DE1815799C3 - Anordnung eines Halbleiterbauelementgehäuses - Google Patents
Anordnung eines HalbleiterbauelementgehäusesInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung eines Halbleiterbauelementpehäuses in einem Dünnfilmschaltungsträger
nach dem Oberbegriff des Patentanspruches.
Bei einer derartigen bekannten Anordnung (L1S-PS
64 400) wird die geschlossene Einheit . lit Leitungen versehen, die über den Rand der Einheit hinausragen.
Damit isi ein Einbau in einen Dünnfilmschaltungsträger möglich. Jedoch ist es schwierig, die Außenseite des
Bodens mit einer aufmetallisierte Leitungen tragende Seite des Dünnfilmschaltungsträgers auf gleiches
Niveau zu bringen, also Einheit und Dünnfilmschaltungsträger zueinander zu justieren.
Aufgabe der Erfindung i't es daher, die eingangs beschriebene Anordnung so zu verbessern, daß eine
Justierung zwischen Einheit und Dünnfilmschaltungsträger auf einfache Weise möglich ist. fi
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches angegebenen
Merkmale gelöst.
Durch das weitere mit einem Flansch versehene Rohrstück kann die Einheit so in den Dünnfilmschal- ίο
tungsträger einfach eingebaut werden, daß das angestrebte gleiche Niveau erzielt wird. Außerdem sorgt das
weitere Rohrstück für eine zusätzliche Abdichtung.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung nähe? erläutert. Es zeigt >i
Fig. 1 eine Anordnung eines Halbleiterbauelementgehäuses
beim Einbau in einen Dünnfilmschaltungsträger und
F i g. 2 einen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauelementgehäuseis. ·(l
In der F i g. 2 befindet sich ein Halbleiterbauelement 1
auf der Innenseite eines Bodens 2 aus Kei imik, welcher
ein Rohrstück 3 mit einem Flansch au! einer Seite abschließt. Das Rohrstück 3 mit dem Flansch ist auf der
anderen Seite durch einen Deckel 4 abgeschlossen. Der "~>
Boden 2, das Rohrstück 3 mit dem Flansch und der Deckel 4 bilden ein Gehäuse für das Halbleiterbauelement
1. Der Boden 2 ist in einen Dünnfilmschaltungsträger 6 eingebaut und dort mittels Lotbrücken 7 befestigt
Auf dem Dünnfilmschaltungsträger 6 und dem Boden 2 befinden sich aufmetallisierte Leitungen 8 bzw. 5. Dabei
sind die Lotbrücken 7 so angebracht, daß sie zugleich zur mechanischen Befestigung des Bodens 2 im
Dünnfilmschaltungsträger 6 auch die elektrischen Verbindungen zwischen sich entsprechenden Leitungen
5 bzw. 8 des Bodens 2 bzw. des Dünnfilmschaltungsträgers 6 herstellen.
Mit Lot 10 ausgefüllte Bohrungen verbinden die Außenseite elektrisch mit der Innenseite des Bodens 2.
Metallverbindungen U schließen das Halbleiterbauelement 1 an das Lot 10 der Bohrungen an. Dabei bestehen
die Metallverbindungen 11 aus Leitungen entsprechend den Leitungen 5 oder aus dünnen Drähten. Dabei muß
aber darauf geachtet werden, daß die Metallverbindungen 11 nicht über das Rohrstück 3 oder den Deckel 4
kurzgeschlossen werden.
Das Rohrstück 3 mit dem Flansch erlaubt eine einfache Herstellung des Gehäuses. Dabei kann
gegebenenfalls auch ein Flansch ohne Rohrstück eingebaut werden. Zweckmäßigerweise wird der
Grundriß des Bodens 2 so ausgebildet, daß er leicht in die Dünnfilmschaltung auii den Leitungen 5 eingebracht
werden kann. Am besten wird hierfür ein kreisförmiger Umriß gewählt, da dann in der Dünnfilmschaltung nur
eine entsprechende Bohrung 18 (vgl. Fig. 1) vorgesehen werden muß. Es sind jedoch auch Fälle denkbar, in
denen ein eckiger Umriß vorteilhaft ist, etwa wenn dies die Geometrie der Dünnfilmschaltung erfordert.
An der Außenseite des Deckels 4 kann ein Kühlblech oder eine Schraube 16 befestigt werden. Das Kühlblech
oder die Schraube 16 dienen zur Ableitung der Verlustwärme des Halbleiterbauelements 1 auf dem
Weg Boden 2, Flansch und Rohrstück 3, Deckel 4, Kühlblech oder Schraube 16. Dabei ist =;s besonders
zweckmäßig, ein großes Kühlblech oder eine massive Schraube, jeweils aus einem Material mit guter
Wärmeleitfähigkeit, zu wählen. Wird zur Ableitung der Verlustwärme die Schraube 16 am Deckel 4 vorgesehen,
so können damit auch gleichzeitig das Gehäuse und die Dünnfilmschaltung mechanisch befestigt werden. Der
Deckel 4 und das Kühlblech bzw. der Deckel 4 und die Schraube 16 können gegebenenfalls auch aus einem
Stück bestehen. Insbesondere kann etwa der Deckel 4 gleichzeitig als Kühlblech ausgebildet sein.
In der Fig. 2 sind für einander entsprechende Teile
die gleichen Bezugszeichen verwendet wie in der Fig. 1. Der Boden 2 füllt im eingebauten Zustand die
entsprechende Bohrung 18 im Dünnfilmschaltungsträger 6 aus und ist somit als Teil einer »Dünnfilmschaltung«
anzusehen. Die besondere Art und Weise der Anordnung der Leitungen 5 und der Bohrungen 10
erlauben es, die schädlichen Eigeninduktivitäten und Eigenkapazitäten des Gehäuses extrem niedrig zu
halten.
Zwischen dem Deckel und dem Dünnfilmschaltungsträger 6 ist ein zusätzlicher Flansch 20 mit einem
Kohrstück 21 vorgesehen. Der Flansch 20 dient zur Anpassung von unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten
der verwendeten Werkstoffe. Ein weiterer Vorteil dieser Anordnung ist durch die Justiermöglichkeit
auf gleiches Niveau zwischen Boden und Dünnfilmschaltung gegeben.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Anordnung eines Halbleiterbauelementgehäuses, bei dem ein Deckel und ein Boden durch ein einen Flansch aufweisendes Rohrstück üu einer geschlossenen Einheit verbunden sind, bei dem der Boden aus einem beidseitig mit Metallisierungen versehenen Isolierteil besteht, bei dem die beiden Seiten des Bodens durch, mit Metall ausgefüllte Bohrungen im Isolierteil elektrisch miteinander verbunden sind, bei dem das Halbleiterelement auf der Innenseite des Bodens befestigt ist und die Elektroden des Halbleiterelements mit den Metallisierungen der Innenseite des Bodens verbunden sind, in einem Dünnfilmschaltungsträger, dadurch gekennzeichnet, daß der Dünnfilmschaltungsträger (6) eine öffnung (18) aufweist, die den Boden (2) aufnimmt, und daß zwischen dem Deckel (4) und dem DünnfilmschiJtungsträger (6) ein weiteres mit einem Flansch (20; versehenes Rohrstück (2!) derart angebracht ist, daß die Außenseite des Bodens (2) mit der aufmetallisierte Leitungen (8) tragenden Seite des Dünnfilmschaltungsträgers (6) auf gleichem Niveau liegt.25
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1815799A DE1815799C3 (de) | 1968-12-19 | 1968-12-19 | Anordnung eines Halbleiterbauelementgehäuses |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1815799A DE1815799C3 (de) | 1968-12-19 | 1968-12-19 | Anordnung eines Halbleiterbauelementgehäuses |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1815799A1 DE1815799A1 (de) | 1970-06-25 |
DE1815799B2 DE1815799B2 (de) | 1979-01-04 |
DE1815799C3 true DE1815799C3 (de) | 1979-09-13 |
Family
ID=5716799
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
DE1815799A Expired DE1815799C3 (de) | 1968-12-19 | 1968-12-19 | Anordnung eines Halbleiterbauelementgehäuses |
Country Status (1)
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---|---|
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Families Citing this family (4)
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GB8304890D0 (en) * | 1983-02-22 | 1983-03-23 | Smiths Industries Plc | Chip-carrier substrates |
GB2146174B (en) * | 1983-09-06 | 1987-04-23 | Gen Electric | Hermetic power chip packages |
DE69937739T2 (de) * | 1999-05-11 | 2008-11-27 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleitervorrichtung |
-
1968
- 1968-12-19 DE DE1815799A patent/DE1815799C3/de not_active Expired
Also Published As
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DE1815799B2 (de) | 1979-01-04 |
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