DE2942422A1 - Traegerplatte fuer integrierte schaltkreise - Google Patents
Traegerplatte fuer integrierte schaltkreiseInfo
- Publication number
- DE2942422A1 DE2942422A1 DE19792942422 DE2942422A DE2942422A1 DE 2942422 A1 DE2942422 A1 DE 2942422A1 DE 19792942422 DE19792942422 DE 19792942422 DE 2942422 A DE2942422 A DE 2942422A DE 2942422 A1 DE2942422 A1 DE 2942422A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- plate
- carrier
- integrated circuits
- carrier plate
- support plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
Description
6000 MÜNCHEN 22
Anwaltsakte 4066
Compagnie Internationale Pour L1Informatique
CII-Honeywell Bull
F - 75960 Paris Cedex Frankreich
Trägerplatte für integrierte Schaltkreise
0 018/0904
Dipl.-lng. RUDOLF SEI BERT z u '+ - :
Rechtsanwalt u. Patentanwalt
TattenbacnstraBe 9
8000 MÜNCHEN 22
Anwaltsakte :4066
Titel: Trägerplatte für integrierte Schaltkreise
Die Erfindung bezieht sich auf eine Trägerplatte für Einrichtungen mit integrierten Schaltkreisen.
Einrichtungen mit integrierten Schaltkreisen haben im allgemeinen die Form sehr kleiner Pastillen von einigen
Quadratmillimetern, wobei einer ihrer beiden Seiten - aktive Seite genannt - den elektrischen
Stromkreisen zugeordnet sind. Auf dieser Seite sind auch die für den Anschluß durch Löten geeigneten Ausgangslötpunkte
angeordnet.
Eine Einbettung dieser Einrichtungen hat insbesondere den Zweck, diese mechanisch zu schützen und ihnen ein
übliches Format zu geben, um ihren Einbau in komplexe elektronische Einheiten zu erleichtern. Dabei ist es
notwendig, die Einrichtungen mit den integrierten Schaltkreisen auf ein Trägerelement aufzusetzen, die Ausgangsanschlüsse
nach außen zu führen, eine Verbindung zwischen den Ausgangsanschlüssen und den jeweiligen
Ausgangslötstellen einer jeden Einrichtung mit Hilfe eines Verknüpfungssetzwerkes herzustellen und die
0200 18/0904
Gesamtheit, insbesondere zur Verbesserung der mechanischen, thermischen und elektrischen Eigenschaften
zu vergießen.
Ein derartiges Trägerelement, wie es weit verbreitet bei elektronischen Anlagen seit mehr als einem Jahrzehnt
verwendet wird, hat die Form eines Rechteckes mit zwei an gegenüberliegenden Seiten des Elementes
angeordneten Reihen von Anschlußfahnen, welche die
]0 erwähnten Ausgangsanschlüsse des Trägerelementes bilden.
Wegen der Anordnung dieser Anschlußfahnen wird ein derartiges Trägerelement auch mit DIL ("Dual-InLine")
oder DIP ("Dual-In-Line Package") bezeichnet. In Wirklichkeit sind diese Fahnen die äußeren Enden
von Leitungen, welche jede zu einer Lötstelle der Einrichtung führen. Die Einheit von Leiter und Einrichtung
mit integrierten Schaltkreisen ist in Kunststoff oder ein keramisches Material eingebettet und
entspricht dem Material, aus welchem das Trägerelement selbst besteht.
Handelsübliche DIL-Trägerplatten haben eine Dicke vcn
mehreren Millimetern (allgemein von 3 bis 4 mm) und eine Fläche von wenigstens 1 cm2. Mit Rücksicht auf
verschiedene Anwendungsbereiche sollen die Abmessungen der Trägerplatten noch weiter reduziert werden.
Auch wenn es möglich ist, ohne Nachteile die Oberfläche der Trägerplatten DIL zu verkleinern, besteht
ein echtes Problem bei Verringerung. Die Umhüllung muß nämlich die beiden großen Flächen der Pastillen
mit den integrierten Schaltkreisen vollständig umschließen, damit diese bei einer Biegebeanspruchung
nicht brechen oder, vor allem, daß ihre Anschlußleitungen nicht beschädigt werden, was falsche Resultate
ergeben würde. Es ist deshalb falsch, als Umhüllungsmaterial ein plastisches Material oder einen Kunstharz
zu verwenden, welche nur bei ausreichender Dicke fest genug sind; andererseits zerbricht auch eine
03 0 013/0904
dünne Schicht keramischen Materials bei Biegung. Theoretisch ist keramisches Material bei einer Dicke ab
0,6 35 mm und mehr einsetzbar. Es hat sich jedoch gezeigt, daß in der Praxis die minimale Dicke nur wenig
unter 1 mm liegt.
Um diese Unzulänglichkeiten zu verbessern, haben die Konstrukteure die Umhüllung durch metallische Einlagen
im Sinne einer festen Schutzwand ersetzt. Dabei ruht die Einrichtung mit ihrer inaktiven Seite auf
dem Boden einer dünnen metallischen Schale, durch
welche die Anschlußklemmen in Glasisolierungen geführt sind. Die inneren Enden dieser Klemmen sind
verbunden mit den Ausgangslötstellen der aktiven
dem Boden einer dünnen metallischen Schale, durch
welche die Anschlußklemmen in Glasisolierungen geführt sind. Die inneren Enden dieser Klemmen sind
verbunden mit den Ausgangslötstellen der aktiven
Seite der Einrichtung über dünne Drähte (entsprechend der sogenannten "wire-bonding^-Technik) oder über
Leiterbalken (sogenannte F.A.B. "Tape Automatik Bonding"-Technik). Ein Umhüllungsmaterial festigt meist den Zusammenbau und/oder wird ein Deckel für die
Leiterbalken (sogenannte F.A.B. "Tape Automatik Bonding"-Technik). Ein Umhüllungsmaterial festigt meist den Zusammenbau und/oder wird ein Deckel für die
Schale vorgesehen. Die Herstellung einer solchen Trägerplatte, bekannt unter dem englischen Namen "fiatpack",
ist sehr komplex und daher sehr teuer im Vergleich zu der Trägerplatte DIL. Man muß nämlich eine
metallische Schale vorsehen, daran öffnungen anbringen, Glaskugeln in die betreffenden öffnungen einsetzen
und darin die Verbindungsleitungen anordnen, bevor diese erstarren, die Einrichtung mit integrierten
Schaltkreisen auf den Boden der Schale legen, die Drähte oder Kontaktbalken mit ihren zwei entsprechenden
Enden mit den Verbindungsleitungen und mit den
Ausgangskontakten der Einrichtung verlöten, das Umhüllungsmaterial in die Schale einführen und/oder
das Ganze verschließen mit einem Deckel oder einer
Ausgangskontakten der Einrichtung verlöten, das Umhüllungsmaterial in die Schale einführen und/oder
das Ganze verschließen mit einem Deckel oder einer
Umhüllung.
35
35
Diese Trägerplatte wurde zum "package carrier" (Trägergehäuse) verbessert. Gemäß dieser Ausführungsart
sind Schale und gegebenenfalls Deckel aus keramisdiem
030018/090*
^ « 2 9 Λ 2 4 2
Material, welches gut wärmeleitend und relativ biegsam ist. Dabei sind die Ausgangsleitungen, welche
durch die Schale verlaufen, in dem keramischen Material eingegossen und bilden seitliche Kontaktan-Schlüsse
anstelle von Anschlußklemmen. Diese Trägerplatte kann mit einem Außenaufbau verbunden sein
durch Einsetzen in eine mit der Oberfläche der Trägerplatte komplementären Ausnehmung und mit entsprechenden
Kontaktstellen für den Kontakt mit jenen der Trägerplatte versehen sein. In einem bekannten Sonderfall
ist der äußere Aufbau eine DIL-Trägerplatte, in welcher die Trägerplatte "package carrier" anstelle
der Einrichtung mit integrierten Schaltkreisen verwendet wird.
Obwohl ein derartiger Aufbau nicht so teuer und unhandlich ist, wie ein vorgenannter Aufbau, so ist
diese Trägerplatte notwendigerweise dicker, da ja das keramische Material eine relativ dicke Schicht
sein muß, um die gewünschte Festigkeit zu haben.
Andererseits bringt die Integration in großem Umfang, wie sie sich in unseren Tagen bei der Fabrikation
von integrierten Schaltkreisen ausbreitet, noch ein weiteres Problem. Es ist klar, daß die Konzentratjon
auf einem Substrat von Stromkreiselementen mit unterschiedlichen Funktionen eine Einrichtung für sehr
unterschiedliche Anwendungen spezialisieren, was im allgemeinen eine Herstellung dieser Einrichtung in
großen Serien unmöglich macht. Man versteht daher den Vorteil, welcher die Vereinigung von mehreren
untereinander verbundenen in großer Serie verbreiteten Einrichtungen mit integrierten Schaltungen auf
ein- und derselben Trägerplatte, und zwar so kompakt wie möglich bringen würde aus dem Bedürfnis der Abnehmer.
Als Vorteile wird man anstreben die Verwendung von wenig spezialisierten und billigen Einrichtungen,
die den Abnehmern die Möglichkeit gibt durch
0 3 0 0 18/0904
Verbindung der Einrichtungen und den Zusammenbau von
Einrichtungen mit integrierten Schaltuigen unterschiedlicher
Techniken komplexe Schaltungen aufzubauen.
Beispielsweise sei zum letzten Punkt auf jede monolithische Einrichtung mit integrierten Schaltkreisen,
die einen Speicher und zugehörigen Stromkreis enthalten, verwiesen, die derzeit nur geringe Möglichkeiten
eröffnet, daß zwei Einrichtungen vorgesehen werden müssen, welche die Funktion des Speichers und der
Steuerung des Speichers erfüllen und die miteinander verbunden werden müssen, um einen leistungsfähigen
Aufbau zu erhalten. Der Aufbau der Trägerplatten, wie sie oben beschrieben wurden, verbietet den Einbau
mehrerer Einrichtungen mit Zwischenverbidnungsschaltkreisen auf ein und derselben Schaltplatte, da hierzu
eine Überschneidung der Ausgangsleiter mit den Zwischenverbindungsleitern notwendig wäre.
Die Schwierigkeit wurde bei einer Schalterplatte der Type "flat pack" oder "package carrier" durch Einsatz
in der Einrichtung mit integrierten Schaltkreisen durch ein Trägerplättchen umgangen, das die Einrichtungen
mit integrierten Schaltkreisen, ihren Verbindungsschaltkreis und die Ausgangsleiter, in Form von
gedruckten Schaltkreisen enthält. Die Ausgangsleiter enden in Form von Kontaktplatten, auf welche die zu
den Ausgangsklemmen der Trägerplatte führenden Anschlußleitungen geschweißt sind.
Es wurde darauf hingewiesen, daß die Dicke solcher Trägerplatten praktisch nicht unter 1 mm reduziert
werden kann und daß ihre Herstellung mehr oder weniger komplex und teuer ist. Außerdem müssen, da die
Stützplatte auf der Schutzschale der Trägerplatte aufliegen muß, die Verbindungsschaltkreise und die
Einrichtungen mit integrierten Schaltkreisen alle auf der gleichen Seite der Plätte angeordnet werden.
0 3 0018/0904
2 9 4 2 A 2 Folglich kann man die Zwischenverbindungsstromkreise
nur übereinanderfügen, indem man sie auf verschiedene, leitende, voneinander isolierte Schichten aufteilt.
Selbstverständlich bietet sich Keramik als Material für die Platte an, und zwar, im Hinblick auf
seine guten physikalischen, elektrischen und thermischen Eigenschaften, auf seine geringen Kosten, auf
die Möglichkeiten hinsichtlich der Formgebung von gedrückten Leitungen auf diesem Material und der
Schweißverbindungen und auf den durch die Natur der Trägerplatte, also in der Verwendung von nur einer
Seite der Platte dargebotenen Vorteil. Dabei weiß man, daß das keramische Material relativ dick sein
muß, um alle diese vorstehend aufgezeigten Vorteile zu geben.
Es erweist sich jedoch, daß die Dicke einer Trägerplatte mit einer oder mehreren Einrichtungen mit integrierten
Schaltungen ein wesentlicher Faktor bei einigen besonderen Anwendungen ist. Dies ist beispielsweise
der Fall bei der Herstellung von genormten tragbaren Karten, wie z.B. "Kreditkarte" wie sie
beschrieben sind in der FR-PS 23 37 381. Die Abmessungen dieser Karten sind geregelt durch die
Norm ISO/DIS 2894, herausgegeben durch die Internationale
Normenorganisation. Diese Karten müssen nach dieser Norm folglich die Form eines Rech t eckes von
85,72mm χ 55,98mm und eine Dicke von 0,762mm haben. Die Dicke darf höchstens um 0,5mm überschritten werden,
um z.B. den Namen und die Adresse des Inhabers der Karte mit Hilfe von Einsatzelementen (beispielsweise
mittels Klebeetiketten) oder durch Aufdruck oder Einprägung in der Kartei selbst wiederzugeben.
Um die in der vorgenannten Patentschrift beschriebene
Erfindung zu realisieren, muß folglich die Trägerplatte, welche in eine Ausnehmung der Karte eingeführt
werden soll, eine Dicke von weniger als ein Millimeter besitzen. Darüberhinaus ist es, da die
η:.; ο υ 18 / ο 9 ο ί,
ΛΑ
2 9 A ? ·■' 2
Karten aus einem Kunststoffmaterial, im allgemeinen aus Polyvinylchlorid (PVC) gefertigt sind, auch notwendig,
daß die Trägerplatte realtiv biegsam ist, ohne daß dieses der Struktur oder dem Funktionieren
des elektrischen Aufbaus, welchen sie enthält, schädlich ist. Wenn diese Trägerplatte einen Speicherbestandteil
einschließen muß zum Speichern der Personalien des Karteninhabers, seiner Kennziffer und der
Soll- und Habenwerte, über die er verfügen kann, sowie einen Bestandteil, welcher der Steuerung dieses
Speichers dient, ist eine mehrteilige Trägerplatte, wie sie weiter oben beschrieben wurde, absolut ungeeignet,
diese für eine Kreditkarte geforderten Bedingungen zu erfüllen. Man hat auch gezeigt, daß
selbst, wenn eine einzelne monolythische Einrichtung, welche die Funktion des Speicherns und des Steuerns
dieses Speichers ausübt, enthalten war und einer bekannten einteiligen Trägerplatte vorhanden wäre, diese
Trägerplatte viel dicker wäre und unverwendbar wäre für genormte Kreditkarten.
In anderen Anwendungsfällen wird ein wesentlicher
Faktor die Oberfläche oder der Platzbedarf sein, welcher den entscheidenden Faktor für ihre Anwendung
darstellen wird. Wenn diese Trägerplatte mehrere Einrichtungen mit integrierten Schaltkreisen einschliessen
soll, ist die benötigte Oberfläche für ihren Einsatz auf einer Seite der Platte, die in der Schale
der Trägerplatte enthalten ist, notwendigerweise groft,
Anders gesagt, der durch die Struktur dieser Trägerplatte gegebene Zwang ist unvereinbar mit dem Problem
der Verringerung des Platzbedarfes.
Aufgabe der Erfindung ist es eine Trägerplatte für integrierte Schaltkreise anzugeben, welche auch bei
einer Stärke wesentlich unter 1mm die für die genannten Zwecke ausreichende Stabilität aufweist und die
geeignet ist auch mehrere Einheiten (Einrichtungen)
030018/0904
ORIGINAL INSPECTED
ORIGINAL INSPECTED
>τ Λ% 294Γ'22
mit integrierten Schaltkreisen aufzunehmen, die die Zwischenverbindungskreise trägt und die auch zum Einbau
in Trägerkarten (Kreditkarten) geeignet ist.
Diese Aufgabe wird mit einer Trägerplatte mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst.
Die Trägerplatte nach der Erfindung ist zur Aufnahme einer oder mehrerer Einrichtungen mit integrierten
Schaltkreisen geeignet. Ihre Dicke und/oder die Oberfläche sind nennenswert reduziert im Vergleich zu
den entsprechenden Parametern von Trägerplatten nach dem Stand der Technik. Sie weisen die erforderliche
Biegsamkeit auf ohne Einfluß auf den guten Zustand oder das gute Funktionieren der vorhandenen elektrischen
Verbindungen.
Eine Trägerplatte nach der Erfindung für mindestens eine Einrichtung mit mit Ausgangslötstellen versehennen
Schaltkreisen auf einem Trägerelement mit einer Vielzahl von Ausgangsklemmen und einem Leitungsnetz
zwischen Ausgangsklemmen und Ausgangslötstellen sowie mit einer Schutzabdeckung, ist dadurch gekennzeichnet,
daß das Trägerelement als Platte ausgebildet ist und die Ausgangsklemmen Kontaktplatten sind,
welche auf der Trägerplatte angeordnet sind, daß zumindest die Leitungen des Netzes, welche an die Kontaktplatten
angeschlossen sind, auf dem Trägerelement angeordnet sind und daß die Schutzabdeckung als elektrisch
isolierende Einbettung ausgebildet ist, welche teilweise das Trägerelement umhüllt und mindestens
die Kontaktplatten freiläßt.
Weitere Merkmale und Vorteile der Trägerplatte nach der Erfindung werden im folgenden in Verbindung mit
den in der Zeichnung wiedergegebenen Ausführungsbeispielen erläutert.
0:, '-1J 18/0904
ORIGINAL INSPECTED
ORIGINAL INSPECTED
294?/22
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine teilweise aufgebrochene Draufsicht einer
Trägerplatte DIL, gemäß dem Stand der Technik,
Fig. 2 einen Schnitt nach den Linien II-II in Fig.1,
Fig. 3 einen Querschnitt entsprechend jenem nach Fig.2 einer Trägerplatte der Type "flat-pack"
nach dem Stand der Technik,
Fig. 4 eine Draufsicht einer Trägerplatte der Type
"package-carrier" gemäß dem Stand der Technik,
Fig. 5 einen Schnitt nach den Linien V-V aus Fig. 4,
Fig. 6 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer Trägerplatte nach der Erfindung mit
zwei zusammengeschalteten Einrichtungen mit integrierten Schaltkreisen,
Fig. 7 einen Schnitt nach den Linien VII-VII aus Fig. 6 und
Fig. 8 eiien Schnitt entsprechend jenem nach Fig. 7,
durch eine andere Ausführungsform einer Trägerplatte
nach der Erfindung, mit drei Einrichtungen mit integrierten Schaltkreisen, die auf den beiden Seiten der Stützplatte
der Trägerplatte angeordnet sind.
Trägerplatten gemäß dem Stand der Technik, wie sie vorhergehend beschrieben und diskutiert wurden, sind
in den Figuren 1 bis 5 dargestellt. 35
Deshalb werden im folgenden zu diesen Figuren nur sehr kurze Kommentare gegeben.
0300 18/0904
In den Fig. 1 und 2 ist eine Trägerplatte DIL 10 dargestellt, deren Ausgangsleitungen 11 im Innern einer
isolierenden rechteckigen Umhüllung 12 um eine zentrale
Stützplatte 13 herum zusammenlaufen, auf weleher eine Einrichtung mit integrierten Schaltkreisen
14 ruht, deren Ausgangslötstellen 15 angeschlossen sind an den inneren Enden der Ausgangsleitungen 11
mit Hilfe von Verbindungsleitungen 16. Die Ausgangsleitungen 11 sind auf zwei Seiten der Umhüllung 12
in Reihen symmetrisch angeordnet und längs der Linien
17 in einem rechten Winkel gebogen. Die Verbindungsleitungen 16 können, wie dargestellt, aus einfachem
Draht sein oder zur Anpassung an die Höhendifferenz zwischen den inneren Enden der Ausgangsleiter 11 und
der Ausgangslötstellen 15 der Einrichtung 14 geformte Bögen sein.
Eine Trägerplatte "flat-pack" 20 (fig. 3) ist relativ ähnlich einer Trägerplatte 10 nach Fig. 1. Von oben
sieht sie wie die Trägerplatte 10 aus. Sie unterscheidet sich von dieser nur durch die Art der Einbettung,
indem statt einer Umhüllung hier zum Schutz eine Schale vorgesehen ist. Die Trägerplatte 20 besitzt
zwei seitliche Reihen von Leitungen 21, welche die Ausgangsklemmen der Trägerplatte 20 bilden und welche
die Längsseiten einer rechtwinklichen Schale durchdringen, und zwar in der Mitte von Fenstern
Das Material der Schale 22 ist vorzugsweise ein guter Wärmeleiter und mechanisch stabil, wie Messing
oder Keramik. Messing hat jedoch gegenüber Keramik den Vorteil auch bei geringen Dicken genügend widerstandsfähig
zu sein. Allerdings muß in diesem Fall zwischen der Schale 2 2 und den Leitungen 21 eine
elektrische Isolation, mit Hilfe von beispielsweise Glaskugeln, welche die Fenstern 23 ausfüllen, vorgesehen
werden. Auf dem Grund der Schale ruht eine Einrichtung mit integrierten Schaltkreisen 24, deren
Ausgangslötstellen 25 verbunden sind mit den inneren
mn 0
2947-22 Enden der Ausgangsleitungen 21 durch Verbindungsleitungen
26, Drähten, wie dargestellt oder Brücken. Ein Deckel 27 schließt den Zusammenbau und/oder eine Vergußmasse
28 hält alle in der Schale enthaltenen EIemente an ihrem Platz.
Die Figuren 4 und 5 zeigen eine Trägerplatte "packagecarrier" 30. Es ist ersichtlich, daß diese Trägerplatte
viel Ähnlichkeit hat mit der vorbeschriebenen Trägerplatte 20. Der einzige Unterschied beruht auf der
Tatsache, daß die Ausgangsklemmen 31 Lötstellen sind, die in die Seitenwände einer Schale 32 geformt sind,
welche aus einem formbaren und vorzugsweise gut wärmeleitenden Material, wie Keramik besteht. Eine Trägerplatte
30 kann eine große Anzahl von Lötstellen 31 enthalten, welche sich allgemein praktisch über die
ganze Höhe der Trägerplatte erstrecken und welche in vorteilhafter Weise geeignet sind in Kontakt mit
äußeren Kontaktelementen 33 an der Peripherie einer entsprechenden Aufnahme für die Einrichtung 30 zu
kommen. Wie bei der Trägerplatte 20, ruht am Boden der Schale 32 der Trägerplatte 30 eine Einrichtung
mit integrierten Schaltkreisen 34, deren Ausgangslötstellen 35 jeweils verbunden sind mit den inneren Enden
von Lötstellen 31 über Verbindungsleitungen 36. Eine Umhüllung 37 festigt in der Schale enthaltene
Elemente und/oder ein Deckel (nicht dargestellt)deckt diese Elemente ab.
Die Figuren 6 und 7 zeigen ein Ausführungsbeispiel einer Trägerplatte nach der Erfindung 40. In dem dargestellten
Beispiel ist die Trägerplatte für zwei Einrichtungen mit integrierten Schaltkreisen vorgesehen.
Die Ausgangsklemmen der Trägerplatte 40 sind Kontaktplatten 41, welche unmittelbar auf einer Seite
der Platte 42 angeordnet sind. Die Platte 42 bildet das Stützelement für die zwei Einrichtungen mit integrierten
Schaltkreisen 43 und 44. Die Ausgangslöt-
030018/0904
stellen 45 dieser zwei Einrichtungen sind jeweils über Verbindungsleitungen 46 mit Leitern 47, welche
auf der anderen Seite der Platte 42 angeordnet sind, verbunden. In dem dargestellten Beispiel bilden die
vier Leitungen 47a bis 47d gemeinsam den Verkettungskreis zwischen den zwei Einrichtungen 4 3 und 44 und
den Ausgangsleitern, welche jeweils zu den Kontaktplatten 41 (41a bis 41d)führen, und zwar durch Durchbrüche
48 (48a bis 48d) welche in der Platte 42 vorgesehen sind. Die Schutzabdeckung der Einrichtungen
43 und 44 ist im wesentlichen durch eine elektrisch isolierende Hülle 49 gebildet, welche teilweise die
Stützplatte 42 umhüllt und welche die Kontaktplatten 41 freiläßt. In dem dargestellten Beispiel ist die
Umhüllung 49 folglich auf der Seite der Platte angeordnet, auf welcher die Einrichtungen 4 3 und 44 angeordnet
sind.
Man erkennt, daß die Trägerplatte 40 von sehr geringer Dicke sein kann. Einerseits wird keine Schale benötigt,
wie bei den vorherbeschriebenen Trägerplatten; andererseits können die Ausgangsklemmen 41 auch auf
der Seite, die die Einrichtungen 43 und 44 trägt, an der Peripherie der Platte 42 angeordnet sein, so daß
die Umhüllung 49 sie nicht umschließt. Darüberhinaus gibt dieser Aufbau einer Trägerplatte die Möglichkeit
der Reduzierung der Dicke auszunutzen. Anstelle von Keramik kann es vorteilhaft sein, Epoxyd-Glas oder
einen Kunststoff zu verwenden, wie er beispielsweise unter dem Namen "Kapton" im Handel ist. Mit diesen
zwei Materialien kann die Dicke der Platte um 0,2mm verringert und auf diese Weise eine Trägerplatte 40
erhalten werden, deren Gesamtdicke kleiner ist als ein Millimeter. Diese Materailien sind auch wegen ihrer
Biegsamkeit vorzuziehen. Wenn allerdings ihre geringe Dicke ihnen eine zu große Biegsamkeit verleiht,
die sich auf die Haltbarkeit und das Funktionieren der Trägerplatte nachteilig auswirkt, empfiehlt es
030018/090*
sich, Mittel zum Verstärken der Festigkeit der Platte
vorzusehen und zwar solche, wie beispielsweise die Seitenelemente 50 in den Figuren 6 und 7. Diese
Seitenelemente 50 sind aufgesetzt. Sie können aber auch eine äußere Verstärkungsrippe der Platte sein.
Auf diese Weise bilden die Verstärkungsmittel 50 einen Teil der Schutzummantelung der Trägerplatte 40.
Aus Fig. 6 ist ersichtlich, daß die zwei Einrichtungen 43 und 44 auf einem gemeinsamen Leiter 47a ruhen,
welcher einen Masseanschluß bildet und gleichzeitig für eine Ableitung der durch die Einrichtungen 43
und 44 abgegebenen Wärme sorgt.
Für Fälle, in denen ein Ausgleich des Platzbedarfes hinsichtlich Dicke und Oberfläche einer Trägerplatte
nach der Erfindung gewünscht ist, kann eine Ausführung nach Fig. 8 gewählt werden. Gemäß Fig. 8 sind
auf beiden Seiten der Platte 52 zwei Verbindungsschaltkreise 53, 53' vorgesehen, die untereinander über
Durchbrüche 54, in der Platte 52 verbunden sind. In dem dargestellten Beispiel verbinden die Verbindungsschaltkreise 53 und 53' miteinander drei Einrichtungen
mit integrierten Schaltkreisen 55, 56 und 57. Andererseits kann sich gemäß einer Variante der Verkettungskreis
53 auch aus zwei übereinandergeschichtete leitende Schichten 53a und 53b zusammensetzen,
welche voneinaider über eine Isolierschicht 53c isoliert sind, mit Ausnahme von vorbindenden Durchbruchsleitungen
53d. Die Ausgangsleiter 58a und 58b des auf der Platte 52 angeordneten Netzwerkes enden
an den Anschlußplatten 59a, 59b, zu welchen sie über Durchbrüche geführt sind.
Die Ausgangslötstellen 60 der Einrichtungen 55 und können an dem Verkettungskreis 53 auch durch Brücken
61 anstelle der Drähte 46, wie in dem Falle der Trägerplatte 40 angeschlossen sein. Die Ausgangslötstellen
60 der Einrichtung 57 sind direkt mit den
0 3 0 0 13/0904
Leitungen des Stromkreises 53' verbunden.
Eine Umhüllung 62, 62' umgibt die Einrichtungen 55, 56 und 57 und zumindest zu einem Teil das Leitungsnetzwerk,
gebildet durch Stromkreise 53 und 53' und die Verbindungsleiter 61 . Diese Umhüllung läßt jedoch
die Ausgangsklemmen 59 der Trägerplatte frei. Darüberhinaus sind Festigkeitsverstärungselemente 63, 63'
wie bei der Trägerplatte 40 vorgesehen.
Die zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung, welche an Hand der Figuren 6, 7 und 8 beschrieben worden
sind, zeigen die Hauptmerkmale der Erfindung und aller möglichen Varianten. Biespielsweise können
die Ausgangsklemmen einer Trägerplatte nach der Erfindung auch auf den zwei Seiten der Platte vorgesehen
sein und es ist möglich, auf eine solche Trägerplatte nur eine einzige Einrichtung mit integrierten
Schaltkreisen anzubringen.
OjuO 13/0304
ι Λ& .
Leerseite
Claims (9)
- Rechtsanwalt u. PatentanwaltTattenbachstraBe 98000 MÜNCHEN 22Titel: Trägerplatte für integrierte SchaltkreisePATENTANSPRÜCHE. Trägerplatte für mindestens eine Einrichtung mit mit Ausgangslötstellen versehenen integrierten Schaltkreisen auf einem Trägerelement, mit einer Vielzahl von Ausgangsklemmen und einem Leitungsnetz zwischen Ausgangsklemmen und Ausgangslötstellen sowie mit einer Schutzabdeckung, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerelement als Platte (42, 52) ausgebildet ist und die Ausgangsklemmen der Trägerplatte Kontaktplatten (41) sind, welche auf die Trägerplatte angeordnet sind;daß zumindest die Leitungen des Netzes, welche an die Kontaktplatten angeschlossen sind auf dem Trägerelement angeordnet sind;und daß die Schutzabdeckung als elektrisch isolierende Einbettung (49, 62) ausgebildet ist, welche teilweise das Trägerelement (42) umhüllt und mindestens die Kontaktplatten freiläßt.
- 2. Trägerplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerelement (42) ein dünner Film aus relativ biegsamem Material ist, beispielsweise Epoxyd-Harz oder ein anderer Kunststoff.023013/09Oi
- 3. Trägerplatte nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Einbettmasse (49, 62) Mittel zum Verstärken der Festigkeit der Platte (42, 52) beigefügt sind.
- 4. Trägerplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Trägerelement eine Mehrzahl von Einrichtungen mit integrierten Schaltkreisen aufgebracht sind und daß das Leitungsnetz in Form von auf die Platte aufgedruckten Leiter ausgebildet ist.
- 5. Trägerplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierten Schaltkreise auf einer Seite der Trägerplatte montiert sind, während die Kontaktplatten auf der anderen Seite liegen und daß das Leiternetz leitende Durchbrüche, welche in der Platte vorgesehen sind, enthält und daß die Umhüllung angeordnet ist auf der Seite der Platte, welche die Einrichtung oder die Einrichtungen trägt.
- 6. Trägerplatte nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß nur die die integrierten Schaltkreise tragende Seite mit einer Einbettmasse vergossen ist.
- 7. Trägerplatte nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen mit integrierten Schaltkreisen auf beiden Seiten der Trägerplatte angeordnet sind, daß weiter die Verkettungsstromkreise ebenfalls auf beiden Seiten angeordnet und die Verbindungen über leitende Durchbrüche, welche in der Platte vorgesehen sind, hergestellt sind und daß die Kontaktplatten an der Peripherie mindestens einer der Seiten der Trägerplatte angeordnet sind.
- 8. Trägerplatte nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter auf der Trägerplatte in mehreren übereinanderliegenden Ebenen020018/09043 2942-22angeordnet sind.
- 9. Trägerplatte gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer der Leiter des Verknüpfungsnetzwerkes als Wärmeleiter für die durch die integrierten Schaltungen erzeugte Wärme ausgebildet ist.η ■ ;■'; s / ρ s η
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7829844A FR2439478A1 (fr) | 1978-10-19 | 1978-10-19 | Boitier plat pour dispositifs a circuits integres |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2942422A1 true DE2942422A1 (de) | 1980-04-30 |
Family
ID=9213942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792942422 Ceased DE2942422A1 (de) | 1978-10-19 | 1979-10-19 | Traegerplatte fuer integrierte schaltkreise |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4264917A (de) |
JP (2) | JPS5556647A (de) |
CA (1) | CA1148267A (de) |
CH (1) | CH632870A5 (de) |
DE (1) | DE2942422A1 (de) |
FR (1) | FR2439478A1 (de) |
GB (1) | GB2035701B (de) |
IT (1) | IT1123868B (de) |
NL (1) | NL190090C (de) |
SE (1) | SE440292B (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3029667A1 (de) * | 1980-08-05 | 1982-03-11 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Traegerelement fuer einen ic-baustein |
DE3435506A1 (de) * | 1984-09-27 | 1986-04-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | An einem gegenstand zur markierung angebrachte anordnung mit einem informationsspeicher |
DE3924439A1 (de) * | 1989-07-24 | 1991-04-18 | Edgar Schneider | Traegerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten, sowie verfahren zur herstellung dieser traegerelemente |
DE3941679A1 (de) * | 1989-12-18 | 1991-06-27 | Telefunken Electronic Gmbh | Fotomodul |
DE9100665U1 (de) * | 1991-01-21 | 1992-07-16 | Telbus Gesellschaft Fuer Elektronische Kommunikations-Systeme Mbh, 8057 Eching, De | |
DE4331518A1 (de) * | 1992-09-17 | 1994-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | Dünne plattenförmige Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür |
DE10113771A1 (de) * | 2001-03-21 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Kontaktierung mit einer Leiterplatte |
DE10111028A1 (de) * | 2001-03-07 | 2002-09-19 | Infineon Technologies Ag | Chipkartenmodul |
Families Citing this family (104)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2490917A1 (fr) * | 1980-09-02 | 1982-03-26 | Motorola Semiconducteurs | Boitier pour circuit electrique et procede de fabrication |
US4549247A (en) * | 1980-11-21 | 1985-10-22 | Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh | Carrier element for IC-modules |
FR2498814B1 (fr) * | 1981-01-26 | 1985-12-20 | Burroughs Corp | Boitier pour circuit integre, moyen pour le montage et procede de fabrication |
FR2512990B1 (fr) * | 1981-09-11 | 1987-06-19 | Radiotechnique Compelec | Procede pour fabriquer une carte de paiement electronique, et carte realisee selon ce procede |
US4483067A (en) * | 1981-09-11 | 1984-11-20 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an identification card and an identification manufactured, for example, by this method |
JPS5892597A (ja) * | 1981-11-28 | 1983-06-01 | 大日本印刷株式会社 | Icカ−ドの製造方法 |
JP2582013B2 (ja) * | 1991-02-08 | 1997-02-19 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JPS5948985A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-21 | 大日本印刷株式会社 | Icカ−ドの製造方法 |
DE3235650A1 (de) * | 1982-09-27 | 1984-03-29 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Informationskarte und verfahren zu ihrer herstellung |
GB2129223A (en) * | 1982-10-09 | 1984-05-10 | Welwyn Electronics Ltd | Printed circuit boards |
JPS59138339A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS59193596A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Kyodo Printing Co Ltd | Icカ−ド用icモジユ−ル |
GB2142478A (en) * | 1983-07-01 | 1985-01-16 | Welwyn Electronics Ltd | Printed circuit boards |
US4646129A (en) * | 1983-09-06 | 1987-02-24 | General Electric Company | Hermetic power chip packages |
US4630096A (en) * | 1984-05-30 | 1986-12-16 | Motorola, Inc. | High density IC module assembly |
JPS6189643A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS61203695A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-09 | シャープ株式会社 | 片面配線基板の部品実装方式 |
US5234866A (en) * | 1985-03-25 | 1993-08-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and process for producing the same, and lead frame used in said process |
FR2584235B1 (fr) * | 1985-06-26 | 1988-04-22 | Bull Sa | Procede de montage d'un circuit integre sur un support, dispositif en resultant et son application a une carte a microcircuits electroniques |
US5082802A (en) * | 1985-11-12 | 1992-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a memory device by packaging two integrated circuit dies in one package |
US5014112A (en) * | 1985-11-12 | 1991-05-07 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor integrated circuit device having mirror image circuit bars bonded on opposite sides of a lead frame |
US4914045A (en) * | 1985-12-19 | 1990-04-03 | Teccor Electronics, Inc. | Method of fabricating packaged TRIAC and trigger switch |
JP2502511B2 (ja) * | 1986-02-06 | 1996-05-29 | 日立マクセル株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPS62216259A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 混成集積回路の製造方法および構造 |
US4695872A (en) * | 1986-08-01 | 1987-09-22 | Texas Instruments Incorporated | High density micropackage for IC chips |
US4740868A (en) * | 1986-08-22 | 1988-04-26 | Motorola Inc. | Rail bonded multi-chip leadframe, method and package |
US4839713A (en) * | 1987-02-20 | 1989-06-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Package structure for semiconductor device |
EP0344259A4 (en) * | 1987-10-30 | 1991-04-24 | Lsi Logic Corporation | Method and means of fabricating a semiconductor device package |
FR2632100B1 (fr) * | 1988-05-25 | 1992-02-21 | Schlumberger Ind Sa | Procede de realisation d'une carte a memoire electronique et cartes a memoire electronique obtenue par la mise en oeuvre dudit procede |
JPH0638464B2 (ja) * | 1988-05-26 | 1994-05-18 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 薄い可撓性基板構造体 |
US5109601A (en) * | 1988-05-26 | 1992-05-05 | International Business Machines Corporation | Method of marking a thin film package |
US5157475A (en) * | 1988-07-08 | 1992-10-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a particular conductive lead structure |
US5084753A (en) * | 1989-01-23 | 1992-01-28 | Analog Devices, Inc. | Packaging for multiple chips on a single leadframe |
US4916519A (en) * | 1989-05-30 | 1990-04-10 | International Business Machines Corporation | Semiconductor package |
US5030796A (en) * | 1989-08-11 | 1991-07-09 | Rockwell International Corporation | Reverse-engineering resistant encapsulant for microelectric device |
US5200362A (en) * | 1989-09-06 | 1993-04-06 | Motorola, Inc. | Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film |
US5250470A (en) * | 1989-12-22 | 1993-10-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device with corrosion resistant leads |
JP2875562B2 (ja) * | 1989-12-22 | 1999-03-31 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5173766A (en) * | 1990-06-25 | 1992-12-22 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device package and method of making such a package |
US5399903A (en) * | 1990-08-15 | 1995-03-21 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device having an universal die size inner lead layout |
US7198969B1 (en) * | 1990-09-24 | 2007-04-03 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same |
US5148265A (en) | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies with fan-in leads |
JP2634351B2 (ja) * | 1991-04-23 | 1997-07-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US5434750A (en) * | 1992-02-07 | 1995-07-18 | Lsi Logic Corporation | Partially-molded, PCB chip carrier package for certain non-square die shapes |
US5262927A (en) * | 1992-02-07 | 1993-11-16 | Lsi Logic Corporation | Partially-molded, PCB chip carrier package |
JPH07164787A (ja) * | 1992-03-26 | 1995-06-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Icカードの製造方法 |
US5280413A (en) * | 1992-09-17 | 1994-01-18 | Ceridian Corporation | Hermetically sealed circuit modules having conductive cap anchors |
JPH06312593A (ja) | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Toshiba Corp | 外部記憶装置、外部記憶装置ユニットおよび外部記憶装置の製造方法 |
JP3258764B2 (ja) * | 1993-06-01 | 2002-02-18 | 三菱電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに外部引出用電極およびその製造方法 |
JPH0737049A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Toshiba Corp | 外部記憶装置 |
US5362679A (en) * | 1993-07-26 | 1994-11-08 | Vlsi Packaging Corporation | Plastic package with solder grid array |
US5438477A (en) * | 1993-08-12 | 1995-08-01 | Lsi Logic Corporation | Die-attach technique for flip-chip style mounting of semiconductor dies |
JP3396541B2 (ja) * | 1993-08-30 | 2003-04-14 | 株式会社東芝 | 混成集積回路装置を搭載した回路基板 |
US5388327A (en) * | 1993-09-15 | 1995-02-14 | Lsi Logic Corporation | Fabrication of a dissolvable film carrier containing conductive bump contacts for placement on a semiconductor device package |
JPH07169872A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
TW272311B (de) * | 1994-01-12 | 1996-03-11 | At & T Corp | |
US5581445A (en) * | 1994-02-14 | 1996-12-03 | Us3, Inc. | Plastic integrated circuit card with reinforcement structure for protecting integrated circuit module |
JP3383398B2 (ja) * | 1994-03-22 | 2003-03-04 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
US5436203A (en) * | 1994-07-05 | 1995-07-25 | Motorola, Inc. | Shielded liquid encapsulated semiconductor device and method for making the same |
JP3388921B2 (ja) * | 1994-11-29 | 2003-03-24 | 株式会社東芝 | 集積回路カードの製造方法 |
USRE38997E1 (en) * | 1995-02-03 | 2006-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage and information processing system utilizing state-designating member provided on supporting card surface which produces write-permitting or write-inhibiting signal |
JP3660382B2 (ja) | 1995-02-03 | 2005-06-15 | 株式会社東芝 | 情報記憶装置およびそれに用いるコネクタ部 |
US6471130B2 (en) | 1995-02-03 | 2002-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage apparatus and information processing apparatus using the same |
US5832600A (en) * | 1995-06-06 | 1998-11-10 | Seiko Epson Corporation | Method of mounting electronic parts |
JPH0964240A (ja) | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US5892213A (en) * | 1995-09-21 | 1999-04-06 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Memory card |
US5952725A (en) | 1996-02-20 | 1999-09-14 | Micron Technology, Inc. | Stacked semiconductor devices |
JP2799310B2 (ja) * | 1996-04-02 | 1998-09-17 | 山一電機株式会社 | メモリーカード稼動電子機器におけるic保護装置 |
US5956601A (en) * | 1996-04-25 | 1999-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of mounting a plurality of semiconductor devices in corresponding supporters |
US6022763A (en) * | 1996-05-10 | 2000-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate for semiconductor device, semiconductor device using the same, and method for manufacture thereof |
US5817530A (en) * | 1996-05-20 | 1998-10-06 | Micron Technology, Inc. | Use of conductive lines on the back side of wafers and dice for semiconductor interconnects |
US5917242A (en) * | 1996-05-20 | 1999-06-29 | Micron Technology, Inc. | Combination of semiconductor interconnect |
US6784023B2 (en) | 1996-05-20 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Method of fabrication of stacked semiconductor devices |
US5866953A (en) | 1996-05-24 | 1999-02-02 | Micron Technology, Inc. | Packaged die on PCB with heat sink encapsulant |
TW332334B (en) * | 1996-05-31 | 1998-05-21 | Toshiba Co Ltd | The semiconductor substrate and its producing method and semiconductor apparatus |
JPH09327990A (ja) * | 1996-06-11 | 1997-12-22 | Toshiba Corp | カード型記憶装置 |
US5847445A (en) * | 1996-11-04 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Die assemblies using suspended bond wires, carrier substrates and dice having wire suspension structures, and methods of fabricating same |
US5990545A (en) * | 1996-12-02 | 1999-11-23 | 3M Innovative Properties Company | Chip scale ball grid array for integrated circuit package |
JPH10302030A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-11-13 | Toshiba Corp | 接続装置、および情報処理装置 |
US5972738A (en) * | 1997-05-07 | 1999-10-26 | Lsi Logic Corporation | PBGA stiffener package |
US6314639B1 (en) | 1998-02-23 | 2001-11-13 | Micron Technology, Inc. | Chip scale package with heat spreader and method of manufacture |
US7233056B1 (en) | 1998-02-23 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | Chip scale package with heat spreader |
US6040622A (en) * | 1998-06-11 | 2000-03-21 | Sandisk Corporation | Semiconductor package using terminals formed on a conductive layer of a circuit board |
US6297548B1 (en) * | 1998-06-30 | 2001-10-02 | Micron Technology, Inc. | Stackable ceramic FBGA for high thermal applications |
US6297960B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-10-02 | Micron Technology, Inc. | Heat sink with alignment and retaining features |
US6109530A (en) * | 1998-07-08 | 2000-08-29 | Motorola, Inc. | Integrated circuit carrier package with battery coin cell |
US6326687B1 (en) | 1998-09-01 | 2001-12-04 | Micron Technology, Inc. | IC package with dual heat spreaders |
US6117797A (en) | 1998-09-03 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant |
US6261865B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-07-17 | Micron Technology, Inc. | Multi chip semiconductor package and method of construction |
US6634561B1 (en) * | 1999-06-24 | 2003-10-21 | Sandisk Corporation | Memory card electrical contact structure |
JP3650001B2 (ja) * | 2000-07-05 | 2005-05-18 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7295443B2 (en) | 2000-07-06 | 2007-11-13 | Onspec Electronic, Inc. | Smartconnect universal flash media card adapters |
JP3829050B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2006-10-04 | 松下電器産業株式会社 | 一体型電子部品 |
US6916682B2 (en) * | 2001-11-08 | 2005-07-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor package device for use with multiple integrated circuits in a stacked configuration and method of formation and testing |
DE10202727A1 (de) * | 2002-01-24 | 2003-08-21 | Infineon Technologies Ag | Trägersubstrat für ein Chipmodul, Chipmodul und Chipkarte |
FR2838850B1 (fr) * | 2002-04-18 | 2005-08-05 | Framatome Connectors Int | Procede de conditionnement de microcircuits electroniques pour carte a puce et microcircuit electronique ainsi obtenu |
US20040105244A1 (en) * | 2002-08-06 | 2004-06-03 | Ilyas Mohammed | Lead assemblies with offset portions and microelectronic assemblies with leads having offset portions |
TWI238499B (en) * | 2003-11-03 | 2005-08-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package |
JP2007294488A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、電子部品、及び半導体装置の製造方法 |
SG142321A1 (en) * | 2008-04-24 | 2009-11-26 | Micron Technology Inc | Pre-encapsulated cavity interposer |
US8367460B2 (en) | 2010-06-22 | 2013-02-05 | Micron Technology, Inc. | Horizontally oriented and vertically stacked memory cells |
USD759022S1 (en) * | 2013-03-13 | 2016-06-14 | Nagrastar Llc | Smart card interface |
USD758372S1 (en) | 2013-03-13 | 2016-06-07 | Nagrastar Llc | Smart card interface |
USD864968S1 (en) * | 2015-04-30 | 2019-10-29 | Echostar Technologies L.L.C. | Smart card interface |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2213915A1 (de) * | 1972-03-22 | 1973-10-04 | Siemens Ag | Gehaeuse fuer halbleitersysteme |
FR2337381A1 (fr) * | 1975-12-31 | 1977-07-29 | Honeywell Bull Soc Ind | Carte portative pour systeme de traitement de signaux electriques et procede de fabrication de cette carte |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3832769A (en) * | 1971-05-26 | 1974-09-03 | Minnesota Mining & Mfg | Circuitry and method |
US3919602A (en) * | 1972-03-23 | 1975-11-11 | Bosch Gmbh Robert | Electric circuit arrangement and method of making the same |
US3777220A (en) * | 1972-06-30 | 1973-12-04 | Ibm | Circuit panel and method of construction |
JPS5310862Y2 (de) * | 1972-12-28 | 1978-03-23 | ||
US3868724A (en) * | 1973-11-21 | 1975-02-25 | Fairchild Camera Instr Co | Multi-layer connecting structures for packaging semiconductor devices mounted on a flexible carrier |
JPS54151B2 (de) * | 1974-09-04 | 1979-01-06 | ||
US4074342A (en) * | 1974-12-20 | 1978-02-14 | International Business Machines Corporation | Electrical package for lsi devices and assembly process therefor |
US4246595A (en) * | 1977-03-08 | 1981-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronics circuit device and method of making the same |
JPS5469068A (en) * | 1977-11-14 | 1979-06-02 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
-
1978
- 1978-10-19 FR FR7829844A patent/FR2439478A1/fr active Granted
-
1979
- 1979-06-29 NL NLAANVRAGE7905082,A patent/NL190090C/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-08-13 CH CH740579A patent/CH632870A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1979-08-21 SE SE7906962A patent/SE440292B/sv not_active IP Right Cessation
- 1979-08-24 US US06/069,253 patent/US4264917A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-08-29 GB GB7929895A patent/GB2035701B/en not_active Expired
- 1979-10-11 JP JP13007679A patent/JPS5556647A/ja active Pending
- 1979-10-16 IT IT26530/79A patent/IT1123868B/it active
- 1979-10-17 CA CA000337863A patent/CA1148267A/fr not_active Expired
- 1979-10-19 DE DE19792942422 patent/DE2942422A1/de not_active Ceased
-
1983
- 1983-06-22 JP JP1983095034U patent/JPS5936249U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2213915A1 (de) * | 1972-03-22 | 1973-10-04 | Siemens Ag | Gehaeuse fuer halbleitersysteme |
FR2337381A1 (fr) * | 1975-12-31 | 1977-07-29 | Honeywell Bull Soc Ind | Carte portative pour systeme de traitement de signaux electriques et procede de fabrication de cette carte |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3029667A1 (de) * | 1980-08-05 | 1982-03-11 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Traegerelement fuer einen ic-baustein |
DE3051195C2 (de) * | 1980-08-05 | 1997-08-28 | Gao Ges Automation Org | Trägerelement zum Einbau in Ausweiskarten |
DE3435506A1 (de) * | 1984-09-27 | 1986-04-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | An einem gegenstand zur markierung angebrachte anordnung mit einem informationsspeicher |
DE3924439A1 (de) * | 1989-07-24 | 1991-04-18 | Edgar Schneider | Traegerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten, sowie verfahren zur herstellung dieser traegerelemente |
DE3941679A1 (de) * | 1989-12-18 | 1991-06-27 | Telefunken Electronic Gmbh | Fotomodul |
DE9100665U1 (de) * | 1991-01-21 | 1992-07-16 | Telbus Gesellschaft Fuer Elektronische Kommunikations-Systeme Mbh, 8057 Eching, De | |
DE4331518A1 (de) * | 1992-09-17 | 1994-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | Dünne plattenförmige Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür |
US5520863A (en) * | 1992-09-17 | 1996-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making IC card |
DE10111028A1 (de) * | 2001-03-07 | 2002-09-19 | Infineon Technologies Ag | Chipkartenmodul |
DE10113771A1 (de) * | 2001-03-21 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Kontaktierung mit einer Leiterplatte |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4264917A (en) | 1981-04-28 |
NL190090C (nl) | 1993-10-18 |
SE7906962L (sv) | 1980-04-20 |
CA1148267A (fr) | 1983-06-14 |
GB2035701B (en) | 1983-06-29 |
IT7926530A0 (it) | 1979-10-16 |
NL190090B (nl) | 1993-05-17 |
GB2035701A (en) | 1980-06-18 |
CH632870A5 (fr) | 1982-10-29 |
IT1123868B (it) | 1986-04-30 |
JPS5936249U (ja) | 1984-03-07 |
SE440292B (sv) | 1985-07-22 |
JPS5556647A (en) | 1980-04-25 |
NL7905082A (nl) | 1980-04-22 |
FR2439478B1 (de) | 1981-04-17 |
FR2439478A1 (fr) | 1980-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2942422A1 (de) | Traegerplatte fuer integrierte schaltkreise | |
DE3535791C2 (de) | ||
EP1924947B1 (de) | Manipulations- und durchbohrschutz für eine an eine elektrische schaltung anzuschliessende vorrichtung | |
EP0107061B1 (de) | Informationskarte und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP0682321B1 (de) | Datenträger mit integriertem Schaltkreis und Verfahren zur Herstellung eines Datenträgers | |
DE3124332C2 (de) | Tragbares, aus mehreren Schichten aus elektrischisolierendem Kunststoff aufgebautes Ausweiselement | |
DE2659573C2 (de) | Karte nach Art einer genormten Kreditkarte zur Verarbeitung von elektrischen Signalen und Verfahren zur Herstellung der Karte | |
EP0902973B1 (de) | Trägerelement für einen halbleiterchip | |
DE2942397A1 (de) | Traegerband fuer elektronische schaltkreiselemente, verfahren zu seiner herstellung und anwendung bei einer signalverarbeitungseinrichtung | |
DE2536316C2 (de) | Schaltungskarte für integrierte Halbleiterschaltungen | |
DE3511722A1 (de) | Elektromechanische baugruppe fuer integrierte schaltkreismatrizen | |
DE4344297A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Ausweiskarten | |
EP0996932B1 (de) | Kontaktlos betreibbarer datenträger | |
CH686325A5 (de) | Elektronikmodul und Chip-Karte. | |
EP0071255A2 (de) | Tragbare Karte zur Informationsverarbeitung | |
DE1937664B2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE102007058547A1 (de) | Displaymodul und Datenträger mit eingesetztem Displaymodul | |
EP0878026B1 (de) | Leuchtdiodenmatrix | |
DE3111516A1 (de) | "ausweiskarte mit ic-baustein" | |
EP0219627B1 (de) | Mehrschichtige gedruckte Schaltungsplatte | |
DE4037555C2 (de) | Halbleiterkarte und Herstellungsverfahren dafür | |
DE4321592A1 (de) | Halbleitervorrichtungen sowie Trägerteile und Leiterrahmen hierfür | |
DE4022829A1 (de) | Tragbare speicherkarte | |
DE60036784T2 (de) | Integrierte schaltungsanordnung, elektronisches modul für chipkarte, das die anordnung benutzt, und verfahren zu deren herstellung | |
DE69933837T2 (de) | Unterlage für elektrische schaltanordnung mit mitteln die entkoppeln vermeiden |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |