt;
  • - einen dünnen Gateoxidfilm (82) auf der Oberflächenvertiefung des Siliziumsubstrats (71);
  • - einen Oxidfilm (72) auf der ebenen Oberfläche des Siliziumsubstrats (71), der eine Dicke aufweist, die ein wenig größer ist als diejenige des Ga­ teoxidfilms (82);
  • - ein auf dem Oxidfilm (82) liegendes Gate (83), dessen obere Fläche eben und dessen untere Fläche konvex ist;
  • - einen dicken Kappenoxidfilm (84) auf dem Gate (83);
  • - jeweils einen eine niedrige Konzentration aufweisenden Sourcebe­ reich (81) und Drainbereich (81) vom zweiten Leitungstyp, die vollständig vom Gate (83) überlappt werden und in einem Teil des Siliziumsubstrats (71) liegen, der benachbart zum Kanalbereich sowie zur Oberflächenver­ tiefung ist;
  • - jeweils einen eine hohe Konzentration aufweisenden Sourcebereich (85) und Drainbereich (85) vom zweiten Leitungstyp im ebenen Oberflä­ chenbereich des Siliziumsubstrats (71) und benachbart zu den die niedri­ ge Konzentration aufweisenden Source- und Drainbereichen (81); und
  • - Verunreinigungsionen vom ersten Leitungstyp im Festkörperver­ band des Siliziumsubstrats (71) unterhalb des Kanalbereichs.
10. Verfahren zur Herstellung eines MOS Transistors, mit folgenden Schritten:
  • - auf einem Siliziumsubstrat (71) vom ersten Leitungstyp wird durch einen Aufwachsvorgang ein erster Oxidfilm (72) gebildet;
  • - auf den ersten Oxidfilm (72) wird ein Nitridfilm (73) relativ dick aufge­ bracht;
  • - der Nitridfilm (73) und der erste Oxidfilm (72) werden gemeinsam ge­ ätzt, um eine Öffnung (74) zu erhalten;
  • - auf die gesamte Oberfläche des Siliziumsubstrats (71) wird dann ein erster Polysiliziumfilm (75) dünn aufgebracht;
  • - es werden Seitenwandstücke (76) innerhalb der Öffnung (74) gebil­ det, die einen Teil des ersten Polysiliziumfilms (75-1) im Zentralbereich der Öffnung (74) sowie einen weiteren Teil (75-2) des ersten Polysilizium­ films freilassen, der auf der Oberfläche des Nitridfilms (73) liegt, so daß nur derjenige Teil des Polysiliziumfilms (75-3) durch die Seitenwand­ stücke (76) abgedeckt wird, der sich am Boden und an den Seiten der Sei­ tenwandstücke (76) befindet;
  • - Verunreinigungsionen vom ersten Leitungstyp werden in das Silizi­ umsubstrat (71) implantiert, und zwar durch die Öffnung (74) hindurch, um einen Verunreinigungsbereich vom ersten Leitungstyp zu erhalten;
  • - es wird ein thermischer Oxidationsprozeß durchgeführt, um den auf dem Siliziumsubstrat (71) freiliegenden Polysiliziumfilm (75-1) und den auf dem Nitridfilm (73) freiliegenden Polysiliziumfilm (75-2) zu oxidieren, so daß ein dicker Feldoxidfilm (78) und einer zweiter Oxidfilm (79) erhalten werden;
  • - die Seitenwandstücke (76) werden entfernt, um denjenigen Teil (75-3) des ersten Polysiliziumfilms (75) freizulegen, der am Boden und an der Seite der Seitenwandstücke (76) verblieben ist;
  • - dieser freigelegte und verbliebene erste Polysiliziumfilm (75-3) wird durch Oxidation in einen dritten Oxidfilm (80) umgewandelt;
  • - Verunreinigungsionen vom zweiten Leitungstyp werden in das Silizi­ umsubstrat (71) implantiert, um Source- und Drainbereiche (61) zu erhal­ ten, die eine niedrige Konzentration aufweisen;
  • - der dritte Oxidfilm (80) und der Feldoxidfilm (78) werden so entfernt, daß das Siliziumsubstrat (71) innerhalb der Öffnung (74) eine Oberflä­ chenvertiefung aufweist bzw. dort konkav ausgebildet ist, wobei ebenfalls der zweite Oxidfilm (79) entfernt wird, um den Nitridfilm (73) freizulegen;
  • - Bildung eines vierten Oxidfilms als Gateoxidfilms (82) auf der Ober­ flächenvertiefung des Siliziumsubstrats (71), der eine geringere Dicke auf­ weist als der erste Oxidfilm (72);
  • - auf dem vierten Oxidfilm (82) wird ein Polysiliziumfilm für ein Gate (83) gebildet und so weit zurückgeätzt, daß ein Teil der Öffnung (74) mit diesem Polysiliziumfilm (83) aufgefüllt ist;
  • - Bildung eines dicken fünften Oxidfilms (84) auf dem zweiten Polysili­ ziumfilm (83), um die Öffnung (74) vollständig aufzufüllen;
  • - Entfernen des freiliegenden Nitridfilms (73) zwecks Freilegen des er­ sten Oxidfilms (72); und
  • - es werden Verunreinigungsionen vom zweiten Leitungstyp in das Si­ liziumsubstrat (71) implantiert, und zwar durch den freigelegten ersten Oxidfilm (72) hindurch und unter Verwendung des zweiten Polysilizium­ films (83) als Maske, um Source- und Drainbereiche (85) zu erhalten, die eine hohe Konzentration aufweisen.
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