DE3131991A1 - "zenerdiode und verfahren zu ihrer herstellung" - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 13
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010039509 Scab Diseases 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/866—Zener diodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
kV. Philips' eioeiiOTpenfebifskin/Efnte^-":" 3131991
PHN 9825 y3 2-4-1981
"Zenerdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung".
Die Erfindung bezieht sich auf eine Zener-diode
mit einem Halbleiterkörper mit einem ersten Halbleitergebiet von einem ersten Leitungstyp, das an eine Oberfläche des Körpers grenzt, einer schützenden Isolierschicht auf
mit einem Halbleiterkörper mit einem ersten Halbleitergebiet von einem ersten Leitungstyp, das an eine Oberfläche des Körpers grenzt, einer schützenden Isolierschicht auf
der Oberfläche des genannten ersten Gebieten mit einem eiiun
Teil der genannten Oberfläche freilegenden Fenster, e Liier epitaktischen Schicht von einem, zweiten entgegengesetzten
Leitungstyp, die auf der genannten Oberfläche in dem genannten Fenster liegt, und einem Metalleiter, der auf der
genannten eptaktischen Schicht angebracht ist. Weiterhin
bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Zenerdiode.
bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Zenerdiode.
Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf eine verbesserte Zenerdiode mit einem hohen Wirkungsgrad und
einer niedrigen Zenerdurchschlagspannung, z.B. in der Grössenordnung
von einigen Volt bei einem Messstrom von 5 mA.
Zenerdi öden werden im allgemeinen als Spannungssteuerdioden,
Spannungsbezugselemente -und Schwellwertspannungsanordnungen
verwendet, die eine sehr genau bestimmte und reproduzierbare Zenerdurchschlagspannung aufweisen. Die
Zenerdiode mit einer niedrigen Zenerdurchschlagspannung mit einer epitaktischen Schicht in einem Fenster der schützenden
Isolierschicht ist in der französischen Patentschrift Nr. T.522.532 beschrieben. Die Vorteile dieser Diode sind
" folgende: Die epitaktische Schicht kann leicht einen idealen
untiefen pn-übergang für den Zenereffekt mit einem sehr
steilen praktisch schrittweise verlaufenden Verunreinigungskonzentrationsgradienten über dem übergang bilden. Mit
einer bestimmten Dicke der epitaktischen Schicht kann ausseru dem vermieden werden, dass sich die elektrischen Eigenschaften des pn-Ubergangs, wie Kurzschluss durcli das N'iederschlagen eines Metalleiters, ändern oder verschlechtern. Wenn nämlich der Metalleiter, wie Silber, unmittelbar auf
steilen praktisch schrittweise verlaufenden Verunreinigungskonzentrationsgradienten über dem übergang bilden. Mit
einer bestimmten Dicke der epitaktischen Schicht kann ausseru dem vermieden werden, dass sich die elektrischen Eigenschaften des pn-Ubergangs, wie Kurzschluss durcli das N'iederschlagen eines Metalleiters, ändern oder verschlechtern. Wenn nämlich der Metalleiter, wie Silber, unmittelbar auf
PHN 9825 -j/(f 2-4-1981
einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats über dem genannten
untiefen pn-Ubergang ohne die epitaktische Schicht
niedergeschlagen wird, dringt das Silber in das Halbleitersubstrat
ein und zerstört den pn-Ubergang während eines Glasverbindungsvorgangs. Der selektive epitaktische Anwachsvorgang
ermöglicht es, auf einfache "Weise eine Vielzahl von Dioden gleichzeitig auf demselben Halbleitersubstrat
tier.uis te 1 Len.
Trotzdüui is L bei der Herstellung dieser bekannten
/enerdioden der mittlere Wirkungsgrad der Dioden, die eine ge η ügende Zuverlässigkeit und eine sehr genau bestimmte
und reproduzierbare Zenerdurchschlagspannung aufweisen,
nicht immer -für eine Herstellung in einem industriellen Verfahren
ausreichend und wirtschaftlich zu vertreten.
Die Erfindung hat die Aufgabe, Zenerdioden zu schaffen, die eine verbesserte Zuverlässigkeit bei einem
hohen Wirkungsgrad aufweisen.
Dazu ist die Zenerdiode eingangs genannter Art nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass das erste
Halbleitergebie-t ein Hauptgebiet wenigstens innerhalb des
Fensters mit einer Verunreinigungskonzentrationsdichte enthält, die genügend gross ist, um einen pn-Ubergang für den
Zenereffekt zu bilden, während sich entlang dee Randes des
Fensters ein Teilgebiet vom zweiten Leitungstyp erstreckt, das wenigstens einen Teil des Hauptgebietes umgibt, wobei
die Tiefe des genannten Teilgebietes grosser als die des genannten pn-Ubergangs von der Oberfläche des ersten Gebietes
her ist. Ausserdem umfasst das Verfahren zur Herstellung einer Zenerdiode eingangs beschriebener Art nach der
Erfindung die folgende Schritte:
Die Anbringung einer ersten schützenden Isolierschicht als erste Maske für die Dotierung mit einem ersten
Kens for zur Bildung eines Hauptgebietes mit einer hohen Verunreinigungskonzentration;
°5 die Einführung einer Verunreinigung vom ersten
Leitungstyp in eine Zone des ersten Gebietes über das erste Fenster;
die Anbringung einer zweiten Maske für das selek-
PHN 9825 /'S, 2-Ί-1981
tive epitaktische Anwachsen, wobei die zweite Maske ein zweites Fenster aufweist, das grosser als das erste I-';nster
ist, um einen Teil der Oberfläche des ersten Gebietes, einschliesslich der Zone, freizulegen;
das Niederschlagen der epi i'aktischen Schicht auf
der freigelegten Oberfläche über das zweite Fenster und dii>
gleichzeitige Bildung eines pn-Ubergangs für den Zenereffekt
in dem Hauptgebiet und einem Teilgebiet vom zweiten Leitunfjstyp
entlang des Randes des zweiten Fensters, das das Hauptgebiet umgibt.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass die epitaktische Schicht entlang des Randes des Fensters
der schützenden Isolierschicht nicht stets auf kontrollierbare
leise und genau in feinen Mustern, wie die Form des Fensters, definiert angewachsen ist.
Mit anderen Worten: Die epitaktische Schicht kann ein wenig von dem Rande des Fensters ab anwachsen. Dies
könnte durch das Auftreten bestimmter örtlicher Fehler oder
Krusten und durch einen Unterschied in Besetzung oder Adhäsion zwischen dem Halbleiterkörper und der schützenden
Isolierschicht, oder durch das Vorzugswachstum von Silicium infolge der Kristalorientierung herbeigeführt werden. Tatsächlich
können gewisse Teile einer Metallelektrode, wie eine niedergeschlagene Silberschicht, direkt mit dem ersten
" Halbleitergebiet in Kontakt stehen, sogar wenn die epitaktische
Schicht etwas über die schützende Isolierschicht hinausragt.
Der direkte Kontakt zwischen der Metallelektrode
und dem ersten Halbleitergebiet könnte die Wirkung des pn-Ubergangs beeinträchtigen und z.B. Leckstrom oder Kurzschluss herbeiführen. Um unerwünschte Beeinflussung des pn-Ubergangs
zu verhindern, ist nach der Erfindung das Teilgebiet entlang des Randes des Fensters angebracht,das sich
tiefer als der Pegel des Zener-pn-Ubergangs erstreckt, und ■** ist der Rand des pii-Ubergangs genügend weit von dem Rand
des Fensters unter der schützenden Isolierschicht entfernt..
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in
der Zeichnung dargestellt, und werden im folgenden näher be-
PHN 9825 XV, 2-4-1981
schrieben. Ks 'zeigen:
Fig. 1 einen schematisehen Querschnitt durch eine
Zenerdiode nach der Erfindung,
Fig. 2 eine schematische Draufsicht auf die Diode nach Fig. 1,
Fig. 3 bis 5 schematische Querschnitte durch die Diode nach Fig. 1 in aufeinanderfolgenden Stufen der Herstellung,
Fig. 6 einen schematischen Querschnitt durch eine andere Ausführungsform der Diode nach der Erfindung, und
Fig. 7 und 8 schematische Querschnitte durch die Diode nach Fig. 6 in aufeinanderfolgenden Stufen der Herstellung.
Der Deutlichkeit halber sind die Figuren schematisch und nicht massstäblich gezeichnet, wobei die Abmessungen
insbesondere in der Dickenrichtung übertrieben gross
dargestellt sind.
Halbleitergebiete vom gleichen Leitungstyp sind
in derselben Richtung schraffiert; entsprechende Teile sind in den Figuren im allgemeinen mit denselben Bezugsziffern
bezeichnet.
Fig. 1 zeigt schematisch einen Querschnitt durch eine Zenerdiode nach der Erfindung. Die Diode enthält einen
Halbleiterkörper 1 mit einem ersten Halbleitergebiet 2 von einem ersten Leitungstyp, im vorliegenden Beispiel vom n-Leitungstyp.
Das erste Gebiet 2 grenzt an eine Oberfläche 3 des Halbleiterkörpers 1, die mit schützenden Isolierschichten
-+, 5 mit einem Fenster 6a versehen ist, das einen Teil
der genannten Oberfläche freilegt. Eine epitaktische Schicht 7 von einem zweiten entgegengesetzten Leitungstyp, im vor-Liegenden
Beispiel vom p-Leitungstyp, befindet sich auf der Oberfläche 3 über das genannte Fenster 6a. Auf der Oberseite
der epitaktischen Schicht 7 ist eine Kontaktelektrode 8 angebracht.
Nach der Erfindung enthält das genannte erste Gebiet
2 weiter ein Hauptgebiet 11 wenigstens innerhalb des
genannten Fensters 6a mit einer Verunreinigungskonzentra-
PHN 9825 j %- ;.>_n-l')HI
1 8 tion, die im vorliegenden Beispiel zwischen 5·10 und
19-3 '
5·10 cm liegt. Diese Konzentration ist genügend hoch,
um einen untiefen pn-Ubergang 12 für den Zenereffekt zu
bilden. Entlang des Randes des genannten Fensters ÖA ist ein Teilgebiet 13 vom zweiten Leitungstyp, im vorliegenden
Beispiel vom p-Leitungstyp, angebracht, das das genannte
Hauptgebiet 11 innerhalb des genannten Fensters 6a umgibt. Das Teilgebiet 13 erstreckt sich unter den schützenden Isolierschichten
k, 5· Die Tiefe des genannten Teilgebietes 1.'
ist grosser als die des genannten pn-Ubergangs 12 von der genannten Oberfläche 3 des ersten Gebietes 2 her. Infolge
der lateralen Diffusion dieses tiefen Teiltf^bie tes Γι vom
zweiten Leitungstyp besteht praktisch keine Gefahr, dass sich die elektrischen Eigenschaften des pn-Ubergangs ändern
oder verschlechtern, z.B. dass Kurzschluss im Falle eines direkten Kontakts zwischen der Kontaktelektrode 7 und der
Oberfläche des Halbleitergebietes 2 entsteht. Die Tiefe des genannten Teilgebietes 13 ist vorzugsweise mindestens
zweimal grosser als die des genannten pn-Ubergangs 12 von der oberfläche 3 des genannten ersten Gebietes 2 her. Die
Tiefe des genannten pn-Ubergangs 12 für den Zenereffekt ist z.B. etwa 50 nm und die Tiefe des genannten Teilgebietes
13 ist mindestens etwa 100 nm. Der Verunreinigungskonzentrationsgradient
zu beiden Seiten des genannten pn-Ubergangs
,c 23 2h k
ia liegt zwischen 10 und 10 Atomen/ cm .
Die beschriebene Diode kann wie folgt hergi>stel 1 t
werden (Siehe Fig. 2 bis 5)·
Es wird von einem Halbleitersubstrat aus einem
mit Antimon dotierten η-leitenden Silicium mit einer Dicke zwischen 250 und 350 pm und einem spezifischen Widerstand
von z.B. zwischen 8 und 16.10 Xl .cm ausgegangen. Im vorliegenden
Beispiel wird das Halbleitersubstrat als das erste Halbleitergebiet 2 verwendet. Das erste Halbleitergebiet
kann auch durch eine epitaktische Siliciumschicht gebildet
™ werden, die auf dem genannten Substrat in einer Dicke von
z.B. 25 pm und mit einer η-Typ Verunrelnigungskonzenlratiuji
1 f\ T
van etwa 1.10 cm angewachsen ist.
van etwa 1.10 cm angewachsen ist.
Der Deut liolikol L halber IaL Ln
<len Figuren nur
PHN 9825 ^ & 2-4-1981
ο ine einzig« Diode dargestellt, obgleich selbstverständlich
eine VieLzahL von Dioden gleichzeitig auf einem Halbleitersubstrat
1 hergestellt werden können.
Auf der Oberfläche des ersten Gebietes 2 wird z.B. durch thermische Oxidation eine erste schützende Isolierschicht
k aus Siliciumoxid als erste Maske für die Dotierung mit einer Dicke von etwa 0,5 um angebracht. Ein
erstes Fenster 6b zur Bildung eines Hauptgebietes mit einer hohen Verunreinigungskonzentration wird dann durch einen
Ätzvorgang in der genannten ersten Schutzschicht k in Muster
gebracht, wobei'dieses Fenster z.B. ein quadratisches Fenster mit Seiten von etwa 250 pm ist (siehe Fig. 2 und 3)·
Ein η-Typ Dotierungsmittel, z.B. Phosphor,.wird
selektiv in eine Zone des ersten Gebietes 2 über das genannte erste Fenster 6B zur Bildung des Hauptgebietes eingeführt
.
Das Hauptgebiet enthält eine Zone mit verhältnismassig
niedrigem spezifischen Widerstand, die mit einer höheren Verunreinigungskonzentration vom ersten Leitungs-
-ι ο IQ T
typ, z.B. zwischen 5·10 und 5·10 Atomen/cm , als das
umgebende Gebiet des ersten Halbleitergebietes 2 versehen ist.·Während des genannten Einführungsvorgangs des Dotierungsmittels vom n—Leitungstyp durch eine übliche thermische
Diffusion kann eine sehr dünne Oxidschicht mit einer Dicke von etwa 0,05 um, die in der Figur nicht angegeben ist, auf
der Oberfläche des ersten Fensters 6b anwachsen.
Eine andere schützende Isolierschicht 5 aus Siliciumnitrid,
die als zweite Maske für das selektive epitaktische Anwachsen dient, wird auf der Oberfläche 3 des ersten
Gebietes 2 niedergeschlagen.
Ein zweites Fenster 6a mit Seiten von etwa 3OO um,
das grosser als das erste Fenster 6b ist, wird anschliessend angebracht, um einen Teil der Oberfläche 3 des ersten
Gebietes 2, einschliesslich der Zone als Hauptgebiet 11, freizulegen. Das Hauptgebiet 11 ist praktisch symmetrisch
innerhalb des vergrösserten zweiten Fensters 6a (siehe Draufsicht nach Fig. 2).
Die schützende Schicht braucht nicht notwendiger-
PHN 9825 Z^ Φ 2-4-1981
weise eine Doppelschicht k, 5 der beschriebenen Art zu sein.
Die Schutzschicht muss als Maske für die Dotierung und als Maske für selektives epitaktisches Anwachsen dienen, ~o
dass auch eine einzige Schicixt Anwendung finden kann. Die im vorliegenden Falle verwendete Doppelschicht wird jedoch
bevorzugt, weil das Siliciumnitrid das Siliciumoxid vor Chlor beim epitaktischen Anwachsen schützt.
Unter Anwendung der schützenden Isolierschicht als Maske wird eine epitaktische Siliciumschicht 7 mir einer
hohen Verunreinigungskonzentration an einem p-Typ Dotierungsmittel, wie Bor, selektiv auf der genannten freigelegten
Oberfläche über das genannte zweite Fenster 6A niedergeschlagen. Dem epitaktischen Niederschlagvorgang folgt ein
bekanntes epitaktisches Anwachsen aus der Dampfphase. Das Quellenmaterial für epitaktisches Anwachsen von Silicium
kann eine Verbindung von Silicium, z.B. Trichlorsilan (SiHCl„), enthalten und dieses Quellenmaterial wird im gasförmigen
Zustand in einen epitaktischen Anwaohsreakrur mit
einem Trägergas, wie Wastser« f.oiTjj.-is (H.,) oder Argon*;·..!;? ^ Ar ^,
einem Ätzgas, wie Chlorwasserstoff (HCl) zum ätzen der genannten
freigelegten Oberfläche 3 und einem Dotierungsmaterial, z.B. Diboran (BpH,-), eingeführt, wobei dieses Dotierungsmaterial
eine vorher bestimmte Verunreinigungskonzen-
20 — 3
tration von z.B. 2.10 cm aufweist. Da der epitaktische Anwachsreaktor auf eine Temperatur oberhalb der Zersetzungstemperatur von etwa 10500C während 2 bis 10 Minuten erhitzt wird, wird die epitaktische Siliciumschicht 7 auf der freigelegten Oberfläche in einer Dicke von etwa 3 um niedergeschlagen. Beim epitaktischen Anwachsen wird der pn-Ubergang für den Zenereffekt in dem Hauptgebiet gebildet.
tration von z.B. 2.10 cm aufweist. Da der epitaktische Anwachsreaktor auf eine Temperatur oberhalb der Zersetzungstemperatur von etwa 10500C während 2 bis 10 Minuten erhitzt wird, wird die epitaktische Siliciumschicht 7 auf der freigelegten Oberfläche in einer Dicke von etwa 3 um niedergeschlagen. Beim epitaktischen Anwachsen wird der pn-Ubergang für den Zenereffekt in dem Hauptgebiet gebildet.
Gleichzeitig wird ein Teilgebiet vom zwo i ten Le i t iin^s t yp ,
das das fluuptgobiet innerhalb ο±γη··η /,w<
> i Loji- Kons lern
<jA umgibt, gebildet, wobei sich dieses Teilgebiet tiefer in dem
ersten Gebiet 2 wegen der niedrigeren Doti e rungskonzentra-
3^ tion des ersten Gebietes 2 erstreckt. Schliesslich wird
durch Schleifen und Ätzen die Dicke des Halb Leiterkörpers auf etwa .100 - 150 μπι herabgesetzt. Der MetalLeiter 8 wird
dann auf der epitaktischen Schicht 7 gebildet und die andere
PHN 9825 X"ηθ· 2-4-1981
Kontaktelektrode 9 kann auf der Hinterseite des Körpers 1
angebracht werden.
Der Halbleiterkörper wird danach in einzelne Dioden durch Kratzen und Brechen oder auf andere ¥eise
unterteilt und diese Dioden können auf übliche Weise mit einer Umhüllung versehen werden.
Die Erfindung ist nicht auf das beschriebene Ausfürhungsbeispiel beschränkt. Wenn.z.B. eine epitaktische
Siliciumschicht als erstes Halbleitergebiet verwendet wird, kann sich das Hauptgebiet erwünschtenfalls bis zu dem
Halbleitersubstrat mit einer höheren Dotierungskonzentration
erstrecken.
l'M.fj. O zeifjt eine andere Ausführungsform mit einem
Halbleitersubstrat als dem ersten Halbleitergebiet mit hoher
15. Verunreinigungskonzentration ohne epitaktische Schicht als
Ausgangskörper. Das genannte Hauptgebiet 11 mit einer Verunreinigungskonzentrationsdichte,
die genügend gross ist, um den genannten pn—Übergang für den Zenereffekt zu bilden,
wird durch das genannten hochdotierte Substrat ohne selektive Diffusion für das genannte Hauptgebiet gebildet.
Fig..7 und 8 zeigen die Herstellung der in Fig. dargestellten Diode in aufeinanderfolgenden Stufen der Herstellung.
Ausgegangen wird von einem Halbleitersubstrat 2 aus n-Leitendem Silicium mit einer Dicke von 350 um und
19- — 3 einer Verunreinigungskonzentration von 2-5·10 cm ,
das als das erste Halbleitergebiete 2 verwendet wird. Auf dem genannten ersten Gebiet 2 wird durch thermische Oxidation
eine schützende Isolierschicht k als Maske für die
Dotierung, z.B. von Siliciumoxid, in einer Dicke von 0,5 μπι
angebracht. Ein Fenster 6C wird in Form eines Ringes definiert. Das innere Gebiet dieses Ringes muss das Hauptgebiet
werden. Ein Teilgebiet I3 vom p-Leitungstyp wird auf
übliche Weise, z.B. durch Ionenimplantation oder thermische Diffusion, durch Einführung eines p-Typ Dotierungsmittels,
3^ z.B. Bor, in eine Zone des genannten ersten Gebietes über
das genannte Fenster 6C erhalten. Die Tiefe des Teilgebietes
13 ist etwa 1000 μιπ (siehe Fig. 7)· Eine Maske mit
einem Fenster 6A, das die Oberfläche des inneren Gebietes
PHN 9825 Ψ ή Α 2-4-1981
/H,
des genannten Rings freilegt, wird als Maske für das selektive epitaktische Anwachsen angebracht. Eine epitaktische
Siliciumschicht 7 mit einer hohen Verunreinigungskonzentration
an p-Typ Do tierungsrni fc te 1 , wie Bor, ζ. Π. .'J. K)'~ .-m ,
wird selektiv auf der freigelegten Ober F Lache in dem l>ored 1 ^
beschriebenen epitaktischen Anwaclisverfahren aus der Dampfphase
in einer Dicke von 2 bis 3 um niedergeschlagen.
Beim epitaktischen Anwachsen wird von der Oberfläche des ersten Gebietes her ein sehr untiefer pn-TJbergang
gebildet, der eine Tiefe von z.B. 50 nm aufweist, wobei der pn-übergang für den Zenereffekt ein sehr steiler
23 2k Verunreinigungskonzentrationsgradient von 10 - 10 .
/ K
Atomen/cm im Hauptgebiet wenigstens innerhalb des genannten Fensters 6A aufweist. Der genannte pn-Ubergang wird von dem genannten Teilgebiet umgeben und die Tiefe des genannt..·η Teilgebietes ist mindestens zweimal grosser als die des genannten pn-Ubergangs von der Oberfläche 3 her.
Atomen/cm im Hauptgebiet wenigstens innerhalb des genannten Fensters 6A aufweist. Der genannte pn-Ubergang wird von dem genannten Teilgebiet umgeben und die Tiefe des genannt..·η Teilgebietes ist mindestens zweimal grosser als die des genannten pn-Ubergangs von der Oberfläche 3 her.
Das Anlegen von Kontaktelektroden 8 und 9 und die Unterteilung in einzelne Dioden werden auf die bereits im
vorhergehenden Ausführungsbeispiel beschriebene Weise durchgeführt
.
- 4L
Leerseite
Claims (1)
- PHN 9825 yo 2-4-1981PATENTANSPRÜCHE:\J Zenerdiode mit einem lia ! bl.o i l.erkörper mit e i nein
"ersten Halbleitergebiet von einem ersten Leitungstyp,
das an eine Oberfläche des Körpers grenzt, einer schützenden Isolierschicht auf der Oberfläche des genannten ersren Gebietes mit einem einen Teil der genannten Oberflächefreilegenden Fenster, einer epitaktischen Schicht von einem zweiten entgegengesetzten Leitungstyp, die sich auf der
genannten Oberfläche in dem genannten Fenster befindet,
und einem Metalleiter, der auf der genannt.-n epitaktischen Schicht angebracht ist, dadurch gekennzeichnet, dass ctas
genannte erste Halbleitergebiet ein Hauptgebiet wenigstens innerhalb des genannten Fensters mit einer Verunreinigungskonzentrationsdichte, die genügend gross ist, um einen pnübergang für den Zenereffekt zu bilden, und ein Teilgebiet vom zweiten Leitungstyp entlang des Randes des genannten
Fensters enthält, das wenigstens einen Teil des genannten
Hauptgebietes zur Bildung des genannten pn-Ubergangs umgibt, und dass die Tiefe des genannten Teilgebietes grosser als die des genannten pn-Ubergangs von der Oberfläche desersten Gebietes her ist.2. Zenerdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Tiefe des genannten Teilgebietes mindestens
zweimal grosser als die des genannten pn-Ubergangs von der Oberfläche des genannten ersten Gebietes her ist.3. Zenerdiode nach Anspruch 1 und %2, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Tiefe des genannten pn-Ubergangs für den Zenereffekt etwa 50 nm und die Tiefe des genannten Teilgebietes mindestens etwa 1OOO nm ist.k. Zenerdiode nach Ansprüchen 1 bis 3, dadurch ge-■ kennzeichnet, dass der Verunreinigungskonzentrationsgradientzu beiden Seiten des genannten pn-Ubergangs für den Zener-23 2k ikeffekt zwischen 10 und 10 Atomen/cm liegt.5· Zenerdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich-PHN OH2.5 i/ j/ 2-4-1981net, dass das genannte Hauptgebiet eine Zone mit verhältnisraässig niedrigem spezifischen Widerstand enthält, die mit einer höheren Verunreinigungskonzentration vom genannten ersten Leitungstyp als das umgebende Gebiet des genannten ersten Halbleitergebietes versehen ist.6. Verfahren zur Herstellung einer Zenerdiode, die einen Halbleiterkörper mit einem ersten Halbleitergebiet von einem ersten Leitungstyp, das an eine Oberfläche des Körpers grenzt, einer schützenden Isolierschicht auf einer Oberfläche des genannten ersten Gebietes mit einem einen Teil der genannten Oberfläche freilegenden Fenster, einer epitaktis.chen Schicht vom zweiten entgegengesetzten Leitungstyp, die sich auf der genannten Oberfläche in dem genannten Fenster befindet, und einem auf der genannten epitaktischen Schicht angebrachten Metalleiter enthält, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Oberfläche des HaIb-Leiterkörpers eine schützende Isolierschicht als erste Maske für die Dotierung mit einem ersten Fenster zur Bildung eines Hauptgebietes mit einer hohen Verunreinigungskonzentration angebracht wird, wobei eine Verunreinigung, vom ersten Leitungstyp in eine Zone des genannten ersten Gebietes über das genannten erste Fenster eingeführt wird; dass eine zweite Maske für das selektive epitaktische Anwachsen angebracht wird, wobei die genannten zweite Maske ein zweites Fensrer aufweist, das grosser als das genannte erste Fenster ist, um einen Teil der genannten Oberfläche des genannten ersten Gebietes, einschliesslich der genannten Zone, freizulegen, wobei die genannte epitaktische Schicht auf der genannten freigelegten Oberfläche über das genannte zweite Fenster niedergeschlagen wird, und gleichzeitig ein pn-übergang für den Zenereffekt in dem genannten Hauptgebiet und ein Teilgebiet vom zweiten Leitungstyp entlang des Randes des genannten zweiten Fensters, das das genannteHauptgebiet umgibt, gebildet werden. 35
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NLAANVRAGE8004651,A NL187942C (nl) | 1980-08-18 | 1980-08-18 | Zenerdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3131991A1 true DE3131991A1 (de) | 1982-04-29 |
DE3131991C2 DE3131991C2 (de) | 1987-01-02 |
Family
ID=19835744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3131991A Expired DE3131991C2 (de) | 1980-08-18 | 1981-08-13 | Verfahren zum Herstellen einer Zenerdiode |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4429324A (de) |
JP (1) | JPS5771186A (de) |
DE (1) | DE3131991C2 (de) |
FR (1) | FR2488734B1 (de) |
GB (1) | GB2082386B (de) |
IT (1) | IT1139373B (de) |
NL (1) | NL187942C (de) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4631562A (en) * | 1985-05-31 | 1986-12-23 | Rca Corporation | Zener diode structure |
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JPS4999284A (de) * | 1973-01-27 | 1974-09-19 | ||
JPS511586A (ja) * | 1974-06-26 | 1976-01-08 | Toyo Kogyo Co | Kariugomutokinzokutono setsuchakuhoho |
-
1980
- 1980-08-18 NL NLAANVRAGE8004651,A patent/NL187942C/xx not_active IP Right Cessation
-
1981
- 1981-07-20 US US06/284,436 patent/US4429324A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-08-13 DE DE3131991A patent/DE3131991C2/de not_active Expired
- 1981-08-14 IT IT23532/81A patent/IT1139373B/it active
- 1981-08-14 GB GB8124868A patent/GB2082386B/en not_active Expired
- 1981-08-17 JP JP56128656A patent/JPS5771186A/ja active Pending
- 1981-08-17 FR FR8115820A patent/FR2488734B1/fr not_active Expired
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4429324A (en) | 1984-01-31 |
IT8123532A0 (it) | 1981-08-14 |
GB2082386A (en) | 1982-03-03 |
NL187942C (nl) | 1992-02-17 |
NL8004651A (nl) | 1982-03-16 |
IT1139373B (it) | 1986-09-24 |
JPS5771186A (en) | 1982-05-01 |
FR2488734B1 (fr) | 1986-08-29 |
FR2488734A1 (fr) | 1982-02-19 |
DE3131991C2 (de) | 1987-01-02 |
NL187942B (nl) | 1991-09-16 |
GB2082386B (en) | 1984-08-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, NL |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |