JP2003067706A

JP2003067706A - 非接触ｉｃカード記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JP2003067706A
Application number: JP2001255743A
Authority: JP
Inventors: Shotei Cho; 松弟張
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2001-08-27
Filing date: 2001-08-27
Publication date: 2003-03-07
Anticipated expiration: 2021-08-27
Also published as: JP4830237B2

Abstract

(57)【要約】【課題】各種のアンテナ付きＩＣモジュール基盤に対応
することができ、安価の外観及び形状が品質よいＩＣカ
ードを提供する。【解決手段】少なくとも熱可塑性高分子樹脂からなり、
厚さがｈ１からなる基材１、アンテナ付き非接触ＩＣモ
ジュール基盤３、熱可塑性高分子樹脂からなり、厚さが
ｈ２からなる基材２を順次に積層、一体化してなる非接
触ＩＣカードであって、上記基材１と基材２の厚さ、即
ちｈ１とｈ２が異なり、アンテナ付き非接触ＩＣモジュ
ール基板がカード厚さ方向の非中心位置に配置される非
接触ＩＣカードにおいて、上記基材１の熱可塑性高分子
樹脂と上記基材２の熱可塑性高分子樹脂の熱膨張率が異
なる非接触ＩＣカード記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非接触ＩＣカード
の記録媒体及び製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、クレジットカード、ＩＤカー
ド、キャッシュカード等の分野においては、磁気カード
に代わるカードとして、カード素材にマイクロプロセッ
サやＲＡＭ、ＲＯＭ等の半導体メモリを含むＩＣモジュ
ールを搭載してなるいわゆるＩＣカードが、情報記録容
量が非常に大きいこと、および高セキュリティ性を有す
ることから開発されてきている。このようなＩＣカード
記録媒体においては、記録媒体が端末とのアクセス方法
によって、接触型ＩＣカードと非接触ＩＣカードの２種
類記録媒体がある。接触型ＩＣカード記録媒体は端末と
通信する際、記録媒体の接点を端末の接点と合わせ、接
触し合う必要があるので、通信作業が面倒であり、通信
速度が遅い。更に記録媒体の接点が記録媒体の表面に露
出しているので、接点が汚され、壊され易い欠点があ
る。一方、非接触ＩＣカード記録媒体は電磁結合、電磁
誘導またはマイクロ波を用いて、端末と情報通信するの
で、接点を持たない。よって、通信作業が容易であり、
接点が壊されて通信が出来なくなるような心配がない。
そのため、非接触ＩＣカード記録媒体の開発が最近盛ん
に行われる。

【０００３】この種のＩＣカードを製造する方法として
は、液状接着剤、ホットメルト接着剤等の接着剤を用い
た接着剤充填方式、インジェクション成型機を用いた樹
脂射出成型方式、及び熱可塑性高分子からなる基材を用
いた熱ラミネート方式がある。それらの方式では、それ
ぞれ長所と短所があり、カード製造の規模、カード仕様
及び要求物性により使い分けされ、非接触ＩＣカードを
製造している。

【０００４】特に熱ラミネート方式の方法は、従来クレ
ジットカード、キャッシュカード等の製造方法に近く、
従来カード製造装置及び技術の一部を使用することがで
き、注目されている。熱ラミネート方式としては、熱可
塑性高分子樹脂からなる基材（１）、アンテナとＩＣモ
ジュールからなるインレット、熱可塑性高分子樹脂から
なる基材（２）を順次積層し、熱及び圧力を加えてラミ
ネートを行うことにより一体化して、カード状に断裁し
て非接触ＩＣカードを製造する。

【０００５】非接触ＩＣカード信頼性及び生産効率を向
上するため、アンテナ及びＩＣモジュールを耐熱性のあ
る材料からなる基板、例えはＰＥＴ基板、ガラスエポキ
シ基板、ポリイミド基板等上に形成し、アンテナ付きＩ
Ｃモジュール基盤（３）として用いることがある。この
場合、基材（１）と基材（２）の厚さ、即ちｈ１とｈ２
はカードの厚さ、基板の厚さ及びＩＣモジュールの厚さ
に応じて設定しなければならなく、ｈ１とｈ２が同等で
ないことが多い。またカードの基材として、カードの表
面を平坦にするため、熱変形温度が若干低く、Ｔｍ（溶
融温度）が２００℃以下の熱可塑性高分子樹脂を用いる
のが好ましく、アンテナ付きＩＣモジュール基盤の基材
と異なる基材を用いることが好ましい。

【０００６】以上に記述したように、基材（１）及び基
材（２）がアンテナ付きＩＣモジュール基盤の基材と材
質が異なるので、基材（１）及び基材（２）の熱膨張と
アンテナ付きＩＣモジュール基板の熱膨張が相違し、更
に基材（１）と基材（２）の厚さ、即ちｈ１とｈ２が相
違するため、熱ラミネートにより、積層一体化される非
接触ＩＣカードの反りが発生してしまい、カードの外観
及び形状が損なうことがある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
問題点に着目してなされたもので、各種のアンテナ付き
ＩＣモジュール基盤に対応することができ、安価の外観
及び形状が品質よいＩＣカードを及びそのカードの効率
よい製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１に記
載の発明は、少なくとも熱可塑性高分子樹脂からなり、
厚さがｈ１からなる基材（１）、アンテナ付き非接触Ｉ
Ｃモジュール基盤（３）、熱可塑性高分子樹脂からな
り、厚さがｈ２からなる基材（２）を順次に積層、一体
化してなる非接触ＩＣカードであって、上記基材（１）
と基材（２）の厚さ、即ちｈ１とｈ２が異なり、アンテ
ナ付き非接触ＩＣモジュール基盤がカード厚さ方向の非
中心位置に配置される非接触ＩＣカードにおいて上記基
材（１）の熱可塑性高分子樹脂と上記基材（２）の熱可
塑性高分子樹脂の熱膨張率が異なることを特徴とする非
接触ＩＣカード記録媒体である。

【０００９】また請求項２に記載の発明は、上記基材
（１）の厚さｈ１が基材（２）の厚さｈ２より薄く、ア
ンテナ付き非接触ＩＣモジュール基盤がカード厚さ方向
の非中心位置に配置される非接触ＩＣカードにおいて、
基材（１）の熱膨張率が基材（２）の熱膨張率より大き
いことを特徴とする請求項１に記載の非接触ＩＣカード
記録媒体である。

【００１０】また請求項３に記載の発明は、上記基材
（１）の厚さｈ１が基材（２）の厚さｈ２より薄く、ア
ンテナ付き非接触ＩＣモジュール基盤がカード厚さ方向
の非中心位置に配置される非接触ＩＣカードにおいて、
２０℃から１８０℃まで温度変化した際、膨脹後の基材
（１）の厚さ（ｄ１）と基材（２）の厚さ（ｄ２）の比
が０．７０〜１．３０であることを特徴とする請求項１
および請求項２に記載の非接触ＩＣカード記録媒体であ
る。

【００１１】また請求項４に記載の発明は、上記の基材
（１）とアンテナ付きＩＣモジュール基盤（３）、基材
（２）とアンテナ付きＩＣモジュール基盤（３）の間
に、感熱接着層を形成することを特徴とする請求項１、
請求項２及び請求項３に記載の非接触ＩＣカード記録媒
体である。

【００１２】また請求項５に記載の発明は、少なくとも
熱可塑性高分子樹脂からなる基材（１）、アンテナ付き
非接触ＩＣモジュール基盤（３）、熱可塑性高分子樹脂
からなる基材（２）を順次に積層、一体化してなる非接
触ＩＣカードにおいて、積層、一体化方法として、熱プ
レスを用いることを特徴とする非接触ＩＣカード記録媒
体の製造方法である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照し、本発明を詳
細に説明する。図１は本発明の実施例及び比較例に係わ
る非接触ＩＣカード記録媒体（１０）の断面図であり、
図２は他の本発明に係わる非接触ＩＣカード記録媒体の
一例を示す断面図である図１の本発明の非接触ＩＣカー
ド記録媒体（１０）は印刷層（５）、基材（１）、接着
層（４）、アンテナ付きＩＣモジュール基盤（３）、基
材（２）からなる構成である。図２は、他の本発明の非
接触ＩＣ記録媒体を示し、上記図１と異なる点は、１及
び２の基材が多層で形されていること以外は、図１と同
じである。

【００１４】次に、各構成について説明する。基材
（１）及び基材（２）は強度がある熱可塑性高分子樹
脂、例えはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポ
リ塩化ビニル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ
メタクリルメチル、ポリスチレン、ポリ乳酸、ポリカプ
ロラクトン、ポリ（３ヒドロキシブチレート−３ヒドロ
キシヴァリレート）、ポリビニルアルコール等の合成樹
脂類、天然樹脂類の単体、またそれらの樹脂または変性
樹脂などを単独または組み合わせた複合体、アロイ体、
ブレンド体を用いることができる。更にこれら樹脂単
体、複合体、アロイ体、ブレンド体に顔料、染料及び表
面活性剤等を加して改質することもできる。

【００１５】本発明では、基材（１）と基材（２）をそ
れぞれ異なる熱膨張率の基材を使用した際の、熱ラミネ
ートによる非接触ＩＣカード記録媒体のカール発生問題
を解決する。例えば基材（１）の厚さｈ１が薄く、基材
（２）の厚さｈ２が厚い場合、熱膨張率の大きい基材を
基材（１）とし、熱膨張率の小さい基材を基材（２）と
して使用する。このように互いに厚さの異なる基材を使
用する場合、熱膨張率の異なる基材を選択して使用する
ことにより、カード反りの発生を防げることができる。

【００１６】更に熱膨張率が違う基材の選択において、
基材（１）及び基材（２）のそれぞれの厚さｈ１とｈ２
を考慮し、熱ラミネートの温度範囲内にカード内の基材
（１）の膨張した体積と基材（２）の膨張した体積との
差が少ないように選択するのが好ましい。このことは図
３に示すように、表裏に位置する基材（１）及び基材
（２）の表面積が同じであるので、膨脹した後の厚さｄ
１及びｄ２との差が少ないようにすることである。

【００１７】差が大きければ、熱ラミネートにより、得
られる記録媒体のカールが大きくなる。差がまったくな
いのが理想であるが、基材の選定等においてかなりの制
限が出てくることになり、カードの物性保持に支障が生
じてしまう。よって本発明は熱ラミネートの温度範囲以
内において、基材（１）と基材（２）の膨張後の厚さの
比が０．７０〜１．３０以内にすることによって、カー
ドの反りをカードの規格内に押さえることができ、且つ
カードの物性保持においても、大きな支障が生じること
がない。

【００１８】そして、このような基材（１）及び基材
（２）の一方表面の全面または一部には、ＩＤ情報及び
絵柄デザイン等の印刷層を設ける。基材と印刷層の接着
性を向上させるため、基材の表面に易接着処理例えば、
コロナ放電処理、プラズマ処理、樹脂塗布等を施しても
良い。更に基材の表面または印刷層の表面に他の機能性
薄膜層例えば、保護層、磁気記録層、可視記録層等を全
面または一部に設けてもよい。

【００１９】アンテナ付きＩＣモジュール基盤の基材
（３）としては耐熱性および強度のある高分子樹脂の単
体、複合体およびアロイ体、またはそれらの高分子樹脂
と無機材料との複合体を用いるのもよい。例えばポリイ
ミド基板、ＰＥＮ基板、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタ
レート）基板、ＡＢＳ基板、ＰＣ（ポリカーボネート）
基板、ポリ塩化ビニル基板、ポリエステル基板、ポリメ
タクリルメチル基板、ガラスエポキシ樹脂（エポキシ含
浸ガラス基板）基板等を用いることができる。

【００２０】上記の基板上に予め非接触通信用のアンテ
ナを形成する。アンテナの形成方法としては例えば、化
学エッチングによる形成方法、銅線の巻き加工による形
成方法、導電性インキの印刷による形成方法などがあ
る。基板とアンテナとの接着性を持たせるため、基板の
表面にプライマー層を設けてもよい。またアンテナの腐
食防止のため、アンテナの表面に防錆処理を行ってもよ
い。ＩＣモジュールとしては電気回路が形成されたＩＣ
チップをアンテナ基板上に公知のベアチップ実装方法で
実装し、アンテナと接続して形成するか、ＩＣチップを
チップ実装用の基板上に公知の実装方法で実装し、樹脂
モールドしてから、アンテナ基板上に装着し、アンテナ
と接続して形成する。またＩＣチップの信頼性を向上す
るため、アンテナ基板上に実装されたベアチップを更に
樹脂等で封止補強してもよい。

【００２１】以上の基材（１）、アンテナ付きＩＣモジ
ュール基盤（３）、基材（２）を積層し、熱ラミネート
により、一体化してから、カード形状に断裁して本発明
の非接触ＩＣカード記録媒体となる。基材（１）及び基
材（２）とアンテナ付きＩＣモジュール基盤との接着性
を上げるため、基材（１）及び基材（２）とアンテナ付
きＩＣモジュール基盤（３）の間に接着剤を設けてもよ
い。接着層を設ける場合、例えば酢酸ビニル系接着剤、
ポリビニルアルコール系接着剤、ポリアミド系接着剤、
アクリル系接着剤、ポリエステル系接着剤、ポリウレタ
ン系接着剤、エポキシ系接着剤等の熱可塑性接着剤及び
熱硬化性接着剤を用いることができる。接着層としては
０．５μｍ〜１０μｍを設けた方が好ましい。

【００２２】接着層の厚さがあまり薄くなると、接着強
度が弱くなり、基材と基材の間に層間剥離が生じやすく
なる。また接着層があまり厚くなると、接着層の熱クリ
ップ性が悪くなり、または記録媒体表面への影響が高く
なることがある。厚さが０．５μｍ〜１０μｍに規制す
るのが重要である。接着層の形成方法としては、基材
（１）及び基材（２）の表面上に、従来のスクリーン機
による印刷方法、グラビアコータによるコーティング方
法、ロールコータ及びナイフコータによる塗布方法等を
用いて形成すればよい。

【００２３】熱ラミネートにより、基材（１）、アンテ
ナ付きＩＣモジュール基盤（３）、基材（２）を一体化
して非接触ＩＣカード記録媒体を成形する際、カードの
表面を平坦にするため、熱ラミネートの温度を高くして
更に圧力を加えることにより、基材（１）及び基材
（２）の樹脂をＩＣモジュールの上下に流して埋め込ん
だ方が好ましい。しかし、温度が高くなると、熱ラミネ
ートによるＩＣモジュール破損の危険性が高くなる。

【００２４】そこで、図２に示すように、カード記録媒
体が耐熱性を有し、表面平坦性がよく、且つ熱ラミネー
ト時にＩＣモジュールの破損がない非接触ＩＣカード記
録媒体を製造するため、基材（１ａ）とアンテナ付きＩ
Ｃモジュール基盤（３）の間に、基材（２ａ）とアンテ
ナ付きＩＣモジュール基盤（３）の間にそれぞれ熱変形
温度が何れも基材（１ａ）及び基材（２ａ）の熱可塑性
高分子樹脂の熱変形温度より低い熱可塑性高分子樹脂か
らなる基材（１ｂ）、基材（２ｂ）を設けてもよい。

【００２５】ただし、この場合、基材（１ａ）とアンテ
ナ付きＩＣモジュール基盤（３）、基材（２ａ）とアン
テナ付きＩＣモジュール基盤（３）の間にそれぞれ設け
られる基材（１ｂ）と基材（２ｂ）の厚さを同等のもの
にするのが好ましい。また、カード記録媒体の表面をよ
り平滑するには、基材（１ｂ）または基材（２ｂ）上に
ＩＣモジュールのチップ等の電気部品と同等の大きさの
穴をあけ、チップ等の電気部品を穴に填め込むように基
材に積層してから、熱ラミネートを行う方が好ましい。

【００２６】熱ラミネート方法としては基材（１ａ）、
基材（１ｂ）、アンテナ付きＩＣモジュール基盤
（３）、基材（２ｂ）、基材（２ａ）と順次に積層して
から熱ラミネートを行う一回ラミネートの方法と、基材
（１ｂ）、アンテナ付きＩＣモジュール基盤（３）、基
材（２ｂ）を順次に積層して一次熱ラミネートを行って
一体化してから、更に基材（１ａ）及び基材（２ａ）と
積層して二次熱ラミネートを行う二回ラミネートの方法
がある。特に二回ラミネートの場合、二次ラミネート温
度を下げ、基材（１）及び基材（２）の印刷層への影響
を最低限することができる。

【００２７】上記の何れの熱ラミネート方法でも、熱ラ
ミネート温度の低減による基材（１ａ）と基材（１ｂ）
または基材（２ｂ）と基材（２ａ）のラミネート強度の
低減を防ぐため、基材（１a）と基材（１ｂ）の間、ま
た基材（２ｂ）と基材（２ａ）の間に接着層を設けた方
が好ましい。接着層としては例えば酢酸ビニル系接着
剤、ポリビニルアルコール系接着剤、ポリアミド系接着
剤、アクリル系接着剤、ポリエステル系接着剤、ポリウ
レタン系接着剤、エポキシ系接着剤等の熱可塑性接着剤
及び熱硬化性接着剤を用いることができる。

【００２８】

【実施例】〈実施例１〉図１は本発明の実施例１に係わ
る非接触ＩＣカード記録媒体（１０）の構成断面図であ
る。エッチングアンテナ（６）が形成された厚さ０．１
ｍｍガラスエポキシ基盤（３）上に、厚さ０．１８ｍｍ
のマイフェアチップ（Ｍｉｋｒｏｎ社製）を異方性導電
フィルム（ＡＣＦ）を介して実装し、更にエポキシ封止
樹脂で封止して実施例１のアンテナ付きＩＣモジュール
基盤（３）とする。基盤上のＩＣチップ部（樹脂封止部
を含む）の厚さが０．２５ｍｍとなる。体積膨張率が１
００℃から１７０℃温度で約６％で、厚さ０．２５ｍｍ
の非晶性ポリエステルであるＰＥＴ−Ｇ（イーストマン
ケミカル（株）製）とポリカーボネート（ＰＣ）とのポ
リマーアロイに酸化チタン顔料を含有させた熱可塑性樹
脂基材を基材（1）とし、体積膨張率が約４％の厚さが
０．４０ｍｍのＰＥＴ―Ｇの酸化チタン顔料を含有する
熱可塑性樹脂基材を基材（２）とする。

【００２９】そして、基材（１）と基材（２）のそれぞ
れアンテナ（６）付きＩＣモジュール基盤（３）と接す
る側の表面に酢酸ビニルからなる接着剤を１μロールコ
ーターにより形成する。更に基材（１）及び基材（２）
のそれそれもう一方表面、即ち非接触ＩＣカード記録媒
体の表面となる側の表面に、絵柄及びＩＤデータの印刷
層（５）を予め形成する。

【００３０】次に、基材（１）の接着層が形成された表
面に、上記に形成されたアンテナ付きＩＣモジュール基
盤（３）をガラスエポキシ側の表面が接着層と接するよ
うに積層し、更に基材（２）を基材の接着層側表面がＩ
Ｃモジュール基盤（３）のＩＣモジュール側の表面と接
するように積層する。このようにして積層された積層体
を熱プレスに設置し、温度１４５℃まで加熱してから圧
力１．２Ｍｐａ加えることにより、熱ラミネートを行っ
て一体化する。このようにして、厚さが０．７５ｍｍ、
ＩＣモジュールを埋設した積層体が得られ、それをカー
ド記録媒体の形状に断裁して実施例１の非接触ＩＣカー
ド記録媒体（１０）とした。

【００３１】以上で得られたカード記録媒体（１０）は
反りが小さく（ＪＩＳＸ６３０１）により、測定し
たカード面内の反りが２ｍｍ以下であった）、且つ印刷
層（５）の絵柄等の歪みが無く、表面平滑性がよく、通
信テストしたところ、正常に通信が出来た。更にカード
記録媒体を熱撓み温度を測定したところ、熱変形温度が
８５℃という高い耐熱特性が得られた。

【００３２】〈比較例１〉上記実施例１と異なる点は、
基材（１）として、体積膨張率が４％の非晶性ポリエス
テルであるＰＥＴ−Ｇ（イーストマンケミカル（株）
製）に酸化チタン顔料を含有させた熱可塑性樹脂基を使
用した点であり、他は実施例１と同様である。

【００３３】すなわち、実施例１と同じくエッチングア
ンテナが形成された厚さ０．１ｍｍガラスエポキシ基盤
（３）上に、厚さ０．１８ｍｍのマイフェアチップ（Ｍ
ｉｋｒｏｎ社製）を異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を介
して実装し、更にエポキシ封止樹脂で封止して、アンテ
ナ付きＩＣモジュール基盤（３）とする。基板上のＩＣ
チップ部（樹脂封止部を含む）の厚さが０．２５ｍｍと
なる。

【００３４】体積膨張率が約４％、厚さが０．２５mmの
非晶性ポリエステルであるＰＥＴ−Ｇ（イーストマンケ
ミカル（株）製）に酸化チタン顔料を含有させた熱可塑
性樹脂基材を基材（1）とし、体積膨張率が約４％の厚
さが０．４０ｍｍのＰＥＴ―Ｇの酸化チタン顔料を含有
する熱可塑性樹脂基材を基材（２）とする。

【００３５】そして、基材（１）と基材（２）のそれぞ
れアンテナ付きＩＣモジュール基盤（３）と接する側の
表面に酢酸ビニルからなる接着剤を１μロールコーター
により形成する。更に基材（１）及び基材（２）のそれ
それもう一方表面、即ち非接触ＩＣカード記録媒体の表
面となる側の表面に、絵柄及びＩＤデータの印刷層
（５）を予め形成する。

【００３６】次に、基材（１）の接着層が形成された表
面に、上記に形成されたアンテナ付きＩＣモジュール基
盤（３）をガラスエポキシ側の表面が接着層と接するよ
うに積層し、更に基材（２）を基材の接着層側表面がＩ
Ｃモジュール基盤（３）のＩＣモジュール側の表面と接
するように積層する。このようにして積層された積層体
を熱プレスに設置し、温度１４５℃まで加熱してから圧
力１．２Ｍｐａ加えることにより、熱ラミネートを行っ
て一体化する。このようにして、厚さが０．７５ｍｍ、
ＩＣモジュールを埋設した積層体が得られ、それをカー
ド記録媒体の形状に断裁して比較例１の非接触ＩＣカー
ド記録媒体とした。

【００３７】このように、得られた比較例１のカード記
録媒体の反りを測定したところ、カード面内の最大反り
が４．５ｍｍであり、実施例１に比較して２倍以上の反
りが生じた。

【００３８】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、熱
可塑性樹脂からなる基材、アンテナ付きＩＣモジュール
基盤、熱可塑性高分子樹脂からなる基材を積層して、熱
ラミネートを行うことにより、非接触ＩＣカード記録媒
体を製造するにおいて、基材（１）の膨張後の厚さ（ｄ
１）と基材（２）の膨脹後の厚さ（ｄ２）の比が、０．
７〜１．３の間（好ましくは、ほぼ同等の厚さ）に設定
することによって、耐熱性の高く、表面平滑性がよく、
且つ反りが発生しない非接触カード記録媒体を製造する
ことが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例及び比較例に係わる非接触ＩＣ
カード記録媒体の構成断面図である。

【図２】本発明に係わる非接触ＩＣカード記録媒体の他
一例の構成断面図である。

【図３】熱膨脹した際、上下の基材の厚さがほぼ同等と
なり、反りが発生しにくいことを説明する図である。

【符号の説明】

１…基材１ａ、１ｂ…基材２…基材２ａ、２ｂ…基材３…アンテナ付きＩＣモジュール基盤４…接着層５…印刷層６…アンテナ７…ＩＣモジュール１０…ＩＣカードｈ１，ｈ２…基材の厚さｄ１，ｄ２…膨張後の基材の厚さ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも熱可塑性高分子樹脂からなり、
厚さがｈ１からなる基材（１）、アンテナ付き非接触Ｉ
Ｃモジュール基盤（３）、熱可塑性高分子樹脂からな
り、厚さがｈ２からなる基材（２）を順次に積層、一体
化してなる非接触ＩＣカードであって、上記基材（１）
と基材（２）の厚さ、即ちｈ１とｈ２が異なり、アンテ
ナ付き非接触ＩＣモジュール基板がカード厚さ方向の非
中心位置に配置される非接触ＩＣカードにおいて、上記基材（１）の熱可塑性高分子樹脂と上記基材（２）
の熱可塑性高分子樹脂の熱膨張率が異なることを特徴と
する非接触ＩＣカード記録媒体。
【請求項２】上記基材（１）の厚さｈ１が基材（２）の
厚さｈ２より薄く、アンテナ付き非接触ＩＣモジュール
基盤がカード厚さ方向の非中心位置に配置される非接触
ＩＣカードにおいて、基材（１）の熱膨張率が基材（２）の熱膨張率より大き
いことを特徴とする請求項１に記載の非接触ＩＣカード
記録媒体。
【請求項３】上記基材（１）の厚さｈ１が基材（２）の
厚さｈ２より薄く、アンテナ付き非接触ＩＣモジュール
基盤がカード厚さ方向の非中心位置に配置される非接触
ＩＣカードにおいて、２０℃から１８０℃の温度変化した際、膨脹後の基材
（１）の厚さ（ｄ１）と基材（２）の厚さ（ｄ２）の比
が０．７０〜１．３０であることを特徴とする請求項１
および請求項２に記載の非接触ＩＣカード記録媒体。
【請求項４】上記の基材（１）とアンテナ付きＩＣモジ
ュール基盤（３）、基材（２）とアンテナ付きＩＣモジ
ュール基盤（３）の間に、感熱接着層を形成することを
特徴とする請求項１、請求項２及び請求項３に記載の非
接触ＩＣカード記録媒体。
【請求項５】少なくとも熱可塑性高分子樹脂からなる基
材（１）、アンテナ付き非接触ＩＣモジュール基盤
（３）、熱可塑性高分子樹脂からなる基材（２）を順次
に積層、一体化してなる非接触ＩＣカードにおいて、積層、一体化方法として、熱プレスを用いることを特徴
とする非接触ＩＣカード記録媒体の製造方法。