DE2213915A1 - Gehaeuse fuer halbleitersysteme - Google Patents
Gehaeuse fuer halbleitersystemeInfo
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Description
SIEMEiTS AKTIEMGSSELISCHaJ1T München 2, den 22,MRZ1972
Berlin und München * Yiittelsbacherplatz 2
2213915 ™ 73/1044;.
Zusatz zum Patent . ... ... (Patentamt. P 18 15 799.8)
Die Erfindung "betrifft ein Gehäuse für Halbleitersysteme zum
Einbau in Dünn- oder Diekfilmschaltungen, bei dem ein Deekel
und ein Boden durch ein Zwischenstück zu einer geschlossenen Einheit verbunden,sind, bei dem der Boden aus einem beidseitig
teilweise metallisierten Isolator besteht, bei dem die beiden Seiten desv Bodens durch mit Metall ausgefüllte Bohrungen im
Isolator elektrisch miteinander verbunden sind und bei dem das
Halbleitersystem auf der Innenseite des Bodens befestigt ist und die elektrischen Anschlüsse des Halbleitersystems mit der
metallisierten Innenseite des Bodens verbunden sind.
In der Hauptanmeldung (DT-OS 1 815 799) ist ein Gehäuse für
Halbleitersysteme der obengenannten Art beschrieben, bei dem die mit Metall ausgefüllten Bohrungen im Isolator im Innenraum
des Gehäuses enden. Das diese Bohrungen ausfüllende Metall dient gleichzeitig als Dichtung des Gehäuses.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Gehäuse anzugeben, bei dem diese Abdichtung des Gehäuses vermieden v/erden
kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die mit
Metall gefüllten Bohrungen außerhalb des Innenraums des Gehäuses enden. ·
Eine Weiterbildung der Erfindimg besteht darin, daß die mit
Metall gefüllten Bohrungen gegenüber dem als Ring ausgebildeten Zwischenstück enden/
3
VPA 9/110/2039 Kot/Dx ; - 2 -
VPA 9/110/2039 Kot/Dx ; - 2 -
309840/0583
Durch die erfindungsgeraäße Anordnung der Bohrungen werden sehr
dichte Gehäuse ermöglicht. Weiterhin bleibt das Gehäuse auch
dann dicht, wenn es mechanischen und thermischen Belastungen unterliegt. Zudem kann es sehr einfach hergestellt werden.
Weitere Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels
an Hand der Figuren.
Es zeigen:
Fig. 1: Einen Schnitt durch ein erfindungsgemäßes Gehäuse und
Fig. 2: Eine Untersicht des Bodens, entsprechend der Linie H-II in Fig. 1.
In den Figuren werden sich entsprechende Teile mit den gleichen Bezugsseichen versehen.
Ein Halbleitersystem 1 befindet sich auf der Innenseite einer Bodenplatte 2 aus Keramik, welche einen Ring 3 aus einem elektrisch
nichtleitenden Material auf einer Seite abschließt. Der Ring 3 ist auf der anderen Seite durch einen Deckel 4 abgeschlossen.
Dabei ist der Ring 3 und der Deckel 4 mit einer Justierkerbe 12 versehen. Die Bodenplatte 2, der Ring 3 und
der Deckel 4 bilden ein hermetisch dichtes Gehäuse für das Halbleitersystem 1. Wie in der Hauptanmeldung beschrieben wurde,
ist die Bodenplatte in eine Dünnfilmschaltung eingebaut und dort mittels Lotbrücken befestigt. Auf der Dünnfilmschaltung
und dem Boden befinden sich metallisierte Leitungen. Dabei sind die Lotbrücken so angebracht, daß sie zugleich zur
mechanischen Befestigung des Bodens in der Dünnfilmschaltung auch die elektrischen Verbindungen zwischen sich entspx-ecnenden
Leitungen des Bodens und der Dünnfilmschaltung herstellen*
VPA 9/110/2039 - 3 -
309840/0S83
Mit Metall, vile beispielsweise lot oder dergleichen· ausgefüllt
te Bohrungen 10 verbinden auf der- Außenseite 15 angebrachte \
Leiterbahnen 14 elektrisch rait der Innenseite der Bodenplatte 2. Metallverbindungen 11 , zum Beispiel in Form von Drähten.,
schließen das Halbleitersysteta/1 über, metallisierte Oberflärchenbereiche
5, 65 7* 8 (in Fig. 2 schraffiert dargestellt)
der Innenseite· der Bodenplatte 2 an. die mit Metall, gefüllten
-Bohrungen 10 elektrisch an. ■
Die mit. Metall gefüllten Bohrungen 10 enden gegenüber des Ringes 5·" In einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist es
auch möglich, daß die mit Metall gefüllten Bohrungen 10 aiißerhalb
des Innenrauras und gleichzeitig auch •außerhalb'; des Ringes
3 enden. Hierzu ist es lediglich erforderlich, daß ein mit einem kleineren Äußendurchmesser versehener Ring verwendet
wird. Ein solcher ist beispielsweise in^der Pig* 1 strichpunktiert
dargestellt und mit 13 bezeichnet. .Entscheidend ist nur,
daß die mit Metall gefüllten Bohrungen 10 außerhalb des Innenraums des Gehäiises enden. Dadurch wird nämlich die gewünschte
Abdichtung des Gehäuses erreicht.
Unter "der !Bezeichnung "Bohrung" ist bei der vorliegenden' Erfindung jede elektrische- Durchführung durch eine aus einem
isolierenden Stoff bestehende Bodenplatte zu verstehen.
5 Patentansprüche . .
2 Figuren
2 Figuren
3 0914 0/Q5 8Y .
TPA 9/110/2039
Claims (5)
- 22138154 -Pat e ntansp'rücheGehäuse für Halbleitersysteme zum Einbau in Dünn- oder Dickfilmschaltungen, bei dein ein Deckel und. ein Boden durch ein Zwischenstück· zu einer geschlossenen Einheit verbunden sind,, bei dein der Boden aus einem beidseitig teilweise mertallisierten Isolator besteht, bei dem die beiden Seiten des Bodens durch mit Metall ausgefüllte Bohrungen im Isolator elektrisch mteinander verbunden sind und bei dem das Halbleitersystein auf der-Innenseite des Bodens befestigt ist und die elektrischen Anschlüsse des Halbleitersystems mit der metallisierten Innenseite des Bodens verbunden sind, nach Patent . .,. ... (Patentanm. P 18 15 799.8) dadur.ch gekennzeichnet, daß die Metall gefüllten Bohrungen (10) außerhalb des Innenraums des Gehäuses enden.
- 2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die mit Metall gefüllten Bohrungen (10) gegenüber dem als Ring (3) ausgebildeten Zwischenstüekenden.
- 3. Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Innenseite des Bodens (2) zum elektrischen Anschluß, des Halbleitersystems (1) an die mit Metall gefüllten Bohrungen (10) mindestens zwei mit Metall versehene Bereiche (5, 6, 7, 8) aufv/eist.
- 4. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 τ 3, dadurch gekennzeichnet , daß der Deekel (4), der Bo-r den (2) und. das Zwischenstück (3) rund sind,YPA 9/110/2039 ~ 5 ■*3O98Ä0/0583
- 5. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet , daß der Deckel (.4) und das Zwischenstück (3) mit einer Justierkerbe versehen sind.3 09 8AO/0583YPA 9/11 O/i1 GLeerseite
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE2942422A1 (de) * | 1978-10-19 | 1980-04-30 | Cii Honeywell Bull | Traegerplatte fuer integrierte schaltkreise |
DE3432449A1 (de) * | 1983-09-06 | 1985-04-04 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Hermetisch verschlossenes leistungschipgehaeuse |
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- 1972-11-23 CH CH1708472A patent/CH548109A/de not_active IP Right Cessation
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-
1973
- 1973-03-02 NL NL7302989A patent/NL7302989A/xx unknown
- 1973-03-15 CA CA166,172A patent/CA979122A/en not_active Expired
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- 1973-03-20 JP JP3155173A patent/JPS496880A/ja active Pending
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FR2176661A1 (de) | 1973-11-02 |
CA979122A (en) | 1975-12-02 |
ATA1012972A (de) | 1975-05-15 |
CH548109A (de) | 1974-04-11 |
JPS496880A (de) | 1974-01-22 |
GB1397330A (en) | 1975-06-11 |
AT327989B (de) | 1976-02-25 |
IT982542B (it) | 1974-10-21 |
FR2176661B1 (de) | 1977-12-30 |
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OHW | Rejection |