JPS5948985A - Ｉｃカ−ドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この１１明け、１Ｃモジユールを」ξスイもし７（は内
蔵し７た’ｉｅカー　１゛の製造方法にｌ：、Ｊ−ｒイ
）。

近年マイクロコンピュータ、メモリ等のＩｃモジュール
（チップ）を装着もし７くは内蔵したチップカード、メ
モリカード、マイコンカードｐ　’ｔｌｃ　子カードな
どと称されるカード（以下、ここ−Ｃは単にＩＣカード
という）の研究開発がノＣさノ１．てし・る。

このｌＣカードは、従来の磁気ストライブカードに比べ
てその記’ｔＪＪ才・ｔ′；ψが大きいことから、金融
関係では預金通帳に替って預貯金のｋｉ、に、歴を記へ
・記憶したり、クレジット関係では買物晴の取引き履Ｂ
とを記録・記憶させるようなことが４えらｉＬで（・る
。

そして、このようなＩＣカードの製造方法としては、積
層プレスされたカード丞相に、エンドミルもしくは彫刻
＜、７＋；　ｊ、ｃどによりＩＣモジュール大の四部を
設けた後、接着剤などによりＩｃモジュールを上記凹部
に接着固定する方法カ神り木より一般的であった。

しかしながら、このような方法によって製造されたＩＣ
カードは、ＩＣモジュールの埋設孔寸法とＩＣモジュー
ルの外形寸法との間にエンドミール加工、彫刻加工の上
で防止不可能な誤差が生ずるため、ＩＣモジュールとカ
ード基材との間に微少な誤差か生するため、ＩＣモジュ
ールとカード基材との間に微少な空隙が発生し、カード
の耐湿性゛、耐水性、耐久性が弱くなる欠点を有１７、
また、ＩＣモジュール製造時のＩＣモジュールノ厚サす
、ＩＣモジュールの埋設孔の深度とがｈ’７１↓ｌ−的
にバラツキを廟することから、カード基材のλ論ｔｒｉ
とＩＣモジュール表面の高さがそろわず、カード使用時
のトラブルの原因となって（・た。さら６で、接着剤の
塗布工程において、接着剤の塗布１；ｉ′か多い場合に
は、ＩＣモジュールを埋設したときに展着剤がカード表
面にはみ出し、外観」二の美へ屯を出うはかりでなく、
接着剤が電極面に付着した場合には。

動作不良を誘発する原因となる欠点かある。史にまた、
接着剤の塗布量が少ない場合は、ＩＣモジュール接着面
の端部へ接着剤が行き渡らないため、折曲げなどの外力
によってＩＣモジュールがカード基材から容易に脱落す
るなど、ＩＣカードの改ざんなＥＪ能としてしまうとい
った欠点が矛）る。

よって、この発明の目的は、−Ｊ：、　；ｌＩＳの、Ｌ
うな神々な欠点を有する従来のＩＣカードの裂造方７３
＜に改良を加え、信頼性の高いＩＣカードの製、潰方法
に提供することにある。

以下にこの発明を、図面を参照し、てその′ノシ施例を
に１・細に説明する。

第１図はこのグも明に用いる１（ｊモジュールの断面を
示すものであり、このＩＣ七ゾユールの鼎」／、、！７
は次のように行なわれる。

先ず、厚さ０．１＋ｎ＋ｎ稈度のガラスエポキシフィル
ム基板１に、３５７ｎｎ厚の銅箔をラミネートしたプリ
ント自己１ｒＨｉ用フィルムをｊ＋Ｊ　ｃ・て、）９「
望（ハバ々−ンを得るために工′ツブッグした後、ニッ
ケル及で）金メッキを行ノ「い、外ＢＩＳとの接続ｙｌ
’ｉ＋ｉ子用′「１う極パターン２及び回路パターン３
を形成し／、Ｈｔに１．７．９白Ｉの大きさに打抜く。

そ１２て、接層Ｌ　Ｖｊｌｌ子用市極パターン２と回路
パターン３とを、必を１１・’＋Ｉ　ＪＪｆ　ＶＣお（
・てスルーホール４によって電気的に接続する。この回
路パターン３上の所定位イ６゛にＩＣチップ５をグイボ
ンディングし、ＩＣチップ５上の電極６と回路パターン
３とを導体７によりワイヤーボンディング方式により接
続する。なお、この部分はワイヤを使用しないフェイス
・ボンディング方式で実施することもでき、その場合に
はより薄いＩＣモジュールを得ることができる。ＩＣチ
ップ５と回路パターン３との必要な接続を鳩（体７で行
なった込・エポキシ樹脂ボッティング時の流ネ１１１め
用に、ガ′ラスエホキシ等の相質で成るポツティング枠
８をエホキシ系の接着剤等でガラスエポキシフィルム基
板１に取付け、エポキシ樹脂９を３１ｆ：　’Ｌ、込ん
でモールドする。この時、比較的粘度σ）、ｐ；いエポ
キシ樹脂（１０”　ＣＰ８程度）で先ずスルーポール４
を隠し、充分硬化したことを確認した後に、低粘就のエ
ポキシ樹脂（ＩＯＣＰＳ程度）を流し込む方法を採れば
、スルーホール４を通してポツティング用のエポキシ樹
脂９が、カード表面となる接続端子用電極パターン２側
に出ることを防ぐことができる。

以上述べた方法により、ＩＣカード用σ）ＩＣモジュー
ル１０を得ることができるが、回路パターン３及び接続
端子用電極パターン２／Ｔ・形成イ゛修）方法やＩＣチ
ップ５イトボンディング−′る方法な含めて、ここで；
２１Ｅべた方法はいずれも現イｔのト１連〕１”２昇に
〜［、ｉける技術で対応１リゴ１目なもので矛、ろ。

このようにｔ２てイ４）られた１（モジュール１０を１
Ｊｉ用し、この発明によつ゛〔目的（ハエＣカードケイ
１１ろには以下の方法による。

以下に実施例１として、Ｊｉｍさ約０．６６肺の１Ｃモ
ジュ−／Ｌ／　１０を用いて約１）、７６　ｎｎｎ厚さ
のＩＣカードを得る場合について述べろ。ここに、７（
已２し１はこの発明によって（（ｉられたＩＣカードυ
）−甲間図であり、第３図は；（５２図のＩｌｌ　−Ｉ
ＴＩ　ｌ′！ｊｉ面図てル・ろ１、先ず、ｊυさ約０．
５６ｍｍの乳白イＩＴ質塩化ビー＝−ルシート１１の両
面に、オフセット１−Ｌｊ刷又し」シルク印刷によって
Ｉｇｔ望の絵柄１３を設けた後、Ｊ”）さ１７月）、１
ｍｍの透明硬質塩化ビニールシート１２ａ’／２□仮！
１り月’Ｉ’Ｊに積層し、得られた積層体の所望ｆ、ｉ
／−ｊｉ’＋に、ＩＣモジュール１０と同等又は０．５
ｍｍ、ｆ−ｒｉ度大きな孔を打抜きにより設け、第４図
（Ａ）に示すよりな１Ｃモジユール埋設孔１５を有する
硬質塩化ビニール積層体１６を得る。次に、この稙層体
１６の乳白硬質塩化ビニールシート１１側に、ＩＣモジ
ュール支持用の厚さ約０．１ｍｍの透明硬質塩化ビニー
ルシー）１２ｂを仮貼りし、第４図（Ｂ）に示すような
硬質塩化ビニールジートイ’７７層体１７を得る。

一方、離けい紙上に粘着性をイ１する才（＋すｉ化エポ
キシ１）寸脂接７ｆ剤フィルム（例えば３Ｍ社製ボンデ
ィングテープ＃５８４又は＃５８２など）をｌ（ｊモジ
ュール１０の底ｎＴｉの大δさ又は約］ｎｌＩｒ１太き
、Ｖ）に打抜いた接着剤層１４を、ＩＣモジュール１０
のノへ面に粘着貼付し、離けい紙を剥ＩＪｆＡ　シて第
５シ１に示−「如き接着剤層１４を形成したＩｃモジ誌
−ル１（ＪＡる・イ；）ろ、。

次に、こうして得られたＩＣモジュール［ＯＡを前シ１
くの硬質塩化ビニール積ＩＡ体１７のＩＣモジュール埋
設孔１５に装着した後、ステンＬ／ス等の１．（、“１
．１ｆｌｊにイ１上げられた２枚の金属板に挾持せしめ
、温度１００℃〜１６０℃（好ましくは１４０°Ｃ）、
圧力はｊＪＬＩ圧開始時開始時５分（々（４しくけ２分
）　（Ｙ＋過１１．！＋４　：ｒテ１ｌｆｃｎｌ　）の
加圧速度で加圧し、又は加？、ｊ′−開始ｒｌ’、’「
より２ｋｇ／Ｃｍｌ〜５ｋｇ／Ｃ冨（好ましくは：３　
ｋｇ　／　ｃｉｆ　）の一定圧力で加圧し、３０秒〜１
０分（好シトシ＜は２分）イｆ過時に１０ｋｇ　／　ｃ
ｎｔ　〜３０　ｋｇ　／　ＣｒＰｌ（ｆ）−３’　才し
くは２５　ｈ　／ｃｎｔ　）の圧力まで昇圧した上、１
１’３分〜３「）分（如才しくは２０分）加熱加圧し、
その冷却ｔＸＫＩｃモ外−Ｌ−ル１０Ａが装着された粘
層シートをイ（ｆる。

このようにして得られた積層１小をＨ：モ・ジュール１
０Ａａ　’ｉｌｉ港部が正規の位１１胃とｌＣるように
、１す１望づ−る寸法の抜型を用いて打抜くことＷより
、２Ｉ”：　２図及び第３図に示−イーようブ’、ＣＩ
ＣモンユールＪ（ＩＡ　（１０）がカード基材１１に密
着したＩＣカードを・ｆ（↑ることかできる。なお、第
２図の磁気ストジイグ２０はルう・要に応じて、例大ば
転写、コーディング等で６；ンけても良−い。

次に実施例２と１．て、０　、５６　ｍｍｍ以内、Ｉｔ
：（−ジュールを使用し−（、約０．７６　ｍｍ　ｌ！
、？’さのカーｌ”ｓ□　’（！＃る場合についてシト
べる。ここＫ　Ｊ、ｉいて、ＩＣカードの平面図は上述
と同様で第９図の如（なり、そのＩＩ＋　−Ｉｌｌ断面
は第６図のようにｔ（る。寸だ、第７図（Ａ）、（Ｂ）
はこの−）ｊ：施汐り２における中間製品の構造を示−
ｔもσ）であり、第７図（Ａ）はＩＣモジュール埋設孔
１５を設けた硬質塩化ビニール積層体１８を、第７図（
Ｂ）はＩＣモジュール１０ケ支持する硬質塩化ビニール
シー）　１１ｃ　、　１２ｂを積層した硬質地代ビニ・
−ルｆｊ１層体１９を示している。

この場合も、完ずオフセント印刷又はシルク印刷によっ
て所望の献納１３を印刷した厚さ約０．１ｍｍの乳白硬
質塩化ビニールシー）１１ａの印刷面に厚さ約０．１ｍ
ｍの透明硬質塩化ビニールシート１．２ａを、非印刷面
にＪＴさ約０．３６　ｎ＋ｍσ）乳白ｅ賀塩化ビニール
シート１１ｂを仮貼り積層し、イ４ｊられたオ！Ｎ層体
１８のｆｆｉｔｍ位股にポンチ、ダイス、ビク抜き等の
打抜キ法によって、ＩＣモジュール１０と同宿又は０．
５ｍｌ［、程度の大きな孔１５を設しナ、この■（シモ
ジュール狸股孔１５を南する硬質塩化ビニール、Ｉ’ｉ
’ｊ層捧１８ケ得る（第７１ン１（Ａ））。

なお、予め硬質塩化ビニールシー）　Ｉｌａ、　１．１
ｂ　。

］’２ａの所望位゛ｉｊ′ｔに、Ｉｃモジュ−／Ｌ／　
１０と等しいか又は０．５ｔｎｍはど大ぎな■Ｃモジー
Ｌ　−／Ｌ７　：１ＩＪｊ　ｉＩｊ壮１「）ル設けた後
に、位１１°・）“分合わせして積層゛７を７〒／（″
い、こｆ’Ｔ　Ｋ　Ｊ、’す・１肩・たイ１更′１匂ｊ
藷化ビニール′ＡＩ＋１ハ・？　１４’　Ｉ９は、１′
１土＾ｉきの際に生じるパリの影４ｒを少）ｃ　＜　Ｌ
、１（：モジュール埋設孔１５の周囲の形状を・１″≦
つたもσ）と寸２）効果を有する。

次に、硬質地什、ビニールＪｉｉ層体用ｃノ１：；’ｌ
白」）、に化ビニール側に、オノセット印刷又Ｇ上シル
ク印刷によって所望の絵柄１：３ａを設けた厚さ約（ｊ
　、　１　＋＋ｕｎの乳白イＩす１貿塩化ビニールシー
トｌＬｃ及びｊ！、２さＡ’ｒ’ｌ　（１、１ｍｍの透
明硬質塩化ビニールシー）］２ｂか、（Ｈ’ｉ’、　ｌ
ｉコｔイＨつゼしてＩｌｌ口欠積層し、イトご）６塩化
ビニールＡ・“１層ｆ４・ｊ９をイ１）る（第７図（１
３１）。

以下上述した実／、１ｉｌｊ例１と同様にして、１“１
モ；２図及び第６図に示ｆ１（ユカードを肯る。こσ）
　’、１，４　）Ｌ’、ｌルリ２によって得られたＩＣ
カードは、１゜Ｃカードダ石面のＩＣモジュール４’、
１４　設位面にも＃”ｘ梢Ｊ３ａ’＆設（Ｊることかで
きる。なお、上述の実／７１１’ｌｌ’ｌ　１＋　２　
ｉＣ＋ｆｌ’、：ｊ！・！シしたＩＣモジュール及び塩
化ビニール打ｊ　１１″−Ｉ俸の各厚さは一例であり、
これに限定さノ′１ろものではｔｃい。

以上のように、この発明の製端方法によれば、積層カー
ド基材の加熱加圧プレスラミネートと同時にＩｃモジュ
ールをカード基材に装着するようにしているので、カー
ド基材の熱的６１ト訓１Ｊ性によりＩＣモジュールとカ
ード基材の間に不り要な空隙。

が生ぜず、カード基材表面とＩＣモジュール表面とが同
一平面とｉｃる。また、プレス時に上述実施例で力えた
加圧加熱条件を採用することにより、ＩＣモジュールに
不必吸な負荷がかかることを防ぎ、ＩＣモジュールを破
壊してし、ようよう７’ｒこともなり・。

さらに、加熱加圧接着方式の月、用い二よって接９１強
ＩＷを強化しイ；Ｉると共に、未硬化ヌは半イ１１ｊ：
化ユポキシ感熱圧接着剤の１（！用を５ｊ能なら１．め
、接左１剤の不必要ブ【付着や接着剤の不足によるＩＣ
モジュールの脱落を防止できるといった４１１点苓□−
Ｔ１する。

更にまた、打抜法°にＪすＩＣモジュール坤埋設Ｔｌを
設けることによりＩｃモジュールタ１形１」法とＩＣモ
ジョール埋設孔寸法の加工精度を向上せしめ、プレス時
の不必要な空間を減少せしめることにより、製造時の不
良の原因であったカード基体の非鏡面部の発生率を減少
させることかできる１、なお、この発明においては、未
硬化又は半イ１φ化エポキシ樹脂接着剤として、不織布
等にエボ・＼・シ系桝脂を含浸した後、未硬化又は半硬
化状のフィルムとした接着用フィルム（例えば３Ｍ社製
ボンディングチーブＹ　５８２　Ａなど）を用いろ、：
とによって、加熱加圧プレスラミネート１、′「σ’　
−ｔＪ　′ｙＦｊｆ！ｌ及びカード丞相の熱的流動を抑
えることができ、カード基４４赤面への接着剤の流ｕ′
議・防１１−２することかできると共に、カートノル材
の歪みを抑えることも１り能となる。また、上述では円
板状（１）ｌにモジュールを埋設する例につ（・て述べ
たが、１（ユモジュールの形状は任意である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明＆ｌ＝用いることかでεろ１（：モジ
ュールの一例を７１＜す助面構造図、第２１ネ１＆上こ
の発明によるＩＣカードの一例を示す外観図、第３図は
そのｍ−ｍ断面図、第４１″ン１（Ａ）　、　（１３）
ｌ土この発、明の製造工程を示す図、第５図ヲー１、こ
の発明に用いるＩＣモジュールの一例を示−ｔｌ（１７
面格造図、第６図はこの発明の別の実ブ・用例な第３図
に対応させて示す断面構造図、第７１ス（Ａ）　、　（
１３）はその製造工程を示す図である。 １・・・ガラスエポキシフィルム基板、２・・・電極パ
ターン、３・・・回路パターン、４・・・スルーポール
、５・・・ＩＣチップ、６・・・電極、７・・・４体、
８・・・ポツティング枠、９・・・エポキシ１ｌｔｊＪ
Ｉ旨、ＩＯＡ　。 １０・・・ＩＣモジュール、１１・・・硬質塩化ビニー
ルシート、１３．１３ａ・・・絵柄、１５・・・ＩＣモ
ジュール埋設孔。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ＩＣモジュールを内蔵もしくは装着したＩＣカードの製
   造方法において、少なくとも３層の塩化。 ビニールシートで構成されたカード基材の最上層から少
   なくとも２層シートに、前記■（−′モジュールの大β
   さに相当する打抜き孔加工を行なうと共に、残層ノート
   と位置合せを行ない、前記ＩＣモジュールの大きさに相
   当゛ｆる寸法で打抜いた熱硬化性接着フィルムを前記Ｉ
   Ｃモジュー／Ｌの底面に接着し、このフィルムを接着さ
   れたＩＣモジュールを前配杓抜き孔に設置した後、ｂ１
   ｒ記カード基相を鏡面金属板で挾持して加熱加圧を行な
   い、前記ＩＣモジュール及びカード基材をＷ、着せしめ
   ると共に、前記■Ｃモジュールの上面とカード基第４面
   とがほぼ同一平面となるようにしたことを特徴とするＩ
   Ｃカードの製造方法。