DE2213915A1 - Gehaeuse fuer halbleitersysteme - Google Patents

Gehaeuse fuer halbleitersysteme

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DE2213915A1
DE2213915A1 DE19722213915 DE2213915A DE2213915A1 DE 2213915 A1 DE2213915 A1 DE 2213915A1 DE 19722213915 DE19722213915 DE 19722213915 DE 2213915 A DE2213915 A DE 2213915A DE 2213915 A1 DE2213915 A1 DE 2213915A1
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metal
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Burkhart Dipl Ing Diel
Heinz Hagen
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
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Description

SIEMEiTS AKTIEMGSSELISCHaJ1T München 2, den 22,MRZ1972
Berlin und München * Yiittelsbacherplatz 2
2213915 ™ 73/1044;.
Gehäuse für Halbleltersyeteme
Zusatz zum Patent . ... ... (Patentamt. P 18 15 799.8)
Die Erfindung "betrifft ein Gehäuse für Halbleitersysteme zum Einbau in Dünn- oder Diekfilmschaltungen, bei dem ein Deekel und ein Boden durch ein Zwischenstück zu einer geschlossenen Einheit verbunden,sind, bei dem der Boden aus einem beidseitig teilweise metallisierten Isolator besteht, bei dem die beiden Seiten desv Bodens durch mit Metall ausgefüllte Bohrungen im Isolator elektrisch miteinander verbunden sind und bei dem das Halbleitersystem auf der Innenseite des Bodens befestigt ist und die elektrischen Anschlüsse des Halbleitersystems mit der metallisierten Innenseite des Bodens verbunden sind.
In der Hauptanmeldung (DT-OS 1 815 799) ist ein Gehäuse für Halbleitersysteme der obengenannten Art beschrieben, bei dem die mit Metall ausgefüllten Bohrungen im Isolator im Innenraum des Gehäuses enden. Das diese Bohrungen ausfüllende Metall dient gleichzeitig als Dichtung des Gehäuses.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Gehäuse anzugeben, bei dem diese Abdichtung des Gehäuses vermieden v/erden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die mit Metall gefüllten Bohrungen außerhalb des Innenraums des Gehäuses enden. ·
Eine Weiterbildung der Erfindimg besteht darin, daß die mit Metall gefüllten Bohrungen gegenüber dem als Ring ausgebildeten Zwischenstück enden/
3
VPA 9/110/2039 Kot/Dx ; - 2 -
309840/0583
Durch die erfindungsgeraäße Anordnung der Bohrungen werden sehr dichte Gehäuse ermöglicht. Weiterhin bleibt das Gehäuse auch dann dicht, wenn es mechanischen und thermischen Belastungen unterliegt. Zudem kann es sehr einfach hergestellt werden.
Weitere Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels an Hand der Figuren.
Es zeigen:
Fig. 1: Einen Schnitt durch ein erfindungsgemäßes Gehäuse und
Fig. 2: Eine Untersicht des Bodens, entsprechend der Linie H-II in Fig. 1.
In den Figuren werden sich entsprechende Teile mit den gleichen Bezugsseichen versehen.
Ein Halbleitersystem 1 befindet sich auf der Innenseite einer Bodenplatte 2 aus Keramik, welche einen Ring 3 aus einem elektrisch nichtleitenden Material auf einer Seite abschließt. Der Ring 3 ist auf der anderen Seite durch einen Deckel 4 abgeschlossen. Dabei ist der Ring 3 und der Deckel 4 mit einer Justierkerbe 12 versehen. Die Bodenplatte 2, der Ring 3 und der Deckel 4 bilden ein hermetisch dichtes Gehäuse für das Halbleitersystem 1. Wie in der Hauptanmeldung beschrieben wurde, ist die Bodenplatte in eine Dünnfilmschaltung eingebaut und dort mittels Lotbrücken befestigt. Auf der Dünnfilmschaltung und dem Boden befinden sich metallisierte Leitungen. Dabei sind die Lotbrücken so angebracht, daß sie zugleich zur mechanischen Befestigung des Bodens in der Dünnfilmschaltung auch die elektrischen Verbindungen zwischen sich entspx-ecnenden Leitungen des Bodens und der Dünnfilmschaltung herstellen*
VPA 9/110/2039 - 3 -
309840/0S83
Mit Metall, vile beispielsweise lot oder dergleichen· ausgefüllt te Bohrungen 10 verbinden auf der- Außenseite 15 angebrachte \ Leiterbahnen 14 elektrisch rait der Innenseite der Bodenplatte 2. Metallverbindungen 11 , zum Beispiel in Form von Drähten., schließen das Halbleitersysteta/1 über, metallisierte Oberflärchenbereiche 5, 65 7* 8 (in Fig. 2 schraffiert dargestellt) der Innenseite· der Bodenplatte 2 an. die mit Metall, gefüllten -Bohrungen 10 elektrisch an. ■
Die mit. Metall gefüllten Bohrungen 10 enden gegenüber des Ringes 5·" In einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist es auch möglich, daß die mit Metall gefüllten Bohrungen 10 aiißerhalb des Innenrauras und gleichzeitig auch •außerhalb'; des Ringes 3 enden. Hierzu ist es lediglich erforderlich, daß ein mit einem kleineren Äußendurchmesser versehener Ring verwendet wird. Ein solcher ist beispielsweise in^der Pig* 1 strichpunktiert dargestellt und mit 13 bezeichnet. .Entscheidend ist nur, daß die mit Metall gefüllten Bohrungen 10 außerhalb des Innenraums des Gehäiises enden. Dadurch wird nämlich die gewünschte Abdichtung des Gehäuses erreicht.
Unter "der !Bezeichnung "Bohrung" ist bei der vorliegenden' Erfindung jede elektrische- Durchführung durch eine aus einem isolierenden Stoff bestehende Bodenplatte zu verstehen.
5 Patentansprüche . .
2 Figuren
3 0914 0/Q5 8Y .
TPA 9/110/2039

Claims (5)

  1. 2213815
    4 -
    Pat e ntansp'rüche
    Gehäuse für Halbleitersysteme zum Einbau in Dünn- oder Dickfilmschaltungen, bei dein ein Deckel und. ein Boden durch ein Zwischenstück· zu einer geschlossenen Einheit verbunden sind,, bei dein der Boden aus einem beidseitig teilweise mertallisierten Isolator besteht, bei dem die beiden Seiten des Bodens durch mit Metall ausgefüllte Bohrungen im Isolator elektrisch mteinander verbunden sind und bei dem das Halbleitersystein auf der-Innenseite des Bodens befestigt ist und die elektrischen Anschlüsse des Halbleitersystems mit der metallisierten Innenseite des Bodens verbunden sind, nach Patent . .,. ... (Patentanm. P 18 15 799.8) dadur.ch gekennzeichnet, daß die Metall gefüllten Bohrungen (10) außerhalb des Innenraums des Gehäuses enden.
  2. 2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die mit Metall gefüllten Bohrungen (10) gegenüber dem als Ring (3) ausgebildeten Zwischenstüekenden.
  3. 3. Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Innenseite des Bodens (2) zum elektrischen Anschluß, des Halbleitersystems (1) an die mit Metall gefüllten Bohrungen (10) mindestens zwei mit Metall versehene Bereiche (5, 6, 7, 8) aufv/eist.
  4. 4. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 τ 3, dadurch gekennzeichnet , daß der Deekel (4), der Bo-r den (2) und. das Zwischenstück (3) rund sind,
    YPA 9/110/2039 ~ 5 ■*
    3O98Ä0/0583
  5. 5. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet , daß der Deckel (.4) und das Zwischenstück (3) mit einer Justierkerbe versehen sind.
    3 09 8AO/0583
    YPA 9/11 O/i1 G
    Leerseite
DE19722213915 1972-03-22 1972-03-22 Gehaeuse fuer halbleitersysteme Pending DE2213915A1 (de)

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FR7245013A FR2176661B1 (de) 1972-03-22 1972-12-18
GB6005172A GB1397330A (en) 1972-03-22 1972-12-29 Housings for semiconductor systems
NL7302989A NL7302989A (de) 1972-03-22 1973-03-02
CA166,172A CA979122A (en) 1972-03-22 1973-03-15 Housings for semiconductor systems
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IT (1) IT982542B (de)
NL (1) NL7302989A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2942422A1 (de) * 1978-10-19 1980-04-30 Cii Honeywell Bull Traegerplatte fuer integrierte schaltkreise
DE3432449A1 (de) * 1983-09-06 1985-04-04 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Hermetisch verschlossenes leistungschipgehaeuse

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DE2942422A1 (de) * 1978-10-19 1980-04-30 Cii Honeywell Bull Traegerplatte fuer integrierte schaltkreise
DE3432449A1 (de) * 1983-09-06 1985-04-04 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Hermetisch verschlossenes leistungschipgehaeuse

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NL7302989A (de) 1973-09-25
IT982542B (it) 1974-10-21
GB1397330A (en) 1975-06-11
CA979122A (en) 1975-12-02
ATA1012972A (de) 1975-05-15
JPS496880A (de) 1974-01-22
CH548109A (de) 1974-04-11
FR2176661B1 (de) 1977-12-30
AT327989B (de) 1976-02-25

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