DE3927176A1

DE3927176A1 - Dynamische speicherzelle fuer willkuerlichen zugriff und ihr herstellungsverfahren

Info

Publication number: DE3927176A1
Application number: DE3927176A
Authority: DE
Inventors: Jun-Young Jeon
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 1989-05-19
Filing date: 1989-08-17
Publication date: 1990-11-22
Also published as: GB2231718B; FR2647267B1; FR2647267A1; JPH0715949B2; GB2231718A; GB8926627D0; DE3927176C2; KR900019141A; KR920010695B1; JPH02312270A

Description

Grundlagen der Erfindung 1. Umfeld der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine dynamische Speicherzelle für willkürlichen Zugriff (DRAM) und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Speicherzelle für willkürlichen Zugriff, durch das eine Spei cherkapazität dadurch vergrößert wird, daß ein Rinnenkondensator mit einem gestapelten Kondensator parallel geschaltet wird.

2. Beschreibung des bekannten Standes der Technik

Eine dynamische Speicherzelle für willkürlichen Zugriff enthält einen Transistor, bei dem ein Zugelektroden-Quellenelektrodenkanal zwischen einer Bitleitung und einem Zellenanschlußpunkt angekoppelt ist, und einen Spei cherkondensator, der zwischen dem Zellenanschlußpunkt und einer Zellenplatte angeschlossen ist. Um die Speicherdichte eines dynamischen Speichers für willkürlichen Zugriff zu erhöhen, ist eine dynamische Speicherzelle für willkürlichen Zugriff entwickelt worden, die den Kondensator nach einer Rinnen- und Stapelkonstruktion besitzt, um eine Speicherkapazität an einem festliegenden Bereich möglichst günstig zu gestalten, der von einer dynami schen Speicherzelle für willkürlichen Zugriff eingenommen wird.

Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht, die eine bevorzugte Ausführungs form einer bekannten Rinnenkondensatorzelle zeigt.

Wie in Fig. 1 dargestellt ist, enthält eine bekannte Rinnentransistor zelle einen MOS-Transistor mit einem n-Kanal, eine Diffusionsschicht 8, ei nen dielektrischen Film 9 und polykristallines Silizium 11. Der MOS-Transi stor mit einem n-Kanal enthält einen Quellenbereich 3, der einem Feldoxid 10 benachbart ist, das auf der Oberfläche einer p-Unterlage 1 ausgebildet ist, einen durch einen Kanal getrennten Zugbereich 2 und eine Wortleitung 5, die von einem polykristallinen Silizium einer Leitungsart gebildet ist, das auf der Unterlage zwischen dem Zugbereich 2 und dem Quellenbereich 3 auf einem Toroxid 4 gewachsen ist. Die Diffusionsschicht 8 ist auf der äußeren Unterlage einer Rinne 7 ausgebildet und wird durch eine Berührung mit dem Quellenbereich 3 als Anschlußpunkt einer Zelle benutzt. Auf der Innenseite einer Rinne 7 ist der dielektrische Film 9 ausgebildet. Das auf dem dielek trischen Film 9 befindliche, polykristalline Silizium 11 wird durch eine Auffüllung der Rinne als Zellenplatte verwendet. Außerdem ist eine benach barte Wortleitung 6, die eine Torelektrode einer anliegenden Speicherzelle ist, auf einem Abschnitt eines Feldoxids 10 ausgebildet, der dabei von der polykristallinen Siliziumschicht 11 durch einen isolierenden Film 12 ge trennt ist.

Bei dem oben erläuterten Rinnenkondensator muß eine Rinne tief einge graben sein, damit sie eine umfangreiche Speicherkapazität hat; auf diese Weise wird nach der Bildung des Kondensators ein Transistor ausgebildet, und eine unter der Rinne gebildete Diffusionsschicht wird durch fortlaufende Verfahrensschritte ausgebaut. Wenn eine Integration einer dynamischen Spei cherzelle für willkürlichen Zugriff in großem Umfange bewirkt, daß der Ab stand zwischen Rinnen verkleinert wird, wird der Abstand von Diffusionsbe reichen benachbarter Zellen sehr klein; daher entsteht ein Problem, daß die in dem Kondensator gespeicherten Informationen infolge eines Leckstromes verlorengehen, der durch eine Unterlage fließt.

Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht, die eine bevorzugte Ausführungs form eines bekannten gestapelten Kondensators zeigt.

Wie in der Fig. 2 dargestellt ist, enthält ein bekannter, gestapelter Kondensator einen MOS-Transistor mit einem n-Kanal, einen dielektrischen Film 29 und polykristallines Silizium 31. Der MOS-Transistor mit dem n-Kanal besteht aus einem Quellenbereich 22, der sich neben einem Feldoxid 30 befin det, das über der p-Halbleiter-Unterlage 20 ausgebildet ist, einem durch einen Kanal abgetrennten Zugbereich 21 und einer Wortleitung 24, die durch ein polykristallines Silizium der Leitungsart gebildet ist, das auf der Un terlage zwischen dem Zugbereich 21 und dem Quellenbereich 22 über einem Tor oxid 23 gewachsen ist. Der verwendete dielektrische Film aus einem dielek trischen Material ist auf der Innenfläche einer Rinne 26 ausgebildet, die in der Unterlage unterhalb des Quellenbereiches 22 ausgebildet ist. Das über dem dielektrischen Film 29 gebildete polykristalline Silizium 31 wird als Schicht einer Zellenplatte benutzt. Wortleitungen 24, 25 und ein als Zellen anschlußschicht verwendetes polykristallines Silizium 27 sind auch durch ei nen isolierenden Film 28 getrennt; eine Bitleitung 35, die durch einen iso lierenden Film 34 über dem polykristallinen Silizium 31, das als Schicht ei ner Zellenplatte benutzt wird, getrennt ist, ist durch eine Öffnung mit ei nem Zugbereich 21 verbunden. Der isolierende Film 34 besteht aus einem Oxid film 32 und aus einem Film 33 eines Borphoshorsilikatglases.

Ein oben beschriebener, gestapelter Kondensator weist jedoch entspre chend einer Ausdehnung eines Bereiches durch einen Rinnenprozeß ein geringes Zunahmemaß an Speicherkapazität auf, was auf eine feststehende Dicke einer polykristallinen Siliziumschicht zurückzuführen ist, die als Zellenanschluß schicht verwendet wird; außerdem tritt ein Problem auf, daß es bei einem kleinen Rinnenloch schwierig ist, polykristallines Silizium niederzuschla gen, um eine Zellenplatte über einer inneren Rinne auszubilden.

Übersicht über die Erfindung

Daher ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer dynamischen Speicherzelle für willkürlichen Zugriff vorzu sehen, deren Speicherkapazität für eine Integration in großem Maßstab ver größert werden kann.

Um das oben genannte Ziel der vorliegenden Erfindung zu erreichen, ent hält eine dynamische Speicherzelle für willkürlichen Zugriff ein Feldoxid, das über der Oberfläche einer Halbleiter-Unterlage einer ersten Leitungsart ausgebildet ist, um zwischen benachbarten Zellen eine Trennung vorzunehmen, einen Zug- und Quellenbereich einer zweiten Leitungsart, die zu der ersten Leitungsart entgegengesetzt ist, wobei der Zug- und Quellenbereich gegenein ander auf der Unterlage durch einen gegebenen Abstand voneinander getrennt sind, ein Toroxid auf der Unterlage zwischen dem Quellen- und Zugbereich und Wortleitungen einer Leitungsart, die auf dem Feldoxid gewachsen ist; die dynamische Speicherzelle für willkürlichen Zugriff enthält gemäß der Erfin dung:
eine Rinne, die unterhalb eines gegebenen Abschnittes zwischen dem Quellenbereich und dem Feldoxid ausgebildet ist, eine Diffusionsschicht, die mit dem Quellenbereich durch eine von einer Ionenimplantation herbeigeführ te Verunreinigung einer zweiten Leitungsart in der Unterlage der äußeren Rinne verbunden ist,
ein erstes polykristallines Silizium, das mit dem Quellenbereich ver bunden und gegen die Wortleitungen durch einen ersten isolierenden Film isoliert ist,
einen dielektrischen Film, der auf der Innenseite der Rinne und einem ersten polykristallinen Silizium ausgebildet ist,
ein zweites polykristallines Silizium, das auf dem dielektrischen Film ausgebildet ist, um das Innere der Rinne zu füllen, und
eine Bitleitung, die mit dem Zugbereich durch eine Öffnung verbunden und durch einen zweiten isolierenden Film isoliert ist.

Um ferner das oben genannte Ziel der vorliegenden Erfindung zu errei chen, weist das Verfahren zur Herstellung einer dynamischen Speicherzelle für willkürlichen Zugriff mit einem gestapelten Rinnenkondensator und einem Transistor einer zweiten Leitungsart, die zu der ersten Leitungsart entgegen gesetzt ist, auf einer Halbleiterunterlage der ersten Leitungsart die Ar beitsschritte auf:
ein dickes Feldoxid auf einem Abschnitt der Oberfläche der Halbleiter unterlage, einen Quellenbereich der zweiten Leitungsart, der dem Feldoxid benachbart ist, einen Zugbereich der zweiten Leitungsart, der durch einen Kanalbereich an der Oberfläche der Halbleiterunterlage getrennt ist, ein Toroxid auf der Oberfläche des Quellenbereiches, einen Kanal- und Zugbereich und dann Wortleitungen einer Leitungsart über dem Kanalbereich bzw. einem gegebenen Bereich des Feldoxids auszubilden,
einen ersten isolierenden Film auf den Wortleitungen, einem freigeleg ten Toroxid und einem Feldoxid und eine Öffnung in dem ersten isolierenden Film und einem Toroxid auszubilden, das über dem Quellenbereich liegt,
ein erstes polykristallines Silizium auf dem Quellenbereich auszubil den, um mit Abschnitten der Wortleitungen zusammenzuliegen,
eine Rinne über der Quelle, der Unterlage und dem ersten polykristalli nen, in die Öffnung hinein ausgebildeten Silizium und eine Diffusionsschicht einer zweiten Leitungsart auf der äußeren Unterlage der Rinne, um eine Ver bindung mit dem Quellenbereich herzustellen, und dann einen dielekrischen Film auf dem ersten isolierenden Film, dem erstem polykristallinen Silizium und der Oberfläche einer Rinne auszubilden,
ein zweites polykristallines Silizium auf dem dielektrischen Film aus zubilden, um das Innere der Rinne zu füllen und mit einem Abschnitt der Wortleitung an dem Kanalbereich zusammenzuliegen,
ein Oxid und einen Borphosphorsiliziumglasfilm auf dem zweiten polykri stallinen Silizium und dielektrischen Film niederzuschlagen, eine Öffnung am Zugbereich zu bilden und einen Metallsilicidfilm herzustellen.

Kurze Beschreibung der Zeichnung

Die Merkmale und Vorteile des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfin dung seien nun hiernach unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen erläutert.

Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht, die eine bevorzugte Ausführungs form einer bekannten gestapelten Kondensatorzelle zeigt.

Fig. 3 ist eine Querschnittsansicht einer Zelle, bei der gemäß der vorliegenden Erfindung ein gestapelter Kondensator mit einem Rinnenkondensa tor parallel geschaltet ist.

Die Fig. 4A bis 4G sind Querschnittsansichten, die je eine Herstel lungsstufe einerdynamischen Speicherzelle für willkürlichen Zugriff gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen.

Ausführliche Beschreibung der Erfindung

Fig. 3 ist eine Querschnittsansicht einer dynamischen Speicherzelle für willkürlichen (zufallsverteilten) Zugriff, die nach der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist. Die Konstruktion einer dynamischen Speicherzelle mit willkürlichem Zugriff enthält einen Transistor mit einem n-Kanal und wenigstens einen Speicherkondensator, der einen gestapelten Kondensator und einen Rinnenkondensator aufweist. Der MOS-Transistor mit dem n-Kanal besteht aus einem Quellenbereich 53, der an einem Feldoxid 46 anliegt, das über der Oberfläche einer p-Halbleiter-Unterlage 40 gebildet ist, aus einem Zugbe reich 52, der durch einen Kanal getrennt ist, und aus einer Wortleitung 50 oder einer Torelektrode einer Leitungsart, die auf der Unterlage zwischen dem Zugbereich 52 und dem Quellenbereich 53 über einem Toroxid 48 gewachsen ist. Die erste polykristalline Siliciumschicht 56, die von den Wortleitun gen 50, 51 durch einen ersten isolierenden Film 71 getrennt ist, ist mit dem Quellenbereich 53 verbunden, damit eine Zellenanschlußschicht eines ge stapelten Kondensators entsteht. Der n-Diffusionsbereich 60 ist rund um ei ne Rinne 58 zwischen dem Quellenbereich 53 und Feldoxid 46 gebildet, damit eine Zellenanschlußschicht eines Rinnenkondensators entsteht. Die zweite polykristalline Siliciumschicht 64, die die Rinne 58 ausfüllt, wird auf dem dielektrischen Film 62 gebildet und als Zellenplattenschicht des gestapel ten Kondensators und des Rinnenkondensators benutzt.

Daher enthält der gestapelte Kondensator das erste polykristalline Silizium 56, den dünnen, dielektrischen Film 62 und das zweite polykristal line Silizium 64, und der Rinnenkondensator weist den Diffusionsbereich 60, den dünnen, dielektrischen Film 62 und das zweite polykristalline Silizium 64 auf. Der gestapelte Kondensator und der Rinnenkondensator sind zum Quel lenbereich 53 parallel geschaltet. Durch eine Öffnung ist eine Bitleitung 72, die durch einen zweiten isolierenden Film 70 von dem zweiten polykri stallinen Silizium 64 getrennt ist, mit dem Zugbereich 52 verbunden. Der zweite isolierende Film 70 besteht aus einem Oxid 66 und einem Borphosphor siliziumglasfilm 68. Auf dem Feldoxid 46 ist außerdem die Wortleitung 51 ausgebildet, damit eine Torelektrode einer benachbarten Speicherzelle ent steht.

Die Fig. 4A bis 4F sind Querschnittsansichten, die die Verfahrens schritte zur Herstellung der dynamischen Speicherzelle für willkürlichen Zu griff mit dem Aufbau der Fig. 3 veranschaulicht; dabei sollte angemerkt werden, daß dieselben Bezugsnummern dieselben Teile oder Zusammenstellungen angeben. Nun sei auf Fig. 4A bezuggenommen; das Ausgangsmaterial ist eine p-Unterlage mit einer Konzentration von 10¹⁶ Ionen/cm³. Es sei bemerkt, daß die Unterlage eine p-Quelle sein kann, die in einem p-Plättchen mit einem Blattwiderstand von 10 Ω×cm ausgebildet ist. Für eine Isolierung zwischen Speicherzellen ist ein Feldoxid 46 auf der Unterlage 40 gebildet. Wie zu sagen ist, wird nach einer Aufbringung eines Oxids 42 in einer Dicke von et wa 200 A und eines Nitrids 44 in einer Dicke von etwa 1000 A auf der Unter lage 40 ein Abschnitt des Nitrids 44 mit Ausnahme eines Transistorbereiches durch ein übliches lichtlithographisches Verfahren entfernt; mit Hilfe eines Verfahrens, Silizium örtlich zu oxydieren, wird ein Feldoxid 46 zur Isolie rung zwischen Speicherzellen gebildet.

Nun sei auf Fig. 4B bezuggenommen; nach einer Beseitigung des Nitrids 44 und Oxids 42 läßt man ein Toroxid in einer Dicke von ungefähr 160 A auf der Unterlage 40 wachsen. Danach werden ein polykristallines Silicium in einer Dicke von ca. 2500 A und ein Niedrigtemperaturoxid in einer Dicke von 1500 A nacheinander auf dem Toroxid 48 und dem Feldoxid 46 niedergeschlagen; nach einer Bildung einer Torelektrode oder von Wortleitungen 50, 51 durch ein übliches lichtlithographisches Verfahren werden dann mit Hilfe einer Ioneneinpflanzung von Arsen in einer Menge von 5×10¹⁵ Ionen/cm³ bei einer Energie von 40 000 eV eine Quelle 53 und ein Zugbereich 52 ausgebildet. Oberhalb wird die Wortleitung 51 auf dem Feldoxid 46 zu einer Torelektrode einer benachbarten Zelle.

Nun sei auf Fig. 4C bezuggenommen; mit Hilfe einer bekannten Vakuum aufdampfung wird ein erster isolierender Film 71 in einer Dicke von 2000 A, z. B. ein Niedrigtemperaturoxidfilm, auf den Wortleitungen 50, 51, dem Feld oxid 46 und dem freigelegten Toroxid 48 aufgebracht. Um den Quellenbereich 53 freizulegen, wird eine Öffnung 54 an einem gegebenen Abschnitt des Quel lenbereiches 53 ausgebildet.

Nun sei auf Fig. 4D bezuggenommen; nach einem Aufbringen eines ersten polykristallinen Siliziums 56 in einer Dicke von etwa 1000 A auf dem ersten isolierenden Film 71 und dem freigelegten Quellenbereich 53 wird dann ein lichtlithographisches Verfahren in Angriff genommen. Das erste polykristal line Silizium 56 wird als Zellenanschlußschicht eines gestapelten Kondensa tors benutzt und ist mit POCl3 durch eine Ionenimplantation dotiert. Der Oberflächenbereich des ersten polykristallinen Siliziums wird umfangreich, was darauf zurückzuführen ist, daß er sich über die Wortleitungen 50, 51 erstreckt.

Nun sei auf Fig. 4E bezuggenommen; nach einer Ausbildung einer Rinne 58 in dem ersten polykristallinen Silizium 56, das mit dem Quellenbereich 53 und seiner tieferen Unterlage in Berührung gebracht ist, mit Hilfe einer anisotropen Ätzung, die einer üblichen Ätzung mit Reaktionsionen gleich kommt, wird ein n-Diffusionsbereich 60 durch eine Implantation mit Arsenio nen in einer Menge von 5×10¹⁵ Ionen/cm³ bei einer Energie von 130 000 eV ausgebildet; dann wird ein dielektrischer Film 62 in einer Dicke von etwa 100 A auf dem ersten polykristallinen Silizium 56 und auf der Innenfläche der Rinne 58 gebildet. Der n-Diffusionsbereich 60, der mit dem Quellenbe reich 53 in Berührung steht, wird als Zellenanschlußpunkt eines Rinnenkon densators verwendet. Der dielektrische Film 62 wirkt außerdem als dielektri sches Material eines gestapelten Kondensators und eines Rinnenkondensators und kann einen Oxidfilm oder einen SiO₂/Si₃N₄/SiO₂-Film enthalten.

Nun sei auf Fig. 4F bezuggenommen; auf dem dielektrischen Film 62 wird vollständig ein zweites polykristallines Silizium 64 niedergeschlagen, um das Innere einer Rinne 58 zu füllen; eine Zellenplatte wird durch ein lichtlithographisches Verfahren ausgebildet. Das zweite polykristalline Si lizium 64 wird als Zellenplatte des gestapelten Kondensators und Rinnenkon densators verwendet und mit POCl3 dotiert.

Nun sei auf Fig. 4G bezuggenommen; ein Oxidfilm 66 mit einer Dicke von ungefähr 500 A wird auf dem dielektrischen Film 62 und dem zweiten polykri stallinen Silizium 64 aufgebracht; ein Borphosphorsilikatglasfilm 68 in ei ner Dicke von etwa 3000 A wird auf dem Oxidfilm 66 zur Glättung der Ober fläche ausgebildet. Der Oxidfilm 66 und der Borphosphorsilikatglasfilm 68 werden als zweiter isolierender Film 70 benutzt. Nach dieser Bearbeitung wird ein Metallsilizid 72 in einer Dicke von ungefähr 3000 A ausgebildet, um einen Kontakt mit einem Abschnitt des Zugbereiches 52 durch eine Öffnung herzustellen, die durch ein lichtlithographisches Verfahren gebildet ist. Das Metallsilizid 72 kann ein Silizid des Wolframs oder Titans sein und stellt eine Bitleitung dar.

Durch die oben erläuterte, vorliegende Erfindung kann die Speicherkapa zität vergrößert werden, indem ein Rinnenkondensator mit einem gestapelten Kondensator parallel geschaltet wird. Es ist ein Vorteil, daß eine Integra tion eines Elementes in großem Maßstab, wie folgt, erreicht werden kann: Der Abstand zwischen den Rinnen wird durch eine Begrenzung eines Diffusions bereiches vermindert, da eine thermische Behandlungszeit zur Ausbildung ei nes Rinnenkondensators nach der Bildung eines Transistors kurz ist, und eine Öffnung einer Rinne ist klein, weil ein polykristallines Silizium nicht auf der Oberfläche einer Rinne zur Ausbildung eines Zellenanschlußpunktes nie dergeschlagen wird.

Während die Erfindung besonders unter Bezugnahme auf eine bevorzugte Ausführungsform dargestellt und erläutert ist, so wird von den Fachleuten doch verstanden, daß Abänderungen von Einzelheiten ausgeführt werden können, ohne von dem Geist und dem Rahmen der Erfindung abzuweichen.

Claims

1. Dynamische Speicherzelle für zufallsverteiltem Zugriff mit einem Feld oxid, das auf der Oberfläche einer Halbleiter-Unterlage einer ersten Lei tungsart ausgebildet ist, um zwischen benachbarten Zellen zu isolieren, mit einem Zug- und Quellenbereich einer zweiten Leitungsart, die zu der ersten Leitungsart entgegengesetzt ist, wobei die beiden Bereiche gegeneinander durch einen gegebenen Abstand an der Unterlage getrennt sind, mit einem Tor oxid, das sich an der Unterlage zwischen dem Quellen- und Zugbereich befin det, und mit Wortleitungen einer Leitungsart, die auf dem Feldoxid gewachsen sind, dadurch gekennzeichnet, daß unterhalb des Abschnittes zwischen dem Quellenbereich und Feldoxid eine Rinne ausgebildet ist und eine Diffusions schicht mit dem Quellenbereich durch eine durch Ionenimplantation eingeführ te Verunreinigung einer zweiten Leitungsart in der Unterlage der äußeren Rinne verbunden ist,
daß ein erstes polykristallines, mit dem Quellenbereich verbundenes Silizium gegen die Wortleitungen durch einen ersten isolierenden Film iso liert ist,
daß ein dielektrischer Film auf der inneren Oberfläche der Rinne und einem ersten polykristallinen Silizium ausgebildet ist,
daß ein zweites polykristallines Silizium auf dem dielektrischen Film ausgebildet ist, um das Innere der Rinne zu füllen, und
daß eine Bitleitung mit dem Zugbereich durch eine Öffnung verbunden und gegen einen zweiten isolierenden Film isoliert ist.

2. Dynamische Speicherzelle für zufallsverteilten Zugriff gemäß Anspruch 1, bei der der erste isolierende Film ein Oxidfilm ist.

3. Dynamische Speicherzelle für zufallsverteilten Zugriff gemäß Anspruch 1, bei der das erste polykristalline Silizium und eine Diffusionsschicht aus einer Verunreinigung parallel zu einem Quellenbereich geschaltet sind.

4. Verfahren zur Herstellung einer dynamischen Speicherzelle für zufalls verteilten Zugriff mit einem gestapelten Kondensator, einem Rinnenkondensa tor und einem Transistor einer zweiten Leitungsart, die zu einer ersten Lei tungsart entgegengesetzt ist, an einer Halbleiter-Unterlage der ersten Lei tungsart, mit den Arbeitsschritten:
ein dickes Feldoxid auf einem Abschnitt der Oberfläche der Halbleiter- Unterlage, einen Quellenbereich einer zweiten Leitungsart, der sich in der Nähe des Feldoxids befindet, einen Zugbereich der zweiten Leitungsart, der durch einen Kanalbereich an der Oberfläche der Halbleiter-Unterlage getrennt ist, ein Toroxid auf der Oberfläche des Quellenbereiches, einen Kanal- und Zugbereich und dann Wortleitungen der Leitungsart über dem Kanalbereich bzw. einem gegebenen Bereich des Feldoxids auszubilden,
auf den Wortleitungen, einem freigelegten Toroxid und Feldoxid einen ersten isolierenden Film und an dem ersten isolierenden Film und einem Tor oxid, das über dem Quellenbereich liegt, eine Öffnung auszubilden,
ein erstes polykristallines Silizium auf dem Quellenbereich auszubil den, um mit Abschnitten der Wortleitungen zusammenzuliegen,
eine Rinne über der Quelle, der Unterlage und dem ersten polykristalli nen Silizium, in das die Öffnung ausgebildet wird, und eine Diffusions schicht einer zweiten Leitungsart auf der äußere Unterlage der Rinne, damit sie mit dem Quellenbereich verbunden wird, und dann einen dielektrischen Film auf dem ersten isolierenden Film, dem polykristallinen Silizium und der Oberfläche einer Rinne auszubilden,
ein zweites polykristallines Silizium auf dem dielektrischen Film aus zubilden, um das Innere der Rinne zu füllen und mit einem Abschnitt der Wortleitung an dem Kanalbereich zusammenzuliegen,
ein Niedrigtemperaturoxid und einen Borphosphorsiliziumglasfilm über dem zweiten polykristallinen Silizium und dielektrischen Film aufzubringen,
eine Öffnung an dem Zugbereich auszubilden und einen Metallsilizidfilm herzustellen.

5. Verfahren zur Herstellung der dynamischen Speicherzelle für zufallsver teilten Zugriff gemäß Anspruch 4, bei dem das Metallsilizid ein Silizid des Wolframs oder Titans ist.